KR19990061116A - 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트 - Google Patents

공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트 Download PDF

Info

Publication number
KR19990061116A
KR19990061116A KR1019970081370A KR19970081370A KR19990061116A KR 19990061116 A KR19990061116 A KR 19990061116A KR 1019970081370 A KR1019970081370 A KR 1019970081370A KR 19970081370 A KR19970081370 A KR 19970081370A KR 19990061116 A KR19990061116 A KR 19990061116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
meth
acrylate
hydroxy
norbornyl
copolymer resin
Prior art date
Application number
KR1019970081370A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100354871B1 (ko
Inventor
정민호
정재창
복철규
백기호
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019970081370A priority Critical patent/KR100354871B1/ko
Priority to TW087120310A priority patent/TW422939B/zh
Priority to US09/208,650 priority patent/US6248847B1/en
Priority to JP36751798A priority patent/JP3943268B2/ja
Priority to DE19860832A priority patent/DE19860832A1/de
Priority to CNB981259987A priority patent/CN1219802C/zh
Publication of KR19990061116A publication Critical patent/KR19990061116A/ko
Priority to US09/861,394 priority patent/US6372935B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100354871B1 publication Critical patent/KR100354871B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D309/00Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings
    • C07D309/02Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D309/08Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D309/10Oxygen atoms
    • C07D309/12Oxygen atoms only hydrogen atoms and one oxygen atom directly attached to ring carbon atoms, e.g. tetrahydropyranyl ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/52Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
    • C07C69/533Monocarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
    • C07C69/54Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/013Esters of alcohols having the esterified hydroxy group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/74Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • C07C69/757Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 KrF 나 ArF 등의 초단파장 광원용 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 함유하는 포토레지스트에 관한 것이다. 본 발명에 따른 공중합체 수지는 포토레지스트용 공중합체 구조에 노르보닐(메타)아크릴레이트 단위체를 도입함으로써 통상의 라디칼 중합으로 중합이 용이하며, 193 nm 파장에서 투명성이 높고 에칭 내성이 증가할 뿐만 아니라 노르보닐 그룹내의 친성기로 인한 접착력을 크게 증가시킬 수 있고 실제 패터닝 실험에서 0.15㎛의 우수한 해상력을 나타낸다.

Description

공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
본 발명은 KrF 나 ArF등의 초단파장 광원용 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트용 공중합체 구조에 노르보닐(메타)아크릴레이트 단위체를 도입함으로써 1G, 4G DRAM등의 차세대 메모리 소자에의 적용이 예상되는 KrF(248㎚) 혹은 ArF(193㎚) 광원을 이용하는 리소그래피(lithography) 공정에 사용될 수 있는 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 함유하는 포토레지스트에 관한 것이다.
일반적으로 ArF용 공중합체 수지는 193 nm파장에서의 낮은 광흡수도, 에칭내성, 접착성등이 요구되고 있으며 또한 2.38 w% 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 수용액으로 현상이 가능해야 하지만, 포토레지스트의 이러한 모든 특성을 만족시키는 공중합체 수지를 합성하기는 매우 어렵다. 현재까지 많은 연구방향은 193 nm 파장에서 투명성을 높이고 에칭내성을 증가시키기 위한 수지로서 노볼락계열의 수지탐색에 집중되어 왔다. 이에 따라 (메타)아크릴레이트 수지계통의 높은 투명성을 가지는 특성을 이용하고 내에칭성의 부족을 수지 측쇄에 지환족 고리화합물을 도입하여 해결하고자 하는 시도가 주된 연구 방향이 되고 있다. 그의 한 예로 IBM사는 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체수지를 제안하였다.
상기식에서,
R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
그러나, 상기 화학식 1의 공중합체 수지는 측쇄에 지환족 고리화합물을 도입함에 따라 감광막 자체의 친유성(hydrophobicity) 증가가 현상액에 대한 용해도 저하 및 접착력의 약화를 초래하게 되어, 일정 수준 이하로밖에 공중합체 수지에 함유할 수 없다. 이와는 반대로 지환족 화합물이 일정 수준이상 함유되지 않으면 원하는 내에칭 물성을 만족할 수 없게 된다. 즉 내에칭성과 접착력을 동시에 적절히 만족시킬 수 있는 구조를 가진 수지의 합성이 요청되고 있는 실정이다. 지금까지 도입된 측쇄고리 화합물중 노르보닐, 아다만틸 등의 그룹들이 내에칭성 측면에서 가장 효과적인 것으로 알려져 있다. 그러나 상기 화학식 1을 비롯한 종래의 공중합체 수지는 수지 조성중 고리형 화합물이 차지하는 분율이 높아질수록 친유성의 증가에 따른 접착력의 약화가 최대의 문제점이 되고 있다.
