KR20020065968A - Method for fabricating electron emitter stacks for field emission display panel and structures formed - Google Patents

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KR20020065968A KR1020010006091A KR20010006091A KR20020065968A KR 20020065968 A KR20020065968 A KR 20020065968A KR 1020010006091 A KR1020010006091 A KR 1020010006091A KR 20010006091 A KR20010006091 A KR 20010006091A KR 20020065968 A KR20020065968 A KR 20020065968A
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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method and a structure of an electron emitter stack for a FED(Field Emission Display) panel are provided to reduce the separation of a carbon nano tube in a cathode surface in the operation of the FED panel by increasing the sticking between the carbon nano tube and the cathode surface. CONSTITUTION: A cathode layer(66) is screen-printed on an insulating substrate(68) which is a glass substrate. The cathode layer(66) is made of materials selected from a group consisting of ITO(Indium-Tin-Oxide), aluminum, molybdenum, silver, and nickel. An adhesion layer(62), which is made of adhesive materials having excellent wetting due to a nano tube applied to all the upper and lower portions of the cathode layer(66), is screen-printed on an upper portion of the cathode layer(66). A nano tube emitter layer(64) is deposited on an upper portion of the adhesion layer(62).

Description

전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 제조 방법과 그 구조 {METHOD FOR FABRICATING ELECTRON EMITTER STACKS FOR FIELD EMISSION DISPLAY PANEL AND STRUCTURES FORMED}METHOD FOR FABRICATING ELECTRON EMITTER STACKS FOR FIELD EMISSION DISPLAY PANEL AND STRUCTURES FORMED}

본 발명은 일반적으로는 전계 방출 디스플레이(field emission display: 이하 "FED"라 함) 패널용 전자 이미터 스택(electron emitter stack)과 그 제조 방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 나노튜브(nanotube)와 캐소드(cathode) 사이에 고착성을 개선시키고, 전자 방출 밀도를 개선시키는 FED용 전자 이미터 스택과 상기의 개선된 전자 이미터 스택을 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates generally to electron emitter stacks for field emission displays (hereinafter referred to as "FED") panels, and to methods of fabricating the same, and more particularly to nanotubes and An electron emitter stack for an FED that improves adhesion between cathodes and an electron emission density, and a method of manufacturing the improved electron emitter stack described above.

최근, 평면 패널(flat panel) 디스플레이 장치가 개발되어 개인용 컴퓨터와같은 전자 장비에 폭넓게 응용되고 있다. 평면 패널 디스플레이 장치 중 인기있는 것 중의 하나가 향상된 해상도를 제공하는 활성 매트릭스 액정 디스플레이(active matrix liquid diplay)이다. 하지만, 상기 액정 디스플레이 장치는 수많은 응용을 하기에는 부적합한 내재적인 많은 한계를 지닌다. 예를 들면, 액정 디스플레이는 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 유리 패널을 도포하는 느린 증착 공정, 제조 공정에 비해 높은 제조 복잡도 및 낮은 수율(low yield)을 포함하여 많은 제조상의 한계가 있다. 또한, 액정 디스플레이 장치는 발생된 광의 대부분을 소비하면서 고전력을 끌어오는 형광성 백라이트(fluorescent backlight)를 필요로 한다. 액정 디스플레이 이미지는 환한 빛 상태하에서 또는 넓은 시야각(viewing angle)에서는 보기가 어려운데, 이는 많은 응용에 액정 디스플레이를 사용하는 것을 더욱 제한한다.Recently, flat panel display devices have been developed and widely applied to electronic equipment such as personal computers. One popular among flat panel display devices is an active matrix liquid diplay that provides improved resolution. However, the liquid crystal display device has many inherent limitations that are unsuitable for many applications. For example, liquid crystal displays have many manufacturing limitations, including a slow deposition process of applying glass panels with amorphous silicon, high manufacturing complexity and low yield over the manufacturing process. In addition, liquid crystal display devices require a fluorescent backlight that draws high power while consuming most of the generated light. Liquid crystal display images are difficult to see under bright light conditions or at wide viewing angles, which further limits the use of liquid crystal displays in many applications.

상기 액정 디스플레이 패널(이하 "LCD"라 함) 장치를 대체하기 위하여 다른 평면 패널 디스플레이 장치가 최근 개발되어 왔다. 그러한 장치 중 하나가 LCD의 한계를 극복하고 전통적인 LCD 장치에 비해 상당한 장점을 제공하는 FED 장치이다. 예를 들면, FED 장치는 종래의 TFT-LCD(thin film transistor LCD)에 비교할 때, 더 높은 콘트라스트 비율(contrast ratio), 더 넓은 시야각, 더 높은 최대 휘도, 더 낮은 소비 전력 및 더 넓은 동작 온도를 갖는다.Other flat panel display devices have recently been developed to replace the liquid crystal display panel (hereinafter referred to as "LCD") devices. One such device is an FED device that overcomes the limitations of LCD and offers significant advantages over traditional LCD devices. For example, FED devices offer higher contrast ratios, wider viewing angles, higher maximum brightness, lower power consumption, and wider operating temperatures compared to conventional thin film transistor LCDs (TFT-LCDs). Have

FED와 LCD의 가장 극적인 차이는, LCD와는 달리 FED는 컬러 형광체(colored phosphor)를 활용하는 자신의 광원(light source)을 생성한다는 것이다. FED는 복잡하고 전력 소비적인 백라이트와 필터(filter)를 필요로 하지 않으며, 그 결과FED가 발생하는 거의 모든 빛을 사용자가 볼 수 있다. 더욱이, FED는 박막 트랜지스터의 대 어레이(large array)를 필요로 하지 않고, 따라서 활성 매트릭스 LCD에 대한 고비용과 수율 문제의 근본 원인을 제거한다.The most dramatic difference between FED and LCD is that, unlike LCD, FED creates its own light source that utilizes colored phosphors. The FED does not require complex and power-consuming backlights and filters, so the user can see almost all the light the FED generates. Moreover, FED does not require a large array of thin film transistors, thus eliminating the root cause of high cost and yield problems for active matrix LCDs.

FED에 있어서, 캐소드에서 전자가 방출되어 투명 커버판(cover plate)의 후면에 코팅된 형광체에 충돌하여 이미지를 생성한다. 이러한 음극발광(cathodluminescent) 과정은 빛을 생성하는 가장 효율적인 방법 중 하나로 알려져 있다. 종래의 CRT 장치와 대조적으로, FED의 각 화소(pixel)나 방출 유니트(emission unit)는 자신의 전자원(electron source) 즉, 통상적으로 방출 마이크로팁(emitting microtip) 어레이를 구비한다. 캐소드와 게이트 전극 사이에 존재하는 전위차는 상기 캐소드로부터 전자들을 끌어내고 형광체 코팅을 향해 가속시킨다. 방출 전류 및 이로 인한 디스플레이 휘도는 방출 재료의 작용 기능에 상당히 좌우된다. FED의 상기 필요한 효과를 얻기 위하여, 이미터(emitter) 원재료의 청결과 균일도(clenaliness and uniformaty)가 매우 중요하다.In the FED, electrons are emitted from the cathode and impinge on the phosphor coated on the backside of the transparent cover plate to produce an image. This cathodluminescent process is known as one of the most efficient ways of generating light. In contrast to conventional CRT devices, each pixel or emission unit of an FED has its own electron source, typically an array of emitting microtips. The potential difference present between the cathode and the gate electrode draws electrons from the cathode and accelerates it towards the phosphor coating. The emission current and the resulting display brightness are highly dependent on the working function of the emitting material. In order to achieve the necessary effects of the FED, the cleanliness and uniformity of the emitter raw material is very important.

FED에서 전자를 이동시키기 위하여, 대부분의 FED는, 방출된 전자에 대해 로그 평균 자유 경로(log mean free path)를 제공하고 마이크로팁의 오염과 열화를 방지하도록 10-7토르(torr)와 같은 저압으로 진공화한다. 마이크로팁으로부터 끌어낸 전자들을 평행하게 하는 포커스 그리드(focous grid)를 이용하여 디스플레이의 해상도를 개선시킬 수 있다.To move electrons in the FED, most FEDs provide a log mean free path for emitted electrons and low pressure, such as 10 -7 torr, to prevent microtip contamination and degradation. Vacuum. A focal grid that paralleles the electrons drawn from the microtip can be used to improve the resolution of the display.

