KR102617773B1 - 입자 제거 장치 및 관련 시스템 - Google Patents
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Abstract
클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위한 장치(16)가 개시되며, 이 장치는 클램프 근처에 배치 가능하고, 절연 부분(18) 및 지지 부분(20)을 포함하고, 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 지지 부분에 배치되고, 지지 부분은, 장치의 지지 부분 및/또는 클램프의 전극(8)에 전압이 인가되면 지지 부분이 전극으로 작용하여 클램프로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 장치와 클램프 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있다.
Description
본 출원은 2017년 6월 1에 출원된 EP 출원 17173872.7 및 2017년 7월 24에 출원된 EP 출원 17182807.2의 우선권을 주장하고, 이들 유럽 출원은 전체적으로 본 명세서에 참조로 관련되어 있다.
본 발명은 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치와 관련 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 예컨대 리소그래피 장치의 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상에 가하는 기계이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예컨대 패터닝 장치(예컨대, 마스크)로부터 패턴을 기판 상에 제공되어 있는 방사선 민감성 재료(레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.
패턴을 기판 상으로 투영하기 위해 리소그래피 장치에 의해 사용되는 방사선의 파장은 기판 상에 형성될 수 있는 피쳐(feature)의 최소 크기를 결정한다. EUV 방사선(4 ∼ 20 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선)을 사용하는 리소그래피 장치를 사용하여, 종래의 리소그래피 장치(예컨대, 193 nm의 파장을 갖는 전자기 방사선을 사용할 수 있음) 보다 더 작은 피쳐를 기판 상에 형성할 수 있다.
리소그래피 장치에서 정전기식 클램프를 사용하여, 예컨대, 마스크 또는 기판과 같은 대상물을 대상물 지지부, 예컨대, 지지 구조물 또는 기판 테이블에 정전기적으로 클램핑(또는 유지)할 수 있다.
대상물에 존재할 수 있는 입자는 정전기식 클램프의 표면 상으로 이동할 수 있고, 거기서 입자는 정전기식 클램프와 대상물 사이에 소위 부착을 야기할 수 있다. 이들 부착 효과는 예컨대 리소그래피 장치의 오버레이(overlay) 제어에 영향을 줄 수 있다.
입자는 예컨대 정화 제품으로 정전기식 클램프의 표면을 닦아 정전기식 클램프의 표면으로부터 수동으로 제거될 수 있다. 그러나, 이는 리소그래피 장치의 이용 가능성에 영향을 줄 수 있는데, 입자는 리소그래피 장치의 가동 중단 시간 동안에 제거될 수 있고 입자의 수동 제거는 시간 집약적이기 때문이다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치가 제공되는데, 이 장치는 상기 클램프 근처에 배치 가능하고, 또한 절연 부분; 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 클램프로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 클램프 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있다.
클램프로부터의 입자 제거는 클램프와 이 클램프로 유지되는 대상물 사이의 부착 효과를 줄이거나 방지할 수 있다. 예컨대, 장치가 리소그래피 장치에 사용되거나 그에 포함되어 있으면, 클램프로부터의 입자 제거의 결과로, 그 리소그래피 장치의 오버레이 제어가 개선될 수 있다. 리소그래피 장치의 사용으로, 클램프로부터 입자의 수동 제거를 피할 수 있다. 그래서, 입자가 리소그래피 장치의 가동 중단 시간 동안에 제거될 필요가 없음에 따라, 리소그래피 장치의 이용 가능성이 증가될 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 절연 부분을 갖는 장치를 제공함으로써, 클램프로부터 제거된 입자가 그 클램프로 되돌아가는 것을 방지할 수 있다.
본 장치는, 예컨대 상기 장치와 클팸프 사이의 거리가 감소되거나 최소화될 수 있도록 상기 장치의 적어도 일부분의 형상이 상기 클램프의 일부분의 형상에 상보적이도록 구성되어 있다. 장치와 클램프 사이의 거리를 감소시킴으로써, 전기장의 강도가 증가될 수 있다. 이로써, 클램프로부터의 입자 제거가 증가되거나 개선되거나 또는 용이하게 될 수 있다.
지지 부분은 적어도 하나의 오목부 또는 복수의 오목부를 포함할 수 있다.
예컨대, 지지 부분이 복수의 오목부를 포함하고, 상기 절연 부분은 적어도 2개의 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있을 수 있다.
적어도 하나의 오목부 또는 복수의 오목부 각각은, 예컨대 상기 장치가 상기 클램프 쪽으로 이동될 때 클램프의 지지부가 상기 적어도 하나의 오목부 또는 복수의 오목부 각각에 적어도 부분적으로 수용될 수 있도록 성형되어 있다.
절연 부분은, 예컨대 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압이 인가되면 상기 장치와 클램프 사이에 불균질한 전기장이 발생되도록 성형 또는 구성되어 있다. 장치와 클램프 사이에 불균질한 전기장이 발생되면, 예컨대, 대전되지 않은 입자와 같은 입자의 제거가 가능할 수 있다.
절연 부분은, 예컨대 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압이 인가되면 상기 장치와 클램프 사이에 발생된 전기장의 적어도 일부분이 상기 절연 부분에 있는 하나 이상의 지점에 집중되거나 증가되도록 성형 또는 구성되어 있다.
본 장치는 복수의 절연 부분을 포함한다. 각 절연 부분은 상기 지지 부분으로부터 연장 또는 돌출하도록 배치된다.
각 절연 부분은 제 1 단부로부터 제 2 단부로 테이퍼지도록 배치된다. 각 절연 부분의 제 1 단부는 상기 지지 부분에 또는 지지 부분 상에 배치된다. 제 2 단부는 예컨대 사용시 상기 클램프 쪽으로, 예컨대 클램프의 표면 또는 상측 표면 쪽으로 향하도록 배치된다.
각 절연 부분의 제 2 단부는 뾰족한 또는 예리한 부분을 포함한다.
본 장치의 횡방향 연장 또는 치수는 상기 클램프의 횡방향 연장 또는 치수에 대응하도록, 예컨대 실질적으로 대응하도록 선택될 수 있다. 이리하여, 클램프의 거의 전부에서, 예컨대 클램프의 표면 또는 상측 표면으로부터 입자가 제거될 수 있다.
본 장치의 횡방향 연장 또는 치수는 입자가 상기 클램프 상의 미리 정해진 영역 또는 공간으로부터, 예컨대 클램프의 표면으로부터 제거되거나 제거 가능하도록 선택될 수 있다. 이리하여, 클램프, 예컨대 클램프의 표면 또는 상측 표면으로부터 입자가 국부적으로 제거될 수 있다.
본 장치는 제어기에 연결되거나 연결 가능하도록 구성되어 있고, 상기 제어기는 장치의 지지 부분 및/또는 클램프의 전극에 전압을 인가하도록 구성되어 있다.
지지 부분 및/또는 절연 부분은 연속적인 표면을 규정하도록 배치되어 있다.
예컨대, 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압이 인가될 때, 상기 전압은, 상기 장치와 클램프 사이의 전기장이 예컨대 클램프의 사용시 클램프와 대상물 사이에 발생된 전기장의 방향에 반대인 방향으로 연장되도록 선택된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 시스템이 제공되는데, 이 시스템은 제 1 양태에 따른 장치; 및 대상물을 유지하도록 구성된 클램프를 포함한다.
클램프는 리소그래피 장치에 사용되도록 구성되어 있거나, 또는 상기 클램프는 리소그래피 장치의 일부분이거나 리소그래피 장치에 포함된다.
클램프는 정전기식 클램프를 포함할 수 있다.
본 시스템은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압을 인가하도록 구성된 제어기를 더 포함한다. 전압은 상기 장치와 클램프 사이에 발생된 전기장이 클램프 상의 입자에 작용하여 예컨대 클램프로부터 입자를 제거하도록 선택된다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 클램프로부터 입자를 제거하는 방법이 제공되며, 이 방법은 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 클램프 근처에 배치하는 단계(상기 장치는 절연 부분 및 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 클램프로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 클램프 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있음); 및 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 클램프의 전극에 전압을 인가하여, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 전기장을 상기 장치와 클램프 사이에 발생시키는 단계를 포함한다.
상기 전압은 입자가 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부에 부착되도록 선택된다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 이 리소그래피 장치는, 방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템; 단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물; 기판을 유지하도록 구성되어 있고 상기 기판을 유지하기 위한 클램프를 포함하는 기판 테이블; 패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및 상기 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 제 1 양태에 따른 장치를 포함한다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 이 리소그래피 장치는, 방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템; 단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있고, 상기 패터닝 장치를 유지하기 위한 클램프를 포함하는 지지 구조물; 기판을 유지하도록 구성되어 있는 기판 테이블; 패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 패턴화된 방사선 비임을 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및 상기 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 제 1 양태에 따른 장치를 포함한다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치가 제공되는데, 이 장치는 상기 기판 테이블 근처에 배치 가능하고, 절연 부분; 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 기판 테이블에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 기판 테이블로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있다.
기판 테이블로부터의 입자 제거는 오염물 축적을 줄여준다. 이리하여, 기판 가장자리 수율의 감소를 피할 수 있고 또한 리소그래피 장치의 이용 가능성을 증가시킬 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 절연 부분을 갖는 장치를 제공함으로써, 기판 테이블로부터 제거된 입자가 그 기판 테이블로 되돌아가는 것을 방지할 수 있다.
본 장치는 상기 기판 테이블의 옹이(burl)의 정상 표면으로부터 입자를 제거하도록 구성될 수 있다.
지지 부분 및/또는 절연 부분은 연속적인 표면을 규정하도록 배치될 수 있다.
절연 부분 및 지지 부분은 상기 옹이의 영역에서 돌출부를 가질 수 있다.
지지 부분은 전도성 판일 수 있다.
절연 부분은 폴리머 층일 수 있다.
본 장치는 제어기에 연결되거나 연결 가능하도록 구성되어 있다. 그 제어기는 상기 장치의 지지 부분 및/또는 기판 테이블에 전압을 인가하도록 구성되어 있다.
본 발명의 제 7 양태에 따르면, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 시스템이 제공되고, 이 시스템은 제 6 양태에 따른 장치; 및 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블을 포함한다.
기판 테이블은 리소그래피 장치에 사용되도록 구성되어 있거나, 또는 상기 기판 테이블은 리소그래피 장치의 일부분이거나 리소그래피 장치에 포함된다.