이에 본발명자들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 수 많은 연구와 실험을 거듭한 결과, 포토레지스트용 공중합체 수지종중에 노르보닐 (메타)아크릴레이트 단위체를 도입함으로써 통상의 라디칼 중합 방법으로의 중합이 용이하며 193㎚ 파장에서 투명성이 높고 에칭내성이 증가할 뿐만 아니라, 노르보닐 그룹내에 친수성기를 도입하여 접착력의 증가를 가져올 수 있고, 또한 적절한 보호기를 도입하여 노광 및 후가열공정을 거치는 동안 탈보호기작을 통하여 현상액에 대한 노광부와 비노광부의 현저한 용해도 차이를 줄 수 있다는 놀라운 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명은 공중합체 구조중에 하기 화학식 2로 표시되는 5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 유도체를 함유함을 특징으로 하는 공중합체 수지에 관한 것이다.
상기식에서,
R은 2-t-부톡시 카르보닐, 2-카르복실릭 애시딜, 2-하이드로피란일옥시카르보닐, 2-하이드록시푸란일옥시카르보닐 또는 2-에톡시에틸옥시카르보닐을 나타내며,
R1은 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 공중합체 수지는 바람직하게는 하기 화학식 3 내지 7로 표시되는 공중합체를 포함한다.
(1) 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
[상기식중, R1및 R2는 각각 수소 또는 메틸이고, x 및 y는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다],
(2) 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴산/(메타)아크릴산] 공중합체 수지(분자량 : 4,000-100,000).
[상기식중, R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고, x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다],
(3) 폴리[2-하이드록시피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
[상기식중, R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고, x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다],
(4) 폴리[2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
[상기식중, R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고, x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다].
(5) 폴리[2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
[상기식중, R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고, x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다].
본 발명에 따른 화학식 3의 공중합체 수지는 하기 반응도식 Ⅰ에 나타낸 바와같이, 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 및 2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트를 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시켜 제조할 수 있다.
[반응도식 Ⅰ]
상기식에서,
R1및 R2는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 화학식 4의 공중합체 수지는 하기 반응도식 Ⅱ에 나타낸 바와같이, 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴레이트를 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시켜 제조할 수 있다.
[반응도식 Ⅱ]
상기식에서,
R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 화학식 5의 공중합체 수지는 하기 반응도식 Ⅲ에 나타낸 바와같이, [2-하이드록시피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴레이트를 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시켜 제조할 수 있다.
[반응도식 Ⅲ]
상기식에서,
R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 화학식 6의 공중합체 수지는 하기 반응도식 Ⅳ에 나타낸 바와같이, 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시켜 제조할 수 있다.
[반응도식 Ⅳ]
상기식에서,
R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 화학식 7의 공중합체 수지는 하기 반응도식 Ⅴ에 나타낸 바와같이, 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시켜 제조할 수 있다.
[반응도식 Ⅴ]
상기식에서,
R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
본 발명에 따른 공중합체 수지(화학식 3-7)는 벌크중합 또는 용액중합 등 통상의 중합방법에 따라 제조할 수 있다. 본 발명에서 사용가능한 중합개시제로는 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, 디-t-부틸퍼옥시드 등을 포함한다. 또한 용매로는 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산, 디메틸포름아미드 등의 단독용매 또는 이들의 혼합용매를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 공중합체 수지의 제조에 있어서 중합반응 조건은 일반적인 라디칼 중합온도 및 압력을 반응물의 특성에 따라 조절하여 사용할 수 있으며, 60∼200℃의 온도 및 질소 또는 아르곤 분위기하에서 4∼24시간 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 공중합체 수지는 친수성기를 갖는 노르보닐그룹을 측쇄에 도입한 (메타)아크릴레이트 유도체와 이들의 중합을 통하여 여러 가지 다양한 보호기들로 보호한 유도체들을 이용한 화학증폭형 레지스트로서 가공 공정상 요구되는 높은 유리전이온도를 갖고, 원자외선부 특히 193㎛에서 광흡수가 거의 없으며 보호기의 탈리가 용이하다. 이와 더불어 친수성을 갖도록 합성된 노르보닐 그룹은 접착성을 증가시키는 작용을 한다. 또한 본 발명에 따라 제조된 공중합체 수지는 1G, 4G DRAM에의 적용이 예상되는 리소그래피공정(lithography)에 유용하게 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 공중합체 수지는 통상의 포토레지스트 조성물의 제조방법에 따라 유기용매에 통상적인 광산발생제와 혼합하여 포토레지스트용액을 제조함으로써 프지티브 미세화상 형성에 사용할 수 있다. 반도체소자의 감광막 패턴 형성공정에 있어서, 본 발명에 따른 공중합체 수지의 사용량은 유기용매, 광산발생제 및 리소그래피조건등에 따라 변할 수 있으나, 대체로 포토레지스트의 제조시 사용하는 유기용매에 대해 약 10 내지 30 중량% 사용한다.
