KR102370035B1 - 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 87
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 370
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 49
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 47
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 21
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 15
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 2
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
투명 표시 기판은 화소 영역 및 투과 영역을 포함하며 투과 영역에서 상대적으로 얇은 두께를 갖는 베이스 기판, 베이스 기판의 화소 영역 상에 배치되는 화소 회로, 화소 회로를 커버하는 절연 구조, 베이스 기판의 화소 영역 상에 선택적으로 배치되며 절연 구조를 적어도 부분적으로 관통하여 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극, 및 절연 구조 내에 형성되며 베이스 기판의 투과 영역과 중첩되는 개구부 또는 오목부를 포함한다.
Description
본 발명은 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 투과 영역 및 화소 영역을 포함하는 투명 표시 기판, 상기 투명 표시 기판을 포함하는 투명 표시 장치 및 상기 투명 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 유기 발광 표시(Organic Light Emitting Display: OLED) 장치와 같은 표시 장치에 있어서 투과성 또는 투명성을 구현하려는 연구가 지속되고 있다.
투명 표시 장치를 구현하기 위해, 기판, 전극, 절연막, 캡핑막 등과 같은 다양한 재료들의 조성, 배치, 두께 등 다양한 변수들을 최적화하는 것이 필요하다. 예를 들면, OLED 장치의 경우 서로 다른 물질을 포함하는 다수의 절연막 및 도전막들이 적층되며, 이에 따라 광학적 특성이 저하되어 원하는 투명성을 획득하는 것이 용이하지 않다.
본 발명의 일 과제는 투과도가 향상된 투명 표시 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 투과도가 향상된 투명 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 투과도가 향상된 투명 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판은 화소 영역 및 투과 영역을 포함하며 상기 투과 영역에서 상대적으로 얇은 두께를 갖는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되는 화소 회로, 상기 화소 회로를 커버하는 절연 구조, 상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되며 상기 절연 구조를 적어도 부분적으로 관통하여 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극, 및 상기 절연 구조 내에 형성되며 상기 베이스 기판의 상기 투과 영역과 중첩되는 개구부 또는 오목부를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 기판은 폴리이미드, 폴리실록산, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 및 폴리에스테르 중에서 선택되는 투명 고분자 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 베이스 기판의 두께는 상기 화소 영역에서의 두께의 약 1/2 내지 약 1/4 범위일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연 구조는 상기 베이스 기판의 상면 상에 순차적으로 적층된 배리어막, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 비아 절연막을 포함할 수 있다. 상기 화소 회로는 상기 배리어막 상에 배치된 액티브 패턴, 상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 액티브 패턴과 중첩되는 게이트 전극, 및 상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극은 상기 비아 절연막을 관통할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 배리어막 및 상기 게이트 절연막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장될 수 있다. 상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치될 수 있다. 상기 비아 절연막은 상기 층간 절연막의 상면 및 측벽을 커버하며, 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 배리어막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장될 수 있다. 상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치될 수 있다. 상기 비아 절연막은 상기 층간 절연막의 상면 및 측벽을 커버할 수 있다. 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막은 상기 투과 영역 상에서 상기 개구부에 의해 절단된 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 배리어막, 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장될 수 있다. 상기 층간 절연막은 상기 투과 영역 상에서 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성되고, 상기 개구부에 의해 상기 상대적으로 얇은 두께를 갖는 상기 층간 절연막 부분이 노출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 비아 절연막은 상기 투과 영역과 중첩되는 상기 오목부를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 기판은 상기 투과 영역 상에 형성된 리세스를 포함할 수 있다. 상기 배리어막은 상기 리세스의 내벽을 따라 연장되어 상기 리세스를 부분적으로 채울 수 있다.
상술한 본 발명의 일 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치는 화소 영역 및 투과 영역을 포함하며 상기 투과 영역에 형성된 리세스를 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되는 화소 회로, 상기 화소 회로를 커버하며 상기 리세스와 중첩되는 개구부 또는 오목부를 포함하는 절연 구조, 상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되며 상기 절연 구조를 적어도 부분적으로 관통하여 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 형성된 표시층, 및 상기 표시층 상에 배치되며 상기 화소 전극과 마주보는 대향 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대향 전극은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 연속적으로 연장될 수 있다. 상기 개구부의 내벽 상에 형성된 상기 대향 전극의 부분은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시층은 상기 화소 전극 상에 순차적으로 적층된 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함할 수 있다. 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 연속적으로 연장되며, 상기 개구부의 내벽을 따라 컨포멀한 프로파일을 가질 수 있다. 상기 유기 발광층은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대향 전극 및 상기 표시층은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투명 표시 장치는 상기 대향 전극 상에 형성된 봉지층을 더 포함하며, 상기 봉지층은 상기 개구부의 내벽과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연 구조는 복수의 막들을 포함할 수 있다. 상기 투과 영역 상에 형성된 상기 복수의 막들의 수 및 총 두께는 상기 화소 영역 상에 형성된 상기 복수의 막들의 수 및 총 두께보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리세스의 깊이는 상기 베이스 기판 두께의 약 1/2 내지 약 3/4 범위일 수 있다.