시스템은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 기판 테이블에 전압을 인가하도록 구성된 제어기를 더 포함한다. 전압은 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생된 전기장이 기판 테이블 상의 입자에 작용하여 기판 테이블로부터 입자를 제거하도록 선택될 수 있다.
본 발명의 제 8 양태에 따르면, 기판 테이블로부터 입자를 제거하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 기판 테이블 근처에 배치하는 단계(상기 장치는 절연 부분 및 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 기판 테이블에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 기판 테이블로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있음); 및 상기 장치의 지지 부분 및/또는 상기 기판 테이블에 전압을 인가하여, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 전기장을 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생시키는 단계를 포함한다.
전압은 입자가 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부에 부착되도록 선택될 수 있다.
본 발명의 제 9 양태에 따르면. 리소그래피 장치가 제공되며, 이 리소그래피 장치는 방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템; 단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물; 기판을 유지하도록 구성되어 있는 기판 테이블; 패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및 상기 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 제 6 양태에 따른 장치를 포함한다.
당업자는 아는 바와 같이, 위에서 제시된 또는 아래에서 제시될 본 발명의 다양한 양태와 특징들은 본 발명의 다양한 다른 양태 및 특징들과 조합될 수 있다.
이제, 첨부된 개략적인 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태를 단지 예시적으로 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 리소그래피 장치를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 3a는 도 2의 시스템의 클램프의 유전성 부분에 있는 입자를 개략적으로 나타낸다.
도 3b 및 3c는 도 3a의 입자에 작용하는 전기장을 개략적으로 나타내고, 그 전기장은 클램프와 도 2의 장치 사이에 발생된다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 3a는 도 2의 시스템의 클램프의 유전성 부분에 있는 입자를 개략적으로 나타낸다.
도 3b 및 3c는 도 3a의 입자에 작용하는 전기장을 개략적으로 나타내고, 그 전기장은 클램프와 도 2의 장치 사이에 발생된다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 포함하는 시스템을 개략적으로 나타낸다.
본 명세서에서 IC의 제조시의 리소그래피 장치의 사용을 특정적으로 참조했지만, 여기서 설명된 리소그래피 장치는 통합형 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 다른 용례를 가질 수 있음을 이해해야 한다. 당업자는, 그러한 대안적인 용례와 관련하여 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 사용은 더 일반적인 용어인 "기판" 또는 "타겟 부분"과 각각 동의어로 간주될 수 있음을 알 것이다. 여기서 말하는 기판은, 노광 전 또는 후에, 예컨대 트랙(일반적으로 레지스트 층을 기판에 가하여 노광된 레지스트를 현상하는 도구), 계측 기구 또는 검사 기구에서 처리될 수 있다. 적용 가능하다면, 본 개시는 그러한 기판 처리 도구 및 다른 기판 처리 도구에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 예컨대 다층 IC를 생성하기 위해 1회 이상 처리될 수 있고, 그래서 여기서 사용되는 기판이라는 용어는 복수의 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 말하는 것일 수도 있다.
여기서 사용되는 "방사선" 및 "비임"이라는 용어는, 자외선(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외선(EUV) 방사선(예컨대, 5 - 20 nm의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 종류의 전자기 방사선, 및 이온 비임 또는 전자 비임과 같은 입자 비임을 포함한다.
여기서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 부분에 패턴을 생성하기 위해 단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 장치를 말하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 방사선 비임에 부여되는 패턴은 기판의 타겟 부분에 있는 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있음을 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 비임에 부여되는 패턴은 타겟 부분에 생성되는 디바이스의 특정한 기능적 층, 예컨대 집적 회로에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형일 수 이다. 패터닝 장치의 예는 마스크 및 프로그래머블 미러 어레이를 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있고, 이원, 교대 위상 변이 및 감쇠 위상 변이와 같은 마스크 유형 및 다양한 하이브리드 마스크 유형을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 작은 미러의 매트릭스 배열을 사용하고, 작은 미러 각각은 들어오는 방사선 비임을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사질 수 있고, 이렇게 해서 반사 비임이 패턴화된다.
지지 구조물이 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조물은 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 설계 및 다른 조건(예컨대, 패터닝 장치가 진공 환경에 유지되는지의 여부)에 따라 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조물은 기계적, 진공 클팸핑 기술 또는 다른 클팸핑 기술, 예컨대, 진공 조건 하의 정전기식 클램핑을 사용할 수 있다. 지지 구조물은 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 예컨대 프레임 또는 테이블일 수 있고, 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있는 것을 보장해 준다. 여기서 "레티클" 또는 "마스크"의 사용은 더 일반적인 용어인 "패터닝 장치"와 동의어로 생각될 수 있다.
여기서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자에 적절한, 굴절형 광학 시스템, 반사형 광학 시스템 및 카타디옵트릭 광학 시스템을 포함하여, 다양한 종류의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 여기서 "투영 렌즈"라는 용어의 사용은 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 동의어로 생각될 수 있다. "렌즈"라는 용어는 여기서 "투영 렌즈"의 약칭으로 사용될 수 있다.
조명 시스템은 방사선을 보내고 성형하거나 제어하기 위한 굴절형, 반사형 및 카타디옵트릭 광학 요소를 포함하여, 다양한 종류의 광학 요소를 포함할 수 있고, 그러한 광학 요소는 아래에서 통칭적으로 또는 단수적으로 "렌즈"라고 할 수 있다.
리소그래피 장치는, 2개(이중 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 지지 구조물)을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서, 추가적인 테이블이 병렬로 사용될 수 있고, 하나 이상의 다른 테이블이 노광에 사용되고 있을 때 하나 이상의 테이블에서 준비 단계를 수행할 수 있다.
리소그래피 장치는, 투영 시스템이 최종 요소와 기판 사이의 공간을 충전하도록 기판이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대, 물로 침지되는 유형일 수 있다. 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위한 침지 기술은 본 기술 분야에서 절 알려져 있다.
도 1은 본 발명의 특정 실시 형태에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다. 이 리소그래피 장치는,
- 방사선 비임(PB)(예컨대, UV 방사선)을 조절하는 조명 시스템(IL);
- 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하고, 패터닝 장치를 물품(PL)에 대해 정확히 위치시키는 제 1 위치 설정 장치(PM)에 연결되는 지지 구조물(예컨대, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예컨대, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하기 위한 것이며, 기판을 물품(PL)에 대해 정확히 위치시키는 제 2 위치 설정 장치(PW)에 연결되는 기판 테이블(예컨대, 기판 테이블)(WT); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의해 방사선 비임(PB)에 부여되는 패턴을 기판(W)의 타겟 부분(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함함) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절형 투영 렌즈)(PL)을 포함한다.
여기에 나타나 있는 바와 같이, 장치는 투과형(예컨대, 투과형 마스크를 사용함)이다. 대안적으로, 장치는 반사형(예컨대, 위에서 언급한 종류의 반사형 마스크 또는 프로그래머블 미러 어레이를 사용함)일 수 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 비임을 받는다. 방사선 소스 및 리소그래피 장치는, 예컨대 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우, 서로 별개의 실체일 수 있다. 그러한 경우, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 생각되지 않고, 예컨대 적절한 방향 전환 미러 및/또는 비임 확장기를 포함하는 비임 전달 시스템(BD)의 도움으로, 방사선 비임은 방사선 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL)에 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스가 수은등일 때, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일체적인 부분일 수 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명 시스템(IL)은, 필요한 경우 비임 전달 시스템(BD)과 함께, 방사선 시스템이라고 할 수 있다.
조명 시스템(IL)은 비임의 각도 세기 분포를 조절하기 위한 조절 수단(AD)을 포함할 수 있다. 조명 시스템의 동공 면에서 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반경 방향 연장(일반적으로 각각 σ-외측 및 σ-내측이라고 함)이 조절될 수 있다.
추가로, 조명 시스템(IL)은 일반적으로 인테그레이터(IN) 및 컨덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 조명 시스템은, 단면에서 원하는 균일성과 세기 분포를 갖는 조절된 방사선 비임(PB)을 제공한다.
방사선 비임(PB)은 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MT)에 입사하고, 이 장치는 지지 구조물(MT)에 유지된다. 방사선 비임(PB)은, 패터닝 장치(MA)를 가로질러, 투영 시스템(PS)을 통과하고, 이 투영 시스템은 비임을 기판(W)의 타켓 부분(C) 상으로 집속한다. 제 2 위치 설정 장치(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 장치)의 도움으로, 기판 테이블(WT)을 정확하게 움직여, 예컨대 다른 타겟 부분(C)을 방사선 비임(PB)의 경로에 위치시킬 수 있다. 유사하게, 예컨대, 마스크 라이브러리로부터의 기계적 회수 후에 또는 스캔 동안에, 제 1 위치 설정 장치(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에는 명확히 나타나 있지 않음)를 사용하여, 패터닝 장치(MA)를 비임(PB)의 경로에 대해 정확하게 위치시킬 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블(MT, WT)의 운동은 장행정 모듈(대략적인 위치 설정) 및 단행정 모듈(미세한 위치 설정)의 도움으로 이루어질 수 있고, 이들 모듈은 위치 설정 장치(PM, PW)의 일부분을 형성한다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 대안적인 구성(미도시)에서, 대상물 테이블(MT, WT)의 운동은 평면형 모터 및 인코더 시스템으로 제어될 수 있다.
나타나 있는 장치는 예컨대 스캔 모드로 사용될 수 있는데, 이 스캔 모드에서는, 비임(PB)에 부여되는 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 중에 지지 구조물(MT)과 기판 테이블(WT)은 동기적으로 스캔된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조물(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도와 방향은 투영 시스템(PL)의 배율(또는 축소율) 및 이미지 반전 특성에 의해 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 단일 동적 노광에서 노광 필드의 최대 크기가 타겟 부분의 폭(비스캐닝 방향의 폭)을 제한하고, 스캐닝 운동의 길이는 타겟 부분의 높이(스캐닝 방향의 높이)를 결정한다. 스캐닝 방향을 통상적으로 리소그래피 장치의 y-방향이라고 한다.
다른 예에서, 나타나 있는 장치는 소위 스텝 모드로 사용될 수 있다. 이 스텝 모드에서 방사선 비임에 부여되는 전체 패턴이 한번에 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 중에, 패터닝 장치(예컨대, 마스크 테이블)(MT)와 기판 테이블(WT)은 본질적으로 움직이지 않게 유지된다(즉, 단일 정적 노광). 그런 다음 기판 테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 이동되어 다른 타겟 부분(C)이 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광에서 이미징되는 타겟 부분(C)의 크기를 제한한다.