본 발명에 따른 공중합체 수지를 이용하여 반도체소자의 감광막 패턴을 형성하는 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 공중합체 수지를 시클로헥사논에 10 내지 30 중량%로 용해시키고, 광산발생제로서 오니움염 또는 유기설폰산을 공중합체 수지에 대해 0.1 내지 10 중량%로 배합하고 초미세필터로 여과하여 포토레지스트 용액을 제조한다. 여기서 사용 가능한 광산발생제로는 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트, 2,6-디메틸페닐설포네이트, 비스(아릴설포닐)-디아조메탄, 옥심설포네이트, 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포네이트 등을 포함한다. 그후 포토레지스트 용액을 실리콘웨이퍼에 스핀도포하여 박막을 제조한 다음 80∼150 ℃의 오븐 또는 열판에서 1∼5 분간 전열처리하고, 원자외선 노광장치 또는 엑시머 레이져 노광장치를 이용하여 노광한 후 100∼200℃의 온도에서 1초∼5분간 후열처리한다. 이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38% TMAH수용액중에 1∼1분30초간 침지함으로써 포지티브 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
이하, 제조예 및 실시예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이들로 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것으로 이해해서는 않된다.
제조예 1: 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트의 합성
시클로펜타디엔과 터셔리부틸아크릴레이트와의 Diels-Alder 반응을 통하여 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨을 합성할 수 있고, 이렇게 합성된 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨 25g을 150ml의 아세톤에 넣어 잘 섞은 후 -60℃로 냉각시킨다. 이 용액속에 KMnO48.15g을 조금씩 넣어준 후 -60℃에서 1시간 동안 반응시켜 준다.
그 후 알칼리 수용액을 서서히 넣어주고 나서 온도를 서서히 올려서 상온에서 1.5 시간 반응시켜 준다. 반응물 중 MnO2를 걸러낸 후 아세톤으로 여러번 씻어주고 나서 감압진공증류기를 이용하여 용액을 농축시킨다.
상기 반응용액을 디클로로메탄을 이용하여 추출, 감압증류한 후 칼럼크로마토그래피를 이용하여 22.7g(yield 80%)의 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻었다.
500ml 둥근플라스크에 테트라히드로퓨란 100ml를 넣은 후 앞에서 합성한 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올 10g과 트리에틸아민 13.4g 함께 넣어 녹이고 나서 (메타)아크릴로일 클로라이드 4.6g을 서서히 가해준 후 -10℃에서 6시간 반응시켰다. 반응물을 걸러낸 후 감압증류한 용액으로 칼럼크로마토그래피를 이용하여 9.4g(yield 72%)의 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하였다.
제조예 2: 2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트의 합성
시클로펜타디엔과 아크릴산과의 Diels-Alder 반응을 통하여 5-노르보넨카르복실릭에시드를 합성할 수 있고, 이렇게 합성된 5-노르보넨카르복실릭에시드 20g을 150mL의 아세톤에 넣은 잘 섞은 후 -60℃로 냉각시킨다.
이 용액속에 KMnO48.15g을 조금씩 넣어준 후 -60℃에서 1시간동안 반응시켜준다. 그 후 알칼리 수용액을 서서히 넣어주고 나서 온도를 서서히 올려서 상온에서 1.5 시간 반응시켜 준다. 반응물 MnO2를 걸러낸 후 아세톤으로 여러번 씻어주고 나서 감압진공 증류기를 이용하여 용액을 농축시킨다. 반웅용액을 디클로로메탄을 이용하여 추출, 감압증류한 후 칼럼크로마토그래피를 이용하여 14.7g(yield 73%)의 5-노르보넨카르복실릭에시딜-5,6-디올을 얻었다.
500ml 둥근플라스크에 테트라히드로퓨란 100ml를 넣은 후 앞에서 합성한 5-노르보넨카르복실릭에시딜-5,6-디올 8g과 트리에틸아민 11.4g 함께 넣어 녹이고 나서 (메타)아크릴로일 클로라이드 3.5g을 서서히 가해준 후 -10℃에서 6시간 반응시켰다. 반응물을 걸러낸 후 감압증류한 용액으로 칼럼크로마토크래피를 이용하여 8.3g(yield 70%)의 2-카르복실릴애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하였다.
제조예 3: 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트의 합성
시클로펜타디엔과 하이드로피란일아크릴레이트와의 Diels-Alder 반응을 통하여 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성할 수 있고, 이렇게 합성된 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-노르보넨 22g을 150mL의 아세톤에 넣어 잘 섞은 후 -60℃로 냉각시킨다. 이 용액속에 KMnO47.45g을 조금씩 넣어준 후 -60℃에서 1시간 동안 반응시켜 준다. 그 후 알칼리 수용액을 서서히 넣어주고 나서 온도를 서서히 올려서 상온에서 1.5시간 반응시켜 준다. 반응물 중 MnO2를 걸러낸 후 아세톤으로 여러번 씻어주고 나서 감압진공증류기를 이용하여 용액을 농축시킨다. 반응용액을 디클로로메탄을 이용하여 추출, 감압증류한 후 칼럼크로마토그래피를 이용하여 20.6g(yield 77%)의 2-하이드로피란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻었다.
