JPH07183207A - Substrate periphery exposure device - Google Patents
Substrate periphery exposure deviceInfo
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- JPH07183207A JPH07183207A JP34752393A JP34752393A JPH07183207A JP H07183207 A JPH07183207 A JP H07183207A JP 34752393 A JP34752393 A JP 34752393A JP 34752393 A JP34752393 A JP 34752393A JP H07183207 A JPH07183207 A JP H07183207A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶表
示装置用のガラス基板等の基板の周縁部に光を照射する
基板周縁露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate edge exposure apparatus for irradiating a peripheral edge of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device with light.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体製造工程においては、半
導体ウエハ表面にフォトレジスト膜を形成し、このフォ
トレジスト膜に精密写真転写技術により、マスクの微細
な回路パターンを転写する露光工程がある。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor manufacturing process, there is an exposure process in which a photoresist film is formed on the surface of a semiconductor wafer and a fine circuit pattern of a mask is transferred to the photoresist film by a precision photo transfer technique.
【０００３】上記半導体ウエハ表面にフォトレジスト膜
を形成する場合、一般に上記半導体ウエハ中央部分にフ
ォトレジスト液を滴下し、半導体ウエハを高速回転させ
ながら遠心力により全面に拡散させるスピンナー法によ
ってフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形
成している。When forming a photoresist film on the surface of the semiconductor wafer, generally, the photoresist solution is dropped on the central portion of the semiconductor wafer and is spun by the centrifugal force while rotating the semiconductor wafer at a high speed by a spinner method. Is applied to form a photoresist film.
【０００４】ところで、スピンナー法によってフォトレ
ジスト膜を形成すると、半導体ウエハの周縁部に膜厚の
厚い部分が形成されてしまう。このような半導体ウエハ
周縁部のフォトレジスト膜は、例えば半導体ウエハの搬
送中に機械的に破壊されたりしてごみとして飛散する可
能性があるので、半導体チップの収率に影響を与えない
部分を予め除去しておくことが望ましい。By the way, when the photoresist film is formed by the spinner method, a thick film portion is formed on the peripheral portion of the semiconductor wafer. Such a photoresist film on the peripheral portion of the semiconductor wafer may be mechanically broken during transportation of the semiconductor wafer and may be scattered as dust, so that a portion that does not affect the yield of semiconductor chips should be protected. It is desirable to remove it in advance.
【０００５】このような半導体ウエハ周縁部のフォトレ
ジスト膜を除去する装置としては、例えば特開昭５８−
１５９５３５、特開昭５９−１３８３３５、特開昭６１
−７３３３０号公報等に、半導体ウエハを回転させなが
ら半導体ウエハの周縁部に光源からの光を照射する装置
が開示されている。An apparatus for removing the photoresist film on the peripheral portion of the semiconductor wafer is disclosed in, for example, JP-A-58-58.
159535, JP-A-59-138335, JP-A-61.
No. 73330 discloses a device for irradiating the peripheral portion of a semiconductor wafer with light from a light source while rotating the semiconductor wafer.
【０００６】上述のような従来の半導体ウエハの露光装
置においては、光源として例えば水銀ランプ等を使用す
るが、このような光源の光量は、一般に点灯時間ととも
に減少する。In the conventional exposure apparatus for a semiconductor wafer as described above, a mercury lamp or the like is used as a light source, but the light quantity of such a light source generally decreases with lighting time.
【０００７】しかしながら、このような光源の光量の減
少は、個々の光源によってばら付きがあり、例えば点灯
時間によって光源の交換を行うと、光源によっては、光
量の減少により露光不足を起こしレジスト膜の残留を招
いたり、まだ充分使用することのできる光源を交換して
しまうことにより、ランニングコストの増大を招くとい
う問題がある。However, such a decrease in the light amount of the light source varies depending on the individual light sources. For example, if the light sources are exchanged depending on the lighting time, depending on the light source, insufficient light exposure causes insufficient exposure of the resist film. There is a problem in that the running cost is increased by causing a residue or exchanging a light source that can be used sufficiently.
