JP4396614B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。

従来より、明所では外光を用いて反射表示を行う一方、暗所では光源としてのバックラ
イトから発せられる照明光を用いて透過表示を行う、いわゆる半透過反射型の液晶装置が
知られている。そのような液晶装置において、反射型表示を行う場合は、外光が液晶層を
２回通過するのに対して、透過型表示を行う場合は、照明光が液晶層を１回しか通過しな
い。

このため、かかる液晶装置において、液晶層の厚さ（セルギャップ）を「ｄ」、液晶の
屈折率異方性を「Δｎ」、これらの積算値、即ち液晶のリタデーションを「Δｎｄ」とし
た場合、反射型表示が行われる反射領域に対応する、液晶のリタデーションは、入射光が
液晶層を２回通過してから観察者に至るので「２×Δｎｄ」となる一方、透過型表示が行
われる透過領域に対応する、液晶のリタデーションは、バックライトからの照明光が液晶
層を１回だけ通過するので「１×Δｎｄ」となる。

このため、かかる液晶装置では、反射型表示が行われる場合と透過型表示が行なわれる
場合とで、コントラストや明るさ等の表示特性（階調特性）が異なってしまい、表示品位
が低下してしまうという問題が生じ得る。

そこで、このような不具合を改善する液晶装置として、例えば、反射領域に対応する位
置にアクリル樹脂等からなる段差膜を設け、その段差膜上にスペーサを配置することによ
り、反射領域に対応する液晶層の厚さを透過領域に対応する液晶層の厚さより小さく設定
して高品位な表示を得ることのできる、いわゆるマルチギャップ方式の半透過反射型の液
晶装置が一般的に知られている。

また、この種の液晶装置として、素子基板と対向基板との間の液晶層の厚さ（セルギャ
ップ）を一定に保持する機能を有する柱状部（一般に、「フォトスペーサ」とも称される
）を所定位置に設けることで、液晶の配向不良等を低減することが可能な液晶装置が提案
されている（例えば、特許文献１を参照）。

この特許文献１に記載の液晶装置では、反射領域を含む所定領域に凸状の段差部が形成
されており、柱状部は、アクリル等の透明有機絶縁材料により形成され、各画素の非開口
領域における凸状の段差部に対向する位置に配置されている。また、カラーフィルタ及び
柱状部の相対的な位置関係は、柱状部を基準としてラビング方向の下流側に青色のカラー
フィルタが位置するように規定されている。このような構成を有する液晶装置では、ラビ
ング処理の際に柱状部の存在によってラビング不良の領域が生じ、その領域において液晶
の配向不良が発生する。液晶の配向不良は、原色系の色のうち青色のカラーフィルタに対
応する画素で発生する場合が表示として目立たないので、この液晶装置では、柱状部を上
記の位置に配置するようにして、上記の目的を実現するようにしている。

特開２００４−６９８２６号公報

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、ラビング処理の際にスペーサの存在
によって発生する配向膜上のラビング不良領域において表示品位の低下を低減することが
可能な複数色の着色領域を有する液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の１つの観点では、液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、前記スペーサによる配向不良領域が形成され、前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、前記着色層は、青系の色相の着色層、赤系の色相の着色層、および互いに異なる２色の緑系の色相の着色層を含み、前記緑系の色相の着色層は青から緑の間の色相の着色層を含み、前記配向不良領域が、前記青から緑の間の色相の着色層を有してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする。

上記の液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり、少なくとも青か
ら緑の色相の着色領域に対応する表示画素を備えて構成される。そして、第１基板及び第
２基板の少なくとも一方は、液晶層の厚さを規定するスペーサと、所定の方向にラビング
処理が施された配向膜とを有する。好適な例では、スペーサは、この液晶装置の製造過程
において、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁膜を用い、その膜に対してフォ
トリソグラフィー技術を用いて露光及び現像等することにより形成されているのが好まし
い。また、スペーサを円柱状の形状に形成する場合には、その直径は約１０〜２０μｍに
、また、その厚さ（高さ）は約３〜６μｍに設定されるのが好ましい。

特に、この液晶装置では、ラビング処理の際に、スペーサの存在によって生じるラビン
グ処理が施されていない配向膜上のドメイン領域（液晶層内の液晶分子が一定の方向に配
向されない領域であり、以下、「液晶分子の配向不良領域」と呼ぶ）が、人間の視覚に対
して比較的に影響を与え難い、青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素内に位
置するようにスペーサと当該表示画素との相対的な位置関係が規定されている。これによ
り、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくすることができ、
その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止することができる。

好適な例では、前記ラビング処理は、前記スペーサの位置を基準としたときに、前記ス
ペーサから前記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素に向かう方向に施すこ
とができる。また、前記ラビング処理が施されていない領域は、前記ラビング処理の方向
の延長線上に位置しているのが好ましい。また、通常、前記ラビング処理の方向に対応す
る前記ラビング処理が施されていない領域の長さは、前記スペーサの厚さより大きく設定
されていると共に、前記ラビング処理の方向と直交する方向に対応する前記ラビング処理
が施されていない領域の幅は、前記スペーサの幅と同一の大きさに設定されている。

また、上記液晶装置において、反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を前記反射領域に備え、前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする。反射領域では、第１基板の一方の面側から入射した光が反射される。透過領域では、第２基板の一方の面側から入射した光を第１基板の前記一方の面側に透過させる。段差形成膜は、第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の前記反射領域に対応する位置に設けられる。

上記の液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり、第１基板の一方
の面側から入射した光を反射させる反射領域と、その液晶層と逆側に位置する第２基板の
一方の面側から入射した光を第１基板の一方の面側に透過させる透過領域と、青から緑の
色相の着色領域に対応する表示画素とを備えて構成される。即ち、この液晶装置は、青か
ら緑の色相の着色領域に対応する表示画素を有する半透過反射型の液晶装置である。

段差形成膜は、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する透明材料からなる。配向膜は、段差形成膜上に設けられ、所定の方向にラビング処理が施されている。この液晶装置では、反射領域に対応する位置に設けられたスペーサによって、反射領域に対応する液晶層の厚さが、透過領域に対応する液晶層の厚さより小さく設定され、いわゆるマルチギャップ構造をなす。好適な例では、スペーサは、この液晶装置の製造過程において、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁膜を用い、その膜に対してフォトリソグラフィー技術を用いて露光及び現像等することにより形成されているのが好ましい。また、スペーサを円柱状の形状に形成する場合には、その直径は約１０〜２０μｍに、また、その厚さ（高さ）は約３〜６μｍに設定されるのが好ましい。

特に、この液晶装置では、ラビング処理の際に、スペーサの存在によって生じるラビン
グ処理が施されていない配向膜上のドメイン領域（液晶分子の配向不良領域）が、人間の
視覚に対して比較的に影響を与え難い、青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画
素内に位置するようにスペーサと当該表示画素との相対的な位置関係が規定されている。
これにより、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくすること
ができ、その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止することがで
きる。

好適な例では、前記ラビング処理は、前記スペーサの位置を基準としたときに、前記ス
ペーサから前記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素に向かう方向に施すこ
とができる。また、前記ラビング処理が施されていない領域は、前記ラビング処理の方向
の延長線上に位置しているのが好ましい。また、通常、前記ラビング処理の方向に対応す
る前記ラビング処理が施されていない領域の長さは、前記スペーサの厚さより大きく設定
されていると共に、前記ラビング処理の方向と直交する方向に対応する前記ラビング処理
が施されていない領域の幅は、前記スペーサの幅と同一の大きさに設定されている。

上記の液晶装置の一つの態様では、前記第１基板、および前記第２基板のうち一方の基板は前記着色層を備え、他方の基板はソース線とゲート線と、前記ソース線及び前記ゲート線に接続されたスイッチング素子とを備え、前記青から緑の色相の着色層を有する画素は前記スイッチング素子に接続された画素電極を含んでなり、前記スペーサは、前記ゲート線、前記ソース線、前記画素電極、或いは前記スイッチング素子と平面的に重なる位置に配置されていることを特徴とする。

この態様では、第１基板及び第２基板のいずれか一方の基板は、少なくとも、青から緑
の色相の着色領域を含む着色層と共通電極を有するカラーフィルタ基板であると共に、他
方の基板は、互いに交差する方向に延在するソース線及びゲート線と、そのゲート線及び
ソース線の交差位置に対応して設けられ、そのゲート線及びソース線に接続された、例え
ばＴＦＴ素子などのスイッチング素子と、着色層に対応する位置に配置され、スイッチン
グ素子に接続された画素電極とを有する素子基板である。そして、スペーサは、カラーフ
ィルタ基板又は素子基板に設けられている。

上記の液晶装置の他の態様では、前記素子基板と前記カラーフィルタ基板を対向配置さ
せた状態において、前記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素を駆動する前
記ソース線及び前記ゲート線は、当該表示画素に対応する前記画素電極の外形辺の近傍位
置に配置されていると共に、当該ソース線及び当該ゲート線に接続された前記スイッチン
グ素子は、当該表示画素内の隅の位置に配置されており、前記スペーサは、前記ゲート線
、前記ソース線若しくは当該表示画素に対応する前記画素電極と平面的に重なる位置に配
置され、又は前記ソース線及び前記ゲート線の交差位置と平面的に重なる位置に配置され
、又は前記スイッチング素子と平面的に重なる位置に配置されている。

この態様では、素子基板とカラーフィルタ基板を対向配置させた状態において、青から
緑の色相の着色領域に対応する表示画素を駆動するソース線及びゲート線は、当該表示画
素に対応する画素電極の外形辺の近傍位置に配置されていると共に、当該ソース線及び当
該ゲート線に接続されたスイッチング素子は、当該表示画素内の隅の位置に配置されてい
る。

特に、この態様において、スペーサは、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素
を駆動するゲート線、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素を駆動するソース線
、若しくは当該表示画素に対応する画素電極と平面的に重なる位置に配置されているか、
又は、当該表示画素を駆動するソース線及びゲート線の交差位置と平面的に重なる位置に
配置されているか、又は、当該表示画素を駆動するスイッチング素子と平面的に重なる位
置に配置されている。このため、スペーサに起因して発生する、液晶分子の配向不良領域
が青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素内に生じるように設定される。

上記の液晶装置の他の態様では、前記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画
素内において、前記ラビング処理が施されていない領域に対応する位置には遮光性を有す
る遮光膜が設けられている。

この態様では、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素内において、ラビング処
理が施されていない領域、即ち液晶分子の配向不良領域に対応する位置には遮光性を有す
る遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられている。このため、液晶装置の駆動時、液晶
分子の配向不良領域が遮光膜によって覆い隠されるので表示品位が低下するのを防止でき
る。

上記の液晶装置の他の態様では、青から緑の色相の着色層を有してなる画素を区画する遮光層を有し、配向不良領域は遮光層と重ならない部分を有することを特徴とする。つまり、青から緑の色相の着色領域に対応する画素内において、前記ラビング処理が施されていない領域に対応する位置には遮光性を有する遮光膜が設けられていない。

この態様では、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素内において、ラビング処
理が施されていない領域、即ち液晶分子の配向不良領域に対応する位置には遮光性を有す
る遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられていない。したがって、液晶の駆動時、上記
の態様のように、液晶分子の配向不良領域が遮光膜によって覆い隠されることはない。し
かし、その領域は、人間の視覚に対して比較的に影響を与え難い、青から緑の色相の着色
領域に対応する表示画素内に配置されるので、液晶分子の配向不良領域における表示を目
立たなくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。また、青から緑の色相の
着色領域に対応する表示画素内に遮光膜を設けないことにより、当該表示画素において開
口率が低下するのを防止できる。

上記の液晶装置においては、カラーフィルタ基板は、波長に応じて色相が変化する可視光領域のうち、青系の色相の着色層と、赤系の色相の着色層と、青から緑の色相の着色層および緑から橙の色相の着色層からなる緑系の着色層の４色の着色層を有し、カラー表示の最小単位となる１つのカラー表示画素は、前記赤系、前記青系、前記緑系、の４色の着色層に対応する各表示画素をストライプ状又はモザイク状に配列した構成を有する。

この態様では、カラーフィルタ基板は、波長に応じて色相が変化する可視光領域のうち
、青系の色相の着色領域と、赤系の色相の着色領域と、青から緑の色相の着色領域と、緑
から橙の色相の着色領域とからなる４色の着色領域を有する。そして、カラー表示の最小
単位となる１つのカラー表示画素は、４色の着色領域に対応する各表示画素をストライプ
状又はモザイク状に配列した構成を有する。このように、この態様では、４色の着色領域
を用いて構成されているので、人間の視感度が高い緑から橙の色の光の輝度の低下が抑制
され、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、赤、緑、青の３色にて構成される態様と比
較して、色再現範囲（色度域）が大きくなっている。