상술한 본 발명의 일 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 투명 고분자 물질을 포함하며, 화소 영역 및 투과 영역으로 구분되는 베이스 기판을 형성한다. 상기 투과 영역의 상기 베이스 기판의 상부를 제거하여 리세스를 형성한다. 상기 베이스 기판의 상면 및 상기 리세스의 내벽 상에 배리어막을 형성한다. 상기 화소 영역의 상기 배리어막 부분 상에 화소 회로를 형성한다. 상기 배리어막 상에 상기 화소 회로를 커버하는 절연막을 형성한다. 상기 투과 영역의 상기 절연막 부분을 적어도 부분적으로 제거하여 개구부를 형성한다. 상기 화소 영역의 상기 절연막 부분 상에 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성한다. 상기 화소 전극 상에 표시층을 형성한다. 상기 표시층 상에 대향 전극을 형성한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리세스는 하프 톤 마스크를 사용하여 상기 투과 영역의 상기 베이스 기판 부분을 노광하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연막은 상기 배리어막 상에 순차적으로 적층되는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 비아 절연막을 포함할 수 있다. 상기 화소 회로를 형성함에 있어서, 상기 배리어막 상에 액티브 패턴을 형성할 수 있다. 상기 게이트 절연막 상에 상기 액티브 패턴과 중첩되도록 게이트 전극을 형성할 수 있다. 상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 부분적으로 제거하여 상기 화소 영역 상에서 상기 액티브 패턴을 노출시키는 콘택 홀들 및 상기 투과 영역 상에서 상기 리세스와 중첩되는 트렌치를 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀들을 채우는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 비아 절연막을 부분적으로 제거하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 비아 홀을 형성할 수 있다. 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성되어 상기 트렌치와 연통되며, 상기 비아 홀과 동일한 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 투명 표시 기판의 투과 영역의 베이스 기판 부분의 상부를 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 투과 영역에서의 상기 베이스 기판이 예를 들면, 화소 영역에서 보다 얇게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 투과 영역에서의 광의 투과 거리를 단축시킬 수 있으며, 예를 들면 폴리이미드를 포함하는 상기 베이스 기판에 의한 투과도 저하를 감소시킬 수 있다. 상기 투명 표시 기판을 활용하여 투과도가 향상된 투명 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도들이다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 9 내지 도 20은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도들이다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 9 내지 도 20은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이 때, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고, 동일한 구성 요소에 대해서는 중복되는 설명을 생략하기로 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 2는 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 투명 표시 기판은 화소 영역(Pixel Area: PA) 및 투과 영역(Transmittance Area: TA)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 표시 기판은 투명 표시 장치의 백-플레인(Back-Plane: BP) 기판으로 제공될 수 있다.
화소 영역(PA)은 서로 인접하게 교대로 연속적으로 배치되는 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 투과 영역(TA)은 화소 영역(PA)에 인접하게 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 투과 영역(TA)은 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb)들과 인접하며 연속적으로 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)은 각 화소 들마다 패터닝되어 독립적으로 제공될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 화소 영역(PA) 상에는 화상 구현을 위한 화소 회로가 배치될 수 있다. 투과 영역(TA)에서는 외광이 투과되어 외부 이미지가 관찰될 수 있다.
화소 영역(PA)의 각 화소에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)와 같은 트랜지스터가 배치되며, 상기 트랜지스터는 데이터 라인(D) 및 스캔 라인(S)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 데이터 라인(D) 및 스캔 라인(S)은 서로 교차하도록 배치되며, 데이터 라인(D) 및 스캔 라인(S)의 교차 영역 마다 상기 각 화소가 정의될 수 있다. 또한, 데이터 라인(D), 스캔 라인(S) 및 상기 트랜지스터에 의해 상기 화소 회로가 정의될 수 있다.
도 1에 도시되지는 않았으나, 상기 화소 회로는 예를 들면, 데이터 라인(D)과 평행하게 배치되는 전원 라인(Vdd)을 더 포함할 수 있다. 또한, 전원 라인(Vdd) 및 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 커패시터가 상기 각 화소 마다 배치될 수도 있다.
도 1 및 도 2에서는 하나의 트랜지스터만을 도시하였으나, 적어도 2이상의 트랜지스터들이 상기 각 화소마다 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 각 화소마다 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터가 배치될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터 사이에 상기 커패시터가 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 트랜지스터 및 상기 커패시터는 베이스 기판(100)의 화소 영역(PA) 상에 형성된 배리어막(barrier layer)(110) 부분 상에 배치될 수 있다. 상기 트랜지스터는 액티브 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(135), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터를 커버하는 비아 절연막(160)이 형성되며, 비아 절연막(160) 상에는 예를 들면, 상기 트랜지스터의 드레인 전극(155)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(170)이 배치될 수 있다.