전계 방출 캐소드에 대한 초기 개발에 있어서, 몰리브덴(molybdeum) 금속 마이크로팁 이미터를 사용하였다. 상기 장치에 있어서, 후막 산화규소층을 생성하기 위해 실리콘 웨이퍼를 먼저 산화시키고 이후 상기 산화막의 상부에 금속 게이트층(metallic gate layer)을 증착한다. 상기 금속 게이트층은 이후 게이트 개구부(gate opening)를 형성하도록 패터닝(patterning)하고, 뒤이은 상기 개구부 아래의 산화규소의 식각은 게이트를 언더컷(undercut)하여 웰(well)을 형성한다. 니켈과 같은 희생 재료층(sacrificial material layer)은 이미터 웰에 니켈이 증착되는 것을 방지하고자 증착된다. 이후, 상기 개구부가 공동부(cavity)를 넘어 접근할 때까지, 뾰족한 점을 가진 원뿔이 공동부(cavity)내에서 성장하도록 몰리브덴은 수직 입사(normal incidence)로 증착된다. 상기 니켈 희생 재료층을 제거하였을 때 하나의 이미터 원뿔이 남는다.In early development for field emission cathodes, molybdenum metal microtip emitters were used. In the device, a silicon wafer is first oxidized to produce a thick silicon oxide layer, and then a metal gate layer is deposited on top of the oxide film. The metal gate layer is then patterned to form a gate opening, followed by etching of silicon oxide under the opening to undercut the gate to form a well. A sacrificial material layer, such as nickel, is deposited to prevent the deposition of nickel in the emitter wells. Molybdenum is then deposited with normal incidence so that the cone with pointed points grows in the cavity until the opening approaches beyond the cavity. One emitter cone remains when the nickel sacrificial material layer is removed.

대체 설계에 있어서, 실리콘 상에 열적 산화(thermal oxidation)를 행하여 실리콘 마이크로팁을 생성하고 이후 후속적으로 상기 산화막을 패터닝하고 실리콘 팁을 형성하도록 선택적으로 식각한다. 추가적인 산화나 식각은 상기 실리콘을 보호하고 희생층을 제공하는 점(point)을 뾰족하게 한다. 다른 대체 설계에 있어서, 대면적 평면 패널 디스플레이에 이상적 기판인 유리와 같은 바람직한 재료 기판 상에 마이크로팁을 형성한다. 상기 마이크로팁은 금속이나 도핑된(doped) 반도전체(semi-conducting material)와 같은 도전 재료로 형성될 수 있다. FED 장치에 대한 이러한 대체 설계에서, 캐소드와 마이크로팁 사이에 증착된 도전성을 제어하는 층간(interlayer)은 매우 바람직하다. 층간의 적절한 비저항(resistivity)은 상기 장치가 안정된 상태에서 동작하도록 한다. 상기 FED 장치를 제조함에 있어서, 순수 비정질 실리콘과 n+도핑된 비정질 실리콘 사이의 중간 범위의 전기 도전율을 갖는 비정질 실리콘막을 증착하는 것이 또한 바람직하다. 상기 n+도핑된 비정질 실리콘의 도전율을 상기 막에 포함된 형광성 원자(phosporous atom)의 양을 조절하여 제어할 수 있다.In an alternative design, thermal oxidation is performed on silicon to produce a silicon microtip which is subsequently selectively etched to subsequently pattern the oxide film and form the silicon tip. Additional oxidation or etching sharpens the point of protecting the silicon and providing a sacrificial layer. In another alternative design, the microtip is formed on a preferred material substrate, such as glass, which is an ideal substrate for large area flat panel displays. The microtip can be formed of a conductive material, such as a metal or a doped semi-conducting material. In this alternative design for the FED device, an interlayer controlling the conductivity deposited between the cathode and the microtip is highly desirable. Proper resistivity between layers allows the device to operate in a stable state. In manufacturing the FED device, it is also desirable to deposit an amorphous silicon film having a midrange electrical conductivity between pure amorphous silicon and n + doped amorphous silicon. The conductivity of the n + doped amorphous silicon may be controlled by adjusting the amount of fluorescent atoms included in the film.

일반적으로, FED 장치의 제조에 있어서, 상기 장치는 전자의 방출이 방해받지 않도록 초저압 공동부 내에 수용된다. 예를 들면, 10-7토르의 저압이 통상 필요하다. FED 장치를 형성하는 2개의 비교적 큰 평면 유리 패널의 파손을 방지하기 위하여, 2 패널 사이에 적절한 공간을 제공하고 지지하기 위하여 스페이서(spacer)를 사용하여야 한다. 예를 들면, 종래의 FED 장치에서, FED 장치에 그러한 공간을 유지하기 위하여 유리구(glass sphere)나 십자형 유리(glass crosses)를 사용해 왔다. 또한 상기 목적을 위하여 연장 스페이서(elongated spacer)를 사용해 왔다.In general, in the manufacture of FED devices, the devices are housed in ultra low pressure cavities so that the release of electrons is not disturbed. For example, a low pressure of 10 −7 Torr is usually required. In order to prevent the breakage of the two relatively large flat glass panels forming the FED device, spacers should be used to provide and support adequate space between the two panels. For example, in conventional FED devices, glass spheres or glass crosses have been used to maintain such space in the FED device. Elongated spacers have also been used for this purpose.

먼저 도 1a를 참조하면, 도 1a는 종래의 FED 장치의 확대 단면도를 나타낸다. FED 장치(10)는 유리 기판(14) 상에 전형적인 비정질 실리콘 기본막(base film)의 저항층(12)을 증착시켜 형성된다. 이후 유전성 재료의 절연층(16)과 금속 게이트층(18)이 금속 마이크로팁(20)을 제공하도록 함께 증착되어 형성되고, 캐소드 구조(22)는 저항층(12)에 의해 덮여져, 저항성이지만 다소 도전성을 띠는 비정질 실리콘층(12)이 SiO2와 같은 유전성 재료로 형성되는 고절연층(16)의 하부에위치한다. 과도하지 않은 저항성을 갖도록 비정질 실리콘층(12)의 비저항을 제어할 수 있다는 것이 중요하고, 이것은 마이크로팁(20) 중 하나가 금속층(18)과 단락된 경우 과도한 전류가 흐르는 것을 방지하는 제한 저항(limiting resistor)으로 작용한다.Referring first to FIG. 1A, FIG. 1A shows an enlarged cross-sectional view of a conventional FED device. The FED device 10 is formed by depositing a resistive layer 12 of a typical amorphous silicon base film on a glass substrate 14. The insulating layer 16 and the metal gate layer 18 of the dielectric material are then deposited and formed together to provide the metal microtip 20, and the cathode structure 22 is covered by the resistive layer 12, but is resistive. A somewhat conductive amorphous silicon layer 12 is located below the highly insulating layer 16 formed of a dielectric material such as SiO 2 . It is important to be able to control the resistivity of the amorphous silicon layer 12 so as to have non-excessive resistance, which is one of the limiting resistors that prevents excessive current from flowing when one of the microtips 20 is shorted with the metal layer 18. It acts as a limiting resistor.

도 1b는 구조(30)의 상부에 실장된 애노드(28)를 포함한 FED의 전체 구조를 도시한다. 단순화를 이유로, 캐소드층(22)과 저항층(12)을 캐소드에 대해 단일층(22)으로 도시한다. 마이크로팁(20)의 팁들로부터 전자들(26)을 방출하도록 마이크로팁(20)이 형성된다. 양전하(positive charge)를 가진 게이트 전극(18)이 제공되고, 반면 더 높은 양전하를 가진 애노드(28) 전극이 제공된다. 형광 입자(32)로 코팅된 유리판(36)으로 애노드(28)를 형성한다. ITO(indium-tin-oxide)층의 단속적인 도전층(34)은 전자가 충돌할 때 형광층의 휘도를 더욱 개선시키는데 사용될 수 있다. 이것을 도 1c에 부분 확대 단면도로 나타낸다. FED 장치의 전체 두께는겨우 약 2mm이고, 측벽 패널(38)(도 1b에 도시함)에 실링되는(sealed) 하부 유리판(14)과 상부 유리판(36) 사이는 진공 상태(pulled)이다.FIG. 1B shows the overall structure of the FED including anode 28 mounted on top of structure 30. For simplicity, the cathode layer 22 and the resistive layer 12 are shown as a single layer 22 to the cathode. The microtip 20 is formed to emit electrons 26 from the tips of the microtip 20. A gate electrode 18 with a positive charge is provided, while an anode 28 electrode with a higher positive charge is provided. An anode 28 is formed from a glass plate 36 coated with fluorescent particles 32. The intermittent conductive layer 34 of the indium-tin-oxide (ITO) layer can be used to further improve the luminance of the fluorescent layer when electrons collide. This is shown in partial enlarged sectional view in FIG. 1C. The overall thickness of the FED device is only about 2 mm, and there is a vacuum between the lower glass plate 14 and the upper glass plate 36 sealed to the sidewall panel 38 (shown in FIG. 1B).

도 1a 내지 1c에 도시한 마이크로팁으로 형성되는 종래의 FED 장치는 LCD 장치와 비교할 때 품질이 향상된 평면 패널 디스플레이 장치를 제공한다. 그러나, 마이크로팁 장치의 중요한 단점은 상기 장치를 제조하는데 이용되는 공정이 복잡하다는 것이다. 예를 들면, 장치에 여러 층의 형성 및 특히, 마이크로팁의 형성은 포토리소그라피(photolithographic) 방법을 이용하는 박막 증착 기술을 필요로 한다. 그 결과, FED 내에 다양한 구조물의 특징을 정의하고 제조하기 위하여 여러 번의 포토마스크(photomask) 단계를 수행해야 한다. 관계된 CVD 공정과 포토리소그라피 공정은 FED 장치의 제조 비용을 크게 증가시킨다.Conventional FED devices formed of the microtips shown in FIGS. 1A-1C provide a flat panel display device with improved quality as compared to LCD devices. However, an important disadvantage of microtip devices is the complexity of the process used to manufacture them. For example, the formation of multiple layers in a device, and in particular the formation of microtips, requires thin film deposition techniques using photolithographic methods. As a result, several photomask steps must be performed to define and fabricate the features of the various structures within the FED. The CVD and photolithography processes involved significantly increase the manufacturing cost of FED devices.

