KR102499098B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

미끄럼 이동 부재가 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 행하는 처리에 대해서, 면 내에서 균일성 높게 처리를 행함과 함께 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용을 기판에 확실하게 부여한다.
기판(W)의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재(63, 64)와, 자전 중의 당해 미끄럼 이동 부재(63, 64)를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구(66)를 구비하도록 장치를 구성한다. 기판(W)의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부(35)에 기판(W)이 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재(63, 64)가 상기 기판(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동한다. 상기 기판(W)의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하고, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부(12)에 기판(W)이 보유 지지되어 있을 때, 미끄럼 이동 부재(63, 64)가 회전하는 기판(W)의 이면의 주연부를 미끄럼 이동한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기술에 관한 것이다.

반도체 장치는 다층 배선 구조를 갖고 있다. 그 다층 배선 구조를 형성하기 위해서, 반도체 장치의 제조 과정에서는, 배선을 형성하기 위한 마스크 패턴인 레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 대하여 복수회 행하여진다. 각 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼의 동일한 영역에 샷이 행해지도록 노광 처리가 이루어진다. 상기 반도체 장치의 배선 패턴의 미세화가 진행되고 있음으로써, 앞서 포토리소그래피 공정에서 샷이 행하여지는 영역과, 후의 포토리소그래피 공정에서 샷이 행하여지는 영역과의 위치 정렬의 정밀도, 즉 오버레이(중첩)의 정밀도를 높게 할 것이 요구되고 있다.

그런데, 웨이퍼는 노광 처리 시에 있어서는, 노광기에 설치되는 스테이지에 적재되어 노광 샷이 행하여진다. 이 스테이지 상에서는, 웨이퍼는 당해 스테이지의 표면을 향해서 흡인되어, 그 위치가 고정된다. 그러나, 노광기에 반송되는 웨이퍼는 평탄하지 않고, 왜곡이 발생하는 경우가 있다. 그러한 웨이퍼가 스테이지에 적재되면, 왜곡된 상태인 채로 당해 스테이지에 흡착되어 노광 샷이 행하여지는 경우가 있다. 그 경우, 본래의 샷이 행하여지는 영역으로부터 어긋난 영역에 샷이 행해지게 된다. 따라서, 상기 오버레이의 정밀도를 높게 하는 것에 대해서 한계가 있었다.

특허문헌 1에는, 웨이퍼의 왜곡에 의한 적재 상태의 문제를 해소하기 위해서 웨이퍼의 이면을 연마하는 조면화 처리를 행하여, 노광기의 스테이지에 대한 웨이퍼의 이면의 미끄럼성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 이 조면화 처리를 행하는 연마 장치로서는, 웨이퍼의 이면의 중앙부를 처리할 때는 웨이퍼의 주연부를 보유 지지부에 의해 보유 지지함과 함께 자전하는 연마 부재를 수평 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼의 이면의 주연부를 처리할 때는 웨이퍼의 중심부를 스핀 척에 의해 보유 지지함과 함께 웨이퍼를 회전시키면서, 자전하는 연마 부재를 가로 방향으로 이동시킨다. 또한, 특허문헌 2에는, 연마 부재를 자전하면서 또한 웨이퍼의 반경 크기 정도의 비교적 긴 공전 반경을 갖도록 공전시키는 연마 장치에 대해서 기재되어 있다. 이 연마 장치에 있어서, 웨이퍼의 이면의 중앙부를 처리할 때는 연마 부재의 자전 및 공전을 행하면서, 웨이퍼의 주연부를 보유 지지부에 의해 보유 지지하고, 웨이퍼를 수평 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼의 이면의 주연부를 처리할 때는 연마 부재의 자전 및 공전을 행하면서, 웨이퍼의 중심부를 보유 지지하는 스핀 척에 의해 웨이퍼를 회전시킨다.

일본 특허 공개 제2015-181145호 공보 일본 특허 제5904169호

노광기의 스테이지에 웨이퍼를 평탄하게 적재하기 위해서는, 웨이퍼의 이면에 미세한 돌기가 면 내의 각 부에 마찬가지로 형성되도록 연마를 행하여, 당해 스테이지에 대한 웨이퍼의 각 부의 미끄럼성을 높게 하는 것이 바람직하다. 특허문헌 1, 2의 장치에 대해서는, 웨이퍼에 대한 연마 부재의 이동 패턴이, 연마 부재가 웨이퍼의 중앙부에 위치할 때와, 웨이퍼의 주연부에 위치할 때에 상이하므로, 면 내의 각 부에서 홈의 형상이 상이하다. 또한, 웨이퍼의 중앙부에 대해서, 특허문헌 1의 장치에 대해서는 연마 부재의 자전에 의해서만 연마되고, 특허문헌 2의 장치에 대해서는 연마 부재의 공전 반경이 비교적 크므로, 충분히 미세한 돌기를 형성하는 것이 어렵다. 따라서, 웨이퍼의 이면에 있어서 보다 균일성 높고, 보다 미세한 돌기가 형성되도록 연마를 행할 수 있는 장치에 대해서 요구되고 있다.

본 발명은 이러한 사정에 기초해서 이루어진 것이며, 그 목적은, 미끄럼 이동 부재가 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 행하는 처리에 대해서, 면 내에서 균일성 높게 처리를 행함과 함께 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용을 기판에 확실하게 부여할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,

상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,

상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,

자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,

상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,

를 포함한다.

본 발명의 기판 처리 방법은, 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,

제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,

상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,

공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,

상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,

상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,

상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,

을 포함한다.

기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 사용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,

상기 프로그램은, 본 발명의 기판 처리 방법을 실행하기 위해서 스텝이 짜여진 프로그램이다.

본 발명에 따르면, 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구가 설치되어, 기판의 이면의 중앙부의 외측이 보유 지지되어 있을 때는, 상기 기판의 이면의 중앙부가 미끄럼 이동 부재에 의해 미끄럼 이동되어 처리되고, 기판의 이면의 중앙부가 보유 지지되어 있을 때는, 회전하는 기판의 이면의 주연부가 미끄럼 이동 부재에 의해 미끄럼 이동되어 처리된다. 그에 의해, 기판의 이면의 중앙부 및 주연부에 대해서 균일성 높게 처리를 행할 수 있다. 또한, 기판의 면 내의 각 부를 반복해서 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동함에 있어서, 서로 상이한 방향을 향해서 미끄럼 이동 부재를 미끄럼 이동시킬 수 있으므로, 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용이 기판에 확실하게 부여된다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 연마 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 연마 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 연마 장치에 설치되는 연마 기구의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 연마 기구의 평면도이다.
도 5는 사이클론 패드의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 연마 장치에 설치되는 지석 세정부의 종단 측면도이다.
도 7은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 8은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 9는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 10은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 11은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 12는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 13은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 14는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 15는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 16은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 17은 웨이퍼의 이면을 도시하는 개략 평면도이다.
도 18은 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 19는 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 20은 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 21은 상기 연마 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 22는 상기 도포, 현상 장치의 개략적인 종단 측면도이다.
도 23은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 모듈의 개략 구성도이다.
도 24는 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 모듈의 개략 구성도이다.
도 25는 상기 연마 기구의 다른 구성을 나타내는 종단 측면도이다.
도 26은 상기 연마 기구의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 연마 장치의 평면도이다.
도 28은 상기 연마 장치의 종단 측면도이다.
도 29는 상기 연마 장치에 설치되는 압박 부재의 하면측 사시도이다.
도 30은 상기 압박 부재의 종단 측면도이다.
도 31은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 32는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 33은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 34는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 35는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 36은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 37은 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 38은 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 39는 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.

본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태인 연마 장치(1)에 대해서, 도 1, 도 2의 평면도 및 종단 측면도를 참조하면서 설명한다. 이 연마 장치(1)는, 원형의 기판인 웨이퍼(W)의 이면을 지석에 의해 연마하여 조면화한다. 상세하게는 후술하는데, 이 연마 처리는, 이 연마 장치(1)에 의한 처리 후에 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트막을 노광하는 노광기에 설치되는 스테이지에 웨이퍼(W)를 적재함에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면이 스테이지에 접촉하는 면적을 줄이기 위해서 행한다. 또한, 연마 장치(1)는, 상기 연마가 행하여진 영역에 대하여 세정액을 공급함과 함께 브러시에 의해 문질러서, 연마 처리에 의해 발생한 이물을 제거하는 세정 처리를 행한다.

연마 장치(1)는, 베이스체(11)와, 스핀 척(12)과, 컵(3)과, 연마·세정 처리부(5)와, 사이클론 패드(7)와, 지석 세정부(81)와, 브러시 세정부(82)와, 세정액으로서 순수를 공급하는 각종 노즐을 구비하고 있다. 베이스체(11)는, 평면에서 보아 직사각 형상으로 형성되어 있고, 연마 장치(1)의 외부에 설치되는 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 베이스체(11)의 길이 방향의 일단측으로부터 웨이퍼(W)가 연마 장치(1)에 반송된다. 이 일단측을 전방측으로 해서 설명한다. 베이스체(11)는, 전후 방향을 길이 방향으로 하는 각형의 오목부(13)를 구비하고 있고, 이 오목부(13) 내는 웨이퍼(W)의 처리 영역으로서 구성되어 있다. 이 처리 영역의 전방측에 스핀 척(12)이 설치되어 있다.

스핀 척(12)은, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 흡착하여 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 스핀 척(12)의 하방측은 샤프트(14)를 통해서 회전 기구(15)에 접속되어 있고, 회전 기구(15)는 스핀 척(12)에 보유 지지된 웨이퍼(W)가 연직축 주위로 회전하도록 당해 스핀 척(12)을 회전시킨다. 또한, 후술하는 웨이퍼(W)의 처리 예에서는, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)는 평면에서 보아 시계 방향으로 회전하지만, 역방향으로 회전해도 된다. 스핀 척(12)의 측방에는, 당해 스핀 척(12)의 회전 방향을 따라서 간격을 두고, 수직인 3개의 지지 핀(16)이 배치되어 있다. 또한, 도 2에서는 2개만 지지 핀(16)을 표시하고 있다. 승강 기구(17)에 의해 지지 핀(16)은 승강 가능하게 구성되어 있고, 상기 반송 기구와, 제2 보유 지지부인 스핀 척(12) 및 후술하는 제1 보유 지지부인 고정 척(35)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있다.

상기 스핀 척(12), 회전 기구(15), 지지 핀(16) 및 승강 기구(17)를 둘러싸도록, 베이스체(11)의 저부로부터 상방을 향해서 신장되는 원통부가 설치되고, 에어 나이프(18)로서 구성되어 있다. 에어 나이프(18)의 상단면은, 내측을 향해서 경사지는 경사면을 이룬다. 당해 경사면에는 상방을 향해서 예를 들어 에어를 토출하는 토출구(21)가, 주위 방향으로 간격을 두고 설치되어 있다. 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)의 이면이 흡착 보유 지지될 때, 에어 나이프(18)의 상단은 웨이퍼(W)의 이면에 근접하고, 토출구(21)로부터 에어가 토출됨으로써 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 세정액이 부착되는 것을 방지한다. 또한, 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)를 보유 지지하기 전에, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 건조시키기 위해서 당해 에어의 토출이 행하여진다.

베이스체(11)의 오목부(13)의 저부에는, 웨이퍼(W)로부터 오목부(13) 내에 낙하한 폐액을 제거하기 위한 액체 배출구(22)가 설치되어 있다. 액체 배출구(22)보다도 에어 나이프(18) 근방의 위치에, 오목부(13) 내를 배기하는 기립한 배기관(23)이 설치되어 있다. 웨이퍼(W)의 처리 중에는 당해 배기관(23)으로부터의 배기가 행해짐으로써, 웨이퍼(W)로부터 비산한 세정액이나 연마에 의해 발생한 웨이퍼(W)의 절삭 칩이, 오목부(13)의 외측으로 비산하는 것이 억제된다. 도 2 중 24는, 에어 나이프(18)로부터 외측으로 넓어지는 플랜지이다. 플랜지(24)의 외측 단부는 배기관(23)의 외측에서 하방으로 굴곡해서 배기관(23)의 상단보다도 하방에 위치하여, 폐액이 배기관(23)에 유입되는 것을 억제한다.