베이스 기판(100)으로서 투명 절연 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(100)은 투명성 및 소정의 유연성을 갖는 폴리머 재질의 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 기판은 투명 플렉시블 표시 장치에 채용되는 표시 기판으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(100)은 폴리이미드, 폴리실록산, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 고분자 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 베이스 기판(100)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
베이스 기판(100)은 상술한 바와 같이 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA)으로 구분될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(100)은 투과 영역(TA) 상에 형성된 리세스(105)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 베이스 기판(100)은 투과 영역(TA)에서 화소 영역(PA)보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100) 두께는 화소 영역(PA)의 베이스 기판 두께의 약 1/2 내지 약 1/4 범위일 수 있다. 투과 영역(TA)에서의 충분한 투과도 향상을 구현하기 위해 화소 영역(PA) 대비 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100) 두께 비율은 약 1/2 보다 작게 조절될 수 있다. 한편, 캐리어 기판(50, 도 9 참조)으로부터 베이스 기판(100)의 탈착시 불량 발생을 방지하기 위해 상기 두께 비율은 약 1/4 이상으로 조절될 수 있다.
배리어막(110)은 베이스 기판(100)의 상면 프로파일을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다. 배리어막(110)에 의해 리세스(105)의 내벽이 커버될 수 있다. 배리어막(110)에 의해 베이스 기판(100)을 통해 침투하는 수분이 차단될 수 있으며, 베이스 기판(100) 및 베이스 기판(100) 상에 형성된 구조물 사이의 불순물 확산이 차단될 수 있다.
예를 들면, 배리어막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 배리어막(110)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
액티브 패턴(120)은 화소 영역(PA)의 배리어막(110) 부분 상에 배치될 수 있다.
액티브 패턴(120)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(120)의 양 단부에는 p형 혹은 n형 불순물을 포함하는 소스 영역 및 드레인 영역이 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(120)은 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO), 아연-주석 산화물(Zinc Tin Oxide: ZTO), 또는 인듐-주석-아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO)과 같은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 기판의 투과도가 보다 향상될 수 있다.
게이트 절연막(130)은 배리어막(110) 상에 형성되어 액티브 패턴(120)을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(130)은 배리어막(110)과 유사하게 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연장되며, 베이스 기판(100)의 리세스(105)의 내벽 프로파일을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 게이트 전극(135)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(135)은 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 액티브 패턴(120)과 실질적으로 중첩될 수 있다.
게이트 전극(135)은 스캔 라인(S)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(135)은 스캔 라인(S)으로부터 분기될 수 있다.
게이트 전극(135)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속 물질, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속들의 질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 전극(135)은 물리적, 화학적 성질이 다른 2개 이상의 금속층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(135)은 저저항화를 위해, Al/Mo 구조 혹은 Ti/Cu 구조와 같은 복층 구조를 가질 수 있다.
층간 절연막(140)은 게이트 절연막(130) 상에 형성되어 게이트 전극(135)을 커버할 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연막(140)은 실질적으로 투과 영역(TA)으로부터 배제되고 화소 영역(PA) 상에 선택적으로 배치될 수 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 Al, Ag, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속들의 질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 예를 들면, Al 층 및 Mo 층과 같은 서로 다른 2개 이상의 금속층이 적층된 구조를 가질 수도 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 각각 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 접촉될 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 액티브 패턴(120) 부분은 전하가 이동하는 채널로서 제공될 수 있다.
소스 전극(150)은 데이터 라인(D)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150)은 데이터 라인(D)으로부터 분기되는 형태를 가질 수 있다.
도 2에서는 게이트 전극(135)이 액티브 패턴(120) 상부에 배치되는 탑 게이트(Top Gate) 구조의 트랜지스터가 도시되었으나, 상기 트랜지스터는 게이트 전극(135)이 액티브 패턴(120) 하부에 배치되는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조를 가질 수도 있다.
비아 절연막(160)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130) 상에 형성되어 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 커버할 수 있다. 비아 절연막(160)은 화소 전극(170)과 드레인 전극(155)을 전기적으로 연결시키는 비아(Via) 구조를 수용할 수 있다. 또한, 비아 절연막(160)은 상기 투명 표시 기판의 평탄화 막으로 제공될 수도 있다.
비아 절연막(160)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 투과 영역(TA) 상에서 비아 절연막(160)은 개구부(165)를 포함할 수 있다. 개구부(165)는 베이스 기판(100)에 포함된 리세스(105)와 실질적으로 중첩될 수 있다. 이에 따라, 개구부(165)에 의해 리세스(105) 내부에 형성된 게이트 절연막(130) 상면이 노출될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 비아 절연막(160)은 층간 절연막(140)의 상면 및 측벽을 실질적으로 완전히 커버할 수 있다. 또한, 리세스(105)의 측벽 상에 형성된 게이트 절연막(130) 부분을 커버할 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)에서 개구부(165)에 의해 투과도를 향상시키면서, 비아 절연막(160)의 상기 평탄화 막으로서의 기능을 충분히 확보할 수 있다.
