KR19990064215A - 피복된 플라스틱 기판 - Google Patents

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그레이스 스티븐 에스.
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Abstract

본 발명은 a) 표면을 갖는 플라스틱 기판; b) 실질적인 산소 부재하에 접착을 위한 계면적 화학 반응이 일어나기에 충분한 수준의 전력에서 기판의 표면상에 부착된, 제1 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 접착 촉진층; 및 c) SiO1.8-2.4C0.3-1.0및 H0.7-4.0의 규소 중합체를 형성하기에 충분한 화학양론적 산소 과량하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접착 층의 표면상에 부착된, 제 2 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 보호 피복층을 포함하는 적층물에 관한 것이다. 피복층은 기판에 대해 마모 및 용매 내성을 제공하고, 접촉 촉진층은 피복층이 기판으로부터 박리되는 것을 방지한다. 피복된 플라스틱 기판은 유리 대신 액정 디스플레이에 사용될 수 있다.

Description

피복된 플라스틱 기판
본 발명은 액정 디스플레이(liquid crystal display) 장치에 유용한 피복된 플라스틱 기판에 관한 것이다. 피막은 마모 및 용매 분해로부터 기판을 보호한다.
최근, 강도(ruggedness)가 개선된 보다 얇고 가벼운 액정 디스플레이가 요구되고 있다. 상기 필요성은, 고가의 휴대용 장치가 겨우 10센트짜리 유리 파손으로 커다란 손실을 입는다는 사실로 입증된다. 더구나 일부 장치에서는 모든 분야 고장의 절반 이상이 상기한 파손에 기인한다. 플라스틱 기판은 가요성 및 충격 내성이 우수하므로 액정 디스플레이 장치(LCD)에서 유리 대신 기판으로 사용할 수 있다. 또한, 플라스틱 기판은 제조 공정에서 개선된 수율을 통하여 유리 기판을 능가하는 경제적 이점을 제공할 수 있다.
개선된 강도를 위해 유리 기판의 고유한 이점을 희생할 수는 없다. 플라스틱을 기판으로 선택할 경우, a) 광학적 투명도; b) 디스플레이를 제조하는데 필요한 온도, 일반적으로 160℃ 이상에서의 안정성; c) 낮은 복굴절률; d) 디스플레이 제조에 사용된 화학 약품에 대한 내성; e) 광안정성; f) 내인소성(scratch resistance); g) 경도 및 h) 전기 저항성을 포함한, 특정한 물리적 성질을 갖도록 고안하는 것이 바람직하다.
따라서, LCD용 유리에 대한 대안 및 유리 기판의 상기한 결함을 극복할 수 있는 다른 사용을 찾는 것이 바람직하다.
도 1은 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌 및 비스페놀 A의 공중합카보네이트의 광탄성 계수(stress optic coefficient, SOC) 및 유리 전이 온도(Tg)의 그래프이다.
제 1 양태에서, 본 발명은
a) 표면을 갖는 플라스틱 기판;
b) 실질적인 산소 부재하에 접착을 위한 계면적 화학 반응이 일어나기에 충분한 수준의 전력에서 상기 기판의 표면상에 부착된, 제 1 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 접착 촉진층; 및
c) 단계 b) 보다 높은 수준의 산소 존재하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접착 층의 표면상에 부착된, 제 2 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 보호 피복층을 포함하는 적층물에 관한 것이다.
제 2 양태에서, 본 발명은
a) 표면을 갖고 두께가 0.1㎜ 내지 10㎜인 플라스틱 기판;
b) 실질적인 산소 부재하에 상기 기판의 표면상에 부착된, 두께가 1000Å 내지 2000Å인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 접착 촉진층;
c) -Si-O-Si, -Si-CH2-, -Si-H 및 -Si-OH의 작용기 중 하나 이상의 작용기 및 트랩된 물을 함유하는 화학식 SiO1.8-2.4C0.3-1.0및 H0.7-4.0의 유기규소 화합물을 형성하기에 충분한 화학양론적 과량의 산소 존재하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접착 촉진층의 표면상에 부착된, 두께가 0.1μ 내지 2μ인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 보호 피복층; 및
d) 화학양론적 과량의 산소 존재하에 보호 피복층을 형성하는데 사용된 전력 밀도의 4배 이상의 전력 밀도에서 보호 피복층의 표면상에 부착된, 두께가 0.1μ 내지 1μ인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 SiOx층을 포함하는 적층물에 관한 것이다.