컵(3)은, 에어 나이프(18)를 둘러싸도록, 상단부가 내측으로 돌출된 원통 형상으로 형성되고 있다. 이 컵(3)은 처리 중에는 웨이퍼(W)를 둘러싸고, 웨이퍼(W)로부터 폐액이 비산하는 것을 억제한다. 컵(3)의 좌우 외벽에서는 각각 지지부(31)가, 오목부(13)의 외연 상을 향해서 신장되어 있고, 베이스체(11)에 설치되는 수평 이동 기구(32)에 접속되어 있다. 수평 이동 기구(32)에 의해 컵(3)은 오목부(13) 내를 전후 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 수평 이동 기구(32)의 하방에는 승강 기구(33)가 설치되어 있어, 승강 기구(33)에 의해 수평 이동 기구(32)는 승강할 수 있다. 즉, 컵(3)이 승강할 수 있다.

컵(3)에는, 스핀 척(12)을 좌우로부터 끼움과 함께 전후 방향으로 연신된 2개의 다리부(34)가 설치되어 있다. 다리부(34)에는 고정 척(35)이 설치되어 있다. 이 고정 척(35)은, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역을 흡착하여, 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 처리할 때는 고정 척(35)에, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역을 처리할 때는 스핀 척(12)에, 각각 웨이퍼(W)가 보유 지지된다.

도면 중 36은 주위 단부 세정 노즐이며, 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)에 보유 지지되어 있을 때 웨이퍼(W)의 이면의 주위 단부를 향해서, 비스듬히 상방으로 순수를 토출한다. 도면 중 37은 이면 세정 노즐이며, 비스듬히 뒤측 상방을 향해서 순수를 토출한다. 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 처리할 때는, 웨이퍼(W)는 고정 척(35)에 의해 이면 세정 노즐(37)로부터 토출되는 순수가 당해 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 공급되는 위치에 보유 지지된다. 또한, 이 이면 세정 노즐(37)은, 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)에 보유 지지될 때는, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역에 순수를 토출하도록 설치되어 있다.

후방으로부터 전방을 향해서 보아, 베이스체(11)에 있어서 오목부(13)의 좌측에는, 이동 기구(25)에 의해 전후 방향으로 이동하는 승강 기구(26)가 설치되어 있다. 그리고, 승강 기구(26)에 의해 승강 가능한 아암(27)이 당해 승강 기구(26)로부터 우측을 향해서 연장되어 있고, 당해 아암(27)의 선단부에는, 비스듬히 좌측 하방을 향해서 순수를 토출하는 표면 세정 노즐(28)이 설치되어, 스핀 척(12)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 순수를 토출할 수 있다. 오목부(13)의 후방측에는, 표면 세정 노즐(28)의 대기부를 이루는 오목부(29)가 형성되어 있어, 이동 기구(25) 및 승강 기구(26)에 의해 표면 세정 노즐(28)은, 오목부(29) 내와, 상기 웨이퍼(W)에 순수를 토출하는 위치와의 사이에서 이동한다.

계속해서, 연마·세정 처리부(5)에 대해서 설명한다. 연마·세정 처리부(5)는, 수평 이동 기구(51), 회전 기구(52), 승강 기구(53, 54), 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)에 의해 구성되어 있다. 수평 이동 기구(51)는, 오목부(13) 내를 전후 방향으로 신장되도록 설치되고, 회전 기구(52)는, 수평 이동 기구(51)에 의해 오목부(13) 내의 후단부에서부터 에어 나이프(18)의 앞쪽으로 이르기까지, 전후 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 회전 기구(52)의 상부측은, 수평인 원형의 스테이지로서 구성되고, 이 스테이지는 그 수직인 중심축 주위로 회전할 수 있다. 이 회전 기구(52)의 스테이지 상에서, 주위 방향으로 간격을 두고 승강 기구(53, 54)가 설치되어 있다. 승강 기구(53) 상에는 연마 기구(61)가, 당해 승강 기구(53)에 의해 승강 가능하게 설치되고, 승강 기구(54) 상에는 세정 기구(62)가, 당해 승강 기구(54)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 이 승강 기구(53, 54)에 의한 승강, 수평 이동 기구(51)에 의한 수평 이동 및 회전 기구(52)에 의한 회전의 협동에 의해, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)는, 컵(3)의 내측과 컵(3)의 외측과의 사이를 이동할 수 있다. 이 수평 이동 기구(51) 및 상기 컵(3)이 접속되는 수평 이동 기구(32)는, 웨이퍼(W)에 대한 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)의 수평 방향에서의 상대 위치를 변화시키는 상대 이동 기구를 구성한다.

연마 기구(61)와 세정 기구(62)는 서로 대략 마찬가지로 구성되어 있어, 여기서는 대표적으로 연마 기구(61)에 대해서 도 3의 종단 측면도도 참조하여 설명한다. 연마 기구(61)는, 지석(63), 지지판(64), 공전판(65) 및 공전 기구인 구동 유닛(66)을 구비하고 있다. 지지판(64)은 수평인 원판이며, 예를 들어 그 주연부 상에 상기 지석(63)이 당해 지지판(64)의 주위 방향을 따라 6개, 등간격으로 배치되어 있다(도 1 참조). 지석(63)은, 예를 들어 입도가 60000번의 다이아몬드 지석이며, 수평인 원판 형상으로 형성되어, 웨이퍼(W)의 이면을 찰과함으로써 당해 웨이퍼(W)의 이면을 조면화한다. 지지판(64)의 이면의 중심부에는 수직인 제1 자전용 샤프트(601)가 설치되어 있다.

지지판(64)의 하방에는 상기 공전판(65)이 수평으로 설치되어 있고, 당해 공전판(65)은 원판 형상으로 구성되어 있다. 상기 제1 자전용 샤프트(601)는, 당해 공전판(65)에 설치되는 지지부(602)에 의해, 당해 공전판(65) 상에서 지지되어 있다. 지지부(602)는, 자전용 샤프트(601)를, 도면 중에 P1로 나타내는 수직인 축 주위로 회전 가능하게 지지하기 위한 베어링(603)을 구비하고 있다. 도면 중 604는, 제1 자전용 샤프트(601)에 설치되어, 축(P1)을 회전축으로 해서 회전하는 기어이다.

공전판(65)의 하방에 구동 유닛(66)을 구성하는 박스(605)가 설치되어 있다. 공전판(65)의 중심부로부터는, 박스(605) 내를 향해서 수직인 공전용 원통(606)이 신장되고, 공전판(65)은 베어링(607)에 의해 박스(605)에 대하여, 도면 중에 P2로 나타내는 수직인 축 주위로 회전 가능하게 지지되어 있다. 공전용 원통(606)의 하단부는 박스(605) 내에 설치되고, 축(P2)을 회전축으로 해서 회전하는 기어(608)로서 구성되어 있다.

또한, 상기 공전용 원통(606)을 관통하는 수직인 제2 자전용 샤프트(609)가 설치되어 있다. 제2 자전용 샤프트(609)의 상단부는 기어(610)로서 구성되어, 제1 자전용 샤프트(601)의 기어(604)와 맞물려 있다. 제2 자전용 샤프트(609)의 하단부는 기어(611)로서 구성되어 있다. 이들 제2 자전용 샤프트(609), 기어(610, 611)는 축(P2)을 회전축으로 해서 회전한다. 또한 도면 중 612는, 제2 자전용 샤프트(609)를 공전용 원통(606)에 대하여 회전 가능하게 지지하는 베어링이다.

박스(605) 내에는 구동 유닛(66)을 구성하는 자전용 모터(67) 및 공전용 모터(68)가 설치되어 있고, 자전용 모터(67)에 설치되는 기어(613)에 자전용 샤프트(609)의 기어(611)가, 공전용 모터(68)에 설치되는 기어(614)에 공전용 원통(606)에 설치되는 기어(608)가 각각 맞물려 있다. 이와 같은 구성에 의해, 자전용 모터(67)에 의해 지지판(64)이, 공전용 모터(68)에 의해 공전판(65)이 서로 독립해서 회전한다. 따라서, 지지판(64)은, 축(P1) 주위로 자전함과 함께 축(P2) 주위로 공전할 수 있으므로, 축(P1)을 자전축, 축(P2)을 공전축으로서 각각 기재하는 경우가 있다. 또한, 후술하는 처리 예에서는 지지판(64)은, 평면에서 보아 반시계 방향으로 자전함과 함께 평면에서 보아 시계 방향으로 공전한다. 단, 자전의 방향 및 공전의 방향으로서는 이 예에 한정되지 않고, 예를 들어 모두 평면에서 보아 시계 방향으로 회전하도록 해도 된다.

도 4는 연마 기구(61)의 상면도이다. 이 도에 도시한 바와 같이, 지지판(64)의 직경(R1)은, 지지판(64)의 공전 반경(R2)보다도 크다. 웨이퍼(W)의 이면의 연마 처리는, 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 접하면서, 지지판(64)이 자전축(P1) 주위로 자전함과 함께 반복해서 공전축(P2) 주위로 공전함으로써, 당해 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 미끄럼 이동해서 행하여진다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 연마 처리에 대해서는, 웨이퍼(W)를 고정 척(35)에 의해 정지한 상태로 보유 지지하고, 그렇게 지지판(64)이 자전 및 공전을 함으로써 행하여진다. 상기와 같이 R1, R2가 설정됨으로써 지지판(64)의 공전 궤도의 외연보다도 내측에서의 모든 영역을 지석(63)이 통과하기 때문에, 그렇게 웨이퍼(W)가 정지하고 있어도 지지판(64)의 공전 궤도를 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치도록 배치함으로써, 당해 이면의 중앙부 전체의 연마 처리를 행할 수 있다.

세정 기구(62)에서의 연마 기구(61)와의 차이점으로서는, 지지판(64)에 있어서 지석(63) 대신에 원형의 브러시(69)가 설치되어 있는 것을 들 수 있고, 브러시(69) 및 지지판(64)이 세정 부재로서 구성된다(도 1, 도 2 참조). 브러시(69)는 웨이퍼(W)의 이면을 찰과함으로써, 연마 처리에 의해 발생하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클을 제거한다.

계속해서, 웨이퍼(W)의 높이 규제부인 사이클론 패드(7)에 대해서 설명한다. 이 사이클론 패드(7)는 2개 설치되고, 상기 에어 나이프(18)의 후방측에서 평면에서 보아 컵(3)에 둘러싸이는 영역에서, 에어 나이프(18)에 대하여 좌측, 우측에 각각 배치되어 있다. 도 5는 사이클론 패드(7)의 종단 측면도를 나타내고 있다. 사이클론 패드(7)는 편평하고 수평인 대략 원형의 블록 형상으로 구성되어 있고, 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)가 보유 지지될 때, 그 상면은 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 근접한다.

사이클론 패드(7)의 상면에는, 당해 사이클론 패드(7)의 주위를 따른 원형의 링 형상의 홈(71)이 형성되어 있다. 이 홈(71)을 형성하는 외측의 측면에는, 에어의 토출구(72)가, 당해 홈(71)의 주위 방향을 따라 간격을 두고 복수 개구되어 있다. 토출구(72)는, 사이클론 패드(7)에 설치되는 유로(73)에 접속되고, 유로(73)에는 에어 공급관(74)의 일단이 접속되어 있다. 에어 공급관(74)의 타단은, 유량 조정부(75)를 통해서 에어 공급원(76)에 접속되어 있다. 유량 조정부(75)는, 밸브나 매스 플로우 컨트롤러를 구비하고, 후술하는 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량을 조정한다.