또 다른 예에서, 방사선 비임에 부여되는 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 중에, 지지 구조물(예컨대, 마스크 테이블)(MT)은 프로그래머블 패터닝 장치를 유지하면서 본질적으로 움직이지 않게 유지되고, 기판 테이블(WT)은 움직이거나 스캐닝된다. 이 모드에서, 일반적으로 펄스성 방사선 소스가 사용되고, 기판 테이블(WT)의 각 운동 후에 또는 스캔 중의 연속적인 방사선 펄스 사이에 프로그래머블 패터닝 장치는 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는, 위에서 언급한 바와 같은 종류의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크레스 리소그래피에 쉽게 적용될 수 있다.
리소그래피 장치는 대상물을 유지하기 위한 클램프, 예컨대 정전기식 클램프를 포함할 수 있다. 대상물은 기판 및/또는 마스크(MA)이거나 이를 포함할 수 있다. 정전기식 클램프는 기판 테이블(WT) 및/또는 지지 구조물(MT)의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 시스템(2)을 나타낸다. 도 2에 나타나 있는 실시 형태에서, 클램프는 리소그래피 장치의 정전기식 클램프(4)의 형태로 제공되어 있다. 정전기식 클램프(4)는 유전성 부분(6) 및 이 유전성 부분(6)에 의해 둘러싸여 있는 전극(8)을 포함한다. 유전성 부분(6)은 유전성 및/또는 절연 재료를 포함할 수 있고/있거나 비전도적이거나 또는 절연되어 있다고 생각될 수 있다. 정전기식 클램프(4)는 하측 부분(10)을 포함한다. 이 하측 부분(10)은 절연 재료로 형성된다. 유전성 부분(6)과 전극(8)은 하측 부분(10)에 배치될 수 있다. 정전기식 클램프(4)은 대상물, 예컨대, 마스크(MA) 및/또는 기판을 유지하기 위한 복수의 지지부(12a, 12b)(이중의 2개가 도 2에 나타나 있음)를 포함할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 클램프는 2개 보다 많거나 적은 지지부를 포함할 수 있음을 알 것이다. 지지부(12a, 12b)는 옹이(burl)(12a, 12b) 형태로 제공될 수 있다. 이들 옹이(12a, 12b)는 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a) 상에 배치될 수 있다. 옹이(12a, 12b)는 전도성 코팅 또는 전도성 재료가 제공되는 유전성 재료로 형성될 수 있다. 옹이(12a, 12b)는 접지될 수 있다. 옹이(12a, 12b)의 상측 표면은 대상물이 유지될 수 있는 평면(14)을 규정할 수 있다.
정전기식 클램프(4)의 전극(8)은 정전기식 클램프(4)와 대상물 사이에 정전기력을 발생시키는 전압으로 유지되도록 구성된다. 다시 말해, 전극(8)에 전압이 인가되면 대상물은 정전기 클램핑력에 의해 평면(14)에 유지될 수 있다.
정전기 또는 쿨롱(Coulomb) 클램핑 압력(단위 당 클램핑력)은 다음과 같은 식에 따라 인가 전기장 강도에 관련될 수 있다.
여기서 P는 클램핑될 대상물에 가해지는 쿨롱 클램핑 압력이고, ε0는 진공 투자율이고, E는 클램핑된 대상물이 받는 전기장 강도이다. 예컨대, 유전체가 유전성 재료와 진공 틈을 포함하는 경우, 전기장과 유전 상수는, 관련된 재료 및/또는 매체의 조합을 반영하는 항으로 대체될 수 있다. 전기장 강도(E)는, 유전성 재료 및/또는 매체의 상대 투자율에 비례하는, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 전압(V)에 일반적으로 비례하고, 유전성 재료 및/또는 매체의 두께, 예컨대, 유전성 재료의 두께와 진공 틈의 두께의 합에 반비례한다고 생각할 수 있다.
여기서 설명되는 시스템은 도 2에 예시적으로 나타나 있는 정전기식 클램프의 사용에 한정되지 않고 다른 정전기식 클램프도 사용될 수 있다는 것을 알 것이다. 예컨대, 다른 실시 형태에서, 정전기식 클램프는 박막 클램프의 형태로 제공될 수 있다. 박막 클램프의 유전성 부분은 예컨대 폴리머와 같은 유전성 재료로 형성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 다른 실시 형태에서, 유전성 부분은 전극을 둘러싸는 대신에 전극에 배치될 수 있고, 또는 전극은 서로 이격되어 있는 하나 이상의 부분을 포함할 수 있다.
도 2는 클램프로부터 입지를 제거하기 위한 시스템에 사용되는 장치를 나타낸다. 이 장치는 정화 장치(16)의 형태로 제공될 수 있다. 도 2에 나타나 있는 정화 장치를 정화 기판이라고 할 수도 있다. 정화 장치(16)는 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하는데 적합할 수 있다. 예컨대, 전극(8)에 인가되는 전압으로 인해, 대전된 입자가 대상물에 부착될 수 있고/있거나 대상물에 존재할 수 있는 입자에 대전이 유도될 수 있다. 대전된 입자는 대상물로부터 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)으로 이동할 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 전압이 0V로 감소되어도, 대전된 입자는 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)에 남아 있을 수 있다.
정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)에 존재하는 입자는 클램프(4)와 대상물 사이에 소위 부착 효과를 야기할 수 있다. 입자는 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)에 잔류 전하를 야기할 수 있는데, 이 잔류 전하가 부착 효과를 야기할 수 있다. 입자는 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분의 상측 표면(6a)에 위치하므로, 입자의 전하가 유전성 부분(6)으로부터 멀리 전달되게 할 수단이 없다.
예컨대, 대상물이 기판을 포함하는 경우, 부착 효과는 클램프(4) 상에의 기판의 배치 또는 로딩에 영향을 줄 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)에 있는 대전된 입자는 기판에 작용할 수 있고/있거나 기판에 힘을 가할 수 있다. 이 힘은 클램프 상에의 기판의 로딩/배치에 영향을 줄 수 있다. 예컨대, 힘은 리소그래피 장치의 오버레이 제어에 영향을 줄 수 있다. 리소그래피 장치의 오버레이 제어는, 투영된 패턴을 기판 상에 있는 기존의 패턴과 정렬시키는 것을 제어하는 것이라고 생각할 수 있다. 투영된 패턴과 기판 상에 있는 기존의 패턴 사이의 정렬 불량은 다층 장치 구조에서 단락 및/또는 접속 실패를 초래할 수 있다.
사용시, 정화 장치(16)는 정전기식 클램프(4)의 근처에 배치될 수 있다. 정화 장치(16)는 절연 부분(18)을 포함한다. 이 절연 부분(18)은 예컨대 유리 또는 폴리머와 같은 절연 또는 유전성 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 절연 또는 유전성 재료는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 또는 벤조시클로부텐(BCB)계 폴리머를 포함할 수 있다. 그러나 다른 절연 또는 유전성 재료를 사용할 수도 있음을 알 것이다. 정화 장치(16)는 지지 부분(20)을 포함한다. 도 2에서, 절연 부분(18)은 지지 부분(20) 상에 배치되어 있는 것으로 나타나 있다. 절연 부분(18)은 지지 부분(20)으로부터 연장되거나 돌출하도록 배치된다.
지지 부분(20)은, 지지 부분(20) 및/또는 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 전압이 인가되면, 지지 부분이 전극으로 작용하여 정전기식 클램프(4)로부터 입자의 제거를 위해 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 전기장이 발생할 수 있게 하도록 구성된다. 예컨대, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 전압이 인가되면, 지지 부분(20)의 전하가 그 지지 부분(20)에서 재분포되어, 지지 부분(20)의 일부분이 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압의 극성에 반대인 극성을 갖게 된다. 다시 말해, 지지 부분(20)은 적어도 부분적으로 또는 완전히 분극된다고 생각할 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압의 극성에 반대인 극성을 갖는 지지 부분(20)의 일부분은 사용시 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)과 대면하거나 그와 마주하도록 배치될 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압의 극성에 반대인 극성을 갖는 지지 부분(20)의 일부분은 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)인 것으로 생각할 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압은, 입자가 정화 장치(16)의 절연 부분(18)의 적어도 일부분 또는 전부에 부착하도록 선택될 수 있다.
도 3a는 대전된 입자(22)와 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6) 사이의 상호 작용을 개략적으로 나타낸다. 전술한 바와 같이, 대전된 입자(22)는 대상물로부터 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로 이동할 수 있다. 대전된 입자(22)는 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 일부분에 분극을 유도할 수 있다. 예컨대, 도 3a에 나타나 있는 바와 같이, 입자(22)는 음으로 대전될 수 있고 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)에 양의 대전을 유도할 수 있다. 이 분극으로 인해, 대전된 입자(22)는 유전성 부분(6)에 부착될 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)에 대한 대전된 입자(22)의 부착은, 대전된 입자(22)와 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6) 사이에 작용하는 제 1 힘(F1)(예컨대, 반데르 발스(Van der Waals) 힘)으로 인해 일어날 수 있다. 대전된 입자(22)와 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6) 사이에 작용하는 제 1 힘(F1)의 방향은 도 3a에서 실선 화살표로 나타나 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 전압은 0V일 수 있지만, 대전된 입자(22)는 예컨대 제 1 힘(F1) 때문에 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)에 부착될 수 있다.