好適な例では、前記４色の着色領域に対応する前記各表示画素は、透過型表示を行う透
過領域又は反射型表示を行う反射領域を有し、前記透過領域は照明装置からの光を透過す
ると共に、前記反射領域に対応する位置には反射性を有する反射膜が配置され外光からの
光を反射する。

この態様では、４色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領域又
は反射型表示を行う反射領域を有する。そして、透過領域に対応する位置には、バックラ
イトなどの照明装置が配置されていると共に、反射領域に対応する位置には反射性を有す
る反射膜が配置されている。これにより、４色の着色領域に対応する各表示画素を有する
透過型の液晶装置又は反射型の液晶装置を構成することができる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記４色の着色領域に対応する前記各表示画素は、透
過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有し、前記反射領域に対応して
設けられた前記４色の着色領域の光学濃度は、前記透過領域に対応して設けられた前記４
色の着色領域の光学濃度よりも薄く設定され、前記スペーサは、前記反射領域において前
記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素に対応して設けられている。

この態様では、４色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領域及
び反射型表示を行う反射領域を有する。これにより、半透過反射型の液晶装置を構成する
ことができる。また、反射領域に対応して設けられた、４色の着色領域の光学濃度は、透
過領域に対応して設けられた、４色の着色領域の光学濃度よりも薄い。これにより、透過
型表示と反射型表示とで適切な表示特性を得ることができる。特に、スペーサは、反射領
域において青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素に対応して設けられているので
、液晶分子の配向不良領域にて表示品位が低下するのを防止できる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記４色の着色領域に対応する前記各表示画素は、透
過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有し、前記反射領域に対応して
設けられた前記４色の着色領域の光学濃度は、前記透過領域に対応して設けられた前記４
色の着色領域の光学濃度と各々同一に設定され、前記反射領域に対応する前記４色の着色
領域のうち少なくとも１つには当該反射領域のうち前記着色領域を備えていない領域が設
けられ、前記スペーサは、前記反射領域において前記青から緑の色相の着色領域に対応す
る前記表示画素に対応して設けられている。

この態様では、前記４色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領
域及び反射型表示を行う反射領域を有する。これにより、半透過反射型の液晶装置を構成
することができる。また、反射領域に対して設けられた、４色の着色領域の光学濃度は、
透過領域に対して設けられた、４色の着色領域の光学濃度と各々同一に設定されている。
また、反射領域に対応する、４色の着色領域のうち少なくとも１つには当該反射領域のう
ち前記着色領域を備えていない領域（非着色領域）が設けられている。これにより、透過
型表示と反射型表示とで適切な表示特性を得ることができる。特に、スペーサは、反射領
域において青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素に対応して設けられているので
、液晶分子の配向不良領域にて表示品位が低下するのを防止できる。

好適な例では、前記ラビング処理が施されていない領域は、前記反射領域において青か
ら緑の色相の着色領域を備えていない領域（非着色領域）に位置しているのが好ましい。
ここで、かかる非着色領域は、反射領域において青から緑の色相の着色領域に対応する表
示画素の輝度を高める役割を有し、その非着色領域における明るさの向上により液晶分子
の配向不良領域にて生じる表示を目立たなくすることができる。これにより、スペーサに
起因して発生する液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止できる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記青系の色相の着色領域と前記赤系の色相の着色領
域と前記緑から橙の色相の着色領域の３色の着色領域に対応する前記各表示画素は、透過
型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有すると共に、前記青から緑の色
相の着色領域に対応する前記表示画素は、透過領域のみ有し、前記反射領域に対応する前
記３色の着色領域のうち少なくとも１つには、当該反射領域のうち前記着色領域を備えて
いない領域（非着色領域）が設けられており、前記スペーサは、前記透過領域において前
記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素に対応して設けられている。

この態様では、前記３色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領
域及び反射型表示を行う反射領域を有すると共に、青から緑の色相の着色領域に対応する
表示画素は透過領域のみ有する。また、反射領域に対応する、前記３色の着色領域のうち
少なくとも１つには、当該反射領域のうち前記着色領域を備えていない領域（非着色領域
）が設けられている。これにより、前記３色の着色領域に対応する各表示画素において、
透過型表示と反射型表示とで適切な表示特性を得ることができる。特に、スペーサは、透
過領域において青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素に対応して設けられている
ので、液晶分子の配向不良領域にて表示品位が低下するのを防止できる。

上記の液晶装置の他の態様では、前記複数の画素のうち前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素が透過表示を行う透過領域を、他の画素が透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を、それぞれ有することを特徴とする。また、複数の画素のうち前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素の面積が、他の画素の面積より小さく設定されてなることを特徴とする。青系の色相の着色領域と赤系の色相の着色領域と緑から橙の色相の着色領域の３色の着色領域に対応する前記各表示画素は、透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有し、青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素は、透過領域のみ有する。そして、青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素の面積は、前記３色の着色領域に対応する前記各表示画素の面積より小さく設定され、前記スペーサは、前記透過領域において前記青から緑の色相の着色領域に対応する前記表示画素に対応して設けられている。

この態様では、前記３色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領
域及び反射型表示を行う反射領域を有すると共に、青から緑の色相の着色領域に対応する
表示画素は透過領域のみ有する。また、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素の
面積は、前記３色の着色領域に対応する各表示画素の面積より小さく設定されている。こ
こで、青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素は、色再現範囲を向上させる必要が
ある場合に補助的に用いられるため、かかる構成により表示品質に与える影響は少ない。
特に、スペーサは、透過領域において青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素に対
応して設けられているので、液晶分子の配向不良領域にて表示品位が低下するのを防止で
きる。

上記の液晶装置の他の態様では、青から緑の色相の着色層を有してなる画素が、着色層が形成されていない領域を含んでなり、配向不良領域は、着色層が形成されていない領域に位置していることを特徴とする。前記４色の着色層に対応する前記各画素は、透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有する。青から緑の色相の着色層に対応する画素の反射領域には、青から緑の色相の着色層が設けられてなく、又は青から緑の色相の着色領域が設けられており且つ当該青から緑の色相の着色領域の面積は、前記反射領域に対応する前記青系の色相の着色領域と前記赤系の色相の着色領域と前記緑から橙の色相の着色領域の各色の前記着色領域の面積より小さく設定されている。反射領域に対応する前記４色の着色層のうち少なくとも１つには反射領域のうち着色層を備えていない領域（非着色領域）が設けられ、前記スペーサは、前記反射領域において前記青から緑の色相の着色層に対応する画素に対応して設けられている。

この態様では、前記４色の着色領域に対応する各表示画素は、透過型表示を行う透過領
域及び反射型表示を行う反射領域を有する。また、青から緑の色相の着色領域に対応する
表示画素に対応する反射領域には、青から緑の色相の着色領域が設けられていない。つま
り、青から緑の色相の着色領域に対応する反射領域は非着色領域となっている。これによ
り、かかる領域において光の輝度の向上を図ることができる。または、青から緑の色相の
着色領域に対応する表示画素において反射領域には、青から緑の色相の着色領域が設けら
れており且つ当該青から緑の色相の着色領域の面積は、反射領域に対応する他の３色の着
色領域の各色の着色領域の面積より小さく設定されている。ここで、青から緑の色相の着
色領域に対応する表示画素は、色再現範囲を向上させる必要がある場合に補助的に用いら
れるため、かかる構成により表示品質に与える影響は少ない。また、反射領域に対応する
前記４色の着色領域のうち少なくとも１つには当該反射領域のうち前記着色領域を備えて
いない領域（非着色領域）が設けられている。これにより、４色の着色領域に対応する各
表示画素において、透過型表示と反射型表示とで適切な表示特性を得ることができる。特
に、スペーサは、反射領域において青から緑の色相の着色領域に対応する表示画素に対応
して設けられているので、液晶分子の配向不良領域にて表示品位が低下するのを防止でき
る。

好適な例では、前記ラビング処理が施されていない領域は、前記反射領域に対応する前
記青から緑の色相の着色領域を備えていない領域（非着色領域）に位置しているのが好ま
しい。
ここで、かかる非着色領域は、反射領域において青から緑の色相の着色領域に対応する
表示画素の輝度を高める役割を有し、その非着色領域における明るさの向上により液晶分
子の配向不良領域にて生じる表示を目立たなくすることができる。これにより、スペーサ
に起因して発生する液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止できる
。

また、本発明においては、前記前記青から緑の色相の着色層が、シアンの色相の着色層であることを特徴とする。これにより、人間の視覚に対して最も影響を与え難い、シアンの色の前記表示画素内に位置するようにスペーサと当該表示画素との相対的な位置関係が規定されている。ゆえに、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくすることができ、その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止することができる。

本発明の他の観点では、液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり
、前記第１基板の一方の面側から入射した光を反射させる反射領域と前記液晶層と逆側に
位置する前記第２基板の一方の面側から入射した光を前記第１基板の前記一方の面側に透
過させる透過領域と、少なくともシアンの色に対応する表示画素とを備え、前記第１基板
及び前記第２基板の少なくとも一方は、前記反射領域に対応する位置に設けられた段差形
成膜と、前記段差形成膜上に設けられ前記液晶層の厚さを規定するスペーサと、所定の方
向にラビング処理が施された配向膜とを有し、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さ
は、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定され、前記ラビング処理の
際に前記スペーサの存在によって生じる前記ラビング処理が施されていない前記配向膜上
の領域が前記シアンの色の前記表示画素内に位置するように前記スペーサと当該表示画素
との相対的な位置関係が規定されている。これにより、人間の視覚に対して最も影響を与
え難い、シアンの色の前記表示画素内に位置するようにスペーサと当該表示画素との相対
的な位置関係が規定されている。ゆえに、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域におけ
る表示を目立たなくすることができ、その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低
下するのを防止することができる半透過反射型の液晶装置を提供することができる。

本発明の他の観点では、液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、前記スペーサによる配向不良領域が形成され、前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、前記着色層は、透過光の波長のピークが、４１５〜５００ｎｍの着色層、６００ｎｍ以上の着色層、４８５〜５３５ｎｍの着色層、および５００〜５９０ｎｍの着色層を含み、前記配向不良領域が、前記透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする。これにより、人間の視覚に対して最も影響を与え難い、透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色領域を有する前記表示画素内に位置するようにスペーサと当該表示画素との相対的な位置関係が規定されている。ゆえに、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくすることができ、その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止することができる。

本発明の他の観点では、液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり
、前記第１基板の一方の面側から入射した光を反射させる反射領域と前記液晶層と逆側に
位置する前記第２基板の一方の面側から入射した光を前記第１基板の前記一方の面側に透
過させる透過領域と、少なくとも透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色
領域を有する表示画素とを備え、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、前
記反射領域に対応する位置に設けられた段差形成膜と、前記段差形成膜上に設けられ前記
液晶層の厚さを規定するスペーサと、所定の方向にラビング処理が施された配向膜とを有
し、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記透過領域に対応する前記液晶層の
厚さより小さく設定され、前記ラビング処理の際に前記スペーサの存在によって生じる前
記ラビング処理が施されていない前記配向膜上の領域が前記透過光の波長のピークが４８
５〜５３５ｎｍにある着色領域を有する前記表示画素内に位置するように前記スペーサと
当該表示画素との相対的な位置関係が規定されている。これにより、人間の視覚に対して
最も影響を与え難い、透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色領域を有す
る前記表示画素内に位置するようにスペーサと当該表示画素との相対的な位置関係が規定
されている。ゆえに、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなく
することができ、その液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止する
ことができる半透過反射型の液晶装置を提供することができる。

本発明の他の観点では、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、前記スペーサによる配向不良領域が形成され、前記着色層は、青系の色相に対応する第１着色層と、赤系の色相に対応する第２着色層と、緑系の色相に対応する第３着色層と青系、赤系および緑系の色相から選ばれる色相と補色の関係にある色相に対応する第４着色層と、を含み、前記配向不良領域が、前記第４着色層を有してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする。そして、第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、液晶層の厚さを規定するスペーサと、所定の方向にラビング処理が施された配向膜とを有する。好適な例では、スペーサは、この液晶装置の製造過程において、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁膜を用い、その膜に対してフォトリソグラフィー技術を用いて露光及び現像等することにより形成されているのが好ましい。また、スペーサを円柱状の形状に形成する場合には、その直径は約１０〜２０μｍに、また、その厚さ（高さ）は約３〜６μｍに設定されるのが好ましい。

特に、この液晶装置では、ラビング処理の際に、スペーサの存在によって生じるラビン
グ処理が施されていない配向膜上のドメイン領域（液晶分子の配向不良領域）が、人間の
視覚に対して最も影響を与え難い、補色関係にある色の表示画素内に位置するようにスペ
ーサと補色関係にある色の表示画素との相対的な位置関係が規定されている。これにより
、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくすることができ、そ
の液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止することができる。

本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成すること
ができる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下
の各種実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。

本発明は、液晶装置の製造過程において、ラビング処理の際に、フォトスペーサの存在
によって生じるラビング処理が施されていない配向膜上のドメイン領域（液晶分子の配向
不良領域）が、人間の視覚に対して最も影響を与え難い、シアンの色のサブ画素内に位置
するように、フォトスペーサと、シアンの色の表示画素との相対的な位置関係を規定する
。これにより、液晶の駆動時、液晶分子の配向不良領域における表示を目立たなくし、そ
の液晶分子の配向不良領域によって表示品位が低下するのを防止する。

［第１実施形態］
第１実施形態は、本発明を、Ｒ（赤）、Ｂ（青）、Ｇ（緑）及びＣ（シアン）の４色を
有する透過型の液晶装置に適用する。

（液晶装置の構成）
まず、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の構成等
について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図
である。図１では、紙面手前側（観察側）に第１基板としてのカラーフィルタ基板９２が
、また、紙面奥側に第２基板としての素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１で
は、紙面縦方向（列方向）をＹ方向と、また、紙面横方向（行方向）をＸ方向と規定する
。また、図１において、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの各色に対応する領域は１つのサブ画素領域ＳＧ
を示していると共に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃに対応する、１行４列の画素配列は、１つの画素領
域ＡＧを示している。なお、以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ内に存在する１つの表示
領域を「サブ画素」と称し、また、１つの画素領域ＡＧ内に存在する複数の表示領域を「
１画素」と称する。

液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフ
ィルタ基板９２とが枠状のシール材７を介して貼り合わされ、そのシール材７の内側に、
例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。

ここに、液晶装置１００は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色を用いて構成されるカラー表示用の
液晶装置であると共に、スイッチング素子としてａ−Ｓｉ型のＴＦＴ（Thin Film Transi
stor）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１
００は、透過型の液晶装置である。

まず、素子基板９１の平面構成について説明する。素子基板９１の内面上には、主とし
て、複数のソース線３２、複数のゲート線３３、複数のａ−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２１、複
数の画素電極１０、ドライバＩＣ４０、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Print
ed Circuit）４１などが形成若しくは実装されている。

図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り
出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、ドライバＩＣ
４０が実装されている。ドライバＩＣ４０の入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続
用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端
側はＦＰＣと電気的に接続されている。各ソース線３２は、Ｙ方向に延在するように且つ
Ｘ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ソース線３２の一端側は、ドライバＩＣ
４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。

各ゲート線３３は、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配
線３３ａの終端部からＸ方向に且つ後述する有効表示領域Ｖ内に延在するように形成され
た第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２
と交差する方向、即ちＸ方向に延在するように且つＹ方向に適宜の間隔をおいて形成され
ており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子
（図示略）に電気的に接続されている。各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３
ｂの交差位置付近にはＴＦＴ素子２１が対応して設けられており、各ＴＦＴ素子２１は各
ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各ＴＦ
Ｔ素子２１及び各画素電極１０は、各サブ画素領域ＳＧに対応する位置に設けられている
。各画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料により形成
されている。

１つの画素領域ＡＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有
効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数
字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない
額縁領域３８となっている。また、各ソース線３２、各ゲート線３３、各ＴＦＴ素子２１
、及び各画素電極１０等の内面上には、配向膜１７（図２を参照）が形成されている。

次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。カラーフィルタ基板９２
は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記す
る）、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色の着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ，６Ｃ及び共通電極８などを有す
る。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記
し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。ＢＭは、各サブ画素領
域ＳＧを区画する位置に形成されている。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの
透明導電材料からなり、カラーフィルタ基板９２の略一面に亘って形成されている。共通
電極８は、シール材７の隅の領域Ｅ１において配線３４の一端側と電気的に接続されてい
ると共に、当該配線３４の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する出力端子（接
地用端子）と電気的に接続されている。

以上の構成を有する液晶装置１００では、電子機器等と接続されたＦＰＣ４１側からの
信号及び電力等に基づき、ドライバＩＣ４０によって、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、
Ｇｍ（ｍは自然数）の順にゲート線３３が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選
択されたゲート線３３には、選択電圧のゲート信号が供給される一方、他の非選択のゲー
ト線３３には、非選択電圧のゲート信号が供給される。そして、ドライバＩＣ４０は、選
択されたゲート線３３に対応する位置にある画素電極１０に対し、表示内容に応じたソー
ス信号を、それぞれ対応するＳ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎ（ｎは自然数）のソー
ス線３２及びＴＦＴ素子２１を介して供給する。その結果、液晶層４の表示状態が、非表
示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４内の液晶分子の配向状態が制御され
ることとなる。

次に、図２を参照して、液晶装置１００の断面構成について説明する。図２は、図１に
おける切断線Ａ−Ａ´に沿った断面図であり、特に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの各色の着色層６を
通る位置で切断した断面図である。

下側基板１は、ガラスや石英等の絶縁性を有する材料にて形成されている。下側基板１
の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０が形成されている。下側基板１の内面
上であって、各画素電極１０の左端の近傍位置には、ソース線３２が形成されている。各
画素電極１０は、ＴＦＴ素子２１（図１等を参照）を介して、対応する各ソース線３２に
電気的に接続されている。下側基板１、画素電極１０、ＴＦＴ素子２１、及びソース線３
２の各内面上には、ポリイミド膜等よりなる配向膜１７が形成されており、その配向膜１
７の表面上には所定の方向にラビング処理が施されている。また、下側基板１の外面上に
は偏光板１１が配置されていると共に、偏光板１１の外面上には、照明装置としてのバッ
クライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting
Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせ
たものなどが好適である。

一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色のいず
れかからなる着色層６がＲＧＣＢＲＧＣＢ・・・の配列順序でストライプ状に設けられて
いる。そして、各着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂは、対応する各画素電極１０と対向し
ている。また、上側基板２の内面上であって、各着色層６を区画する位置には、隣接する
サブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の
混入を防止するためＢＭが形成されている。着色層６及びＢＭ等の内面上には、アクリル
樹脂等からなるオーバーコート層１９が形成されている。このオーバーコート層１９は、
液晶装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保
護する機能を有している。オーバーコート層１９の内面上には、ＩＴＯ等からなる共通電
極８が形成されている。共通電極８上の所定位置には、フォトスペーサ２２（図３を参照
）が設けられている。なお、フォトスペーサ２２は、一般的に、柱状スペーサ、貝柱又は
リブなどと称されることもある。共通電極８及びフォトスペーサ２２の内面上には、ポリ
イミド膜等よりなる配向膜２０が形成されており、その配向膜２０の表面上には所定の方
向にラビング処理が施されている。また、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置さ
れている。また、下側基板１と上側基板２とはシール材７を介して対向しており、その両
基板の間には液晶が封入され液晶層４が形成されている。また、この液晶装置１００では
、後述するように、フォトスペーサ２２によって液晶層４が一定の厚さに規定されている
。

以上の構成を有する液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト
１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及びＲ、Ｇ
、Ｃ、Ｂの各着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その着色層
６等を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示
画像が観察者により視認される。特に、この液晶装置１００では、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの４色
を用いて構成されているので、人間の視感度が高いＧの色の光の輝度の低下が抑制され、
また、いわゆるＣＩＥ色度図において、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色にて構成される液晶装置と比較
して、色再現範囲（色度域）が大きくなっている。

（フォトスペーサの配置構造）
次に、図３及び図４を参照して、本発明の第１実施形態に係るフォトスペーサの配置構
造について説明する。図３は、第１実施形態のカラーフィルタ基板９２における、２画素
分に対応する平面的なレイアウトを示す部分平面図である。なお、図３では、カラーフィ
ルタ基板９２の各要素と、素子基板９１の各要素との相対的な位置関係を理解し易くする
ため、素子基板９１側に設けられる画素電極１０、ＴＦＴ素子２１、ソース線３２及びゲ
ート線３３の第２配線３３ｂも示す。

まず、カラーフィルタ基板９２の平面的な構成について説明する。

上側基板２上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂのいずれか１色からなる着
色層６が設けられている。着色層６は、１つの画素領域ＡＧ毎に、Ｘ方向に向かって、６
Ｒ，６Ｇ，６Ｃ，６Ｂの配列順序でストライプ状に配置されている。この着色層６Ｒ，６
Ｇ，６Ｃ及び６Ｂの４色によりカラー表示の最小単位となるカラー１画素分が構成される
。各着色層６を区画する位置にはＢＭが配置されている。各着色層６及びＢＭ上にはオー
バーコート層１９が設けられていると共に、オーバーコート層１９上には、その一面に亘
って共通電極８が設けられている。共通電極８上であって、着色層６Ｃの左下隅の近傍位
置には、柱状の形状を有するフォトスペーサ２２が形成されている。フォトスペーサ２２
は、この液晶装置１００の製造過程において、共通電極８上にアクリル樹脂又はポリイミ
ド樹脂等の有機絶縁膜を塗布した後に、その膜に対してフォトリソグラフィー技術を用い
て露光及び現像等することにより所望の位置に且つ所望の形状に形成することができる。
フォトスペーサ２２を円柱状の形状に形成する場合には、その直径ｄ２は約１０〜２０
μｍに、また、その高さｄ１（図４を参照）は約３〜６μｍに設定されるのが好ましい。
なお、フォトスペーサ２２と、素子基板９１の主要な要素との相対的な位置関係について
は後述する。共通電極８上及びフォトスペーサ２２の表面上には、矢印Ｙ１方向（以下、
「ラビング方向Ｙ１」とも呼ぶ）にラビング処理が施された配向膜２０が設けられている
が、図４では図示を省略している。ラビング方向Ｙ１は、フォトスペーサ２２の位置を基
準としたときに、フォトスペーサ２２からＣ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素
に向かう方向に施されている。好適な例では、ラビング方向Ｙ１は、Ｘ方向を基準として
反時計回りに、例えば約４５度に設定されているのが好ましい。なお、ラビング処理の方
法は周知の各種の方法を採用することができる。

続いて、カラーフィルタ基板９２の主要な要素と、素子基板９１の主要な要素との平面
的な位置関係について説明する。

素子基板９１において、各着色層６に対応する位置には、画素電極１０が配置されてい
る。また、素子基板９１において、Ｘ方向に相隣接する着色層６の間には、Ｙ方向に延在
するようにソース線３２が配置されている。このため、各ソース線３２はＢＭと平面的に
重なり合っている。さらに、素子基板９１において、Ｙ方向に相隣接する着色層６の間に
は、Ｘ方向に延在するようにゲート線３３の第２配線３３ｂが配置されている。このため
、各ゲート線３３の第２配線３３ｂはＢＭと平面的に重なり合っている。また、素子基板
９１において、ＴＦＴ素子２１（破線で囲まれた領域）は、各着色層６の左下隅に対応す
る位置に設けられているが、当該ＴＦＴ素子２１に対応する位置にはＢＭは形成されてい
ない。フォトスペーサ２２は、カラーフィルタ基板９２側において、Ｃ（シアン）の着色
層６Ｃに対応する画素電極１０の左下隅に対応する位置近傍に、且つ、ソース線３２とゲ
ート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応する位置
に設けられている。

次に、図４を参照して、フォトスペーサ２２を含む液晶装置１００の断面構成について
説明する。図４は、図３における切断線Ｂ−Ｂ´に沿った断面図であり、特に、フォトス
ペーサ２２を通る位置で切断した約２画素分に対応する断面図である。なお、図４では、
便宜上、配向膜２０等の図示を省略している。また、以下では、上記で説明した要素につ
いては同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

まず、上記の約２画素分に対応する素子基板９１の断面構成について説明する。

下側基板１の内面上であって、サブ画素領域ＳＧの隅の位置には、ゲート線３３の第２
配線３３ｂと接続されたゲート電極３３ｃが形成されている。ゲート電極３３ｃの内面上
には、モリブデンなどからなる導電層５２が形成されている。下側基板１及び導電層５２
の内面上には、絶縁性を有するゲート絶縁膜５０が形成されている。ゲート絶縁膜５０の
内面上であって、ゲート電極３３ｃと重なる位置には、α−Ｓｉ層５５が設けられている
。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、α−Ｓｉ層５５の左端付近にはソース線３２と接
続されたソース電極３２ａが設けられていると共に、α−Ｓｉ層５５の右端付近にはドレ
イン電極５４が設けられている。ソース電極３２ａ及びドレイン電極５４は、α−Ｓｉ層
５５と部分的に重なっている。ゲート絶縁膜５０、ソース電極３２ａ、ドレイン電極５４
及びα−Ｓｉ層５５の内面上には、絶縁性を有するパシベーション層（反応防止層）５１
が形成されている。パシベーション層５１は、ＴＦＴ素子２１の要素であるドレイン電極
５４の一端側に対応する位置に開口５１ａを有する。かかる積層構造によりＴＦＴ素子２
１が構成されている。なお、本発明では、ＴＦＴ素子２１は、上記の構成に限定されるも
のではない。また、パシベーション層５１等の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、ＩＴ
Ｏ等からなる画素電極１０が形成されている。画素電極１０の一部は、パシベーション層
５１の開口５１ａ内まで形成されており、ドレイン電極５４の一端側と電気的に接続され
ている。このため、画素電極１０は、ＴＦＴ素子２１と電気的に接続されている。画素電
極１０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１７が形成されてい
る。

次に、上記の約２画素分に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成について説明す
る。

上側基板２の内面上であって、１つのサブ画素領域ＳＧ内には、Ｃ（シアン）に対応す
る着色層６Ｃが、また、当該１つのサブ画素領域ＳＧと隣接する、他の１つのサブ画素領
域ＳＧ内には、Ｂ（青）に対応する着色層６Ｂが夫々形成されている。着色層６Ｃ及び６
Ｂの各々を区画する位置には、ＢＭが形成されている。着色層６Ｃ、着色層６Ｂ及びＢＭ
の内面上には、オーバーコート層１９が形成されている。オーバーコート層１９の内面上
には、ＩＴＯ等からなる共通電極８が形成されていると共に、共通電極８の内面上であっ
て、着色層６Ｃに対応する画素電極１０を駆動する、ソース線３２とゲート線３３の第２
配線３３ｂの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応する位置にはフォトスペーサ
２２が設けられている。共通電極８及びフォトスペーサ２２の内面上には、図３の矢印Ｙ
１方向にラビング処理が施された配向膜２０が形成されているが、図４ではその図示を省
略している。

以上の構成を有する素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の間には液晶が封入され、
液晶層４が形成されており、かかる液晶層４の厚さは、上記の位置に設けられたフォトス
ペーサ２２によって一定の厚さｄ１に設定されている。

次に、図３等を参照して、本発明に係る第１実施形態の作用効果について説明する。

まず、その作用効果を説明するのに先立って、第１実施形態の製造過程に着目すると、
第１実施形態の製造過程では、カラーフィルタ基板９２の共通電極８上であって、Ｃ（シ
アン）の着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース線３２とゲート線３３の第２配
線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと重なる位置に、周知の方法にてフ
ォトスペーサ２２が形成される。続いて、その製造過程では、共通電極８及びフォトスペ
ーサ２２の内面上に配向膜２０を形成し、その後、さらに、その配向膜２０の表面を矢印
Ｙ１方向にラビング布などで擦る。これにより、配向膜２０の表面上に液晶分子を一定の
方向に配向させる機能を果たすラビング処理が施される。このとき、Ｃ（シアン）のサブ
画素に対応する配向膜２０上において、ラビング布の進行方向である矢印Ｙ１方向に対し
てフォトスペーサ２２の影になる領域Ｅ２は、そのフォトスペーサ２２の存在によってラ
ビング処理が施されない。このため、その領域Ｅ２は、液晶分子を一定の方向に配向させ
ることができない領域、即ち、液晶分子の配向不良領域（ドメイン領域）となっている。
以下、この領域Ｅ２を、「液晶分子の配向不良領域Ｅ２」とも称する。ここで、液晶分
子の配向不良領域Ｅ２は、図３に示されるように、ラビング方向Ｙ１の延長線上に発生す
る。また、液晶分子の配向不良領域Ｅ２の大きさは、概ね、フォトスペーサ２２の直径ｄ
２と略同一の幅で、且つ、フォトスペーサ２２の高さｄ１の約３倍程度の長さを有する。
したがって、例えば、フォトスペーサ２２の直径ｄ２を約１０〜２０μｍに、また、その
高さｄ１を約３〜６μｍに夫々設定したと想定すると、液晶分子の配向不良領域Ｅ２は、
フォトスペーサ２２の直径ｄ２と略同一の約１０〜２０μｍの幅で、且つ、約９μｍ〜１
８μｍの長さを有することになる。このような液晶分子の配向不良領域Ｅ２の発生によっ
て、液晶装置の駆動時、その液晶分子の配向不良領域Ｅ２では表示品位が低下してしまう
という問題を有する。

この点、第１実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラーフィルタ基板９２の共通電
極８の内面上であって、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の位置近傍に、且つ、着色層
６Ｃに対応する画素電極１０を駆動する、ソース線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂ
の交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応する位置に設けている。このため、フォ
トスペーサ２２に起因して発生する、液晶分子の配向不良領域Ｅ２が、Ｃ（シアン）の着
色層６Ｃに対応するサブ画素内に生じるように設定される。ここで、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）
、Ｂ（青）、Ｃ（シアン）の４色のうち、Ｃ（シアン）は色再現範囲を向上させる必要が
ある場合に補助的に用いられ、且つ、Ｃ（シアン）は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）
と比較して輝度が一番低く、人間の視覚に対して最も影響を与え難い。このため、Ｃ（シ
アン）に対応するサブ画素内に液晶分子の配向不良領域Ｅ２を設定する方が、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の原色系に対応するサブ画素内に液晶分子の配向不良領域Ｅ２を設定するよりも、その領
域おける表示を目立たなくすることができる。これにより、第１実施形態では、液晶分子
の配向不良領域Ｅ２によって表示品位が低下するのを防止することができる。

［第２実施形態］
次に、図５を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。図５は、図３に
対応する図であり、第２実施形態に係る２画素分に対応するレイアウトを示す部分平面図
である。なお、以下では、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その
説明は簡略化又は省略する。

上記の第１実施形態と第２実施形態とを比較した場合、その両者の構成は略共通してい
る。特に、第１実施形態では、フォトスペーサ２２が、カラーフィルタ基板９２側におい
て、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース線３２とゲート線３
３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応する位置に設けら
れていた。第２実施形態も、上記第１実施形態と同様の位置にフォトスペーサ２２を設け
る点で共通する。但し、第２実施形態では、Ｃ（シアン）に対応するサブ画素内において
、ラビング方向Ｙ１の延長線上であって、液晶分子の配向不良領域Ｅ２に対応する位置に
ＢＭを設ける点で第１実施形態と異なっている。

具体的には、第２実施形態では、Ｃ（シアン）の各着色層６Ｃは、その左下隅の位置を
切り欠いた形状を有する。このため、各着色層６Ｃは、各着色層６Ｒ、各着色層６Ｇ及び
各着色層６Ｂの各々の面積と比較して小さくなっている。しかし、Ｃ（シアン）の着色層
６Ｃは、色再現範囲を向上させる必要がある場合に補助的に用いられるため表示品質に与
える影響は少ない。また、上側基板２上であって、且つ、各着色層６Ｃの左下隅の切り欠
いた領域には、フォトスペーサ２２に起因して発生する液晶分子の配向不良領域Ｅ２が位
置することになるため、第２実施形態では、その領域において表示品位の低下を防止すべ
く、その切り欠いた領域にＢＭを設ける。そのような趣旨から、着色層６Ｃの切り欠き領
域に設けるＢＭは、着色層６Ｃに対応するサブ画素内において、液晶分子の配向不良領域
Ｅ２が発生する方向に延在するように形成するのが好ましく、また、その領域Ｅ２を完全
に遮光する大きさに形成するのが好ましい。また、図５を参照して分かるように、Ｒ、Ｇ
、Ｂの各色に対応するサブ画素内には、液晶分子の配向不良領域Ｅ２は生じない為、Ｒ、
Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内にはＢＭを設けない。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色
に対応するサブ画素において開口率が低下するのを防止できる。即ち、例えば、上記した
Ｃ（シアン）の着色層６Ｃの形状のように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する各着色層６に対
しても当該各着色層６の左下隅に切り欠き領域を設け、その切り欠いた領域にＢＭを配し
た構成を有する比較例と、第２実施形態とを比較した場合、第２実施形態の方が、比較例
よりも開口率の向上を図ることができる。

以上の構成を有する第２実施形態では、液晶装置の駆動時、液晶分子の配向不良領域Ｅ
２が着色層６Ｃの切り欠き領域に設けられたＢＭによって覆い隠されるので表示品位が低
下するのを防止できる。また、製造上の理由により、万が一、液晶分子の配向不良領域Ｅ
２が各着色層６Ｃの切り欠いた領域に配置されたＢＭの領域から各着色層６Ｃに対応する
サブ画素内へはみ出すように設定されてしまった場合でも、その領域はＣ（シアン）の各
着色層６Ｃに対応するサブ画素内に位置することになるため表示品質に与える影響は少な
い。

［第３実施形態］
次に、図６を参照して、本発明に係る第３実施形態について説明する。図６は、図３に
対応する図であり、第３実施形態に係る２画素分に対応するレイアウトを示す部分平面図
である。なお、以下では、上記の各実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、
その説明は簡略化又は省略する。

上記の第１及び第２実施形態と第３実施形態とを比較した場合、それらの構成は略共通
している。しかし、第１及び第２実施形態では、フォトスペーサ２２が、Ｃ（シアン）の
着色層６Ｃに対応するサブ画素の領域外に設けられていたのに対して、第３実施形態では
、主に、フォトスペーサ２２を、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素の領域内
に設ける点で、第１及び第２実施形態と異なっている。

具体的には、第３実施形態では、第２実施形態と同様に、各着色層６Ｃは、その左下隅
の位置を切り欠いた形状を有する。このため、各着色層６Ｃは、各着色層６Ｒ、各着色層
６Ｇ及び各着色層６Ｂの各々の面積と比較して小さくなっているが、上記した第２実施形
態と同様の理由から表示品質に与える影響は少ない。また、第３実施形態では、上側基板
２上であって、且つ、各着色層６Ｃの左下隅の切り欠いた領域には、液晶分子の配向不良
領域Ｅ２が位置することになるため、第２実施形態と同様に、その領域においての表示品
位の低下を防止すべく、その切り欠いた領域にはＢＭを設ける。そのため、この切り欠き
領域に設けられるＢＭの大きさは、第２実施形態と同様の構成にすることが好ましい。

これにより、その切り欠き領域に対応するＢＭは、素子基板９１側において、Ｃ（シア
ン）の着色層６Ｃに対応する画素電極１０を駆動するＴＦＴ素子２１と重なり合うことに
なる。特に、フォトスペーサ２２は、カラーフィルタ基板９２側のＣ（シアン）の着色層
６Ｃに対応するサブ画素内において、当該着色層６Ｃ内の左下隅の切り欠いた領域と重な
る位置に、且つ、ＴＦＴ素子２１と重なり合う位置に、且つ、ＢＭと重なる位置に設ける
。

また、図６を参照して分かるように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内には、液
晶分子の配向不良領域Ｅ２は生じない為、第２実施形態と同様に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対
応するサブ画素内にはＢＭを設けない。これにより、第２実施形態と同様の作用効果を得
ることができる。

以上の構成を有する第３実施形態では、液晶装置の駆動時、液晶分子の配向不良領域Ｅ
２がＢＭにて覆い隠されるので、第２実施形態と同様に、表示品位が低下するのを防止で
きる。

［第４実施形態］
次に、図７及び図８を参照して、本発明に係る第４実施形態について説明する。

図７は、図３に対応する図であり、第４実施形態に係る２画素分に対応するレイアウト
を示す部分平面図である。なお、図７では、カラーフィルタ基板９４の各要素と、素子基
板９３の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板９３側に設けられ
る画素電極１０、ＴＦＴ素子２１、ソース線３２及びゲート線３３の第２配線３３ｂも示
す。なお、以下では、上記の各実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その
説明は簡略化又は省略する。

第１乃至第３実施形態では、透過型の液晶装置に本発明を適用したのに対して、第４実
施形態では、半透過反射型の液晶装置に本発明を適用する。なお、第４実施形態では、原
則として、透過領域Ｅｔに設けられる着色層６の光学濃度は、反射領域Ｅｒに設けられる
光学濃度と同一に設定されているのが好ましい。

まず、以下では、図７を参照して、第４実施形態に係る液晶装置の平面構成について説
明し、その後、図８を参照して、第４実施形態に係る液晶装置の断面構成について説明す
る。

まず、第４実施形態に係る液晶装置の平面構成について説明する。図７において、１つ
の画素領域ＡＧは、透過型表示が行われる透過領域Ｅｔと、当該透過領域ＥｔにＹ方向に
隣接し、反射型表示が行われる反射領域Ｅｒとを備えて構成される。

上側基板２上であって且つ各サブ画素領域ＳＧを区画する位置にはＢＭが形成されてい
ると共に、上側基板２の内面上であって且つ各サブ画素領域ＳＧに対応する位置には、１
つの画素領域Ｇ毎に、第１実施形態と同様の配列順序で着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂ
が設けられている。各反射領域Ｅｒに対応する各着色層６には、光学濃度を調整するため
の複数の非着色領域６ａが設けられている。このように、反射領域Ｅｒに対応する着色層
６に複数の非着色領域６ａを設けている理由は次の通りである。

即ち、透過領域Ｅｔでは、バックライト１５からの照明光が着色層６を１回だけ通過す
るのに対して、反射領域Ｅｒでは、外光が着色層６を往復で２回通過する。このため、透
過型表示では、明るい表示が可能であるものの彩度を高め難い一方、その逆に、反射型表
示では、彩度を高め易いものの明るさが犠牲になってしまうという問題が生じる。この問
題を解消するためには、透過領域Ｅｔに対応する着色層６と、反射領域Ｅｒに対応する着
色層６とで着色材の量を変えるなどして、透過領域Ｅｔに対応する着色層６を通過する光
の彩度及び明るさと、反射領域Ｅｒに対応する着色層６を通過する光の彩度及び明るさと
を適切な状態に設定する必要がある。しかし、この方法を採用することにより、製造工程
数が増大し、製品コストが高くなってしまうという新たな問題が生じる。そのため、第４
実施形態では、上記のように、反射領域Ｅｒに対応する着色層６に複数の非着色領域６ａ
を設けることで、上記の各問題を解決するようにしている。即ち、第４実施形態では、反
射領域Ｅｒに対応する着色層６に複数の非着色領域６ａを設けることによって、透過型表
示と反射型表示とで適切な明るさ及び彩度を有する表示特性となるように設定されている
。なお、本発明では、この構成に代えて、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ，６
Ｂ及び６Ｃの光学濃度が、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及び６Ｃの光
学濃度より薄くなるように設定しても構わない。

また、少なくとも反射領域Ｅｒに対応する着色層６等の内面上には、セルギャップを調
整する機能を有し、アクリル樹脂等の透明性を有する樹脂材料よりなる段差形成膜として
の段差膜６２（セル厚調整膜）が設けられる（図８も参照）。段差膜６２及び透過領域Ｅ
ｔに対応する着色層６の各内面上には、共通電極８が形成されている。

特に、フォトスペーサ２２は、カラーフィルタ基板９４の共通電極８上において、反射
領域Ｅｒに対応するＣ（シアン）の各着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース線
３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応
する位置に設けられている。フォトスペーサ２２及び共通電極８上には、矢印Ｙ１方向に
ラビング処理が施された配向膜２０が形成されているが、図８ではその図示を省略してい
る。

次に、図８を参照して、第４実施形態に係る液晶装置の断面構成について簡略化して説
明する。図８は、図７における切断線Ｃ−Ｃ´に沿った断面図であり、特に、フォトスペ
ーサ２２を通る位置で切断した約２画素分に対応する断面図である。また、図８では、便
宜上、配向膜２０等の図示を省略している。

下側基板１上であって、各着色層６の隅の位置には、上記した積層構造を有するＴＦＴ
素子２１が設けられている。少なくとも、反射領域Ｅｒに対応するパシベーション層５１
の内面上、及び、ＴＦＴ素子２１に対応するパシベーション層５１の内面上には、それぞ
れ、上記した段差膜６２と共に液晶層４の厚さ（セルギャップ）を調整する機能を有し、
アクリル樹脂等の透明性を有する樹脂材料よりなる層間膜６１（他のセル厚調整膜）が設
けられている。反射領域Ｅｒに対応する層間膜６１の表面上には、複数の凹凸が形成され
ている。層間膜６１は、各ＴＦＴ素子２１の要素であるドレイン電極５４の一端側に対応
する位置にコンタクトホール６１ａを有する。反射領域Ｅｒに対応する層間膜６１上には
、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の反射性を有する材料よりなる反射膜５が
形成されている。この反射膜５は、複数の凹凸を有する層間膜６１上に形成されているた
め、その複数の凹凸を反映した形状に形成されている。これにより、液晶装置内へ入射し
た光を適度に散乱させることができる。また、各反射膜５は、層間膜６１の各コンタクト
ホール６１ａに対応する位置に開口５ａを有する。少なくとも、反射領域Ｅｒに対応する
反射膜５の内面上、及び、透過領域Ｅｔに対応するパシベーション層５１の内面上には、
サブ画素領域ＳＧと略同一の大きさを有する画素電極１０が形成されている。画素電極１
０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１７が形成されている。
以上の構成により、第４実施形態に係る素子基板９３が構成されている。

一方、上側基板２上において、１つのサブ画素領域ＳＧには着色層６Ｃが、また、当該
１つのサブ画素領域ＳＧに隣接する、他の１つのサブ画素領域ＳＧには着色層６Ｂが夫々
設けられている。上側基板２上であって、各サブ画素領域ＳＧを区画する位置にはＢＭが
設けられている。

特に、フォトスペーサ２２は、カラーフィルタ基板９４の共通電極８上において、反射
領域Ｅｒに対応するＣ（シアン）の各着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース線
３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応
する位置に設けられている。なお、その他の断面構成は、上述した通りであり説明を省く
。以上の構成により、第４実施形態に係るカラーフィルタ基板９４が構成されている。

そして、素子基板９３とカラーフィルタ基板９４とは、図示しない枠状のシール材７を
介して貼り合わされ、その両基板の間に液晶が封入され液晶層４が形成されてなる。また
、この液晶装置では、上記した所定の位置に配置されたフォトスペーサ２２により、透過
領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さｄ５が、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さｄ１
より大きく設定され、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。これにより、透過型表
示と反射型表示とで適切な表示特性となるように設定されている。

さて、かかる構成を有する第４実施形態の液晶装置において、透過型表示がなされる場
合、バックライト１５から出射した照明光は、図８に示す経路Ｔに沿って進行し、主とし
て、画素電極１０、共通電極８及び着色層６等を夫々通過して観察者に至る。このため、
その照明光は、着色層６を夫々透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こう
して、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。一方、反射型表示がなされる場
合、液晶装置内に入射した外光は、図８に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装
置内に入射した外光は、反射膜５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は
、各着色層６が形成されている領域を夫々通過して、その各着色層６の下方に位置する反
射膜５により反射され、再度、各着色層６を夫々通過することによって所定の色相及び明
るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

特に、この第４実施形態の液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの４色を用いて構成されてい
るので、人間の視感度が高いＧの色の光の輝度の低下が抑制され、また、いわゆるＣＩＥ
色度図において、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色にて構成される液晶装置と比較して、色再現範囲（色
度域）が大きくなっている。

以上の構成を有する第４実施形態では次のような作用効果を奏する。

一般的に、半透過反射型の液晶装置において、反射型表示は透過型表示の補助として用
いられ、反射型表示の使用頻度は透過型表示と比べて少ない。したがって、フォトスペー
サ２２に起因して発生する、液晶分子の配向不良領域Ｅ２は、透過領域Ｅｔに対応する位
置より反射領域Ｅｒに対応する位置に設定した方が望ましい。また、マルチギャップ構造
を有する半透過反射型の液晶装置では、透過領域Ｅｔに対応する位置にフォトスペーサ２
２を設けるよりも、反射領域Ｅｒに対応する位置にフォトスペーサ２２を設けた方が、フ
ォトスペーサ２２の高さ（厚さ）が小さくてよいので、これにより液晶分子の配向不良領
域Ｅ２の大きさも小さくできる。さらに、上記したように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青
）、Ｃ（シアン）の４色のうち、Ｃ（シアン）は色再現範囲を向上させる必要がある場合
に補助的に用いられ、その上、Ｃ（シアン）は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）と比較
して輝度が一番低く、人間の視覚に対して最も影響を与え難いため、Ｃ（シアン）に対応
するサブ画素内に液晶分子の配向不良領域Ｅ２を設定する方が、Ｒ、Ｇ、Ｂの原色系に対
応するサブ画素内に液晶分子の配向不良領域Ｅ２を設定するよりもその領域の表示を目立
たなくすることができる。

以上に述べた種々の点を考慮して、第４実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラー
フィルタ基板９４の共通電極８上において、反射領域Ｅｒに対応するＣ（シアン）の各着
色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂと
の交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭに対応する位置に設けるようにしている。これ
により、フォトスペーサ２２に起因して発生する、液晶分子の配向不良領域Ｅ２が、反射
領域Ｅｒに対応するＣ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素内に生じるように設定
される。よって、液晶分子の配向不良領域Ｅ２によって表示品位が低下するのを防止する
ことができる。

［第５実施形態］
次に、図９を参照して、本発明に係る第５実施形態について説明する。

図９は、図７に対応する図であり、第５実施形態に係る２画素分に対応するレイアウト
を示す部分平面図である。なお、図９では、カラーフィルタ基板９４の各要素と、素子基
板９３の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板９３側に設けられ
る画素電極１０、ＴＦＴ素子２１、ソース線３２及びゲート線３３の第２配線３３ｂも示
す。また、以下では、第４実施形態等と同一の要素については同一の符号を付し、その説
明は簡略化又は省略する。

上記の第４実施形態と第５実施形態とを比較した場合、その両者の構成は略共通してい
る。特に、第４実施形態では、フォトスペーサ２２が、カラーフィルタ基板９４において
、反射領域ＥｒにおけるＣ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース
線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと重
なる位置に設けられていた。第５実施形態も、上記第４実施形態と同様の位置にフォトス
ペーサ２２を設ける点で共通する。但し、第５実施形態では、反射領域ＥｒにおけるＣ（
シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素内において、液晶分子の配向不良領域Ｅ２に対
応する位置にＢＭを設ける点で第４実施形態と異なっている。

具体的には、第５実施形態では、Ｃ（シアン）の各着色層６Ｃは、第２実施形態と同様
に、その左下隅の位置を切り欠いた形状を有する。このため、各着色層６Ｃは、各着色層
６Ｒ、各着色層６Ｇ及び各着色層６Ｂの各々の面積と比較して小さくなっている。しかし
、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃは、色再現範囲を向上させる必要がある場合に補助的に用い
られるため表示品質に与える影響は少ない。また、上側基板２上であって、且つ、反射領
域Ｅｒ側の各着色層６Ｃの左下隅の切り欠いた領域には、フォトスペーサ２２に起因して
発生する液晶分子の配向不良領域Ｅ２が位置することになるため、その領域においての表
示品位の低下を防止すべく、第５実施形態では、その切り欠いた領域にＢＭを設ける。な
お、第５実施形態において、反射領域ＥｒのＣ（シアン）に対応するサブ画素内に設けら
れるＢＭは、第２実施形態と同様の大きさに形成されているのが好ましい。また、図９を
参照して分かるように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内には、液晶分子の配向不
良領域Ｅ２は生じない為、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内にはＢＭを設けない。
これにより、第２実施形態と同様の理由により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素
において開口率が低下するのを防止できる。

以上の構成を有する第５実施形態では、液晶装置の駆動時、液晶分子の配向不良領域Ｅ
２がＢＭにて覆い隠されるので、第２実施形態と同様に、表示品位が低下するのを防止で
きる。

［第６実施形態］
次に、図１０を参照して、本発明に係る第６実施形態について説明する。

図１０は、図７に対応する図であり、第６実施形態に係る２画素分に対応するレイアウ
トを示す部分平面図である。なお、図１０では、カラーフィルタ基板９４の各要素と、素
子基板９３の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板９３側に設け
られる画素電極１０、ＴＦＴ素子２１、ソース線３２及びゲート線３３の第２配線３３ｂ
も示す。また、以下では、第４実施形態等と同一の要素については同一の符号を付し、そ
の説明は簡略化又は省略する。

上記の第４実施形態と第６実施形態とを比較した場合、その両者の構成は略共通してい
る。特に、第４実施形態では、フォトスペーサ２２が、カラーフィルタ基板９４において
、反射領域ＥｒにおけるＣ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且つ、ソース
線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと重
なる位置に設けられていた。第６実施形態も、上記第４実施形態と同様の位置にフォトス
ペーサ２２を設ける点で共通する。但し、第６実施形態では、反射領域Ｅｒに対応するＣ
（シアン）の着色層６Ｃに、色材の存在しない矩形状の非着色領域６ａを設け、その非着
色領域６ａに対応する位置に、フォトスペーサ２２に起因して発生する、液晶分子の配向
不良領域Ｅ２を設定する点で第４実施形態と構成上相違する。好適な例では、反射領域Ｅ
ｒに対応する着色層６Ｃに設けられる非着色領域６ｂは、液晶分子の配向不良領域Ｅ２を
完全に含む大きさに形成されているのが好ましい。

なお、図１０を参照して分かるように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内には、
液晶分子の配向不良領域Ｅ２は生じない為、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する着色層６内には
非着色領域６ａを設けない。

以上の構成を有する第６実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラーフィルタ基板９
４において、反射領域ＥｒにおけるＣ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の近傍位置に、且
つ、ソース線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ
、ＢＭと重なる位置に設けている。これにより、フォトスペーサ２２に起因して発生する
液晶分子の配向不良領域Ｅ２は、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｃ内に設けられた非着
色領域６ａ内の位置に設定される。ここで、反射領域Ｅｒの着色層６Ｃ等に設けられた非
着色領域６ａは、反射領域Ｅｒの着色層６Ｃに対応するサブ画素の輝度を高める役割を有
し、その非着色領域６ａにおける明るさの向上により液晶分子の配向不良領域Ｅ２にて生
じる表示を目立たなくすることができる。よって、フォトスペーサ２２に起因して発生す
る液晶分子の配向不良領域Ｅ２によって表示品位が低下するのを防止できる。

［第７実施形態］
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る第７実施形態について説明する。

図１１は、第７実施形態に係る１画素に対応する平面的なレイアウトを示す部分平面図
である。図１２は、図１１における切断線Ｄ−Ｄ´に沿った部分断面図であり、特に、Ｒ
（赤）の色の着色層６Ｒに対応するサブ画素を通る位置で切断した部分断面図である。な
お、以下では、上記の各実施形態等と同一の要素については同一の符号を付し、その説明
は簡略化又は省略する。

第７実施形態は、第４実施形態〜第６実施形態と同様に、半透過反射型の液晶装置であ
るが、第４実施形態〜第６実施形態と構成が若干相違している。そのため、まず、図１２
を参照して、着色層６Ｒに対応するサブ画素を通る断面構成について説明する。

下側基板１の内面上であって、反射領域Ｅｒの隅の位置には、ＴＦＴ素子２３が設けら
れている。ここで、ＴＦＴ素子２３は、ポリシリコン層等よりなり下側基板１の内面上に
形成された半導体層１０２と、その半導体層１０２の内面上に形成されたゲート絶縁膜１
０３と、そのゲート絶縁膜１０３上に形成され、半導体層１０２のチャンネル領域と対向
するゲート電極１０４とを備えて構成される。

反射領域Ｅｒに位置するＴＦＴ素子２３の内面上、及び、反射領域Ｅｒに対応するゲー
ト絶縁膜１０３上には、酸化タンタル等の材料よりなる層間絶縁膜１１２が形成されてい
る。このため、層間絶縁膜１１２はＴＦＴ素子２３を覆っている。層間絶縁膜１１２の表
面上の一部には複数の凹凸が形成されている。層間絶縁膜１１２上には、半導体層１０２
のソース領域に導電接続されたソース線３２、及び、半導体層１０２のドレイン領域に導
電接続された接続電極１１４が夫々形成されている。層間絶縁膜１１２上には、さらに酸
化シリコン等の材料よりなる層間絶縁膜１１５が形成されている。複数の凹凸が形成され
た層間絶縁膜１１２に対応する層間絶縁膜１１５の表面上には、その複数の凹凸が反映さ
れている。層間絶縁膜１１５上には反射膜５が形成されており、反射膜５の一部は、層間
絶縁膜１１５の複数の凹凸を反映した形状に形成されている。これにより、反射膜５にて
反射された光を適度に散乱させることができる。また、反射膜５の一部は、層間絶縁膜１
１５の開口１１５ａ内に延在して、接続電極１１４と接続されている。反射領域Ｅｒに対
応する反射膜５上及び透過領域Ｅｔに対応するゲート絶縁膜１０３上には、画素電極１０
が形成されている。このため、画素電極１０は、反射膜５を介して、ＴＦＴ素子２３のド
レイン領域に電気的に接続されている。画素電極１０上には、所定の方向にラビング処理
が施された配向膜１７が形成されている。なお、後述する着色層６Ｃに対応するサブ画素
領域ＳＧだけは、反射領域Ｅｒを有さず透過領域Ｅｔのみの構成となっている。こうして
、第７実施形態の素子基板９５が構成されている。

一方、上側基板２上であって、反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔの各々に対応する位置に
は着色層６Ｒが島状に且つ独立に設けられている。反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒに
は、光学濃度を調整するための矩形状の非着色領域６ａが設けられている。反射領域Ｅｒ
の着色層６Ｒ及び透過領域Ｅｔの着色層６Ｒを区画する位置、及び、相隣接するサブ画素
領域ＳＧを区画する位置には、それぞれＢＭが形成されている。なお、第７実施形態では
、着色層６Ｇ及び６Ｂの各々に対応する断面構成は、着色層６Ｒに対応する断面構成と略
同様になっているが、着色層６Ｃに対応する断面構成は、着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各
々に対応する断面構成と異なっている。即ち、着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧに
は層間絶縁膜１１２及び１１５並びに反射膜５が設けられていない。つまり、着色層６Ｃ
に対応するサブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅｔのみから構成されている。着色層６及びＢ
Ｍ上には、オーバーコート層１９が形成されている。オーバーコート層１９上には、共通
電極８が形成されている。共通電極８上には、図１１の矢印Ｙ１方向にラビング処理が施
された配向膜２０が形成されている。こうして、第７実施形態のカラーフィルタ基板９６
が構成されている。

以上の構成を有する素子基板９５とカラーフィルタ基板９６の間には液晶が封入され液
晶層４が形成されている。また、この液晶装置では、層間絶縁膜１１２及び１１５に対応
する位置に且つＣ（シアン）の着色層６Ｃの隅の位置近傍にフォトスペーサ２２が配置さ
れている。このため、この液晶装置では、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さはｄ１
に、また、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さはｄ５（＞ｄ１）に設定され、いわゆ
るマルチギャップ構造をなしている。これにより、透過型表示と反射型表示とで適切な表
示特性を得ることができる。なお、この液晶装置では、上記した第４実施形態と同様の原
理により、透過型表示及び反射型表示を行うことができる。

次に、図１１に戻り、第７実施形態に係る液晶装置の平面構成について説明する。

上側基板２上には、画素領域ＡＧ毎に、上記した第１実施形態と同様の配列順序で着色
層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂが設けられている。かかる着色層６のうち、着色層６Ｒ，６
Ｇ及び６Ｂは、反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔの各々に島状に且つ独立に設けられている
。一方、着色層６Ｃは、上記したように透過領域Ｅｔのみから構成されるサブ画素領域Ｓ
Ｇ内に設けられており、当該サブ画素領域ＳＧより若干小さな平面形状を有する。透過領
域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各面積は同一に設定されている。また、透
過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃの面積は、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及
び６Ｂの各面積より大きくなっている。また、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ
及び６Ｂには、非着色領域６ａが設けられている。着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各々に設
けられた各非着色領域６ａは相対的な大きさが異なっており、反射領域Ｅｒに対応する着
色層６Ｒの面積と、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｇの面積と、反射領域Ｅｒに対応す
る着色層６Ｂの面積とは夫々異なっている。このような構成により、透過型表示と反射型
表示とで適切な明るさ及び彩度を呈することができる。また、第７実施形態は、上記の各
実施形態と同様に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色を用いて構成されるので、人間の視感度が高い
Ｇの色の光の輝度の低下が抑制され、また、いわゆるＣＩＥ色度図において、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の３色にて構成される液晶装置と比較して、色再現範囲（色度域）が大きくなっている。

また、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂを区画する位置、及
び、着色層６Ｃを区画する位置には、ＢＭが形成されている。また、Ｃ（シアン）に対応
するサブ画素領域ＳＧ内において、着色層６Ｃの下側の位置には、更にＢＭが形成されて
いる。これは、フォトスペーサ２２に起因して発生する、液晶分子の配向不良領域Ｅ２を
覆い隠すためである。なお、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素内に設けられ
るＢＭは、液晶分子の配向不良領域Ｅ２を完全に遮光する大きさに形成されているのが好
ましい。なお、各着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂ上並びにＢＭ上の層構造は、上述した
ので説明を省く。また、フォトスペーサ２２と、素子基板９５の主要な要素との相対的な
位置関係については後述する。

続いて、カラーフィルタ基板９６の主要な要素と、素子基板９５の主要な要素との平面
的な位置関係について説明する。

素子基板９５において、Ｘ方向に相隣接するサブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２が
設けられていると共に、Ｙ方向に相隣接するサブ画素領域ＳＧの間にはゲート線３３の第
２配線３３ｂが設けられている。このため、ソース線３２及びゲート線３３の第２配線３
３ｂはＢＭと重なり合っている。また、素子基板９５において、各サブ画素領域ＳＧに対
応する位置には画素電極１０が設けられており、着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂの各々
と、対応する画素電極１０とは重なり合っている。また、素子基板９５において、各サブ
画素領域ＳＧの左下隅の位置にはＴＦＴ素子２３が設けられており、反射領域Ｅｒに対応
する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの左下隅付近は、対応するＴＦＴ素子２３と重なり合って
いる。

特に、第７実施形態では、フォトスペーサ２２が、カラーフィルタ基板９６において、
Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧの左下隅の位置近傍に、且つ、ソ
ース線３２及びゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、Ｂ
Ｍと重なる位置に設けられている。このため、フォトスペーサ２２に起因して発生する液
晶分子の配向不良領域Ｅ２は、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧ内
の下側位置に設けられたＢＭと重なる位置に設定される。これにより、液晶装置の駆動時
、液晶分子の配向不良領域Ｅ２が、着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧ内の下側位置
に設けられたＢＭによって覆い隠されるので表示品位が低下するのを防止できる。

また、第７実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するサブ画素内には、液晶分子の配
向不良領域Ｅ２は生じない為、当該サブ画素内にはＢＭを設けない。これにより、Ｒ、Ｇ
、Ｂの各色に対応するサブ画素の開口率が低下するのを防止できる。

［第８実施形態］
次に、図１３を参照して、本発明に係る第８実施形態について説明する。

図１３は、図１１に対応する図であり、第８実施形態に係る１画素分に対応する平面的
なレイアウトを示す部分平面図である。なお、図１３では、カラーフィルタ基板９６の各
要素と、素子基板９５の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板９
５側に設けられる画素電極１０、ＴＦＴ素子２３、ソース線３２及びゲート線３３の第２
配線３３ｂも示す。また、以下では、上記の各実施形態等と同一の要素については同一の
符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

上記の第７実施形態と第８実施形態とを比較した場合、その両者は次の点が構成上異な
っている。

即ち、第７実施形態では、反射領域Ｅｒの着色層６Ｒ、反射領域Ｅｒの着色層６Ｇ及び
反射領域Ｅｒの着色層６Ｂの各々には光学濃度を調整するための非着色領域６ａが設けら
れていた。これに対して、第８実施形態では、反射領域Ｅｒの着色層６Ｒ、反射領域Ｅｒ
の着色層６Ｇ及び反射領域Ｅｒの着色層６Ｂの各々には光学濃度を調整するための非着色
領域６ａが設けられていない。また、第８実施形態の着色層６Ｃの面積は、第７実施形態
の着色層６Ｃの面積より小さく設定されている。以上の点が、第７実施形態と第８実施形
態との構成上の相違点である。好適な例では、第８実施形態において、透過領域Ｅｔのみ
に設けられる着色層６Ｃの面積は、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの
各面積と略同一の大きさに設定されているのが好ましい。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの
４色を用いて所定の色を再現する際の画像データの生成及び各サブ画素の制御が容易とな
る。

以上の構成を有する第８実施形態では、フォトスペーサ２２を、上記の第７実施形態と
同様の位置に配置するようにしている。よって、第７実施形態と同様の作用効果を奏する
。

［第９実施形態］
次に、図１４を参照して、本発明に係る第９実施形態について説明する。

図１４は、図１１に対応する図であり、第９実施形態に係る１画素分に対応する平面的
なレイアウトを示す部分平面図である。なお、図１４では、カラーフィルタ基板９６の各
要素と、素子基板９５の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板９
５側に設けられる画素電極１０、ＴＦＴ素子２３、ソース線３２及びゲート線３３の第２
配線３３ｂも示す。また、以下では、上記の各実施形態等と同一の要素については同一の
符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

上記の第８実施形態と第９実施形態とを比較した場合、その両者は次の点が構成上異な
っている。

即ち、第８実施形態では、素子基板９５側において、反射領域Ｅｒの各着色層６Ｒ，６
Ｇ及び６Ｂの各々に対応する位置には島状に反射膜５が設けられていた。これに対して、
第９実施形態では、素子基板９５側において、図１４のＸ方向に列をなす複数の着色層６
に対向するようにストライプ状に反射膜５が設けられている。そして、着色層６Ｒ，６Ｇ
及び６Ｂの各サブ画素領域ＳＧ内に位置する各反射膜５には島状に開口５ａが設けられて
いると共に、着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧに位置する反射膜５には、その全体
に亘って開口５ａが設けられている。このため、第９実施形態では、着色層６Ｒ，６Ｇ及
び６Ｂの各々に対応する各サブ画素領域ＳＧにおいて、反射膜５に設けられた各開口５ａ
の位置が透過領域Ｅｔとなっていると共に、当該各透過領域Ｅｔの外側は反射領域Ｅｒと
なっている。一方、着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧはその全体が透過領域Ｅｔと
なっている。また、着色層６Ｒ，６Ｂ，６Ｇ及び６Ｃの各々に対応する各サブ画素領域Ｓ
Ｇ内の下側の位置にはＢＭが設けられている。特に、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃのサブ画
素領域ＳＧ内に設けられたＢＭは、フォトスペーサ２２に起因して発生する、液晶分子の
配向不良領域Ｅ２を覆い隠す役割を有する。なお、Ｃ（シアン）に対応するサブ画素内に
設けられるＢＭは、液晶分子の配向不良領域Ｅ２を完全に遮光する大きさに形成されてい
るのが好ましい。

特に、第９実施形態では、フォトスペーサ２２を、上記の第７実施形態と同様の位置に
配置するようにしている。よって、第７実施形態と同様の作用効果を奏する。加えて、着
色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各サブ画素領域ＳＧ内において、着色層６Ｃのサブ画素領域Ｓ
Ｇ内の下側の位置と同様の位置にＢＭを設けているので、着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及び６
Ｃにおいて表示特性をある程度揃えることができる。

［第１０実施形態］
次に、図１５を参照して、本発明に係る第１０実施形態について説明する。

図１５は、図１１に対応する図であり、第１０実施形態に係る１画素分に対応する平面
的なレイアウトを示す部分平面図である。なお、図１５では、カラーフィルタ基板９６の
各要素と、素子基板９５の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板
９５側に設けられる画素電極１０、ＴＦＴ素子２３、ソース線３２及びゲート線３３の第
２配線３３ｂも示す。また、以下では、上記の各実施形態等と同一の要素については同一
の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

上記の第７実施形態と第１０実施形態とを比較した場合、その両者は次の点が構成上異
なっている。

即ち、第７実施形態では、着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各々に対応する各サブ画素領域
ＳＧは、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを備えて構成されており、また、着色層６Ｃに対
応するサブ画素領域ＳＧは透過領域Ｅｔのみを備えて構成されていた。これに対して、第
１０実施形態では、着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及び６Ｃの各々に対応する各サブ画素領域Ｓ
Ｇは、全て、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを備えて構成されている。また、第７実施形
態では、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂには、非着色領域６ａが設け
られていた。この点、第１０実施形態も、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び
６Ｂに非着色領域６ａが設けられている点で第７実施形態と共通している。しかし、第１
０実施形態では、着色層６Ｃに対応する反射領域Ｅｒには着色層６Ｃが設けられておらず
、当該反射領域Ｅｒの全体は非着色領域となっている点で第７実施形態と相違する。なお
、本発明では、その構成に代えて、反射領域Ｅｒに対応する位置にＣ（シアン）の着色層
６Ｃを設け、且つ、当該着色層６Ｃの面積が、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ
，６Ｂの各面積より小さく設定された構成でも構わない。

また、各反射領域Ｅｒにおいて、着色層６Ｒ内の非着色領域６ａと、着色層６Ｇ内の非
着色領域６ａと、着色層６Ｂ内の非着色領域６ａと、着色層６Ｃ内の非着色領域６ａとは
、各々大きさが異なるように設定されており、反射領域Ｅｒにおける、着色層６Ｒ，６Ｇ
，６Ｂ及び６Ｃの各面積は相対的に異なっている。このような構成により、透過型表示と
反射型表示とで適切な明るさ及び彩度を呈することができる。

以上の構成を有する第１０実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラーフィルタ基板
９６において、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素領域ＳＧの左下隅の位置近
傍に、且つ、ソース線３２及びゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位
置に、且つ、ＢＭと重なる位置に設けている。これにより、フォトスペーサ２２に起因し
て発生する液晶分子の配向不良領域Ｅ２は、Ｃ（シアン）の色に対応するサブ画素領域Ｓ
Ｇ内において、反射領域Ｅｒに対応する位置に且つ非着色領域６ａに対応する位置に設定
される。よって、上記した第６実施形態と同様に、液晶分子の配向不良領域Ｅ２によって
表示品位が低下するのを防止できる。

［第１１実施形態］
次に、図１６を参照して、本発明に係る第１１実施形態について説明する。

図１６は、図１１に対応する図であり、第１１実施形態に係る１画素分に対応する平面
的なレイアウトを示す部分平面図である。なお、図１６では、カラーフィルタ基板９６の
各要素と、素子基板９５の各要素との相対的な位置関係を理解し易くするため、素子基板
９５側に設けられる画素電極１０、ＴＦＴ素子２３、ソース線３２及びゲート線３３の第
２配線３３ｂも示す。また、以下では、上記の各実施形態等と同一の要素については同一
の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。

上記の第７実施形態と第１１実施形態とを比較した場合、その両者は次の点が構成上異
なっている。

即ち、第７実施形態では、着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各々に対応する各サブ画素領域
ＳＧは、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを備えて構成されており、また、着色層６Ｃに対
応するサブ画素領域ＳＧは透過領域Ｅｔのみを備えて構成されていた。第１１実施形態も
その点では共通している。しかし、第１１実施形態では、反射領域Ｅｒに対応する着色層
６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各々の面積が、第７実施形態の反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ
，６Ｇ及び６Ｂの各々の面積と比べて大きく設定されていると共に、着色層６Ｃのサブ画
素領域ＳＧ（以下、「サブ画素領域ＳＧｃ」と称す）の面積が、着色層６Ｒのサブ画素領
域ＳＧ（以下、「サブ画素領域ＳＧｒ」と称す）、着色層６Ｇのサブ画素領域ＳＧ（以下
、「サブ画素領域ＳＧｇ」と称す）及び着色層６Ｂのサブ画素領域ＳＧ（以下、「サブ画
素領域ＳＧｂ」と称す）の各面積と比べて極めて小さく設定されている。また、透過領域
Ｅｔに対応する着色層６Ｒの面積と、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｇの面積と、透過
領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃの面積と、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｂの面積とは
略同一に設定されている。また、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒの面積と、反射領域
Ｅｒに対応する着色層６Ｇの面積と、反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｃの面積とは略同
一に設定されていると共に、それらの各面積は、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｒの面
積、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｇの面積、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃの面
積、及び透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｂの面積よりも大きく設定されている。また、
反射領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂの各々には、非着色領域６ａが設けら
れており、その各々の非着色領域６ａの大きさは相対的に異なっている。このため、反射
領域Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｃの各面積は相対的に異なっている。このよ
うな構成により、透過型表示と反射型表示とで適切な明るさ及び彩度を呈することができ
る。なお、サブ画素領域ＳＧｒ、サブ画素領域ＳＧｇ、サブ画素領域ＳＧｃ、及びサブ画
素領域ＳＧｂの各々を区画する位置にはＢＭが形成されている。

また、素子基板９５において、Ｘ方向に相隣接する透過領域Ｅｔに対応する各着色層６
の間にはソース線３２が設けられている。このため、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ
と透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｇとの間に位置するソース線３２は反射領域Ｅｒに位
置する着色層６Ｒの一部と重なり合っており、また、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｇ
と透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃとの間に位置するソース線３２は反射領域Ｅｒに位
置する着色層６Ｇの一部と重なり合っており、また、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃ
と透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｂとの間に位置するソース線３２は反射領域Ｅｒに位
置する着色層６Ｂの一部と重なり合っている。

また、素子基板９５において、サブ画素領域ＳＧｒに対応する画素電極１０を駆動する
ＴＦＴ素子２３は、当該サブ画素領域ＳＧｒの左下隅の位置に設けられ、また、サブ画素
領域ＳＧｇに対応する画素電極１０を駆動するＴＦＴ素子２３は、サブ画素領域ＳＧｒの
右下隅の位置から当該サブ画素領域ＳＧｒの左下隅の位置にかけて設けられ、また、サブ
画素領域ＳＧｃに対応する画素電極１０を駆動するＴＦＴ素子２３は、サブ画素領域ＳＧ
ｇの右下隅を含む位置に設けられ、また、サブ画素領域ＳＧｂに対応する画素電極１０を
駆動するＴＦＴ素子２３は、サブ画素領域ＳＧｂの左下隅を含む位置に設けられている。
なお、サブ画素領域ＳＧｃに対応する画素電極１０を駆動するＴＦＴ素子２３の半導体
層１０２は、反射膜５の下方に配置され、且つサブ画素領域ＳＧｃ内まで延在する直線状
の接続電極１１４を通じて当該画素電極１０と電気的に接続されている。

以上の構成を有する第１１実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラーフィルタ基板
９６において、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｃの左下隅の位置近傍に、且つ、透過領
域Ｅｔに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ及び６Ｂと、反射領域Ｅｒに対応する着色層６
Ｒ，６Ｇ及び６Ｂとの間を通る直線Ｌ１と、透過領域Ｅｔに対応する着色層６Ｇと透過領
域Ｅｔに対応する着色層６Ｃの間を通る直線Ｌ２との交差位置に、且つ、ＢＭと重なる位
置に設けている。これにより、フォトスペーサ２２に起因して発生する液晶分子の配向不
良領域Ｅ２は、透過領域Ｅｔの着色層６Ｃに対応するサブ画素内に設定される。よって、
上記した第１実施形態と同様の理由により、液晶分子の配向不良領域Ｅ２によって表示品
位が低下するのを防止できる。

［変形例］
上記の各実施形態では、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの配列順序で着色層６
をストライプ状に配置するように構成したが、これに限らず、本発明では、図１７に示す
ように、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの各々に対応する各着色層６を田型若し
くはモザイク型となるように配置しても構わない。

ここで、図１７に示される１画素の平面構成について簡単に説明する。なお、図１７で
は、上記の各実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は
省略する。

各着色層６に対応する各サブ画素領域ＳＧは、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを備えて
構成されている。Ｒ、Ｇ、Ｃ及びＢの各色の各着色層６は、図１７に示される配列順序で
配置されているが、本発明では、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの配列順序について特に限定はない。カ
ラーフィルタ基板において、各サブ画素領域ＳＧを区画する位置には図示しないＢＭが設
けられている。

一方、素子基板において、各サブ画素領域ＳＧ内の左下隅の位置にはＴＦＴ素子２１が
設けられ、また、Ｘ方向に相隣接するサブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２が設けられ
ていると共に、Ｙ方向に相隣接するサブ画素領域ＳＧの間にはゲート線３３の第２配線３
３ｂが設けられている。

特に、この例では、フォトスペーサ２２は、カラーフィルタ基板側において、反射領域
Ｅｒに対応するＣ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の位置近傍に、且つ、ソース線３２と
ゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと重なる位置
に設けられている。このため、上記の各実施形態と同様の作用効果を奏する。

また、上記の各実施形態及び変形例では、フォトスペーサ２２をカラーフィルタ基板側
の所定位置に配置するようにしたが、これに限らず、フォトスペーサ２２を素子基板側の
所定位置に配置するようにしても構わない。

また、上記の各実施形態では、フォトスペーサ２２を、カラーフィルタ基板側において
、反射領域Ｅｒに対応するＣ（シアン）の着色層６Ｃの左下隅の位置近傍に、且つ、ソー
ス線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと
重なる位置に設けるように構成したが、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ２２
を、カラーフィルタ基板側において、反射領域Ｅｒに対応する、Ｃ（シアン）以外のＹ（
イエロー）やＭ（マゼンタ）などの補色の着色層６の左下隅の位置近傍に、且つ、ソース
線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂとの交差位置に対応する位置に、且つ、ＢＭと重
なる位置に設けるように構成しても構わない。

また、上記の各実施形態及び変形例では、透過型の液晶装置又は半透過反射型の液晶装
置に本発明を適用したが、これに限らず、反射型の液晶装置にも本発明を適用することが
できる。また、上記の各実施形態では、ＴＦＴ素子などの三端子型素子を有する液晶装置
に本発明を適用したが、これに限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などの二端子型
非線形素子を有する液晶装置に本発明を適用しても構わない。

また、本発明では、その趣旨を踏まえれば、フォトスペーサ２２の位置は上記の各実施
形態及び変形例に限定されず、当該フォトスペーサ２２は、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに
対応するサブ画素を駆動するゲート線３３、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画
素を駆動するソース線３２若しくはＣ（シアン）の色に対応する画素電極１０と平面的に
重なる位置に配置しても構わない。また、上記の各各実施形態及び変形例のように、フォ
トスペーサ２２を、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応するサブ画素毎に配置した構成に限
定されず、本発明では、フォトスペーサ２２を、Ｃ（シアン）の着色層６Ｃに対応する、
複数の当該サブ画素単位ごとに配置するようにしても構わない。

また、本発明では、上記の各実施形態及び変形例において、各着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｃ
，６Ｂを、それぞれＹ方向に列をなす画素電極１０と重なるようにストライプ状の形状に
形成しても構わない。

また、本発明では、非着色領域６ａは、上記の対応する各実施形態において、反射領域
Ｅｒに対応する着色層６Ｒ，６Ｇ及び６Ｂのうち少なくとも１つ、又は、反射領域Ｅｒに
対応する着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及び６Ｃのうち少なくとも１つに設定するようにしても
構わない。

また、本発明は、その趣旨に鑑みれば、配向膜にラビング処理が施される方式の液晶装
置、例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式を有する液晶装置、又はＩＰＳ（In
Plane Switching）方式を有する液晶装置にも適用することが可能である。その他、本発
明は、上記の各実施形態及び変形例の構成に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の変形をすることが可能である。

［表示画像の変換方法］
次に、上記の実施形態に係る液晶装置１００において、ＲＧＢの各色の画像信号をＲＧ
ＢＣの各色の画像信号に変換する方法について述べる。なお、この方法は、液晶装置１０
０に限らず、上記の各実施形態及び変形例に係る液晶装置にも適用可能である。

図１８は、上記の液晶装置１００の模式図である。液晶装置１００において、入力され
たＲＧＢの各色の画像信号がＲＧＢＣの各色の画像信号に変換される場合、液晶装置１０
０は、表示画像変換回路６１２を備える。表示画像変換回路６１２は、パーソナルコンピ
ュータなどの外部の表示画像出力源６１１より出力されたＲＧＢの各色の画像信号を、Ｒ
ＧＢＣの各色の画像信号に変換して、液晶表示パネル６００に出力する機能を有する。

表示画像変換回路６１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算処理回路
６１２ａと、ＲＡＭ（Random Access Memory）などの記憶部６１２ｂとを備えて構成され
ている。演算処理回路６１２ａは、表示画像出力源６１１より出力された入力画像のＲＧ
Ｂの各色の画像信号６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂを、ＲＧＢＣの各色の画像信号６２Ｒ，６２
Ｇ，６２Ｂ，６２Ｃに変換する。記憶部６１２ｂには、所定の強度のＲＧＢの各色の画像
信号と、これに対応する強度のＲＧＢＣの各色の画像信号とを対応させたＬＵＴ（Look U
p Table）が設けられている。例えば、演算処理回路６１２ａに、Ｃの色のみを表示させ
るＲＧＢの各色の画像信号、例えば、Ｒ＝０、Ｇ＝１００、Ｂ＝１００の強度のＲＧＢの
各色の画像信号が入力された場合、演算処理回路６１２ａは、このＲＧＢの各色の画像信
号の強度に対応する強度のＲＧＢＣの各色の画像信号（例えば、Ｒ＝０、Ｇ＝１０、Ｂ＝
１０、Ｃ＝１００）を、記憶部６１２ｂのＬＵＴより取得し、取得したＲＧＢＣの各色の
画像信号を液晶表示パネル６００へ出力する。これにより、液晶表示パネル６００の表示
画面に、ＲＧＢの各色だけでなく、Ｃの色を表示することができる。このようにすること
で、入力画像の画像信号として、ＲＧＢの画像信号が入力された場合においても、出力画
像の色再現範囲をシアン系色の色再現範囲に拡大することができる。

上記各実施形態および変形例において、各着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ，６Ｃが設けられた
各着色領域は、各サブ画素に対応するものであり、４色の着色領域で１つの画素領域ＡＧ
を構成する。４色の着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光領域（３８０−７８
０ｎｍ）のうち、青系の色相の着色領域、赤系の色相の着色領域と、青から黄までの色相
の中で選択された２種の色相の着色領域からなるとしてもよい。ここで系と用いているが
、例えば青系であれば純粋の青の色相に限定されるものでなく、青紫や青緑等を含むもの
である。赤系の色相であれば、赤に限定されるものでなく橙を含む。また、これら着色領
域は単一の着色層で構成されても良いし、複数の異なる色相の着色層を重ねて構成されて
も良い。また、これら着色領域は色相で述べているが、当該色相は、彩度、明度を適宜変
更し、色を設定し得るものである。

４色の着色領域の具体的な色相の範囲は、例えば、青系の色相の着色領域は、青紫から
青緑であり、より好ましくは藍から青である。赤系の色相の着色領域は、橙から赤である
。青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、青から緑であり、より好ましくは
青緑から緑である。青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、緑から橙であり
、より好ましくは緑から黄である。もしくは緑から黄緑である。ここで、各着色領域は、
同じ色相を用いることはない。例えば、青から黄までの色相で選択される２つの着色領域
で緑系の色相を用いる場合は、他方は一方の緑に対して青系もしくは黄緑系の色相を用い
る。これにより、従来のＲＧＢの着色領域よりも広範囲の色再現性を実現することができ
る。上記着色層６Ｃは、青から緑の色相の着色領域に含まれるものである。よって、上記
各着色層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ，６Ｃを青系の色相の着色領域と、赤系の色相の着色領域と、
緑から橙の色相の着色領域の３色の着色領域に、青から緑の色相の着色領域を加えた４色
の着色領域としても同様の効果を奏する。

また、広範囲の色再現性を色相で述べたが、着色領域の色相の設定は、これを透過した
透過光の波長のピークを基に定めてもよい。例えば、青系の着色領域は、波長のピークが
４１５−５００ｎｍにある着色領域、好ましくは、４３５−４８５ｎｍにある着色領域で
ある。赤系の着色領域は、波長のピークが６００ｎｍ以上にある着色領域で、好ましくは
、６０５ｎｍ以上にある着色領域である。青から黄までの色相で選択される一方の着色領
域は、波長のピークが４８５−５３５ｎｍにある着色領域で、好ましくは、４９５−５２
０ｎｍにある着色領域である。青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、波長
のピークが５００−５９０ｎｍにある着色領域、好ましくは５１０−５８５ｎｍにある着
色領域、もしくは５３０−５６５ｎｍにある着色領域である。

また、ｘｙ色度図で４色の着色領域の設定を行ってもよい。青系の着色領域は、ｘ≦0.
151、ｙ≦0.056にある着色領域であり、好ましくは、0.134≦ｘ≦0.151、0.034≦ｙ≦0.0
56にある着色領域である。赤系の着色領域は、0.643≦ｘ、ｙ≦0.333にある着色領域であ
り、好ましくは、0.643≦ｘ≦0.690、0.299≦ｙ≦0.333にある着色領域である。青から黄
までの色相で選択される一方の着色領域は、ｘ≦0.164、0.453≦ｙにある着色領域であり
、好ましくは、0.098≦ｘ≦0.164、0.453≦ｙ≦0.759にある着色領域である。青から黄ま
での色相で選択される他方の着色領域は、0.257≦ｘ、0.606≦ｙにある着色領域であり、
好ましくは、0.257≦ｘ≦0.357、0.606≦ｙ≦0.670にある着色領域である。

これら４色の着色領域は、サブ画素に透過領域と反射領域を備えた場合、透過領域及び
反射領域も上述した範囲で適用することができるものである。

上記４色の着色領域の構成の例として、以下のものが挙げられる。
（１）色相が、赤、青、緑、シアン（青緑）の着色領域。
（２）色相が、赤、青、緑、黄の着色領域。
（３）色相が、赤、青、深緑、黄の着色領域。
（４）色相が、赤、青、エメラルド、黄の着色領域。
（５）色相が、赤、青、深緑、黄緑の着色領域。
（６）色相が、赤、青緑、深緑、黄緑の着色領域。

[電子機器]
次に、上述した各実施形態及び変形例に係る液晶装置１００等を適用可能な電子機器の
具体例について図１９を参照して説明する。

まず、各実施形態及び変形例に係る液晶装置１００等を、可搬型のパーソナルコンピュ
ータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１９（ａ
）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パー
ソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る
液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。

続いて、各実施形態及び変形例に係る液晶装置１００等を、携帯電話機の表示部に適用
した例について説明する。図１９（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。
同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２
２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７２４を備
える。

なお、各実施形態及び変形例に係る液晶装置１００等を適用可能な電子機器としては、
図１９（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１９（ｂ）に示した携帯電話機の他に
も、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。 図１における切断線Ａ−Ａ´に沿った断面図。 第１実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 図３における切断線Ｂ−Ｂ´に沿った部分断面図。 第２実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第３実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第４実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 図７における切断線Ｃ−Ｃ´に沿った部分断面図。 第５実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第６実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第７実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 図１１における切断線Ｄ−Ｄ´に沿った部分断面図。 第８実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第９実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第１０実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第１１実施形態の画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 変形例に係る画素構成及びフォトスペーサの配向構造を示す平面図。 第１実施形態等に係る液晶装置の表示画像の変換方法を示す模式図。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。

符号の説明

４…液晶層、５…反射膜、６ａ，６ｂ…着色領域を備えていない領域としての非着色領
域、６Ｒ，ＲＧ，６Ｂ，６Ｃ…着色領域としての着色層、８…共通電極、１０…画素電極
、１７，２０…配向膜、２１，２３…スイッチング素子としてのＴＦＴ素子、２２…フォ
トスペーサ、３２…ソース線、３３…ゲート線、６１…層間膜、６２…段差形成膜として
の段差膜、９１，９３，９５…第２基板としての素子基板、９２，９４，９６…第１基板
としてのカラーフィルタ基板、１００…液晶装置、７１０…電子機器としてのパーソナル
コンピュータ、７２０…電子機器としての携帯電話機、Ｅ２…ラビング処理が施されてい
ない領域としての配向不良領域、Ｅｒ…反射領域、Ｅｔ…透過領域、ＳＧ，ＳＧｂ，ＳＧ
ｃ，ＳＧｇ，ＳＧｒ…表示画素としてのサブ画素領域。

Claims (16)

1. 第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
   前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
   前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、
   前記着色層は、青系の色相の着色層、赤系の色相の着色層、および互いに異なる２色の緑系の色相の着色層を含み、
   前記緑系の色相の着色層は青から緑の間の色相の着色層を含み、
   前記配向不良領域が、前記青から緑の間の色相の着色層を有してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
2. 反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、
   前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を前記反射領域に備え、
   前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第１基板、および前記第２基板のうち一方の基板は前記着色層を備え、
   他方の基板はソース線とゲート線と、前記ソース線及び前記ゲート線に接続されたスイッチング素子とを備え、
   前記青から緑の色相の着色層を有する画素は前記スイッチング素子に接続された画素電極を含んでなり、
   前記スペーサは、前記ゲート線、前記ソース線、前記画素電極、或いは前記スイッチング素子と平面的に重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 前記配向不良領域に対応する位置に遮光層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素を区画する遮光層を有し、
   前記配向不良領域は前記遮光層と重ならない部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
6. 前記緑系の色相の着色層は、緑から橙の間の色相の着色層を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
7. 前記前記反射領域に対応して設けられた前記着色層の光学濃度は、前記透過領域に対応して設けられた前記着色層の光学濃度よりも薄く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
8. 前記前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素は、反射領域内において前記着色層を備えていない領域を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
9. 前記複数の画素のうち前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素が透過表示を行う透過領域を、他の画素が透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を、それぞれ有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
10. 前記複数の画素のうち前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素の面積が、他の画素の面積より小さく設定されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
11. 前記青から緑の色相の着色層を有してなる画素が、前記着色層が形成されていない領域を含んでなり、前記配向不良領域は、前記着色層が形成されていない領域に位置していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
12. 前記前記青から緑の色相の着色層が、シアンの色相の着色層であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちいずれか１項に記載の液晶装置。
13. 第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
    前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
    前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、
    前記着色層は、透過光の波長のピークが、４１５〜５００ｎｍの着色層、６００ｎｍ以上の着色層、４８５〜５３５ｎｍの着色層、および５００〜５９０ｎｍの着色層を含み、
    前記配向不良領域が、前記透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色層を有してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
14. 反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、
    前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を備え、
    前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置。
15. 第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
    前記複数の画素の夫々は、互いに異なる色相の着色層を有し、
    前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
    前記着色層は、
    青系の色相に対応する第１着色層と、
    赤系の色相に対応する第２着色層と、
    緑系の色相に対応する第３着色層と
    青系、赤系および緑系の色相から選ばれる色相と補色の関係にある色相に対応する第４着色層と、を含み、
    前記配向不良領域が、前記第４着色層を有してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
16. 請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。

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