본 명세서에 전부 참고적으로 편입되고, 본 발명의 동일 양수인에게 양도되어 함께 출원중인 대리인 관리 번호 제64,600-056호인 출원에서, 전자 방출원으로서 나노튜브 이미터를 이용하는 다이오드 구조의 장치를 제조하는 방법 및 FED 장치를 개시하였다. 도 2에 도시한 바와 같이, FED 장치(40)는, 제1 전기 절연판(42), 상기 제1 전기 절연판 상에 금속을 포함하는 재료로 형성되는 캐소드(44), 탄소, 다이아몬드 또는 다이아몬드상(diamond-like) 탄소 재료로 캐소드층(44) 상에 형성되는 나노튜브 이미터층(46), 여기서 캐소드층(44)과 나노튜브 이미터층(46)은 이미터 스택(48)을 형성하며, 상부에 형광체 코팅층(54)과 함께 제2 전기 절연판(52) 상에 형성되는 애노드(50)로 구성되며, 제안된 상기 FED 장치는 마이크로팁을 이용하는 FED 장치에 비해 낮은 제조 비용과 높은 제조 효율로 후막 인쇄 (thick film printing) 기술로 편리하게 제조될 수 있다.A method of making a device of a diode structure using a nanotube emitter as an electron emission source in the application, which is incorporated herein by reference in its entirety and is assigned to the same assignee of the present invention and is filed with the agent control number 64,600-056. And a FED device. As shown in FIG. 2, the FED device 40 includes a first electrical insulating plate 42, a cathode 44 formed of a material containing a metal on the first electrical insulating plate, carbon, diamond or diamond phase ( A nanotube emitter layer 46 formed on the cathode layer 44 of a diamond-like carbon material, wherein the cathode layer 44 and the nanotube emitter layer 46 form an emitter stack 48, the top of which is And the anode 50 formed on the second electrical insulating plate 52 together with the phosphor coating layer 54, and the proposed FED device is a thick film having a low manufacturing cost and high manufacturing efficiency compared to a FED device using a microtip. It can be conveniently manufactured by thick film printing technology.

도 2에 도시한 바와 같이, 다이오드 구조와 나노튜브 재료로 형성되는 전자 이미터를 구비한 FED 패널(40)을 스크린 인쇄(screen printing)나 잉크젯 인쇄(ink-jet printing)를 포함하는 저비용 후막 인쇄 기술로 제조할 수 있다. 상기 다이오드 구조는 트라이오드(triode)구조에 필요한 게이트 전극을 없앤다. FED 패널(40)은 구성하기가 더 쉽고 낮은 동작전압으로 동작될 수 있어 결과적으로 더 높은 동작 효율을 가진다.As shown in FIG. 2, a low-cost thick film printing, including screen printing or ink-jet printing, of a FED panel 40 having a diode structure and an electron emitter formed of a nanotube material. It can be manufactured by technology. The diode structure eliminates the gate electrode required for the triode structure. The FED panel 40 is easier to configure and can be operated at a lower operating voltage, resulting in higher operating efficiency.

FED 패널(40)에 있어서, 단일 캐소드(44) 및 단일 애노드(50)는 다이오드 구조에 이용된다. 단일 캐소드(44)를 은 페이스트(silver paste) 또는 임의의 다른 도전성 페이스트 재료나 막으로 편리하게 형성할 수 있다. 애노드(50)를 절연판(52) 상부에 ITO층, 즉 광학적으로 투명한 유리판으로 편리하게 형성할 수 있다. ITO 재료는 실질적으로 투명하고 따라서 디스플레이 패널의 기능에 영향을 미치지 않는다.In the FED panel 40, a single cathode 44 and a single anode 50 are used for the diode structure. The single cathode 44 may be conveniently formed of silver paste or any other conductive paste material or film. The anode 50 may be conveniently formed on the insulating plate 52 as an ITO layer, that is, an optically transparent glass plate. The ITO material is substantially transparent and therefore does not affect the function of the display panel.

다이오드 구조는 먼저 하부 절연판으로서 투명 유리판(42)을 제공하고, 이후 나노미터(nanometer) 단위의 속이 빈 튜브(hollow tube)나 탄소 섬유(fiber), 다이아몬드 섬유 또는 다이아몬드상 탄소 섬유와 같은 섬유를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄와 같은 후막 인쇄 기법으로 상기 유리판 상에 복수의 이미터 스택(48)을 형성한다.The diode structure first provides a transparent glass plate 42 as a bottom insulating plate, and then screens fibers such as hollow tubes or nanofibers, carbon fibers, diamond fibers or diamond-like carbon fibers in nanometers. A plurality of emitter stacks 48 are formed on the glass plate by thick film printing techniques such as printing or inkjet printing.

상부 절연판(52), 즉 제2 유리판 상에, 복수의 형광성 분말 코팅 스트립(fluorescent powder coating strip)(54)을 ITO층, 즉 애노드(50) 상에 형성하기 전에 ITO와 같은 재료로 투명 전극(50)을 형성한다. 복수의 형광성 분말 코팅 스트립(54)은 복수의 이미터 스택(48)에서 방출된 전자들에 의해 활성화되어 적색, 청색 또는 녹색의 광을 방출한다. 형광성 코팅 각각은 바로 인접한 코팅 스트립이 방출하는 광과는 컬러가 상이한 광을 방출한다. 복수의 측면 패널(56) 즉, 4개의 측면 패널은 공동부 내의 진공을 강화시키는 용융 유리 원료(glass firt material)를 이용하여, 제1 및 제2 유리판(42, 52)의 주변부를 함께 결합시키는 데 사용될 수 있다. 다이오드 구조 전계 방출 디스플레이 패널(40)의 전자 방출원은후막 인쇄 은 페이스트 캐소드층(44)과 그 상부의 나노튜브 이미터(46)이다. 이용된 후막 인쇄 기술은 스크린 인쇄 기술이나 잉크젯 인쇄 기술을 사용할 수 있다. 후막 인쇄 방법은 제조 공정을 효율적인 방식으로 수행할 수 있도록 하는 대면적 FED 패널을 제조하는데 가장 적합하다. 후막 인쇄 기술을 이용함으로써, 100㎛의 높은 인쇄 해상도를 얻을 수 있다고 알려져 있다. 따라서, 후막 인쇄 방식은 640 ×480 또는 2 이상의 VGA 포맷에서 FED 패널을 제조하는데 적절하게 사용될 수 있다.Before forming a plurality of fluorescent powder coating strips 54 on the upper insulating plate 52, i.e., the second glass plate, on the ITO layer, i.e., the anode 50, a transparent electrode (ITO) 50). The plurality of fluorescent powder coating strips 54 are activated by electrons emitted from the plurality of emitter stacks 48 to emit red, blue or green light. Each fluorescent coating emits light that is different in color from the light emitted by the immediately adjacent coating strip. The plurality of side panels 56, i.e. the four side panels, use molten glass firt material to strengthen the vacuum in the cavity, thereby joining the periphery of the first and second glass plates 42, 52 together. Can be used. The electron emission source of the diode structure field emission display panel 40 is a thick film printed silver paste cathode layer 44 and a nanotube emitter 46 thereon. The thick film printing technique used may be a screen printing technique or an inkjet printing technique. Thick film printing methods are best suited for producing large area FED panels that enable the manufacturing process to be carried out in an efficient manner. It is known that a high printing resolution of 100 µm can be obtained by using a thick film printing technique. Thus, the thick film printing method can be suitably used to manufacture FED panels in 640 × 480 or more than two VGA formats.