도 3b는 도 3a와 유사하지만, 정전기식 클램프(4)의 전극(8) 및 정화 장치(16)의 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)을 추가로 나타낸다. 도 3b에 나타나 있는 예에서, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)은 음으로 대전되고, 정화 장치(16)의 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)은, 예컨대, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 음의 전압으로 인해 지지 부분(20)에서 전하가 재분포됨으로 인해 양으로 대전된다고 생각할 수 있다. 전기장(E)이 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생되고, 이 전기장은 대시선 화살표로 나타나 있다. 정화 장치(16)의 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)이 양으로 대전되고 그리고/또는 정전기식 클램프(4)의 전극(8)은 음으로 대전되기 때문에, 제 1 힘(F1)과는 반대 방향의 제 2 힘(F2)이 대전된 입자(22)에 작용하게 된다. 제 2 힘(F2)은 쿨롱 힘으로 생각될 수 있고, 이 힘은 입자(22)와 지지 부분의 하측 부분(20a) 사이에 인력으로 작용하고 입자(22)와 정전기식 클램프(4)의 전극(8) 사이에는 반발력으로 작용한다고 생각될 수 있다. 도 3b에 나타나 있는 전기장(E)은, 정전기식 클램프(4)의 사용시 예컨대 대상물과 정전기식 클램프(4) 사이에 존재할 수 있는 전기장의 반대 방향으로 연장되어 있다고 생각될 수 있다. 도 3b에서 알 수 있는 바와 같이, 전기장 방향의 역전은 대전된 입자(22)를 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로부터 제거하는데 충분하지 않을 수 있다. 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 전기장(E)의 강도의 증가가 필요할 수 있다.
도 3c는 도 3b는 유사하지만, 추가적으로 정화 장치(16)의 절연 부분(18)을 나타낸다. 도 3c에서, 전기장(E)의 강도는 도 3b에 나타나 있는 전기장에 비해 증가되어 있다고 생각될 수 있다. 예컨대, 아래에서 설명하는 바와 같이, 전기장 강도의 증가는, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 전압을 증가시켜 그리고/또는 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 거리(D)를 감소시켜 얻어질 수 있다. 증가된 전기장 강도는 대전된 입자(22)에 작용하는 제 2 힘(F2)의 증가를 야기할 수 있고, 이러한 증가로 인해, 대전된 입자(22)가 정화 장치(16)의 절연 부분(18) 쪽으로 이동할 수 있다.
정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 요구되는 전기장의 강도는 예컨대 입자의 반경과 같은 입자의 크기에 달려 있을 수 있다. 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 요구되는 전기장의 강도는 r-1/2에 비례할 수 있고, 여기서 r은 입자의 반경이다. 다시 말해, 입자 크기가 감소함에 따라, 전기장의 강도는 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거할 수 있도록 증가될 필요가 있다.
예컨대, 전기장(E)은, 정전기식 클램프(4)의 사용시 대상물과 정전지식 클램프(4) 사이에 발생된 전기장의 강도의 약 1.5배인 강도를 포함할 수 있다. 예컨대, 전기장(E)은 약 1 x 108 V/m 내지 2 x 108 V/m, 예컨대 1.5 x 108 V/m의 강도를 포함할 수 있다. 약 1 x 108 V/m 내지 2 x 108 V/m, 예컨대 1.5 x 108 V/m의 강도를 포함하는 전기장이 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기에 충분할 수 있다. 전술한 예시적인 강도를 갖는 전기장이 예컨대 진공 조건에서 사용될 수 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 틈에서의 전압이 약 1000V 내지 2000V, 예컨대 1500V이도록 선택될 수 있다. 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서의 전압은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 틈에서의 전압의 약 3배인 전압, 예컨대 3000V 내지 6000V을 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가하여 얻어질 수 있다. 그러나, 틈에서 약 1000V 내지 2000V의 전압을 얻기 위해 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가될 필요가 있는 전압은, 정전기식 클램프(4)의 배치 및/또는 정화 장치(16)의 배치에 달려 있을 수 있다. 예컨대, 틈에서 약 1000V 내지 2000V의 전압을 얻기 위해 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가될 필요가 있는 전압은 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 두께, 옹이(12a, 12b)의 두께, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D) 및/또는 정화 장치(16)의 절연 부분(18)의 두께에 달려 있을 수 있다. 정전기식 클램프로부터 입자를 제거하기 위해 요구되는 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서의 전압은, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D)에 달려 있을 수 있다. 예컨대, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D)가 약 10㎛인 경우, 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서 약 1500V의 전압이 요구될 수 있다. 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서의 약 1500V의 전압에 의해 약 108V/m의 강도를 갖는 전기장이 얻어질 수 있다. 예컨대, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D)가 약 7㎛인 경우, 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서 약 1000V의 전압이 요구될 수 있다.
대기압에서 전기장(E)의 강도는 진공 조건에서 사용되는 전기장의 강도에 비해 감소될 수 있다. 예컨대, 공기가 분해될 수 있는데, 예컨대, 약 4 x 106V/m 내지 4 x 107V/m의 강도를 갖는 전기장에서 전기 방전 또는 전기 아크가 Paschen의 법칙에 따라 형성될 수 있다. 전기장 강도는 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)에 달려 있을 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)가 약 10㎛일 때, 공기가 약 4 x 107V/m의 전기장 강도에서 분해될 수 있다. 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)가 약 10㎛일 때, 약 4 x 107V/m 이하의 강도를 갖는 전기장이 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하는데 충분할 수 있다. 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)가 약 1 mm 때, 공기는 약 4 x 106V/m 의 전기장 강도에서 분해될 수 있다. 이러한 거리에서는, 약 4 x 106V/m 이하의 강도를 갖는 전기장이 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하는데 충분할 수 있다. 대기압에서 정전기식 클램프(4)로부터 제거될 수 있는 입자는 약 적어도 1 ㎛ 이상일 수 있다. 이는 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하는데 요구되는 전기장의 강도가 r-1/2에 비례하기 때문이며, 여기서 r은 입자의 반경이다.
대기압에서, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 인가되는 전압은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 틈에서의 전압이 약 400 내지 4000V이도록 선택될 수 있다. 예컨대, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D)가 약 10㎛인 경우, 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서 약 400V의 전압이 요구될 수 있다. 예컨대, 정전기식 클팸프(4)와 정화 장치(16) 사이의 거리(D)가 약 1 mm인 경우, 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 정전기식 클램프(4)와 정화 장치(16) 사이의 틈에서 약 4000V의 전압이 요구될 수 있다. 여기서 설명된 예시적인 시스템은 전기장 강도의 사용 및/또는 전술한 틈에서의 전압의 사용에 한정되지 않음을 알 것이다. 예컨대, 다른 실시 형태에서, 정전기식 클램프의 전극에 인가되는 전압은, 정화 장치와 정전기식 클램프 사이에 발생된 전기장이 정전기식 클램프로부터 입자를 제거하기에 충분하도록 선택될 수 있다.
정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 틈의 크기 또는 연장은 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 거리(D)에 의해 규정되거나 기술될 수 있음을 알 것이다.
전술한 바와 같이, 도 3c는 정화 장치(16)의 절연 부분(18)을 추가로 나타낸다. 정화 장치(16)에 절연 부분(18)을 제공함으로써, 예컨대 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)의 양의 극성으로 인한 입자(22)의 대전의 반전이 방지될 수 있다. 절연 부분(18)은 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로부터 잡힌 입자(22)의 방출을 방지하고/방지하거나 잡힌 입자가 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로 되돌아가는 것을 방지할 수 있다.
입자는 음으로 대전되는 것으로 설명했지만, 다른 실시 형태에서는, 예컨대, 정전기식 클램프의 사용 중에 정전기식 클팸프의 전극에 가해지는 음의 전압 때문에 입자는 양으로 대전될 수 있음을 알 것이다. 대안적으로, 입자는 대전되지 않을 수도 있다. 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압, 예컨대 전압의 극성은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생된 전기장(E)이 정전기식 클램프(4)의 사용시에 예컨대 대상물과 정전기식 클램프 사이에 발생될 수 있는 전기장의 반대 방향으로 연장될 수 있도록 선택될 수 있다.
도 2의 실시 형태에서, 전압이 정전기식 클램프의 전극에 인가되지만, 다른 실시 형태에서는, 정전기식 클램프의 전극에 인가되는 전압에 추가로 또는 그 대신에 정화 장치의 지지 부분에 전압이 인가될 수 있다. 정화 장치의 지지 부분에 가해지는 전압은 정전기식 클램프의 전극에 인가되는 전압과 동일한 방식으로 선택될수 있다.
도 2에 나타나 있는 실시 형태에서, 정화 장치(16)는, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)가 감소되거나 최소화될 수 있도록 정화 장치(16)의 적어도 일부분의 형상이 정전기식 클램프(4)의 일부분의 형상에 상보적(또는 실질적으로 상보적)이도록 구성된다. 전술한 바와 같이, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)를 감소시킴으로써, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 전기장 강도가 증가될 수 있다. 거리(D)를 감소시켜, 예컨대 정전기식 클래프(4)의 전극(8)에 가해지는 전압의 증가에 추가로 또는 그 대신에, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 전기장 강도를 증가시킬 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이의 거리(D)가 감소되거나 최소화될 수 있도록 지지 부분(20)은 정전기식 클램프(4)의 상측 표면(6a) 및/또는 유전성 부분(6)의 형상에 상보적(또는 실질적으로 상보적)이도록 성형될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프 사이의 거리(D)는 약 5 내지 20㎛, 예컨대 10㎛로 감소될 수 있다. 다른 실시 형태에서 정화 장치와 정전기식 클램프 사이의 거리는 5 내지 20㎛ 보다 크거나 작도록 변화되거나 감소될 수 잇음을 알 것이다. 예컨대, 전술한 바와 같이, 대기압에서, 정화 장치와 정전기식 클램프 사이의 거리는 약 1 mm일 수 있다. 지지 부분(20)은 복수의 오목부(20b, 20c)를 포함한다(그 중의 2개가 도 2에 나타나 있음). 도 2는 2개의 오목부(20b, 20c)를 포함하지만, 다른 실시 형태에서는 전극은 2개 보다 더 많거나 더 적은 오목부를 포함할 수 있음을 알 것이다. 예컨대, 전극의 오목부의 수는 정전기식 클램프의 유전성 부분의 상측 표면에 존재하는 옹이의 수에 달려 있을 수 있다.
각 오목부(20b, 20c)는, 예컨대 정화 장치(16)가 정전기식 클램프(4) 쪽으로, 예컨대, 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a) 쪽으로 움직일 때 정전기식 클램프(4)의 각각의 옹이(12a, 12b)가 적어도 부분적으로 또는 완전히 각 오목부에 수용되도록 성형될 수 있다. 지지 부분(20)이 정전기식 클램프(4)의 옹이(12a, 12b)와 접촉할 때, 지지 부분(20)은 접지되어 있다고 생각할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 정화 장치의 지지 부분이 접지될 수 있음을 알 것이다.
지지 부분(20)이 복수의 오목부(20b, 20c)를 포함하는 실시 형태에서, 절연 부분(18)은 지지 부분의 두 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있도록 배치될 수 있다.
예컨대 도 2에 나타나 있는 y-방향 및/또는 z-방향으로의 정화 장치(16)의 횡방향 연장 또는 치수는, 예컨대 도 2에 나타나 있는 y-방향 및/또는 z-방향으로의 정전기식 클램프(4)의 횡방향 연장 또는 치수에 따라 선택될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)의 횡방향 연장 또는 치수는, 정전기식 클램프(4)의 횡방향 연장 또는 치수에 대응하도록(실질적으로 대응하도록) 선택될 수 있다. 이리하여, 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)의 거의 전부로부터 입자를 제거할 수 있다. 그러나, 정전기식 클램프의 상측 표면에 있는 미리 정해진 영역 또는 공간으로부터 입자를 제거할 수 있음을 알 것이다.
도 4a는 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 시스템(2)의 다른 예를 나타낸다. 도 4a에 나타나 있는 시스템(2)은 도 2에 나타나 있는 것과 유사하다. 그러나, 지지 부분(20) 및 절연 부분(18)은 각기 연속적인 표면을 규정하도록 배치된다. 다른 실시 형태에서는 지지 부분 또는 절연 부분 중의 하나가 연속적인 표면을 규정할 수 있고, 다른 것은 하나 이상의 오목부를 포함할 수 있음을 알 것이다. 예컨대 도 4a에 나타나 있는 y-방향 및 z-방향으로의 정화 장치(16)의 횡방향 연장 또는 치수는, 도 2에 나타나 있는 정화 장치의 횡방향 연장 또는 치수 보다 작을 수 있다. 정화 장치(16)의 횡방향 연장 또는 치수는, 입자가 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분의 상측 표면(6a)에 있는 미리 정해진 영역 또는 공간으로부터 제거될 수 있도록 선택될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)의 횡방향 연장 또는 치수는, 정전기식 클램프(4)의 두 인접하는 옹이(12a, 12b) 사이의 공간 또는 영역에 대응하거나(실질적으로 대응하거나) 그 보다 작도록 선택될 수 있다. 이로써, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프 사이의 거리(D)가 감소 또는 최소화될 수 있어, 예컨대, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 전기장 강도를 증가시킬 수 있다. 이리하여, 또한 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로부터 입자가 국부적으로 제거될 수 있다. 정화 장치(16)는 도 4a에서 정전기식 클램프의 횡방향 연장 또는 치수 보다 작은 횡방향 연장 또는 치수를 포함하는 것으로 나타나 있지만, 다른 실시 형태에서는, 정화 장치의 횡방향 연장 또는 치수는 정전기식 클램프의 횡방향 연장 또는 치수에 실질적으로 대응하도록 선택될 수 있다.
도 4b는 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 시스템의 다른 예를 나타낸다. 도 4a에 나타나 있는 시스템(2)은 도 2에 나타나 있는 것과 유사하다. 정화 장치(16)의 절연 부분(18)은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생된 전기장이 불균질한 전기장을 포함하도록 성형될 수 있다. 절연 부분(18)은, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생된 전기장이 절연 부분(18) 상의 하나 이상의 지점에 집중되거나 증가되도록 성형될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)는 전극(20)으로부터 연장되도록 배치될 수 있는 복수의 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)을 포함할 수 있다. 각 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)은 제 1 단부로부터 제 2 단부로 테이퍼지도록 배치될 수 있다. 각 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)의 제 1 단부는 지지 부분(20)에 또는 지지 부분 상에 배치될 수 있다. 제 2 단부는 지지부분(20)으로부터 원위에 있도록 배치될 수 있다. 제 2 단부는 사용시 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a) 쪽으로 향하도록 배치될 수 있다.
각 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)은 뾰족한 또는 예리한 부분(19a, 19b, 19c, 19d)을 포함할 수 있다. 뾰족한 또는 예리한 부분(19a, 19b, 19c, 19d)은 각 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)의 제 2 단부의 일부분이거나 그에 포함되거나 또는 그를 규정할 수 있다. 복수의 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)은, 사용시 각 절연 부분(18a, 18b, 18c, 18d)의 각 뾰족한 또는 예리한 부분(19a, 19b, 19c, 19d)이 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a) 쪽으로 향하도록 배치될 수 있다. 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 전기장이 발생되면, 전기장은 각 절연 부분(18a - 18d)의 뾰족한 또는 예리한 부분(19a - 19d)에 집중된다고 생각할 수 있다. 다시 말해, 그 전기장의 강도는 각 절연 부분(18a - 18d)의 뾰족한 또는 예리한 부분(19a - 19d)에서 증가된다고 생각할 수 있다. 이리하여, 전술한 바와 같이, 입자가 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)으로부터 제거될 수 있다.
도 4b에 나타나 있는 정화 장치(16) 사이에 발생된 전기장은 불균질하다고 생각할 수 있다. 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에서의 불균질한 전기장의 발생으로, 대전되지 않은 입자의 제거도 가능하다. 예컨대 사용시, 대전되지 않은 입자는 정전기식 클램프(4)와 대상물 사이에 발생된 전기장에 의해 끌릴 수 있다. 어떤 예에서, 대전되지 않은 입자는 정전기식 클램프(4)와 대상물 사이에 발생된 전기장에 의해 분극될 수 있다. 예컨대, 2개의 반대되는 대전이 정전기식 클램프(4)와 대상물 사이의 전기장에 의해 입자에 유도될 수 있다. 입자의 일부분은 양으로 대전되고 그 입자의 다른 부분은 음으로 대전될 수 있다. 이 결과, 입자가 전기장과 정렬된다. 균질한 전기장에서, 입자는 예컨대 그 입자의 양 부분에 작용하는 쿨롱 힘 때문에 정전기식 클램프(4)에서 정지되어 있거나 움직이지 않고, 불균질한 전기장에서는, 입자는 증가된 전기장 강도를 갖는 전기장의 일부분에 부착될 수 있다. 다른 예에서, 예컨대 미리 대전된 입자와 같은, 전하를 포함하는 입자가 정전기식 클램프(4)와 대상물 사이에 존재하거나 배치될 수 있다. 입자는 예컨대 이 입자에 작용하는 클롱 힘 때문에 정전기식 클램프(4) 쪽으로 이동할 수 있다. 대전되지 않은 입자에 2개의 반대되는 대전이 유도되는 효과는, 미리 대전된 입자가 예컨대 이 입자에 작용하는 클롱 힘 때문에 정전기식 클램프(4) 쪽으로 이동하는 효과 보다 일반적으로 약하다고 생각할 수 있다.
절연 부분(18a - 18d)은 정화 장치의 지지 부분(20)으로부터 연장되어 있는 치부 또는 프롱(prong)의 형태로 제공될 수 있다. 절연 부분은 치부 또는 프롱의 형태로 제공되는 것에 한정되지 않고, 발생된 전기장을 절연 부분의 하나 이상의 지점에 집중시키고/집중시키거나 불균질한 전기장을 발생시키기 위해 다른 형상의 절연 부분도 사용할 수 있음을 이해할 것이다. 도 4b는 4개의 절연 부분을 나타내지만, 다른 실시 형태에서는 4개 보다 많거나 적은 절연 부분이 정화 장치의 전극에 배치될 수 있음을 알 것이다.
도 4a 및 4b에서, 전압이 지지 부분(20), 예컨대, 지지 부분(20)의 상측 부분(20d)에 가해질 수 있다. 지지 부분(20)에 가해지는 전압의 극성은 동일할 수 있다. 지지 부분(20)에 가해지는 전압은, 예컨대, 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 전압이 가해지지 않을 때 지지 부분(20)에서 전하의 재분포를 야기할 수 있다. 정화 장치(16)의 지지 부분(20) 및 정전기식 클램프의 전극(8)에 전압이 가해지면, 지지 부분(20)에서 전하의 재분포가 증가될 수 있다. 이리하여, 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 전기장의 강도가 증가될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)의 지지 부분(20) 및/또는 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 양의 전압이 가해지면, 지지 부분(20)의 하측 부분(20a)은 음으로 대전되고 지지 부분(20)의 상측 부분(20d)은 양으로 대전된다고 생각할 수 있다. 정화 장치의 지지 부분 및/또는 정전기식 클램프의 전극에 음의 전압이 가해지는 실시 형태서는, 지지 부분의 하측 부분은 양으로 대전되고 그 지지 부분의 상측 부분은 음으로 대전됨을 알 것이다.
도 2, 4a 및/또는 4b에 나타나 있는 시스템(2)은 제어기(23)(도 2, 4a 및 4b에서 대시선 직사각형으로 나타나 있음)를 포함할 수 있다. 제어기(23)는 정전기식 클램프(4)의 전극(8) 및/또는 정화 장치(16)의 지지 부분(20)에 전압을 가하도록 구성될 수 있다. 제어기(23)는 전압원(24)을 포함할 수 있다. 전압원(24)은 정화 장치(16)의 지지 부분(20)에 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 시스템(2)은 정전기식 클램프(4)에 전압을 공급하도록 구성된 추가 전압원(26)을 포함할 수 있다. 이 추가 전압원(26)은 제어기(23)의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다. 대안적으로, 추가 전압원(26)은 추가 제어기의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다. 대안적으로, 전압원(24)은 정화 장치(16)의 지지 부분(20) 및 정전기식 클램프(4)의 전극(8)에 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 다른 실시 형태에서는 제어기(또는 추가 제어기)는 제어기(또는 추가 제어기)와는 별개로 그리고/또는 그에 추가로 제공될 수 있음을 알 것이다.
도 2, 4a 및/또는 4b에 나타나 있는 절연 부분(18)은 최소 두께를 포함할 수 있다. 절연 부분의 최소 두께는, 절연 부분(18)의 파손이 방지되도록 선택될 수 있다. 절연 부분(18)은 최대 두께를 포함할 수 있다. 이 최대 두께는, 정화 장치(16)와 정전기식 클팸프(4) 사이에 발생된 전기장의 강도가 최대가 되도록 선택될 수 있다. 예컨대, 최대 두께 보다 큰 절연 부분(18)의 두께는, 정화 장치(16)(최대 두께 이하의 두께를 갖는 절연 부분을 포함함)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생되는 전기장의 강도와 비교하여 전기장 강도의 감소를 초래할 수 있다. 절연 부분(18)의 두께는 예컨대 정화 장치(16)의 작동 중에 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이의 거리(D) 보다 적도록 선택될 수 있다. 절연 부분(18)의 두께는 약 100 nm 내지 5 ㎛의 범위에 있도록 선택될 수 있다.
도 2, 4a 및/또는 4b에 나타나 있는 지지 부분(20)은, 재료의 시상수(time constant)가 정전기식 클램프(4)로부터 입자를 제거하기 위해 사용되는 시간 보다 작도록 선택된 재료를 포함할 수 있다. 재료의 시상수는 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생되는 전기장에 대한 재료의 응답으로 생각될 수 있다. 다시 말해, 재료의 시상수는, 전술한 바와 같이, 재료가 적어도 부분적으로 또는 완전히 분극되기 위해 필요한 시간, 예컨대, 재료 내의 전하가 재분포되기 위해 필요한 시간으로 생각할 수 있다. 재료의 시상수는 재료의 저항율과 그 재료의 투자률의 곱으로 얻어질 수 있다. 재료는, 시상수가 1초 미만 내지 1일 이상 이도록 선택될 수 있다. 예컨대, 재료는 0.1 초 이하의 시상수를 포함할 수 있다. 이로써, 지지 부분(20)의 재료는 전도적이라고 생각할 수 있다. 예컨대, 도 2, 4a 및/또는 4b에 나타나 있는 지지 부분은, 예컨대, 금속과 같은 전도성 재료 또는 규소, 질화갈륨소(GaN) 또는 탄화규소(SiC)와 같은 반도체 재료를 포함할 수 있다.
사용시, 도 2, 4a 및/또는 4b에 나타나 있는 정화 장치(16)는 정전기식 클램프(4)의 상측 표면(6a)의 근처에 배치될 수 있다. 예컨대, 정화 장치(16)는, 절연 부분(18)이 정전기식 클램프(4) 쪽으로, 예컨대, 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a) 쪽으로 향하거나 연장되도록 정전기식 클램프(4)에 대해 배치될 수 있다. 정화 장치(16)는, 절연 부분(18) 및/또는 지지 부분(20)이 정전기식 클램프(4)의 유전성 부분(6)의 상측 표면(6a)에 평행한(또는 실질적으로 팽행한) 방향으로 연장되도록 정전기식 클램프에 대해 배치될 수 있다.
사용시, 정전기식 클램프(4)의 전극(8) 및/또는 정화 장치(16)의 지지 부분(20)에 전압을 가하여 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 전기장을 발생시킬 수 있다. 전압은, 정전기식 클램프(4)의 상측 표면(6a)으로부터 입자가 제거되도록 정화 장치(16)와 정전기식 클램프(4) 사이에 발생된 전기장이 입자에 작용하도록 선택될 수 있다.
시스템(2) 및/또는 정화 장치(16)는 리소그래피 장치의 일부분일 수 있다. 그러나, 다른 실시 형태에서는, 시스템 및/또는 정화 장치는 리소그래피 장치와는 별개로 제공될 수도 있음을 알 것이다. 예컨대, 시스템 및/또는 정화 장치는 별도의 정화부의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다. 시스템 및/또는 장치는 입자가 정전기식 클램프(4) 또는 다른 대상물 쪽으로 이동하거나 전달되는 것을 방지하기 위해 사용될 수 있다. 이로써, 입자가 리소그래피 장치에 들어가는 것을 방지할 수 있고 또는 리소그래피 장치에 들어갈 수 있는 입자의 양이 감소될 수 있다. 예컨대, 시스템 및/또는 장치는 기판 로딩(loading) 시스템의 일부분일 수 있다.
지지 부분은, 정전기식 클램프의 전극 및/또는 지지 부분에 전압이 가해지면 전극으로서 작용하도록 구성되어 있는 것으로 설명되었다. 전술한 바와 같이, 지지 부분은 반도체 재료를 포함할 수 있다. 이 실시 형태에서, 지지 부분은, 지지 부분이 정전기식 클램프에 의해 발생된 전기장, 예컨대, 정전기식 클램프의 전극에 가해지는 전압, 또는 전압에 의해 발생된 전기장 내에 배치되거나 그 전기장을 받을 때 전극으로 작용하는 것으로 생각할 수 있다. 대안적으로, 지지 부분은 이 지지 부분에 전압이 가해질 때 전극으로 작용하는 것으로 생각할 수 있고, 그래서, 전술한 바와 같이, 지지 부분에서 전하의 재분포가 일어날 수 있다. 다른 실시 형태에서, 지지 부분은 반도체 재료에 추가로 또는 그 대신에 전도성 재료를 포함할 수 있음을 알 것이다. 전도성 재료에 전압이 가해지면, 지지 부분은 전극으로서 작용할 수 있다. 예컨대, 전도성 재료는 지지 부분에서 건극을 형성하도록 배치될 수 있다. 이러한 실시 형태에서, 전압, 예컨대, 정전기식 클램프의 전극 및/또는 지지 부분에 가해지는 전압, 예컨대 그 전압의 극성은, 정화 장치와 정전기식 클램프 사이에 발생된 전기장이 입자에 작용하여 정전기식 클램프의 상측 표면으로부터 입자를 제거할 수 있도록 선택될 수 있다.
정전기력에 의한 정전기식 클램프로부터의 제거를 개선하기 위해 정전기식 클램프 상의 입자는 예비 대전될 수 있다. 이러한 예비 대전은 다음과 같이 행해질 수 있다: 먼저, 정전기식 클램프 상에 대상물이 존재하지 않는 상태에서, 예컨대 ＋200V의 클램핑 전압(±300V 보다 작아야 함)이 정전기식 클램프에 인가된다. 이 클램핑 전압을 인가하는 중에, 정전기식 클램프 및 그 위에 있는 입자는 (EUV) 방사선으로 노광되어 방전된다. 그런 다음에, 클램핑 전압이 제거되고, 입자는 - 200V(클램핑 전압이 -200V인 경우에는 +200V)로 예비 대전된다.
본 발명의 실시 형태는, EUV 방사선 또는 원(deep) 자외선(DUV) 방사선(예컨대, 193 nm 또는 248 nm)를 사용하는 리소그래피 장치에서 사용될 수 있다. 정전기식 클램프는, 진공 클램프를 사용하는 것은 실용적이지 않은 리소그래피 장치(LA)에서 사용될 수 있다. 예컨대, EUV 리소그래피 장치(LA)의 어떤 영역은 진공 조건 하에서 작동하고, 따라서 그 영역에서 진공 클램프를 사용하는 것은 실용적이지 않을 수 있다. 정전기식 클램프가 대신에 사용될 수 있다. DUV 방사선을 사용할 때, 리소그래피 장치는 주변 환경(비진공 조건) 하에 있을 수 있고, 그래서 진공 클램프를 사용하여 기판(W)을 기판 테이블(WT)에 유지할 수 있다. 본 발명의 실시 형태를 사용하여, 진공 클램프를 포함하는 기판 테이블(WT)로부터 오염물을 제거할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 테이블(WT)로부터 입자를 제거하기 위한 시스템(30)을 나타낸다. 기판 테이블(WT)은 기판(W)(나타나 있지 않음)을 유지하기 위한 복수의 지지부를 포함할 수 있고, 이 예에서 그 지지부는 옹이(32)이다. 옹이(32)는 2차원 어레이로 제공된다. 도 5a에서 15개의 옹이(32)를 볼 수 있다. 이는 대략 150개의 옹이로 이루어진 2차원 어레이와 일치할 수 있다. 다른 예에서, 기판 테이블(WT)은 다른 수의 옹이를 포함할 수 있음을 알 것이다. 옹이(32)는 기판 테이블(WT)의 본체(36)의 상측 표면(34) 상에 배치된다. 옹이(32)는 기판 테이블(WT)의 본체(36)와 일체적일 수 있다. 옹이(32)의 상측 표면은 기판(W)이 유지될 수 있는 평면(38)을 규정할 수 있다.
기판(W)은 진공 클램프로 옹이(32)에 부착될 수 있다. 즉, 기판(W)을 옹이(32)에 끌어당기는 힘을 제공하는 진공을 제공하여 기판(W)을 옹이(32)에 유지시킨다. 이를 위해, 기판 테이블(WT) 상에 시일(49)이 제공된다. 여기서 설명되는 시스템은 진공 클램프를 사용하는 것에 한정되지 않고 다른 클램프도 사용될 수 있음을 알 것이다.
도 5a는 기판 테이블(WT)로부터 입자를 제거하기 위한 시스템(30)에 사용되는 장치를 나타낸다. 이 장치는 정화 장치(40)의 형태로 제공될 수 있다. 도 5a에 나타나 있는 정화 장치(40)를 정화 기판이라고도 할 수 있다. 정화 장치(40)는 기판 테이블(WT)로부터 입자를 제거하는데 적합할 수 있다. 특히, 정화 장치(40)는 기판 테이블(WT)의 옹이(32)로부터 입자를 제거하는데 적합할 수 있다. 더 특히, 정화 장치(40)는 기판 테이블(WT)의 옹이(32)의 정상 표면으로부터 입자를 제거하는데 적합할 수 있다.
사용시, 정화 장치(40)는 기판 테이블(WT)의 근처에 배치될 수 있다. 정화 장치(40)는 절연 부분(42)을 포함한다. 이 절연 부분(42)은 절연 또는 유전성 재료, 예컨대, 유리 또는 폴리머를 포함할 수 있다. 절연 부분(42)은 포토레지스트를 포함할 수 있다.
정화 장치(40)는 지지 부분(44)을 포함한다. 이 지지 부분(44)은 기판(W)일 수 있다. 지지 부분(44)은 전도성 판, 특히, 베어(bare) 기판(W)일 수 있다. 도 5a에서, 절연 부분(42)은 지지 부분(44) 상에 배치되어 있는 것으로 나타나 있다. 절연 부분(42)은 지지 부분(44)으로부터 연장되어 있거나 돌출하도록 배치된다.
지지 부분(44) 및 절연 부분(42) 각각은, 전기적 연결부가 통과할 수 있는 지지 부분(44) 및 절연 부분(42) 중의 하나 또는 둘 모두의 일부분을 제외하고는, 실질적으로 연속적인 표면을 규정하도록 배치된다. 다른 예에서는, 전기적 연결부가 통과하는 부분은 없을 수 있고 지지 부분 및/또는 절연 부분은 완전히 연속적인 표면을 규정할 수 있다. 다른 예에서는 지지 부분 또는 절연 부분 중의 하나는 연속적인 표면을 규정할 수 있고, 다른 것은 하나 이상의 오목부를 포함함을 알 것이다.
지지 부분(40)은, 지지 부분(44) 및/또는 기판 테이블(WT)에 전압이 가해질 때 지지 부분(44)이 전극으로 작용하여 기판 테이블(WT)로부터 입자를 제거하기 위한 전기장이 정화 장치(40)와 기판 테이블(WT) 사이에 발생되게 하도록 구성된다. 따라서, 비전도성 절연 부분(42)에 전압차가 있다. 지지 부분(44) 및/또는 기판 테이블(WT)에 가해지는 전압은, 입자가 정화 장치(40)의 절연 부분(38)의 적어도 일부분 또는 전부에 부착되도록 선택될 수 있다.
시스템(30)은 제어기(46)(도 5a에서 직사각형으로 나타나 있음)를 포함할 수 있다. 이 예에서, 제어기(46)는 정화 장치(40)의 지지 부분(44)에 전압을 가하도록 구성된다. 제어기(46)는 전압원(48)을 포함할 수 있다. 이 전압원은 DC일 수 있다. 전압원(48)은 정화 장치(40)의 지지 부분(44)에 전압을 가하도록 구성될 수 있다. DC 전압원(48)의 음극이 기판 테이블(WT)에 연결될 수 있다. 이는 기판 테이블(WT)내의 구멍(52)에 로드(50)를 부착하여 이루어질 수 있다. DC 전압원(48)의 음극과 로드(50) 사이의 전기적 연결부는 지지 부분(44)과 절연 부분(42) 중의 하나 또는 둘 모두의 일부분을 통과할 수 있다. 기판 테이블(WT)은 접지될 수 있다. 다른 예에서, DC 전압원(48)의 음극은 기판 테이블(WT)과 동일한 접지부에 연결될 수 있다.
다른 예에서, 시스템(30)은 기판 테이블(WT)에 전압을 공급하도록 구성된 추가 전압원(나타나 있지 않음)을 포함할 수 있다. 이 추가 전압원은 제어기(46)의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다. 대안적으로, 추가 전압원은 추가 제어기(나타나 있지 않음)의 일부분이거나 그에 포함될 수 있다. 대안적으로, 전압원(48)은 정화 장치(40)의 지지 부분(44) 및 기판 테이블(WT)에 전압을 가하도록 구성될 수 있다.
정화 장치(40)와 기판 테이블(WT) 사이에 형성된 전기장 때문에, 기판 테이블(WT) 상의 입자는 전하를 얻게 될 것이다. 전기장이 충분히 강하면, 지지 부분(44)으로부터의 정전기적 끌림은 입자에 작용하는 부착력(및 중력)을 극복할 것이고, 입자는 절연 부분(42)에 부착될 것이다. 이는 도 2 내지 4와 관련하여 전술한 방법과 유사하다.
입자 직경 및 전기장의 크기에 따라, 중력, 부착력 또는 정전기력 중의 하나가 입자에 지배적으로 작용할 것이다. 한 예로, 200 - 300 nm의 입자 직경에 대해 입자 제거를 위해, 1MW/cm의 전기장이 가해지면, 결과적인 정전기력은 중력과 부착력을 극복할 것이다. 다른 크기의 전기장이 사용될 수도 있다. 감소하는 입자 크기의 입자 제거를 위해 전기장을 증가시킬 수 있다. 즉, 더 작은 입자에 대해, 더 작은 입자에 정전기력이 지배적이도록 전기장은 더 큰 입자의 경우 보다 더 커야 한다.
절연 부분(42)은 대략 1 - 10 ㎛의 두께(즉, x 방향 두께)를 가질 수 있다. 다른 예에서, 절연 부분(42)의 두께는 요건에 따라 이 보다 작거나 클 수 있다.
도 5a의 정화 장치는 최대 10MW/cm의 전기장을 얻을 수 있다. 예컨대, 10MW/cm의 전기장을 얻기 위해서는 10㎛ 절연 층(42)의 경우에 10kV의 전압차가 가해져야 한다. 다른 예로, 얻어지는 전기장은 10MW/cm와 다를 수 있다.
시스템(30)은 옹이(30)의 정상 표면에 쌓여 있는 입자를 제거하기 위해 그 정상 표면을 정화한다. 기판 테이블(WT)을 정화하는 다른 이전의 방법은 기판 테이블(WT)을 적절히 정화하지 못한다.
이전의 정화 절차/도구/액체는 오염된 기판 테이블(WT)을 적절히 정화하기에는 불충분하다고 생각된다. 어떤 오염 임계치가 도달되면, 수동 정화가 수행된다. 이전에는, 수동 정화 오염 임계치가 도달되면, 현장의 화강암 정화 돌을 사용하여 기판 테이블(WT)을 정화했었다. 이 현장 정화는 수동 정화(4 시간) 보다 시간 효율적(몇분 정도)이지만, 덜 철저하다.
이전의 정화 방법을 사용하면, 사용되는 새로운 기판 테이블(WT)로부터 시간이 지남에 따라 요구되는 정화 빈도가 증가했음을 유의해야 한다. 이는 이전의 정화 방법(현장 및 수동)은 기판 테이블(WT)을 철저히 정화하지 못하기 때문이다. 특히, 이는 적극적으로 정화되는 표면은 옹이의 정상 영역 뿐이기 때문인데, 정화 돌(수동 정화 중에도 사용됨)은 옹이의 정상면 아래에는 도달하지 못하기 때문이다. 오염물(입자)는 이들 이전의 방법을 사용해서는 제거되지 않을 수 있고, 예컨대 옹이 사이로 이동할 수 있다. 오염물이 제거되지 않고 이동되면, 정화 후에 옹이 정상부를 오염시킬 가능성이 더 커지게 된다. 이 옹이 정상부의 오염은 포커스 점(z 방향으로의 기판(W)면 편차)을 유발할 수 있고, 이는 기판(W) 수율 손실을 야기할 수 있다.
입자가 제거되지 않으면, 그 입자는 기판 테이블(WT) 표면에 부착될 가능성이 있다. 예컨대, 규소 입자가 기판 테이블(WT) 표면 상에 침강하여 산화시킬 수 있다.
도 5a의 시스템(30)은 개선된 정화를 제공하여 오염물 축적을 감소시킨다. 입자는 시스템(30)에 의해 제거될 수 있다. 기판 테이블(WT)의 가장자리에 오염물이 축적되면, 기판 가장자리 수율 및 리소그래피 장치(LA)의 기계 업 타임에 부정적인 영향을 준다. 그러므로, 도 5a의 시스템(30)을 사용하여 오염물(입자)를 제거하면, 기판 가장자리 수율의 감소를 피할 수 있고 또한 리소그래피 장치의 이용 가능성을 증가시킬 수 있다.
시스템(30)은 옹이(30)의 정상 표면에 부착되어 있는 단단한 입자(예컨대, SiC 입자 또는 Si 입자)에 특히 효과가 좋다.
도 5b는 기판 테이블(WT)로부터 입자를 제거하기 위한 시스템(54)의 다른 예를 나타낸다. 이 시스템(54)은, 절연 부분(56)이 실질적으로 연속적인 표면을 규정하지 않는다는 점을 제외하고는, 도 5a의 시스템(30)과 동일하다.
절연 부분(56)은 기판 테이블(WT)의 옹이(32)의 영역에서 지지 부분(44)으로부터(x 방향) 기판 테이블(WT) 쪽으로 돌출하는 돌출 부분(58)을 갖는다. 돌출 부분(58)이 기판 테이블(WT) 쪽으로 돌출해 있는 결과로 오목부가 절연 부분(56)에 형성된다. 돌출 부분(58)은 옹이(32)의 y 방향 크기(폭)와 실질적으로 동일한 y 방향 크기(폭)를 갖는데, 하지만 돌출 부분(58) 중의 일부는 옹이(32)와 약간 겹칠 수도 있다. 돌출 부분(58)은 옹이(32)의 z 방향 크기(길이)와 실질적으로 동일한 z 방향 크기(길이)를 갖는데, 하지만 돌출 부분(58) 중의 일부는 옹이(32)와 약간 겹칠 수도 있다. 일반적으로, 돌출 부분(58)의 면적은 옹이(32)의 정상 표면의 면적과 같거나 유사한 크기를 갖는다.
지지 부분(44)은 또한 기판 테이블(WT)의 옹이(32)의 영역에서 지지 부분(44)으로부터(x 방향) 기판 테이블(WT) 쪽으로 돌출하는 돌출 부분(60)을 갖는다. 이들 돌출 부분(60)은, 돌출 부분(58)이 기판 테이블(WT) 쪽으로 돌출해 있는 결과로 절연 부분(56)에 형성되어 있는 오목부를 채운다. 따라서, 지지 부분(44)은 여전히 옹이(32)의 정상 표면으로부터 동일한 거리(즉, 절연 부분(56)의 x 방향 두께)에 있다.
돌출 부분(58)으로 인한 절연 부분(56)의 새로운 형상은 절연 부분(56)과 기판 테이블(WT)의 본체(36) 사이에서의 아크 발생(공기의 이온화) 가능성을 줄여 준다. 이는 절연 부분(56)의 비돌출 부분과 기판 테이블(WT)의 본체(36) 사이의 증가된 거리 때문이다. 공기 중에서의 아크 발생은 일반적으로 적어도 0.03 MW/cm의 전기장의 경우에 문제된다. 절연 부분(56)에 1 MW/cm의 전기장을 가하면, 기판 테이블(WT)의 본체(36) 쪽으로 향하는 전기장은 0.03 MW/cm가 될 것이다. 절연 부분의 두께가 감소되면 아크 발생의 위험이 감소된다. 다른 예에서, 아크 발생의 위험은 다른 방법으로, 예컨대, 절연 부분(56)과 기판 테이블(WT)의 본체(36) 사이의 거리를 증가시켜 감소될 수 있다.
본 명세서에서 리소그래피 장치와 관련된 본 발명의 실시 형태를 특정적으로 참조했지만, 본 발명의 실시 형태는 다른 장치에서도 사용될 수 있다. 본 발명의 실시 형태는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 장치)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 장치의 일부분을 형성할 수 있다. 이들 장치는 일반적으로 리소그래피 도구라고 한다. 이러한 리소그래피 도구는 진공 조건 또는 주변(비진공) 조건을 사용할 수 있다.
"EUV 방사선"이라는 용어는, 4 ∼ 20 nm 범위의 파장, 예컨대, 13 ∼ 14 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함하는 것으로 생각할 수 있다. EUV 방사선은 10 nm 이하의 파장, 예컨대, 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같은 4 ∼ 10 nm 범위의 파장을 가질 수 있다.
본 명세서에서 IC의 제조시의 리소그래피 장치의 사용을 특정적으로 참조했지만, 여기서 설명된 리소그래피 장치는 다른 용례를 가질 수 있음을 이해해야 한다. 가능한 다른 용례는 통합형 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시 형태의 사용을 특정적으로 참조했지만, 본 발명은 다른 용례, 예컨대, 임프린트 리소그래피에도도 사용될 수 있고, 허용되는 경우, 광학 리소그래피에 한정되지 않음을 알 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치에서의 토포그래피가 기판 상에 생성되는 패턴을 규정한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급되는 레지스트 층 안으로 압입될 수 있고, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이것들의 조합을 가하여 경화된다. 레지스트가 경화된 후에 패터닝 장치는 레지스트에 패턴을 남겨두고 그 레지스트 밖으로 이동된다.
본 발명의 특정 실시 형태를 위에서 설명했지만, 본 발명은 전술한 바와 다르게 실행될 수 있음을 알 것이다. 위의 설명은 실례적이지 한정적인 것이 아니다. 따라서, 아래에서 제시되는 청구 범위에서 벗어 남이 없이, 전술한 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다.
Claims (37)
- 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치로서, 상기 장치는 상기 클램프 근처에 배치 가능하고,
절연 부분;
지지 부분을 포함하고,
상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 클램프로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 클램프 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있고, 상기 지지 부분은 복수의 오목부를 포함하고, 복수의 오목부는 기판 및 패터닝 장치 중 하나 또는 양자 모두를 유지하기 위한 상기 클램프의 지지부를 적어도 부분적으로 수용하기 위한 것이며, 상기 절연 부분은 적어도 2개의 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있는, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 장치는, 상기 장치와 클팸프 사이의 거리가 감소되거나 최소화될 수 있도록 상기 장치의 적어도 일부분의 형상이 상기 클램프의 일부분의 형상에 상보적이도록 구성되어 있는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 오목부 각각은, 상기 장치가 상기 클램프 쪽으로 이동될 때 클램프의 지지부가 상기 복수의 오목부 각각에 적어도 부분적으로 수용될 수 있도록 성형되어 있는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 절연 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 장치와 클램프 사이에 불균질한 전기장이 발생되도록 성형 또는 구성되어 있는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 절연 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 장치와 클램프 사이에 발생된 전기장의 적어도 일부분이 상기 절연 부분에 있는 하나 이상의 지점에 집중되거나 증가되도록 성형 또는 구성되어 있는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 장치는 복수의 절연 부분을 포함하고, 각 절연 부분은 상기 지지 부분으로부터 연장 또는 돌출하도록 배치되는, 장치. - 제 6 항에 있어서,
각 절연 부분은 제 1 단부로부터 제 2 단부로 테이퍼지도록 배치되고, 각 절연 부분의 제 1 단부는 상기 지지 부분에 또는 지지 부분 상에 배치되고, 제 2 단부는 사용시 상기 클램프 쪽으로 향하도록 배치되는, 장치. - 제 7 항에 있어서,
각 절연 부분의 제 2 단부는 뾰족한 또는 예리한 부분을 포함하는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 장치의 횡방향 연장 또는 치수는 상기 클램프의 횡방향 연장 또는 치수에 실질적으로 대응하도록 선택되는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 장치의 횡방향 연장 또는 치수는 입자가 상기 클램프 상의 미리 정해진 영역 또는 공간으로부터 제거되거나 제거 가능하도록 선택되는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 장치는 제어기에 연결되거나 연결 가능하도록 구성되어 있고, 상기 제어기는 장치의 지지 부분 및 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하도록 구성되어 있는, 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 지지 부분 및 절연 부분 중 하나 또는 양자 모두는 연속적인 표면을 규정하도록 배치되어 있는, 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가될 때, 그전압은, 상기 장치와 클램프 사이의 전기장이 상기 클램프의 사용시 클램프와 대상물 사이에 발생된 전기장의 방향에 반대인 방향으로 연장되도록 선택되는, 장치. - 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 시스템으로서,
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 장치; 및
대상물을 유지하도록 구성된 클램프를 포함하는 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 클램프는 리소그래피 장치에 사용되도록 구성되어 있거나, 또는 상기 클램프는 리소그래피 장치의 일부분이거나 리소그래피 장치에 포함되는, 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 클램프는 정전기식 클램프를 포함하는, 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하도록 구성된 제어기를 더 포함하고, 상기 전압은 상기 장치와 클램프 사이에 발생된 전기장이 클램프 상의 입자에 작용하여 클램프로부터 입자를 제거하도록 선택되는, 시스템. - 클램프로부터 입자를 제거하는 방법으로서,
상기 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 클램프 근처에 배치하는 단계 - 상기 장치는 절연 부분 및 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 클램프로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 클램프 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있고, 상기 지지 부분은 복수의 오목부를 포함하고, 복수의 오목부는 기판 및 패터닝 장치 중 하나 또는 양자 모두를 유지하기 위한 상기 클램프의 지지부를 적어도 부분적으로 수용하기 위한 것이며, 상기 절연 부분은 적어도 2개의 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있음 -; 및
상기 장치의 지지 부분 및 상기 클램프의 전극 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하여, 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 전기장을 상기 장치와 클램프 사이에 발생시키는 단계를 포함하는, 클램프로부터 입자를 제거하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 전압은 입자가 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부에 부착되도록 선택되는, 방법. - 리소그래피 장치로서,
방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템;
단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물;
기판을 유지하도록 구성되어 있고 상기 기판을 유지하기 위한 클램프를 포함하는 기판 테이블;
패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및
상기 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 장치를 포함하는, 리소그래피 장치. - 리소그래피 장치로서,
방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템;
단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있고, 상기 패터닝 장치를 유지하기 위한 클램프를 포함하는 지지 구조물;
기판을 유지하도록 구성되어 있는 기판 테이블;
패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및
상기 클램프로부터 입자를 제거하기 위한 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 장치를 포함하는 리소그래피 장치. - 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치로서, 상기 장치는 상기 기판 테이블 근처에 배치 가능하고,
절연 부분;
지지 부분을 포함하고,
상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 기판 테이블 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 기판 테이블로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있고, 상기 지지 부분은 복수의 오목부를 포함하고, 복수의 오목부는 상기 기판 테이블의 옹이(burl)를 적어도 부분적으로 수용하기 위한 것이며, 상기 절연 부분은 적어도 2개의 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있는, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치. - 제 22 항에 있어서,
상기 장치는 상기 기판 테이블의 상기 옹이(burl)의 정상 표면으로부터 입자를 제거하도록 구성되어 있는, 장치. - 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
상기 지지 부분 및 절연 부분 중 하나 또는 양자 모두는 연속적인 표면을 규정하도록 배치되는, 장치. - 제 23 항에 있어서,
상기 절연 부분 및 지지 부분은 상기 옹이의 영역에서 돌출부를 갖는, 장치. - 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
상기 지지 부분은 전도성 판인, 장치. - 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
상기 절연 부분은 폴리머 층인, 장치. - 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
상기 장치는 제어기에 연결되거나 연결 가능하도록 구성되어 있고, 상기 제어기는 상기 장치의 지지 부분 및 기판 테이블 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하도록 구성되어 있는, 장치. - 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 시스템으로서,
제 22 항 또는 제 23 항에 따른 장치; 및
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블을 포함하는 시스템. - 제 29 항에 있어서,
상기 기판 테이블은 리소그래피 장치에 사용되도록 구성되어 있거나, 또는 상기 기판 테이블은 리소그래피 장치의 일부분이거나 리소그래피 장치에 포함되는, 시스템. - 제 29 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 장치의 지지 부분 및 기판 테이블 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하도록 구성된 제어기를 더 포함하고, 상기 전압은 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생된 전기장이 기판 테이블 상의 입자에 작용하여 그 기판 테이블로부터 입자를 제거하도록 선택되는, 시스템. - 기판 테이블로부터 입자를 제거하는 방법으로서,
상기 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 장치를 기판 테이블 근처에 배치하는 단계 - 상기 장치는 절연 부분 및 지지 부분을 포함하고, 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부는 상기 지지 부분에 배치되고, 상기 지지 부분은, 상기 장치의 지지 부분 및 상기 기판 테이블 중 하나 또는 양자 모두에 전압이 인가되면 상기 지지 부분이 전극으로 작용하여 상기 기판 테이블로부터의 입자 제거를 위한 전기장이 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생될 수 있게 하도록 구성되어 있고, 상기 지지 부분은 복수의 오목부를 포함하고, 복수의 오목부는 기판을 유지하기 위한 상기 기판 테이블의 지지부를 적어도 부분적으로 수용하기 위한 것이며, 상기 절연 부분은 적어도 2개의 인접하는 오목부 사이에 연장되어 있음 -; 및
상기 장치의 지지 부분 및 상기 기판 테이블 중 하나 또는 양자 모두에 전압을 인가하여, 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 전기장을 상기 장치와 기판 테이블 사이에 발생시키는 단계를 포함하는, 기판 테이블로부터 입자를 제거하는 방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 전압은 입자가 상기 절연 부분의 적어도 일부분 또는 전부에 부착되도록 선택되는, 방법. - 리소그래피 장치로서,
방사선 비임을 조절하도록 구성된 조명 시스템;
단면에서 방사선 비임에 패턴을 부여하여 패턴화된 방사선 비임을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성되어 있는 지지 구조물;
기판을 유지하도록 구성되어 있는 기판 테이블;
패턴화된 방사선 비임을 상기 기판 상에 투영하도록 구성되어 있는 투영 시스템; 및
상기 기판 테이블로부터 입자를 제거하기 위한 제 22 항 또는 제 23 항에 따른 장치를 포함하는, 리소그래피 장치. - 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 클램프 상의 입자는 클램프로부터 입자를 제거하기 전에 예비 대전되는, 방법. - 삭제
- 삭제
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