KR102671673B1 - 글루포시네이트 제조 방법 - Google Patents

글루포시네이트 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102671673B1
KR102671673B1 KR1020230047956A KR20230047956A KR102671673B1 KR 102671673 B1 KR102671673 B1 KR 102671673B1 KR 1020230047956 A KR1020230047956 A KR 1020230047956A KR 20230047956 A KR20230047956 A KR 20230047956A KR 102671673 B1 KR102671673 B1 KR 102671673B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
compounds
compound
following formula
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020230047956A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230058020A (ko
Inventor
원지에 탕
쳥쥔 우
??쥔 우
난 리
지엔지에 쉬
시엔종 탕
츈후이 마오
Original Assignee
영농 바이오사이언시스 씨오., 엘티디.
닝시아 영농 바이오사이언시스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 영농 바이오사이언시스 씨오., 엘티디., 닝시아 영농 바이오사이언시스 씨오., 엘티디. filed Critical 영농 바이오사이언시스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20230058020A publication Critical patent/KR20230058020A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102671673B1 publication Critical patent/KR102671673B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/30—Phosphinic acids [R2P(=O)(OH)]; Thiophosphinic acids ; [R2P(=X1)(X2H) (X1, X2 are each independently O, S or Se)]
    • C07F9/301—Acyclic saturated acids which can have further substituents on alkyl
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/48—Phosphonous acids [RP(OH)2] including [RHP(=O)(OH)]; Thiophosphonous acids including [RP(SH)2], [RHP(=S)(SH)]; Derivatives thereof
    • C07F9/4883—Amides or esteramides thereof, e.g. RP(NR'2)2 or RP(XR')(NR''2) (X = O, S)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/6564—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms
    • C07F9/6581—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms
    • C07F9/6584—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms having one phosphorus atom as ring hetero atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/6564—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms
    • C07F9/6581—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms
    • C07F9/6584—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms having one phosphorus atom as ring hetero atom
    • C07F9/65842—Cyclic amide derivatives of acids of phosphorus, in which one nitrogen atom belongs to the ring
    • C07F9/65844—Cyclic amide derivatives of acids of phosphorus, in which one nitrogen atom belongs to the ring the phosphorus atom being part of a five-membered ring which may be condensed with another ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/07—Optical isomers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

본원은 글루포시네이트의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 하기 식 (Ⅲ)의 화합물을 가수분해하여 하기 식 (Ⅰ)의 화합물을 수득하는 것을 포함하는, 하기 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본원의 방법은 반응 메커니즘이 상이하므로, Michaelis-Arbuzov 반응에서 할로겐화 탄화수소의 부산물의 생성을 방지할 수 있다. 해당 할로겐화 탄화수소의 부산물은 일반적으로 클로로에탄와 클로로메탄으로서, 둘 다 3급 발암 물질이며 대기 중 오존에 파괴적인 영향을 미친다. 이로써, 상기 부산물의 분리, 정제, 회수 등의 장비 및 공학적 투자가 생략되며, 상기 부산물이 가져올 잠재적인 환경 및 안전 위험도 회피된다.

