KR102212674B1 - 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적층 공정을 반복하여 형성되는 후막 패턴 형성시에 패턴 폭을 점차 확대시켜 동일 물질층을 적층하여 모든 층이 적층된 이후의 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법에 관한 것으로, 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 코팅층;상기 후막 패턴 코팅층 상에 패턴 폭의 크기가 후막 패턴 코팅층의 에지 영역에서 점차 확대되어 차례로 적층되는 다른 후막 패턴 코팅층들;을 포함하고,이들 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴이 앞에 적층된 후막 코팅층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 것이다.

Description

후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법{Thick film pattern structure and Method for fabricating the same}
본 발명은 적층 공정을 반복하여 형성되는 후막 패턴에 관한 것으로, 구체적으로 패턴폭을 점차 확대시켜 동일 물질층을 적층하여 모든 층이 적층된 이후의 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법에 관한 것이다.
최근, 터치 센서들은, 용량성 터치 센서들의 제작 기술이 가장 널리 이용되는 모바일 폰, PDA(personal digital assistant) 및 핸드헬드(handheld) 퍼스널 컴퓨터와 같은 여러 전자적 제품에서 널리 적용되고 있다.
현재, 단일 유리 유형의 용량성 터치 센서의 구조가 터치 센서들에 대해 이용되는 주요 구조이다.
종래 기술의 단일 유리 유형의 용량성 터치 센서들에 대해, 터치 감지 전극 층을 형성하기 위한 재료는 보통 산화 인듐 주석(ITO: indium tin oxide)이다.
ITO 층은 스퍼터링에 의해 유리 기판상에 직접 형성된 다음 패터닝되어 터치 감지 전극 층의 패턴을 형성한다.
터치 감지 전극 층의 패턴은 X축 감지 전극 패턴 및 Y축 감지 전극 패턴을 포함하는데, 이 패턴에서, 감지 전극 패턴의 일 축은 감지 전극 패턴의 또 다른 축을 가로지르는(across) 브릿지 구조(bridge structure)를 형성하기 위해 도전성 층을 이용한다.
절연층은 X축 감지 전극 패턴을 Y축 감지 전극 패턴으로부터 전기적으로 절연시키기 위해 서로 십자로 교차하는(crisscross), X축 감지 전극 패턴 및 Y축 감지 전극 패턴의 위치에서 형성된다.
이와 같은 터치 센서는 도 1에서와 같이, 활성 영역(11)과 상기 활성 영역(11)의 테두리인 비활성 영역(12)으로 구획되는 투명기판(10)과, 투명기판(10) 일면에 형성되는 전극부를 포함한다.
투명기판(10)은 터치 위치 검출을 위한 전극부가 형성되는 영역을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 투명기판(10)은 이러한 전극부를 지지할 수 있는 지지력과 화상표시장치에서 제공되는 화상을 사용자가 인식할 수 있도록 하는 투명성을 갖추어야 한다.
이와 같이 터치 센서는 활성 영역(11)과 이 활성 영역(11)의 테두리 영역인 비활성 영역(12)으로 구획될 수 있다.
활성 영역(11)은 사용자에 의한 터치작용이 이루어지는 영역이며, 사용자가 기기의 동작 장면을 시각적으로 확인하는 화면 영역이다.
그리고 비활성 영역(12)은 투명기판(10)에 형성되는 베젤부에 의해 가려져 외부로 노출되지 않는 영역이다.
이와 같은 베젤부에는 활성 영역(11)의 주변부에 위치하는 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 일정 두께 이상으로 형성된다.
이와 같이 일정 두께 이상 형성되는 후막 패턴은 통상적으로 10 ~ 20㎛ 이상의 두께를 갖는 것으로, 한 번의 코팅 공정으로 형성되는 것이 아니고, 일정 두께 이상을 형성하기 위하여 반복 코팅 공정으로 원하는 두께의 후막 패턴을 형성한다.