이제, 이미터 스택(48)의 확대 단면도를 도시한 도 3a 및 도 3b를 참조한다. 도 3a에서, 먼저 이미터 스택(48)을 유리 기판(42) 상에 캐소드층(44)을 스크린 인쇄로 형성한다. 이후, 탄소 나노튜브층(46)을 형성하는 캐소드층(44)의 상부에 스크린 인쇄될 페이스트를 형성하기 위하여, 탄소 나노튜브를 유기 용매나 접착제(binder)와 혼합한다. 다음, 사용 도중 FED 공동부 내 진공상태에 크게 영향을 미치는 기체방출(outgassing)을 방지하기 위하여, 유기 용매 성분을 증발시키도록 열처리 공정이 필요하다. 통상 400℃ 내지 500℃ 사이의 온도에서 행해지는 열처리 공정 이후, 유기 용매는 분말 형태로 탄소 나노튜브만을 남기고 실질적으로 증발된다. FED가 공동부 내에서 전계 동작으로 사용될 경우, 탄소 나노튜브는 캐소드 표면을 이탈하여 형광층(54)(도 2에 도시한)과 충돌할 정도로, 탄소 분말 나노튜브는 캐소드층(44)과의 고착성(adhesion)에 커다란 문제를 나타낸다. 따라서, 도 3a에 도시한 탄소 나노튜브 구조는 상기 형광층에 손상을 입히지 않고 또는 캐소드 표면의 실질적인 탄소 나노튜브의 손실없이는 신뢰성있게 사용될 수 없다.Reference is now made to FIGS. 3A and 3B, which show enlarged cross-sectional views of emitter stack 48. In FIG. 3A, an emitter stack 48 is first formed by screen printing a cathode layer 44 on a glass substrate 42. Thereafter, the carbon nanotubes are mixed with an organic solvent or a binder to form a paste to be screen printed on top of the cathode layer 44 forming the carbon nanotube layer 46. Next, in order to prevent outgassing, which greatly affects the vacuum in the FED cavity during use, a heat treatment process is required to evaporate the organic solvent components. After the heat treatment process, which is usually carried out at temperatures between 400 ° C. and 500 ° C., the organic solvent is substantially evaporated leaving only the carbon nanotubes in powder form. When the FED is used for electric field operation within the cavity, the carbon powder nanotubes are in contact with the cathode layer 44 such that the carbon nanotubes leave the cathode surface and collide with the fluorescent layer 54 (shown in FIG. 2). It presents a big problem with adhesion. Thus, the carbon nanotube structure shown in FIG. 3A cannot be used reliably without damaging the fluorescent layer or without the loss of substantial carbon nanotubes on the cathode surface.

도 3a에 도시한 구조에서 탄소 나노튜브의 손실을 예방할 목적으로, 탄소 나노튜브와 혼합하는 부가적인 도전성 페이스트 재료를 이용하여 탄소 나노튜브의 캐소드층 고착성을 개선시키는 다른 시도가 있어왔다. 이것을 도 3b에 도시한다. 부가적인 도전성 페이스트층(58)을 탄소 나노튜브와 혼합하여, 즉 상업적으로 판매되는 은 페이스트를 탄소 나노튜브 페이스트 첨가한다. 이후, 상기 혼합물은 캐소드(44)의 표면 상에 스크린 인쇄된다. 도 3b에 도시한 방법으로 고착성이 개선되는 반면, 상당수의 나노튜브가 도전성 페이스트층(58) 아래에 묻히게 되므로 캐소드(44)로부터 돌출하는 탄소 나노튜브의 밀도는 감소한다. 또한, 도전성 페이스트층(58)에 첨가되는 은 분말 및 융용유리(frit)가 상기 도전성 페이스트층(58) 상부 표면적의 대부분을 차지하므로, 돌출하는 탄소 나노튜브 밀도가 더욱 감소한다. 감소된 나노튜브 밀도는 탄소 나노튜브층(46)에서 방출되는 전자의 수를 직접 감소시켜 FED 패널의 효율을 떨어뜨린다. 따라서, 도 3b에 도시한 방법은 탄소 나노튜브와 캐소드층 사이의 고착성 문제에 대한 이상적인 해결책은 아니다.For the purpose of preventing the loss of carbon nanotubes in the structure shown in FIG. 3A, other attempts have been made to improve the cathode layer adhesion of carbon nanotubes using additional conductive paste materials mixed with carbon nanotubes. This is shown in Figure 3b. An additional conductive paste layer 58 is mixed with the carbon nanotubes, ie, a commercially available silver paste is added to the carbon nanotube paste. The mixture is then screen printed onto the surface of cathode 44. While the adhesion is improved by the method shown in FIG. 3B, the density of the carbon nanotubes protruding from the cathode 44 is reduced because a large number of nanotubes are buried under the conductive paste layer 58. In addition, since silver powder and molten glass added to the conductive paste layer 58 occupy most of the upper surface area of the conductive paste layer 58, the protruding carbon nanotube density is further reduced. The reduced nanotube density directly reduces the number of electrons emitted from the carbon nanotube layer 46, which reduces the efficiency of the FED panel. Thus, the method shown in FIG. 3B is not an ideal solution to the problem of sticking between the carbon nanotubes and the cathode layer.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 종래의 전자 이미터 스택의 결함이 없는 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide an electron emitter stack for an FED panel free of defects of the conventional electron emitter stack.

본 발명의 제2 목적은 탄소 나노튜브와 캐소드 표면 사이에 고착성이 개선된 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.It is a second object of the present invention to provide an electron emitter stack for an FED panel with improved adhesion between carbon nanotubes and cathode surface.

본 발명의 제3 목적은 전자 방출 밀도를 감소시키고 않고 탄소 나노튜브와 전극 사이의 고착성이 개선된 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.It is a third object of the present invention to provide an electron emitter stack for FED panels with improved adhesion between carbon nanotubes and electrodes without reducing electron emission density.

본 발명의 제4 목적은 탄소 나노튜브와 전극 사이의 고착성과 탄소 나노튜브로부터의 전자 방출 밀도가 개선된 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.It is a fourth object of the present invention to provide an electron emitter stack for an FED panel with improved adhesion between carbon nanotubes and electrodes and electron emission density from carbon nanotubes.

본 발명의 제5 목적은 탄소 나노튜브와 캐소드 사이에 부가적인 접착층(binder layer)을 스크린 인쇄함으로써 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.A fifth object of the present invention is to provide an electron emitter stack for an FED panel by screen printing an additional binder layer between the carbon nanotubes and the cathode.

본 발명의 제6 목적은 캐소드의 상부에 접착 재료와 혼합되는 탄소 나노튜브를 스크린 인쇄함으로써 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.A sixth object of the present invention is to provide an electron emitter stack for an FED panel by screen printing carbon nanotubes mixed with an adhesive material on top of the cathode.

본 발명의 제7 목적은 유리 기판의 상에 캐소드 재료와 접착 재료의 혼합물을 스크린 인쇄하고, 이후 그 상부에 탄소 나노튜브를 인쇄함으로써 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 것이다.A seventh object of the present invention is to provide an electron emitter stack for an FED panel by screen printing a mixture of cathode material and adhesive material on a glass substrate and then printing carbon nanotubes thereon.

본 발명의 제8 목적은 먼저 유리 기판 상에 캐소드층을 형성하고 이후 캐소드 상부에 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성함으로써 FED 패널용 전자 이미터 스택을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.An eighth object of the present invention is to provide a method of forming an electron emitter stack for an FED panel by first forming a cathode layer on a glass substrate and then forming a nanotube emitter layer supported by an adhesive layer on top of the cathode.

도 1a는 전자 방출용으로 마이크로팁을 이용하는 종래의 디스플레이 장치의 확대 단면도이다.1A is an enlarged cross-sectional view of a conventional display device using a microtip for electron emission.

도 1b는 애노드와 실링된 체임버를 형성하는 측벽 패널을 포함하는 도 1a의 종래의 전계 방출 디스플레이 장치의 확대 단면도이다.FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of the conventional field emission display device of FIG. 1A including a sidewall panel forming an anode and a sealed chamber.

도 1c는 도 1b의 종래의 전계 방출 디스플레이 장치의 단일 마이크로팁의 구조를 도시한 확대 단면도이다.FIG. 1C is an enlarged cross-sectional view illustrating the structure of a single microtip of the conventional field emission display device of FIG. 1B.

도 2는 다이오드 구조에서 나노튜브 이미터를 이용하는 FED 패널의 확대 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of an FED panel using nanotube emitters in a diode structure.

도 3a는 캐소드층 상에 직접 스크린 인쇄된 탄소 나노튜브를 구비한, 도 2의 단일 나노튜브 이미터 스택의 확대 단면도이다.FIG. 3A is an enlarged cross-sectional view of the single nanotube emitter stack of FIG. 2 with carbon nanotubes screen printed directly on the cathode layer. FIG.

도 3b는 도전성 페이스트와 혼합된 이후 캐소드층 상에 스크린 인쇄된 탄소 나노튜브를 구비한, 도 2의 단일 나노튜브 이미터 스택의 확대 단면도이다.3B is an enlarged cross-sectional view of the single nanotube emitter stack of FIG. 2 with carbon nanotubes screen printed on the cathode layer after mixing with the conductive paste.

도 4a는 탄소 나노튜브층과 캐소드층 사이에 부가적인 접착층을 이용하는 본 발명의 나노튜브 이미터 스택의 확대 단면도이다.4A is an enlarged cross-sectional view of a nanotube emitter stack of the present invention utilizing an additional adhesive layer between a carbon nanotube layer and a cathode layer.

도 4b는 열처리한 후의 도 4a의 본 발명의 구조를 나타내는 확대 단면도이다.4B is an enlarged cross-sectional view showing the structure of the present invention of FIG. 4A after heat treatment.

도 5a는 탄소 나노튜브가 접착 재료와 혼합되어 캐소드층 상에 스크린 인쇄된 본 발명의 나노튜브 이미터 스택의 확대 단면도이다.5A is an enlarged cross-sectional view of a nanotube emitter stack of the present invention wherein carbon nanotubes are mixed with an adhesive material and screen printed on a cathode layer.