화소 전극(170)은 비아 절연막(160) 상에 배치되며, 비아 절연막(160)을 관통하여 드레인 전극(155)과 접촉 혹은 전기적으로 연결되는 상기 비아 구조를 포함할 수 있다. 화소 전극(170)은 화소 영역(PA) 상에 선택적으로 배치되며, 상기 각 화소 마다 독립적으로 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 전극(170)은 일함수가 높은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 화소 전극(170)은 인듐 주석 화합물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 아연 화합물(Indium Zinc Oxide: IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 기판의 투과도가 보다 향상될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 전극(170)은 반사 전극으로 제공될 수 있다. 이 경우, 화소 전극(170)은 Al, Ag, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 전극(170)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 복층 구조를 가질 수도 있다.
상술한 예시적인 실시예들에 따르면, 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100)에 리세스(105)를 형성하여, 실제 화상이 구현되는 영역을 제외한 투명 표시 기판의 나머지 부분들에서 예를 들면, 폴리이미드와 같은 고분자 물질에 의한 투과도 손실을 감소시킬 수 있다. 또한, 리세스(105)와 중첩되는 개구부(165)를 통해 투과 영역(TA)에서의 투과 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 투과 영역(TA)은 화소 영역(PA) 보다 적은 수의 절연층 수 및 작은 절연 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소 영역(PA)에서는 베이스 기판(100), 배리어 막(110), 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140) 및 비아 절연막(160)이 적층된 절연 구조가 배치될 수 있다. 그러나, 투과 영역(TA)에서는 두께가 감소된 베이스 기판(100), 배리어 막(110) 및 게이트 절연막(130)으로 실질적으로 구성된 절연 구조가 배치될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TA)에서는 광의 투과 거리가 감소되어 전체적인 투과율이 향상될 수 있다.
도 3 내지 도 5는 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판을 나타내는 단면도들이다. 도 2를 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조에 대해서는 상세한 설명이 생략된다. 또한, 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 참조부호가 사용된다.
도 3을 참조하면, 도 2를 참조로 설명한 바와 같이 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100)에는 리세스(105)가 형성되어 두께가 감소될 수 있다. 배리어막(110)은 베이스 기판(100)의 상면 및 리세스(105)의 내벽을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
게이트 절연막 패턴(130a)은 화소 영역(PA)에서 액티브 패턴(120)을 커버하며, 투과 영역(TA)에서 정의되는 개구부(166)에 의해 절단된 구조를 가질 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막 패턴(130a)은 실질적으로 베이스 기판(100)의 화소 영역(PA) 상에 선택적으로 배치되며, 부분적으로 투과 영역(TA)에 포함된 리세스(105)까지 연장될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막 패턴(130a)은 리세스(105)의 측벽을 커버하며, 개구부(166)의 저면을 통해 배리어막(110)의 상면이 노출될 수 있다. 예를 들면, 개구부(166)는 리세스(105) 내부로 삽입된 형상을 가질 수 있다.
게이트 절연막 패턴(130a) 상에는 게이트 전극(135)이 액티브 패턴(120)과 중첩되도록 배치되며, 층간 절연막(140)은 화소 영역(PA) 상에서 게이트 전극(135)을 커버하며, 투과 영역(TA)에서는 배제될 수 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막 패턴(130a)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉할 수 있다. 비아 절연막(160)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막 패턴(130a) 상에 형성되며, 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 커버할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 비아 절연막(160) 및 게이트 절연막 패턴(130a)의 측벽들에 의해 개구부(166)의 측벽이 정의될 수 있다.
화소 전극(170)은 비아 절연막(160)을 관통하여 드레인 전극(155)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이, 투과 영역(TA)에서 실질적으로 게이트 절연막이 제거됨으로써, 개구부(166)의 길이가 도 1에 도시된 개구부(165)보다 확장될 수 있다. 그러므로, 광의 투과 거리가 더욱 단축되어 투과율이 향상될 수 있다.
도 4를 참조하면, 층간 절연막(140)은 실질적으로 화소 영역(PA) 상에 형성된 제1 부분(140a) 및 투과 영역(TA)의 리세스(105) 내벽 상에 형성된 제2 부분(140b)으로 구분될 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 부분(140b)은 제1 부분(140a)보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
개구부(167)의 저면을 통해 층간 절연막(140)의 제2 부분(140b)이 노출될 수 있다. 따라서, 화소 영역(PA)에서는 베이스 기판(100), 배리어 막(110), 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140)의 제1 부분(140a) 및 비아 절연막(160)이 적층된 절연 구조가 배치될 수 있다. 투과 영역(TA)에서는 두께가 감소된 베이스 기판(100), 배리어 막(110), 게이트 절연막(130) 및 층간 절연막(140)의 두께가 감소된 제2 부분(140b)으로 실질적으로 구성된 절연 구조가 배치될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TA)에서의 광의 투과 거리가 감소되어 전체적인 투과율이 향상될 수 있다.
도 5를 참조하면, 비아 절연막(162)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연장될 수 있다.
비아 절연막(162)은 화소 영역(PA) 상에서는 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 한편, 투과 영역(TA)에서의 비아 절연막(162) 부분은 리세스(105)에 의해 생성되는 단차에 기인하여 오목부(168)를 포함할 수 있다.
이에 따라, 투과 영역(TA)에서는 리세스(105)에 의해 두께가 감소된 베이스 기판(100) 및 오목부(168)에 의해 두께가 감소된 비아 절연막(162)을 포함하는 절연 구조가 배치될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TA)에서의 광의 투과 거리가 감소되어 전체적인 투과율이 향상될 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 6은 도 1 내지 도 5를 참조로 설명한 투명 표시 기판을 포함하는 유기 발광 표시(Organic Light Emitting Display: OLED) 장치를 도시하고 있다.
한편, 도 1 내지 도 5를 참조로 설명한 투명 표시 기판의 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략하며, 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 참조부호를 사용한다.
도 6을 참조하면, 상기 투명 표시 장치는 예를 들면, 도 1을 참조로 설명한 투명 표시 기판 상에 적층되는 표시층(180), 대향 전극(190) 및 봉지층(encapsulation film)(195)을 포함할 수 있다. 추가적으로, 화소 정의막(175)이 화소 영역(PA)의 비아 절연막(160) 부분 상에 배치되어 각 화소에 배치된 화소 전극(170)을 적어도 부분적으로 노출시킬 수 있다.
예를 들면, 화소 정의막(175)은 화소 전극(170)의 주변부를 커버할 수 있다. 화소 정의막(175)은 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(175)에 의해 커버되지 않은 화소 전극(170)의 면적이 실질적으로 상기 각 화소의 발광 영역의 면적에 해당될 수 있다.
표시층(180)은 화소 정의막(175) 및 화소 전극(170) 상에 배치될 수 있다. 표시층(180)은 적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg) 및 청색 화소(Pb) 마다 독립적으로 패터닝되어 각 화소별로 다른 색광들을 발생시키는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질, 및 에너지의 흡수 및 방출을 통해 발광효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 표시층(180)은 화소 전극(170) 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층(hole transport layer: HTL)을 더 포함할 수 있다. 또한, 표시층(180)은 대향 전극(190) 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 전자 수송층(electron transport layer: ETL)을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송층은 예를 들면, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), N,N-디-1-나프틸-N,N-디페닐-1,1-비페닐-4,4-디아민(NPD), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 정공 수송 물질을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 2-(4-비페닐릴)-5-(4-터트-부틸페닐-1,3,4-옥시디아졸(PBD), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-페닐페놀라토-알루미늄(BAlq), 바쏘쿠프로인(BCP), 트리아졸(TAZ), 페닐퀴노잘린(phenylquinozaline) 등의 전자 수송 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 표시층(180)은 상술한 유기 발광층 대신 액정층을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)로 제공될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 표시층(180)은 화소 정의막(175)의 측벽 및 화소 정의막(175)에 의해 노출된 화소 전극(170)의 상면 상에 형성되며, 화소 정의막(175)의 상면 상에도 일부 연장될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 표시층(180)은 화소 정의막(175)의 측벽에 의해 한정되어 상기 각 화소 마다 독립적으로 배치될 수도 있다.
대향 전극(190)은 화소 정의막(175) 및 표시층(180) 상에 배치될 수 있다. 대향 전극(190)은 표시층(180)을 사이에 두고 화소 전극(170)과 서로 마주보도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 대향 전극(190)은 복수의 상기 화소들 상에서 공통적으로 연장되는 공통 전극으로 제공될 수 있다. 또한, 화소 전극(170) 및 대향 전극(190)은 각각 상기 투명 표시 장치의 양극(anode) 및 음극(cathode)으로 제공될 수 있다.
대향 전극(190)은 Al, Ag, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 일 함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 대향 전극(190)은 ITO, IZO, 아연 산화물 또는 인듐 산화물과 같은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 대향 전극(190)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에 공통으로 연속적으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 대향 전극(190)은 화소 정의막(175) 및 표시층(180)의 표면들, 및 개구부(165)의 내벽으로 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 대향 전극(190)은 개구부(165)에 의해 생성되는 단차에 의해 투과 영역(TA) 상에서는 화소 영역(PA)에 비해 얇은 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 대향 전극(190)에 의한 투과 영역(TA)에서의 투과도 감소를 최소화할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 투명 표시 장치는 대향 전극(190) 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형(top emission type)일 수 있다. 이 경우, 화소 전극(170)은 금속을 포함하는 반사 전극으로 제공되고, 대향 전극(190)은 ITO와 같은 상기 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 대향 전극(190)에 의해 투과 영역(TA)에서의 투과도가 실질적으로 열화되지 않을 수 있다.
대향 전극(190) 상에는 봉지층(195)이 형성되어 상기 투명 표시 장치를 보호할 수 있다. 봉지층(195)은 예를 들면, 실리콘 질화물 및/또는 금속 산화물과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 대향 전극(190) 및 봉지층(195) 사이에 캡핑층이 더 배치될 수도 있다. 상기 캡핑층은 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등과 같은 유기 물질, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8은 일부 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 도 6을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 표시층(180a)은 화소 전극(170) 상면으로부터 순차적으로 적층되는 정공 수송층(182), 유기 발광층(184) 및 전자 수송층(186)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(184)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(184)은 화소 정의막(175) 및 화소 전극(170)의 표면들, 및 개구부(165)의 내벽을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(184)은 화소 영역(PA)에 포함된 복수의 화소들에 대해 공통으로 제공될 수 있다.