Description

글루포시네이트 제조 방법{METHODS OF PREPARING GLUFOSINATE}
<관련 출원에 대한 상호 참조>
본원은 2022년 11월 17일에 출원된, 출원 번호는 202211440553.X이며, 발명의 명칭은 "글루포시네이트 제조 방법"인 중국 특허 출원, 및 2023년 1월 10일에 출원된, 출원 번호는 202310033931.0이며, 발명의 명칭은 "글루포시네이트 제조 방법"인 중국 특허 출원의 우선권을 주장하며, 그 전체 내용은 인용되어 본원에 통합된다.
본원은 농약 제초제 분야에 관한 것으로, 특히 글루포시네이트의 제조 방법에 관한 것이다.
글루포시네이트(Glufosinate)는 독일 Hoechst사에서 개발 및 생산되었으며, 그 화학명은 4-[히드록시(메틸)포스포닐]-DL-호모알라닌(4-[hydroxy(methyl)phosphonyl]-DL-homoalanine)으로서, 글루타민 합성 억제제이자 비선택적 접촉 제초제이고, 그 작용기전은 식물의 글루타민 합성효소의 활성을 억제하여, 글루타민 합성 방해, 질소대사 장애, 암모늄이온 축적을 일으킴으로써, 식물대사를 방해하여 식물을 고사시키는 것이다.
글루포시네이트는 넓은 제초 스펙트럼, 높은 활성, 낮은 독성, 토양내 분해 용이성, 작물에 대한 안전성, 작은 비산성(drift), 우수한 환경 적합성, 신속한 제초 효과 등 특성들을 가지고 있어, 게풀 및 독보리 등과 같은 100여종의 1년생 및 다년생 광엽 잡초 및 벼과 잡초를 방제하고 신속하게 사멸시킬 수 있다.
일반 글루포시네이트는 2가지 거울상 이성질체의 혼합물이지만, L-이성질체만이 활성을 가지고 토양 내에서 쉽게 분해되며 사람과 동물에 대한 독성이 적고 환경 압력을 크게 줄일 수 있으며 활성 및 저항성 잡초에 대한 방제 효과도 일반 글루포시네이트보다 우수하다. 현재 시판되고 있는 대부분의 글루포시네이트 제품은 여전히 라세미체이지만, 기술 혁신과 진보로 인해 L-이성질체가 주류 시장에 필연코 진입하게 될 것이다.
키랄 순수 L-글루포시네이트를 합성하는 기존의 방법은 주로 화학적 및 생물학적 방법을 포함한다. 그 중 화학적 방법은 화학적 분해법과 화학적 합성법을 포함한다.
화학적 분해법은 화학적 방법으로 합성된 라세미화된 D,L-글루포시네이트 또는 그 유도체를 키랄 분해 시약으로 분해하여 광학적으로 순수한 L-글루포시네이트를 얻는 것이다. 공개번호가 WO1995023805A1인 특허 명세서에는, 퀴닌 및 신코닌과 같은 키랄 염기를 사용하여 부분입체 이성질체 염들 중 하나를 침전시키고, D,L-호모알라닌-4-일-(메틸)포스폰산의 라세미체 분할을 통해 [L]- 또는 [D]-호모알라닌-4-일-(메틸)포스폰산 및 이의 염을 획득하는 방법을 개시하였다. 이 방법은 고가의 키랄 분해 시약을 사용해야 하고 수율이 낮아, 산업화 우세가 크지 않다.
화학적 합성법은 천연 키랄 아미노산 또는 비대칭적 방법으로 L-글루포시네이트를 합성한다.
공개번호가 US5442088A인 특허 명세서에서는, L-호모세린 락톤 유도체를 원료로 사용하여 개환 염소화, 에스테르화, 메틸포스파이트디에스테르와의 Arbuzov 반응을 거치고, 최종적으로 가수분해 및 정제를 통해 L-글루포시네이트 염산염을 수득하는 방법을 개시하였다.
이 다단계 반응 공정은 단위 조작이 간편하지만, Arbuzov 반응 원료인 염소화 기질의 활성이 제한적이어서, 일반적으로 비교적 높은 온도(130 내지 140도 이상)에서만 진행 가능하며, 아울러 고온에서 염소화 알칸 부산물이 또한 메틸포스파이트디에스테르와의 부반응을 일으키므로, 단위 소모가 크게 증가되며, 또한 이 온도에서의 반응은 일부 원료 또는 제품의 라세미화로 인해 L 타입 거울상 이성질체의 초과량이 감소되도록 한다.
공개 번호가 CN113490671B인 특허 명세서에서는, 아미노기에 의해 보호된 또는 보호되지 않은 할로겐화 호모세린 에스테르를 원료로 사용하여 메틸포스포나이트 모노클로로에스테르와 축합하여 중간체를 얻은 다음 가수분해하여 L-글루포시네이트를 수득하는 것을 개시하였다.
상기 방법은 호모세린을 원료로 사용하여, 고리화, 염소화, 에스테르화, 보호기 보호 등의 다단계 반응을 통해 합성을 수행하여, 반응 단계가 비교적 길다. 또한, Arbuzov 반응은 필연적으로 할로겐화 알칸을 생성하며, 소분자 할로겐화 탄화수소는 3급 발암 물질이고 대기 중 오존에 파괴적인 영향을 미친다.
최근 몇 년 동안 글루포시네이트에 대한 수요량이 지속적으로 증가함에 따라, 반응 조건이 온화하고, 수율이 더 높고, 비용이 더 낮고, 조작이 간단한 글루포시네이트 합성 방법의 개발은 제초제 사용을 줄이고 효능을 높이는 데 큰 의미가 있다.
간략화를 위해, 후술하는 "식 (N)의 화합물(예컨대, 식 (Ⅲ)의 화합물)"은 또한 식 (N)의 화합물의 임의의 광학 이성질체, 기하 이성질체, 호변 이성질체 또는 이성질체 혼합물, 또는 농업적으로 허용되는 염을 포함할 수 있다.
용어 "광학 이성질체"는 화합물이 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 경우 각각의 키랄 중심이 R 배열 또는 S 배열을 가질 수 있으며, 이로써 구성되는 다양한 이성질체를 의미한다. 광학 이성질체는 모든 부분입체 이성질체, 거울상 이성질체, 메소체, 라세미체 또는 이들의 혼합물 형태를 포함한다. 예를 들어, 광학 이성질체는 키랄 크로마토그래피 컬럼 또는 키랄 합성을 통해 분리될 수 있다.
용어 "기하 이성질체"는 화합물에 이중 결합이 존재하는 경우, 해당 화합물이 시스 이성질체, 트랜스 이성질체, E 이성질체 및 Z 이성질체로 존재할 수 있음을 의미한다. 기하 이성질체는 시스 이성질체, 트랜스 이성질체, E 이성질체, Z 이성질체 또는 이들의 혼합물 형태를 포함한다.
용어 "호변 이성질체"는 분자 내의 어느 한 원자가 두 위치 사이에서 빠르게 이동함으로써 생성된 이성질체를 의미한다. 당업자는 호변 이성질체가 서로 변환될 수 있고, 어느 한 상태에서 평형 상태에 도달하여 공존할 수 있음을 이해할 수 있다.
달리 명시되지 않은 한, 본원에서 "식 (N)의 화합물(예컨대, 식(Ⅲ)의 화합물")에 대한 언급은 또한, 해당 화합물의 임의의 하나의 원자가 그의 동위원소 원자로 대체된 동위원소 표지 화합물을 포함한다. 즉, 본 발명은 식 (N)의 화합물의 하나 이상의 원자가, 자연에서 일반적으로 발견되는 원자와 동일한 원자 번호를 갖지만 상이한 원자 질량 또는 질량수를 갖는 원자로 대체된 모든 농업적으로 허용되는 동위원소 표지 화합물을 포함한다.
본 발명의 화합물에 포함시키기에 적합한 동위원소는 예컨대 2H(D) 및 3H(T)와 같은 수소 동위원소, 11C, 13C 및 14C와 같은 탄소 동위원소, 37Cl과 같은 염소 동위원소, 18F와 같은 불소 동위원소, 123I 및 125I와 같은 요오드 동위원소, 13N 및 15N과 같은 질소 동위원소, 15O, 17O 및 18O와 같은 산소 동위원소, 및 35S와 같은 황 동위원소를 들 수 있다.
식 (N)의 동위원소 표지 화합물은 일반적으로 당업자에게 공지된 통상적인 기술에 의해, 또는 이전에 사용된 비표지 시약 대신 적합한 동위원소 표지 시약을 사용함으로써, 본원에 첨부된 실시예 및 제조에 기재된 것과 유사한 방법으로 제조될 수 있다.
식 (N)의 화합물은 농업적으로 허용되는 염, 예를 들어 식 (N)의 화합물의 산 부가염 및/또는 염기 부가염의 형태로 존재할 수 있다. 달리 명시되지 않은 한, 본원에서 사용되는 "농업적으로 허용되는 염"은 식 (N)의 화합물에서 발생할 수 있는 산 부가염 또는 염기 부가염을 포함한다.
식 (N)의 화합물의 농업적으로 허용되는 염은 그의 산 부가염 및 염기 부가염이 포함된다. 적합한 산 부가염은 비독성 염을 형성하는 산으로부터 형성된다. 그 예로는 아세테이트, 아디페이트, 아스파르테이트, 벤조에이트, 벤젠설포네이트, 바이카보네이트/카보네이트, 바이설페이트/설페이트, 보레이트, 캄포설포네이트, 시트레이트, 시클라메이트, 에탄디설포네이트, 포르메이트, 푸마레이트, 글루코헵토네이트, 글루코네이트, 글루쿠로네이트, 헥사플루오로포스페이트, 2-(4-하이드록시벤질)벤조에이트, 하이드로클로라이드/클로라이드, 하이드로브로마이드/브로마이드, 하이드로아이오다이드/아이오다이드, 2-이세티오네이트, 락테이트, 말레이트, 말레에이트, 말로네이트, 메탄설포네이트, 메틸설페이트, 나프탈레이트, 2-나프탈렌설포네이트, 니코티네이트, 니트레이트, 오로테이트, 옥살레이트, 팔미테이트, 포스페?憐?/하이드로겐포스페이트/디하이드로겐포스페이트, 피로글루타메이트, 글루카레이트, 스테아레이트, 살리실레이트, 탄네이트, 타르트레이트, 토실레이트 및 트리플루오로아세테이트를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 적합한 염기 부가염은 무독성 염을 형성하는 염기로부터 형성된다. 그 예로는 암모늄염, 알루미늄, 아르기닌, 칼슘, 콜린, 디에틸아민, 디에탄올아민, 글리신, 라이신, 마그네슘, 메글루민, 에탄올아민, 칼륨, 나트륨, 리튬, 트로메타민 및 아연염을 포함하나 이에 제한되지 않는다. 또한, 헤미황산염 및 헤미칼슘염과 같은 산 및 염기의 반염을 형성할 수 있다. 본원에 기술된 화합물의 농업적으로 허용되는 염을 제조하는 방법은 당업자에게 공지된 것이다.
본 발명의 일부 화합물들은 비용매화 형태 및 용매화 형태(수화 형태를 포함)로 존재할 수 있다. 일반적으로, 식 (N)의 화합물은 용매화 형태로 존재하든 비용매화 형태로 존재하든 모두 본 발명의 범위 내에 포함된다.
본 발명의 일부 화합물들은 상이한 결정형 또는 무정형 형태로 존재할 수 있으며, 어떤 형태로 존재하든 식 (N)의 화합물은 모두 본 발명의 범위 내에 포함된다.
모호함을 피하기 위해, 본원에서 사용되는 용어에 대해 하기와 같이 정의한다. 달리 명시되지 않은 한, 본원에서 사용되는 용어의 의미는 다음과 같다.
본원에서 사용되는 용어 "치환된"은 작용기 내의 하나 이상(바람직하게는 1 내지 5개, 보다 바람직하게는 1 내지 3개)의 수소 원자가 독립적으로 상응한 수의 치환기로 대체되는 것을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "독립적으로"는 치환기의 수가 1개를 초과하는 경우, 이들 치환기가 동일하거나 상이할 수 있음을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "선택적" 또는 "선택적으로"는 이에 의해 설명되는 사항이 발생할 수 있거나 또는 발생하지 않을 수 있음을 의미한다. 예를 들어, 하나의 작용기가 "선택적으로 치환"됨은 해당 작용기가 치환되지 않을 수도 있고 치환될 수도 있음을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "헤테로원자"는 산소(O), 질소(N) 또는 S(O)m(여기서 m은 0, 1 또는 2일 수 있음, 즉 황원자 S, 설폭사이드기 SO 또는 설포닐기 S(O)2일 수 있음)을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "알킬"은 직쇄 및 분지쇄를 포함하는 포화 지방족 탄화수소를 의미한다. 일부 실시예에서, 알킬기는 예를 들어 탄소수가 1 내지 6 또는 1 내지 3이다. 예를 들어, 용어 "C1-C6 알킬"은 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄 원자단을 의미한다. 용어 "C1-C6 알킬"은 그의 정의 내에 용어 "C1-6 알킬", "C1-C3 알킬" 및 "C1-C4 알킬"을 포함한다. 알킬의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, (R)-2-메틸부틸, (S)-2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 2,3-디메틸프로필, 2,3-디메틸부틸, 헥실 등을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
본원에서 사용되는 용어 "C3-C6 시클로알킬"은 고리를 형성하는 탄소수가 3 내지 6인 시클로알킬기를 의미한다. 예를 들어, C3-C6 시클로알킬은 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실을 포함한다.
본원에서 사용되는 용어 "n원 헤테로시클로알킬"은 고리를 형성하는 탄소원자가 m개이고, N, O 및 S 중에서 선택된 적어도 한가지인, 고리를 형성하는 헤테로원자가 (n-m)개인 시클로알킬기를 의미한다. 예를 들어, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬은 옥세탄, 티에탄, 아제티딘, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로티오펜, 피롤리딘, 테트라하이드로피란, 테트라하이드로티오피란, 피페리딘, 모르폴린, 피페라진을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
본원에서 사용되는 용어 "C6-C10 아릴"은 탄소수 6 내지 10의 방향족 고리를 갖는 아릴기를 의미하며, 바람직하게는 페닐이다.
본원에서 사용되는 용어 "n원 헤테로아릴"은 방향족 고리를 형성하는 탄소원자가 m개이고, N, O 및 S 중에서 선택되는 적어도 한가지인, 방향족 고리를 형성하는 헤테로원자가 (n-m) 개인 헤테로아릴기를 의미한다. 예를 들어, 5원 내지 10원 헤테로아릴은 피라진, 피라졸, 피롤, 푸란, 티오펜, 티아졸, 피리딘을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
본원에서 사용되는 용어 "할로알킬"은 하나 이상의 할로겐 치환기를 갖는 알킬기(최대로는 퍼할로알킬, 즉 알킬기의 각 수소 원자가 모두 할로겐원자로 대체됨)를 의미한다. 예를 들어, 용어 "C1-C6 할로알킬"은 하나 이상의 할로겐 치환기를 갖는 C1-C6 알킬기(최대로는 퍼할로알킬, 즉 알킬기의 각 수소 원자가 모두 할로겐 원자로 대체됨)를 의미한다. 또 다른 예로서, 용어 "C1 할로알킬"은 1, 2 또는 3개의 할로 치환기를 갖는 메틸기를 의미한다. 할로알킬기의 예는 CF3, C2F5, CHF2, CH2F, CH2CF3, CH2Cl 등을 포함한다.
여기서, 치환기수, 탄소수 및 고리원자수와 관련된 숫자 범위는 그 범위 내의 모든 정수를 하나씩 나열한 것을 의미하며, 범위는 간소화된 표현 방식일 뿐이다. 예를 들어, "1 내지 4개의 치환기"는 1, 2, 3 또는 4개의 치환기를 의미하고, "3 내지 8개의 탄소원자"는 3, 4, 5, 6, 7 또는 8개의 탄소원자를 의미한다. 따라서, 치환기의 수, 탄소수 및 고리원자수와 관련된 숫자 범위는 또한 이들의 임의의 하나의 하위 범위도 포함하고, 각 하위 범위도 본원에 개시된 것으로 간주된다.
