KR19980044254A - 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조 - Google Patents

반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR19980044254A
KR19980044254A KR1019960062316A KR19960062316A KR19980044254A KR 19980044254 A KR19980044254 A KR 19980044254A KR 1019960062316 A KR1019960062316 A KR 1019960062316A KR 19960062316 A KR19960062316 A KR 19960062316A KR 19980044254 A KR19980044254 A KR 19980044254A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
bond pad
bond
substrate
bump
Prior art date
Application number
KR1019960062316A
Other languages
English (en)
Inventor
서성민
송재환
Original Assignee
황인길
아남산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 황인길, 아남산업 주식회사 filed Critical 황인길
Priority to KR1019960062316A priority Critical patent/KR19980044254A/ko
Publication of KR19980044254A publication Critical patent/KR19980044254A/ko

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 칩의 본의 패드(Bond Pad) 구조에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 본드 패드를 부착하는 범프의 표면적보다 작게 구성하여 주어, 반도체 패키지를 제작시 본드 패드의 형태적 축소로 인해 원가의 절감을 도모할 수 있도록 하였음은 물론이고, 상기 제한된 설치 범위를 갖는 반도체 칩 상에 더욱더 많은 본드 패드를 형성할 수 있도록 하여 기능의 향상을 이룰 수 있도록 하였고, 또한, 반도체 칩을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate) 상에 실장시, 상기 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드에 기판(Substrate)에 형성되어 있는 리드핑거와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성하게 되는 범프를 본드 패드 부위 전체를 커버할 수 있게 본딩할 수 있도록 하여, 상기 범프와 본드 패드가 더욱 견고한 본딩상태를 유지할 수 있도록 함은 물론이고, 상기 범프와 본드 패드와의 완전 접착으로 알루미늄의 노출을 없애 주므로써, 외주연부위로 습기와 같은 불순물이 침투하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하여 일정기간 사용시 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물이 상기 범프에 접착되어 있는 본드 패드 상으로 침투하여 본드 패드를 부식시키는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 하여 결과적으로 본 발명의 기술을 응용하여 제작 생산되게 되는 제품 전체의 부가가치를 향상시켜 상품성과 신뢰성 등의 향상을 이룰 수 있도록 한 발명이다.