유기 발광층(184)은 화소 영역(PA) 상에 선택적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층(184)은 화소 전극(170)과 실질적으로 중첩되며, 각 화소마다 독립적으로 패터닝될 수 있다. 유기 발광층(184)은 화소 영역(PA) 상에서 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(184)에 의해 샌드위치될 수 있다.
대향 전극(190) 및 봉지층(195)은 도 6을 참조로 설명한 바와 같이 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통적으로 연속적으로 제공될 수 있다.
도 8을 참조하면, 표시층(180)은 도 6에 도시된 바와 같이 화소 영역(PA)의 각 화소마다 패터닝되어 제공될 수 있다.
대향 전극(192)은 실질적으로 화소 영역(PA)에서 선택적으로 제공되며, 개구부(165) 내부로는 연장되지 않을 수 있다. 이에 따라, 개구부(165)에 의해 노출된 투과 영역(TA) 상에는 리세스(105)에 의해 두께가 감소된 베이스 기판(100), 배리어막(110) 및 게이트 절연막(130)으로 실질적으로 구성된 절연 구조가 배치되며, 표시층(180) 및 대향 전극(192)과 같은 발광 구조가 개재되지 않을 수 있다. 그러므로, 투과 영역(TA)에서의 투과 거리가 단축되어 투과 효율이 더욱 증가될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 봉지층(195)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에 공통으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 봉지층(195)은 대향 전극(192) 상면, 개구부(165)의 측벽 및 저면을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
도 6 내지 도 8에서는 도 2를 참조로 설명한 투명 표시 기판을 포함하는 투명 표시 장치를 도시하고 있으나, 상기 투명 표시 장치는 도 3, 도 4 또는 도 5를 참조로 설명한 투명 표시 기판을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 6 내지 도 8을 참조로 설명한 투명 표시 장치의 발광 구조물 및 도 3 내지 도 5를 참조로 설명한 투명 표시 기판이 조합되어 투과도가 향상된 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 9 내지 도 20은 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 캐리어 기판(50) 상에 베이스 기판(100)을 형성할 수 있다.
캐리어 기판(50)은 상기 투명 표시 장치의 제조 공정이 진행되는 동안 베이스 기판(100)의 지지체 역할을 수행할 수 있다. 예를 들면, 캐리어 기판(50)으로서 유리 기판 혹은 금속 기판을 사용할 수 있다.
베이스 기판(100)은 폴리이미드 계열 수지와 같은 투명 고분자 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 캐리어 기판(50) 상에 폴리이미드 전구체를 포함하는 전구체 조성물을 스핀 코팅(spin coating) 공정을 통해 도포하여 코팅막을 형성할 수 있다. 이후, 상기 코팅막을 열 경화시켜 베이스 기판(100)을 형성할 수 있다.
상기 폴리이미드 전구체는 디아민(diamine) 및 디무수물(dianhydride)을 포함할 수 있다. 상기 전구체 조성물은 상기 폴리이미드 전구체를 유기 용매에 용해시켜 제조될 수 있다. 상기 유기 용매는 비제한적인 예로서, N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-Pyrrolidone: NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란(THF), 트리에틸아민(TEA), 에틸아세테이트(ethylacetate), 디메틸설폭사이드(DMSO) 또는 에틸렌글리콜 계열 에테르 용매를 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
상기 열 경화 공정에 의해 디아민 및 디무수물 사이의 중합이 유도되어 폴리아믹산이 형성되며, 폴리아믹산이 추가로 열 경화되어 탈수 축합이 진행되면서 상기 폴리이미드 계열 수지가 형성될 수 있다.
베이스 기판(100)의 소정의 영역은 화소 영역(PA)으로 할당되며, 화소 영역(PA)을 제외한 나머지 부분은 투과 영역(TA)으로 정의될 수 있다.
도 10을 참조하면, 베이스 기판(100)의 상부에 포토 마스크(60)를 배치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 포토 마스크(60)는 차광부(60) 및 반투과부(64)를 포함하는 하프 톤(half tone) 마스크일 수 있다. 포토 마스크(60)의 반투과부(64)는 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100)과 실질적으로 중첩될 수 있다.
도 11을 참조하면, 포토 마스크(60)를 사용한 노광 공정을 통해 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100) 상부를 제거할 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 베이스 기판(100)에는 리세스(105)가 형성되어, 두께가 감소될 수 있다.
예를 들면, 상기 노광 공정을 통해 투과 영역(TA)에서의 베이스 기판(100)의 분자 구조를 변형시킨 후, 현상 공정을 통해 베이스 기판(100)의 상부를 제거할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 노광 공정 수행 시, 반투과부(64)를 통한 초점 심도(depth of focus)를 조절하여 투과 영역(TA)에서 베이스 기판(100)이 제거되는 정도를 제어할 수 있다. 투과 영역(TA)에서의 충분한 투과도 향상 구현 및 캐리어 기판(50)으로부터 베이스 기판(100)의 탈착 용이성을 고려하여 리세스(105)의 깊이를 조절할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 리세스(105)의 깊이는 베이스 기판(100) 초기 두께의 약 1/2 내지 약 3/4 범위로 조절될 수 있다.