상기와 같이 사이클론 패드(7)의 상면이 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 근접한 상태에서, 토출구(72)로부터 에어가 토출된다. 홈(71)에 의해 가이드된 에어는, 도 5 중에 화살표로 나타낸 바와 같이 사이클론 패드(7)와 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에 선회류를 형성하여, 당해 사이클론 패드(7)와 웨이퍼(W)와의 사이에 형성되는 간극으로부터 사이클론 패드(7)의 외측으로 흐른다. 상기 선회류의 중심부에서는 부압이 발생하고, 웨이퍼(W)의 주연부 중 당해 사이클론 패드(7)의 바로 위에 위치하는 영역은, 당해 부압에 의해 사이클론 패드(7)를 향해서, 즉 하방을 향해서 흡인된다. 유량 조정부(75)에 의해 토출구(72)로부터 토출되는 에어의 유량이 클수록, 상기 부압을 크게 할 수 있다. 즉, 사이클론 패드(7)는, 흡인 압력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다.

이 사이클론 패드(7)는, 지석(63) 또는 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 상방을 향해서 눌려짐과 함께 웨이퍼(W)에 대하여 미끄럼 이동할 때, 웨이퍼(W)의 주연부가 일어나는 것을 방지한다. 즉, 사이클론 패드(7)는, 웨이퍼(W)에 대하여 비접촉으로 당해 웨이퍼(W)의 주연부 높이를 규제하고, 웨이퍼(W)를 지석(63) 및 브러시(69)에 대하여 밀착시켜, 웨이퍼(W)와 지석(63) 및 브러시(69)와의 사이에 충분한 마찰력을 발생시켜, 연마 처리 및 세정 처리가 확실하게 행하여지도록 한다. 2개의 사이클론 패드(7)는, 스핀 척(12)에 적재된 웨이퍼(W)를 후술하는 바와 같이 지석(63), 브러시(69)가 설치된 각 지지판(64)이 공전해서 처리할 때, 웨이퍼(W)의 중심부에서 이 공전 궤도를 보아, 당해 공전 궤도에 대하여 좌측, 우측에 위치하도록 각각 배치되어 있다. 이렇게 공전 궤도를 사이에 두도록 사이클론 패드(7)가 배치됨으로써, 보다 확실하게 웨이퍼(W)의 주연부의 높이가 규제되도록 하고 있다.

또한, 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 베이스체(11)의 오목부(13) 내의 후방측에는, 상기 지석 세정부(81) 및 브러시 세정부(82)가 설치되어 있다. 지석 세정부(81)에 대해서 도 6의 종단 측면도도 참조하면서 설명한다. 지석 세정부(81)는 수평이고 편평한 원형부(83)를 구비하고 있고, 이 원형부(83)의 주연부는 하방으로 돌출되는 돌출부(84)를 형성하고 있다. 원형부(83) 및 돌출부(84)에 둘러싸여서 형성되는 공간은, 연마·세정 처리부(5)의 각 부의 동작에 의해 연마 기구(61)의 각 지석(63)을 수납할 수 있는 수납 공간(85)으로서 구성되어 있고, 수납 공간(85)의 직경은, 그렇게 지석(63)을 수납하기 위해서 지지판(64)의 직경보다도 크게 구성되어 있다. 또한, 원형부(83)의 하부에는, 예를 들어 다이아몬드에 의해 구성된 드레서(86)가 설치되어 있다. 돌출부(84)의 내측의 측벽에는, 수납 공간(85)에 순수를 토출하는 토출구(87)가 측방을 향해서 개구되어 있다. 승강 기구(53)에 의해 지석(63)이 드레서(86)에 눌려진 상태에서, 토출구(87)로부터 순수가 토출됨과 함께 지지판(64)이 자전함으로써, 지석(63)의 드레싱이 행하여진다. 즉, 지석(63)에 쌓인 절삭 칩이 제거됨과 함께 지석(63)의 드레싱이 행하여진다.

브러시 세정부(82)는, 수납 공간(85)에 드레서(86)가 설치되어 있지 않은 것을 제외하고 지석 세정부(81)와 마찬가지로 구성되어 있다. 이 브러시 세정부(82)의 수납 공간(85)에, 연마·세정 처리부(5)의 각 부의 동작에 의해 세정 기구(62)의 브러시(69)를 수납하고, 세정 기구(62)의 지지판(64)을 자전시킴과 함께 당해 수납 공간(85)에 순수를 토출함으로써, 브러시(69)의 세정이 행하여진다. 또한, 도 2에서는, 이 브러시 세정부(82)의 표시를 생략하고 있다.

지석(63)의 드레싱 및 브러시(69)의 세정에 대해서는, 미리 행하여지는 타이밍이 설정되어 있어도 된다. 예를 들어 소정의 수의 웨이퍼(W)나, 소정의 수의 웨이퍼(W)의 로트를 처리할 때마다 이러한 드레싱 및 세정이 행하여지도록 해도 된다. 그 밖에, 당해 드레싱 및 세정이 정기적으로 행하여져도 되고, 후술하는 제어부(10)로부터 유저가 지시했을 때 행하여지도록 해도 된다. 또한, 후술하는 이면 촬상 모듈(141)에 의해 취득된 화상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정되면, 지석(63)의 드레싱이 행하여지도록 해도 된다. 즉, 당해 판정에 따라서 당해 드레싱을 행할지 여부가 결정되도록 해도 된다.

도 2 중 80은 순수 공급원이며, 주연부 세정 노즐(36), 이면 세정 노즐(37), 표면 세정 노즐(28), 지석 세정부(81), 브러시 세정부(82)에 각각 독립하여 순수를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.

이 연마 장치(1)에는, 컴퓨터에 의해 구성된 제어부(10)가 설치되어 있고, 제어부(10)는 프로그램을 구비하고 있다. 이 프로그램은, 웨이퍼(W)에 대하여 후술하는 일련의 처리 동작을 행할 수 있도록, 연마 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 당해 각 부의 동작을 제어할 수 있도록 스텝 군이 짜여져 있다. 구체적으로는, 회전 기구(15)에 의한 스핀 척(12)의 회전수, 승강 기구(33) 및 수평 이동 기구(32)에 의한 컵(3)의 이동, 승강 기구(17)에 의한 지지 핀(16)의 승강, 연마·세정 처리부(5)를 구성하는 각 부의 동작, 유량 조정부(75)에 의한 사이클론 패드(7)에의 에어의 공급량, 순수 공급원(80)으로부터의 각 노즐, 지석 세정부(81) 및 브러시 세정부(82)에의 순수의 공급 등이 제어된다. 이 프로그램은 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장된 상태로 제어부(10)에 저장된다.

계속해서, 연마 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리에 대해서, 당해 연마 장치(1)의 개략 평면도인 도 7 내지 도 13과, 웨이퍼(W)의 측면도인 도 14 내지 도 16을 참조하면서 설명한다. 또한, 도 7 내지 도 13에서는, 연마 기구(61)에 의한 연마가 행하여지고 있을 때는 세정 기구(62)를 쇄선으로, 세정 기구(62)에 의한 세정이 행하여지고 있을 때는 연마 기구(61)를 쇄선으로 표시하고 있다.

연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가, 예를 들어 베이스체(11)의 오목부(13) 내에서의 후방측의 대기 위치(도 1에 도시하는 위치)에 위치함과 함께, 컵(3)이, 그 중심이 스핀 척(12)의 중심에 겹치는 기준 위치(도 1에 도시하는 위치)에 위치하는 상태에서, 연마 장치(1)의 외부의 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)가 당해 연마 장치(1)에 반송된다. 웨이퍼(W)의 중심부가 스핀 척(12)의 상방에 위치하면, 지지 핀(16)이 상승해서 웨이퍼(W)를 지지한다. 그리고, 스핀 척(12)보다도 높은 위치에 고정 척(35)이 위치하도록 컵(3)이 상승한 후, 지지 핀(16)이 하강하고, 고정 척(35)에 당해 웨이퍼(W)가 전달되어, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에서의 외측 영역이, 당해 고정 척(35)에 흡착 보유 지지된다(도 7). 계속해서, 웨이퍼(W)의 중앙부가 에어 나이프(18)보다도 후방에 위치하도록, 컵(3)이 후방으로 이동한다.

연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가 전진하여, 컵(3)의 하방측을 통과해서, 컵(3)의 내측으로 이동한다. 그리고, 연마 기구(61)가 상승하여, 연마 기구(61)의 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심과 겹치는 상태에서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 눌려지면, 당해 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 지석(63)에 의해 웨이퍼(W)의 중앙부가 연마된다(도 8, 도 14). 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부 내에서의 각 부에서는, 서로 상이한 방향으로부터 반복해서 지석(63)에 의한 찰과를 받아 홈이 형성된다.

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격된다. 그 후, 세정 기구(62)의 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심과 겹치는 위치에 당해 세정 기구(62)가 수평 이동한 후에 상승하여, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 계속해서, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 브러시(69)가 찰과함과 함께, 이면 세정 노즐(37)로부터 당해 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 순수가 토출된다(도 9). 이러한 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 공급에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부의 이면에 부착된 절삭 칩이 제거된다.

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강해서 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격된다. 컵(3)이 기준 위치를 향해서 후퇴함과 함께, 에어 나이프(18)로부터 에어가, 컵(3)과 함께 이동 중인 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 토출되어, 당해 이면의 중앙부가 건조된다. 기준 위치에서 컵(3)이 하강하고, 고정 척(35)이 스핀 척(12)의 하방으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 이면 중심부가 스핀 척(12)에 의해 흡착 보유 지지됨과 함께, 고정 척(35)에 의한 웨이퍼(W)의 보유 지지가 해제된다.

스핀 척(12)의 앞쪽에서, 평면에서 보아 2개의 사이클론 패드(7)에 끼워지는 영역에 연마 기구(61)가 수평으로 이동한다. 계속해서, 사이클론 패드(7)에 에어가 제1 유량으로 공급되어, 당해 웨이퍼(W)의 주연부가 하방으로 흡인됨과 함께, 연마 기구(61)가 상승해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전함과 함께 웨이퍼(W)가 회전한다. 그에 의해, 이미 연마된 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 인접하는 환상 영역(제1 환상 영역으로 함)이 지석(63)에 의해 연마된다(도 10, 도 15). 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 연마 시와 마찬가지로, 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해 제1 환상 영역의 각 부는 서로 다른 방향으로부터 반복해서 지석(63)에 의한 찰과를 받아, 홈이 형성된다.

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강한 후, 약간 후퇴한다. 그리고, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 상승해서 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 되어, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 상승함과 함께 연마 기구(61)가 상승해서 지석(63)이 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에서 주위 단부를 포함하는 환상 영역(제2 환상 영역)이 지석(63)에 의해 연마된다(도 11, 도 16). 예를 들어, 이 제2 환상 영역의 내주측은, 이미 연마 완료된 제1 환상 영역과 겹친다. 이렇게 제2 환상 영역이 연마됨으로써, 제1 환상 영역의 외측으로부터 웨이퍼(W)의 주위 끝에 이르는 영역에 대해서도, 제1 환상 영역 및 웨이퍼(W)의 중앙부와 마찬가지로 홈이 형성된다.

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격되면, 스핀 척(12)의 앞쪽에서, 평면에서 보아 2개의 사이클론 패드(7)에 끼워지는 영역에 세정 기구(62)가 수평으로 이동함과 함께, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 저하되어 제1 유량으로 되고, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 저하된다. 그 후, 세정 기구(62)가 상승해서 브러시(69)가 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려지고, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 브러시(69)에 의해 상기 제1 환상 영역이 찰과된다(도 12).

이렇게 브러시(69)에 의한 찰과가 행하여지는 한편, 표면 세정 노즐(28)로부터 웨이퍼(W)의 표면에의 순수의 토출과, 주연부 세정 노즐(36)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에의 순수의 토출과, 이면 세정 노즐(37)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 주연부보다 내측 영역에의 순수의 토출과, 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출이 행하여진다. 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 공급에 의해, 웨이퍼(W)에 부착된 절삭 칩이 제거된다. 또한, 에어 나이프(18)로부터 토출된 에어에 의해, 순수가 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 부착되는 것이 방지된다.

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강한 후, 약간 후퇴한다. 그리고 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 상승해서 제2 유량으로 되어, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 상승함과 함께 세정 기구(62)가 상승해서 브러시(69)가 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에서 제2 환상 영역이, 브러시(69)에 의해 찰과된다(도 13). 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출과, 각 노즐(28, 36, 37)로부터의 순수의 토출은 계속해서 행하여져, 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 토출에 의해 웨이퍼(W)에 부착된 절삭 칩이 제거된다.

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강해서 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격되면, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가 컵(3)의 하방을 통과해서 대기 위치로 후퇴한다. 그리고, 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출과, 각 노즐(28, 36, 37)로부터의 순수의 토출이 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 순수가 원심 탈수되어 당해 웨이퍼(W)가 건조하면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다. 그 후, 지지 핀(16)이 상승해서 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)으로부터 밀어 올려져서 반송 기구에 전달되어, 연마 장치(1)로부터 반출된다.

도 17은, 이 연마 장치(1)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)의 이면을 개략적으로 나타내고 있다. 상기와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부에서는, 자전체인 지지판(64) 및 지석(63)이 웨이퍼(W)의 중심 주위로 공전함으로써, 웨이퍼(W)의 중심 주위에, 웨이퍼(W)의 주위를 따라 미세한 홈이 형성되어 있다. 또한 이 공전 중에 지지판(64) 및 지석(63)이 자전하고 있기 때문에, 홈으로서는 주위 방향 이외의 방향을 향하게도 형성된다. 이렇게 홈이 각 방향으로부터 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 대해서는 무수한 미소한 바늘 형상의 돌기(55)가, 웨이퍼(W)의 면 내에 분포한 상태로 되어 있다. 또한, 도면 중에서는 이 이면 중앙부의 홈에 대해서, 주위 방향으로 형성된 홈만을 56으로서 개략적으로 표시하고 있다. 또한, 점선의 프레임 내에는, 이 이면 중앙부를 확대한 개략 사시도를 나타내고 있다.

그리고, 웨이퍼(W)의 주연부, 즉 상기 제1 환상 영역 및 제2 환상 영역에서는, 상기와 같이 자전체인 지지판(64) 및 지석(63)이 웨이퍼(W)의 중심 주위로 공전함과 함께 웨이퍼(W)가 회전한다. 따라서, 지지판(64) 및 지석(63)의 공전 궤도는, 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 이동하기 때문에, 당해 주연부에서도 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따른 미세한 홈이 형성되어 있다. 이 홈에 대해서도 56으로서 도면 중에 개략적으로 표시하고 있다. 즉, 홈(56)은, 웨이퍼(W)의 이면 전체에 걸쳐서 동심원 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 공전 중에 지지판(64) 및 지석(63)은 자전하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 중앙부와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 주연부의 홈으로서는, 웨이퍼(W)의 주위 방향 이외의 방향을 향하게도 형성되어 있다. 이렇게 홈이 각 방향으로부터 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 대해서도 이면 중앙부와 마찬가지로, 무수한 미소한 바늘 형상의 돌기(55)가, 웨이퍼(W)의 면 내에 분포한 상태로 되어 있다. 또한, 이 이면 주연부에서의 홈에 대해서도, 주위 방향 이외의 방향으로 형성된 것에 관한 표시는 생략하고 있다. 또한, 쇄선의 프레임 내에는, 이 이면 주연부를 확대한 개략 사시도를 나타내고 있다. 이렇게 중앙부 및 주연부에 형성된 각 돌기(55)의 선단에서부터 기단까지의 높이는, 예를 들어 50nm 이하이다.

상기와 같이 연마 장치(1)에서 처리되어 돌기(55)가 형성된 웨이퍼(W)는, 노광기에 설치되는 스테이지(91)에 적재되고, 이 연마 장치(1)에 의한 처리 전 또는 처리 후에 당해 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막이 소정의 패턴을 따라서 노광된다. 웨이퍼(W)의 스테이지(91)에 반송될 때까지, 웨이퍼(W)의 이면에 대해서는, 조도 완화용 처리는 행하여지지 않는다. 조도 완화용 처리란, 구체적으로는 예를 들어 불산 등의 웨이퍼(W)의 이면을 용해시키는 약액을 공급함으로써 당해 이면을 평탄화하는 처리를 들 수 있다.

연마 장치(1)의 효과를 설명하기 위해서, 웨이퍼(W)가 스테이지(91)에 적재되는 모습을 설명한다. 우선, 이 스테이지(91)의 구성에 대해서 도 18의 종단 측면도를 참조하여 설명하면, 이 스테이지(91)는 원형이며, 그 표면에는 당해 스테이지(91)의 표면의 중심을 중심으로 하는 동심원을 따라 다수의 핀(92)이, 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 이 핀(92)에 웨이퍼(W)의 이면이 지지된다. 즉, 웨이퍼(W)의 이면은 스테이지(91)의 표면으로부터 뜨도록 지지된다.

스테이지(91)의 표면에서는, 핀(92)과 겹치지 않는 위치에 다수의 흡인구(93)가 서로 분산해서 개구되어 있다. 또한, 스테이지(91)는, 당해 스테이지(91)에 대하여 승강 가능하게 구성되는 승강 핀(94)을 구비하고 있다. 이 승강 핀(94)은, 웨이퍼(W)의 반송 기구와 스테이지(91)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위해서, 그 선단부가 스테이지(91)의 표면에서 돌출 함몰한다. 승강 핀(94)은 3개 설치되지만, 도 18에서는 2개만 표시하고 있다.

상기와 같이 연마 장치(1)에서 연마 처리 및 세정 처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송 기구에 의해 스테이지(91)에 반송되어, 도 18에 도시하는 바와 같이 승강 핀(94)에 이면이 지지된다. 이 스테이지(91)에 반송될 때까지 형성된 막의 응력에 의해 예를 들어 웨이퍼(W)에는 왜곡이 발생하고 있고, 이 왜곡에는 휨도 포함된다. 계속해서 승강 핀(94)이 하강한다. 이 승강 핀(94)의 하강 시에는, 스테이지(91)의 흡인구(93)로부터 흡인이 행하여지고 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면의 각 부가 핀(92)에 적재되고, 흡인구(93)로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)의 이면은 스테이지(91)를 향해서 흡인된다(도 19). 도 19의 점선의 프레임 내에는, 이 핀(92)과, 당해 핀(92)에 맞닿은 웨이퍼(W)의 이면의 종단 측면을 확대해서 나타내고 있다.

도 17에서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면 전체에 걸치도록, 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 웨이퍼(W)의 이면에는 홈(56)이 형성되어 있다. 즉, 핀(92)의 배치에 대응하도록 홈(56)이 형성되어 있고, 홈(56)과 홈(56)과의 사이의 돌기(55)와 스테이지(91)의 핀(92)이 접촉하게 된다. 또한, 이 돌기(55)는 바늘 형상으로 미세하기 때문에, 돌기(55)와 핀(92)과의 접촉 면적은 매우 작다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면과 핀(92)과의 사이에 작용하는 마찰력이 매우 작기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면은 핀(92)의 상면에 대하여 높은 미끄럼성을 갖는다. 그렇게 미끄럼성을 갖는 것 및 스테이지(91)에 흡인됨으로써, 웨이퍼(W)는 잡아 늘려지듯이 그 형상이 교정되어, 평탄한 상태가 되도록 왜곡이 해소되어서 핀(92) 상에 적재된다(도 20). 이렇게 스테이지(91)에 적재된 웨이퍼(W)에 노광 샷이 행하여진다.

상기 연마 장치(1)에 의하면, 고정 척(35)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치지 않는 영역이 보유 지지되어 있을 때는, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전함으로써, 당해 지지판(64)에 설치되는 지석(63)이, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동해서 연마 처리한다. 그리고, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 보유 지지함과 함께 웨이퍼(W)를 회전시키고 있을 때는, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면의 주연부인 제1 환상 영역 및 제2 환상 영역을 미끄럼 이동해서 연마 처리한다. 웨이퍼(W)의 이면에서의 중앙부 내의 각 부 및 주연부 내의 각 부에 대해서, 지석(63)에 의해 서로 다른 방향으로부터 반복해서 찰과됨으로써 미세한 다수의 돌기(55)가 형성된다. 그렇게, 중앙부와 주연부에서 균일성 높게 미세한 돌기(55)가 형성됨으로써, 웨이퍼(W)는 상기 스테이지(91) 상에 평탄성 높게 적재된다. 그리고, 평탄성 높게 적재되는 결과로서, 이와 같이 적재된 웨이퍼(W)를 노광함에 있어서, 노광되는 영역이 소정의 영역으로부터 어긋나는 것이 억제된다. 따라서, 오버레이의 정밀도를 높게 할 수 있다.

또한, 이 연마 장치(1)에서는 웨이퍼(W)의 주위 끝을 보유 지지하는 보유 지지부를 설치할 필요가 없으므로, 지석(63) 및 브러시(69)를 웨이퍼(W)의 이면의 주위 단부에 위치시켜서 처리할 수 있다. 따라서, 이 점에서도 웨이퍼(W)의 이면에 균일한 처리를 행할 수 있고, 스테이지(91)의 핀(92)에 대한 높은 미끄럼성을 갖도록 돌기(55)를 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 처리함에 있어서, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해 바늘 형상의 돌기(55)를 형성하고 있다. 이러한 돌기(55)를 형성하기 위해서는, 지지판(64)을 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 배치해서 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 고정 척(35)의 회전과 지지판(64)의 자전을 행하는 것도 생각할 수 있지만, 그와 같이 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하고 있는 고정 척(35)을 회전시키는 구성으로 하는 것은, 장치가 대규모로 된다. 따라서, 상기 연마 장치(1)의 구성은, 장치의 대형화를 방지할 수 있다는 이점도 갖는다.

또한, 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부의 흡인을 행함으로써, 지석(63) 및 브러시(69)가 눌려졌을 때, 당해 주연부가 상방을 향해서 웨이퍼(W)가 휘는 것을 방지하고, 당해 주연부를 평탄하게 해서 각 지석(63) 및 각 브러시(69)에 밀착시켜, 연마 및 세정이 확실하게 행하여지도록 하고 있다. 또한, 지석(63) 및 브러시(69)의 압박에 의해 상기 휨이 보다 발생하기 쉬운 제2 환상 영역을 처리할 때는, 제1 환상 영역을 처리할 때에 비해서 사이클론 패드(7)에 의한 흡인 압력을 높게 함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 평탄하게 해서 각 지석(63) 및 각 브러시(69)에 밀착시켜, 연마 및 세정이 확실하게 행하여지도록 하고 있다. 또한, 이와 같이 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 주위 단부에 대해서도 확실하게 연마를 행할 수 있으므로, 이 주위 단부에서도 노광기의 스테이지(91)에 대한 미끄럼성을 높게 할 수 있다. 따라서, 스테이지(91)에 적재된 웨이퍼(W)의 왜곡을 보다 확실하게 해소할 수 있다.

상기 연마 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 연마할 때, 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심에 겹치도록 처리를 행하고 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부 내에서, 주위 방향으로 균일성 높게 돌기(55)가 형성된다. 따라서, 보다 확실하게 스테이지(91)의 핀(92)에 대한 웨이퍼(W)의 미끄럼성을 높게 하여, 웨이퍼(W)를 평탄하게 스테이지(91) 상에 적재할 수 있다.

또한, 고정 척(35)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치지 않는 영역이 보유 지지되어 있을 때는, 세정 기구(62)의 자전체인 지지판(64)이 자전 및 공전함으로써, 당해 지지판(64)에 설치되는 브러시(69)가, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동해서 세정한다. 그리고, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 보유 지지함과 함께 웨이퍼(W)를 회전시키고 있을 때는, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면의 주연부를 미끄럼 이동해서 세정한다. 즉, 웨이퍼(W)의 이면에서의 중앙부 내의 각 부 및 주연부 내의 각 부에 대해서, 브러시(69)에 의해 서로 다른 방향으로부터 반복해서 찰과됨으로써 세정된다. 그에 의해 웨이퍼(W)의 각 부를 균일성 높게 세정할 수 있고, 또한 확실하게 절삭 칩을 제거할 수 있다.

지지판(64)의 자전의 회전수는 예를 들어 600rpm, 공전의 회전수는 예를 들어 15rpm이다. 웨이퍼(W)의 주연부를 연마 또는 세정함에 있어서, 스핀 척(12)에 의한 웨이퍼(W)의 회전수는, 예를 들어 30rpm 내지 45rpm이다. 단, 그와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 지지판(64)의 공전의 회전수보다도 큰 경우, (웨이퍼(W)의 회전수)/(지지판(64)의 공전의 회전수)가 정수이면, 자전체인 지지판(64)이 웨이퍼(W)를 1주회한 후, 다음으로 주회할 때도 앞서 주회 시와 동일한 궤적으로 주회해버린다. 따라서, 주회할 때마다 웨이퍼(W)의 면 내에서 서로 다른 궤적을 그리도록 지지판(64)을 이동시켜 돌기(55)를 미세하게 형성하기 위해서, (웨이퍼(W)의 회전수)/(지지판(64)의 공전의 회전수)는 정수 이외의 수치가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전수가 지지판(64)의 공전의 회전수보다도 작아도 된다. 그 경우, 마찬가지의 이유로 (지지판(64)의 공전의 회전수)/(웨이퍼(W)의 회전수)는, 정수 이외의 값이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.

그런데, 상기 연마 처리에서는 연마 기구(61)가 제2 환상 영역을 연마함에 있어서, 지지판(64)이 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방에 위치했을 때의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 떨어진 위치의 지석(63) 상에 웨이퍼(W)의 주위 끝이 위치하도록, 연마 기구(61)의 위치가 설정된다(도 16 참조). 이렇게 연마 기구(61)의 위치를 설정하고 있는 것은, 당해 지석(63)이 웨이퍼(W)의 주위 끝보다도 웨이퍼(W)의 중심으로부터 이격되도록 위치하면, 당해 지석(63)이 공전에 의해 웨이퍼(W)의 중심측을 향해서 이동할 때 웨이퍼(W)의 측단과 충돌할 우려가 있기 때문이다. 마찬가지의 이유로, 세정 기구(62)가 제2 환상 영역을 세정함에 있어서, 지지판(64)이 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방에 위치했을 때의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 떨어진 위치의 브러시(69) 상에 웨이퍼(W)의 주위 끝이 위치하도록, 세정 기구(62)의 위치가 설정된다.

상기의 처리 예에서는, 연마 기구(61)의 위치를 변경함으로써, 제1 환상 영역의 처리, 제2 환상 영역의 처리를 각각 행하고 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 주연부의 연마 처리를 2회로 나누어서 행하고 있지만, 연마 기구(61)의 지지판(64)을 비교적 크게 형성하여, 당해 지지판(64)의 공전 궤도가 웨이퍼(W)의 중앙부에 인접하는 위치에서부터 웨이퍼(W)의 주위 단부에 이르도록 구성함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 일괄적으로 연마 처리해도 된다. 마찬가지로, 세정 기구(62)의 지지판(64)을 비교적 크게 형성하여, 당해 지지판(64)의 공전 궤도가 웨이퍼(W)의 중앙부에 인접하는 위치에서부터 웨이퍼(W)의 주위 단부에 이르도록 구성함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 일괄적으로 세정 처리해도 된다.

계속해서, 상기 연마 장치(1)를 연마 모듈(100)로서 포함하는 도포, 현상 장치(101)에 대해서, 도 21의 평면도, 도 22의 개략적인 종단 측면도를 각각 참조하면서 설명한다. 이 도포, 현상 장치(101)는, 캐리어 블록(D1)과, 연마 처리 블록(D2)과, 액 처리 블록(D3)과, 인터페이스 블록(D4)을 가로 방향으로 직선 형상으로 접속해서 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D4)에는, 노광기(D5)가 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1 내지 D4)의 배열 방향을 전후 방향으로 하고, 블록(D1)측을 전방측, 블록(D4)측을 후방측으로 한다. 캐리어 블록(D1)에는, 도포, 현상 장치(101)의 외부로부터 웨이퍼(W)를 저장하는 캐리어(C)가 반송된다. 캐리어 블록(D1)은, 캐리어(C)의 적재대(102)와, 개폐부(103)와, 반송 기구(104)를 구비하고 있다. 반송 기구(104)는, 개폐부(103)를 통해서 적재대(102)에 적재된 캐리어(C)로부터, 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(D1) 내에 반송한다.

연마 처리 블록(D2)의 전방측에는, 반송 기구(104)가 액세스할 수 있는 위치에, 웨이퍼(W)가 각각 적재되는 수수 모듈(TRS11, TRS12)이 서로 적층되어 설치되어 있다. 수수 모듈(TRS11, TRS12)의 후방에는 반송 기구(106)가 설치되어 있다. 그리고 후방을 향해서 보아, 반송 기구(106)의 우측에는 상기 연마 모듈(100)이 예를 들어 5개 적층되어 설치되어 있고, 반송 기구(106)의 좌측에는, 휨량 계측 모듈(131) 및 이면 촬상 모듈(141)이 서로 적층되어 설치되어 있다. 이 실시 형태에서는 휨량 계측 모듈(131) 및 이면 촬상 모듈(141)을 사용하지 않는 반송 예에 대해서 설명하고, 이들 모듈의 구성에 대해서는 이들 모듈을 사용하는 반송 예와 함께 후술한다. 반송 기구(106)는, 이렇게 연마 처리 블록(D2)에 설치되는 각 모듈과, 후술하는 타워(T1)에 포함되는 수수 모듈(TRS0, TRS10)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있도록 승강 가능하고, 연직축 주위로 회전 가능하고 또한 진퇴 가능하게 구성되어 있다.

액 처리 블록(D3)은, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(E1 내지 E6)이 아래에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 단위 블록(E1, E2)이 반사 방지막 형성용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 단위 블록(E3, E4)이 레지스트막 형성용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 단위 블록(E5, E6)이 현상 처리용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 각 단위 블록에 있어서, 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행하여지고, 마찬가지로 구성된 2개의 단위 블록 중 1개에 웨이퍼(W)가 반송되어 액 처리된다.

여기에서는 단위 블록 중 대표적으로 제3 단위 블록(E3)을, 도 21을 참조하면서 설명한다. 단위 블록(E3)에는 전후 방향으로 신장되는 웨이퍼(W)의 반송 영역(107)이 형성되어 있다. 후방을 향해서 보아, 반송 영역(107)의 우측에는 레지스트막 형성 모듈(108)이 2개 전후 방향으로 나란히 설치되어 있다. 레지스트막 형성 모듈(108)은, 약액으로서 레지스트를 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여, 레지스트막을 형성한다. 후방을 향해서 보아, 반송 영역(107)의 좌측에는 복수 단으로 적층된 가열 모듈(109)이, 전후 방향으로 다수 설치되어 있다. 상기 반송 영역(107)에는, 웨이퍼(W)의 반송 기구(F3)가 설치되어 있다.

단위 블록(E1, E2, E5, E6)에 대해서, 단위 블록(E3, E4)과의 차이점을 설명하면, 단위 블록(E1, E2)은, 레지스트막 형성 모듈(108) 대신에 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고 있다. 반사 방지막 형성 모듈에서는, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 웨이퍼(W)에 공급된다. 단위 블록(E5, E6)은, 레지스트막 형성 모듈(108) 대신에 현상 모듈을 구비하고 있다. 현상 모듈은 약액으로서 현상액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하고, 노광기(D5)에서 소정의 패턴을 따라서 노광된 레지스트막을 현상하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 이러한 차이를 제외하고, 단위 블록(E1 내지 E6)은 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 도 22에서는 각 단위 블록(E1 내지 E6)의 반송 기구에 대해서 F1 내지 F6으로서 나타내고 있다.

액 처리 블록(D3)에서의 전방측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 설치되는 각 모듈에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(111)가 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 각종 모듈을 구비하고 있지만, 편의상, 수수 모듈(TRS) 이외의 모듈의 설명을 생략한다. 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 높이에 설치되는 수수 모듈(TRS)은, 당해 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 반송 기구(F1 내지 F6)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있다.

인터페이스 블록(D4)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T2, T3, T4)와, 각 타워(T2 내지 T4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(121 내지 123)를 구비하고 있다. 반송 기구(121)는, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위해서 승강 가능하게 구성되어 있다. 반송 기구(122)는, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위해서 승강 가능하게 구성되어 있다. 반송 기구(123)는, 타워(T2)와 노광기(D5)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행한다. 타워(T2)는 각종 모듈이 서로 적층되어 형성되지만, 여기에서는 수수 모듈 이외의 모듈의 설명은 생략한다. 또한, 타워(T3), 타워(T4)에도 모듈이 설치되어 있지만, 이들 모듈의 설명도 생략한다.

이 도포, 현상 장치(101) 및 노광기(D5)로 이루어지는 시스템에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로 및 처리에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)로부터 반송 기구(104)에 의해, 연마 처리 블록(D2)의 수수 모듈(TRS11)에 반송되고, 계속해서 반송 기구(106)에 의해 연마 모듈(100)에 반송되어서, 도 7 내지 도 16에서 설명한 바와 같이 연마 처리 및 세정 처리가 행하여진다. 그 후, 반송 기구(106)에 의해, 웨이퍼(W)는 액 처리 블록(D3)에서의 타워(T1)의 수수 모듈(TRS0)에 반송된다.

이 수수 모듈(TRS0)로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)에 할당되어서 반송된다. 예를 들어 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)에 주고받을 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 수수 모듈(TRS1)(반송 기구(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 수수가 가능한 수수 모듈)에 대하여, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)에 주고받을 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 수수 모듈(TRS2)에 대하여 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 수수는 반송 기구(111)에 의해 행하여진다.

이렇게 할당된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2)→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→TRS1(TRS2)의 순서대로 반송되고, 계속해서 반송 기구(111)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 수수 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 수수 모듈(TRS4)에 할당된다. 이렇게 TRS3, TRS4에 할당된 웨이퍼(W)는, TRS3(TRS4)→레지스트막 형성 모듈(108)→가열 모듈(109)→인터페이스 블록(D4)의 타워(T2)의 수수 모듈(TRS31)(TRS41)의 순서로 반송된다. 그 후, 이 웨이퍼(W)는 반송 기구(121, 123)에 의해 타워(T2, T3) 사이를 반송되어서 노광기(D5)에 반입되고, 당해 노광기(D5)에 설치되는 스테이지(91)에, 도 18 내지 도 20에서 설명한 바와 같이 적재된다. 이 웨이퍼(W)에 노광 샷이 행하여져, 레지스트막이 소정의 패턴을 따라서 노광된다.

노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(123, 122)에 의해 타워(T2, T4) 사이를 반송되어서, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 수수 모듈(TRS51, TRS61)에 각각 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈→현상 모듈의 순서로 반송되어, 노광기(D5)에서 노광된 패턴을 따라서 레지스트막이 용해하여, 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS5)(TRS6)에 반송되고, 반송 기구(106)에 의해 수수 모듈(TRS12)에 반송된 후, 반송 기구(104)를 통해서 캐리어(C)로 되돌려진다.

또한, 연마 장치(1)로서는 상기와 같이 연마 모듈(100)로서 도포, 현상 장치(101)에 내장되는 것에 한정되지는 않으며, 도포, 현상 장치(101)의 외부에 설치되어 있어도 된다. 그 경우, 웨이퍼(W)는 연마 장치(1)에서 처리를 받은 후, 도포, 현상 장치(101)에 반송되어 처리된다. 또한, 도포, 현상 장치(101)에 내장할 경우에도, 연마 모듈(100)로서는 웨이퍼(W)를 노광기(D5)에 반송하기 전에 처리를 행할 수 있으면 되므로, 상기 장소에 설치하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 인터페이스 블록(D4)에 설치해도 된다.

계속해서, 상기 연마 처리 블록(D2)에 설치된 휨량 계측 모듈(131)에 대해서 설명한다. 도 23에 도시한 바와 같이, 예를 들어 휨량 계측 모듈(131)은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면의 중심부가 적재되는 스테이지(132)와, 반사형의 레이저 변위 센서(133)를 구비하고 있다. 레이저 변위 센서(133)는, 스테이지(132)에 적재된 웨이퍼(W)의 주위 단부에 도면 중 점선으로 나타내는 바와 같이 레이저광을 조사한다. 그리고, 그 반사광을 수광하여, 이 수광에 따른 검출 신호를 도면 중에 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 제어부(10)에 송신한다. 제어부(10)는, 레이저 변위 센서(133)로부터 웨이퍼(W)의 주위 끝에 이르는 거리(H1)를 취득한다. 이 거리(H1)는, 웨이퍼(W)의 휨에 관한 정보에 상당한다.

연마 모듈(100)의 제어부(10)에는, 상기 제1 환상 영역을 처리할 때 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 제1 유량과 거리(H1)와의 대응 관계(제1 에어 공급량 대응 관계로 함)와, 상기 제2 환상 영역을 처리할 때 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 제2 유량과 거리(H1)와의 대응 관계(제2 에어 공급량 대응 관계로 함)가 기억된 메모리가 설치되어 있다.

이 휨량 계측 모듈(131)이 사용되는 경우의 도포, 현상 장치(101)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서, 이미 설명한 반송 경로와의 차이점을 중심으로 설명한다. 캐리어(C)로부터 수수 모듈(TRS11)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(106)에 의해 휨량 계측 모듈(131)에 반송되어, 상기의 거리(H1)가 취득된다. 제어부(10)는, 취득한 거리(H1)와, 제1 에어 공급량 대응 관계와, 제2 에어 공급량 대응 관계에 기초해서 상기 제1 유량 및 제2 유량을 결정한다.

그리고, 웨이퍼(W)는, 휨량 계측 모듈(131)로부터 연마 모듈(100)에 반송되어, 결정된 제1 유량, 제2 유량으로 에어가 사이클론 패드(7)에 공급되어, 당해 웨이퍼(W)의 주연부의 연마 및 세정이 행하여진다. 구체적으로 거리(H1)가 클수록, 제1 유량 및 제2 유량은 큰 값으로 되어, 사이클론 패드(7)에 의한 흡인 압력이 커지도록 처리가 행하여진다. 이렇게 사이클론 패드(7)의 흡인 압력이 제어됨으로써, 웨이퍼(W)의 휨 상태에 의한 영향을 완화하여, 확실하게 웨이퍼(W)의 이면을 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시켜서 처리를 행할 수 있다.

계속해서, 이면 촬상 모듈(141)에 대해서, 개략 구성도인 도 24를 참조하면서 설명한다. 이면 촬상 모듈(141)은, 웨이퍼(W)의 이면 주위 단부를 지지하는 지지부(142)를 구비하고, 지지부(142)는 도시하지 않은 이동 기구에 의해 가로 방향으로 이동한다. 또한, 이면 촬상 모듈(141)에는 카메라(143)가 설치되어 있고, 당해 카메라(143)는, 지지부(142)에 의해 이동하는 웨이퍼(W)의 이면의 일부를 단속적으로 촬상함으로써, 웨이퍼(W)의 이면 전체의 화상 데이터를 취득한다. 이 카메라(143)에 의해 취득된 화상 데이터는, 도면 중 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 제어부(10)에 송신된다. 이 이면 촬상 모듈(141)가 사용될 경우의 반송 경로에 대해서 설명하면, 웨이퍼(W)는 연마 모듈(100)에서 처리된 후, 반송 기구(106)에 의해 이면 촬상 모듈(141)에 반송되어 상기 화상 데이터가 취득된다. 그 후, 액 처리 블록(D3)에 반송된다.

제어부(10)에서는 취득한 화상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 연마 처리가 적절하게 행하여지고 있는지 여부를 판정하고, 적절하게 행하여지고 있다고 판정했을 경우에는, 후속의 웨이퍼(W)를 선발의 웨이퍼(W)(판정에 사용한 화상 데이터가 취득된 웨이퍼(W))와 마찬가지로 연마 모듈(100)에서 처리한다. 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정했을 경우에는, 제어부(10)를 구성하는 음성 출력부에 의해 소정의 음성 출력을 행하거나, 제어부(10)를 구성하는 모니터에 의해 소정의 화면 표시를 행한다. 즉, 음성이나 화면 표시에 의한 알람을 발하여, 유저에게 이상을 통지한다. 그 밖에, 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정했을 경우에는, 예를 들어 사이클론 패드(7)에의 에어의 공급량인 제1 유량, 제2 유량을 각각 소정량 크게 설정하여, 후속의 웨이퍼(W)를 연마 모듈(100)에서 처리하는 경우, 웨이퍼(W)가 지석(63) 및 브러시(69)를 향해서 보다 큰 흡인 압으로 흡인되도록 해도 된다.

그런데, 웨이퍼(W)를 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시킴에 있어서, 이미 설명한 각 실시 형태에서는 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 하방으로부터 흡인하고 있지만, 그렇게 하방으로부터 흡인하는 것에 한정되지는 않는다. 도 25, 도 26에서는 사이클론 패드(7) 대신에, 유체 토출 패드(151)를 설치한 예를 나타내고 있다. 이 유체 토출 패드(151)는, 스핀 척(12)에 적재되는 웨이퍼(W) 상에 예를 들어 2개 설치되어 있고, 각각 수평인 원형으로 구성되어 있다. 유체 토출 패드(151)에는 순수 공급관(152)의 하류 단이 접속되고, 순수 공급관(152)의 상류 단은 유량 조정부(153)를 통해서 순수 공급원(80)에 접속되어 있다. 유량 조정부(153)는, 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여, 순수 공급원(80)으로부터 유체 토출 패드(151)에 공급되는 순수의 유량을 조정한다. 유체 토출 패드(151)의 하부에는 다수의 토출 구멍(154)이 분산해서 배치되어, 공급된 순수를 각 토출 구멍(154)으로부터 연직 하방으로 토출한다.

유체 토출 패드(151)는, 스핀 척(12)에 적재된 웨이퍼(W)를 지석(63), 브러시(69)가 설치된 지지판(64)이 공전해서 처리할 때, 웨이퍼(W)의 중심부에서 이 공전 궤도를 보아, 당해 공전 궤도의 좌측, 우측에 각각 배치되어 있다. 그리고, 평면에서 보아 유체 토출 패드(151)는, 이 공전 궤도의 좌측, 우측의 각 위치에 순수를 토출해서 하방으로 압박한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 주연부가 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착해서 연마 및 세정이 행하여진다. 유량 조정부(153)에 의해 유체 토출 패드(151)로부터 토출되는 순수의 유량을 조정하여, 웨이퍼(W)의 하방으로의 압박력을 조정할 수 있다. 따라서, 예를 들어 제1 환상 영역을 처리할 때보다도 제2 환상 영역을 처리할 때의 순수 유량을 크게 해서, 당해 순수에 의한 웨이퍼(W)의 주연부의 압박력을 크게 함으로써, 보다 확실하게 웨이퍼(W)의 주연부를 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시키도록 해도 된다. 또한, 유체 토출 패드(151)로부터 토출하는 유체로서는 순수 등의 액체에 한정되지 않고, 에어 등의 기체이어도 된다.

또한, 사이클론 패드(7)에 공급하는 에어의 유량을 휨량 계측 모듈(131)에서 측정된 거리(H1)에 기초하여 결정한 것과 같이, 이 유체 토출 패드(151)에서 공급하는 유체의 유량에 대해서도 거리(H1)에 기초하여 결정하도록 해도 된다. 즉, 거리(H1)와 당해 유체의 유량과의 대응 관계(유체 대응 관계로 함)를, 제어부(10)를 구성하는 메모리에 기억해 두고, 모듈(131)에서 거리(H1)가 취득되면, 당해 거리(H1)와 유체 대응 관계에 기초하여 유체의 유량을 결정한다.

또한, 연마 장치(1)에 있어서 세정 기구(62)를 설치하지 않고, 연마 후의 웨이퍼(W)의 세정은, 웨이퍼(W)를 외부의 세정 장치에 반송함으로써 행해도 된다. 단, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)를 동일한 장치 내에 설치함으로써, 연마 후에 웨이퍼(W)를 세정 장치에 반송할 필요가 없으므로, 연마 개시부터 세정 처리 종료까지의 시간을 줄여서, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 연마 장치(1)에 있어서 연마 기구(61)가 설치되지 않는 장치로서 구성되어도 된다. 즉, 본 발명은 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치로서 구성해도 된다. 이 세정 장치에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 노광기(D5)에 반송하기 전에, 부착되어 있는 이물을 세정해서 제거함으로써, 웨이퍼(W)가 수평으로 스테이지(91)에 적재되게 하도록 사용할 수 있다. 본 발명은 앞서 서술한 각 실시 형태의 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경해도 되며, 각 실시 형태의 구성에 대해서는 서로 조합해도 된다.

계속해서 연마 장치의 다른 실시 형태인 연마 장치(201)에 대해서, 연마 장치(1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 27은 연마 장치(201)의 평면도이며, 도 28은 연마 장치(201)의 종단 정면도이다. 이 연마 장치(201)에는 사이클론 패드(7)가 설치되어 있지 않고, 그 대신에 압박 기구(211)가 설치되어 있다. 이 압박 기구(211)는, 웨이퍼(W)에 있어서 지석(63) 및 브러시(69)가 이동하는 영역을, 웨이퍼(W)의 표면측으로부터 이면측을 향해서 압박하여, 지석(63) 및 브러시(69)의 상방을 향한 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형을 억제하여, 이들 지석(63) 및 브러시(69)에 의한 처리가 확실하게 행하여지도록 하기 위한 기구이다.

압박 기구(211)는, 아암(221), 회전 기구(222), 승강 기구(223), 전후 이동 기구(224) 및 압박 부재(225)에 의해 구성되어 있다. 전후 이동 기구(224)는 베이스체(11) 상을 전후로 이동한다. 도면 중 231은, 전후 이동 기구(224)가 이동하기 위한 가이드이다. 이 전후 이동 기구(224)에는 승강 기구(223)가 설치되어 있어, 회전 기구(222)를 승강시킨다. 회전 기구(222)는, 아암(221)의 기단측을 지지함과 함께, 당해 아암(221)을 수직축 주위로 선회시킨다. 압박 부재(225)는 편평한 원기둥형의 부재이며, 아암(221)의 선단 하부에 설치되고, 상기 승강 기구(223)의 동작에 의해 웨이퍼(W)에 맞닿아서 하방, 즉 웨이퍼(W)의 이면 방향으로 압박한다. 또한, 그렇게 웨이퍼(W)의 압박을 행하지 않을 때는, 압박 부재(225)는, 도 27 중에 쇄선으로 나타내는 베이스체(11) 상의 대기 위치에서 대기한다.

압박 부재(225)에 대해서, 도 29의 사시도 및 도 30의 종단 측면도도 참조하면서 설명한다. 압박 부재(225)는, 당해 압박 부재(225)의 하부측을 이룸과 함께 편평한 원형인 가압부 본체(226)를 구비하고 있다. 가압부 본체(226)의 하면은 웨이퍼(W)에 대향하도록 수평으로 형성되고, 웨이퍼(W)를 압박하기 위한 압박면(230)으로서 구성되어 있다. 가압부 본체(226)는, 후술하는 바와 같이 당해 가압부 본체(226)에 공급되는 세정액에 대하여 흡액성을 갖고, 또한 웨이퍼(W)의 표면에 상처를 입히지 않도록 탄성을 갖는 다공질체에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 가압부 본체(226)는, 예를 들어 PVA(폴리비닐알코올) 등의 수지에 의해 구성된 스펀지에 의해 구성되어 있다. 따라서, 상기 압박면(230)은, 그 전체면에 다수의 구멍부가 분산해서 배치되도록 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경은 예를 들어 300mm이며, 이 예에서는 압박 부재(225)의 직경(L1)(도 27 참조)은 50mm 정도가 되도록 형성되어 있다. 나중에 상세하게 설명하는 바와 같이, 압박 부재(225)의 직경은 이러한 크기로 하는 것에 한정되지는 않는다. 또한, 압박 부재(225)는 상기와 같이 원기둥이기 때문에, 이 압박 부재(225)의 직경(L1)의 크기는, 압박면(230)의 직경의 크기이다.

가압부 본체(226)의 상측을 피복하도록 원판 형상의 피복부(227)가 설치되어 있다. 이 피복부(227)는, 예를 들어 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)에 의해 구성되어 있다. 피복부(227)의 중심부는 개구되고, 이 개구에는 PFA(퍼플루오로알콕시 불소 수지)로 이루어지는 순수 공급관(228)의 하단부가 설치되어 있다. 순수 공급관(228)의 상류측은, 순수 공급원(80)에 접속되어 있고, 당해 순수 공급원(80)으로부터 가압부 본체(226)에 순수가 공급된다. 도 30의 실선의 화살표는 가압부 본체(226)에 공급된 순수의 흐름을 나타내고 있으며, 이렇게 공급된 순수는 스펀지의 모세관 현상에 의해 가압부 본체(226) 전체에 침투해서, 피복부(227)가 흡수성을 갖지 않는 것 및 중력의 작용에 의해 하방을 향해서 이동하여, 압박면(230)의 구멍부로부터 웨이퍼(W)에 공급된다. 따라서, 압박면의 구멍부는 순수의 공급구를 이룬다.

도 30의 점선의 화살표 끝에는, 압박 부재(225)에 의해 압박되는 웨이퍼(W)의 표면을 확대해서 나타내고 있다. 이 압박 부재(225)에 의한 웨이퍼(W)의 압박 중에는, 가압부 본체(226)에 순수가 공급됨으로써, 당해 가압부 본체(226)와 웨이퍼(W)의 표면과의 사이에 순수(240)의 액막이 개재한 상태가 된다. 이렇게 액막이 형성되어 압박이 행해짐으로써, 이미 설명한 바와 같이 이면측으로부터의 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형이 억제됨과 함께, 웨이퍼(W)의 표면의 세정이 행하여져, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 연마 칩 등의 이물이 제거된다.

또한, 아암(221)에는, 압박 부재(225)와는 별개로 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 토출하는 표면 세정 노즐(232)이 설치되어 있고, 당해 표면 세정 노즐(232)은, 배관을 통해서 순수 공급원(80)에 접속되어 있다. 압박 부재(225)에 의한 웨이퍼(W)의 압박 중에, 이 표면 세정 노즐(232)로부터 순수가 토출되고, 이 순수의 작용에 의해서도 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 이물이 제거된다. 그렇게 이물을 제거하는 목적을 위해, 표면 세정 노즐(232)은, 웨이퍼(W)의 외측을 향하도록 순수를 웨이퍼(W) 상에 토출한다. 도 27 중의 점선의 화살표는, 이 순수의 토출 방향을 나타내고 있다. 또한, 도면 중의 점 P3은, 토출된 순수가 웨이퍼(W)에 착액되는 위치의 일례를 나타낸 것이다.

연마 장치(201)의 동작 일례에 대해서, 연마 장치(1)의 동작과의 차이점을 중심으로, 도 31 내지 도 33에서의 장치의 상면도와, 도 34 내지 도 36에서의 장치의 측면도를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 8에서 설명한 바와 같이 고정 척(35)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 연마 기구(61)의 지석(63)이 눌려짐과 함께, 압박 부재(225)가, 그 중심이 연마 기구(61)의 공전축(P2)에 겹친 상태로 하강하고, 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여 웨이퍼(W)를 압박한다. 그리고, 가압부 본체(226)에 순수(240)가 공급됨과 함께 표면 세정 노즐(232)로부터 순수(240)가 토출된다. 한편, 도 8에서 설명한 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 행하여져, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 연마가 행하여진다(도 31, 도 34). 상기와 같이 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 평면에서 보아 지석(63)이 통과하는 영역을 압박 부재(225)가 압박한다.

계속해서, 도 9에서 설명한 바와 같이 지석(63) 대신에, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 눌려져서, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 당해 브러시(69)가 찰과해서 세정한다. 웨이퍼(W)의 표면 중앙부에서는 계속해서 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여진다. 그 후, 가압부 본체(226) 및 표면 세정 노즐(232)로부터의 순수(240)의 공급이 일단 정지하고, 웨이퍼(W)는 고정 척(35)으로부터 스핀 척(12)에 전달된다. 이 수수 중에는, 압박 부재(225)는 웨이퍼(W) 표면 상으로부터 퇴피되어 있다.

그 후, 연마 및 세정이 이미 행하여진 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 인접하는 영역에 연마 기구(61)의 지석(63)이 눌려짐과 함께, 그 중심이 예를 들어 연마 기구(61)의 공전축(P2)에 겹치도록 위치한 압박 부재(225)가 하강하고, 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여 웨이퍼(W)를 압박한다. 그리고, 압박 부재(225)에 순수(240)가 공급됨과 함께 표면 세정 노즐(232)로부터 순수(240)가 토출된다. 한편, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전과, 스핀 척(12)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이 행하여져 연마가 행하여진다(도 32).

그 후, 예를 들어 상기 지지판(64)의 공전 중심과 압박 부재(225)가 서로의 위치 관계를 보유 지지한 채, 연마 기구(61) 및 당해 압박 부재(225)가 후방으로 직선 이동해서 웨이퍼(W)의 주연부를 향한다(도 35). 그리고, 공전하는 지석(63)의 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방의 끝이 웨이퍼(W)의 주위 끝보다 약간 내측에 위치하면, 연마 기구(61)의 후퇴가 정지한다. 즉, 상방에서 보아, 지석(63)이 웨이퍼(W)로부터 비어져 나오지 않는 위치에서 연마 기구(61)의 후퇴가 정지한다. 압박 부재(225)에 대해서는 계속해서 후퇴하여, 당해 압박 부재(225)의 후방측 단부가 웨이퍼(W)보다도 외측에 위치하면, 당해 압박 부재(225)의 후퇴 이동이 정지한다(도 33, 도 36). 이렇게 압박 부재(225)의 일부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치했을 때도, 평면에서 보아 지석(63)이 통과하는 영역을 압박 부재(225)가 압박한 상태로 되어 있다.

이미 설명한 바와 같이 압박 부재(225)를 구성하는 압박면(230) 전체에 구멍이 형성되어, 압박면(230) 전체로부터 순수(240)가 공급되고 있기 때문에, 그렇게 단부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치하도록 압박 부재(225)가 이동하는 것은, 순수(240)를 공급하는 구멍의 일부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치하는 것이며, 웨이퍼(W)의 외측에 위치한 구멍으로부터 웨이퍼(W)의 측면에 순수(240)가 공급되게 된다. 또한, 압박 부재(225)의 웨이퍼(W)의 외측에 위치한 부위는, 당해 압박 부재(225)가 갖는 복원력에 의해 웨이퍼(W)의 하방을 향해서 돌출되어, 웨이퍼(W)의 측면에 맞닿는다. 이렇게 세정액의 공급과 압박 부재(225)의 맞닿음이 행해짐으로써 웨이퍼(W)의 측면이 세정된다. 여기에서 설명하는 웨이퍼(W)의 측면에는 수직면 이외에, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 외측을 향해서 하강하는 경사면, 소위 베벨도 포함된다. 또한, 이미 설명한 위치에서 연마 기구(61)가 후퇴를 정지함으로써, 이렇게 웨이퍼(W)의 측방에 돌출된 압박 부재(225)를 연마해버리는 것을 방지할 수 있다.

그 후, 지석(63), 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)로부터 이격됨과 함께, 웨이퍼(W)의 표면에의 순수(240)의 공급 및 웨이퍼(W)의 회전이 일단 정지하고, 연마 처리가 종료된다. 그 후, 세정 기구(62)가 연마 기구(61)와 마찬가지의 동작을 행함과 함께 웨이퍼(W)의 회전이 재개되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역에 대해서 세정이 행하여진다. 이렇게 세정이 행하여질 때, 압박 부재(225)는 도 32, 도 33, 도 35, 도 36에서 설명한 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역의 연마가 행하여질 때와 마찬가지의 동작을 행한다. 즉, 연마 시의 지석(63)과 압박 부재(225)와의 위치 관계와 마찬가지의 위치 관계가 되도록, 세정 기구(62)의 브러시(69)와 압박 부재(225)의 동작이 제어되어 처리가 행하여진다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에는 압박 부재(225)와 표면 세정 노즐(232)에 의해 순수가 공급된다. 그리고, 이 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역에 대한 세정 처리 종료 후에는, 세정 기구(62)의 브러시(69) 및 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)로부터 이격되고, 압박 부재(225) 및 표면 세정 노즐(232)로부터의 순수의 토출이 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 당해 웨이퍼(W)로부터 순수(240)가 원심 탈수되어, 연마 장치(201)에 의한 처리가 종료된다.

이 연마 장치(201)에 의하면, 상기와 같이 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마할 때 및 중앙부의 외측 영역을 연마할 때의 양쪽에 있어서, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 공전 궤도 상에 압박 부재(225)가 위치한다. 더욱 상세하게 설명하면, 평면에서 보았을 때, 당해 지지판(64)의 공전 및 자전에 의해 지석(63)이 이동하는 영역에 겹치는 영역을 압박 부재(225)가 압박하게 된다. 따라서, 지석(63)의 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형이 억제되어 웨이퍼(W)의 형상이 수평으로 되도록 보유 지지됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면이 당해 지석(63)에 확실하게 밀착해서 연마된다. 또한, 세정 처리를 행하는 경우에 대해서도 연마 시와 마찬가지로 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 공전 궤도 상에 압박 부재(225)가 배치되어 웨이퍼(W)를 압박하고, 평면에서 보아 브러시(69)가 이동하는 영역에 겹치는 영역을 압박 부재(225)가 압박하기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면이 브러시(69)에 확실하게 밀착해서 찰과된다.

그런데, 압박 부재(225)의 가압부 본체(226)에는 상기 순수 공급관(228)이 접속되지 않고, 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 압박 중에, 표면 세정 노즐(232)로부터 웨이퍼(W) 표면에 공급된 순수를 가압부 본체(226)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 흡수해서 보유 지지함으로써, 웨이퍼(W)의 세정이 행하여지도록 해도 된다. 그렇게 가압부 본체(226)가 웨이퍼(W) 표면으로부터 흡액할 수 있도록 하기 위해서, 예를 들어 상기의 착액 위치(P3)는, 도 27에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 상류측에서 당해 압박 부재(225)의 부근으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 표면 세정 노즐(232)을 설치하지 않고, 압박 부재(225)에 의해서만 웨이퍼(W)의 표면의 세정을 행해도 된다.

또한 압박 기구(211)에 전후 이동 기구(224)가 설치되지 않아, 압박 부재(225)가 전후 이동하지 않고 처리를 행하도록 해도 된다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마 및 세정할 때, 도 27에 실선으로 나타내는 위치에 압박 부재(225)를 배치하고, 당해 압박 부재(225)에 중앙부가 압박되도록 웨이퍼(W)를 고정 척(35)에 의해 보유 지지하도록 한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마 및 세정할 때도, 도 27에 실선으로 나타내는 위치에 압박 부재(225)를 배치하여, 웨이퍼(W)의 주연부가 압박되도록 한다. 즉, 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마 및 세정할 때는, 도 32, 도 35 등에서 설명한 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)의 이동에 수반하는 압박 부재(225)의 이동을 행하지 않도록 처리를 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 변형을 적정하게 억제할 수 있도록, 압박 부재(225)의 크기는 적절히 조정한다.

상기 도 31 내지 도 36에서 나타낸 처리 예에서는, 웨이퍼(W)의 중앙부를 압박할 때 가압부(225)를 가로 방향으로 이동시키지 않았지만, 이 중앙부를 압박할 때에 있어서도 압박 부재(225)를 가로 방향으로 이동시켜도 된다. 그런데, 압박 부재(225)의 직경(L1)(도 27 참조)으로서는 상기의 예에 한정되지는 않는다. 도 37에 나타내는 압박 부재(225)의 직경(L1)은 10mm이다. 또한, 예를 들어 압박 기구(211)의 아암(221)에 연마 기구(61)와 마찬가지로 구성된, 압박 부재(225)를 지지하는 지지판(64)을 공전 및 자전시키는 기구를 설치하고, 지지판(64)에 이 도 37에 도시하는 바와 같이 비교적 작은 직경을 갖는 압박 부재(225)를 설치해도 된다. 그리고, 지석(63) 중 1개와 압박 부재(225)가 중첩되어, 서로 동일한 속도로, 동일한 궤적을 그리도록 압박 부재(225)를 이동시키게 해도 된다. 즉, 연마 중에 있어서 지석(63) 중 1개와 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 사이에 두고 항상 대향하도록 처리를 행하게 해도 된다.

도 38은, 압박 부재(225)의 직경(L1)이, 도 27에 나타낸 예보다도 약간 큰 80mm인 예를 나타내고 있다. 또한, 도 39는 압박 부재(225)의 직경(L1)을, 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 300mm로 한 예를 나타내고 있다. 즉, 도 39의 압박 부재(225)는 웨이퍼(W)의 표면 전체를 피복한다. 압박 부재(225)가 이 도 39에 도시한 바와 같은 크기를 갖는 경우, 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마, 세정할 때 및 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마, 세정할 때 모두, 압박 부재(225)의 중심이 웨이퍼(W)의 중심에 겹치도록 당해 압박 부재(225)기 배치되어서 압박한다. 따라서, 웨이퍼(W)에의 처리 중에 압박 부재(225)는 가로 방향으로 이동하도록 구성되는 것에 한정되지는 않는다.

압박 부재(225)의 직경(L1)이 너무 작으면 충분히 웨이퍼(W)를 압박할 수 없을 우려가 있고, 직경(L1)이 웨이퍼(W)의 직경보다 크면 압박 부재(225)가 불필요한 크기를 갖게 되는 것이기 때문에, 압박 부재(225)의 직경, 즉 당해 압박 부재(225)의 압박면(230)의 직경(L1)은 10mm 내지 300mm로 하는 것이 바람직하다. 또한, 도 31 내지 도 36에서 설명한 바와 같이 압박 부재(225)를 연마 기구(61)의 이동에 따라 가로 방향으로 이동시켜서 처리를 행함으로써, 직경(L1)에 대해서는 비교적 작게, 예를 들어 10mm 내지 100mm로 할 수 있고, 그러한 크기로 한 경우에는, 연마 장치(201)에 있어서 압박 부재(225)를 대기시키는 스페이스를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 그와 같이 압박 부재(225)를 가로 방향으로 이동시킴에 있어서, 이미 설명한 예에서는 전후 이동 기구(224)에 의해 압박 부재(225)를 직선을 따라 이동시키고 있지만, 가로 방향으로의 이동 중에 지지판(64)의 공전 및 자전에 의해 지석(63) 또는 브러시(69)가 이동하는 영역과, 압박 부재(225)에 의해 압박되는 영역이 겹친 상태가 보유 지지되면 되고, 따라서 회전 기구(222)에 의해 곡선을 따라 압박 부재(225)를 이동시켜도 된다.

또한 지석(63)이 웨이퍼(W)에 접해서 연마가 행하여지고 있는 기간 내의 모든 시간대에서 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지는 것에 한정되지는 않는다. 즉, 지석(63)이 소정의 위치에 위치할 때만, 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여, 웨이퍼(W)를 압박하도록 해도 된다. 브러시(69)에 대해서도 소정의 위치에 위치할 때만, 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지도록 해도 된다. 웨이퍼(W)의 주연부는 중심부에 비해서 응력을 받았을 때 변형되기 쉽고, 휨이 발생하기 쉽기 때문에, 지석(63) 및 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 주연부에 위치할 때 적어도 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지는 것이 바람직하다.

또한, 압박 부재(225)로서는, 지석(63) 또는 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면을 상측으로 압박하면서 이동할 때, 당해 지석(63) 또는 브러시(69)에 웨이퍼(W)를 사이에 두고 대향하고 있으면 된다. 즉 평면에서 보아, 지석(63) 및 브러시(69)에 압박 부재(225)가 겹쳐 있으면 된다. 따라서, 압박 부재(225)로서는, 원형인 것에 한정되지는 않으며, 각형이어도 된다. 또한, 압박 부재(225)로서는 그렇게 웨이퍼(W)를 압박할 수 있으면 되기 때문에, 예를 들어 다공질체나 탄성체에 의해 구성되는 것에 한정되지는 않지만, 이미 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 손상을 방지하고, 또한 세정을 행하기 위해서, 다공질체이면서 또한 탄성체에 의해 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 표면 세정 노즐(232) 및 압박 부재(225)로부터 공급하는 세정액으로서는 순수에 한정되지는 않으며, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 막에 영향을 주지 않으면, 예를 들어 유기 용매이어도 된다. 또한, 앞서 서술한 각 실시 형태는 서로 조합하거나 적절히 변형될 수 있다.

W : 웨이퍼 1, 201 : 연마 장치
12 : 스핀 척 221 : 압박 기구
225 : 압박 부재 232 : 표면 세정 노즐
3 : 컵 35 : 고정 척
61 : 연마 기구 62 : 세정 기구
63 : 지석 64 : 지지판
69 : 브러시 7 : 사이클론 패드

Claims (19)

1. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
   자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
   를 포함하고,
   상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
   상기 기판의 주연부의 흡인 또는 당해 주연부에의 유체의 공급을 행함으로써, 당해 기판의 주연부의 높이를 규제하는 높이 규제부가 설치되는, 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 높이 규제부는, 회전하는 상기 기판의 중심에서 상기 미끄럼 이동 부재를 보았을 때, 당해 미끄럼 이동 부재의 좌우 영역에 대하여 각각 흡인을 행하거나, 당해 좌우의 영역에 대하여 각각 유체의 공급을 행하는, 기판 처리 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 기판이 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
   상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도는, 상기 기판의 중심부 근방의 제1 위치와, 상기 기판의 주위 단부 근방의 제2 위치에 각각 위치하고,
   상기 공전 궤도가, 상기 제1 위치에 위치할 때보다도 상기 제2 위치에 위치할 때의 쪽이, 상기 높이 규제부에서의 흡인 압력 또는 상기 기판에 공급되는 유체의 유량이 더 큰, 기판 처리 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 기판의 휨에 관한 정보를 취득하고, 취득한 휨에 관한 정보에 기초하여 상기 높이 규제부에서의 흡인 압력 또는 상기 기판에 공급되는 유체의 유량이 조정되도록 제어 신호를 출력하는 제어부가 설치되는, 기판 처리 장치.
5. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
   자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
   를 포함하고,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 공전축은 당해 기판의 중심에 겹치도록 상기 미끄럼 이동 부재의 공전이 행하여지는, 기판 처리 장치.
6. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
   자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
   를 포함하고,
   상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
   기판의 회전수 및 미끄럼 이동 부재의 공전의 회전수 중, 큰 쪽의 회전수를 작은 쪽의 회전수로 나눈 값은, 정수 이외의 값인, 기판 처리 장치.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 미끄럼 이동 부재는, 상기 기판의 이면을 연마해서 조면화하기 위한 연마 부재에 의해 구성되는, 기판 처리 장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 연마 부재에 의해 조면화된 영역을 찰과해서 세정하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 세정 부재와,
   자전 중의 상기 세정 부재를 연직인 공전축 주위로 공전시키는 세정부용 공전 기구,
   를 포함하고,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 세정 부재가 상기 기판의 중앙부를 찰과하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 세정 부재가 회전하는 상기 기판의 주연부를 찰과하는, 기판 처리 장치.
9. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
   상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
   자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
   상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
   를 포함하고,
   상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판을 미끄럼 이동할 때 상기 기판의 변형을 억제하기 위해서, 상기 기판의 표면측에서 이면측으로 당해 기판을 압박하는 압박 기구가 설치되고,
   상기 압박 기구는,
   상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재에 대향해서 당해 기판을 압박하기 위한 압박면을 포함하는 압박 부재와,
   상기 압박 부재를 승강시키는 승강 기구,
   를 포함하는, 기판 처리 장치.
10. 제9항에 있어서,
    상기 압박면에는, 상기 기판을 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 설치되고,
    상기 압박면은, 상기 세정액이 공급된 상기 기판의 표면을 압박하는, 기판 처리 장치.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 압박 기구는,
    상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도가 상기 기판의 중심부측과 주연부측과의 사이에서 이동할 때, 상기 압박 부재를 상기 기판의 중심부측과 주연부측과의 사이에서 이동시켜, 상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재와 상기 압박 부재가 대향하는 상태를 유지하기 위한 가로 방향 이동 기구를 포함하는, 기판 처리 장치.
12. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 압박면은 탄성을 갖는 다공질체에 의해 구성되는, 기판 처리 장치.
13. 제12항에 있어서,
    상기 압박면에는, 상기 기판을 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 설치되고,
    상기 세정액 공급구는 상기 다공질체의 구멍부이며,
    가로 방향 이동 기구가 설치되고,
    상기 기판의 측면을 세정하기 위해서 당해 가로 방향 이동 기구는, 상기 기판을 압박한 상태의 상기 압박 부재를, 상기 압박면의 일부가 당해 기판의 외측에 위치하도록 이동시키는, 기판 처리 장치.
14. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 압박면은 원형이며, 당해 압박면의 직경은 10mm 내지 100mm인, 기판 처리 장치.
15. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
    상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
    공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
    상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 높이 규제부에 의해, 상기 기판의 주연부의 흡인 또는 당해 주연부에의 유체의 공급을 행함으로써, 당해 기판의 주연부의 높이를 규제하는 공정,
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
16. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
    상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
    공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
    상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
    을 포함하고,
    상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정은, 상기 공전축이 당해 기판의 중심에 겹치도록, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
17. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
    상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
    공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
    상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
    을 포함하고,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정에 있어서, 기판의 회전수 및 미끄럼 이동 부재의 공전의 회전수 중, 큰 쪽의 회전수를 작은 쪽의 회전수로 나눈 값은, 정수 이외의 값인, 기판 처리 방법.
18. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
    상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
    공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
    상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
    상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판을 미끄럼 이동할 때 상기 기판의 변형을 억제하기 위해서, 상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재에 대향해서 당해 기판을 압박하기 위한 압박면을 포함하는 압박 부재와 상기 압박 부재를 승강시키는 승강 기구를 포함하는 압박 기구에 의해, 상기 기판의 표면측에서 이면측으로 당해 기판을 압박하는 공정,
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
19. 기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 사용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    상기 프로그램은 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위해서 스텝이 짜여진 프로그램인 기억 매체.

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