Description

반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조
본 발명은 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드(Bond Pad)의 형태를 부착되는 범프의 표면적보다 작게 구성하여 주어, 반도체 칩을 제작시 본드 패드의 형태적 축소로 인해 원가의 절감을 도모할 수 있도록 하였음은 물론이고, 상기 제한된 설치 범위를 갖는 반도체 칩 상에 더욱더 많은 본드 패드를 형성할 수 있도록 하여 기능의 향상을 이룰 수 있도록 하였고, 또한, 반도체 칩을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate) 상에 실장시, 상기 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드에 기판(Substrate)에 형성되어 있는 리드 핑거와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성하게 되는 범프를 본드 패드 부위 전체를 커버할 수 있게 본딩할 수 있도록 하여, 상기 범프와 본드 패드가 더욱 견고한 본딩상태를 유지할 수 있도록 함은 물론이고, 상기 범프와 본드 패드와의 완전 접착으로 본드 패드의 노출을 없애 주므로써, 외주연부위로 습기와 같은 불순물이 침투하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하여 일정기간 사용시 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물이 상기 범프에 접착되어 있는 본드 패드 상으로 침투하는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 하여 결과적으로 본 발명의 기술을 응용하여 제작 생산되게 되는 제품 전체의 부가가치를 향상시켜 상품성과 신뢰성 등의 향상을 이룰 수 있도록 한 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩은 어떠한 형태로 기판(Substrate) 상에 실장되느냐에 따라 상기 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거와 간접 또는 직접으로 회로연결을 이루게 된다.
여기서, 반도체 칩이 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거와 직접으로 회로연결을 이루며 실장을 이루게 되는 방식을 플립 칩 본딩방법이라고 하는데, 이를 단계별로 묶어 더욱 구체적으로 설명하면 반도체 칩 상에 수개 형성되어 있는 본드 패드 위에 범프를 형성하는 단계와, 상기 범프가 형성된 반도체 칩을 기판(Substrate) 위에 뒤집어 붙이는 단계 그리고, 열적 스트레스를 완충하고 반도체 회로 및 반도체 칩과 기판 사이의 전기적 연결 상태를 보호하기 위하여 에폭시를 반도체 칩 둘레에 주입하여 반도체 칩과 기판(Substrate) 사이에 에폭시가 채워진 상태에서 오븐(Oven)에 넣어서 영구경화 처리하는 단계를 거쳐 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거에 직접 반도체 칩을 부착시키는 것을 말한다.
여기서, 이러한 단계를 거쳐 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate)의 상부에 실장되는 반도체 칩 상에는 상술한 바에도 있다시피, 회로적으로 상기 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거와 연결을 이룰 수 있도록 하는 패드가 수개 노출형성되어 있는데, 이를 흔히 본드 패드(Bond Pad)라고 일반적으로 칭하고 있으며, 이와 같이, 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드는 반도체 칩이 어떠한 형태로 기판(Substrate) 상에 실장되느냐에 따라 상기 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거와 간접 또는 직접적으로 회로연결을 이룰 수 있도록 하기 위해 제작되는 것이다.
이와 같이 반도체 칩이 어떠한 형태로 기판(Substrate) 상에 실장되느냐에 따라 상기 기판(Substrate) 상에 형성되어 있는 리드 핑거와 간접 또는 직접적으로 회로연결을 이룰 수 있도록 하기 위해 제작되는 종래의 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조는 도 1과 도 1에 도시된 바와 같이 전형적인 한 예를 도시하였는바, 이를 간략히 설명하면 다음과 같다.
도시된 바와 같이 다소 큰 사각형으로 이루어진 본드 패드(14)가 일체로 수개 형성되어 있는 반도체 칩(10)이 구성되어 있다.
이와 같이 구성되는 종래의 고안은 상기 반도체 칩(10)이 어떠한 형태로 기판(Substrate:(12)) 상에 실장되느냐에 따라 상기 기판(Substrate:(12)) 상에 형성되어 있는 리드 핑거(16)와 간접방식 또는 직접방식으로 회로연결을 이룰 수 있도록 와이어 본딩은 물론이고 범프(18)형성을 이룰 수 있도록 형성한 것이다.
그러나, 이와 같이 구성되는 종래의 고안은 상술한 바와 같이 반도체 칩(10) 상에 다소 큰 사각형으로 이루어진 본드 패드(14)를 일체로 수개 구성하여 주어, 반도체 칩(10)을 제작시 필요 이상의 크기로 형성되어 있는 본드 패드(14)로 인해 반도체 칩(10)의 원가를 상승시키게 문제를 야기시켰음은 물론이고, 반도체 칩(10) 상에 형성되게 되는 본드 패드(14)의 형성에 일정의 제약을 초래시키게 되는 문제를 야기시켰고, 또한, 반도체 칩(10)을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate:(12)) 상에 실장시, 상기 반도체 칩(10) 상에 형성되어 있는 본드 패드(14)에 기판(Substrate:(12))에 형성되어 있는 리드 핑거(16)와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성되게 되는 범프(18)가 본드 패드(14)의 외곽을 제외한 일정부위에만 접착을 이루게 되어, 완제품으로 인정되어 출하된 반도체 칩(10)일 경우에도 일정기간 사용시 상기 범프(18)가 커버하지 못한 부위에 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물의 침투를 야기시켜 부식으로 인한 본드 패드(14) 부위에, 접착되어 있는 범프(18)의 접착성을 저하시켜 상호간의 이탈을 야기시키게 되는 문제와 이에 따른 회로상의 접촉불량을 야기시켰음은 물론이고, 심지어는 이러한 문제로 인하여 반도체 칩(10)의 폭발을 야기시키게 되는 비안전한 문제 등을 초래하여 결과적으로 상기와 같은 종래의 기술을 이용하여 생산되게 되는 반도체 칩의 설치를 이루게 되는 제품 전체의 부가가치를 저하시켜, 상품성과 신뢰성 등의 저하는 물론이고 생산자와 사용자 모두의 불이익을 야기토록 한 것이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 감안하여 안출한 것으로서, 본드 패드의 형태적 축소로 인해 원가의 절감을 도모할 수 있도록 하였음은 물론이고, 상기 제한된 설치 범위를 갖는 반도체 칩 상에 더욱더 많은 본드 패드를 형성할 수 있도록 하여 기능의 향상을 이룰 수 있도록 하였고, 