도 12를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 순차적으로 배리어막(110), 액티브 패턴(120) 및 게이트 절연막(130)을 형성할 수 있다.
배리어막(110)은 베이스 기판(100)의 상면을 전체적으로 커버하며, 리세스(105)의 내벽 상에 컨포멀하게 형성될 수 있다. 배리어막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함하도록 형성될 수 있다.
액티브 패턴(120)은 화소 영역(PA)의 배리어막(110) 부분 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 배리어막(110) 상에 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하여 반도체 층을 형성한 후, 상기 반도체 층을 패터닝하여 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 반도체 층 형성 후, 저온 폴리실리콘(Low Temperature Polycrystalline silicon: LTPS) 공정 또는 레이저 결정화 공정과 같은 결정화 공정을 수행할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 반도체 층은 IGZO, ZTO, ITZO 등과 같은 산화물 반도체를 사용하여 형성될 수도 있다.
배리어막(110) 상에 액티브 패턴(120)을 덮는 게이트 절연막(130)을 형성할 수 있다. 게이트 절연막(130)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 연속적으로 연장하며, 리세스(105)의 상기 내벽을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다. 배리어막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함하도록 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(135) 및 층간 절연막(140)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 게이트 절연막(130) 상에 제1 도전막을 형성한 후, 예를 들면 사진 식각 공정을 통해 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써 게이트 전극(135)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전막은 금속, 합금 또는 금속 질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 도전막은 복수의 금속층을 적층하여 형성될 수도 있다.
게이트 전극(135)은 액티브 패턴(120)과 중첩되도록 패터닝될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 전극(135)은 도 1에 도시된 스캔 라인(S)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다, 예를 들면, 게이트 전극(135) 및 스캔 라인(S)은 상기 제1 도전막으로부터 실질적으로 동일한 식각 공정을 통해 형성되며, 스캔 라인(S)은 게이트 전극(135)과 일체로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 게이트 전극(135)을 이온 주입 마스크로 사용하여 액티브 패턴(120)에 불순물을 주입함으로써, 액티브 패턴(120)의 양 단부에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(135)을 덮는 층간 절연막(140)을 형성할 수 있다. 층간 절연막(140)은 게이트 전극(135) 및 리세스(105)에 의해 생성되는 단차에 따라 돌출부 및 오목부를 포함하도록 형성될 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함하도록 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 층간 절연막(140)을 부분적으로 제거하여 제1 콘택 홀(142), 제2 콘택 홀(144) 및 트렌치(146)를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 콘택 홀(142), 제2 콘택 홀(144) 및 트렌치(146)는 실질적으로 단일 식각 마스크를 사용하는 동일한 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1 콘택 홀(142) 및 제2 콘택 홀(144)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130)을 관통하며 액티브 패턴(120)의 상면을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 콘택 홀(142) 및 제2 콘택 홀(144)을 통해 각각 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 드레인 영역이 노출될 수 있다.
트렌치(146)는 실질적으로 투과 영역(TA)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 트렌치(146)를 통해 투과 영역(TA) 상에 형성된 게이트 절연막(130) 부분이 노출될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 트렌치(146)는 투과 영역(TA)에 인접한 화소 영역(PA) 부분까지 커버할 수 있다. 예를 들면, 트렌치(146)는 베이스 기판(100)에 포함된 리세스(105)보다 큰 너비를 가질 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 도 4를 참조로 설명한 바와 같이 층간 절연막(140)은 게이트 절연막(130) 상면 및 리세스(105) 내벽 상에서 컨포멀하게 형성될 수 있다. 예를 들면 도 4에 도시된 바와 같이, 층간 절연막(140)은 실질적으로 화소 영역(PA) 상에 형성된 제1 부분(140a) 및 투과 영역(TA)의 리세스(105) 내벽 상에 형성되며 두께가 감소된 제2 부분(140b)으로 구분될 수 있다. 이 경우, 도 14에 도시된 트렌치(146)의 형성은 생략될 수도 있다.
도 15를 참조하면, 제1 콘택 홀(142) 및 제2 콘택 홀(144) 내부에 각각 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 형성할 수 있다. 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다.
예를 들면, 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130) 상에 제1 콘택 홀(142) 및 제2 콘택 홀(144)을 충분히 채우는 제2 도전막을 형성하고, 상기 제2 금속막을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전막은 예를 들면, 금속, 금속 질화물 또는 합금을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 액티브 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(135), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 포함하는 박막 트랜지스터가 기판(100)의 화소 영역(PA) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(PA)은 복수의 화소들을 포함하며, 상기 각 화소마다 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다.