도 5b는 열처리한 후의 도 5a의 본 발명의 구조를 나타내는 확대 단면도이다.5B is an enlarged cross-sectional view showing the structure of the present invention of FIG. 5A after the heat treatment.

도 6a는 유리 기판 상에 인쇄할 캐소드 재료와 접착 재료를 혼합한 그 상부에 탄소 나노튜브층을 인쇄하는 본 발명의 나노튜브 이미터 스택의 확대 단면도이다.FIG. 6A is an enlarged cross-sectional view of the nanotube emitter stack of the present invention printing a carbon nanotube layer on top of a mixture of cathode material and adhesive material to be printed on a glass substrate. FIG.

도 6b는 열처리한 후의 도 6a의 본 발명의 이미터 스택 구조를 나타내는 확대 단면도이다.6B is an enlarged cross-sectional view illustrating the emitter stack structure of the present invention of FIG. 6A after heat treatment.

본 발명에 따라서, 나노튜브와 캐소드 사이의 고착성을 개선하고 전자 방출 밀도를 개선한 FED 패널용 전자 이미터 스택과 그 제조 방법을 제공한다.According to the present invention, there is provided an electron emitter stack for an FED panel which has improved adhesion between nanotubes and a cathode and improved electron emission density and a method of manufacturing the same.

바람직한 실시예에서, 전기 절연판, 상기 전기 절연판 상의 캐소드층, 상기 캐소드층의 전기 도전층 및 접착층상의 나노튜브 이미터층을 포함하는 FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공할 수 있다.In a preferred embodiment, it is possible to provide an electron emitter stack for an FED panel comprising an electrical insulation plate, a cathode layer on the electrical insulation plate, an electrically conductive layer of the cathode layer and a nanotube emitter layer on an adhesive layer.

FED 패널용 전자 이미터 스택에 있어서, 전기 절연판은 유리판일 수 있다. ITO(indium-tin-oxide), 알루미늄, 몰리브덴, 은 및 니켈로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료로 캐소드층을 형성할 수 있다. 전기 도전성 접착층을 유리 분말, 전기 도전성 금속 입자 및 유기 용매를 포함하는 재료로 형성할 수 있다. 전기 도전성 금속 입자는 은 입자가, 유리 분말은 유리 용융 원료가 적절할 수 있다. 탄소 나노튜브 이미터는 또한 직경 100nm 이하, 길이 5㎛ 이하인 탄소 나노튜브를 포함할 수 있다. 탄소 나노튜브 이미터는 또한 직경 50nm 이하, 길이 1㎛ 내지 3㎛ 사이인 탄소 나노튜브를 포함할 수 있다. 약 40내지 60wt%의 고체입자, 약 60 내지 약 40wt%의 유기 용매를 포함하는 재료로 전기 도전성 접착층을 형성할 수 있다. 상기 고체 입자는 유리 입자나 은 입자를 포함할 수 있다.In electronic emitter stacks for FED panels, the electrical insulation plate may be a glass plate. The cathode layer can be formed of a material selected from the group consisting of indium-tin-oxide (ITO), aluminum, molybdenum, silver and nickel. The electrically conductive adhesive layer can be formed of a material containing glass powder, electrically conductive metal particles, and an organic solvent. The electrically conductive metal particles may be silver particles, and the glass powder may be a glass melt raw material. Carbon nanotube emitters may also include carbon nanotubes having a diameter of 100 nm or less and a length of 5 μm or less. Carbon nanotube emitters may also include carbon nanotubes that are 50 nm or less in diameter and between 1 μm and 3 μm in length. The electrically conductive adhesive layer may be formed of a material including about 40 to 60 wt% of solid particles and about 60 to about 40 wt% of an organic solvent. The solid particles may include glass particles or silver particles.

또한, 본 발명은, 전기 절연판을 제공하는 단계, 전기 절연판 상에 캐소드층을 형성하는 단계 및 캐소드층 상에 접착층으로 지지되는 나노튜브 절연층을 형성하는 단계로 수행될 수 있는 FED 패널용 전자 이미터 스택을 형성하는 방법을 지향한다.In addition, the present invention provides an electronic image for an FED panel that can be performed by providing an electrical insulation plate, forming a cathode layer on the electrical insulation plate, and forming a nanotube insulation layer supported by an adhesive layer on the cathode layer. Towards a way to form a stack.

FED 패널용 전자 이미터 스택을 형성하는 방법에 있어서, 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계는 캐소드층 상에 접착층을 형성하는 단계 및 상기 접착층 상에 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 유리 분말, 전기 도전성 금속 입자 및 유기 용매로 구성되는 재료를 스크린 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 탄소 나노튜브와 유기 접착제를 포함하는 재료를 스크린 인쇄 기술로 나노튜브 이미터를 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계는 무기 접착 재료 및 나노튜브 페이스트의 혼합물을 형성하는 단계와 캐소드층 상에 상기 혼합물을 스크린 인쇄하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 유리구(glass sphere) 또는 은구(silver sphere)로 구성되는 그룹에서 선택되는 무기 접착 재료를 선택하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 직경 약 0.1㎛ 내지 1㎛인 구(sphere)로 무기 접착 재료를 제공하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.A method of forming an electron emitter stack for an FED panel, wherein forming a nanotube emitter layer supported by an adhesive layer comprises forming an adhesive layer on the cathode layer and forming a nanotube emitter layer on the adhesive layer. It may further comprise. The method may further comprise screen printing a material composed of glass powder, electrically conductive metal particles, and an organic solvent to form an adhesive layer. The method may further comprise forming the nanotube emitter with a screen printing technique from a material comprising carbon nanotubes and an organic adhesive. Forming the nanotube emitter layer supported by the adhesive layer may further comprise forming a mixture of inorganic adhesive material and nanotube paste and screen printing the mixture onto the cathode layer. The method may further comprise selecting an inorganic adhesive material selected from the group consisting of glass spheres or silver spheres. The method may further comprise providing the inorganic adhesive material with a sphere having a diameter of about 0.1 μm to 1 μm.

FED 패널용 전자 이미터 스택을 형성하는 방법에 있어서, 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계는 접착 재료 및 캐소드 재료의 혼합물을 형성하는 단계, 전기 절연판 상에 상기 혼합물층을 스크린 인쇄하는 단계와 상기 혼합물층 상에 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 또한 상기 방법은 유리구 및 은구로 구성되는 그룹으로부터 접착 재료를 선택하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 온도 약 300℃ 내지 600℃에서 최소한 10분 이상 전자 이미터 스택을 열처리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.A method of forming an electron emitter stack for a FED panel, wherein forming a nanotube emitter layer supported by an adhesive layer comprises forming a mixture of adhesive material and cathode material, screen printing the mixture layer on an electrical insulating plate. The method may further include forming a nanotube emitter layer on the mixture layer. The method may also further comprise selecting an adhesive material from the group consisting of glass spheres and silver spheres. The method may further comprise heat treating the electron emitter stack for at least 10 minutes at a temperature of about 300 ° C to 600 ° C.

본 발명의 상기한 그리고 다른 목적, 장점 및 특징들은 이하의 상세한 설명과 첨부 도면으로 명백해질 것이다.The above and other objects, advantages and features of the present invention will become apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

실시예Example

본 발명은 탄소 나노튜브층과 캐소드층 사이의 고착성과 전자 방출 밀도가 개선된 FED 패널용 전자 이미터 스택을 설명한다.The present invention describes an electron emitter stack for an FED panel with improved adhesion between the carbon nanotube layer and the cathode layer and electron emission density.

또한, 본 발명은 먼저 전기 절연판 상에 캐소드층을 형성하고, 이후 상기 캐소드층 상에 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성함으로써, FED 패널용 전자 이미터 스택을 제공하는 방법을 지향한다. 상기 방법을 이용함으로써, 전극 표면으로부터 나노튜브가 분리되는 문제를 최소화하고, 또한 전자 방출 밀도를 개선시키는 나노튜브 이미터 스택을 제조할 수 있다.Further, the present invention is directed to a method of providing an electron emitter stack for an FED panel by first forming a cathode layer on an electrical insulating plate, and then forming a nanotube emitter layer supported by an adhesive layer on the cathode layer. By using this method, nanotube emitter stacks can be prepared that minimize the problem of nanotube separation from the electrode surface and also improve electron emission density.