500ml 둥근플라스크에 테트라히드로퓨란 100ml를 넣은 후 앞에서 합성한 2-하이드로피란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올 9g과 트리에틸아민 12.1g 함께 넣어 녹이고 나서 (메타)아크릴로일 클로라이드 4.8g을 서서히 가해준 후 -10℃에서 6시간 반응시켰다. 반응물을 걸러낸 후 감압증류한 용액으로 칼럼크로마토크래피를 이용하여 9.8g(yield 76%)의 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하였다.
제조예 4: 2-하이드록시푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트의 합성
시클로펜타디엔과 하이드로푸란일아크릴레이트와의 Diels-Alder 반응을 통하여 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성할 수 있고, 이렇게 합성된 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-노르보넨 21g을 150mL의 아세톤에 넣어 잘 섞은 후 -60℃로 냉각시킨다. 이 용액속에 KMnO47.40g을 조금씩 넣어준 후 -60℃에서 1시간 동안 반응시켜 준다. 그 후 알칼리 수용액을 서서히 넣어주고 나서 온도를 서서히 올려서 상온에서 1.5시간 반응시켜 준다. 반응물 중 MnO2를 걸러낸 후 아세톤으로 여러번 씻어주고 나서 감압진공증류기를 이용하여 용액을 농축시킨다. 반응용액을 디클로로메탄을 이용하여 추출, 감압증류한 후 칼럼크로마토그래피를 이용하여 20.1g(yield 76%)의 2-하이드로푸란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻었다.
500ml 둥근플라스크에 테트라히드로퓨란 100ml를 넣은 후 앞에서 합성한 2-하이드로푸란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올 8.8g과 트리에틸아민 11.1g 함께 넣어 녹이고 나서 (메타)아크릴로일 클로라이드 4.6g을 서서히 가해준 후 -10℃에서 6시간 반응시켰다. 반응물을 걸러낸 후 감압증류한 용액으로 칼럼크로마토크래피를 이용하여 9.4g(yield 75%)의 2-하이드럭시푸란일옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하였다.
제조예 5: 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트의 합성
시클로펜타디엔과 에톡시에틸아크릴레이트와의 Diels-Alder 반응을 통하여 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성할 수 있고, 이렇게 합성된 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-노르보넨 20g을 150mL의 아세톤에 넣어 잘 섞은 후 -60℃로 냉각시킨다. 이 용액속에 KMnO47.12g을 조금씩 넣어준 후 -60℃에서 1시간 동안 반응시켜 준다. 그 후 알칼리 수용액을 서서히 넣어주고 나서 온도를 서서히 올려서 상온에서 1.5시간 반응시켜 준다. 반응물 중 MnO2를 걸러낸 후 아세톤으로 여러번 씻어주고 나서 감압진공증류기를 이용하여 용액을 농축시킨다. 반응용액을 디클로로메탄을 이용하여 추출, 감압증류한 후 칼럼크로마토그래피를 이용하여 18.1g(yield 74%)의 2-에톡시에틸옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻었다.
500ml 둥근플라스크에 테트라히드로퓨란 100ml를 넣은 후 앞에서 합성한 2-에톡시에틸옥시카르보닐노르보난-5,6-디올 8.5g과 트리에틸아민 11.7g 함께 넣어 녹이고 나서 (메타)아크릴로일 클로라이드 5.6g을 서서히 가해준 후 -10℃에서 6시간 반응시켰다. 반응물을 걸러낸 후 감압증류한 용액으로 칼럼크로마토크래피를 이용하여 9.9g(yield 79%)의 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하였다.
실시예 1: 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트] 공중합체 수지(화학식 3)의 합성
2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.05몰 및 2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.05몰을 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 25g에 용해시킨다. 이어서 중합개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.05g을 넣어준 후 질소 또는 아르곤 분위기하에서 70℃의 온도에서 4∼24 시간 동안 반응시킨다. 이렇게 하여 생성된 조생성물을 에틸에테르 혹은 헥산으로 침전 건조시켜 분자량 4,000∼100,000의 표제 공중합체수지(화학식 3) 23.2g을 얻었다 (수율: 89%). 여기서 합성한 공중합체 수지는 감광막의 접착성 및 감도를 증가시킨 화학증폭형 레지스트로서 가공공정상 요구되는 높은 유리전이온도를 갖고, 원자외선부 특히 193㎛에서 광흡수가 거의 없으며 보호기의 탈리가 용이하며, 실제 패터닝실험 결과 0.15㎛의 패턴을 형성할 수 있었다.