또한, 반도체 칩을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate) 상에 실장시, 상기 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드에 기판(Substrate)에 형성되어 있는 리드핑거와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성되게 되는 범프가 본드 패드 부위 전체를 커버할 수 있게 본딩할 수 있도록 하여, 상기 범프와 본드 패드가 더욱 견고한 본딩상태를 유지할 수 있도록 함은 물론이고, 상기 범프와 본드 패드가 완전 접착으로 본드 패드의 노출을 없애주므로써 외주연 부위로 습기와 같은 불순물이 침투하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하여 일정기간 사용시 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물이 상기 범프에 접착되어 있는 본드 패드 상으로 침투하여 본드 패드를 부식시키는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 하여 결과적으로 본 발명의 기술을 응용하여 제작 생산되게 되는 제품 전체의 부가가치를 향상시켜 상품성과 신뢰성 등의 향상을 이룰 수 있도록 한 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 본 발명의 목적은 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조에 있어서, 상기, 본드 패드를 부착되는 범프의 표면적보다 작게 구성하여 주어 달성될 수 있다.
도 1은 종래 발명에 따른 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad)의 구조를 나타내는 평면도
도 2는 종래 발명에 따른 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad)의 본딩상태를 나타내는 측단면도
도 3은 본 발명에 따른 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad)의 구조를 나타내는 평면도
도 4는 본 발명에 따른 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad)의 본딩상태를 나타내는 측단면도
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 평면도
도 6은 본 발명에 다른 실시예를 나타내는 측단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100:반도체 칩102:기판(Substrate)
104:본드 패드106:리드 핑거(Lead Finger)
108:범프(Bump)110:패시베이션(Passivation)
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도시한 것으로 종래와 동일한 구성은 그 상세한 설명을 생략하며 여기서는 본 발명의 특징만을 설명한다.
도시된 바와 같이 소정간격으로 배열되어 있되, 범프(108)의 표면적보다 작게 형성되어 있는 본드 패드(102)를 수개 형성하고 있는 반도체 칩(100)이 구성되어 있다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 칩(100) 상에 소정간격으로 배열되어 있되, 범프(108)의 표면적보다 작게 형성되어 있는 본드 패드(102)를 수개 구성하여 주어, 상기 반도체 칩(100)을 제작시 본드 패드(104)의 형태적 축소로 인해 원가의 절감을 도모할 수 있도록 하였음은 물론이고, 상기 반도체 칩(100) 상에 더욱더 많은 본드 패드(104)를 형성할 수 있도록 하여 기능의 형상을 이룰 수 있도록 하였고, 또한, 반도체 칩(100)을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate:(12)) 상에 실장시, 상기 반도체 칩(100) 상에 형성되어 있는 본드 패드(104)를 기판(Substrate:(12))에 형성되어 있는 리드 핑거(106)와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성되게 되는 범프(108)를 본드 패드(104) 부위 전체를 커버하게 본딩할 수 있어, 상기 범프(108)와 본드 패드(104)가 더욱 견고한 본딩상태를 유지할 수 있도록 함은 물론이고, 상기 범프(108)와 본드 패드(104)와의 완전접착을 이룰 수 있어 본드 패드(104)의 노출을 없애 주므로써, 외주연 부위로 습기와 같은 불순물이 침투하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하여 일정기간 사용시 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물이 상기 범프(108)에 접착되어 있는 본드 패드(104) 상으로 침투하여 본드 패드(104)를 부식시키는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 하여 완제품으로 생산되는 패키지의 품질을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
한편, 도 5와 도 6은 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것으로서, 상기 본드 패드(104)의 상면에 부착되는 범프(108)의 표면적 보다 작은 면적이 노출되도록 패시베이션(Passivation:(110))을 코팅처리하여 주어, 본드 패드(104)의 부식을 방지하고자 반도체 칩(100)에 별도의 다소 작은 일정 크기의 원형으로 형성되어 있는 본드 패드(102)를 형성하지 않고도 범프(108)와 본드 패드(104)와의 완전접착을 이룰 수 있도록 하는 본드 패드(104)의 형상을 형성할 수 있도록 한 것이다.
따라서 앞에서 설명한 바와 같이 본 발명은 본드 패드를 부착되는 범프의 표면적보다 작게 구성하여 주어, 본드 패드의 형태적 축소로 인해 원가의 절감을 도모할 수 있도록 하였음은 물론이고, 상기 반도체 칩 상에 더욱더 많은 본드 패드를 형성할 수 있도록 하여 기능의 향상을 이룰 수 있도록 하였고, 또한, 반도체 칩을 플립 칩 본딩방법으로 기판(Substrate) 상에 실장시, 상기 반도체 칩 상에 형성되어 있는 본드 패드에 기판(Substrate)에 형성되어 있는 리드핑거와 접착을 이룰 수 있도록 하고자 형성하게 되는 범프가 본드 패드 부위 전체를 커버하게 본딩할 수 있어서, 상기 범프와 본드 패드가 더욱 견고한 본딩상태를 유지할 수 있도록 함은 물론이고, 상기 범프가 본드 패드(104)를 완전히 감싸므로써 접착되어 있는 본드 패드 외주연부위로 습기와 같은 불순물이 침투하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하여 일정기간 사용시 자체적으로 발생시키게 되는 습기와 같은 불순물이 상기 범프에 접착되어 있는 본드 패드 상으로 침투하여 본드 패드를 부식시키는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 하여 결과적으로 본 발명의 기술을 응용하여 제작 생산되게 되는 제품 전체의 부가가치를 향상시켜 상품성과 신뢰성 등의 향상을 이룰 수 있도록 한 효과를 가지게 되는 것이다.