제1 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅲ)의 화합물을 가수분해하여 하기 식 (Ⅰ)의 화합물을 수득하는 단계를 포함하는, 하기 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식에서,
X1은 할로겐이고;
Y는 -OR3 또는 -N(R4)(R5)이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R1 및 R2는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이고;
R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R4 및 R5는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이고;
*은 키랄 탄소원자를 식별하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 식 (Ⅰ)의 화합물은 단일한 거울상 이성질체의 형태로 존재할 수 있으며, 예를 들어 본 발명의 일 실시형태에서 식 (Ⅰ)의 화합물은 순수한 L-글루포시네이트 또는 D-글루포시네이트일 수 있다. 또한, 식 (Ⅰ)의 화합물은 거울상 이성질체 혼합물 형태로 존재할 수도 있고, 거울상 이성질체 혼합물에서 각 거울상 이성질체는 임의의 비율로 존재할 수 있으며, 예를 들어 본 발명의 일 실시형태에서, 식 (I)의 화합물의 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물은 0.1:99.9 내지 99.9:0.1인 L-글루포시네이트 및 D-글루포시네이트를 포함한다. 그러나, L-글루포시네이트만 활성을 나타내므로, 본 발명에 따른 식 (I)의 화합물의 L-거울상 이성질체는 또한 바람직하게 거울상 이성질체의 혼합물에서 더 큰 비율로 존재할 수 있으며, 예를 들어 일 실시형태에서, 식 (I)의 화합물의 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물은 50:50 내지 99.9:0.1(예컨대, 60:40, 70:30, 80:20, 90:10, 95:5 또는 99:1 등)의 L-글루포시네이트 및 D-글루포시네이트를 포함한다.
본 발명의 제1 측면에 따른 제조 방법에서, 식 (Ⅲ)의 화합물의 가수분해는 중성 조건 하에서 직접 수행될 수 있다. 즉, 해당 가수분해 반응은 물의 존재 하에서 직접 수행될 수 있다. 또한, 바람직하게 상기 가수분해는 산 또는 염기의 존재 하에 수행될 수도 있다. 보다 구체적으로, 상기 산은 염산, 황산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 인산, 질산, 포름산 및 아세트산 중에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 바람직하게는 염산 또는 황산일 수 있고, 상기 염기는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수산화물, 탄산염, 중탄산염 또는 염기성 탄산염, 암모니아수, 유기 염기 및 유기 아민 중에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 수산화나트륨 또는 트리에틸아민일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시형태에서 상기 가수분해는 예를 들어 30 내지 140℃(예컨대 40℃, 50℃, 60℃, 70℃, 80℃, 90℃, 100℃, 110℃, 120℃ 또는 130℃등), 바람직하게는 70 내지 110℃의 온도에서 수행될 수 있다.
식 (Ⅲ)의 화합물의 바람직한 형태로서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬 또는 C3-C6 시클로알킬에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에서 선택될 수 있다. 또한, 바람직한 일 실시형태에서, 본원에서 사용되는 경우, 할로겐은 불소, 염소 또는 브롬에서 선택될 수 있고, C1-C6 알킬은 메틸, 에틸, 프로필 또는 이소프로필에서 선택될 수 있고, C2-C6 알케닐은 비닐, 프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐 또는 이소부테닐에서 선택될 수 있고; C2-C6 알키닐은 에티닐, 프로피닐, 1-부티닐 또는 2-부티닐에서 선택될 수 있고; C3-C6 시클로알킬은 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에서 선택될 수 있고; 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬은 N, O 및 S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에서 선택될 수 있고; C6-C10 아릴은 페닐 또는 나프틸에서 선택될 수 있고; 및/또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 피라지닐, 피라졸릴, 피롤릴, 푸릴, 티에닐, 티아졸릴 또는 피리딜에서 선택될 수 있다.
식 (Ⅲ)의 화합물에 대한 대안으로서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -Si(R6)(R7)(R8)에서 선택될 수도 있되, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택될 수 있으며, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이다.
또한, 본 발명의 제1 측면의 제조 방법은 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 식 (Ⅲ)의 화합물은, 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
중 어느 한가지와 반응시킴으로써 제조될 수 있다.
상기 식들에서,
X2는 할로겐이고;
R1, R2, X1, Y 및 *는 앞서 정의된 바와 같고;
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R9 및 R10은 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이다.
전술한 바와 같이 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계에서, 사용된 식 (Ⅳ)의 화합물, 식 (Ⅴ)의 화합물 및/또는 식 (Ⅶ)의 화합물은 초기 반응물로서 반응계에 첨가될 수도 있고, 다른 화합물에 의한 원위치(in-situ) 반응을 통해 제공될 수도 있다. 예를 들어, 식 (Ⅳ)의 화합물은 식 (Ⅶ)의 화합물과 식 (Ⅷ)의 화합물 NHR1R2에 의한 원위치 반응을 통해 제공되거나, 또는 식 (Ⅴ)의 화합물과 식 (Ⅶ)의 화합물에 의한 원위치 반응을 통해 제공될 수 있고, 식 (Ⅴ)의 화합물(여기서 R9 및 R10은 각각 R1 및 R2에 해당할 수 있음)은 식 (Ⅶ)의 화합물과 식 (Ⅷ)의 화합물에 의한 원위치 반응을 통해 제공될 수 있다. 식 (Ⅲ)의 화합물 제조를 위한 대안으로서, 식 (Ⅱ)의 화합물을 식 (Ⅶ)의 화합물 및 식 (Ⅷ)의 화합물과 반응시켜 식 (Ⅲ)의 화합물을 제공할 수도 있다. 또한, 상기 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 다양한 단계에서, 각 원료의 공급 순서에는 제한이 없는바, 즉 각 원료는 임의의 순서로 반응계에 투입될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계는 바람직하게 탈산제(deacid reagent)의 존재 하에 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 탈산제는 NR11R12R13에서 선택될 수 있되, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R11, R12 및 R13 중 임의의 2개는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하며, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 선택적으로 치환된 것이다.
또한, 식 (Ⅷ)의 화합물 NHR1R2는 상술한 탈산제의 일반식을 충족하므로, 즉 탈산제로서의 요건도 충족하므로, 반응에서 바람직한 탈산제로서 과량의 식 (Ⅷ)의 화합물을 선택적으로 첨가할 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 실시형태에서, 상기 탈산제는 과량의 식 (Ⅷ)의 화합물, 암모니아, 트리에틸아민, 모르폴린 및 피페리딘 중에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상술한 바와 같은 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계는 용매 없이 또는 유기 용매의 존재 하에 수행될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 상기 유기 용매는 방향족 탄화수소계 용매(예컨대, 벤젠, 크실렌, 트리메틸벤젠, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 디이소프로필벤젠, 할로벤젠 또는 디할로벤젠), 알칸계 용매(예컨대, n-헥산, 시클로헥산, n-헵탄, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산), 할로겐화 탄화수소계 용매(예컨대, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 클로로포름 또는 사염화탄소), 에테르계 용매(예컨대, 테트라히드로푸란, 메틸테트라히드로푸란, 메틸tert-부틸에테르, 디이소프로필에테르, 메틸시클로펜틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디옥산 또는 디글라임), 에스테르계 용매(예컨대, 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트 또는 부틸아세테이트), 아미드계 용매(예컨대, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 헥사메틸포스포릭트리아미드, N-메틸피롤리돈 또는 1,3-디메틸-2-이미다졸리논) 또는 황 함유 용매(예컨대, 디메틸술폭사이드 또는 술포란)에서 선택되며, 바람직하게 상기 유기 용매는 톨루엔 및 클로로벤젠 중에서 선택되는 적어도 하나이다.
상술한 바와 같이 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계에서의 각 반응물의 사용량 및 반응 조건은 실제 수요 및 당업자의 지식에 따라 조정될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 식 (Ⅱ)의 화합물, 식 (Ⅳ)의 화합물+식 (Ⅴ)의 화합물+식 (Ⅶ)의 화합물의 사용량 합계, 및 탈산제의 몰비는 1 : 0.9~5 : 0.9~5, 바람직하게는 1 : 1.05~1.5 : 1.05~1.5일 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시형태에서, 상기 반응은 -20 내지 10℃(예를 들어, -10℃, -5℃, 0℃ 또는 5℃ 등)의 온도 범위에서 1 내지 15시간(예컨대, 2h, 4h, 6h 또는 12h 등) 동안 수행된 후, 10 내지 120℃(예컨대, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃ 또는 100℃ 등)의 온도 범위에서 0.5 내지 24시간(예컨대, 1h, 2h, 4h, 6h, 12h 또는 18h 등) 동안 수행될 수 있다.
식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 대안으로서, 상기 식 (Ⅲ)의 화합물은 또한 하기 단계들을 포함하는 방법을 통해 제조될 수 있다.
단계 1): 상기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기식 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
중 어느 한가지와 반응시킴으로써 하기식 (Ⅵ)의 화합물을 수득한다.
단계 2): 식 (Ⅵ)의 화합물을 반응시켜 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조한다.
상기 식들에서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
이 대안에 있어서, 후속 반응을 위한 중간체로서 식 (Ⅵ)의 화합물을 수득함을 명확하게 한 점을 제외하고는, 반응 원료는 실질적으로 전술한 방식과 동일하다. 따라서, 이 대안에서의 반응 원료, 반응계 및 반응 조건의 선택은 전술한 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하기 위한 방식을 참조할 수 있으며, 불필요한 중복을 피하기 위해 여기서 반복 설명하지 않을 것이다. 반응 조건을 예로 들면, 단계 1)의 반응은 -20 내지 10℃의 온도 범위에서 1 내지 15시간 동안 수행될 수 있고, 단계 2)의 반응은 10 내지 120℃의 온도 범위에서 0.5 내지 24시간 동안 수행될 수 있다.
제2 측면에서, 본원은 용매 없이 또는 유기 용매의 존재 하에서 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
중 어느 한가지와 반응시킴으로써 중간체를 수득하는 단계; 및 산성, 중성 또는 염기성 조건 하에서 상기 중간체를 가수분해하여 하기 식 (Ⅰ)의 화합물을 수득하는 단계를 포함하는, 하기 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식들에서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
본 발명의 제2 측면의 제조 방법에서 유기 용매 및 가수분해 조건 등은 본 발명의 제1 측면을 참조할 수 있으며, 불필요한 중복을 피하기 위해 여기서 반복 설명하지 않는다.
제3 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅲ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제공한다.
상기 식에서, X1, Y, R1, R2 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
바람직하게, 상기 식 (Ⅲ)의 화합물은 본 발명의 제1 측면을 참조하여 제조될 수 있다.
제4 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
중 어느 한가지와 반응시키는 단계를 포함하는, 하기 식 (Ⅲ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식들에서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
제5 측면에서, 본원은 하기 식 (VI)의 화합물을 반응시켜 하기 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는, 하기 식 (Ⅲ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식들에서, X1, Y, R1, R2 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
제6 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅵ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제공한다.
여기서, X1, Y, R1, R2 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
바람직하게, 상기 식 (Ⅵ)의 화합물은 본 발명의 제1 측면을 참조하여 제조될 수 있다.
제7 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
중 어느 한가지와 반응시키는 단계를 포함하는, 식 (Ⅵ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식들에서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
제8 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을, 하기 식 (Ⅶ)의 화합물 및 식 (Ⅷ)의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는, 식 (Ⅵ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법을 제공한다.
상기 식들에서, X1, X2, Y, R1, R2 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
제9 측면에서, 본원은 하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 식 (Ⅴ)의 화합물; 식 (Ⅳ)의 화합물과 식 (Ⅶ)의 화합물; 또는 식 (Ⅳ)의 화합물, 식 (Ⅴ)의 화합물 및 식 (Ⅶ)의 화합물;을 포함하는 조성물을 제공한다.
상기 식들에서, X2, R1, R2, R9, R10 및 *는 앞서 정의된 바와 같다.
제10 측면에서, 본원은, 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조함에 있어서의 제9 측면의 조성물의 용도를 제공한다.
당업자라면 본원의 일 측면에 기재된 정의 및 선호 사항이 다른 측면에도 적용될 수 있음을 이해할 수 있다. 당업자라면 본원의 다양한 측면의 실시형태들이 본원의 주제 및 구상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 방식으로 조합될 수 있으며 이러한 조합들도 본원의 범위에 포함됨을 이해할 수 있다.
연구 결과, 종래 기술에 비해 본 발명은 적어도 다음과 같은 유익한 효과를 포함하는 것으로 확인되었다.
1. 반응 메커니즘이 상이하므로, Michaelis-Arbuzov 반응에서 할로겐화 탄화수소의 부산물의 생성을 방지할 수 있다. 해당 할로겐화 탄화수소의 부산물은 일반적으로 클로로에탄와 클로로메탄으로서, 둘 다 3급 발암 물질이며 대기 중 오존에 파괴적인 영향을 미친다. 이로써, 상기 부산물의 분리, 정제, 회수 등의 장비 및 공학적 투자가 생략되며, 상기 부산물이 가져올 잠재적인 환경 및 안전 위험도 회피된다.
2. Michaelis-Arbuzov 반응에 비해 반응이 더 온화하며, 반응온도를 전자에 비해 30 내지 80℃ 더 낮출 수 있으므로, L-글루포시네이트 제조 시에 고온에서의 L 배열의 라세미화도 줄일 수 있어, L 배열 생성물의 순도를 향상시킨다.
3. 원료의 출처가 단순화되어, 메틸포스파이트 디에스테르를 중간체로 사용하지 않고 메틸포스핀이염화물을 원료로 직접 사용하므로, 원료 비용이 절감된다.
이하, 본 발명을 실시예를 참조하여 추가적으로 설명하지만, 이들 실시예는 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 달리 명시되지 않는 한, 각 실시예에 사용된 모든 반응물은 상업적 경로를 통해 입수된 것이고, 합성 실험 및 생성물 분석 검출에 사용된 모든 기기 및 장비는 유기 합성에서 일반적으로 사용되는 기존 기기 및 장비이다.
실시예 1: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅳ-1)의 합성
100g의 톨루엔에 디에틸아민(26.28g, 0.359mol, 2.1eq.)을 첨가하고 질소 보호 하에서 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고 메틸포스핀 디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅳ-1)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-1)의 합성
질소 보호 하에서 톨루엔 50g에 화합물(Ⅱ-1)(26.92g, 0.163mol, 0.95eq.)을 첨가하고 디에틸아민(11.89g, 0.163mol, 0.95eq.)을 첨가하여 균일하게 교반한 후, 얼음 수조(ice bath) 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅳ-1) 공급액을 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하고, 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-1) 용액인 여액을 수집하였다.
3) 화합물(Ⅲ-1)의 합성
질소 보호 하에서 상기 화합물(Ⅵ-1) 용액을 80 내지 85℃로 천천히 승온시키고, 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-1) 용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-1) 용액에 30% 염산 150g을 첨가하고, 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 첨가하고, 승온 환류시키고, 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 30.1g(수율 83.5%, 함량 98.1%, ee 값 97.3%)을 수득하였다.
실시예 2: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅳ-2)의 합성
질소 보호 하에 디메틸아민(16.20g, 0.360mol, 2.1eq.)을 -5 내지 5℃로 예냉한 100g의 톨루엔에 천천히 통과시키고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅳ-2)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-2)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-1)(27.20g, 0.164mol, 0.96eq.)을 50g의 톨루엔에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 디메틸아민(7.41g, 0.164mol, 0.96eq.)을 천천히 통과시켜, 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하면서, 상기 화합물(Ⅳ-2)을 적하하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 톨루엔으로 여과 케이크를 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-2) 용액인 여액을 수집하였다.
m/z(ESI) 255.12([M+1]+, 100%).
3) 화합물(Ⅲ-2)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-2) 용액을 80 내지 85℃로 천천히 승온시키고, 온도를 유지하면서 7시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-2) 용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-2)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고, 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 첨가한 후, 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 28.7g(수율 78.5%, 함량 97.6%, ee 값 95.3%)을 수득하였다.
실시예 3: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅴ-1)의 합성
톨루엔 150g에 디에틸아민(51.30g, 0.701mol, 4.1eq.)을 첨가하고, 질소 보호 하에 -5 내지 5℃로 냉각시키고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적가 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅴ-1)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-1)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-2)(32.84g, 0.163mol, 0.95eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅴ-1) 공급액을 적하하면서, 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 톨루엔으로 여과 케이크를 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-1) 용액인 여액을 수집하였다.
m/z(ESI) 283.13([M+1]+, 100%).
3) 화합물(Ⅲ-1)의 합성
질소 보호 하에서 상기 화합물(Ⅵ-1) 용액을 80 내지 85℃로 천천히 승온시키고, 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-1) 용액을 수득하였다.
m/z(ESI) 247.17([M-Cl]+, 100%); 31P NMR(33MHz) δ: 71.10.
4) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-1) 용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건고시키고, 무수에탄올 150g을 첨가하고, 승온 환류시키고, 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 26.7g(수율 73.5%, 함량 97.5%, ee값 97.5%)을 수득하였다.
실시예 4: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅴ-2)의 합성
질소 보호 하에 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고, 디메틸아민(31.63g, 0.701mol, 4.1eq.)을 톨루엔 150g에 천천히 통과시키고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)을 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완류 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅴ-2)를 수득하였다.
m/z(ESI) 135.09([M+1]+, 100%); 31P NMR(33MHz) δ: 87.63.
2) 화합물(Ⅵ-2)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-2)(32.84g, 0.163mol, 0.95eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅴ-2) 공급액을 적하하면서, 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-2) 용액인 여액을 수집하였다.
m/z(ESI) 255.11([M+1]+, 100%).
3) 화합물(Ⅲ-2)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-2) 용액을 천천히 80 내지 85℃로 승온시키고, 온도를 유지하면서 8시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-2) 용액을 수득하였다.
m/z(ESI) 219.12([M-Cl]+, 100%); 31P NMR(33MHz) δ: 77.90.
4) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-2) 용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 첨가한 후 승온 환류시키고, 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 25.9g(수율 70.5%, 함량 96.2%, ee 값 97.3%)을 수득하였다.
실시예 5: DL-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-2)의 합성
1) 화합물(Ⅳ-1)의 합성