그러나 도 2에서와 같이 후막 패턴을 형성하기 위하여 동일 패턴폭을 갖고 1,2,3번 이상 적층 코팅 공정을 진행하는데, 이 경우에는 후막 패턴의 테이퍼부(가)에서의 경사각이 20°이상이 되어 이후의 포토리소그래피 공정 등을 진행하는 경우에 (나) 부분에서와 같이 감광액의 흘러 내림 등의 문제가 발생한다.
이와 같은 감광액의 흘러 내림에 의해 이후의 공정 진행에서 단선 및 패턴 불량의 문제를 발생시킨다.
특히, 테이퍼부(가)에서의 큰 경사각에 의해 후막 패턴의 막 두께의 변화 및 패턴 폭의 변화에 의해 소자의 품질 불량을 야기하여 수율을 크게 저하시키는 문제가 있다.
도 3은 이와 같은 종래 기술에서의 후막 패턴 형성 이후의 공정 진행시에 발생하는 단선 문제를 나타낸 것이다.
따라서, 이와 같은 종래 기술의 후막 패턴 형성의 문제를 해결하기 위한 새로운 후막 패턴 구조 및 공정 방법의 개발이 요구되고 있다.
한국 공개특허 제10-2008-0000736호
본 발명은 이와 같은 종래 기술의 후막 패턴의 문제를 해결하기 위한 것으로, 패턴 폭을 점차 확대시켜 동일 물질층을 적층하여 모든 층이 적층된 이후의 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 보호층 및 절연층으로 사용되는 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 패턴 폭이 점차 확대되어 이전에 적층된 층이 덮어지도록 하는 라운드 커버 방식으로 코팅 공정을 진행하여 후막 패턴 상에서 이루어지는 포토리소그래피 공정시에 감광액이 흘러내리는 것을 억제한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후막 패턴 구조는 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 코팅층;상기 후막 패턴 코팅층 상에 패턴 폭의 크기가 후막 패턴 코팅층의 에지 영역에서 점차 확대되어 차례로 적층되는 다른 후막 패턴 코팅층들;을 포함하고,이들 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴이 앞에 적층된 후막 코팅층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
여기서, 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기는 동일하거나, 적층 될수록 확대되는 폭의 크기가 점차 작아지거나 점차 커지는 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 형성 두께는 동일하거나,적층 될수록 코팅되는 두께가 점차 증가되거나 감소되는 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 패턴은, 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 패턴 폭이 점차 확대되는 확대 폭의 크기를 변화시키는 것과 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 변화시키는 것을 조합하여 형성된 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각은 5 ~ 10°인 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 후막 패턴의 라운드 커버 형상을 갖는 부분은 터치 센서의 베젤 영역에 위치한 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 후막 패턴은, 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후막 패턴의 형성 방법은 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 단계;패턴 폭의 크기가 점차 확대되는 마스크들을 순차적으로 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 반복하여 코팅하여 에지 영역에서 앞에 적층된 층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 후막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 후막 패턴이 라운드 커버 형상을 갖도록 확대되는 마스크의 패턴 폭의 확대 크기를 동일하게 하거나, 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 후막 패턴 형성용 물질을, 적층되는 각각의 코팅층의 두께가 동일하도록 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께가 달라지도록 코팅하는 것을 특징으로 한다.
그리고 점차 확대되는 패턴 폭 크기는, 후막 패턴 형성용 물질이 반복되어 코팅된 전체 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각이 5 ~ 10°가 되도록 하는 크기인 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 한다.
그리고 후막 패턴 형성용 물질은, 빛을 차단하기 위한 차폐층 형성용 물질, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층 형성용 물질, 전극 라인들과의 절연을 위한 절연 물질의 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법은 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, 모든 층이 적층된 이후의 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있다.
둘째, 패턴 폭이 점차 확대되는 라운드 커버 방식으로 후막 패턴을 형성하여 후막 패턴 상에서 이루어지는 포토리소그래피 공정시에 감광액이 흘러내리는 것을 억제한다.
셋째, 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있다.