실시예 2: 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지(화학식 4)의 합성
2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.05몰, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 0.04몰 및 (메타)아크릴산 0.01몰을 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 25g에 용해시킨다. 이어서 중합개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.04g을 넣어준 후, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 65∼70℃의 온도에서 4∼24 시간 동안 반응시킨다. 이렇게 하여 생성된 조생성물을 에틸에테르 혹은 헥산으로 침전 건조시켜 분자량 4,000∼100,000의 표제 공중합체수지(화학식 4) 21g을 얻었다 (수율: 83%). 여기서 합성한 공중합체 수지는 실시예 1의 공중합체 수지와 유사한 성질을 가지며, 실제 패터닝실험 결과 0.14㎛의 패턴을 형성할 수 있었다.
실시예 3: 폴리[2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지(화학식 5)의 합성
2-하이드록시피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.07몰, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 0.02몰 및 (메타)아크릴산 0.01몰을 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 20g에 용해시킨다. 이어서 중합개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.04g을 넣어준 후, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 65∼70℃의 온도에서 4∼24 시간 동안 반응시킨다. 이렇게 하여 생성된 조생성물을 에틸에테르 혹은 헥산으로 침전 건조시켜 분자량 4,000∼100,000의 표제 공중합체수지(화학식 5) 26g을 얻었다 (수율: 81%). 여기서 합성한 공중합체 수지는 실시예 2의 수지를 변화하여 보호기를 아세탈그룹으로 변화함에 따라 내에칭 물성의 저하 없이 감도를 향상시킨 우수한 공중합체 수지이다 (감도 100mJ/㎠).
실시예 4: 폴리[2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지(화학식 6)의 합성
2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.07몰, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 0.02몰 및 (메타)아크릴산 0.01몰을 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 20g에 용해시킨다. 이어서 중합개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.04g을 넣어준 후, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 65∼70℃의 온도에서 4∼24 시간 동안 반응시킨다. 이렇게 하여 생성된 조생성물을 에틸에테르 혹은 헥산으로 침전 건조시켜 분자량 4,000∼100,000의 표제 공중합체수지(화학식 6) 25g을 얻었다 (수율: 80%). 여기서 합성한 공중합체 수지의 성질은 실시예 3의 수지와 유사하다.
실시예 5: 폴리[2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지(화학식 7)의 합성
2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 0.07몰, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 0.02몰 및 (메타)아크릴산 0.01몰을 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 20g에 용해시킨다. 이어서 중합개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.04g을 넣어준 후, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 65∼70℃의 온도에서 4∼24 시간 동안 반응시킨다. 이렇게 하여 생성된 조생성물을 에틸에테르 혹은 헥산으로 침전 건조시켜 분자량 4,000∼100,000의 표제 공중합체수지(화학식 7) 20g을 얻었다 (수율: 81%). 여기서 합성한 공중합체 수지의 성질은 실시예 3의 수지와 유사하지만 콘트라스트(contrast) 측면에서는 더 좋은특성을 가졌다.
실시예 6
실시예 1 내지 5에서 합성한 공중합체수지(화학식 3∼7)중 어느 하나의 수지 10g을 3-메톡시메틸프로피오네이트 용매 40g에 녹인 후, 광산발생제로서 트리페닐설포늄트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트의 약 0.2 내지 1g을 넣어준 후, 교반시킨 다음 필터로 여과하여 포토레지스트 용액을 얻는다. 그 후 포토레지스트 용액을 웨이퍼의 표면에 스핀도포하여 박막을 제조한 다음 70∼150 ℃의 오븐 또는 열판에서 1∼5분간 전열처리하고, 노광장치를 사용하여 250㎚ 파장의 광원으로 노광한 후 90∼160℃`에서 후열처리한다. 그후 상기 노광한 웨이퍼를 현상액으로 0.01∼5 중량% 농도의 TMAH수용액에서 1분 30초간 침지함으로써 초미세 감광막패턴을 얻었다. (해상력 : 0.15 ㎛).
본 발명에 따른 공중합체 수지는 포토레지스트용 공중합체 구조에 노르보닐(메타)아크릴레이트 단위체를 도입함으로써 통상의 라디칼 중합으로 중합이 용이하며 193㎚ 파장에서 투명성이 높고 에칭내성이 증가할 뿐만 아니라 실제 패터닝 실험에서 노르보닐 그룹내의 친성기로 인한 접착력을 크게 증가시킬 수 있고 0.15㎛의 우수한 해상력을 나타낸다.

Claims (35)

  1. 하기 화학식 2로 표시되는 5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 유도체를 함유함을 특징으로 하는 단량체.
    [화학식 2]
    상기식에서,
    R은 2-t-부톡시카르보닐, 2-카르복실릭 애시딜, 2-하이드로피란일옥시카르보닐, 2-하이드로푸란일옥시카르보닐 또는 2-에톡시에틸옥시카르보닐을 나타내며,
    R1은 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 단량체가 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트로 이루어지는 것 중 하나인 것을 특징으로하는 단량체.
  3. 시클로펜타디엔과 터셔리부틸아크릴레이트를 반응시켜 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨을 합성하는 공정과,
    상기 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨을 아세톤에 넣어 냉각시킨 후, 이 용액에 KMnO4과 알칼리 수용액을 넣어 반응시켜 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올과 트리에틸아민을 테트라히드로퓨란에 녹이고, 상기 용액에 (메타)아크릴로일 클로라이드를 넣고 반응시켜 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단량체 제조방법.
