KR20000005852A - 액정표시장치 - Google Patents

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KR20000005852A
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니시무로 타이죠
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Abstract

본 발명은, 화소전극과 신호선과의 존재하는 용량결합이 원인으로 되어 발생하고 있던 크로스토크를 방지한다.
본 발명에 있어서는, 반사화소전극(50a)과, 절연막을 매개해서 신호선(27a) 뿐만 아니라 인접하는 다른 신호선(27b)이 부분적으로 대향하여 용량결합한다. 그리고, 신호선(27a)이 반사화소전극(50a)과 대향하는 부분(27a1)의 면적과, 신호선 (27b)이 화소전극(50a)과 대향하는 부분(27b2)의 면적은 크기가 거의 동일하다. 이 때문에, 신호선(27a)의 신호전위가 용량결합에 의해 반사화소전극(50a)에 주는 영향과, 신호선(27b)의 신호전위가 용량결합에 의해 반사화소전극(50a)에 주는 영향이 거의 같아져서 인접하는 전극 50a와 50b, 50b와 50c, …와의 사이에서의 휘도차가 완화되어 크로스토크의 발생이 방지된다.

Description

액정표시장치 {Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다.
도 4에 종래의 반사형 액정표시장치(100)의 평면도를 나타내고, 이 도 4에서의 B-B선에 따른 종단면을 도 5에 나타낸다. 이 장치는, 스위칭소자로서 박막 트랜지스터(이하, TFT라 한다)(114)가 매트릭스형상으로 배치된 어레이기판(110)과, 투광성 대향전극(136)이 형성된 대향기판(130) 및, 이들 기판(110, 130) 사이에 끼인 액정층(150)을 갖추고 있다.
어레이기판(110)상에는, 행방향에 따라 복수개 배열되고 동방향에 따라 배치되어 있는 TFT(114)의 게이트가 공통접속된 주사선(113)과, 이것과 직교하는 열방향에 따라 복수개 배열되고 이 방향에 따라 배치되어 있는 TFT(114)의 소스, 드레인의 한쪽의 단자가 공통접속된 신호선(119)이 배선되어 있다. TFT(114)의 다른쪽의 단자는 절연막을 매개해서 신호축적용량선(116)과의 사이에서 신호의 축적을 행하는 용량을 구성함과 더불어, 콘택트(125)를 매개해서 후술하는 반사화소전극(120)에 접속되어 있다.
주사선(113), 신호선(119), 축적용량선(116), TFT(114)의 상면에는 유기절연층(118)이 형성되어 있고, 이 유기절연층(118)의 상면에는 각 화소마다 대응하여 반사화소전극(120)이 형성되어 있다.
대향기판(130)에는 기판(132)의 표면상에 컬러필터(134)와 공통전극(136)이 적층되어 있다. 컬러필터(134)는 각 화소마다 적, 청, 녹의 각 색이 배열된 구성으로 되어 있다. 그리고, 기판(132)에서의 액정층(150)과는 반대측의 표면상에 위상차판 혹은 편향판 등의 광학필터(188)가 부착되어 있다.
이와 같이 반사형 액정표시장치(100)는 유기절연층(118)을 매개해서 TFT (114)나 신호축적용량선(116)의 상층에 반사화소전극(120)이 설치되어 있다. 이에 따라, 도면중 위쪽으로부터 입사된 광을 반사화소전극(120)에 의해 반사하는 면적을 증대시킬 수 있고, 그 결과로서 백라이트(back light)가 없더라도 어두운 장소에서 밝은 화상을 표시하는 것이 가능하게 된다.
그러나, 종래의 액정표시장치에는 다음과 같은 문제가 있었다. 도 6a에 나타낸 바와 같이, 녹색의 중간조 배경(301)에 래스터 윈도우(raster window; 302)를 표시시킨 경우, 윈도우(302)의 단부에 있어서 종(縱)크로스토크가 생긴다. 도 4에 있어서, 반사화소전극(120)과 신호선(119)은 유기절연층(118)을 매개해서 대향하므 로, 용량결합한 상태에 있다. 그런데, 어떤 화소전극(120)과 용량결합하는 신호선 (119)은 당해 화소전극(120)에 접속된 1개의 신호선(119)뿐이다.