톨루엔 100g에 디에틸아민(27.53g, 0.376mol, 2.2eq.)을 첨가하고 질소 보호 하에서 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅳ-1)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-3)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-3)(27.77g, 0.168mol, 0.98eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고 디에틸아민(12.26g, 0.168mol, 0.98eq.)을 첨가하여 균일하게 교반한 후, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅳ-1) 공급액을 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하고, 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-3) 용액인 여액을 수집하였다.
3) 화합물(Ⅲ-3)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(VI-3)용액을 천천히 80 내지 85℃로 승온시키고, 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-3) 용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-2)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-3) 용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시켰다. 무수에탄올 150g을 첨가하고, 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-2) 30.2g(수율 81.5%, 함량 98.5%)을 수득하였다.
실시예 6: DL-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-2)의 합성
1) 화합물(Ⅳ-2)의 합성
질소 보호 하에 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고 디메틸아민(16.20g, 0.359mol, 2.1eq.)을 톨루엔 100g에 천천히 통과시키고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅳ-2)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-4)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-3)(27.48g, 0.166mol, 0.97eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 디메틸아민(7.48g, 0.166mol, 0.97eq.)을 천천히 투입하고, 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하면서 상기 화합물(Ⅳ-2)공급액을 적하하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 톨루엔으로 여과 케이크를 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-4)용액인 여액을 수집하였다.
3) 화합물(Ⅲ-4)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-4)용액을 80 내지 85℃까지 천천히 승온시키고, 온도를 유지하면서 6시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-4)용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-2)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-4)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시켰다. 무수에탄올 150g을 첨가하고, 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-2) 28.9g(수율 77.5%, 함량 96.8%)을 수득하였다.
실시예 7: DL-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-2)의 합성
1) 화합물(Ⅴ-1)의 합성
톨루엔 150g에 디에틸아민(52.55g, 0.719mol, 4.2eq.)을 첨가하고 질소 보호 하에서 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고, 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후, 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅴ-1)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-3)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-4)(32.84g, 0.163mol, 0.95eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅴ-1) 공급액을 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 톨루엔으로 여과 케이크를 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-3)용액인 여액을 수집하였다.
3) 화합물(Ⅲ-3)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-3)용액을 천천히 80 내지 85℃로 승온시키고, 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-3)용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-2)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-3) 용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고 무수에탄올 150g을 첨가한 다음, 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-2) 25.7g(수율 71.1%, 함량 97.8%)을 수득하였다.
실시예 8: DL-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-2)의 합성
1) 화합물(Ⅴ-2)의 합성
질소 보호 하에 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고 디메틸아민(31.24g, 0.693mol, 4.05eq.)을 톨루엔 150g에 천천히 통과시켰다. 메틸포스핀디클로라이드(20g, 0.171mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅴ-2)을 수득하였다.
2) 화합물(Ⅵ-4)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-4)(32.84g, 0.163mol, 0.95eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅴ-2) 공급액을 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-4)용액인 여액을 수집하였다.
3) 화합물(Ⅲ-4)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-4)용액을 80 내지 85℃까지 천천히 승온시키고 온도를 유지하면서 8시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-4)용액을 수득하였다.
4) 화합물(Ⅰ-2)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-4)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 가한 후 승온 환류시키고 냉각 및 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-2) 26.4g(수율 72.5%, 함량 97.2%)을 수득하였다.
실시예 9: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅵ-1)의 합성
질소 보호 하에서 톨루엔 150g에 화합물(Ⅱ-1)(40.37g, 0.244mol, 0.95eq.)을 첨가하고 디에틸아민(57.24g, 0.783mol, 3.05eq.)을 첨가하여 균일하게 교반한 후 얼음 수조 냉각 조건에서 메틸포스핀디클로라이드(30.0g, 0.257mol, 1.0eq.)를 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시킨 후, 질소 가압 여과를 수행하고 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-1)용액인 여액을 수집하였다.
2) 화합물(Ⅲ-1)의 합성
질소 보호 하에서 상기 화합물(Ⅵ-1)용액을 80 내지 85℃로 천천히 승온시킨 후, 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-1)용액을 수득하였다.
3) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-1)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 첨가한 후 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 후, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 46.0g(수율 85.5%, 함량 98.5%, ee 값 97.5%)을 수득하였다.
실시예 10: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅵ-5)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-1)(33.78g, 0.204mol, 0.95eq.)을 톨루엔 150g에 첨가하고, 얼음 수조 냉각 조건에서 메틸포스핀디클로라이드(25.1g, 0.215mol, 1.0eq.)를 천천히 적가하고 동시에 암모니아(18.46g, 1.084mol, 5.05eq.)를 천천히 투입하면서, 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 2시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-5)용액인 여액을 수집하였다.
m/z(ESI) 227.07([M+1]+, 100%).
2) 화합물(Ⅲ-5)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-5)용액을 60~65℃로 천천히 승온시킨 후 온도를 유지하면서 10시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-5)용액을 수득하였다.
m/z(ESI) 191.11([M-Cl]+, 100%);
3) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-5)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조하고, 무수에탄올 150g을 가한 후 승온 환류시키고 냉각 결정화시킨 다음, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 31.5g(수율 69.5%, 함량 97.5%, ee 값 97.2%)을 수득하였다.
실시예 11: L-글루포시네이트 염산염(Ⅰ-1)의 합성
1) 화합물(Ⅳ-3)의 합성
100g의 톨루엔에 N-메틸아닐린(50.73g, 0.473mol, 2.05eq.)을 첨가한 후 질소 보호 하에서 온도를 -5 내지 5℃로 낮추고, 메틸포스핀 디클로라이드(27g, 0.231mol, 1.0 eq.)를 적하하면서 반응계 온도를 -5 내지 5℃로 유지하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 0.5시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용되는 화합물(Ⅳ-3)을 수득하였다.
m/z(CI) 188.05([M+1]+, 100%); 31P NMR(33MHz) δ: 140.51.
2) 화합물(Ⅵ-6)의 합성
질소 보호 하에서 화합물(Ⅱ-1)(37.48g, 0.226mol, 0.98eq.)을 톨루엔 50g에 첨가하고 N-메틸아닐린(24.25g, 0.226mol, 0.98eq.)을 첨가하여 균일하게 교반한 후, 얼음 수조 냉각 조건에서 상기 화합물(Ⅳ-3) 공급액을 적하하면서 반응액의 내부 온도를 5 내지 10℃로 조절하였다. 적하 완료 후 온도를 유지하면서 5시간 동안 반응시키고, 질소 가압 여과를 수행하고, 여과 케이크를 톨루엔으로 2회 세척하여, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅵ-6)용액인 여액을 수집하였다.
m/z(ESI) 317.13([M+1]+, 100%).
3) 화합물(Ⅲ-6)의 합성
질소 보호 하에 상기 화합물(Ⅵ-6)용액을 80 내지 85℃까지 천천히 승온시킨 후 온도를 유지하면서 12시간 동안 반응시켜, 다음 반응에 바로 사용될 수 있는 화합물(Ⅲ-6)용액을 수득하였다.
m/z(ESI) 281.15([M-Cl]+, 100%); 31P NMR(33MHz) δ: 60.31.
4) 화합물(Ⅰ-1)의 합성
상기 화합물(Ⅲ-6)용액에 30% 염산 150g을 첨가하고 95 내지 105℃로 가열하여 반응시켰다. 반응 종료 후 감압 증류를 통해 용매를 제거하여 건조시키고, 무수에탄올 150g을 첨가한 후 승온 환류시키고 냉각 결정화한 다음, 흡인여과 및 건조를 통해 백색 고체인 목적물(Ⅰ-1) 36.1g(수율 71.5%, 함량 97.5%, ee값 96.1%)을 수득하였다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 기재된 구체적인 사항에 한정되지 아니하며, 본 발명의 기술적 구상의 범위 내에서 본 발명의 기술 방안에 대한 다양한 단순 변형이 가능함은 물론이며, 이러한 단순 변형은 모두 본 발명의 보호 범위에 속한다.
또한 설명해야 할 점이라면, 전술한 구체적인 실시예에 기재된 각 구체적인 기술적 특징은 충돌되지 않는 한 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있으며, 본 발명은 불필요한 반복을 피하기 위하여 다양한 가능한 조합에 대해서는 별도로 기재하지 아니한다.
또한, 본 발명의 서로 다른 실시예들도 임의로 조합될 수 있으며, 본 발명의 구상에 어긋나지 않는 한, 이들도 본 발명의 개시된 내용으로 간주되어야 한다.