  4. 시클로펜타디엔과 터셔리부틸아크릴레이트를 반응시켜 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨을 합성하는 공정과,
    상기 2-터셔리부톡시카르보닐-5-노르보넨을 용매에 넣고 반응시켜 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 2-t-부톡시카르보닐노르보난-5,6-디올과 트리에틸아민을 용매에 녹여 반응시켜 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단량체 제조방법.
  5. 시클로펜타디엔과 아크릴산을 반응시켜 5-노르보넨카르복실릭에시드를 합성하는 공정과,
    상기 5-노르보넨카르복실릭에시드를 용매에 녹여 반응시켜 5-노르보넨카르복실릭에시딜-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 5-노르보넨카르복실릭에시딜-5,6-디올과 트리에틸아민을 용매에 녹여 반응시켜 2-카르복실릴애시딜-5-하이드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단랭체 제조방법.
  6. 시클로펜타디엔과 하이드로피란일아크릴레이트를 반응시켜 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성하는 공정과,
    상기 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 용매에 녹여 반응시켜 2-하이드로피란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 2-하이드로피란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올과 트리에틸아민을 용매에 녹여 반응시켜 2-하이드로피란일옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단량체 제조방법.
  7. 시클로펜타디엔과 하이드로푸란일아크릴레이트를 반응시켜 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성하는 공정과,
    상기 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-노르보넨을 용매에 녹여 반응시켜 2-하이드로푸란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 2-하이드로푸란일옥시카르보닐노르보난-5,6-디올과 트리에틸아민을 용매에 녹여 반응시켜 2-하이드럭시푸란일옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단량체 제조방법.
  8. 시클로펜타디엔과 에톡시에틸아크릴레이트를 반응시켜 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-노르보넨을 합성하는 공정과,
    상기 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-노르보넨을 용매에 녹여 반응시켜 2-에톡시에틸옥시카르보닐노르보난-5,6-디올을 얻는 공정과,
    상기 2-에톡시에틸옥시카르보닐노르보난-5,6-디올과 트리에틸아민을 용매에 녹여 반응시켜 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-히드록시-6-노르보닐 (메타)아크릴레이트를 합성하는 것을 특징으로하는 단량체 제조방법.
  9. 하기 화학식 2로 표시되는 5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 유도체를 함유함을 특징으로 하는 공중합체 수지.
    [화학식 2]
    상기식에서,
    R은 2-t-부톡시카르보닐, 2-카르복실릭 애시딜, 2-하이드로피란일옥시카르보닐, 2-하이드로푸란일옥시카르보닐 또는 2-에톡시에틸옥시카르보닐을 나타내며,
    R1은 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  10. 제 9 항에 있어서, 하기 화학식 3으로 표시되는 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시느르보닐-6-(메타)아크릴레이트] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000 - 100,000).
    [화학식 3]
    상기식에서,
    R1및 R2는 각각 수소 또는 메틸이고,
    x, y 및 z 는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다.
  11. 제 9 항에 있어서, 하기 화학식 4로 표시되는 폴리[2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
    [화학식 4]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고,
    x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다.
  12. 제 9 항에 있어서, 하기 화학식 5로 표시되는 폴리[2-하이드록시피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000- 100,000).
    [화학식 5]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고,
    x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다.
  13. 제 9 항에 있어서, 하기 화학식 6으로 표시되는 폴리[2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000- 100,000).
    [화학식 6]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고,
    x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다.
  14. 제 9 항에 있어서, 하기 화학식 7로 표시되는 폴리[2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트/2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산] 공중합체 수지 (분자량 : 4,000-100,000).
    [화학식 7]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸이고,
    x, y 및 z는 각각 0.001 내지 0.99의 몰분율이다.
  15. 하기 반응도식 Ⅰ에 따라 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트 및 2-카르복실릭애시딜-5-하이드록시오르보닐-6-(메타)아크릴레이트를 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시킴을 특징으로 하는 제 2 항에 정의된 화학식 3의 공중합체 수지의 제조방법.
    [반응도식 Ⅰ]
    상기식에서,
    R1및 R2는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  16. 제 15 항에 있어서, 중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트 또는 디-t-부틸퍼옥사이드인 공중합체수지의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 중합을 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매의 존재하에 수행하는 공중합체수지의 제조방법.
  18. 하기 반응도식 Ⅱ에 따라 2-t-부톡시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을통상의 중합개시제의 존재하에 반응시킴을 특징으로 하는 제 3항에 정의된 화학식 4의 공중합체 수지의 제조방법.
    [반응도식 Ⅱ]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  19. 제 18 항에 있어서, 중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트 또는 디-t-부틸퍼옥사이드인 공중합체수지의 제조방법.
  20. 제 18 항에 있어서, 중합을 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매의 존재하에 수행하는 공중합체수지의 제조방법.
  21. 하기 반응도식 Ⅲ에 따라 2-하이드록시피란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시킴을 특징으로 하는 제 4 항에 정의된 화학식 5의 공중합체 수지의 제조방법.
    [반응도식 Ⅲ]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  22. 제 21 항에 있어서, 중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트 또는 디-t-부틸퍼옥사이드인 공중합체수지의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서, 중합을 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매의 존재하에 수행하는 공중합체수지의 제조방법.
  24. 하기 반응도식 Ⅳ에 따라 2-하이드로푸란일옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시킴을 특징으로 하는 제 5 항에 정의된 화학식 6의 공중합체 수지의 제조방법.
    [반응도식 Ⅳ]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  25. 제 24 항에 있어서, 중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트 또는 디-t-부틸퍼옥사이드인 공중합체수지의 제조방법.
  26. 제 24 항에 있어서, 중합을 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매의 존재하에 수행하는 공중합체수지의 제조방법.
  27. 하기 반응도식 Ⅴ에 따라 2-에톡시에틸옥시카르보닐-5-하이드록시-6-노르보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산을 통상의 중합개시제의 존재하에 반응시킴을 특징으로 하는 제 6 항에 정의된 화학식 7의 공중합체 수지의 제조방법.
    [반응도식 Ⅴ]
    상기식에서,
    R1, R2및 R3는 각각 수소 또는 메틸을 나타낸다.
  28. 제 27 항에 있어서, 중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트 또는 디-t-부틸퍼옥사이드인 공중합체수지의 제조방법.
  29. 제 27 항에 있어서, 중합을 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매의 존재하에 수행하는 공중합체수지의 제조방법.
  30. 제 9 항 내지 제 14 항중 어느 하나에 정의된 노르보넨-말레익안하이드라이드 공중합체 수지, 유기용매 및 광산발생제를 함유하는 포토레지스트.
  31. 제 30 항에 있어서, 광산발생제가 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트인 포토레지스트.
  32. 제 9 항 내지 제 14 항중 어느하나의 공중합체 수지를 용매에 녹이는 제1단계와,
    상기 제1단계의 결과물에 광산발생제를 넣고 교반는 제2단계와,
    상기 제2단계 결과물을 여과하여 포토레지스트를 형성하는 제3단계를 구비하는 포토레지스트 제조방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 제1단계의 용매가 메틸 3-메톡시 프로피오네이트인 포토레지스트의 제조방법.
  34. 제 32 항에 있어서, 상기 제2단계의 광산발생제가 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트인 포토레지스트의 제조방법.
  35. 제 30 항의 포토레지스트를 사용하여 형성된 패턴을 구비하는 반도체소자.
KR1019970081370A 1997-12-31 1997-12-31 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트 KR100354871B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970081370A KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
TW087120310A TW422939B (en) 1997-12-31 1998-12-08 Copolymer resin, preparation thereof, and photo resist using the same
US09/208,650 US6248847B1 (en) 1997-12-31 1998-12-10 Copolymer resin, preparation thereof, and photoresist using the same
JP36751798A JP3943268B2 (ja) 1997-12-31 1998-12-24 共重合体樹脂及び共重合体樹脂を含むフォトレジスト組成物
DE19860832A DE19860832A1 (de) 1997-12-31 1998-12-30 Copolymerharz, seine Herstellung und ein Photoresist, welches dieses verwendet
CNB981259987A CN1219802C (zh) 1997-12-31 1998-12-31 共聚物树脂,其制备方法及使用其制成的光致抗蚀剂
US09/861,394 US6372935B1 (en) 1997-12-31 2001-05-18 Copolymer resin, preparation thereof, and photoresist using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970081370A KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990061116A true KR19990061116A (ko) 1999-07-26
KR100354871B1 KR100354871B1 (ko) 2003-03-10

Family

ID=19530557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970081370A KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6248847B1 (ko)
JP (1) JP3943268B2 (ko)
KR (1) KR100354871B1 (ko)
CN (1) CN1219802C (ko)
DE (1) DE19860832A1 (ko)
TW (1) TW422939B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010016972A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR100557543B1 (ko) * 2000-06-30 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
KR100647379B1 (ko) * 1999-07-30 2006-11-17 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
US6294309B1 (en) * 2000-06-30 2001-09-25 Everlight Usa, Inc. Positive photoresist composition containing alicyclic dissolution inhibitors
US6376700B1 (en) * 2000-06-30 2002-04-23 Everlight Usa, Inc. Alicyclic compound
JP4651188B2 (ja) * 2000-12-21 2011-03-16 ダイセル化学工業株式会社 (メタ)アクリル酸エステルの製造法
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
KR100846334B1 (ko) * 2003-07-24 2008-07-15 후지필름 홀딩스 가부시끼가이샤 중-수소화된 노르보닐 (메트)아크릴레이트, 그 제조 방법,그 중합체 및 광학 부재
WO2005012374A1 (ja) * 2003-08-05 2005-02-10 Jsr Corporation アクリル系重合体および感放射線性樹脂組成物
CN1320007C (zh) * 2005-05-24 2007-06-06 苏州华飞微电子材料有限公司 含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶
JP5031310B2 (ja) * 2006-01-13 2012-09-19 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
GB0903458D0 (en) 2009-03-02 2009-04-08 Ct Angewandte Nanotech Can A method for the manufavturing of a cross-linked micellar nanoparticle complex and products thereof