본 발명은 유리 기판, 상기 유리 기판 상에 형성되는 캐소드층, 상기 캐소드층 상에 형성되는 전기 도전성 접착층과 상기 접착층 상에 형성되는 나노튜브 이미터층을 포함하는 전자 이미터 스택을 제공할 수 있다. 전기 도전성 접착층은 탄소 나노튜브와 캐소드 표면의 고착성을 크게 향상시켜, FED 패널을 전계 동작하에 사용 도중에 나노튜브가 분리되지 못하도록 한다. 유리 분말, 은 입자와 같은 전기 도전성 금속 입자 및 무기 용매를 포함하는 재료로 적절하게 전기 도전성 접착층을 형성할 수 있다. 그 상부에 접착층이 형성되는 캐소드층은, ITO, 알루미늄, 몰리브덴, 은 또는 니켈과 같은 재료로 형성될 수 있다. 전기 도전성 접착층에 이용되는 유리 분말은 용융 유리 원료가 적절할 수 있다. 탄소 나노튜브 이미터는 직경 100nm 이하, 길이 5㎛ 이하인 탄소 나노튜브, 바람직하게는 직경 50nm 이하, 길이 약 1㎛ 내지 3㎛인 탄소 나노튜브로 형성될 수 있다. 전기 도전성 접착층은 약 40 내지 60wt%인 고체 입자 및 약 60 내지 40wt%인 유기 용매를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.The present invention may provide an electron emitter stack including a glass substrate, a cathode layer formed on the glass substrate, an electrically conductive adhesive layer formed on the cathode layer, and a nanotube emitter layer formed on the adhesive layer. The electrically conductive adhesive layer greatly improves the adhesion between the carbon nanotubes and the cathode surface, preventing the nanotubes from being separated during use of the FED panel under electric field operation. The electrically conductive adhesive layer can be suitably formed of a material containing an electrically conductive metal particle such as glass powder, silver particles and an inorganic solvent. The cathode layer on which the adhesive layer is formed may be formed of a material such as ITO, aluminum, molybdenum, silver or nickel. The molten glass raw material may be suitable for the glass powder used for an electrically conductive adhesive layer. The carbon nanotube emitter may be formed of carbon nanotubes having a diameter of 100 nm or less, 5 μm or less in length, preferably carbon nanotubes having a diameter of 50 nm or less, and about 1 μm to 3 μm in length. The electrically conductive adhesive layer may be formed of a material comprising solid particles of about 40 to 60 wt% and an organic solvent of about 60 to 40 wt%.

본 발명의 신규한 나노튜브 이미터 스택은 두 가지 중요한 장점을 나타낸다. 첫째, 탄소 나노튜브와 캐소드 표면 사이의 고착성을 크게 증가시켜 FED 패널의 동작 도중, 즉 FED 패널에서의 전계 활성화 중에 캐소드 표면에서의 탄소 나노튜브의이탈을 최소화하거나 없앤다. 둘째, 접착층으로부터 돌출하는 탄소 나노튜브의 수를 크게 증가시켜 이미터 스택에서 획득하는 전자 방출 밀도를 증가시킬 수 있다.The novel nanotube emitter stack of the present invention exhibits two important advantages. First, the adhesion between the carbon nanotubes and the cathode surface is greatly increased to minimize or eliminate the release of carbon nanotubes at the cathode surface during operation of the FED panel, ie during electric field activation in the FED panel. Second, the number of carbon nanotubes protruding from the adhesive layer can be greatly increased to increase the electron emission density obtained in the emitter stack.

바람직한 실시예에서, 본 발명의 신규한 구조인 이미터 구조를 탄소 나노튜브층과 캐소드층 사이에 부가하여 형성할 수 있다. 이와는 달리, 본 발명의 신규한 구조를, 캐소드층 상에 인쇄할 탄소 나노튜브에 접착 재료를 첨가하거나 또는 캐소드층을 형성하는 캐소드 재료에 접착 재료를 첨가하고, 이후 그 상부에 탄소 나노튜브층을 인쇄하여 형성할 수 있다.In a preferred embodiment, the emitter structure, which is a novel structure of the present invention, can be formed by adding between the carbon nanotube layer and the cathode layer. Alternatively, the novel structure of the present invention may be obtained by adding an adhesive material to the carbon nanotubes to be printed on the cathode layer or by adding an adhesive material to the cathode material forming the cathode layer, and then adding a carbon nanotube layer thereon. It can be formed by printing.

먼저, 본 발명의 구조의 바람직한 실시예와 상기 구조의 형성 방법을 도시한 도 4a 및 도 4b를 참조한다. 이러한 바람직한 실시예에서, 본 발명의 신규한 나노튜브 이미터 스택(60)을 탄소 나노튜브층(64)과 캐소드층(66) 사이에 접착 재료의 부가층을 부가하여 형성할 수 있다. 먼저, 유리 기판과 같은 절연성 기판(68) 상에 캐소드층(66)을 스크린 인쇄한다. 상기의 구성에서, 캐소드층(66)은 유리 기판(68) 상에 은 페이스트를 스크린 인쇄하여 적절하게 형성할 수 있다. 캐소드층(66)은 접착제와 혼합되는 은 페이스트나 금속 입자로 형성되는 전기 도전성 페이스트 재료와 같은 복수의 전기 도전성 재료의 코팅 스트립(coating strip)으로 형성할 수 있다. 은 페이스트 스트립은 캐소드로서 사용되고 음극에 연결된다(도시하지 않음).First, reference is made to FIGS. 4A and 4B showing preferred embodiments of the structure of the present invention and a method of forming the structure. In this preferred embodiment, the novel nanotube emitter stack 60 of the present invention can be formed by adding an additional layer of adhesive material between the carbon nanotube layer 64 and the cathode layer 66. First, the cathode layer 66 is screen printed on an insulating substrate 68 such as a glass substrate. In the above configuration, the cathode layer 66 can be appropriately formed by screen printing silver paste on the glass substrate 68. The cathode layer 66 may be formed of a coating strip of a plurality of electrically conductive materials, such as silver paste mixed with an adhesive or electrically conductive paste material formed of metal particles. The silver paste strip is used as the cathode and connected to the cathode (not shown).

캐소드층(66) 상부에는, 캐소드 상하부 모두에 도포된 나노튜브로 인해 뛰어난 웨팅(wetting)을 갖는 접착 재료의 접착층을 스크린 인쇄하여 형성한다. 접착층(62)은, 유리 분말, 은 입자와 같은 저용융 온도 및 고 전기전도성 금속 및 유기용매로 이루어지는 페이스트 재료를 혼합하여 형성할 수 있다. 접착층(62)의 고체 함량은 은 입자와 유리 분말의 퍼센트 중량 약 50 내지 60이 적절할 수 있다. 접착층(62)의 유기 용매/접착제 함량은 Terpinol(등록상표)과 같은 적절한 유기 용매로 형성되는 약 40 내지 50 퍼센트 중량 사이가 적절할 수 있다.On top of the cathode layer 66 is formed by screen printing an adhesive layer of adhesive material having excellent wetting due to the nanotubes applied to both the top and bottom of the cathode. The adhesive layer 62 can be formed by mixing a paste material composed of a low melting temperature such as glass powder and silver particles, and a highly electroconductive metal and an organic solvent. The solids content of the adhesive layer 62 may suitably be about 50 to 60 percent by weight of silver particles and glass powder. The organic solvent / adhesive content of the adhesive layer 62 may be suitable between about 40 and 50 percent by weight formed of a suitable organic solvent such as Terpinol®.

캐소드층(66)은 박막 증착(thin film deposition) 방법이나 후막 인쇄 방법 중 하나로 형성할 수 있다. 예를 들면, ITO, 알루미늄 또는 몰리브덴을 스퍼터링(sputtering)과 같은 박막 증착 방법으로 캐소드층(66)을 형성하도록 증착할 수 있고, 반면 은이나 니켈을 후막 스크린 인쇄 방법으로 증착할 수 있다.The cathode layer 66 may be formed by one of a thin film deposition method and a thick film printing method. For example, ITO, aluminum or molybdenum may be deposited to form the cathode layer 66 by a thin film deposition method such as sputtering, while silver or nickel may be deposited by a thick film screen printing method.

접착층(62), 캐소드층(64) 및 유리 기판(68)과 함께 이미터 스택(60)을 형성하는 탄소 나노튜브층(64)을 이후 접착층(62) 상부에 증착한다. 나노튜브 이미터층(64)은 음전하를 가진 전기 도전성 접착층(62)을 통하여, 캐소드층(66)에 의해 충전될 때 전자(도시하지 않음)를 방출한다. 나노튜브 이미터층(64)은 접착층(62) 상부에 후막 인쇄 기술로 적절하게 증착시킬 수 있다. 나노튜브 이미터층(64)은, 후막 인쇄, 즉 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄에 적합한 농도(consistency)로 용매 함유 페이스트(solvent-containing paste)와 함께 혼합되고 부서지는(fractured) 탄소 나노튜브, 다이아몬드 나노튜브 또는 다이아몬드상 탄소 나노튜브로 형성할 수 있다. 직경이 약 10nm 내지 약 50nm이면, 임의의 다른 적절한 나노튜브 재료를 또한 이용할 수 있다. 나노튜브의 길이는 5㎛ 이하가 적절하며, 바람직하게는 약 1㎛ 내지 3㎛가 적절하다. 본 명세서의 "약(about)"이란 표현은 주어진 평균값의 ±10% 범위를 나타낸다. 상기 나노튜브는 원주형의 속이 빈 튜브이고 통상 섬유의직경보다 작다는 것을 유의하여야 한다. 약 30 내지 50 볼트의 저동작 전압이 전자 방출용 나노튜브 이미터 재료를 구동시키는 데 필요하다. 이러한 동작 전압은 마이크로팁을 이용하는 FED 장치를 구동시키는 데 필요한 전압, 즉 100V 이상의 범위보다 훨씬 낮다.A carbon nanotube layer 64, which forms the emitter stack 60 together with the adhesive layer 62, the cathode layer 64, and the glass substrate 68, is then deposited over the adhesive layer 62. The nanotube emitter layer 64 emits electrons (not shown) when charged by the cathode layer 66 through the electrically conductive adhesive layer 62 with negative charge. Nanotube emitter layer 64 may be appropriately deposited on top of adhesive layer 62 by thick film printing techniques. The nanotube emitter layer 64 is a carbon nanotube, diamond nanotube mixed and fractured with a solvent-containing paste in a consistency suitable for thick film printing, i.e., screen printing or inkjet printing. Or diamond-like carbon nanotubes. If the diameter is from about 10 nm to about 50 nm, any other suitable nanotube material may also be used. The length of the nanotube is preferably 5 μm or less, preferably about 1 μm to 3 μm. The expression “about” herein refers to a range of ± 10% of a given mean value. It should be noted that the nanotubes are cylindrical hollow tubes and are usually smaller than the diameter of the fiber. A low operating voltage of about 30-50 volts is needed to drive the nanotube emitter material for electron emission. This operating voltage is much lower than the voltage required to drive the FED device using the microtip, that is, over 100V.

나노튜브 이미터층(64)을 접착층(62) 상에 스크린 인쇄한 후, 페이스트 재료나 접착층 내에 함유된 잔류 용매를 휘발시키도록 나노튜브 이미터 스택(60)을 노광 후 굽거나(hard baking) 또는 소성(firing)하여 이미터 스택을 경화시킨다. 나노튜브 이미터 재료는 종종 20 내지 80wt%의 나노튜브와 그 나머지인 용매 함유 접착제를 포함한다. 나노튜브 페이스트는 약 50wt%의 나노튜브와 약 50wt%의 용매함유 접착제를 포함하는 것이 바람직하다. 접착층(62)은 FED 패널의 동작 도중 가스가 새는 것을 방지하기 위하여 증발시켜야할 약 40 내지 50wt%의 유기 용매를 포함할 수 있다. 도 4b에 도시한 바와 같이, 소성 단계 이후, 나노튜브(64)의 팁 또는 뾰족한 점들(70)은 접착층(62)의 표면 위로 돌출하며 전자 방출원으로서 기능하고 본 발명의 신규한 구조의 전자 방출 밀도를 개선시키도록 직립해 있다.After screen printing the nanotube emitter layer 64 on the adhesive layer 62, the nanotube emitter stack 60 is hard baked after exposure to volatilize the residual material contained in the paste material or adhesive layer, or Firing cures the emitter stack. Nanotube emitter materials often include 20 to 80 wt% of nanotubes and the remainder of the solvent containing adhesive. The nanotube paste preferably comprises about 50 wt% of the nanotubes and about 50 wt% of the solvent-containing adhesive. The adhesive layer 62 may include about 40-50 wt% of organic solvent to be evaporated to prevent gas leakage during operation of the FED panel. As shown in FIG. 4B, after the firing step, the tip or pointed points 70 of the nanotube 64 protrude above the surface of the adhesive layer 62 and function as an electron emission source and emit electrons of the novel structure of the present invention. It is upright to improve the density.

도 4b에 도시한 본 발명의 신규한 구조(60)에 있어서, 접착층(62)의 통합으로 탄소 나노튜브(64)와 캐소드층(66) 사이의 고착성을 개선시키는 것은 물론, 직립성(upstanding) 섬유 팁들(90)의 밀도를 또한 개선시켜 전자 방출 밀도를 증가시킨다. 따라서, 본 발명의 신규한 구조는 FED 패널용 나노튜브 이미터 스택에 있어서 두 가지 중요한 장점을 달성한다.In the novel structure 60 of the present invention shown in FIG. 4B, the integration of the adhesive layer 62 improves the adhesion between the carbon nanotubes 64 and the cathode layer 66 as well as the upstanding fibers. The density of the tips 90 is also improved to increase the electron emission density. Thus, the novel structure of the present invention achieves two important advantages in the nanotube emitter stack for FED panels.

개선된 나노튜브 이미터 스택을 제조하는 본 발명의 신규한 방법의 제1 실시예를 도 5a 및 도 5b에 도시한다. 이러한 대안 실시예에서, 도 4a에 도시한 바람직한 실시예에서 이용한 것과 유사한 접착 재료를 먼저 탄소 나노튜브(64)와 혼합하고, 이후 이미터 스택(80)을 형성하도록 캐소드층(66) 상부에 스크린 인쇄한다. 접착 재료(72)는 직경 1㎛ 이하의 유리구나 은구와 같은 무기 재료가 적절할 수 있다. 예를 들면, 유리구 또는 은과 같은 전기 도전성 금속은 직경 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 범위에서 적절하게 사용될 수 있다. 무기 접착 재료의 혼합물, 즉 유리 또는 은구와 탄소 나노튜브 페이스트를, 도 5a에 도시한 바와 같이, 전극층(eletrode layer)(66) 상부에 스크린 인쇄한다. 약 300℃ 내지 500℃의 온도에서, 바람직하게는 약 400℃ 내지 500℃의 온도에서 적어도 10분 동안 또는 바람직하게는 약 20 내지 30분 동안 열처리한 구조를 도 5b에 도시한다. 나노튜브(64)가 캐소드층(66)과의 고착성을 개선시키고 또한 바람직한 실시예에 필요한 3단계 대신 2단계로 상기 방법을 수행할 수 있지만, 캐소드층(66)으로부터 돌출하는 나노튜브(66)의 밀도가 바람직한 실시예에서 얻을 수 있는 것의 거의 절반 수준이다. 이것은 도 4b와 도 5b의 나노튜브(64) 밀도를 비교하여 나타낸다. 무기 접착 재료가 탄소 나노튜브 페이스트에서 용적(volume)을 차지하고 이로 인해 캐소드층(66) 위로 돌출하는 단소 나노튜브가 이용할 수 있는 공간이 감소함으로써 나노튜브 밀도가 감소한다.A first embodiment of the novel method of the present invention for producing an improved nanotube emitter stack is shown in FIGS. 5A and 5B. In this alternative embodiment, an adhesive material similar to that used in the preferred embodiment shown in FIG. 4A is first mixed with carbon nanotubes 64 and then screened on top of cathode layer 66 to form emitter stack 80. Print The adhesive material 72 may be an inorganic material such as glass or silver sphere having a diameter of 1 μm or less. For example, an electrically conductive metal such as glass sphere or silver may suitably be used in the range of about 0.1 μm to about 1 μm in diameter. A mixture of inorganic adhesive material, i.e. glass or silver sphere and carbon nanotube paste, is screen printed on top of the electrode layer 66, as shown in FIG. 5A. The structure heat-treated at a temperature of about 300 ° C. to 500 ° C., preferably at a temperature of about 400 ° C. to 500 ° C. for at least 10 minutes or preferably about 20 to 30 minutes is shown in FIG. 5B. The nanotubes 64 protrude from the cathode layer 66, although the nanotubes 64 can improve the adhesion with the cathode layer 66 and also perform the method in two steps instead of the three steps required for the preferred embodiment. The density of is about half of what can be obtained in the preferred embodiment. This is shown by comparing the nanotubes 64 density of FIGS. 4B and 5B. The inorganic adhesive material occupies a volume in the carbon nanotube paste, thereby reducing the nanotube density by reducing the space available for monosomic nanotubes protruding over the cathode layer 66.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노튜브 이미터 스택(90)을 도시한다. 나노튜브 이미터 스택(90)은 먼저 접착 재료, 즉 제1 실시예에 사용된 것과 유사한 무기 접착제와 혼합물을 형성하는 캐소드 재료를 혼합하고 이후 유리 기판(68)의 상부에 스크린 인쇄하여 형성한다. 결과적으로, 유리 기판(68)의 상부에 형성되는 캐소드층(92)은 도 6a에 도시하는 바와 같이, 유리구나 은구(72)를 포함한다. 이후, 나노튜브층(64)을 형성하기 위하여 캐소드층(92)을 채운 무기 접착제 상부에 탄소 나노튜브 페이스트를 스크린 인쇄한다. 도 6b에 도시한 바와 같이, 열처리 후에는 재료들의 비중 차이, 즉 무기 접착구의 비중이 캐소드 재료층의 비중에 비해 상당히 낮기 때문에, 무기 접착층(72)과 캐소드층(92)은 2개의 상이한 층으로 분리된다.6A and 6B show a nanotube emitter stack 90 according to a second embodiment of the present invention. The nanotube emitter stack 90 is formed by first mixing an adhesive material, i.e., a cathode material that forms a mixture with an inorganic adhesive similar to that used in the first embodiment, and then screen printing the top of the glass substrate 68. As a result, the cathode layer 92 formed on the glass substrate 68 includes glass or silver balls 72 as shown in FIG. 6A. Thereafter, the carbon nanotube paste is screen printed on the inorganic adhesive filled with the cathode layer 92 to form the nanotube layer 64. As shown in FIG. 6B, after the heat treatment, the difference in specific gravity of the materials, that is, the specific gravity of the inorganic adhesive sphere is considerably lower than that of the cathode material layer, so that the inorganic adhesive layer 72 and the cathode layer 92 are divided into two different layers. Are separated.