Claims (2)

  1. 반도체 칩의 상면에 형성되어 범프(108)를 매개체로 기판(102)의 리드핑거(106)에 부착되는 본드 패드(Bond Pad)에 있어서.
    상기, 본드 패드(104)를 부착되는 범프(108)의 표면적보다 작게 구성함을 특징으로 하는 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 본드 패드(104)의 상면에 부착되는 범프(108)의 표면적 보다 작은 면적이 노출되도록 패시베이션(Passivation:(110))을 코팅처리하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조.
KR1019960062316A 1996-12-06 1996-12-06 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조 KR19980044254A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960062316A KR19980044254A (ko) 1996-12-06 1996-12-06 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960062316A KR19980044254A (ko) 1996-12-06 1996-12-06 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980044254A true KR19980044254A (ko) 1998-09-05

Family

ID=66475143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960062316A KR19980044254A (ko) 1996-12-06 1996-12-06 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980044254A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335648A (ja) * 1994-06-09 1995-12-22 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の突起電極
JPH08203907A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Fujitsu Ltd 外部接続用突起電極及びその形成方法
JPH08264541A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置
KR20000040591A (ko) * 1998-12-18 2000-07-05 윤종용 웨이퍼 상태에서의 멀티 칩 스케일 패키지 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335648A (ja) * 1994-06-09 1995-12-22 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の突起電極
JPH08203907A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Fujitsu Ltd 外部接続用突起電極及びその形成方法
JPH08264541A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置
KR20000040591A (ko) * 1998-12-18 2000-07-05 윤종용 웨이퍼 상태에서의 멀티 칩 스케일 패키지 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940008327B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 실장방법
US6608388B2 (en) Delamination-preventing substrate and semiconductor package with the same
KR100477020B1 (ko) 멀티 칩 패키지
US6262473B1 (en) Film carrier tape and semiconductor device, method of making the same and circuit board
US5567656A (en) Process for packaging semiconductor device
US5117280A (en) Plastic package semiconductor device with thermal stress resistant structure
JP2000269166A (ja) 集積回路チップの製造方法及び半導体装置
US6221697B1 (en) Chip scale package and manufacturing method thereof
KR19980044254A (ko) 반도체 칩의 본드 패드(Bond Pad) 구조
KR100541397B1 (ko) 절연된 더미 솔더 볼을 갖는 비지에이 패키지
KR100357883B1 (ko) 반도체장치및그제조방법
JPS6224650A (ja) 半導体装置
KR100891649B1 (ko) 반도체 패키지 제조방법
JP2001035866A (ja) チップ型電子部品の製造方法
JPH02105446A (ja) 混成集積回路
US6037652A (en) Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same
KR20100002868A (ko) 반도체 패키지
JPH0536861A (ja) 半導体デバイス
JPH0521653A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR200173019Y1 (ko) 반도체 패키지
JPH0511661B2 (ko)
KR100379085B1 (ko) 반도체장치의봉지방법
JPH01135052A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR940010548B1 (ko) 반도체 리드 프레임
KR20000028356A (ko) 반도체패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application