KR19990023091A - 반도체장치와 그 제조방법 - Google Patents
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Description
Claims (13)
- 제1 도전형 영역과 제1도전형과 반대의 제2도전형 영역을 포함한 반도체기판과,상기 반도체기판의 제1 및 제2 도전형 영역 상에 각각 형성된 제1 및 제2 절연 게이트전극 구조와, 절연 게이트전극 구조의 양측에서 상기 반도체기판 내에 형성된 제2도전형의 제1쌍 및 제1도전형의 제2쌍의 불순물 도프 영역을 갖는 제1 및 제2 절연게이트형 전계효과 트랜지스터와,상기 제1 및 제2 절연게이트형 전계효과 트랜지스터를 덮고 상기 반도체기판 상에 형성된 제1 절연막과,상기 제1 절연막을 관통하여 상기 제1 및 제2 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제1쌍 및 제2쌍의 불순물 도프 영역의 각각의 적어도 1개의 불순물 도프 영역에 달하는 적어도 2개의 금속 플럭과,상기 제1 절연막을 덮고 형성되며 산소차폐능을 갖는 제2 절연막과,상기 제2 절연막 상에 형성된 하부전극과,상기 하부전극 상에 형성되며 페로브스카이트형 결정구조를 갖는 산화물 유전체막과,상기 산화물 유전체막 상에 형성되며 상기 하부전극, 산화물 유전체막과 더불어 커패시터를 형성하는 상부전극과,상기 커패시터를 덮고 반도체기판 상에 형성된 제3 절연막과,상기 제3 절연막 상에 신장하며 상기 제3 절연막을 통하는 접속구멍을 거쳐서 상기 금속 플럭의 1개와 접속되고 상기 제3 절연막을 통하는 접속구멍을 거쳐서 상기 상부전극 또는 상기 하부전극에 접속된 국부배선을 갖는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 산화물 유전체는 PZT, SBT, BST 중의 어느 하나인 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 절연막은 질화막인 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 플럭은 고융점 금속을 포함한 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 절연막이 상기 제1 절연막 상에 선택적으로 형성되어 있는 반도체장치.
- 반도체기판 상에 절연 게이트전극과 제1 도전형 소스/드레인 영역을 갖는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터를 형성하는 공정과,상기 절연 게이트전극을 덮고 반도체기판 상에 제1 절연막을 형성하는 공정과,상기 제1 절연막을 관통하여 상기 소스/드레인 영역의 적어도 한 쪽에 달하는 접촉창을 형성하는 공정과,상기 접촉창 내에 금속 플럭을 매립하는 공정과,상기 금속 플럭을 덮고 상기 제1 절연막 상에 산소차폐능을 갖는 제2 절연막을 형성하는 공정과,상기 제2 절연막 상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 공정과,상기 하부전극 상에 페로브스카이트형 결정구조를 갖는 산화물 유전체의 막을 형성하는 공정과,상기 산화물 유전체막 형성공정 후에 산소 분위기 중에서 상기 반도체기판을 어닐하는 어닐공정과,상기 산화물 유전체막 상에 커패시터의 상부전극을 형성하는 공정을 포함한 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 어닐공정이 700℃ 이상의 온도로 행하는 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 상부전극을 덮어서 반도체기판 상에 제3 절연막을 형성하는 공정과,상기 제3 절연막을 관통하여 상기 금속 플럭 및 상기 상부전극 또는 상기 하부전극에 달하는 접속구멍을 형성하는 공정과,상기 금속 플럭과 상기 상부전극 또는 상기 하부전극을 접속하는 국부배선을 접속하는 공정을 포함한 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2 절연막을 형성하는 공정이 질화막을 형성하는 서브공정과, 상기 질화막 상에 산화막을 형성하는 서브공정을 포함한 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 커패시터의 하부전극을 형성하는 공정이 Ti막을 형성하는 서브공정과 Ti막 상에 Pt막을 형성하는 서브공정을 포함한 반도체장치의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 Ti막을 형성하는 서브공정이 상기 어닐공정에서 상기 산화물 유전체막의 (111) 배향을 실현하도록 Ti막 두께를 선택하는 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 산화물 유전체막을 형성하는 공정이 PZT, SBT, BST 중의 적어도 하나를 주성분으로 하여 성막하는 공정인 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 산화물 유전체막을 형성하는 공정이 PZT막을 형성하는 공정이며, Pb의 조성이 상기 어닐공정 후 (111) 배향을 실현하는 값으로 선택되어 있는 반도체장치의 제조방법.
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