제2 실시예로 얻는 이점은, 바람직한 실시예와 비교할 때 2단계로 형성되는 구조, 게다가 도 6b에서 얻은 구조는 도 5b에 도시한 제1 실시예에 비해 더 높은 나노튜브 밀도를 갖는다는 것이다. 하지만, 접착층(72)의 두께가 얇아져 탄소 나노튜브(64)와 캐소드층(92) 사이의 접착성이 약해진다. 제2 실시예의 구조는 저전압 응용에, 즉 1000V 이하를 요구하는 응용에 적절히 사용될 수 있다. 이용되는 무기 접착제(72)는 1㎛ 이하의 직경을 갖는 유리구나 은구와 유사할 수 있다.The advantage obtained in the second embodiment is that the structure formed in two steps compared to the preferred embodiment, in addition, the structure obtained in Fig. 6B has a higher nanotube density than the first embodiment shown in Fig. 5B. However, the thickness of the adhesive layer 72 becomes thin, resulting in weak adhesion between the carbon nanotubes 64 and the cathode layer 92. The structure of the second embodiment can be suitably used for low voltage applications, that is, for applications requiring 1000V or less. The inorganic adhesive 72 used may be similar to glass or silver balls having a diameter of 1 μm or less.

본 발명의 신규한 나노튜브 이미터 스택과 상기 구조를 제조하는 방법은 상기한 설명과 첨부한 도면(도 4a 내지 도 6b)으로 상세하게 설명하였다.The novel nanotube emitter stack of the present invention and the method of manufacturing the structure have been described in detail with the above description and the accompanying drawings (FIGS. 4A-6B).

본 발명을 예시적으로 설명하였지만, 사용한 용어에 의해 한정되어서는 아니됨을 유의하여야 한다.Although the present invention has been described by way of example, it should be noted that it is not limited by the terms used.

더욱이, 본 발명을 하나의 바람직한 실시예와 두 개의 실시예로 설명하였지만, 당업자라면 상기 기술을 본 발명의 다른 가능한 변경예에 쉽게 적용할 수 있음을 이해할 것이다.Moreover, while the invention has been described in terms of one preferred embodiment and two embodiments, those skilled in the art will understand that the techniques can be readily applied to other possible variations of the invention.

배타적인 특성이나 특전(privilege)이 청구되는 본 발명의 실시예는 이하의청구범위로 정의된다.Embodiments of the invention in which exclusive features or privileges are claimed are defined by the following claims.

본 발명의 신규한 나노튜브 이미터 스택은 첫째, 탄소 나노튜브와 캐소드 표면 사이의 고착성을 크게 증가시켜 FED 패널의 동작 도중, 즉 FED 패널에서의 전계 구동 중에 캐소드 표면에서의 탄소 나노튜브의 이탈을 최소화하거나 없애며, 둘째, 접착층으로부터 돌출하는 탄소 나노튜브의 수를 크게 증가시켜 이미터 스택에서 획득하는 전자 방출 밀도를 증가시킬 수 있다.The novel nanotube emitter stack of the present invention firstly significantly increases the adhesion between the carbon nanotubes and the cathode surface, thereby preventing the carbon nanotubes from leaving the cathode surface during operation of the FED panel, i.e. during electric field driving in the FED panel. Minimizing or eliminating, and secondly, increasing the number of carbon nanotubes protruding from the adhesive layer can increase the electron emission density obtained in the emitter stack.

Claims (20)

전기 절연판;Electrical insulation plates; 상기 전기 절연판상의 캐소드층;A cathode layer on the electrical insulating plate; 상기 캐소드층상의 전기 도전성 접착층; 및An electrically conductive adhesive layer on the cathode layer; And 상기 접착층상의 나노튜브 이미터층Nanotube emitter layer on the adhesive layer 을 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.Electronic emitter stack for a field emission display panel comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기 절연판이 유리판인 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.An electronic emitter stack for a field emission display panel wherein said electrical insulation plate is a glass plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드층이 ITO(indium-tin-oxide), 알루미늄, 몰리브덴, 은 및 니켈로 구성되는 그룹에서 선택되는 재료로 형성되는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.And the cathode layer is formed of a material selected from the group consisting of indium-tin-oxide (ITO), aluminum, molybdenum, silver and nickel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기 도전성 접착층이 유리 분말, 전기 도전성 금속입자 및 유기용매를 포함하는 재료로 형성되는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.And said electrically conductive adhesive layer is formed of a material comprising glass powder, electrically conductive metal particles and an organic solvent. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 전기 도전성 금속입자가 은 입자인 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.An electron emitter stack for a field emission display panel, wherein said electrically conductive metal particles are silver particles. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 유리 분말이 유리 용융 원료(glass frit material)인 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.An electron emitter stack for a field emission display panel wherein said glass powder is a glass frit material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소 나노튜브 이미터가 직경 100nm 이하, 길이 5㎛ 이하인 탄소 나노튜브를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.The electron emitter stack for a field emission display panel, wherein the carbon nanotube emitter further comprises carbon nanotubes having a diameter of 100 nm or less and a length of 5 μm or less. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소 나노튜브 이미터가 직경 50nm 이하, 길이 약 1㎛ 내지 3㎛ 인 탄소 나노튜브를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.The electron emitter stack for a field emission display panel of which the carbon nanotube emitter further comprises carbon nanotubes having a diameter of 50 nm or less and a length of about 1 μm to 3 μm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전기 도전성 접착층이 고체 입자 약 40wt% 내지 60wt%와 유기 용매 약 60wt% 내지 40wt%로 이루어지는 재료로 형성되는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.And said electrically conductive adhesive layer is formed of a material consisting of about 40 wt% to 60 wt% of solid particles and about 60 wt% to 40 wt% of an organic solvent. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 고체 입자가 유리 입자 및 은 입자를 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택.An electron emitter stack for a field emission display panel, wherein said solid particles comprise glass particles and silver particles. 전기 절연판을 제공하는 단계;Providing an electrical insulation plate; 상기 전기 절연판 상에 캐소드층을 형성하는 단계; 및Forming a cathode layer on the electrical insulation plate; And 상기 캐소드층 상에 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계Forming a nanotube emitter layer supported by an adhesive layer on the cathode layer 를 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.Method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel comprising a. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 상기 단계가The step of forming a nanotube emitter layer supported by the adhesive layer 상기 캐소드층 상에 접착층을 형성하는 단계; 및Forming an adhesive layer on the cathode layer; And 상기 접착층 상에 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계Forming a nanotube emitter layer on the adhesive layer 를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.Method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 유리 분말, 전기 도전성 금속입자 및 유기 용매를 포함하는 재료를 스크린 인쇄 기술로 상기 접착층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.A method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising the step of forming the adhesive layer by screen printing techniques comprising a material comprising glass powder, electrically conductive metal particles and an organic solvent. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 탄소 나노튜브 및 유기 접착제를 포함하는 재료를 스크린 인쇄 기술로 상기 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.A method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising the step of forming the nanotube emitter layer by screen printing techniques comprising a material comprising carbon nanotubes and an organic adhesive. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계가Forming a nanotube emitter layer supported by the adhesive layer 무기 접착 재료 및 나노튜브 페이스트의 혼합물을 형성하는 단계; 및Forming a mixture of inorganic adhesive material and nanotube paste; And 상기 캐소드층 상에 상기 혼합물을 스크린 인쇄하는 단계Screen printing the mixture on the cathode layer 를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.Method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 유리구 및 은구로 구성되는 그룹에서 상기 무기 접착 재료를 선택하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.The method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising the step of selecting said inorganic adhesive material from a group consisting of glass and silver balls. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 직경 약 0.1㎛ 내지 1㎛인 구(sphere)로 상기 무기 접착 재료를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.A method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising providing the inorganic adhesive material in a sphere having a diameter of about 0.1 μm to 1 μm. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 접착층으로 지지되는 나노튜브 이미터층을 형성하는 상기 단계가The step of forming a nanotube emitter layer supported by the adhesive layer 접착 재료 및 캐소드 재료의 혼합물을 형성하는 단계;Forming a mixture of adhesive material and cathode material; 상기 전기 절연판 상에 상기 혼합물층을 스크린 인쇄하는 단계; 및Screen printing the mixture layer on the electrical insulation plate; And 상기 혼합물층 상에 나노튜브 이미터층을 형성하는 단계Forming a nanotube emitter layer on the mixture layer 를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.Method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 유리구 및 은구로 구성되는 그룹에서 상기 접착 재료를 선택하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.The method of forming an electron emitter stack for a field emission display panel further comprising the step of selecting said adhesive material from a group consisting of glass spheres and silver spheres. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 최소한 10분 동안 약 300℃ 내지 600℃의 온도에서 상기 전자 이미터 스택을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 전계 방출 디스플레이 패널용 전자 이미터 스택의 형성 방법.Further comprising heat-treating the electron emitter stack at a temperature of about 300 ° C. to 600 ° C. for at least 10 minutes.
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