이 때문에, 본래 동일한 녹색을 표시해야 할 녹색의 중간조 배경(301)이라도 래스터 윈도우(302)의 아래에 인접하는 화소(303)와, 래스터 윈도우(302)로부터 떨어진 위치에 있는 화소(304)에서는, 신호선(119)이 용량결합에 의해 화소전극(120)에 주는 영향이 달라진다. 즉, 래스터 윈도우(302)의 상하방향에 인접하는 화소 (304)에서는 래스터 윈도우(302)를 표시하기 위한 신호전위가 신호선(119)에 인가되고 있으므로, 용량결합을 매개해서 그 영향을 받게 된다.
그래서, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 화소(303)에는 래스터 윈도우(302)의 영향을 받아 전압(VP1)이 인가되고, 화소(304)에는 본래의 전압(VP0)이 인가되는 것으로 한다. 이 경우의 화소(303)와 화소(304)에 각각 인가되는 화소전위의 시간적 변화는 도 7에 나타낸 바와 같다.
그리고, 전압 VP1과 VP0는 이하와 같이 나타낼 수 있다. 중간조의 신호전위를 Vsg, 흑색에서의 신호전위를 Vsb, 래스터 윈도우 표시를 행하는 신호전위를 Vsw로 한다. 더욱이, 어떤 화소와 이 화소에 TFT를 매개해서 접속된 신호선과의 사이의 결합률을 Pc0, 이 신호선에 인접하는 i번째의 신호선과 당해 화소와의 사이의 결합률을 Pci로 한다.
VP0 = Vsg … (1)
VP1 = Vsg + Pc0(Vsb - Vsg) + Pc1(Vsw - Vsg) + Pc2(Vsb - Vsg)
+ Pc3(Vsw - Vsg) + …
= Vsg + (Pc0 + Pc2 + Pc4 + …) (Vsb - Vsg)
+ (Pc1 + Pc3 + Pc5 + …) (Vsw - Vsg) … (2)
그 결과, 화소(303)에서의 반사화소전극(120)과 화소(304)에서의 반사화소전극(120)에서는 실효전압이 상위하여 휘도차가 생기기 때문에, 크로스토크가 발생한다. 이와 같은 문제는 투과형 액정표시장치에 있어서도 마찬가지로 발생하고 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 크로스토크를 방지하는 것이 가능한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 따른 액정표시장치의 평면방향의 구조를 나타낸 횡단면도,
도 2는 도 1의 A-A선에 따른 종단면 구조를 나타낸 단면도,
도 3은 액정표시장치에 있어서 1개의 신호선이 2개의 화소전극 사이에 배치되어 있는 모양을 나타낸 평면도,
도 4는 종래의 액정표시장치의 평면방향의 구조를 나타낸 횡단면도,
도 5는 도 4의 B-B선에 따른 종단면 구조를 나타낸 단면도,
도 6은 화면상에 표시된 윈도우와 그 주변영역을 나타낸 설명도,
도 7은 종래의 액정표시장치의 화소전극에 인가되는 신호전압의 시간적 변화를 나타낸 타임 차트이다.
＜부호의 설명＞
20 --- 어레이기판, 22, 231 --- 기판,
24, 240 --- 주사선, 26 --- 신호축적용량선,
27a, 27a1, 27a2, 27b, 27b1, 27b2, 27c, 27c1, 27c2 --- 신호선,
29 --- 콘택트,
30a, 30b, 30c, 300a, 300b, 300c --- TFT,
50a, 50b, 50c, 500a, 500b, 500c --- 반사화소전극,
52 --- 컬러필터, 54 --- 공통전극,
80 --- 대향기판, 90 --- 액정층,
118 --- 절연층, 188 --- 광학필터,
200 --- 액정표시장치.
본 발명의 액정표시장치는, 기판상에 각각 스위칭소자를 갖는 화소전극이 매트릭스형상으로 배치되고 열방향으로 복수의 신호선이 배열되며 열마다 각각의 상기 신호선에 상기 스위칭소자가 공통접속된 어레이기판과, 이 어레이기판과 대향하도록 배치되고 기판상에 투광성 대향전극이 설치된 대향기판 및, 상기 어레이기판과 상기 대향기판 사이에 끼인 액정층을 구비하고, 각 신호선은 열방향에 따라 이 신호선에 접속되는 화소전극과 다른 신호선에 접속되는 화소전극에 교대로 덮여 있는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 화소전극이 불투명 반사전극이어도 좋다.
혹은 본 발명의 액정표시장치는, 기판상에 각각 스위칭소자를 갖는 화소전극이 매트릭스형상으로 배치되고 열방향으로 복수의 신호선이 배열되며 열마다 각각의 상기 신호선에 상기 스위칭소자가 공통접속된 어레이기판과, 이 어레이기판과 대향하도록 배치되고 기판상에 투광성 대향전극이 설치된 대향기판 및, 상기 어레이기판과 상기 대향기판 사이에 끼인 액정층을 구비하고, 각 화소전극은 복수의 신호선과중첩하고 있으며, 상기 화소전극에 중첩된 신호선의 영역은 상기 신호선의 전폭(全幅)을 포함하는 영역인 것을 특징으로 한다.
여기에서, 신호선의 전폭은 열방향에 직교하는 방향의 신호선의 길이로 한다.
또, 각 신호선이 상기 화소전극에 중첩되는 면적은 각각 거의 동일한 것이 바람직하다.
(실시형태)
이하, 본 발명의 1실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 본 실시형태에 따른 액정표시장치의 횡방향의 단면구조를 나타내고, 이 도 1에서의 A-A선에 따른 종방향의 단면구조를 도 2에 나타낸다. 본 장치(200)는, 스위칭소자로서 TFT(30a, 30b, 30c, …, 300a, 300b, 300c, …)가 매트릭스형상으로 배치된 어레이기판(20)과, 투광성 대향전극(54)이 형성된 대향기판(80) 및, 이들 기판(20, 80) 사이에 끼인 액정층(90)을 갖추고 있다.
어레이기판(20)은, 기판(22)상에 있어서 행방향(도면중 좌우방향)에 따라 복수개 배열되고 동방향에 따라 배치되어 있는 TFT(30a, 30b, 30c, …, 300a, 300b, 300c, …)의 게이트가 공통접속된 주사선(24, 240, …)과, 이것과 직교하는 열방향 (도면중 상하방향)에 따라 복수개 배열되고 이 방향에 따라 배치되어 있는 신호선 (27a, 27b, 27c, …)이 배선되어 있다. 여기에서, 신호선(27a)에는 TFT(30a, 300a, …)의 소스, 드레인의 한쪽의 단자가 공통접속되고, 신호선(27b)에는 TFT(30 b, 300b, …)의 한쪽의 단자가 공통접속되며, 신호선(27c)에는 TFT(30c, 300c, …)의 한쪽의 단자가 공통접속되어 있다. TFT(30a, 30b, 30c, …, 300a, 300b, 300c, …)의 다른쪽의 단자는 절연막을 매개해서 신호축적용량선(26)과의 사이에서 축적용량을 구성하고, 더욱이 콘택트(27)를 매개해서 후술하는 화소전극(50a, 50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)에 접속되어 있다.
보다 상세하게는, TFT(30a, 30b, 30c, …, 300a, 300b, 300c, …)는 채널영역이 형성되는 반도체층과, 그 양단에 위치되어 소스, 드레인전극과 저항성 접속(oh mic contact)되는 저저항 반도체층을 갖는다. 저저항 반도체층상에, 소스전극, 드레인전극이 접속되고, 그 중의 한쪽의 전극이 접속구멍(contact hole; 29)을 매개해서 화소전극(50a, 50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)에 접속되어 있다.
주사선(24, 240, …), 신호선(27a, 27b, 27c, …), TFT(30a, 30b, 30c, …, 300a, 300b, 300c, …)의 상면에 도시되어 있지 않은 보호막이 형성되고, 보호막의 상면에는 예컨대 아크릴계수지로 이루어진 유기절연층(118)이 형성되어 있다. 이 유기절연층(118)의 상면에는 각 화소마다 대응하여 반사화소전극(50a, 50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)이 형성되어 있다. 반사화소전극(50a, 50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)은 도면중 위쪽으로부터 입사된 외부광을 반사하는 작용을 갖도록, 예컨대 은이나 알루미늄, 혹은 이들의 합금 등의 반사율이 높은 재료에 의해 형성되어 있다.
대향기판(80)에 있어서, 기판(132)의 표면상에 컬러필터(52)와 공통전극(54)이 적층되어 있다. 컬러필터(52)는 각 화소마다 적, 청, 녹의 각 색이 배열된 구성으로 되어 있다. 기판(132)에서의 액정층(90)과는 반대측의 표면상에는, 위상차판혹은 편향판 등의 광학필터(188)가 부착되어 있다. 어레이기판(20)과 대향기판 (80)의 사이에는 액정층(90)이 끼여 있다. 액정층(90)으로서는, 예컨대 네마틱(ne matic) 액정 등의 재료를 이용할 수 있다.
어레이기판(20)상에 설치된 TFT(30a, 30b, …)에 의해 반사화소전극(50a, 50b, …)에 인가되는 신호전위가 화소마다 스위칭된다. 도면중 위쪽으로부터 대향기판(80)을 매개해서 입사된 외부광이 반사화소전극(50a, 50b, …)에 의해 반사되 고, 화소를 단위로 하여 액정층(90)에 의해 투과율이 제어되어 소정의 화상이 형성된다.
그리고, 도 4 및 도 5에 나타낸 종래의 장치와 달리, 본 실시형태에서는 반사화소전극(50a, 50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)의 각각의 아래쪽에는 유기절연층(118)을 매개해서 2개의 신호선이 대향하도록 배치되어 있다. 예컨대, 반사화소전극(50a)에 대해서는, 이 화소에 대응하는 신호선(27a)의 부분(27a1) 뿐만 아니라 인접하는 화소에 대응하는 신호선(27b)의 부분(27b2)이 대향하고 있다. 또, 반사화소전극(50b)에 대해서는, 이 화소에 대응하는 신호선(27b)의 부분(27b1) 뿐만 아니라 인접하는 화소에 대응하는 신호선(27c)의 부분(27c2)이 대향하고 있다. 더욱이, 반사화소전극(50a)과 대향하는 신호선(27a)의 부분(27a1)의 면적과, 신호선 (27b)의 부분(27b2)의 면적은 거의 동일하고, 마찬가지로 반사화소전극(50b)과 대향하는 신호선(27b)의 부분(27b1)의 면적과, 신호선(27c)의 부분(27c2)의 면적은 거의 동일하다.
이와 같이 배선함으로써, 절연막(118)을 매개해서 각각의 반사화소전극(50a,50b, 50c, …, 500a, 500b, 500c, …)이 2개의 신호선(27a, 27b, 27c, …)과 용량결합한다. 예컨대, 반사화소전극(50a)은 신호선(27a, 27b)과 거의 균등한 면적으로 용량결합하고, 이것에 인접하는 반사화소전극(50b)은 신호선(27b, 27c)과 거의 균등한 면적으로 용량결합한다. 이 때문에, 어떤 반사화소전극과 이것에 인접하는 다른 반사화소전극 사이의 휘도차가 완화되어 크로스토크를 방지할 수 있다. 그 결과, 도 6에 나타낸 바와 같이 녹색의 중간조 배경(301)에 래스터 윈도우(302)를 표시시킨 경우, 윈도우(302)의 아래에 인접하는 화소(303)에 인가되는 전압은, 종래보다도 윈도우를 표시하는 전압의 영향을 받지 않아 다른 영역의 화소(304)에 인가되는 본래의 전압(VP0)에 접근한 것으로 된다. 따라서, 윈도우(302)의 단부에 있어서 종 (縱)크로스토크의 발생이 방지된다.
그런데, 1개의 신호선을 2개의 화소전극과 균등하게 용량결합시키기 위해서 는, 예컨대 도 3에 나타낸 바와 같이 2개의 화소전극(201, 202) 사이에 1개의 신호선(203)을 배치하는 것도 생각할 수 있다. 이러한 구성에서는, 신호선(203)의 전위가 용량결합을 매개해서 2개의 화소전극(201, 202)에 주는 영향을 평균화할 수 있다.
그러나, 신호선(203)이 화소전극 201 또는 202의 어느 하나의 아래에 완전히 덮여지도록 배치되지 않으면, 신호선(203)의 전위와 대향전위에 의해 화소전극이 존재하지 않는 부분의 액정층이 응답하게 된다. 그 결과, 신호선(203)의 상부에서 소망하지 않는 표시를 행해 버린다. 따라서, 신호선은 도 3과 같이 배치하는 것이 아니라, 상기 실시형태와 같이 복수의 화소전극중 각각의 전극만에 의해 완전히 덮이는 부분을 갖도록 배치할 필요가 있다. 즉, 도 1에 나타낸 화소전극(50b)을 예로 들면, 이 화소전극(50b)은 신호선(27b1)의 전폭을 포함하는 영역과 신호선(27c2)의 전폭을 포함하는 영역과 중첩할 필요가 있다. 여기에서, 신호선의 전폭은 도시된 바와 같이 열방향으로 직교하는 방향의 신호선의 폭으로 한다.
상술한 실시형태는 일례이고, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 상기 실시형태에서는 1개의 화소전극과 2개의 신호선이 대향하도록 배치되어 있다. 그러나, 2개에 한정되지 않고 3개 이상의 신호선과 1개의 화소전극이 대향하도록 배치되어 있어도, 마찬가지의 작용 및 효과가 얻어진다. 다만, 신호선의 수가 증가하면 신호선의 길이가 길어져서 배선영역의 증가를 초래하게 되므로, 통상은 3개 이하로 하는 편이 바람직하다.
또, 본 실시형태는 반사형 액정표시장치를 대상으로 하고 있지만, 투과형 액정표시장치에 있어서도 마찬가지로 본 발명을 적용함으로써 크로스토크를 방지하는 것이 가능하게 된다. 다만, 투과형 액정표시장치에서는 화소전극이 투광성을 갖고, 1개의 화소전극 아래에 2개 이상의 신호선을 배치하면, 개구율을 확보하는 것이 곤란해지기 쉽다. 이에 대해, 상기 실시형태와 같이 반사형 액정표시장치에서는 화소전극이 불투명한 반사화소전극이기 때문에, 1개의 화소 아래에 복수개의 신호선을 배치해도 개구율에는 영향을 미치지 않아 고휘도의 표시가 가능하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 액정표시장치에 의하면, 절연막을 매개해서 1개의 신호선이 1개의 화소전극과만 대향하는 부분과 다른 화소전극과만 대향하는부분을 갖기 때문에, 복수의 화소전극과의 사이에서 용량결합하는 것으로 되어, 화소전극 사이에서의 휘도차를 완화하여 크로스토크를 방지하는 것이 가능하다.

Claims (8)

  1. 기판과, 이 기판상에 열방향으로 형성된 복수의 신호선, 행방향으로 형성된 복수의 주사선, 상기 신호선과 상기 주사선의 교점부 근방에 각각 형성된 복수의 스위칭소자 및, 이 스위칭소자에 각각 접속되어 행 및 열방향으로 배치된 복수의 화소전극을 갖춘 어레이기판과,
    상기 어레이기판에 대향배치된 대향기판 및,
    상기 어레이기판과 상기 대향기판 사이에 끼인 액정층을 갖춘 액정표시장치에 있어서,
    상기 각 신호선은, 소정의 열의 화소전극과 이 소정의 열과는 다른 열의 화소전극에 교대로 중첩하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 반사전극인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소정의 열의 화소전극에 중첩하고 있는 상기 신호선의 면적과, 상기 소정의 열과는 다른 열의 화소전극에 중첩하고 있는 상기 신호선의 면적이 거의 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 스위칭소자상에 형성된 층간절연막상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 층간절연막은 유기수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 기판과, 이 기판상에 열방향으로 형성된 복수의 신호선, 행방향으로 형성된 복수의 주사선, 상기 신호선과 상기 주사선의 교점부 근방에 각각 형성된 복수의 스위칭소자 및, 이 스위칭소자에 각각 접속되어 행 및 열방향으로 배치된 복수의 화소전극을 갖춘 어레이기판과,
    상기 어레이기판에 대향배치된 대향기판 및,
    상기 어레이기판과 상기 대향기판 사이에 끼인 액정층을 갖춘 액정표시장치에 있어서,
    상기 각 화소전극은 복수의 신호선과 중첩하고 있으며, 상기 복수의 신호선은 부분적으로 전폭(全幅)이 상기 화소전극에 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소전극은 반사전극인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화소전극에 중첩되어 있는 복수의 신호선의 면적은 각각 거의 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100684825B1 (ko) * 2003-11-24 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100740132B1 (ko) * 2006-11-10 2007-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100771516B1 (ko) * 2001-01-20 2007-10-30 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100833420B1 (ko) * 2006-03-16 2008-05-29 우 옵트로닉스 코포레이션 픽셀 구조체 및 액정 표시 패널
US7535519B2 (en) 2006-06-22 2009-05-19 Au Optronics Corporation Liquid crystal display and thin film transistor substrate therefor
KR101006436B1 (ko) * 2003-11-18 2011-01-06 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
US7956533B2 (en) 2003-11-24 2011-06-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US8599351B2 (en) 2005-11-14 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR101435133B1 (ko) * 2006-11-27 2014-09-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US9411199B2 (en) 2011-10-24 2016-08-09 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and color filter substrate of display device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083731A (ja) * 2000-01-26 2008-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100838185B1 (ko) * 2001-09-24 2008-06-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치와, 이의 제조방법
GB0125019D0 (en) * 2001-10-18 2001-12-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix display device
JP2003207794A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR100862240B1 (ko) 2002-07-31 2008-10-09 엘지디스플레이 주식회사 반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR100870016B1 (ko) * 2002-08-21 2008-11-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치
KR100460979B1 (ko) * 2002-12-31 2004-12-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3958306B2 (ja) 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101090246B1 (ko) 2003-12-10 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4108078B2 (ja) * 2004-01-28 2008-06-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
KR20060030577A (ko) * 2004-10-06 2006-04-11 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4763004B2 (ja) * 2008-02-18 2011-08-31 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP5102848B2 (ja) * 2008-02-21 2012-12-19 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
KR101490477B1 (ko) * 2008-03-07 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20090131842A (ko) * 2008-06-19 2009-12-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20100024222A (ko) * 2008-08-25 2010-03-05 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
WO2011074497A1 (ja) * 2009-12-16 2011-06-23 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101681487B1 (ko) * 2015-07-16 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP7457500B2 (ja) * 2019-12-26 2024-03-28 上海天馬微電子有限公司 液晶表示装置
CN111443542A (zh) * 2020-05-06 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112968035B (zh) * 2020-08-21 2023-11-17 友达光电股份有限公司 像素阵列

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2814161B2 (ja) * 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
JP3164489B2 (ja) * 1994-06-15 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP3187254B2 (ja) * 1994-09-08 2001-07-11 シャープ株式会社 画像表示装置
JPH08306926A (ja) * 1995-05-07 1996-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
US6372534B1 (en) * 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US5917563A (en) * 1995-10-16 1999-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line
JP3241981B2 (ja) * 1995-12-12 2001-12-25 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH10206886A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Toshiba Corp 反射型液晶表示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771516B1 (ko) * 2001-01-20 2007-10-30 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
KR101006436B1 (ko) * 2003-11-18 2011-01-06 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR100684825B1 (ko) * 2003-11-24 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7956533B2 (en) 2003-11-24 2011-06-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US8376802B2 (en) 2003-11-24 2013-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US8599351B2 (en) 2005-11-14 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR100833420B1 (ko) * 2006-03-16 2008-05-29 우 옵트로닉스 코포레이션 픽셀 구조체 및 액정 표시 패널
US7535519B2 (en) 2006-06-22 2009-05-19 Au Optronics Corporation Liquid crystal display and thin film transistor substrate therefor
KR100740132B1 (ko) * 2006-11-10 2007-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US7982386B2 (en) 2006-11-10 2011-07-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with opaque electrodes
KR101435133B1 (ko) * 2006-11-27 2014-09-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US9411199B2 (en) 2011-10-24 2016-08-09 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and color filter substrate of display device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100427884B1 (ko) 2004-04-30
TW548452B (en) 2003-08-21
US6259493B1 (en) 2001-07-10
JPH11352513A (ja) 1999-12-24
JP4180690B2 (ja) 2008-11-12

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