본 발명의 적층물은, 층을 형성한 피막이 존재하므로 마모 및 용매에 대해 내성을 갖는다. 또한, 피막은 접착 촉진층이 존재하므로 박리에 대해 내성을 갖는다.
본 발명의 적층물에 사용된 기판은 열가소성 또는 열경화성 물질일 수 있다. 적합한 열가소성 물질의 예로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알코올, 폴리비닐아세탈, 폴리메타크릴레이트 에스테르, 폴리아크릴산, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 셀룰로오즈 수지, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리비닐클로라이드, 불소-함유 수지 및 폴리설폰이 있다. 열경화성 물질의 예로는 에폭시 및 우레아 멜라민이 있다.
기판의 두께는 적용에 따라 다르지만, 바람직하게는 0.1㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.3㎜ 이상, 가장 바람직하게는 0.5㎜ 이상이고, 바람직하게는 10㎜ 이하, 보다 바람직하게는 5㎜ 이하, 가장 바람직하게는 2㎜ 이하이다.
기판의 표면은 먼저, 기판의 표면상에 부착된 유기규소 화합물의 플라즈마 중합화로 형성된 접착 촉진층으로 피복된다. 접착 촉진층을 생성하는 유기규소 화합물의 플라즈마 중합화는 접착을 위한 계면적 화학 반응이 일어나기에 충분한 전력 수준, 바람직하게는 5×107J/㎏ 내지 5×109J/㎏의 전력 수준에서 수행된다. 접착 촉진층은 산소와 같은 담체 기체의 부재하에 또는 실질적인 부재하에 제조된다. 본원에서 용어 "산소의 실질적인 부재"는, 플라즈마 중합화 공정중에 존재하는 산소의 양이 유기규소 화합물중의 모든 규소 및 탄소를 산화시키기에 불충분한 것을 의미한다. 유사하게, 본원에서 용어 "화학양론적 과량의 산소"는, 존재하는 산소 총 몰수가 유기규소 화합물중의 규소 및 탄소의 총 몰수를 초과하는 것을 의미한다.
접촉 촉진층의 두께는 적용에 따라 다르고, 바람직하게는 50Å 이상, 보다 바람직하게는 500Å 이상, 가장 바람직하게는 1000Å 이상이고, 바람직하게는 10,000Å 이하, 보다 바람직하게는 5000Å 이하, 가장 바람직하게는 2000Å 이하이다,
이어서, 접촉 촉진층은, 접촉 촉진층의 형성에 사용된 것보다 훨씬 높은 수준의 산소 존재하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접촉 촉진층의 표면상에 부착된, 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 보호 피복층으로 피복된다. 바람직하게, 보호 피복층은 화학양론적 과량의 산소하에 형성된다.
기판에 대한 보호 피막의 두께는 주로 피막의 성질 뿐만 아니라 기판에 의존적이지만, 일반적으로 기판이 용매 내성을 나타내기에 충분한 두께여야 한다. 바람직하게 피막 두께는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.4 이상, 가장 바람직하게는 0.8μ 이상이고, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 가장 바람직하게는 2μ 이하이다.
적층물은, 화학양론적 과량의 산소 존재하에 보호 피복층의 형성에 사용된 전력 밀도의 2배 이상, 보다 바람직하게는 4배 이상, 가장 바람직하게는 6배 이상에서 보호 피복층의 표면상에 부착된 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 SiOx층을 임의적으로 포함할 수 있다. 상기 층은 편의상 SiOx층으로 언급한다. 그러나, SiOx층은 또한 수소 및 탄소 원자를 포함할 수 있다. SiOx층의 두께는 일반적으로 보호 피복층의 두께 미만이고 바람직하게는 0.01μ 이상, 보다 바람직하게는 0.02μ 이상, 가장 바람직하게는 0.05μ 이상이고, 바람직하게는 5μ 이하, 보다 바람직하게는 2μ 이하, 가장 바람직하게는 1μ 이하이다.
접촉 촉진층을 보호 피복층 및 SiOx층의 교대층으로 피복하는 것이 바람직하다. 보호 피복층 및 SiOx층의 두께 비는 바람직하게 1:1 이상, 보다 바람직하게는 2:1 이상이고, 바람직하게는 10:1 이하, 보다 바람직하게는 5:1 이하이다.
유기규소 중합체 피막은 실란, 실록산 또는 실라잔과 같은 유기규소 화합물로부터 제조된다. 실란의 예는 디메톡시디메틸실란, 메틸트리메톡시실란, 테트라메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디에톡시디메틸실란, 메틸트리에톡시실란, 트리에톡시비닐실란, 테트라에톡시실란, 디메톡시메틸페닐실란, 페닐트리메톡시실란, 3-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 디에톡시메틸페닐실란, 트리스(2-메톡시에톡시)비닐실란, 페닐트리에톡시실란 및 디메톡시디페닐실란을 포함한다. 실록산의 예는 테트라메틸디실록산(TMDSO) 및 헥사메틸디실록산을 포함한다. 실라잔의 예는 헥사메틸실라잔 및 테트라메틸실라잔을 포함함다.
유기규소 중합체 피막은 미국 특허 제5,298,587에 기술된 바와 같이 플라즈마 촉진된 화학적 증착(plasma enchanced chemical vapor deposition: PECVD) 기술에 의해 적용시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 한 양태에서, 적층물은 광학적으로 투명하고, -2000 내지 +2500 Brewster의 광탄성 계수(SOC) 및 미분 스캐닝 열계량법에 의해 측정된 Tg가 160℃ 내지 270℃인 기판을 포함한다. 기판의 SOC는, 바람직하게 -1000 이상, 보다 바람직하게는 -500 이상, 가장 바람직하게는 -100 이상이고, 바람직하게는 1000 이하, 보다 바람직하게는 500 이하, 가장 바람직하게는 100 Brewster 이하이다. 기판의 Tg는, 바람직하게 180℃ 이상, 보다 바람직하게는 190℃ 이상, 가장 바람직하게는 200℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 240℃ 이하, 가장 바람직하게는 230℃ 이하이다. 본원에서 용어 "광학적으로 투명한"은, ASTM D-1003에 따라 측정된 기판의 투광치가 80% 이상, 바람직하게는 85% 이상임을 의미한다.
액정 디스플레이 적용을 위해, 기판은 바람직하게는 바람직한 SOC 및 Tg를 갖는 단일 중합체 또는 공중합체 또는 블렌드일 수 있는 카보네이트 중합체를 포함한다. 기판은 바람직하게는 카보네이트 전구체와 방향족 폴리올, 보다 바람직하게는 방향족 디올의 반응 생성물인 카보네이트 중합체를 포함한다. 방향족 디올의 대표적인 예는 카테콜, 하이드로퀴논, 디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시안트라센, 비스(하이드록시아릴)플루오렌, 디하이드록시페난트렌, 디하이드록시비페닐 및 비스(하이드록시페닐)프로판을 포함한다. 바람직한 방향족 디올은 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌 및 비스페놀 A를 포함한다.
상기 카보네이트 중합체 제조에 사용하기 적합한 카보네이트 전구체는 본 기술 분야에서 공지되어 있으며, 카본산 유도체, 포스겐, 할로포르메이트 또는 카보네이트 에스테르, 예를 들어 디메틸 카보네이트 또는 디페닐 카보네이트를 포함한다. 카보네이트 중합체는 계면, 용액 또는 용융 공정을 포함하는, 본 기술 분야에서 공지된 모든 다양한 중합화 공정에 따라 제조할 수 있다.
기판은, 바람직하게는 디하이드록시아릴플루오렌 단량체 및 비스페놀 단량체의 반복 단위, 보다 바람직하게는 9,9-디하이드록시아릴플루오렌 및 비스페놀 A의 반복 단위를 함유하는 카보네이트 중합체를 포함한다. 9,9-디하이드록시아릴플루오렌 및 비스페놀 A의 단위 비는 바람직하게는 30:70 이상, 보다 바람직하게는 40:60 이상이고 바람직하게는 90:10 이하, 보다 바람직하게는 70:30 이하이다.
도 1은 많은 9,9-비스하이드록시페닐플루오렌(BHPF) 및 비스페놀 A(BPA)의 공중합카보네이트의 SOC 및 Tg의 가변도를 그래프로 도식화한 것이다. 이 그래프는 BHPF/BPA 30:70 내지 90:10 ㏖% 범위의 공중합카보네이트가 액정 디스플레이 장치 적용에 특히 적합한 SOCs 및 Tgs를 갖는다는 것을 보여준다. 최적의 SOC(SOC=0)는 BHPF/BPA의 비가 70:30에서 나타나는 반면, 최적의 Tg는 다소 낮은 비에서 나타난다. 다행히, SOC의 실질적인 변화없이, 예를 들어 에스테르 단위를 카보네이트 중합체로 혼입시켜 카보네이트/에스테르 공중합체를 제조하거나 폴리에스테르 및/또는 카보네이트/에스테르 공중합체를 카보네이트 중합체와 블렌딩하여 Tg를 조절할 수 있다. 카보네이트 중합체로 혼입되는 상기 에스테르 단위의 농도 또는 카보네이트 중합체와 블렌딩되는 폴리에스테르 및/또는 카보네이트/에스테르 공중합체의 농도는, 다른 물리적 성질의 실질적인 감소없이 목적하는 Tg를 얻기에 충분하다.
바람직하게는, 에스테르 단위는 지방족 또는 방향족 이산 또는 이산 클로라이드의 반응 생성물이다. 지방족 이산 또는 이산 클로라이드는 바람직하게 C3-12이산 또는 이(산 클로라이드), 보다 바람직하게는 C4-8이산 또는 이(산 클로라이드)이고, 가장 바람직하게는 아디프산, 아디포일 클로라이드, 석신산 또는 석시닐 클로라이드이다. 방향족 이산은 바람직하게는 테트라프탈산, 테레프탈로일 클로라이드, 이소프탈산, 이소프탈로일 클로라이드, 2,6-나프탈렌 디카복실산 또는 2,6-나프탈렌 이산 클로라이드이다. 기판에서 바람직한 에스테르 단위의 농도는 카보네이트 단위 및 에스테르 단위의 총 몰을 기준으로 하여 10 내지 50몰%이다.
하기의 실시예는 단지 설명만을 위한 것이고 본 발명의 범위를 한정하지는 않는다. 모든 퍼센트는, 별도의 언급이 없을시 중량:중량을 의미한다.
실시예 1
SiO x C y H z -피복된 카보네이트 중합체의 제조
A. 60:40 몰비의 BHPF/BPA 공중합카보네이트의 제조
9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌(BHPF) 60몰% 및 비스페놀 A(BPA) 40몰%의 공중합카보네이트를 하기와 같이 제조한다. 플러그를 갖는 고압 반응기 100mL에 BPA(0.913g, 0.4m㏖), BHPF(2.102g, 6.0m㏖), t-부틸페놀(0.045g, 0.30m㏖), 50% NaOH 수용액(2.0g, 25.0m㏖) 및 물(16.14g)을 첨가한다. 반응기를 질소로 퍼징시킨다. 질소 기체를 반응기의 공기층을 통해 10분 동안 불어 넣은 뒤, 플러그를 단단히 조인다. 밀봉된 반응기를 수욕(69℃ 내지 71℃)에 두고 용액을 교반시킨다. 단량체가 용해된 후, 메틸렌 클로라이드 중의 포스켄 용액(6.65% 용액 20.08g, 13m㏖)을 25mL-기체-충전 주사기를 사용하여 교반된 혼합물에 첨가한다. 주사기를 제거하고 반응 혼합물을 30초 동안 흔든다. 50% NaOH(2.0g, 25m㏖)을 격막을 통해 주사기로 두 번째로 첨가한다.
혼합물은 1분 동안 흔들고, 추가로 메틸렌 클로라이드(11.17g)를 주사기를 통해 첨가한 후 4-디메틸아미노 피리딘(1% 수용액 0.6mL)을 첨가한다. 상기 혼합물을 1분 동안 흔들고, 반응기를 빙욕에서 젓는다. 반응기를 열고 수상은 피펫팅한다. 유기상은 1N HCl로 한 번 세척하고 물로 두 번 세척한 뒤, 증발에 의해 제거시킨다. 생성된 공중합카보네이트는 Tg가 230℃이다(PC-230). 상기한 일반적 공정은 추가량의 공중합카보네이트를 제조하는데 이용되며, 이는 127-×127-×1.6-㎜ 플라크로 주입 성형된다.
B. BHPF/BPA 공중합카보네이트 블렌드의 제조
Tg가 190℃인 BHPF/BPA 공중합카보네이트 블렌드(PC-190)를 상기 A단락에서 기술된 방법으로 제조된 공중합카보네이트(56중량부)와 비스페놀 A 폴리카보네이트(44중량부)를 무수-블렌딩시켜 제조할 수 있다. 생성된 혼합물을 200℃로 맞춰진 공급 존 및 310℃로 맞춰진 네 개의 잔여 존을 갖는 30-㎜ 베르너-플라이데러(Werner-Pfleiderer) 압출기를 사용해 압출 화합화하고 펠릿화한다.
C. 카보네이트 중합체 기판상의 PECVD 피막 부착
고도로 가교-결합된 유기규소 피막(화학식 SiOxCyHz)의 부착은 미국 특허 제5,320,875호의 도 1, 2 및 3에 나타난 바와 같이, 쇼어 헤드 플래너 마그네트론 음극(shower head planar magnetron cathode)이 장치된 PECVD 스테인레스 스틸 박스에서 수행된다. A단락 또는 B단락의 플라크(각각 PC-230 또는 PC-190)는 음극중심 주변의 음극으로부터 3.2㎝ 상부에 위치한다. 플라크는 1000 내지 1500-Å 두께의 플라즈마 중합된 TMDSO의 접착 층으로 먼저 피복시킨다. TMDSO(4 sccm)은 쇼어 헤드 음극을 통해 챔버내로 공급한다. 쇼어 헤드의 기체 유입구를 마그네트론 음극의 플라즈마 환상에 균일하게 분포시킨다. 상기한 기체 유입 배치는, 분자를 가장 센 플라즈마 영역으로 통과시켜 테트라메틸디실록산의 붕괴 가능성을 최대화한다. TMDSO 증기 흐름은 모델 1152(MKS Inc)의 증기 흐름 조절기에 의해 조절되고 플라즈마 전력은 ENI 전력 공급기(Model PalsmaLoc 2)에 의해 공급된다. 접착 촉진층의 부착이 일어나는 동안 플라즈마에 부하된 전력은, 전력 밀도 6.3×108J/㎏에 상응하는 40Khz에서 500와트(W)이다. 챔버의 기본 압력은 1 mTorr 미만이다. 공정 압력은 약 27 mTorr이다.
고도로 가교-결합된 유기규소 피막은, 40 sccm O2(유속은 모델 1160 MKS 가스 흐름 조절기에 의해 조절된다)와 4 sccm TMDSO의 혼합물을 챔버내로 공급시켜 접착 층에 부착시킨다. 부착이 일어나는 동안 플라즈마에 부하된 전력은, 전력 밀도 2.9×107J/㎏에 상응하는 40Khz에서 40W이다.
N-메틸피롤리디논(NMP)에 대한 피복 플라크의 내성은 NMP를 피복 표면에 적가하고, 이를 물로 세척하기 전 5분 동안 방치시킴으로써 측정한다. 얼룩이 없다는 육안적 관찰로 NMP에 대한 내성을 보였다. PC-230에 대한 1.0-, 1.2-, 1.4-, 및 1.6-μ 두께의 피막은 용매 내성을 보였다. PC-190에 대한 1.2-,1.4-, 및 1.6-μ 두께의 피막은 용매 내성을 보였다.
실시예 2
SiO x C y H z /SiO x -피복된 카보네이트 중합체 제조
실시예 1에서 제조된 접착 촉진층을 갖는 플라크를 SiOx및 유기규소 피복물로 교대로 피복시킨다. SiOx피막은 각각 0.072μ의 두께를 갖고, 고도로 가교-결합된 유기규소 피막은 각각 0.262μ의 두께를 갖는다. 제1 SiOx피막은 40 sccm O2(유속은 모델 1160 MKS 가스 흐름 조절기에 의해 조절된다) 및 40 sccm TMDSO 혼합물을 챔버내로 공급시켜 플라크에 적용한다. 부착이 일어나는 동안 플라즈마에 부하된 전력은, 전력 밀도 1.8×108J/㎏에 상응하는 40Khz에서 40W이다. 그후, 제1 유기규소 피복을 실시예 1에서 기술된 조건을 사용하여 적용한다. 제2 SiOx피복을 적용시키고 이어서 제2 유기규소 피복을 적용시킨 후, 제3 SiOx피복을 적용시키고 최종적으로 제3 유기규소 피복을 적용시킨다. 피막의 총 두께는 1.0μ이다. PC-190 및 PC-230 샘플 모두 상기한 교대적 피복 기술을 이용함으로써 NMP에 대하여 내성을 나타내었다.

Claims (10)

  1. a) 표면을 갖는 플라스틱 기판;
    b) 실질적인 산소 부재하에 접착을 위한 계면적 화학 반응이 일어나기에 충분한 수준의 전력에서 상기 기판의 표면상에 부착된, 제 1 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 접착 촉진층; 및
    c) 단계 b) 보다 높은 수준의 산소 존재하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접착 층의 표면상에 부착된, 제 2 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 보호 피복층을 포함하는 적층물.
  2. 제1항에 있어서, 화학양론적 과량의 산소 존재하에 보호 피복층 형성에 사용된 전력 밀도의 2배 이상의 전력 밀도에서 보호 피복층의 표면상에 부착된, 제3 플라즈마 중합된 유기규소 화합물의 SiOx층을 추가로 포함하는 적층물.
  3. 제2항에 있어서, 보호 피복층 및 SiOx층의 교대층을 추가로 포함하는 적층물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 중합된 유기규소 중합체가 각각 독립적으로, 디메톡시디메틸실란, 메틸트리메톡시실란, 테트라메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디에톡시디메틸실란, 메틸트리에톡시실란, 트리에톡시비닐실란, 테트라에톡시실란, 디메톡시메틸페닐실란, 페닐트리메톡시실란, 3-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 디에톡시메틸페닐실란, 트리스(2-메톡시에톡시)비닐실란, 페닐트리에톡시실란, 디메톡시디페닐실란, 테트라메틸디실록산, 헥사메틸디실록산, 헥사메틸실라잔 및 테트라메틸실라잔으로 이루어진 그룹중에서 선택되는 적층물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 중합된 유기규소 중합체가 각각 테트라메틸디실록산인 적층물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 기판이 카보네이트 전구체와 방향족 디올의 반응 생성물 반복 단위를 포함하는 카보네이트 중합체인 적층물.
  7. 제6항에 있어서, 방향족 디올이 레소르시놀, 카테콜, 하이드로퀴논, 디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시안트라센, 비스(하이드록시아릴)플루오렌, 디하이드록시페난트렌, 디하이드록시비페닐 또는 비스(하이드록시페닐)프로판을 포함하는 적층물.
  8. 제7항에 있어서, 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌 및 비스페놀 A의 반복 단위 비가 40:60 내지 70:30인 적층물.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 기판의 Tg가 180℃ 내지 240℃이고, 적층물의 SOC가 -1000 내지 1000 Brewster 이하이며, 광학적으로 투명한 적층물.
  10. a) 표면을 갖고 두께가 0.1㎜ 내지 10㎜인 플라스틱 기판;
    b) 실질적인 산소 부재하에 상기 기판의 표면상에 부착된, 두께가 1000Å 내지 2000Å인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 접착 촉진층;
    c) -Si-O-Si, -Si-CH2-, -Si-H 및 -Si-OH의 작용기 중 하나 이상의 작용기 및 트랩된 물을 함유하는 화학식 SiO1.8-2.4C0.3-1.0및 H0.7-4.0의 유기규소 화합물을 형성하기에 충분한 화학양론적 과량의 산소 존재하에 106J/㎏ 내지 108J/㎏의 전력 밀도에서 접착 촉진층의 표면상에 부착된, 두께가 0.1μ 내지 2μ인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 보호 피복층; 및
    d) 화학양론적 과량의 산소 존재하에 보호 피복층을 형성하는데 사용된 전력 밀도의 4배 이상의 전력 밀도에서 보호 피복층의 표면상에 부착된, 두께가 0.1μ 내지 1μ인 플라즈마 중합된 테트라메틸디실록산의 SiOx층을 포함하는 적층물.
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