Claims (38)

  1. 하기 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서,
    하기 식 (Ⅲ)의 화합물을 가수분해하여 하기 식 (Ⅰ)의 화합물을 수득하는 것을 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서,
    X1은 할로겐이고;
    Y는 -OR3 또는 -N(R4)(R5)이고;
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R1 및 R2는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이고;
    R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R4 및 R5는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것이고;
    *은 키랄 탄소원자를 식별하기 위한 것임.)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가수분해는 산 또는 염기의 존재 하에 수행되는,
    제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 산은 염산, 황산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 인산, 질산, 포름산 및 아세트산 중에서 선택되는 하나 이상인,
    제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 산은 염산 또는 황산인,
    제조 방법.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 염기는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수산화물, 탄산염, 중탄산염 또는 염기성 탄산염, 암모니아수, 유기 염기 및 유기 아민 중에서 선택되는,
    제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 염기는 수산화나트륨 또는 트리에틸아민인,
    제조 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 가수분해는 30℃ 내지 140℃의 온도에서 수행되는,
    제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가수분해는 70℃ 내지 110℃의 온도에서 수행되는,
    제조 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 글루포시네이트의 거울상 이성질체는 L-글루포시네이트 또는 D-글루포시네이트인,
    제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 글루포시네이트의 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물은 0.1:99.9 내지 99.9:0.1인 L-글루포시네이트 및 D-글루포시네이트를 포함하는,
    제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 글루포시네이트의 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물은 50:50 내지 99.9:0.1인 L-글루포시네이트 및 D-글루포시네이트를 포함하는,
    제조 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 할로겐은 불소, 염소 또는 브롬에서 선택되고;
    상기 C1-C6 알킬은 메틸, 에틸, 프로필 또는 이소프로필에서 선택되고;
    상기 C2-C6 알케닐은 비닐, 프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐 또는 이소부테닐에서 선택되고;
    상기 C2-C6 알키닐은 에티닐, 프로피닐, 1-부티닐 또는 2-부티닐에서 선택되고;
    상기 C3-C6 시클로알킬은 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에서 선택되고;
    상기 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬은 N, O 및 S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에서 선택되고;
    상기 C6-C10 아릴은 페닐 또는 나프틸에서 선택되고; 및/또는
    상기 5원 내지 10원 헤테로아릴은 피라지닐, 피라졸릴, 피롤릴, 푸릴, 티에닐, 티아졸릴 또는 피리딜에서 선택되는,
    제조 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬 또는 C3-C6 시클로알킬에서 선택되는,
    제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 또는 시클로헥실에 선택되는,
    제조 방법.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 (Ⅲ)의 화합물은, 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    중 어느 한가지와 반응시킴으로써 제조되는,
    제조 방법.

    (여기서,
    X2는 할로겐이고;
    R1, R2, X1, Y 및 *는 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같고;
    R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R9 및 R10은 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하되, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 치환된 것임.)
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 반응은 탈산제의 존재 하에 수행되는,
    제조 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 탈산제는 NR11R12R13에서 선택될 수 있되, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴에서 선택되거나, 또는 R11, R12 및 R13 중 임의의 2개는 이들이 결합된 N 원자와 함께 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬을 형성하며, 상기 C1-C6 알킬, C2-C6 알케닐, C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, 3원 내지 6원 헤테로시클로알킬, C6-C10 아릴 또는 5원 내지 10원 헤테로아릴은 선택적으로 할로겐, 카르복실, 히드록실, 시아노, 아미노, 니트로, C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, C1-C3 알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 C6-C10 아릴에 의해 선택적으로 치환된 것인,
    제조 방법.
  18. 청구항 16에 있어서,
    식 (Ⅱ)의 화합물, 식 (Ⅳ)의 화합물+식 (Ⅴ)의 화합물+식 (Ⅶ)의 화합물의 사용량 합계, 및 탈산제의 몰비는 1 : 0.9~5 : 0.9~5인,
    제조 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    식 (Ⅱ)의 화합물, 식 (Ⅳ)의 화합물+식 (Ⅴ)의 화합물+식 (Ⅶ)의 화합물의 사용량 합계, 및 탈산제의 몰비는 1 : 1.05~1.5 : 1.05~1.5인,
    제조 방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 반응은 용매 없이 또는 유기 용매의 존재 하에서 수행되는,
    제조 방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 유기 용매는 방향족 탄화수소계 용매, 알칸계 용매, 할로겐화 탄화수소계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 아미드계 용매 또는 황 함유 용매에서 선택되는,
    제조 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 유기 용매는 톨루엔 및 클로로벤젠 중에서 선택되는 적어도 하나인,
    제조 방법.
  23. 청구항 15에 있어서,
    상기 반응은 -20℃내지 10℃의 온도에서 1시간 내지 15시간 동안 수행된 후, 10℃내지 120℃의 온도에서 0.5시간 내지 24시간 동안 수행되는,
    제조 방법.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 (Ⅲ)의 화합물은,
    1）하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    중 어느 한가지와 반응시킴으로써 하기 식 (Ⅵ)의 화합물을 수득하는 것; 및
    2) 하기 식 (Ⅵ)의 화합물을 반응시켜 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 것;을 포함하는 방법을 통해 제조되는,
    제조 방법.


    (여기서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음)
  25. 청구항 24에 있어서,
    단계 1)의 반응은 -20℃내지 10℃의 온도 범위에서 1시간 내지 15시간 동안 수행되는,
    제조 방법.
  26. 청구항 24에 있어서,
    단계 2)의 반응은 10℃내지 120℃의 온도 범위에서 0.5시간 내지 24시간 동안 수행되는,
    제조 방법.
  27. 하기 식 (Ⅰ)로 표시되는 글루포시네이트 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서,
    용매 없이 또는 유기 용매의 존재 하에서 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    중 어느 한가지와 반응시킴으로써 중간체를 수득하는 것; 및
    산성, 중성 또는 염기성 조건 하에서 상기 중간체를 가수분해하여 하기 식 (Ⅰ)의 화합물을 수득하는 것을 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 식 (Ⅳ)의 화합물, 상기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 상기 식 (Ⅶ)의 화합물은 원위치 반응을 통해 제공되는,
    제조 방법.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 식 (Ⅳ)의 화합물은 상기 식 (Ⅶ)의 화합물과 식 (Ⅷ)의 화합물 NHR1R2에 의한 원위치 반응을 통해 제공되고;
    상기 식 (Ⅳ)의 화합물은 상기 식 (Ⅴ)의 화합물과 식 (Ⅶ)의 화합물에 의한 원위치 반응을 통해 제공되고; 및/또는
    상기 식 (Ⅴ)의 화합물은 상기 식 (Ⅶ)의 화합물과 식 (Ⅷ)의 화합물 NHR1R2에 의한 원위치 반응을 통해 제공되되, 여기서 R9 및 R10은 각각 R1 및 R2에 해당하는,
    제조 방법.
  30. 하기 식 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물.

    (여기서, X1, Y, R1, R2 및 *는 청구항 1, 및 12 내지 14 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같음.)
  31. 청구항 30에 있어서,
    청구항 15 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 따른 방법에서의 단계를 통해 제조되는,
    화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물.
  32. 하기 식 (Ⅲ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서, 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    중 어느 한가지와 반응시키는 것을 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
  33. 하기 식 (Ⅲ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서,
    하기 식 (Ⅵ)의 화합물을 반응시켜 하기 식 (Ⅲ)의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서, X1, Y, R1, R2 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
  34. 하기 식 (Ⅵ)으로 표시되는 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물.