KR20140120212A (ko) * 2013-04-02 2014-10-13 주식회사 동진쎄미켐 미세패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법
CN111138280A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 上海博栋化学科技有限公司 由3-乙基双环[3.3.1]壬烷-2,4-二酮合成的光刻胶树脂单体及其合成方法
CN113121940B (zh) * 2019-12-31 2022-12-30 广东生益科技股份有限公司 一种热固性树脂组合物及使用其的预浸料、层压板和印制线路板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6914466A (ko) 1969-09-24 1971-03-26
JPS5818369B2 (ja) 1973-09-05 1983-04-12 ジェイエスアール株式会社 ノルボルネンカルボンサンアミドオヨビ / マタハイミドルイノ ( キヨウ ) ジユウゴウタイノセイゾウホウホウ
US4106943A (en) 1973-09-27 1978-08-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4986648A (en) * 1987-06-18 1991-01-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Lens and optical disc base plate obtained from copolymer of norbornyl (meth)acrylate
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US5212043A (en) 1988-02-17 1993-05-18 Tosho Corporation Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent
JPH0251511A (ja) 1988-08-15 1990-02-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd 極性基含有環状オレフイン系共重合体およびその製法
DE3922546A1 (de) 1989-07-08 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren
US5252427A (en) 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
EP0485631B1 (en) 1990-06-06 1995-11-15 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Polyolefin resin composition
JP2776273B2 (ja) * 1994-01-31 1998-07-16 日本電気株式会社 ビニル基を有する単量体
US5705503A (en) 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
WO1997006216A1 (fr) * 1995-08-10 1997-02-20 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Composition de revetement durcissable a chaud
RU2194295C2 (ru) 1996-03-07 2002-12-10 З Би. Эф. Гудрич Кампэни Фоторезистная композиция и полимер
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
KR100261022B1 (ko) 1996-10-11 2000-09-01 윤종용 화학증폭형 레지스트 조성물
US6071670A (en) * 1996-10-11 2000-06-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent resin, photosensitive composition, and method of forming a pattern

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100647379B1 (ko) * 1999-07-30 2006-11-17 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20010016972A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR100557543B1 (ko) * 2000-06-30 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
DE19860832A1 (de) 1999-07-22
CN1219802C (zh) 2005-09-21
KR100354871B1 (ko) 2003-03-10
TW422939B (en) 2001-02-21
JPH11269228A (ja) 1999-10-05
US6372935B1 (en) 2002-04-16
US6248847B1 (en) 2001-06-19
CN1228410A (zh) 1999-09-15
JP3943268B2 (ja) 2007-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100321080B1 (ko) 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100252546B1 (ko) 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) ArF photoresist copolymers
KR100419028B1 (ko) 옥사비시클로화합물,이화합물이도입된포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트미세패턴의형성방법
JP4183815B2 (ja) 重合体、重合体製造方法、フォトレジスト、フォトレジスト製造方法および半導体素子
KR100354871B1 (ko) 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
JP2008170983A (ja) 化学増幅型レジスト組成物
JP2001048931A (ja) フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
KR100408400B1 (ko) 산에 의해 분해가능한 보호기를 갖는 락톤기를 포함하는감광성 모노머, 감광성 폴리머 및 화학증폭형 레지스트조성물
KR100313150B1 (ko) 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
US6410670B1 (en) Photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same
KR100362938B1 (ko) 신규의포토레지스트가교제,이를포함하는포토레지스트중합체및포토레지스트조성물
KR20000015014A (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR19990061089A (ko) 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
KR100647379B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR100647380B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20010018076A (ko) 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
US6713228B2 (en) Ether monomers and polymers having multi-ring structures, and photosensitive polymers and resist compositions obtained from the same
US6271412B1 (en) Photosensitive monomer
KR100400292B1 (ko) 신규의포토레지스트용모노머,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR100218743B1 (ko) 접착성이 뛰어난 ArF 감광막 수지
KR100249453B1 (ko) 초고집적 반도체의 고해상도 레지스트 재료용 지환족 유도체 및그의 제조 방법
KR100520167B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물
KR100400293B1 (ko) 포토레지스트단량체,그의중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR100451643B1 (ko) 아세탈기를 포함하는 포토레지스트용 노르보넨 공중합체,그의 제조방법 및 그를 포함하는 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E801 Decision on dismissal of amendment
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080820

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee