KR20000018618A - Wafer edge breakage detector for manufacturing semiconductor device and wafer testing apparatus thereof - Google Patents

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KR20000018618A
KR20000018618A KR1019980036281A KR19980036281A KR20000018618A KR 20000018618 A KR20000018618 A KR 20000018618A KR 1019980036281 A KR1019980036281 A KR 1019980036281A KR 19980036281 A KR19980036281 A KR 19980036281A KR 20000018618 A KR20000018618 A KR 20000018618A
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박철규
오상헌
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윤종용
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Abstract

PURPOSE: A wafer edge breakage detector for manufacturing semiconductor device and wafer testing apparatus thereof is provided to improve the productivity of a semiconductor device by simply and successively testing as to whether an edge portion of a wafer broke. CONSTITUTION: A detector(8) has a luminous element(83) for emitting a light to test a wafer (15) and a light-interception element(84) for receiving a reflective light of a light from the luminous element(83). A wafer pedestal(12) is located to a lower portion of the detector(8) and fixes the testing wafer(15). A pedestal rotating axis(14) rotates the wafer pedestal(12). A circular plate(81) fixes the luminous element(83) and the light-interception element(84). The circular plate(81) is larger than the wafer(15) for testing an edge portion of the wafer.

Description

반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터 및 이를 포함하는 웨이퍼 검사장치Wafer edge fracture detector for semiconductor device manufacturing and wafer inspection apparatus comprising the same

본 발명은 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터 및 이를 포함하는 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼의 에지부분의 파손여부를 검사할 수 있는 웨이퍼 에지파손 디텍터 및 이를 포함하는 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer edge breaking detector for manufacturing a semiconductor device and a wafer inspection apparatus including the same. More specifically, the present invention relates to a wafer edge fracture detector capable of inspecting whether an edge portion of a wafer used in the manufacture of a semiconductor device is broken, and a wafer inspection apparatus including the same.

반도체장치의 제조를 위하여는 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 패턴이 형성된 마스크를 웨이퍼와 정렬시킨 후, 노광, 현상, 식각, 불순물확산 및 전극증착 등의 일련의 공정들을 통하여 소정의 전기특성을 갖는 회로를 웨이퍼 상에 형성시키고, 후속되는 EDS공정 및 검사공정 등을 통하게 된다.To manufacture a semiconductor device, a photoresist is applied to a surface of a wafer, a mask having a predetermined pattern is aligned with the wafer, and then a predetermined process is performed through a series of processes such as exposure, development, etching, diffusion of impurities, and electrode deposition. A circuit having electrical characteristics is formed on the wafer, followed by an EDS process, an inspection process, and the like.

이들 공정들을 수행하기 위하여는 여러 가지 상용화된 반도체장치 제조설비들이 사용되며, 공정중인 웨이퍼들은 개별적으로 또는 이들을 다수개 포함하는 카셋트 등에 담겨 여러 설비들 사이를 옮겨다녀야 하며, 이를 위하여는 웨이퍼들을 직접 옮기는 웨이퍼트랜스퍼시스템과 이동전, 후에서 웨이퍼들을 정렬하기 위한 웨이퍼얼라이너들이 필요하며, 또한 상용적으로 개발되어 공급되고 있다.Various commercially available semiconductor device manufacturing facilities are used to perform these processes, and the wafers in the process must be moved between the various facilities individually or in a cassette including a plurality thereof. There is a need for wafer aligners and wafer aligners for aligning wafers before and after movement, and are also commercially available.

카셋트들은 대략 25매 정도의 웨이퍼들을 포함하게 되며, 하나의 공정이 종료될 때마다 공정이 성공적으로 수행된 웨이퍼들을 선별하여 포함하게 되며, 이때 실질적으로 파손된 웨이퍼들은 육안선별 또는 현미경 검사 등에서 제외되어 카셋트에 담겨지지 않게 되어, 더 이상의 후속공정의 적용을 받지 않게 될 수 있다. 그러나, 웨이퍼의 에지부분에서만 미약하게 파손된 경우 등에는 실질적으로 이를 선별할 수 있는 장치가 없기 때문에 다른 정상적인 웨이퍼들과 함께 카셋트에 담겨져 후속공정들의 적용을 받게 된다. 이들 에지부분만이 파손된 웨이퍼들은 그 후 특정의 공정등에서 압력이나 열충격 등이 가해지는 경우, 웨이퍼의 파손을 유발하는 원인이 되며, 웨이퍼의 파손은 다른 공정설비들의 오염을 유발하여 전체적으로 공정설비의 가동정지시간을 증대시켜 반도체장치의 제조수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.The cassettes contain approximately 25 wafers, and each process is completed, and the wafers are sorted to include the wafers that have been successfully processed. Substantially broken wafers are excluded from visual screening or microscopic examination. It may not be contained in the cassette and may not be subject to further subsequent processing. However, since there is no device capable of sorting the case, in case of only a slight breakage at the edge of the wafer, it is placed in a cassette together with other normal wafers and subjected to subsequent processes. Wafers that are broken only at these edges may cause breakage of the wafer when pressure or thermal shock is applied in a specific process, and the breakage of the wafer may cause contamination of other process equipments, resulting in overall process equipment failure. This increases the operation stop time and causes a decrease in the production yield of semiconductor devices.

본 발명의 목적은 반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼의 파손여부, 특히 웨이퍼의 에지부분의 파손여부를 검사하는 웨이퍼 에지파손 디텍터를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer edge break detector for inspecting whether a wafer is broken, in particular, whether an edge portion of the wafer is broken.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a wafer inspection apparatus including a wafer edge breaking detector.

도 1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a wafer edge break detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.2 is a block diagram schematically illustrating a wafer inspection apparatus including a wafer edge break detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

1 : 카셋트플레이트 2 : 카셋트1: cassette plate 2: cassette

3 : 직선트랙 4 : 카셋트이송로봇3: straight track 4: cassette transfer robot

5 : 로드플레이트 6 : 웨이퍼이송로봇5: load plate 6: wafer transfer robot

7 : 디텍터챔버바디 8 : 디텍터7: detector chamber body 8: detector

9 : 라운드트랙 10 : 디텍터가변트랙9: round track 10: detector variable track

11 : 디텍터챔버 12 : 웨이퍼페데스탈11: detector chamber 12: wafer pedestal

13 : 언로드플레이트 14 : 페데스탈회전축13: unloading plate 14: pedestal rotating shaft

15 : 웨이퍼 81 : 원판15 wafer 81 disc

82 : 디텍터가변축 83 : 발광소자82: detector variable axis 83: light emitting element

84 : 수광소자84: light receiving element

본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터는, 원판의 저면 가장자리에 웨이퍼의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자와 이 발광소자로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자가 취부되어 이루어진 디텍터, 상기 디텍터의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼페데스탈 및 상기 웨이퍼페데스탈을 회전시키기 위한 페데스탈회전축을 포함하여 이루어진다.In the wafer edge fracture detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a detector comprising a light emitting element emitting light for inspection of a wafer and a light receiving element receiving light reflected from the light emitting element, attached to the bottom edge of the original plate; Located below the detector, it comprises a wafer pedestal for holding the wafer to be inspected and a pedestal rotating shaft for rotating the wafer pedestal.

또한, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치는, 검사될 웨이퍼를 담고 있는 카셋트가 놓여지는 카셋트플레이트, 상기 카셋트를 이송시키기 위한 카셋트이송로봇과 상기 카셋트이송로봇이 가변가능하게 고정되는 직선트랙, 상기 카셋트로부터 웨이퍼를 웨이퍼페데스탈 상으로 이송시키기 위한 로드플레이트, 상기 로드플레이트 상의 카셋트로부터 웨이퍼를 낱장으로 이송시키는 웨이퍼이송로봇, 실질적으로 웨이퍼의 에지파손을 검사하는 디텍터가 취부되는 디텍터챔버바디, 상기 디텍터챔버바디의 가장자리를 따라 설치되어 상기 웨이퍼이송로봇을 가변가능하게 고정시키는 라운드트랙, 상기 디텍터챔버바디내에 설치되어 상기 디텍터를 상하가변가능하게 고정시키는 디텍터가변축이 가변가능하게 고정되는 디텍터가변트랙, 검사될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼페데스탈이 취부되는 디텍터챔버를 포함하여 이루어지며, 상기 디텍터가 원판의 저면 가장자리에 웨이퍼의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자와 이 발광소자로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자가 취부되어 이루어진 디텍터, 상기 디텍터의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼페데스탈 및 상기 웨이퍼페데스탈을 회전시키기 위한 페데스탈회전축을 포함하여 이루어진다.In addition, a wafer inspection apparatus including a wafer edge fracture detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a cassette plate on which a cassette containing a wafer to be inspected is placed, a cassette transfer robot for transferring the cassette, and the cassette transfer robot are variable. A fixed linear track, a load plate for transferring the wafer from the cassette onto the wafer pedestal, a wafer transfer robot for sheet-feeding the wafer from the cassette on the load plate, and a detector for substantially inspecting edge breakage of the wafer. A detector chamber body, a round track installed along an edge of the detector chamber body to variably fix the wafer transfer robot, and installed in the detector chamber body to vertically change the detector. A detector variable track in which a variable axis is variably fixed, and a detector chamber in which a wafer pedestal on which a wafer to be inspected is placed is mounted, wherein the detector includes light for inspecting a wafer on the bottom edge of the disc. A detector formed by mounting a light emitting device for emitting light and a light receiving device for receiving reflected light of the light emitted from the light emitting device, positioned below the detector, a wafer pedestal for fixing a wafer to be inspected, and a pedestal for rotating the wafer pedestal It includes a rotating shaft.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터는, 원판(81)의 저면 가장자리에 웨이퍼(15)의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자(83)와 이 발광소자(83)로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자(84)가 취부되어 이루어진 디텍터(8), 상기 디텍터(8)의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼(15)를 고정시키는 웨이퍼페데스탈(12) 및 상기 웨이퍼페데스탈(12)을 회전시키기 위한 페데스탈회전축(14)을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.As schematically shown in FIG. 1, the wafer edge breakage detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a light emitting element 83 that emits light for inspection of the wafer 15 at the bottom edge of the disc 81. A detector 8 formed by mounting a light receiving element 84 for receiving the reflected light of the light emitted from the light emitting element 83 and a wafer pedestal positioned below the detector 8 to fix the wafer 15 to be inspected ( 12) and a pedestal rotating shaft 14 for rotating the wafer pedestal 12 is characterized in that it is made.

상기에서 원판(81)은 웨이퍼(15)의 검사를 위한 상기 발광소자(83)와 수광소자(84)를 고정시키는 수단으로서, 특히 그 하방에 위치하여 회전하는 웨이퍼페데스탈(12) 상의 웨이퍼(15)의 에지부분을 검사하기 위하여 대략 웨이퍼(15) 보다 약간 더 큰 원판(81)으로 이루어진다.The disc 81 is a means for fixing the light emitting element 83 and the light receiving element 84 for inspection of the wafer 15, in particular the wafer 15 on the wafer pedestal 12 which is located below and rotates. In order to inspect the edges of the wafer), it is made up of a disc 81 that is slightly larger than the wafer 15.

상기 원판(81)의 가장자리에는 상기한 바와 같이 발광소자(83)와 수광소자(84)가 취부되며, 상기 발광소자(83)로부터 방출되는 빛이 그 하방에 위치하는 웨이퍼(15), 특히 웨이퍼(15)의 에지부분에서 반사되어 상기 발광소자(83)와 대응되게 취부된 수광소자(84)로 입력될 수 있게 된다. 빛의 반사의 정도에 따라 수광소자(84)의 전기적 특성(예를 들면, 전류량 등)이 달라지게 되므로, 웨이퍼(15)의 1회전 동안의 수광소자(84)의 전기적 특성의 변화의 횟수 등을 계수하는 등의 방법으로 웨이퍼(15)의 파손여부를 간단하게 결정할 수 있게 되며, 이는 검사원의 육안에 의한 검사가 가능할 뿐만 아니라 마이크로프로세서에 연결된 계수기 등과 같은 보조장치에 의한 자동검사도 가능하다.The light emitting element 83 and the light receiving element 84 are mounted on the edge of the disc 81 as described above, and the light emitted from the light emitting element 83 is located below the wafer 15, in particular, the wafer. It is reflected at the edge of 15 so that it can be input to the light receiving element 84 mounted corresponding to the light emitting element 83. Since the electrical characteristics (for example, the amount of current) of the light receiving element 84 vary depending on the degree of light reflection, the number of times of change of the electrical property of the light receiving element 84 during one rotation of the wafer 15, etc. It is possible to simply determine whether the wafer 15 is broken by a method such as counting, which can be inspected by the inspector's naked eye as well as automatic inspection by an auxiliary device such as a counter connected to a microprocessor.

상기 웨이퍼페데스탈(12)은 검사될 웨이퍼(15)를 올려놓고 회전시키므로써 상기 웨이퍼페데스탈(12) 상에 위치하는 상기 발광소자(83)와 수광소자(84)에 의한 웨이퍼(15)의 파손여부의 검사를 가능하게 하는 기능을 한다.The wafer pedestal 12 is placed on the wafer pedestal 12 to be inspected and rotated so that the wafer 15 is damaged by the light emitting element 83 and the light receiving element 84 positioned on the wafer pedestal 12. Function to enable inspection of

상기 웨이퍼페데스탈(12)은 그 저면에 일체로 고정된 페데스탈회전축(14)에 의하여 회전가능하게 고정될 수 있다.The wafer pedestal 12 may be rotatably fixed by a pedestal rotation shaft 14 fixed to the bottom of the wafer pedestal 12.

따라서, 상기한 구성에 의하여 검사될 웨이퍼(15)를 상기 웨이퍼페데스탈(12)에 올려놓고, 웨이퍼페데스탈(12)을 회전시키면서 상기 발광소자(83)로부터 방사되는 빛을 조사하면, 빛은 상기 웨이퍼(15)의 표면에서 반사되어 수광소자(84)로 입력되고, 그에 따라 상기 수광소자(84)에서는 일정한 전기적 특성을 나타내게 된다. 이때, 상기 웨이퍼(15)의 일부가 파손된 경우, 이 파손된 부분에서 빛의 난반사 등이 일어나게 되어 상기 수광소자(84)에 입력되는 빛의 양이 변화되면 이는 곧 수광소자(84)의 전기적 특성이 달라지게 된다. 따라서, 수광소자(84)의 전기적 특성의 변화횟수만을 계수하는 것에 의하여 웨이퍼(15)의 파손여부를 간단히 검사할 수 있게 된다. 통상, 웨이퍼(15)에는 웨이퍼(15)의 종류와 공정 중의 웨이퍼(15)의 위치를 결정하기 위한 플랫존이 형성되어 있으며, 웨이퍼(15)의 에지부분의 파손여부를 검사하는 경우, 이 플랫존 이하의 부분에서는 웨이퍼(15)의 표면에서 빛이 반사되지 아니하고, 검사되는 웨이퍼(15)가 위치하는 상기 웨이퍼페데스탈(12)의 표면에서 빛이 반사되게 되며, 이 경우에는 수광소자(84)의 전기적 특성의 변화횟수에서 웨이퍼(15)의 플랫존의 경계와 만나게 되는 2회의 변화횟수를 차감하는 것으로 역시 웨이퍼(15)의 에지부분에서의 파손여부를 결정할 수 있다.Therefore, when the wafer 15 to be inspected according to the above configuration is placed on the wafer pedestal 12 and the light emitted from the light emitting element 83 is irradiated while rotating the wafer pedestal 12, the light is emitted from the wafer. Reflected by the surface of (15) is input to the light receiving element 84, thereby exhibiting a constant electrical characteristics in the light receiving element 84. At this time, when a part of the wafer 15 is broken, diffuse reflection of light occurs at the broken part, and when the amount of light input to the light receiving element 84 is changed, it is immediately determined that the electrical power of the light receiving element 84 is changed. The characteristics will be different. Therefore, by counting only the number of times the electrical characteristics of the light receiving element 84 changes, it is possible to easily inspect whether the wafer 15 is damaged. Usually, a flat zone is formed in the wafer 15 to determine the type of the wafer 15 and the position of the wafer 15 during the process. When the wafer 15 is inspected for damage to the edge portion of the wafer 15, the flat zone In the portion below the zone, light is not reflected from the surface of the wafer 15, but light is reflected from the surface of the wafer pedestal 12 where the wafer 15 to be inspected is located. In this case, the light receiving element 84 By subtracting the number of changes of two times that meet the boundary of the flat zone of the wafer 15 from the number of changes in the electrical characteristics of the wafer 15, it is also possible to determine whether or not to break at the edge portion of the wafer 15.

또한, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치는, 도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이, 검사될 웨이퍼(15)를 담고 있는 카셋트(2)가 놓여지는 카셋트플레이트(1), 상기 카셋트(2)를 이송시키기 위한 카셋트이송로봇(4)과 상기 카셋트이송로봇(4)이 가변가능하게 고정되는 직선트랙(3), 상기 카셋트(2)로부터 웨이퍼(15)를 웨이퍼페데스탈(12) 상으로 이송시키기 위한 로드플레이트(5), 상기 로드플레이트(5) 상의 카셋트(2)로부터 웨이퍼(15)를 낱장으로 이송시키는 웨이퍼이송로봇(6), 실질적으로 웨이퍼(15)의 에지파손을 검사하는 디텍터(8)가 취부되는 디텍터챔버바디(7), 상기 디텍터챔버바디(7)의 가장자리를 따라 설치되어 상기 웨이퍼이송로봇(6)을 가변가능하게 고정시키는 라운드트랙(9), 상기 디텍터챔버바디(7)내에 설치되어 상기 디텍터(8)를 상하가변가능하게 고정시키는 디텍터가변축(82)이 가변가능하게 고정되는 디텍터가변트랙(10), 검사될 웨이퍼(15)가 놓여지는 웨이퍼페데스탈(12)이 취부되는 디텍터챔버(11) 및 검사가 완료된 웨이퍼(15)를 다시 카셋트(2)내로 수납하는 언로드플레이트(13)를 포함하여 이루어지며, 상기 디텍터(8)가 원판(81)의 저면 가장자리에 웨이퍼(15)의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자(83)와 이 발광소자(83)로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자(84)가 취부되어 이루어진 디텍터(8), 상기 디텍터(8)의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼(15)를 고정시키는 웨이퍼페데스탈(12) 및 상기 웨이퍼페데스탈(12)을 회전시키기 위한 페데스탈회전축(14)을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, a wafer inspection apparatus including a wafer edge fracture detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as schematically shown in Fig. 2, has a cassette plate on which a cassette 2 containing a wafer 15 to be inspected is placed. 1), a cassette track robot 4 for transferring the cassette 2 and a straight track 3 on which the cassette transport robot 4 is variably fixed, and a wafer 15 from the cassette 2 A load plate 5 for transferring onto the pedestal 12, a wafer transfer robot 6 for transferring the wafer 15 into a sheet from the cassette 2 on the load plate 5, and substantially the wafer 15. The detector chamber body 7, on which the detector 8 for inspecting edge breakage is mounted, is installed along the edge of the detector chamber body 7 to variably change the wafer transfer robot 6. The detector variable track 10 installed in the round track 9 to fix the detector chamber 7 and the detector variable axis 82 fixed to the detector 8 so that the detector 8 can be variably fixed, is inspected. And a detector chamber 11 on which the wafer pedestal 12 on which the wafer 15 is to be placed is mounted, and an unload plate 13 for receiving the inspected wafer 15 back into the cassette 2. The detector 8 emits light for inspection of the wafer 15 at the bottom edge of the disc 81, and the light receiving element 84 receives the reflected light of the light emitted from the light emitting element 83. Detector 8 is installed, the wafer pedestal 12 and the pedestal rotation for rotating the wafer pedestal 12 to fix the wafer 15 to be inspected, located below the detector 8 It characterized by yirueojim including the axis 14.

상기한 바의 구성을 갖는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치에서는 우선, 검사될 웨이퍼(15)가 수납된 카셋트(2)가 카셋트플레이트(1)에 올려지면, 카셋트이송로봇(4)이 이를 로드플레이트(5)로 이송시키고, 로드플레이트(5)로 이송된 카셋트(2)내의 웨이퍼(15)를 웨이퍼이송로봇(6)이 디텍터챔버바디(7)내의 디텍터챔버(11)내에 위치하는 웨이퍼페데스탈(12) 상으로 이송시킨다. 이후, 이 웨이퍼페데스탈(12)에 인접하게 위치하는 디텍터(8)의 발광소자(83)가 동작하여 빛을 웨이퍼(15)의 표면에 조사하여 반사된 빛이 수광소자(84)로 입력되어 수광소자(84)의 전기적 특성의 변화에 따라 웨이퍼(15)의 파손여부를 검사하게 된다. 상기 카셋트이송로봇(4)은 직선트랙(3)에 가변가능하게 고정되어 이 직선트랙(3)을 따라 가변되면서 검사될 웨이퍼(15)가 담겨있는 카셋트(2)들을 순차적으로 또는 소정의 순서대로 로드플레이트(5)로 이송시킬 수 있으며, 웨이퍼이송로봇(6)은 상기 디텍터챔버바디(7)의 가장자리를 따라 형성된 라운드트랙(9)에 가변가능하게 고정되어 이 라운드트랙(9)을 따라 가변되면서 다수의 디텍터챔버(11)들 중 검사공정이 진행되지 않는 디텍터챔버(11)내의 웨이퍼페데스탈(12) 상으로 웨이퍼(15)를 이송시킬 수 있다. 웨이퍼(15)의 웨이퍼페데스탈(12)로의 이송 동안에 웨이퍼(15)가 원활하게 이송될 수 있도록 하기 위하여 상기 디텍터챔버(11)내의 디텍터(8)를 디텍터가변트랙(10)에 가변가능하게 고정시키는 디텍터가변축(82)을 상하 및 좌우로 가변시키면서 웨이퍼(15)의 웨이퍼페데스탈(12)로의 장착 및 탈착을 가능하게 한다.In the wafer inspection apparatus including the wafer edge fracture detector for manufacturing a semiconductor device according to the present invention having the above-described configuration, first, when the cassette 2 containing the wafer 15 to be inspected is placed on the cassette plate 1, The cassette transfer robot 4 transfers it to the load plate 5, and the wafer transfer robot 6 detects the wafer 15 in the cassette 2 transferred to the load plate 5 by the detector in the detector chamber body 7. The wafer is transferred onto a wafer pedestal 12 located in the chamber 11. Thereafter, the light emitting element 83 of the detector 8 positioned adjacent to the wafer pedestal 12 is operated to irradiate light onto the surface of the wafer 15 so that the reflected light is input to the light receiving element 84 to receive the light. The wafer 15 is inspected for damage as the electrical characteristics of the device 84 change. The cassette transfer robot 4 is variably fixed to the linear track 3 so that the cassettes 2 containing the wafers 15 to be inspected while varying along the linear track 3 are sequentially or in a predetermined order. It can be transferred to the load plate (5), the wafer transfer robot (6) is variably fixed to the round track (9) formed along the edge of the detector chamber body (7) is variable along this round track (9) The wafer 15 may be transferred onto the wafer pedestal 12 in the detector chamber 11 in which the inspection process is not performed among the plurality of detector chambers 11. In order to allow the wafer 15 to be smoothly transferred during the transfer of the wafer 15 to the wafer pedestal 12, the detector 8 in the detector chamber 11 is variably fixed to the detector variable track 10. The detector makes it possible to mount and detach the wafer 15 onto the wafer pedestal 12 while varying the vertical axis 82 up and down and left and right.

따라서, 본 발명에 의하면 다수의 웨이퍼(15)들의 파손여부 특히 웨이퍼(15)의 에지부분의 파손여부를 간단하게 그리고 연속적으로 검사할 수 있도록 하며, 그에 따라 파손 또는 에지파손된 웨이퍼(15)들을 선별하여 후속공정들로 진행되는 것을 예방하므로써 후속의 공정설비들의 가동율을 높이고, 반도체장치의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to simply and continuously inspect whether the plurality of wafers 15 are damaged, in particular, the edges of the wafer 15, and thus the broken or edge-damaged wafers 15 It is effective to increase the operation rate of subsequent process equipments and to improve the productivity of the semiconductor device by preventing the process of selecting and proceeding to subsequent processes.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (5)

원판의 저면 가장자리에 웨이퍼의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자와 이 발광소자로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자가 취부되어 이루어진 디텍터, 상기 디텍터의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼페데스탈 및 상기 웨이퍼페데스탈을 회전시키기 위한 페데스탈회전축을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터.A detector formed by attaching a light emitting device emitting light for inspection of a wafer to the bottom edge of the disc and a light receiving device receiving light reflected from the light emitting device, and positioned below the detector to fix the wafer to be inspected. A wafer edge break detector for manufacturing a semiconductor device, comprising a wafer pedestal and a pedestal rotating shaft for rotating the wafer pedestal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 원판이 디텍터가변축에 상하로 가변가능하게 고정됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터.And the disc is fixedly fixed to the detector variable axis up and down. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 디텍터가변축이 디텍터가변트랙에 가변가능하게 취부됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터.And wherein the detector variable axis is variably mounted to the detector variable track. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수광소자가 마이크로프로세서가 연결된 계수기에 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터.And the light receiving device is connected to a counter connected to a microprocessor. 검사될 웨이퍼를 담고 있는 카셋트가 놓여지는 카셋트플레이트, 상기 카셋트를 이송시키기 위한 카셋트이송로봇과 상기 카셋트이송로봇이 가변가능하게 고정되는 직선트랙, 상기 카셋트로부터 웨이퍼를 웨이퍼페데스탈 상으로 이송시키기 위한 로드플레이트, 상기 로드플레이트 상의 카셋트로부터 웨이퍼를 낱장으로 이송시키는 웨이퍼이송로봇, 실질적으로 웨이퍼의 에지파손을 검사하는 디텍터가 취부되는 디텍터챔버바디, 상기 디텍터챔버바디의 가장자리를 따라 설치되어 상기 웨이퍼이송로봇을 가변가능하게 고정시키는 라운드트랙, 상기 디텍터챔버바디내에 설치되어 상기 디텍터를 상하가변가능하게 고정시키는 디텍터가변축이 가변가능하게 고정되는 디텍터가변트랙, 검사될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼페데스탈이 취부되는 디텍터챔버를 포함하여 이루어지며, 상기 디텍터가 원판의 저면 가장자리에 웨이퍼의 검사를 위한 빛을 발산하는 발광소자와 이 발광소자로부터 나온 빛의 반사광을 수광하는 수광소자가 취부되어 이루어진 디텍터, 상기 디텍터의 하방에 위치하며, 검사될 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼페데스탈 및 상기 웨이퍼페데스탈을 회전시키기 위한 페데스탈회전축을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 웨이퍼 에지파손 디텍터를 포함하는 웨이퍼 검사장치.A cassette plate on which a cassette containing a wafer to be inspected is placed, a cassette transfer robot for transferring the cassette and a straight track on which the cassette transfer robot is variably fixed, and a load plate for transferring wafers from the cassette onto a wafer pedestal A wafer transfer robot for transferring wafers from the cassette on the load plate to a detector; a detector chamber body mounted with a detector for inspecting edge breakage of the wafer; A round track for fixing the detector, a detector variable track installed in the detector chamber body to variably fix the detector up and down, and a wafer to be inspected. The detector includes a detector chamber on which a wafer pedestal is mounted, and a light emitting device on which the detector emits light for inspection of the wafer on the bottom edge of the disc and a light receiving device receiving light reflected from the light emitting device are mounted. Wafer inspection apparatus comprising a wafer edge break detector for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises a detector, a wafer pedestal which is positioned below the detector, and a pedestal rotation axis for rotating the wafer pedestal to fix the wafer to be inspected .
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