【０００８】また、かかる問題を解決するものとして、
特開平１−２４３４２７号が提案されている。係る公報
に開示の装置は、基板の端縁に光を照射するための露光
機構を水平移動可能に設けるとともに、露光されるべき
基板の周縁とほぼ同じ高さに光検出器を設けている。そ
して、露光されるべき基板を当該装置に搬送している時
間中に、露光機構の投光光学手段としてのレンズユニッ
トを光検出器に対向する位置に移動させ、光検出器が検
出した光量によって光源の光量を検出し、光源の交換時
期を察知している。In order to solve such a problem,
Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-243427 has been proposed. In the apparatus disclosed in the publication, an exposure mechanism for irradiating light on the edge of the substrate is horizontally movable, and a photodetector is provided at almost the same height as the peripheral edge of the substrate to be exposed. Then, while the substrate to be exposed is being conveyed to the apparatus, the lens unit as the projection optical means of the exposure mechanism is moved to a position facing the photodetector, and the amount of light detected by the photodetector is changed. It detects the amount of light from the light source and knows when to replace the light source.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記特開平１−２４３
４２７号公報に開示の装置では、基板の端縁に対する露
光を行う前に、光検出器によって光源の光量を検出して
いる。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
In the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 427, the light amount of the light source is detected by the photodetector before the exposure of the edge of the substrate.
【００１０】一方、近年、スループット向上のため、基
板処理の高速化が求められているが、上記装置構成で
は、基板に対する露光動作の時間とは別に、光量測定の
ための時間が必要となり、処理の高速化の妨げとなって
いる。上記公報には、光量測定を、基板載置台への基板
搬入時間中に行うことも示唆されているが、光量測定に
要する時間は基板搬入動作に要する時間よりも長く、上
記装置構成では処理の遅延が不可避であった。On the other hand, in recent years, in order to improve the throughput, it has been required to speed up the substrate processing. However, in the above-mentioned apparatus configuration, the time for the light amount measurement is required in addition to the time for the exposure operation on the substrate, and the processing is performed. Is an obstacle to speeding up. The above publication also suggests that the light amount measurement is performed during the time when the substrate is loaded into the substrate mounting table, but the time required for the light amount measurement is longer than the time required for the substrate loading operation, and thus the apparatus configuration is Delay was unavoidable.
【００１１】本発明は、基板処理の遅延をひきおこすこ
となく、光源の劣化等による光量変化を検出することが
でき、スループットが高い基板周縁露光装置を提供する
ものである。The present invention provides a substrate peripheral edge exposure apparatus capable of detecting a change in light amount due to deterioration of a light source without causing a delay in substrate processing and having a high throughput.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の周縁部
に光源からの光を照射して、基板の表面に形成された感
光膜のうち周縁部の膜を感光させる基板周縁露光装置で
あって、投光光学手段と、該投光光学手段を前記基板の
周縁にそって相対移動させる移動手段と、前記光源から
の光を前記投光光学手段に導く光路形成手段と、該光路
形成手段を通過する光の一部を分岐させる光分岐手段
と、該光分岐手段を介して導いた光を受光して前記光源
の光量を測定する光量測定手段とを設けたことを特徴と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a substrate edge exposure apparatus which irradiates a peripheral portion of a substrate with light from a light source to expose a peripheral film of a photosensitive film formed on the surface of the substrate. A light projecting optical unit, a moving unit that relatively moves the light projecting optical unit along the peripheral edge of the substrate, an optical path forming unit that guides light from the light source to the light projecting optical unit, and an optical path forming unit. It is characterized in that a light branching means for branching a part of the light passing through the means and a light quantity measuring means for receiving the light guided through the light branching means and measuring the light quantity of the light source are provided.
【００１３】[0013]
【作用】光源からの光は、光路形成手段、投光光学手段
を介して基板端縁に導かれ、移動手段による相対移動に
よって基板端縁にそって照射される。それと同時に、光
源からの光の一部は光分岐手段によって分岐されて光量
測定手段に受光される。光量測定手段は、受光した光に
よって光源の光量を測定する。The light from the light source is guided to the edge of the substrate through the optical path forming means and the projecting optical means, and is irradiated along the edge of the substrate by the relative movement of the moving means. At the same time, part of the light from the light source is split by the light splitting means and received by the light quantity measuring means. The light quantity measuring means measures the light quantity of the light source by the received light.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の半導体ウエハの基板周縁露光
装置の実施例を図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a substrate edge exposure apparatus for semiconductor wafers according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】図１に示すように、基台１には真空チャッ
クにより基板としての半導体ウエハ２を吸着保持すると
ともに、モータ等の回転駆動機構３に接続され、半導体
ウエハ２を回転可能に構成されたウエハ載置台４が配置
されている。As shown in FIG. 1, a base 1 holds a semiconductor wafer 2 as a substrate by a vacuum chuck, and is connected to a rotary drive mechanism 3 such as a motor so that the semiconductor wafer 2 can be rotated. A wafer mounting table 4 is arranged.
【００１６】また、このウエハ載置台４の側方には、図
２に示すように、熱除去用フィルタ５ａと水銀ランプ５
ｂよりなる光源５と、光源５からの光を半導体ウエハＷ
の周縁部に照射する投光光学手段としてのレンズユニッ
ト７とを内蔵した露光機構８が配置されている。As shown in FIG. 2, a heat removal filter 5a and a mercury lamp 5 are provided on the side of the wafer mounting table 4.
b, and the light from the light source 5 to the semiconductor wafer W
An exposure mechanism 8 including a lens unit 7 as a light projecting optical unit for irradiating the peripheral portion of the exposure unit 8 is disposed.
【００１７】露光機構８において、アーム形状をした外
殻８ａの先端部には、レンズユニット７が取り付けられ
ている。外殻８ａには、光源５と、光源５からの光をレ
ンズユニット７に導く第１および第２の光ファイバ束６
ａ、６ｂと、この第１の光ファイバ束６ａと第２の光フ
ァイバ束６ｂとの間に設けられたビームスプリッタ２０
と、ビームスプリッタ２０によって分岐された光を受光
する光検出器１６とが内蔵されている。In the exposure mechanism 8, the lens unit 7 is attached to the tip of the arm-shaped outer shell 8a. The outer shell 8a includes a light source 5 and first and second optical fiber bundles 6 that guide light from the light source 5 to the lens unit 7.
a and 6b, and a beam splitter 20 provided between the first optical fiber bundle 6a and the second optical fiber bundle 6b.
And a photodetector 16 that receives the light split by the beam splitter 20.
【００１８】第１および第２の光ファイバ束６ａ、６ｂ
は、多数本の光ファイバを断面矩形状に束ねて構成され
たもので、光源５からの光をレンズユニット７に導く光
路形成手段である。ビームスプリッタ２０は、第１の光
ファイバ束６ａを通過した光の一部を分岐させる光分岐
手段である。ビームスプリッタ２０によって分岐された
光の一方は第２の光ファイバ束６ｂを通ってレンズユニ
ット７によって半導体ウエハＷの周縁部に照射される。
光検出器１６は、具体的にはフォトトランジスタ等によ
り構成され、ビームスプリッタ２０によって分岐された
他方の光が入射するように配置されて、入射光の光量に
応じて出力が変化する光量測定手段である。光検出器１
６は、後述する制御装置１５に接続されている。First and second optical fiber bundles 6a, 6b
Is an optical path forming means for guiding the light from the light source 5 to the lens unit 7, which is configured by bundling a large number of optical fibers in a rectangular cross section. The beam splitter 20 is an optical splitter that splits a part of the light that has passed through the first optical fiber bundle 6a. One of the light beams split by the beam splitter 20 passes through the second optical fiber bundle 6b and is applied to the peripheral edge of the semiconductor wafer W by the lens unit 7.
The photodetector 16 is specifically configured by a phototransistor or the like, is arranged so that the other light branched by the beam splitter 20 is incident, and a light amount measuring unit whose output changes according to the light amount of the incident light. Is. Photo detector 1
6 is connected to the control device 15 described later.
【００１９】この露光機構８は、支持板９上にボールス
クリュー１０を介して接続されており、このボールスク
リュー１０に接続されたモータ１１により、ボールスク
リュー１０を回転させることにより、図示矢印Ｘ方向に
移動可能とされている。また、支持板９は、両端に配置
されたガイドシャフト１２およびボールスクリュー１３
によって支持されており、ボールスクリュー１３に接続
されたモータ１４により、ボールスクリュー１３を回転
させることにより、図示矢印Ｙ方向に移動可能に構成さ
れている。そして、上記回転駆動機構３、モータ１１お
よびモータ１４は、それぞれ制御装置１５に接続されて
おり、半導体ウエハ２を回転させ、露光機構８をＸおよ
びＹ方向に移動させることにより、オリエンテーション
フラット２ａ部分も含めた半導体ウエハ２の周縁部２ｂ
に、光源５からの光を照射し、半導体ウエハ２表面に形
成されたフォトレジスト膜のうち周縁部２ｂのみを露光
するよう制御される。The exposure mechanism 8 is connected to a support plate 9 via a ball screw 10, and a motor 11 connected to the ball screw 10 rotates the ball screw 10 to move the ball screw 10 in the direction of arrow X in the figure. It is possible to move to. The support plate 9 has a guide shaft 12 and a ball screw 13 arranged at both ends.
The motor 14 connected to the ball screw 13 rotates the ball screw 13 so that the motor 14 can move in the direction of the arrow Y in the figure. The rotary drive mechanism 3, the motor 11 and the motor 14 are respectively connected to the control device 15, and rotate the semiconductor wafer 2 to move the exposure mechanism 8 in the X and Y directions, thereby the orientation flat 2a portion. Peripheral portion 2b of the semiconductor wafer 2 including
Then, the light from the light source 5 is irradiated to control only the peripheral edge 2b of the photoresist film formed on the surface of the semiconductor wafer 2.
【００２０】上記構成のこの実施例の半導体ウエハの露
光装置では、次のようにしてオリエンテーションフラッ
ト２ａ部分も含めた半導体ウエハ２の周縁部２ｂに、光
源５からの光を照射し、フォトレジスト膜を露光する。In the semiconductor wafer exposure apparatus of this embodiment having the above structure, the peripheral portion 2b of the semiconductor wafer 2 including the orientation flat 2a is irradiated with light from the light source 5 as follows, and the photoresist film is formed. To expose.
【００２１】すなわち、まず図示しない搬送装置および
位置決め装置等により露光すべき半導体ウエハ２を、そ
の中心がウエハ載置台４の中心と一致するよう、かつ、
オリエンテーションフラット２ａが図示矢印Ｘ方向と平
行するように配置し、ウエハ載置台４上に吸着保持す
る。That is, first, the semiconductor wafer 2 to be exposed is transferred by a transfer device and a positioning device (not shown) so that the center of the semiconductor wafer 2 coincides with the center of the wafer mounting table 4.
The orientation flat 2a is arranged so as to be parallel to the direction of the arrow X in the drawing, and is held by suction on the wafer mounting table 4.
【００２２】そして、上記半導体ウエハ２の装置が終了
すると、モータ１１およびモータ１４により露光機構８
を駆動し、オリエンテーションフラット２ａの端部に露
光機構８のレンズユニット７からの光の光路を位置さ
せ、この後回転駆動機構３によりウエハ載置台４を所定
速度で回転させて、オリエンテーションフラット２ａ以
外の半導体ウエハ２周縁部２ｂに光を照射し露光を行
う。なお、この時の半導体ウエハ２の回転は、１回転で
も複数回でもよい。When the apparatus for the semiconductor wafer 2 is completed, the exposure mechanism 8 is driven by the motor 11 and the motor 14.
Is driven to position the optical path of the light from the lens unit 7 of the exposure mechanism 8 at the end portion of the orientation flat 2a, and then the wafer mounting table 4 is rotated by the rotation driving mechanism 3 at a predetermined speed to remove the orientation flats 2a other than the orientation flat 2a. The semiconductor wafer 2 peripheral portion 2b is exposed to light to be exposed. The rotation of the semiconductor wafer 2 at this time may be one rotation or a plurality of rotations.
【００２３】しかる後、モータ１１により露光機構８を
Ｘ方向に所定速度で移動させ、オリエンテーションフラ
ット２ａ部分に光を反射し露光を行う。なお、上記露光
は、先にオリエンテーションフラット２ａ部分について
行ってもよい。Thereafter, the exposure mechanism 8 is moved in the X direction at a predetermined speed by the motor 11, and light is reflected on the portion of the orientation flat 2a to perform exposure. The exposure may be performed first on the orientation flat 2a portion.
【００２４】そして、以上の露光作業中において、光源
５からの光は第１の光ファイバ束６ａによってビームス
プリッタ２０に導かれる。そして、その一部はさらに第
２の光ファイバ束６ｂを通ってレンズユニット７に導か
れ、半導体ウエハＷの周縁部に照射される。Then, during the above exposure operation, the light from the light source 5 is guided to the beam splitter 20 by the first optical fiber bundle 6a. Then, a part thereof is further guided to the lens unit 7 through the second optical fiber bundle 6b and is irradiated onto the peripheral portion of the semiconductor wafer W.
【００２５】ビームスプリッタ２０に導かれた光の他の
一部は光検出器１６に入射し、その光検出器１６によっ
てその時点での光量に応じた信号が出力される。光検出
器１６が出力した信号は制御装置１５に伝えられる。制
御装置１５はいわゆるマイクロコンピュータより構成さ
れ、そこに予め入力されている制御プログラムに従い光
検出器１６からの信号を参照して、回転駆動機構３、モ
ータ１１、１４を制御する。Another part of the light guided to the beam splitter 20 is incident on the photodetector 16, and the photodetector 16 outputs a signal corresponding to the amount of light at that time. The signal output by the photodetector 16 is transmitted to the control device 15. The control device 15 is composed of a so-called microcomputer, and controls the rotary drive mechanism 3 and the motors 11 and 14 by referring to a signal from the photodetector 16 in accordance with a control program previously input thereto.
【００２６】具体的には、制御装置１５は、光検出器１
６から伝えられる信号により露光作業中における光源５
の光量変化をリアルタイムで認識する。そして、かかる
認識結果に応じて、例えば、光源５の経時変化によって
光量が減少しつつある場合には、その光量の減少の度合
いに応じて、露光の際の回転駆動機構３やモータ１１の
駆動速度を遅くするように制御する。係る制御は、制御
装置１５の演算により、多数枚が連続的に処理される半
導体ウエハ２の全てにわたって、かつ、その周縁部２ｂ
全域にわたって、各被露光部位における積算の露光量が
一定になるようになされる。なお、かかる光量の減少
は、たとえば装置の可動時間が１００時間、２００時
間、・・・と増えるに従って、比較的ゆるやかに長い時
間をかけて発生する。Specifically, the control device 15 includes the photodetector 1
The light source 5 during the exposure operation by the signal transmitted from
Recognize changes in light intensity in real time. Then, according to the recognition result, for example, when the light amount is decreasing due to the change over time of the light source 5, the rotation driving mechanism 3 and the motor 11 are driven during the exposure depending on the degree of the decrease in the light amount. Control to slow down. The control is performed by the control device 15 over the entire area of the semiconductor wafer 2 on which a large number of wafers are continuously processed, and the peripheral edge portion 2b thereof.
The integrated exposure amount at each exposed portion is made constant over the entire area. Note that such a decrease in the light amount occurs over a relatively long period of time as the operating time of the device increases, for example, 100 hours, 200 hours, ....
【００２７】また、露光作業中における装置電源電圧の
変動により、一時的に光源５の光量が増加あるいは減少
した場合には、その光量の変化の度合いに応じ、光量が
増加した場合には回転駆動機構３やモータ１１の駆動速
度を早くするように、また光量が減少した場合には回転
駆動機構３やモータ１１の駆動速度を遅くするように制
御する。係る制御も、同様に制御装置１５の演算により
なされる。なお、かかる光量の増減は、例えば１枚の半
導体ウエハ２の露光中において秒単位の短い時間幅で起
こる場合もあれば、それよりも長い時間幅で発生する場
合もある。Further, when the light quantity of the light source 5 temporarily increases or decreases due to the fluctuation of the apparatus power supply voltage during the exposure work, the rotation drive is performed when the light quantity increases according to the degree of change of the light quantity. Control is performed so as to increase the drive speed of the mechanism 3 and the motor 11, and to decrease the drive speed of the rotary drive mechanism 3 and the motor 11 when the light amount decreases. Such control is similarly performed by the calculation of the control device 15. The increase / decrease in the amount of light may occur, for example, in a short time width of seconds during exposure of one semiconductor wafer 2, or in a longer time width than that.
【００２８】このように、制御装置１５として、露光作
業中における光源５の光量変化の認識やモータ１１等の
制御をリアルタイムで行うものを使用すれば、露光処理
中の光量自体を測定できることと相俟って、露光処理中
における光量変化を検出して即時に対応する制御を行う
ことができ、均一かつ適切な露光を高い信頼性を持って
行うことができる。As described above, if the control device 15 is used to recognize the change in the light amount of the light source 5 during the exposure operation and control the motor 11 in real time, the light amount itself during the exposure process can be measured. Therefore, it is possible to detect the change in the light amount during the exposure process and immediately perform the corresponding control, so that uniform and appropriate exposure can be performed with high reliability.
【００２９】また、このように光分岐手段としてビーム
スプリッタ２０を用いれば、光検出器１６によって検出
される光量は、露光用の光束全体の光量と正確に相関関
係のあるものとなる。かかる構成では、光源５の光の一
部を検出する構成、例えばランプ５ｂから側方にもれる
光を光検出器で検出する構成と比べて、露光用の光束の
光量を正確に検出することができる。Further, when the beam splitter 20 is used as the light splitting means as described above, the light amount detected by the photodetector 16 has an accurate correlation with the light amount of the entire exposure light flux. In such a configuration, compared with a configuration in which a part of the light of the light source 5 is detected, for example, a configuration in which the light leaking to the side from the lamp 5b is detected by a photodetector, the light amount of the exposure light flux can be accurately detected. You can
【００３０】以上のように、光源５の劣化に伴なう露光
不足により、レジスト膜が残留することを防止し、確実
にレジスト膜の除去を行うことができるとともに、光源
５を有効に利用することができ、従来に較べてランニン
グコストの低減を図ることができる。しかも、露光作業
中に光源５の光量を検出することができるので、光量測
定のための時間が不要となり、処理を高速化でき、装置
のスループットが向上する。As described above, it is possible to prevent the resist film from remaining due to insufficient exposure due to the deterioration of the light source 5, to reliably remove the resist film, and to effectively use the light source 5. Therefore, the running cost can be reduced as compared with the conventional case. Moreover, since the light quantity of the light source 5 can be detected during the exposure operation, the time for measuring the light quantity is not required, the processing can be speeded up, and the throughput of the apparatus is improved.
【００３１】なお、上記実施例では、露光処理中の全時
間にわたって光量検出をおこなう場合を説明したが、露
光処理時間の最初の数秒ないし数十秒のあいだのみに光
量検出を行ってもよい。また、上記実施例では、光検出
器１６の検出信号を制御装置１５に入力して、それに応
じてモータ１１等の制御を行っていたが、光検出器１６
の検出信号を図示しない比較器に入力し、その比較器の
出力により図示しない警告ランプ、警報ブザー等の警報
手段を駆動して、光源５の経時変化による光量減少のみ
を報知する構成としてもよい。いずれにせよ、露光作業
中に光源５の光量を検出することができるので、光量測
定のための時間が不要となり、処理を高速化でき、装置
のスループットが向上する。In the above embodiment, the case where the light amount is detected over the entire time during the exposure process has been described, but the light amount may be detected only during the first few seconds to several tens of seconds of the exposure processing time. Further, in the above-described embodiment, the detection signal of the photodetector 16 is input to the control device 15 and the motor 11 and the like are controlled accordingly.
The detection signal may be input to a comparator (not shown), and the output of the comparator may drive warning means (not shown) such as a warning lamp and an alarm buzzer to notify only the decrease in the light amount due to the aging of the light source 5. . In any case, since the light quantity of the light source 5 can be detected during the exposure operation, the time for measuring the light quantity is unnecessary, the processing can be speeded up, and the throughput of the apparatus is improved.
【００３２】図３は本発明の他の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention.
【００３３】露光機構８において、一端を光源５に接続
された光ファイバ束６０は、その中ほどにおいて、他端
をレンズユニット７に接続される第１の光ファイバ束６
０ａと、他端を光検出器１６に接続される第２の光ファ
イバ束６０ｂとに分岐している。係る光ファイバ束６０
の分岐により、光源５からの光は、レンズユニット７と
光検出器１６の両方へ導かれる。本実施例においては、
光ファイバ束６０は光路形成手段であり、光ファイバ束
６０のうちの先端部分である第２の光ファイバ束６０ｂ
が光分岐手段である。第１の光ファイバ束６０ａは、少
なくともそのレンズユニット７側の先端が矩形形状に形
成されている。In the exposure mechanism 8, the optical fiber bundle 60 whose one end is connected to the light source 5 has a first optical fiber bundle 6 whose other end is connected to the lens unit 7 in the middle thereof.
0a and a second optical fiber bundle 60b whose other end is connected to the photodetector 16 are branched. Optical fiber bundle 60
The light from the light source 5 is guided to both the lens unit 7 and the photodetector 16 by the branching. In this embodiment,
The optical fiber bundle 60 is an optical path forming means, and is a second optical fiber bundle 60b which is a tip portion of the optical fiber bundle 60.
Is an optical branching means. At least the tip of the first optical fiber bundle 60a on the lens unit 7 side is formed in a rectangular shape.
【００３４】本実施例における他の部分の構成や装置の
動作、作用効果は先に説明した実施例と同一であるの
で、図面の対応部分に同一符号を付し、説明は省略す
る。Since the configuration of the other parts, the operation of the device, and the operation and effect of this embodiment are the same as those of the embodiment described above, the same reference numerals are given to the corresponding parts in the drawings, and the description thereof will be omitted.
【００３５】なお、光分岐手段として光ファイバ束６０
から分岐される第２の光ファイバ束６０ｂは、図３にお
いては、光ファイバ束６０のその断面における一部分ひ
とかたまりを分岐させたように描かれているが、実際に
は、本実施例における第２の光ファイバ束６０ｂの個々
の光ファイバは、光源５との接続位置における光ファイ
バ束６０の端面において、その端面全体にまんべんなく
位置するものを選んである。第２の光ファイバ６０ｂを
このように選ぶことにより、光検出器１６によって検出
される光量が、露光用の光束全体の光量とより正確な相
関関係のあるものとなり、露光用の光束の光量をより正
確に検出することができる。The optical fiber bundle 60 is used as the light branching means.
The second optical fiber bundle 60b branched from is depicted as a partial lump in the cross section of the optical fiber bundle 60 in FIG. 3, but in reality, the second optical fiber bundle 60b is divided into the second bundle in the present embodiment. The individual optical fibers of the optical fiber bundle 60b are selected such that the end faces of the optical fiber bundle 60 at the connection position with the light source 5 are evenly located over the entire end face. By selecting the second optical fiber 60b in this way, the light amount detected by the photodetector 16 has a more accurate correlation with the light amount of the entire exposure light beam, and the light amount of the exposure light beam is reduced. It can be detected more accurately.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板周縁
露光装置によれば、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留
を防止し、確実にレジスト膜の除去を行うことができる
とともに、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べて
ランニングコストの低減を図ることができる。As described above, according to the substrate edge exposure apparatus of the present invention, the resist film can be prevented from remaining due to the deterioration of the light source, and the resist film can be reliably removed. Can be effectively used, and the running cost can be reduced as compared with the conventional case.
【００３７】しかも、露光作業中に光源の光量を検出す
ることができるので、光量測定のための時間が不要とな
り、処理を高速化でき、装置のスループットが向上す
る。Moreover, since the light quantity of the light source can be detected during the exposure operation, the time for measuring the light quantity is unnecessary, the processing can be speeded up, and the throughput of the apparatus is improved.
【図１】本発明に係る基板周縁露光装置の構成を示す模
式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate edge exposure apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る基板周縁露光装置の要部を示す模
式的断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a main part of a substrate edge exposure apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る基板周縁露光装置の他の実施例の
要部を示す模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a main part of another embodiment of the substrate edge exposure apparatus according to the present invention.
２ 半導体ウエハ ５ 光源 ６ａ 第１の光ファイバ束 ６ｂ 第２の光ファイバ束 ７ レンズユニット １６ 光検出器 ２０ ビームスプリッタ 2 semiconductor wafer 5 light source 6a first optical fiber bundle 6b second optical fiber bundle 7 lens unit 16 photodetector 20 beam splitter
Claims (1)
て、基板の表面に形成された感光膜のうち周縁部の膜を
感光させる基板周縁露光装置において、 投光光学手段と、該投光光学手段を前記基板の周縁にそ
って相対移動させる移動手段と、前記光源からの光を前
記投光光学手段に導く光路形成手段と、該光路形成手段
を通過する光の一部を分岐させる光分岐手段と、該光分
岐手段を介して導いた光を受光して前記光源の光量を測
定する光量測定手段とを設けたことを特徴とする基板周
縁露光装置。1. A substrate peripheral edge exposure apparatus for irradiating light from a light source to a peripheral portion of a substrate to expose a peripheral film of a photosensitive film formed on the surface of the substrate, a projection optical unit, and Moving means for relatively moving the light projecting optical means along the peripheral edge of the substrate, optical path forming means for guiding the light from the light source to the light projecting optical means, and part of the light passing through the optical path forming means. A substrate edge exposure apparatus, comprising: a light branching unit that allows the light to be guided through the light branching unit and a light amount measuring unit that receives the light guided through the light branching unit and measures the light amount of the light source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752393A JPH07183207A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Substrate periphery exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752393A JPH07183207A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Substrate periphery exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183207A true JPH07183207A (en) | 1995-07-21 |
Family
ID=18390805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34752393A Pending JPH07183207A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Substrate periphery exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183207A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7088423B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-08-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Edge exposing apparatus |
| WO2014034596A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 株式会社オーク製作所 | Illumination monitoring apparatus and exposure apparatus provided with same |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34752393A patent/JPH07183207A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7088423B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-08-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Edge exposing apparatus |
| WO2014034596A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 株式会社オーク製作所 | Illumination monitoring apparatus and exposure apparatus provided with same |
| JP2014049611A (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Orc Manufacturing Co Ltd | Illumination monitoring device and exposure apparatus with the same |
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