    (여기서, X1, Y, R1, R2 및 *는 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같음.)
  35. 청구항 34에 있어서,
    청구항 24 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 따른 방법에서의 단계를 통해 제조되는,
    화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의의 비율의 거울상 이성질체 혼합물.
  36. 하기 식 (Ⅵ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서, 하기 식 (Ⅱ)의 화합물을:
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅴ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;
    중 어느 한가지와 반응시키는 것을 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서, X1, X2, Y, R1, R2, R9, R10 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
  37. 하기 식 (Ⅵ)의 화합물 또는 이의 염, 거울상 이성질체 또는 임의 비율의 거울상 이성질체 혼합물을 제조하는 방법으로서,
    하기 식 (Ⅱ)의 화합물을, 하기 식 (Ⅶ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅷ)의 화합물과 반응시키는 것을 포함하는,
    제조 방법.

    (여기서, X1, X2, Y, R1, R2 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
  38. 하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅴ)의 화합물;
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물과 하기 식 (Ⅶ)의 화합물; 또는
    하기 식 (Ⅳ)의 화합물, 하기 식 (Ⅴ)의 화합물 및 하기 식 (Ⅶ)의 화합물;을 포함하는, 조성물.

    (여기서, X2, R1, R2, R9, R10 및 *는 청구항 15에서 정의된 바와 같음.)
KR1020230047956A 2022-11-17 2023-04-12 글루포시네이트 제조 방법 KR102671673B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211440553.X 2022-11-17
CN202211440553 2022-11-17
CN202310033931.0 2023-01-10
CN202310033931.0A CN116041387B (zh) 2022-11-17 2023-01-10 一种草铵膦的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230058020A KR20230058020A (ko) 2023-05-02
KR102671673B1 true KR102671673B1 (ko) 2024-06-04

Family

ID=86118520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230047956A KR102671673B1 (ko) 2022-11-17 2023-04-12 글루포시네이트 제조 방법

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20240116960A1 (ko)
JP (1) JP7375243B1 (ko)
KR (1) KR102671673B1 (ko)
CN (2) CN116041387B (ko)
AU (1) AU2023203007B2 (ko)
BR (1) BR102023014787A2 (ko)
CA (1) CA3201102A1 (ko)
CL (1) CL2023002359A1 (ko)
IL (1) IL302952A (ko)
MX (1) MX2023011317A (ko)
TW (1) TWI823808B (ko)
WO (1) WO2024104419A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116041387B (zh) * 2022-11-17 2023-07-14 永农生物科学有限公司 一种草铵膦的制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH433292A (de) * 1963-06-07 1967-04-15 Monsanto Co Verfahren zur Herstellung von Aminophosphinen
DE19736125A1 (de) * 1997-08-20 1999-02-25 Hoechst Schering Agrevo Gmbh Verfahren zur Herstellung von Glufosinate und phosphorhaltige alpha-Aminonitrile als Zwischenprodukte
CA3015081A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-08 Agrimetis, Llc Methods for making l-glufosinate
CN106083922B (zh) * 2016-08-23 2018-08-31 山东省农药科学研究院 一种精草铵膦的制备方法
KR102582675B1 (ko) * 2019-01-11 2023-09-25 씨제이제일제당 주식회사 글루포시네이트 제조 방법
EP3909961A4 (en) * 2019-01-11 2022-10-26 CJ Cheiljedang Corporation L-GLUFOSINATE INTERMEDIATE AND PRODUCTION PROCESS FOR L-GLUFOSINATE
CN111662324B (zh) * 2019-03-05 2023-02-24 利尔化学股份有限公司 一种制备l-草铵膦的方法
CN111018906B (zh) * 2019-10-29 2022-05-24 南京红太阳生物化学有限责任公司 一种草铵膦的制备方法
WO2021143713A1 (zh) * 2020-01-13 2021-07-22 利尔化学股份有限公司 制备l-草铵膦中间体的方法
CN113248537B (zh) * 2020-02-11 2023-06-06 利尔化学股份有限公司 草铵膦的制备方法
EP4063374A4 (en) * 2020-10-14 2023-09-27 Lier Chemical Co., Ltd. PROCESS FOR PREPARING L-GLUFOSINATE
CN116041387B (zh) * 2022-11-17 2023-07-14 永农生物科学有限公司 一种草铵膦的制备方法
CN116375764A (zh) * 2023-04-05 2023-07-04 宁夏永农生物科学有限公司 一种草铵膦的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7375243B1 (ja) 2023-11-07
BR102023014787A2 (pt) 2023-10-03
CN116041387A (zh) 2023-05-02
AU2023203007A1 (en) 2023-06-01
CN116789695A (zh) 2023-09-22
CN116789695B (zh) 2024-03-29
WO2024104419A1 (zh) 2024-05-23
CA3201102A1 (en) 2023-08-03
AU2023203007B2 (en) 2024-02-22
MX2023011317A (es) 2023-10-03
CL2023002359A1 (es) 2023-12-29
TW202335588A (zh) 2023-09-16
KR20230058020A (ko) 2023-05-02
JP2024073346A (ja) 2024-05-29
US20240116960A1 (en) 2024-04-11
IL302952A (en) 2024-06-01
TWI823808B (zh) 2023-11-21
CN116041387B (zh) 2023-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100332154B1 (ko) 식이습성조절제(FEEDINGBEHAVIORMODIFIER)로서아세트아미드유도체들과그의이용(Acetamidederivativesandtheiruseformodifyingfeedingbehaviourmodifiers)
KR102671673B1 (ko) 글루포시네이트 제조 방법
ES2528716T3 (es) Procedimiento para la preparación de derivados de piridina
SE452610B (sv) Sett att spalta racemiska cis-1,2-cyklopropandikarboxylsyraderivat
US11434238B2 (en) Method for producing triazolopyridine compound
US6197998B1 (en) Process for producing N-glycyltyrosine and its crystal structure
PT97943A (pt) Processo para a preparacao de piridino-2,3-dicarboxilatos de dialquilo e de derivados dos mesmos, a partir de dicloromaleato de dialquilo
CN116375764A (zh) 一种草铵膦的制备方法
NO166712B (no) Fremgangsmaate ved fremstilling av pyrrolidonderivater.
NO309479B1 (no) Fremgangsmåte for fremstilling av (1S-(1R*,2S*,3R*))-N-(4- morfolinylsulfonyl)-L-fenylalanyl-3-(2-amino-4-tiazolyl)-N-((1- cykloheksylmetyl)-2,3-dihydroksy-5-metylheksyl)-L-alaninamid
EP4371992A1 (en) Methods of preparing glufosinate
CN117164621A (zh) 一种草铵膦的制备方法
KR101603324B1 (ko) 3-알킬티오-2-브로모피리딘 화합물의 제조방법
CN116478207A (zh) 一种草铵膦的制备方法
CN115873033A (zh) 一种草铵膦的制备方法
JPH01168675A (ja) １，３−ジアルキルピラゾール−５−カルボン酸エステル類の製造法
RU2626957C2 (ru) 2,6 -дигалоген-5-алкокси-4-замещенные-пиримидины, пиримидинкарбальдегиды и способы получения и применения
JP3972715B2 (ja) スルフィド誘導体の製法
JP4440891B2 (ja) アデニン誘導体の製造方法
IL157724A (en) Process for the preparation of position-converted oxazole compounds and position-converted imidazole compounds
EP4114827A1 (en) Process for the preparation of 5-chloro-3-alkylsulfanyl-pyridine-2-carboxylic acid amides and carboxylates
KR20070090937A (ko) 2-(피라졸-1-일)피리딘 유도체
JPH04124172A (ja) α―アミノ―チオアセトアミド誘導体およびその製造法
JPH04112873A (ja) ピラゾール―５―カルボン酸エステル類の製造法
ZA200100474B (en) 3 substituted pyridine compounds and related synthesis.

Legal Events

Date Code Title Description
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant