KR102559622B1 - 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102559622B1
KR102559622B1 KR1020160055448A KR20160055448A KR102559622B1 KR 102559622 B1 KR102559622 B1 KR 102559622B1 KR 1020160055448 A KR1020160055448 A KR 1020160055448A KR 20160055448 A KR20160055448 A KR 20160055448A KR 102559622 B1 KR102559622 B1 KR 102559622B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
halogen
silane
nitrile
Prior art date
Application number
KR1020160055448A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160132344A (ko
Inventor
함호완
김성훈
안현철
배유진
김동준
민병철
한정우
이형진
임동환
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to PCT/KR2016/004771 priority Critical patent/WO2016178544A2/ko
Priority to TW105114234A priority patent/TW201708209A/zh
Publication of KR20160132344A publication Critical patent/KR20160132344A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102559622B1 publication Critical patent/KR102559622B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1022—Heterocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 화합물에 관한 것으로, 특히 깊은 HOMO를 형성함과 동시에 전자차단이 용이한 높은 LUMO를 가지고, 우수한 hole mobility를 가져 유기발광소자의 발광보조층으로 사용시 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명의 구현이 가능하며, 또한 높은 Tg로 인해 유기발광소자의 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있는 신규한 화합물에 관한 것이다.

Description

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 {NOVEL COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING SAME}
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 깊은 HOMO를 형성함과 동시에 전자차단이 용이한 높은 LUMO를 가지고, 우수한 hole mobility를 가져 유기발광소자의 발광보조층으로 사용시 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명의 구현이 가능하며, 또한 높은 Tg로 인해 유기발광소자의 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있는 신규한 화합물에 관한 것이다.
최근, 자체 발광형으로 저전압 구동이 가능한 유기발광소자는, 평판 표시소자의 주류인 액정디스플레이(LCD, liquid crystal display)에 비해, 시야각, 대조비 등이 우수하고 백라이트가 불필요하여 경량 및 박형이 가능하며 소비전력 측면에서도 유리하고 색 재현 범위가 넓어, 차세대 표시소자로서 주목을 받고 있다.
유기발광소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자과 저분자로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광 재료는 발광 색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트와 호스트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재까지 이러한 유기발광소자에 사용되는 물질로서 다양한 화합물들이 알려져 있으나, 이제까지 알려진 물질을 이용한 유기발광소자의 경우 높은 구동전압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 실용화하는 데에 많은 어려움이 있었다. 따라서, 우수한 특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기발광소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
또한, 최근 유기발광소자에 있어서 정공수송층에서의 발광문제를 해결하기 위해서 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층을 구비하고 있다. 일반적으로 정공수송층에 사용되는 물질의 경우 낮은 HOMO 값을 가져야 하기 때문에 대부분 낮은 T1 값을 가지며, 이로 인해 발광층에서 생성된 exciton이 정공수송층으로 넘어가게 되어 결과적으로 발광층 내에서 charge balance가 불균형하여 정공수송층 계면에서 발광하는 문제가 발생한다. 또한 정공수송층 계면에서 발광을 하면서 색순도 저하 및 효율 감소 등이 나타나며, 수명이 짧아진다. 따라서 높은 T1 값을 가지며, 정공수송층 HOMO 에너지 level과 발광층의 HOMO 에너지 level 사이에 HOMO level를 갖는 발광보조층에 적합한 재료의 개발이 절실히 요청되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 깊은 HOMO를 형성함과 동시에 전자차단이 용이한 높은 LUMO를 가지고, 우수한 hole mobility를 가져 유기발광소자의 발광보조층으로 사용시 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명의 유기발광소자 구현이 가능하며, 또한 높은 Tg로 인해 유기발광소자의 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있는 신규한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한 상기 신규한 화합물을 발광보조층에 포함하여 전자차단이 용이하며, 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명 및 높은 Tg로 인해 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있는 유기발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식 2이며,
B는 하기 화학식 3이며,
Ar은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이며,
L1, L2는 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴렌기이며,
ℓ 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며,
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 및 3에서,
*는 화학식 1에서 N과 연결되는 부위이며,
X는 O 또는 S이며,
Y는 O 또는 S이며,
L3은 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴렌기이며,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이며,
화학식 3의 R6, R7, R8, R9 중 하나가 화학식 1의 L1 또는 N과 연결되며,
n은 0 내지 3의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명의 화합물은 깊은 HOMO를 형성함과 동시에 전자차단이 용이한 높은 LUMO를 가지고, 우수한 hole mobility를 가져 유기발광소자의 발광보조층으로 사용시 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명의 유기발광소자 구현이 가능하며, 또한 높은 Tg로 인해 유기발광소자의 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도면의 부호
11 : 기판
12 : 양극
13 : 정공주입층
14 : 정공수송층
15 : 발광보조층
16 : 발광층
17 : 전자수송층
18 : 전자주입층
19: 음극
본 발명의 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식 2이며,
B는 하기 화학식 3이며,
Ar은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이며,
L1, L2는 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴렌기이며,
ℓ 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며,
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 및 3에서,
*는 화학식 1에서 N과 연결되는 부위이며,
X는 O 또는 S이며,
Y는 O 또는 S이며,
L3은 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기, C6 -30의 아릴기, C2 -30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴렌기이며,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이며,
화학식 3의 R6, R7, R8, R9 중 하나가 화학식 1의 L1 또는 N과 연결되며,
n은 0 내지 3의 정수이다.
구체적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물이다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서 Ar, X, Y, ℓ, m 및 n은 화학식 1에서 정의한 바와 같으며,
R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이다.
더욱 구체적으로 상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5 또는 6으로 표시되는 화합물이다.
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 5 및 6에서 X, Y, ℓ, m 및 n은 화학식 1에서 정의한 바와 같으며,
R14, R15, R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이다.
구체적으로 본 발명에 따른 화합물은 상기 ℓ+ m + n의 합이 적어도 2 이상인 것이 좋다. 이 경우 유기발광소자에 적용시 수명 및 효율이 더욱 개선될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체적인 예는 다음과 같다:
, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 깊은 HOMO를 형성함과 동시에 전자차단이 용이한 높은 LUMO를 가지고, 우수한 hole mobility를 가져 유기발광소자의 발광보조층으로 사용시 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명의 유기발광소자 구현이 가능하며, 또한 높은 Tg로 인해 유기발광소자의 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있다. 특히 화학식 5 또는 6의 경우 수명 및 효율이 더욱 개선될 수 있다.
또한 본 발명의 화합물은 하기 반응식 1을 통하여 제조될 수 있다:
[반응식 1]
상기 반응식에서 A, B, Ar, X, Y, L1, L2, L3, ℓ, m, n, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12 및 R13은 화학식 1 내지 3에서 정의된 바와 같다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 구체적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광보조층으로 유기발광소자에 포함된다.
본 발명의 유기발광소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 바, 상기 유기발광소자의 제조방법의 일실시예는 다음과 같다.
상기 유기발광소자는 제1전극(anode)와 제2전극(cathode) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광보조층, 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기물층을 1 개 이상 포함할 수 있다.
먼저, 기판(11) 상부에 제1전극용 물질을 증착시켜 제1전극(12)를 형성한다. 이때, 상기 기판(11)은 통상의 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 좋다. 또한, 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 그래핀 등을 사용할 수 있다. 상기 제1전극용 물질은 통상의 애노드 형성방법에 의해 증착할 수 있으며, 구체적으로 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다.
그 다음, 상기 제1전극(12) 상부에 정공주입층(13)을 형성할 수 있고, 구체적으로 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있다.
상기 정공주입층 물질은 특별히 제한되지 않으며, 구체적으로 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA(4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민), m-MTDATA(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민), m-MTDAPB(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)페녹시벤젠), HI-406(N1,N1'-(비페닐-4,4'-디일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민) 등을 정공주입층 물질로 사용할 수 있다.
다음으로 상기 정공주입층(13) 상부에 정공수송층(14)을 형성할 수 있다. 구체적으로 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 정공수송층(14)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 정공수송층 물질은 정공수송층에 사용되고 있는 통상의 공지 물질 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있으며, 구체적으로, 공지의 상기 정공수송층 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N.N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상의 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.
또한 상기 정공수송층(14) 상부에 발광보조층(15)를 형성한다. 상기 발광보조층(15)은 발광보조층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있다. 상기 발광보조층 물질은 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용할 수 있으며, 공지의 발광보조층 물질을 본 발명의 화학식 1로 표시되는 물질과 혼합하여 사용할 수도 있다.
그 후, 상기 정공수송층 또는 유기층(일 예로 발광보조층) 상부에 발광층(16)을 형성할 수 있다. 구체적으로 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 발광층 재료는 공지의 형광 또는 인광의 호스트 또는 도펀트를 사용할 수 있다.
이때, 형광 도펀트로는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102 또는 IDE105, 또는 BD142(N6,N12-비스(3,4-디메틸페닐)-N6,N12-디메시틸크리센-6,12-디아민)를 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로는 녹색 인광 도펀트 Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic(이리듐(Ⅲ 비스[4,6-다이플루오로페닐)-피리디나토-N,C2'] 피콜린산염), UDC사의 적색 인광 도펀트 RD61 등이 공동 진공증착(도핑)될 수 있다. 도펀트의 도핑농도는 특별히 제한되지 않는다.
또한, 발광층(16)에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(17)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시키는 것이 좋다. 이때 사용할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다.
상기와 같이 형성된 발광층(16) 상부에는 전자수송층(17)이 형성되는데, 이때 상기 전자수송층(17)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 구체적으로 진공증착법에 의해 형성될 수 있다.
상기 전자수송층 재료는 전자주입전극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 그 종류가 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 또는 ET4(6,6'-(3,4-디메시틸-1,1-디메틸-1H-실올-2,5-디일)디-2,2'-비피리딘)을 사용할 수 있다. 또한, 전자수송층(17) 상부에 캐소드로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(18)이 적층될 수 있으며, 전자주입층 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
또한 전자주입층(18) 상부에 제2전극 형성용 금속을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 제2전극(19)을 형성한다. 여기서 제2전극 형성용 금속으로는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 금(Au), 은(Ag) 등이 있다. 또한, 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
본 발명의 유기발광소자는 제1전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 제2전극 구조의 유기발광소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.
상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로 5 내지 1,000 ㎚일 수 있다.
또한 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 유기물층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성이 뛰어난 장점이 있다.
본 발명의 유기발광소자는 높은 LUMO를 가지는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하여 전자차단이 용이하며, 롤오프현상이 억제되고, 저전압, 고효율, 장수명 및 높은 Tg로 인해 구동시 재결정화가 방지되어 안정성을 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
중간체 IM 의 합성
상기 식에서 L3 및 n은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
목적 화합물 합성을 위해 IM의 준비는 상기 단계를 거쳐 합성하였다.
IM1 의 합성
둥근바닥플라스크에 benzofuran-3-ylboronic acid 20.0 g(출발물질1), 1-bromo-4-iodobenzene 12.6 g(출발물질2)를 1,4-dioxan 350 ml에 녹이고 K2CO3(2M) 100 ml와 Pd(PPh3)4 2.4 g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 중간체 IM1 13.1 g (수율 68%)를 얻었다.
m/z: 271.98 (100.0%), 273.98 (97.3%), 272.99 (15.3%), 274.98 (14.7%), 273.99 (1.3%), 275.99 (1.3%)
상기 IM1과 같은 방법으로 출발물질1 및 출발물질2를 달리하여, 하기 IM2 내지 IM6을 합성하였다. (하기 표1 참고)
, , ,,
중간체IM 출발물질1 출발물질2
IM2 benzofuran-3-ylboronic acid 4-bromo-4'-iodo-1,1'-biphenyl
IM3 benzofuran-3-ylboronic acid 4'-bromo-3-iodo-1,1'-biphenyl
IM4 benzo[b]thiophen-3-ylboronic acid 1-bromo-4-iodobenzene
IM5 benzo[b]thiophen-3-ylboronic acid 4-bromo-4'-iodo-1,1'-biphenyl
IM6 benzo[b]thiophen-3-ylboronic acid 4'-bromo-3-iodo-1,1'-biphenyl
중간체 OP의 합성
상기 식에서, B, L1, L2, Ar, ℓ, m은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
목적 화합물 합성을 위해 OP의 준비는 상기 단계를 거쳐 합성하였다.
OP1 의 합성
둥근바닥플라스크에 2-bromodibenzo[b,d]furan 10 g(출발물질1), [1,1'-biphenyl]-4-amine 7.5 g(출발물질2), t-BuONa 5.8 g, Pd2(dba)3 1.5 g,(t-Bu)3P 1.8ml를 톨루엔 200 ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 OP1 9.5 g (수율 70%)를 얻었다.
m/z: 335.13 (100.0%), 336.13 (26.3%), 337.14 (3.5%)
OP7 의 합성
둥근바닥플라스크에 bis(4-bromophenyl)amine 10.0 g(출발물질1), dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid 7.2 g(출발물질2)를 1,4-dioxan 200 ml에 녹이고 K2CO3(2M) 50ml와 Pd(PPh3)4 1.1 g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 중간체OP7 10.9 g (수율 71%)를 얻었다.
m/z: 501.17 (100.0%), 502.18 (39.3%), 503.18 (7.9%), 504.18 (1.1%)
상기 OP1과 같은 방법으로 출발물질1 및 출발물질2를 달리하여, 하기 OP2 내지 OP6을 합성하였고, OP7과 같은 방법으로 출발물질1 및 출발물질2를 달리하여, 하기 OP8을 합성하였다.(하기 표2 참고)
, , , , ,, ,
중간체OP 출발물질1 출발물질2
OP2 4-bromodibenzo[b,d]furan [1,1'-biphenyl]-4-amine
OP3 2-bromodibenzo[b,d]thiophene [1,1'-biphenyl]-4-amine
OP4 4-bromodibenzo[b,d]thiophene [1,1'-biphenyl]-4-amine
OP5 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan [1,1'-biphenyl]-4-amine
OP6 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophene [1,1'-biphenyl]-4-amine
OP8 bis(4-bromophenyl)amine dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid
OP9 bis(4-bromophenyl)amine benzofuran-3-ylboronic acid
OP10 bis(4-bromophenyl)amine benzo[b]thiophen-3-ylboronic acid
화합물1의 합성
둥근바닥플라스크에 IM2 3.0 g, OP1 3.2 g, t-BuONa 1.2 g, Pd2(dba)3 0.3 g,(t-Bu)3P 0.4ml를 톨루엔 60 ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 화합물1 195 g (수율 67%)를 얻었다.
m/z: 603.22 (100.0%), 604.22 (48.0%), 605.23 (11.3%), 606.23 (1.9%)
화합물2의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP2를 사용하여 화합물 2를 합성하였다. (수율65%)
m/z: 603.22 (100.0%), 604.22 (48.0%), 605.23 (11.3%), 606.23 (1.9%)
화합물3의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP3을 사용하여 화합물 3을 합성하였다. (수율61%)
m/z: 619.20 (100.0%), 620.20 (48.8%), 621.20 (11.9%), 621.19 (4.5%), 622.20 (2.4%), 622.21 (1.7%)
화합물4의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP4를 사용하여 화합물 4를 합성하였다. (수율64%)
m/z: 619.20 (100.0%), 620.20 (48.8%), 621.20 (11.9%), 621.19 (4.5%), 622.20 (2.4%), 622.21 (1.7%)
화합물5의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP5를 사용하여 화합물 5를 합성하였다. (수율68%)
m/z: 679.25 (100.0%), 680.25 (54.4%), 681.26 (15.0%), 682.26 (2.8%)
화합물6의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP6를 사용하여 화합물 6을 합성하였다. (수율65%)
m/z: 695.23 (100.0%), 696.23 (55.7%), 697.23 (15.2%), 697.22 (4.5%), 698.24 (2.7%), 698.23 (2.6%)
화합물7의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM1을 사용하고 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 7을 합성하였다. (수율70%)
m/z: 693.23 (100.0%), 694.23 (54.6%), 695.24 (14.6%), 696.24 (2.9%)
화합물8의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM1을 사용하고 OP1 대신 OP8을 사용하여 화합물 8을 합성하였다. (수율65%)
m/z: 725.18 (100.0%), 726.19 (54.5%), 727.19 (15.8%), 727.18 (9.1%), 728.18 (5.0%), 728.19 (2.9%), 726.18 (2.0%), 729.19 (1.4%)
화합물9의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 9를 합성하였다. (수율67%)
m/z: 769.26 (100.0%), 770.27 (61.1%), 771.27 (18.9%), 772.27 (4.0%)
화합물10의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM3을 사용하고 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 10을 합성하였다. (수율59%)
m/z: 769.26 (100.0%), 770.27 (61.1%), 771.27 (18.9%), 772.27 (4.0%)
화합물11의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하여 화합물 11을 합성하였다. (수율65%)
m/z: 619.20 (100.0%), 620.20 (48.8%), 621.20 (11.9%), 621.19 (4.5%), 622.20 (2.4%), 622.21 (1.7%)
화합물12의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP2를 사용하여 화합물 12를 합성하였다. (수율62%)
m/z: 619.20 (100.0%), 620.20 (48.8%), 621.20 (11.9%), 621.19 (4.5%), 622.20 (2.4%), 622.21 (1.7%)
화합물13의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP3을 사용하여 화합물 13을 합성하였다. (수율66%)
m/z: 635.17 (100.0%), 636.18 (47.9%), 637.18 (12.0%), 637.17 (9.2%), 638.17 (4.4%), 636.17 (2.0%), 638.18 (1.9%), 639.18 (1.0%)
화합물14의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP4를 사용하여 화합물 14를 합성하였다. (수율64%)
m/z: 635.17 (100.0%), 636.18 (47.9%), 637.18 (12.0%), 637.17 (9.2%), 638.17 (4.4%), 636.17 (2.0%), 638.18 (1.9%), 639.18 (1.0%)
화합물15의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP5를 사용하여 화합물 15를 합성하였다. (수율60%)
m/z: 695.23 (100.0%), 696.23 (55.7%), 697.23 (15.2%), 697.22 (4.5%), 698.24 (2.7%), 698.23 (2.6%)
화합물16의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP6을 사용하여 화합물 16을 합성하였다. (수율63%)
m/z: 711.21 (100.0%), 712.21 (54.5%), 713.21 (15.4%), 713.20 (9.1%), 714.20 (5.0%), 714.22 (2.5%), 712.20 (2.0%), 715.21 (1.4%)
화합물17의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM4를 사용하고 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 17을 합성하였다. (수율67%)
m/z: 709.21 (100.0%), 710.21 (55.3%), 711.21 (15.4%), 711.20 (4.5%), 712.22 (2.8%), 712.21 (2.6%)
화합물18의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM4를 사용하고 OP1 대신 OP8을 사용하여 화합물 18을 합성하였다. (수율60%)
m/z: 741.16 (100.0%), 742.17 (54.4%), 743.16 (15.1%), 743.17 (14.5%), 744.16 (7.6%), 744.17 (2.9%), 742.16 (2.8%), 745.16 (2.2%)
화합물19의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM5를 사용하고 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 19을 합성하였다. (수율65%)
m/z: 785.24 (100.0%), 786.24 (61.8%), 787.25 (18.3%), 787.23 (4.5%), 788.25 (3.8%), 788.24 (3.0%), 787.24 (1.1%)
화합물20의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 IM6을 사용하고 OP1 대신 OP7을 사용하여 화합물 20을 합성하였다. (수율58%)
m/z: 785.24 (100.0%), 786.24 (61.8%), 787.25 (18.3%), 787.23 (4.5%), 788.25 (3.8%), 788.24 (3.0%), 787.24 (1.1%)
화합물21의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan(CAS No. 955959-84-9)을 사용하고 OP1 대신 OP9를 사용하여 화합물 21을 합성하였다. (수율52%)
m/z: 643.21 (100.0%), 644.22 (50.2%), 645.22 (13.1%), 646.22 (2.3%)
화합물22의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophene(CAS No. 530402-77-8)을 사용하고 OP1 대신 OP9를 사용하여 화합물 22를 합성하였다. (수율55%)
m/z: 659.19 (100.0%), 660.20 (50.2%), 661.20 (12.7%), 661.19 (5.1%), 662.20 (2.3%), 662.19 (2.3%), 660.19 (1.2%)
화합물23의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan(CAS No. 955959-84-9)을 사용하고 OP1 대신 OP10을 사용하여 화합물 23을 합성하였다. (수율52%)
m/z: 675.17 (100.0%), 676.17 (51.8%), 677.18 (12.3%), 677.16 (9.0%), 678.17 (4.6%), 678.18 (2.3%), 677.17 (1.2%), 679.17 (1.2%)
화합물24의 합성
화합물 1과 같은 방법으로 IM2 대신 4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophene(CAS No. 530402-77-8)을 사용하고 OP1 대신 OP10을 사용하여 화합물 24를 합성하였다. (수율55%)
m/z: 691.15 (100.0%), 692.15 (52.5%), 693.14 (13.6%), 693.15 (13.5%), 694.15 (7.1%), 694.16 (2.0%), 695.15 (1.7%)
유기발광소자의 제조
도 1에 기재된 구조에 따라 유기발광소자를 제조하였다. 유기발광소자는 아래로부터 제1전극(12)/정공주입층(13)/ 정공수송층(14)/발광보조층(15)/발광층(16)/전자수송층(17)/전자주입층(18)/제2전극(19) 순으로 적층되어 있다.
하기 실시예 및 비교예의 정공주입층(13), 정공수송층(14), 발광보조층(15), 발광층(16), 전자수송층(17)는 아래과 같은 물질을 사용하였다.
실시예 1
인듐틴옥사이드(ITO)가 1500 Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층으로 HI01 600 Å, 정공수송층으로 NPB 250 Å, 발광보조층으로 상기 화합물1 100 Å 을 제막하였다. 다음으로 상기 발광층으로 BH01:BD01 3%로 도핑하여 300 Å 제막하였다. 다음으로 전자수송층으로 ET01:Liq(1:1) 300 Å 제막한 후 LiF 10 Å, 알루미늄(Al) 1000 Å 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예 24
실시예 1과 같은 방법으로 발광보조층을 각각 화합물 2 내지 24를 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 1
상기 실시예 1의 발광보조층 화합물을 사용하지 않고 NPB를 350 Å 로 제막한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
비교예 2
상기 실시예 1의 발광보조층 화합물1 대신 Ref.1로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
비교예 3 내지 비교예 6
상기 실시예 1의 발광보조층 화합물1 대신 각각 Ref.2 부터 Ref.5까지 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
유기발광소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 및 비교예의 유기발광소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
Op. V mA/cm2 Cd/A lm/w CIEx CIEy LT95
(hr)
실시예1 4.00 10 6.92 6.15 0.140 0.110 64
실시예2 4.02 10 6.90 6.17 0.141 0.109 64
실시예3 4.00 10 6.95 6.13 0.140 0.110 67
실시예4 4.02 10 7.05 6.31 0.141 0.110 61
실시예5 4.01 10 6.99 6.15 0.140 0.110 63
실시예6 3.99 10 7.01 6.10 0.141 0.110 60
실시예7 4.01 10 7.25 6.53 0.140 0.110 70
실시예8 3.99 10 7.28 6.53 0.140 0.109 70
실시예9 4.03 10 7.23 6.55 0.139 0.110 75
실시예10 4.00 10 7.29 6.59 0.140 0.110 71
실시예11 4.00 10 7.01 6.21 0.140 0.110 65
실시예12 3.97 10 6.99 6.22 0.140 0.110 60
실시예13 3.96 10 7.05 6.29 0.140 0.109 64
실시예14 4.00 10 7.12 6.24 0.140 0.109 61
실시예15 4.05 10 6.99 6.25 0.141 0.110 61
실시예16 4.01 10 7.08 6.25 0.140 0.109 61
실시예17 4.02 10 7.21 6.51 0.140 0.111 76
실시예18 3.99 10 7.28 6.57 0.140 0.110 73
실시예19 4.03 10 7.21 6.53 0.141 0.111 77
실시예20 4.00 10 7.29 6.55 0.140 0.110 71
실시예21 4.00 10 7.18 6.47 0.140 0.110 71
실시예22 3.99 10 7.23 6.50 0.140 0.110 75
실시예23 4.01 10 7.20 6.48 0.140 0.110 70
실시예24 4.01 10 7.25 6.50 0.140 0.111 73
비교예1 4.54 10 5.54 4.47 0.142 0.113 11
비교예2 5.05 10 3.94 1.80 0.145 0.135 -
비교예3 4.40 10 5.63 4.85 0.141 0.113 18
비교예4 4.35 10 5.95 4.51 0.141 0.112 25
비교예5 4.27 10 5.85 4.30 0.141 0.114 41
비교예6 4.30 10 6.05 4.74 0.141 0.112 37
상기 표 3에 나타나는 바와 같이 본 발명의 화합물은 발광보조층으로 사용시 비교예 1 내지 6에 비하여 모든 면에서 물성이 우수함을 확인할 수 있다. 특히 비교예 2 내지 6과 비교하여 같은 벤조퓨란 및 벤조싸이오펜 모이어티를 가지고 있더라도 본 발명의 화학식 1과 같은 구조를 가지는 실시예 1 내지 24의 경우 깊은 HOMO를 형성하며, 동시에 박막 상태에서 분자배열이 우수하고 홀 모빌리티가 뛰어나 효율 및 수명 향상에 큰 영향을 주었음을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]

    상기 화학식 1에서,
    A는 하기 화학식 2이며,
    B는 하기 화학식 3이며,
    Ar은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, 또는 C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 벤조싸이오펜, 벤조퓨란, 디벤조싸이오펜 또는 디벤조퓨란이며,
    L1은 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴렌기이고,
    L2는 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴렌기이며,
    ℓ 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며,
    [화학식 2]

    [화학식 3]

    상기 화학식 2 및 3에서,
    *는 화학식 1에서 N과 연결되는 부위이며,
    X는 O 또는 S이며,
    Y는 O 또는 S이며,
    L3은 직접결합; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴렌기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기, C6-30의 아릴기, C2-30의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴렌기이며,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-20의 알킬기, C1-20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이며,
    화학식 3의 R6, R7, R8, R9 중 하나가 화학식 1의 L1 또는 N과 연결되며,
    n은 0 내지 3의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물:
    [화학식 4]

    상기 화학식 4에서 Ar, X, Y, ℓ, m 및 n은 화학식 1에서 정의한 바와 같으며,
    R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이다.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 화학식 4는 하기 화학식 5 또는 6으로 표시되는 화합물:
    [화학식 5]

    [화학식 6]

    상기 화학식 5 및 6에서 X, Y, ℓ, m 및 n은 화학식 1에서 정의한 바와 같으며,
    R14, R15, R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 -50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1 -20의 알킬기, C1 -20의 알콕시기, 실란기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 ℓ+ m + n의 합이 적어도 2 이상인 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
    , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
    , , , , , , , , , , , , , ,
    , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
    , , , , , , , , , , , ,, , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , ,, , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
  6. 제1전극, 제2전극 및 두 전극 사이에 제1항 기재의 화합물을 함유하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유기물층이 발광보조층인 유기발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 발광보조층은 정공수송층과 발광층 사이에 존재하며, 발광층과 접해 있는 유기발광소자.
KR1020160055448A 2015-05-06 2016-05-04 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 KR102559622B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2016/004771 WO2016178544A2 (ko) 2015-05-06 2016-05-04 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
TW105114234A TW201708209A (zh) 2015-05-06 2016-05-06 新化合物以及包含其的有機發光元件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150063389 2015-05-06
KR1020150063389 2015-05-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160132344A KR20160132344A (ko) 2016-11-18
KR102559622B1 true KR102559622B1 (ko) 2023-08-03

Family

ID=57537691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160055448A KR102559622B1 (ko) 2015-05-06 2016-05-04 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102559622B1 (ko)
CN (1) CN107667099A (ko)
TW (1) TW201708209A (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102359879B1 (ko) * 2015-06-25 2022-02-10 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102671576B1 (ko) * 2015-09-10 2024-06-05 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102083707B1 (ko) * 2016-02-11 2020-03-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US11261176B2 (en) 2017-01-26 2022-03-01 Lg Chem, Ltd. Amine-based compound and organic light emitting device using the same
US11871656B2 (en) 2018-01-26 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and monoamine compound for organic electroluminescence device
JP7465062B2 (ja) 2018-01-26 2024-04-10 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用モノアミン化合物
KR20190114637A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 주식회사 동진쎄미켐 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102628804B1 (ko) * 2018-07-10 2024-01-24 주식회사 동진쎄미켐 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102579367B1 (ko) * 2019-02-15 2023-09-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200113057A (ko) 2019-03-20 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN110256415A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种化合物、光提取材料、有机光电装置及电子设备
KR20210044391A (ko) * 2019-10-15 2021-04-23 덕산네오룩스 주식회사 발광보조층을 포함하는 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102484481B1 (ko) * 2019-10-31 2023-01-05 주식회사 동진쎄미켐 신규한 캡핑층용 유기화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN112961131A (zh) * 2021-02-04 2021-06-15 吉林奥来德光电材料股份有限公司 有机化合物、其制备方法和应用
CN115643767B (zh) * 2022-12-26 2023-04-14 浙江华显光电科技有限公司 有机电致发光器件、显示器装置、光源装置及电子产品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090134783A1 (en) 2007-11-16 2009-05-28 Academia Sinica Materials for organic light-emitting diodes
KR101251451B1 (ko) 2012-08-17 2013-04-05 덕산하이메탈(주) 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN103709153A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 昆山维信诺显示技术有限公司 苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101474798B1 (ko) * 2011-12-23 2014-12-22 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR101497135B1 (ko) * 2011-12-29 2015-03-02 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
JP2014007301A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
WO2014088285A1 (ko) * 2012-12-06 2014-06-12 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090134783A1 (en) 2007-11-16 2009-05-28 Academia Sinica Materials for organic light-emitting diodes
KR101251451B1 (ko) 2012-08-17 2013-04-05 덕산하이메탈(주) 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN103709153A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 昆山维信诺显示技术有限公司 苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160132344A (ko) 2016-11-18
TW201708209A (zh) 2017-03-01
CN107667099A (zh) 2018-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102559622B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102160946B1 (ko) 아크리딘 유도체를 포함하는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101738607B1 (ko) 유기전계발광소자
KR20230164634A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102671576B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102169273B1 (ko) 아크리딘 유도체를 포함하는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20160080090A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102585105B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102387855B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102402220B1 (ko) 신규한 청색 형광 호스트 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102630946B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102447718B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102448875B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102423699B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102394380B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20140086880A (ko) 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20140081735A (ko) 중수소로 치환된 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102659372B1 (ko) 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102437956B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102429520B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102390954B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20090029111A (ko) ｎ형 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR20160045019A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150095208A (ko) 신규한 정공주입·정공수송 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102388406B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
E701 Decision to grant or registration of patent right
E701 Decision to grant or registration of patent right