넷째, 후막 패턴의 테이퍼부에서의 경사각을 줄여 후막 패턴의 막 두께의 변화 및 패턴 폭의 변화를 억제하여 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 터치 센서의 평면 구성도
도 2는 종래 기술의 후막 패턴 단면 구조를 나타낸 구성도
도 3은 종래 기술의 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시에 발생하는 단선 영역을 나타낸 단면 사진
도 4는 본 발명에 적용되는 일 예를 나타낸 터치 센서의 구성도
도 5는 본 발명에 따른 후막 패턴의 단면 구성도
도 6은 본 발명에 따른 후막 패턴 형성을 위한 공정 순서를 나타낸 플로우 차트
도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시의 단면 사진
이하, 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시 예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
도 4는 본 발명에 적용되는 일 예를 나타낸 터치 센서의 구성도이고, 도 5는 본 발명에 따른 후막 패턴의 단면 구성도이다.
본 발명은 보호층 및 절연층으로 사용되는 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있도록 한 것으로, 후막 패턴을 형성하기 위한 반복 코팅 공정시에 패턴 폭이 점차 확대되는 라운드 커버 방식으로 후막 패턴을 형성하는 것이다.
이하의 설명에서는 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법이 적용되는 일 예로 터치 센서를 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 적용되는 소자가 터치 센서로 제한되는 것이 아님은 명백하다.
즉, 반복 코팅 공정에 의해 후막 패턴을 형성하는 다른 모든 소자의 제조에 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법이 적용되는 일 예로 설명하는 터치 센서는 도 4에서와 같이, 전극부가 위치하는 활성 영역(11)과 이 활성 영역(11)의 테두리 영역인 비활성 영역(12)으로 구분된다.
비활성 영역(12)은 투명기판(10)에 형성되는 베젤부에 의해 가려져 외부로 노출되지 않는 영역으로, 베젤부에는 활성 영역(11)의 주변부에 위치하는 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 일정 두께 이상으로 형성된다.
투명기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS;BOPS) 등으로 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 전극부는 투명기판(10)의 일면에 형성될 수 있다. 이때, 전극부는 투명기판(10)의 일면의 활성 영역(11)에 형성되는 전극 및 비활성 영역(12)에 형성되어 전극의 테두리와 연결되는 전극배선을 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 터치센서의 전극부가 형성되는 부분이 투명기판(10)의 일면으로 반드시 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 투명기판(10)의 타면 또는 양면에 전극부가 형성될 수 있음은 물론이다.
그리고 전극은 전도성 고분자 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 또는 폴리페닐렌비닐렌 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
또한, 금속 산화물은 인듐-주석 산화물(Indum-Thin Oxide)로 이루어질 수 있다.
여기서, 전극이 전도성 고분자 또는 금속 산화물로 이루어지는 것으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 메시 패턴으로 형성된 금속 또는 은염유제층의 노광/현상하여 형성되는 금속 은으로 이루어질 수 있다.
또한, 전극배선은 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag),티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 또는 크롬(Cr) 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.
아울러, 전극은 건식 공정, 습식 공정 또는 다이렉트(direct) 패터닝 공정으로 형성할 수 있다.
여기서, 건식공정은 스퍼터링(Sputtering), 증착(Evaporation) 등을 의미하고, 습식 공정은 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 롤 코팅(Roll coating), 스프레이 코팅(Spray coating) 등을 의미하며, 다이렉트 패터닝 공정은 스크린 인쇄법(Screen Printing), 그라비아 인쇄법(Gravure Printing), 잉크젯 인쇄법(Inkjet Printing) 등을 의미하는 것이다.
도 4의 (다)(라)(마)(바) 영역은 활성 영역의 주변부에 위치하여 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 주로 형성되는 영역을 나타낸 것이다.
물론, 이들 영역 이외에서 후막 패턴이 형성되는 경우에도 본 발명에 따른 후막 패턴 구조가 적용될 수 있다.
도 4의 (다)(라)(마)(바)의 어느 하나의 영역에서 형성되는 후막 패턴의 단면 구조는 도 5에서와 같다.
본 발명에 따른 후막 패턴은 도 5에서와 같이, 제 1 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 1차 코팅층(50)과, 에지 영역에서 제 1 패턴 폭에서 일정 크기 확대된 제 2 패턴 폭을 갖고 후막 패턴 1차 코팅층(50)상에 형성되는 후막 패턴 2차 코팅층(51)과, 에지 영역에서 제 2 패턴 폭에서 일정 크기 확대된 제 3 패턴 폭을 갖고 후막 패턴 2차 코팅층(51)상에 형성되는 후막 패턴 3차 코팅층(52)을 포함한다.
여기서, 후막 패턴 구조를 후막 패턴용 형성 물질층을 1,2,3차 코팅 공정으로 형성하는 것을 일 예로 설명하였으나, 적층되는 코팅층 개수는 제한되지 않고 다르게 할 수 있다.
본 발명에서 라운드 커버 방식의 코팅은 도 5에서와 같이 이전 코팅된 코팅층을 일정 크기의 라운드를 갖고 덮는 형태로 코팅되는 것을 의미한다.
그리고 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기 B,C는 동일한 것이 바람직하나, 확대되는 폭의 크기를 점차 작게(B > C)하거나, 점차 크게(B < C)할 수 있다.
그리고 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께 a,b,c는 동일한 것이 바람직하나, 코팅 두께를 점차 증가(a > b > c)시키거나, 코팅 두께를 점차 감소(a < b < c)시킬 수 있다.
다른 방법의 하나는 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기 및 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께 변화를 조합하여 후막 패턴 구조를 형성할 수도 있다.
이와 같은 공정으로 형성된 후막 패턴은 테이퍼 각도가 5 ~ 10°가 되어 이후의 공정에서 증착되는 물질(53)이 흘러내리는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 포토리소그래피 공정으로 패터닝을 하는 경우에 감광액이 흘러 내려 발생하는 패턴 폭의 감소 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있다.
또한, 요구되는 후막 패턴의 전체 두께가 10㎛ 이상의 두께를 갖는 경우에도 이후의 공정에서 문제가 발생하는 것을 억제하고, 후막 패턴의 전체 두께가 30 ~ 35㎛인 아주 두꺼운 경우에도 후막 패턴의 에지 부분의 테이퍼 각을 효과적으로 줄일 수 있다.
이와 같은 후막 패턴은 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나일 수 있다.
차폐층의 경우에는 광 흡수 물질, 색보정 기능을 갖는 물질로 형성될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 차폐를 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.
그리고 보호층의 경우에는 하부의 패턴을 보호하기 위한 것으로, 유전체 박막 등이 사용될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 하부 패턴 보호를 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.
그리고 절연층은 산화막, 질화막 등의 물질로 형성될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 절연을 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.
이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴은 여러 번 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 공정시에 패턴 폭을 다르게 하여 후막 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각을 줄여 이후의 공정에서 증착되는 물질이 흘러내리는 것을 방지할 수 있어 막 두께의 변화, 패턴 폭의 감소 및 단선 등의 발생을 방지한다.
이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴의 형성을 위한 코팅 공정은 다음과 같이 이루어진다.
도 6은 본 발명에 따른 후막 패턴 형성을 위한 공정 순서를 나타낸 플로우 차트이다.
먼저, 하부 패턴이 형성된 이후에(S601), 후막 패턴을 형성하기 위한 제 1 패턴 폭을 갖는 제 1 마스크를 정렬한다.(S602)
그리고 정렬된 제 1 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 1차 코팅한다.(S603)
이어, 후막 패턴 형성용 물질이 1차 코팅된 영역에 제 1 패턴 폭보다 에지 영역에서 패턴 폭이 확대된 제 2 마스크를 정렬한다.(S604)
그리고 정렬된 제 2 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 2차 코팅하여 1차 코팅된 물질층을 라운드 커버 형태로 덮도록 형성한다.(S605)
이어, 후막 패턴 형성용 물질이 1,2차 코팅된 영역에 제 2 패턴 폭보다 에지 영역에서 패턴 폭이 확대된 제 3 마스크를 정렬한다.(S606)
그리고 제 3 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 3차 코팅하여 1,2차 코팅된 물질층을 라운드 커버 형태로 덮도록 하여 후막 패턴을 형성한다.(S607)
여기서, 후막 패턴을 형성하기 위하여 후막 패턴용 형성 물질층을 1,2,3차 코팅 공정으로 형성하는 것을 일 예로 설명하였으나, 코팅 공정의 횟수는 제한되지 않고 다르게 할 수 있다.
그리고 마찬가지로 이와 같은 공정이 적용되는 본 발명에 따른 후막 패턴은 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나일 수 있다.
그리고 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 제 1,2,3 마스크의 확대 폭의 크기는 동일하거나, 다르게 할 수 있다.
그리고 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 동일한 두께로 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께를 다르게 하여 형성할 수도 있다.
그리고 후막 패턴용 형성 물질층을 코팅하는 방식은 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 롤 코팅(Roll coating), 스프레이 코팅(Spray coating) 등이 사용될 수 있고, 이들 방법으로 제한되지 않고 다른 적층 방법을 사용할 수도 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 형성 방법에 의한 후막 패턴은 10㎛ 이상의 후막 패턴을 형성하는 경우에 점차 패턴 폭을 확대시켜 적층하는 라운드 커버 코팅 방식으로 형성하여 이후의 전극 형성을 위한 포토리소그래피 공정시 전극 및 보호층의 단선 및 벗겨짐에 의한 품질 불량 및 외관 불량을 방지한다.
도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시의 단면 사진이다.
그리고 여러 가지 코팅 방식 및 후막/박막 패턴이 혼재하는 공정의 경우에 두께가 두꺼워 발생하는 패턴의 단선 및 적층 패턴의 끊어짐 문제를 해결할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법은 후막 패턴을 형성하기 위한 반복 코팅 공정시에 패턴 폭이 확대되는 라운드 커버 코팅 방식으로 후막 패턴을 형성하여 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 발생을 억제한다.
이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
50. 후막 패턴 1차 코팅층 51. 후막 패턴 2차 코팅층
52. 후막 패턴 3차 코팅층

Claims (14)

  1. 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 코팅층;
    상기 후막 패턴 코팅층 상에 패턴 폭의 크기가 상기 후막 패턴 코팅층의 에지 영역에서 점차 확대되어 차례로 적층되는 다른 후막 패턴 코팅층들을 포함하는 후막 패턴을 구성하고,
    상부의 후막 패턴 코팅층은 하부의 후막 패턴 코팅층의 상면 및 측면을 덮되 상기 후막 패턴 코팅층들의 측면이 라운드 경사지면서 라운드 커버 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기는 동일하거나,
    적층 될수록 확대되는 폭의 크기가 점차 작아지거나 점차 커지는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 형성 두께는 동일하거나,
    적층 될수록 코팅되는 두께가 점차 증가되거나 감소되는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴은,
    후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 패턴 폭이 점차 확대되는 확대 폭의 크기를 변화시키는 것과 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 변화시키는 것을 조합하여 형성된 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각은 5 ~ 10°인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 라운드 커버 형상을 갖는 부분은 터치 센서의 베젤 영역에 위치한 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 후막 패턴은,
    백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.
  9. 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 단계;
    패턴 폭의 크기가 점차 확대되는 마스크들을 순차적으로 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 반복하여 코팅하여 에지 영역에서 상부의 후막 패턴 코팅층이 하부의 후막 패턴 코팅층의 상면 및 측면을 덮는 후막 패턴을 형성하되, 상기 후막 패턴 코팅층들의 측면을 라운드 경사지게 하여 상기 후막 패턴의 에지 영역이 라운드 커버 형상을 갖게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 후막 패턴이 라운드 커버 형상을 갖도록 확대되는 마스크의 패턴 폭의 확대 크기를 동일하게 하거나, 다르게 하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 후막 패턴 형성용 물질을,
    적층되는 각각의 코팅층의 두께가 동일하도록 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께가 달라지도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 점차 확대되는 패턴 폭 크기는,
    상기 후막 패턴 형성용 물질이 반복되어 코팅된 상기 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각이 5 ~ 10°가 되도록 하는 크기인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 후막 패턴 형성용 물질은,
    빛을 차단하기 위한 차폐층 형성용 물질, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층 형성용 물질, 전극 라인들과의 절연을 위한 절연 물질의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
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