KR20020091896A - 실리콘 결정화방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 준비하는 단계와;고정수단에 기판을 고정하는 단계와;가로방향으로 구성된 막대형상의 투과영역과, 차단영역으로 구성된 마스크를 상기 기판 상에 위치시키는 단계와;상기 마스크에 레이저 빔을 조사하여, 상기 비정질 실리콘박막에 상기 마스크의 투과영역을 통해 소정형상으로 출사한 레이저빔을 조사하는 단계와;상기 레이저빔이 조사된 영역 중, 상기 투과영역의 가운데 부분에 대응하는 영역은 완전 용융되고, 상기 투과영역의 양측에 해당하는 영역은 부분 용융되는 단계와;상기 완전 용융영역과의 계면인 상기 비정질 실리콘의 양측에서 그레인이 각각 성장하여, 제 1 그레인영역과 충돌영역과 제 2 그레인영역으로 구성된 제 1 결정영역을 형성하는 제 1 결정화 단계와;상기 마스크를 상기 제 1 결정영역의 가로 길이보다 작게 이동하여, 상기 투과영역의 일 측 에지부가 상기 제 1 결정영역의 일부에 겹쳐지도록 하고 2차 레이저 빔을 조사하여, 상기 부분 용융된 영역을 포함한 영역을 결정화하는 제 2 결정화 단계와;상기 제 2 결정화 단계와 동일한 공정으로 기판의 가로방향으로 결정화를 진행하는 단계와;상기 기판의 가로방향으로 결정화 공정이 완료되면 상기 마스크 또는 고정수단을 세로방향으로 소정 이동하여, 다시 위와는 반대의 가로방향으로 상기와 동일한 결정화 공정을 진행하여 결정화를 완료하는 단계를 포함하는 폴리실리콘 결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마스크와 상기 고정수단은 X 방향 또는 Y방향으로 이동 가능한 폴리실리콘 결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마스크에 구성된 막대형상 투과부의 양측 에지부는 그 폭이 좁아지는 형태로 구성된 폴리실리콘 결정화 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항 중 어는 한 항에 있어서,상기 막대형상의 양측 에지부는 삼각형상 또는 반원형상인 폴리실리콘 결정화 방법.
- 제 1 항의 결정화 방법으로 결정화된 폴리실리콘 액티브층과, 게이트전극과, 소스전극과 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터.
- 제 1 항의 결정화 방법으로 결정화된 폴리실리콘 액티브층과, 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 각각 포함하고 상기 액티층의 양측에 p+이온이 도핑된 p형 박막트랜지스터와, 상기 액티브층의 양측에 n+이온이 도핑된 n형 박막트랜지스터로 구성된 CMOS소자.
- 절연 기판 상에 비정질 실리콘을 형성하는 단계와;가로방향으로 구성된 막대 형상의 투과영역을 가지는 마스크를 통해 1차 레이저빔을 조사하여 제 1 결정영역을 형성하는 단계와;상기 마스크의 투과영역을 가로방향으로 이동하여, 상기 제 1 결정영역의 일부에 상기 투과영역 패턴의 일 측 에지부가 겹쳐지도록 구성하여 2 차 레이저 빔을 조사하는 단계와;상기 2차 레이저 빔에 의해 상기 제 1 결정영역의 일부를 포함한 새로운 영역이 결정화된 제 2 결정영역을 형성하는 단계를 포함하는 측면성장 결정화 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 막대형상 투과부의 양측 에지부는 폭이 좁아지는 형상으로 구성된 폴리실리콘 측면성장 결정화 방법.
- 제 1 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 막대형상 투과부의 양측 에지부는 삼각형상 또는 반원형상인 측면성장 결정화 방법.
- 차단영역과, 가로방향으로 구성된 막대형상인 투과영역을 가지는 마스크의 상기 투과영역을 통해 형상화되는 레이저 빔 패턴.
- 제 10 항에 있어서,상기 막대형상의 양측 에지부는 폭이 좁아지는 형상으로 구성된 투과부를 통해 형상화 되는 레이저 빔 패턴.
- 제 10 항 또는 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양측 에지부는 삼각형상 또는 반원형상으로 구성된 상기 투과영역을 통해 형상화되는 레이저 빔 패턴.
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