또한, 상기 박막 트랜지스터, 데이터 라인(D) 및 스캔 라인(S)을 포함하는 화소 회로가 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(150)은 도 1에 도시된 데이터 라인(D)과 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150), 드레인 전극(155) 및 데이터 라인(D)은 상기 제2 도전막으로부터 동일한 상기 사진 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
이후, 층간 절연막(140), 게이트 절연막(130), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 커버하는 비아 절연막(160)을 형성할 수 있다. 비아 절연막(160)은 도 14에 도시된 트렌치(146)를 충분히 채우며 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
비아 절연막(160)은 예를 들면, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 사용하여 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 비아 절연막(160)을 부분적으로 식각하여 비아 홀(via hole)(163) 및 개구부(165)를 형성할 수 있다. 비아 홀(163)을 통해 예를 들면, 드레인 전극(155)의 상면이 노출될 수 있다. 개구부(165)는 투과 영역(TA) 상에 형성되어, 도 14에 도시된 트렌치(146)와 연통될 수 있다. 예를 들면 리세스(105) 내에 형성된 게이트 절연막(130) 부분이 개구부(165)의 저면을 통해 노출될 수 있다.
개구부(165)는 베이스 기판(100)에 형성된 리세스(105)와 실질적으로 중첩될 수 있다. 예를 들면, 개구부(165)는 리세스(105) 내에 삽입된 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 비아 홀(163) 및 개구부(165)는 실질적으로 단일 식각 마스크를 사용하는 동일한 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 개구부(165)를 통해 노출된 게이트 절연막(130) 부분을 추가적으로 식각할 수도 있다. 이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 깊이가 확장된 개구부(166)를 형성할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 비아 절연막(162)은 도 5에 도시된 바와 같이, 투과 영역(TA) 상에서 오목부(168)를 포함하도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 도 16에 도시된 개구부(165)의 형성은 생략될 수도 있다.
도 17을 참조하면, 비아 절연막(160) 상에 비아 홀(163)을 채우며, 예를 들면 드레인 전극(155)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(170)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 캐리어 기판(50) 상에 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판이 제조될 수 있다.
예를 들면, 비아 절연막(160) 상기 비아 홀(163)을 채우는 제3 도전막을 형성하고, 상기 제3 도전막을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 화소 전극(170)을 형성할 수 있다.
상기 제3 도전막은 금속, 합금, 금속 질화물 또는 ITO 등과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
한편, 상술한 배리어막(110), 상기 반도체 층, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 및 제1 내지 제3 도전막들은 예를 들면, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(high density plasma-chemical vapor deposition: HDP-CVD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정, 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD), 열 증착 공정, 진공 증착 공정 또는 프린팅 공정들 중에서 적어도 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 18을 참조하면, 도 17에 도시된 상기 투명 표시 기판 상에 발광 구조물을 적층할 수 있다.
화소 정의막(175)은 화소 영역(PA)의 비아 절연막(160) 부분 상에 형성되어, 예를 들면 화소 전극(170)의 주변부를 커버할 수 있다. 화소 정의막(175)은 예를 들면, 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지와 같은 감광성유기물질을도포한후, 노광 및 현상 공정을 통해 형성될 수 있다.
표시층(180)은 예를 들면, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 위한 유기 발광 물질을 사용하여 화소 정의막(175)에 의해 노출된 각 화소 전극(170) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시층(180)은 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소가 형성될 영역을 노출시키는 개구부를 포함하는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask: FMM)를 사용하여 스핀 코팅 공정, 롤 프린팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 각 화소별로 상기 유기 발광 물질을 포함하는 유기 발광층이 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층 형성 전에 상술한 정공 수송 물질을 사용하여 정공 수송층을 더 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층 상에 상술한 전자 수송 물질을 사용하여 전자 수송층을 더 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 표시층(180)에 포함되어 각 화소 별로 패터닝 또는 프린팅될 수 있다.
표시층(180) 상에는 예를 들면, Al, Ag, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 일 함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 증착하여 대향 전극(190)을 형성할 수 있다. 대향 전극(190)은 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전성 물질을 증착하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 대향 전극(190)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA)을 동시에 노출시키는 오픈 마스크를 사용하는 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다
일부 실시예들에 있어서, 대향 전극(190)은 투과 영역(TA)에서는 개구부(165)에 의한 증착 거리 증가에 따라 화소 영역(PA)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다.
대향 전극(190) 상에는 예를 들면, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 금속 산화물과 같은 무기 물질을 사용하여 봉지층(195)을 형성할 수 있다. 봉지층(195)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 연속적으로 연장되며, 개구부(165)의 내벽을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
이후, 캐리어 기판(50)을 베이스 기판(100)으로부터 분리하여 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같은 투명 표시 장치를 제조할 수 있다. 캐리어 기판(50)은 레이저-리프팅(laser-lifting) 공정 또는 기계적 장력을 통해 베이스 기판(100)으로부터 박리될 수 있다.
도 19를 참조하면, 일부 예시적인 실시예들에 있어서, 표시층(180a)은 투명 표시 기판 상에 순차적으로 적층된 정공 수송층(182), 유기 발광층 (184) 및 전자 수송층(186)을 포함할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 따르면, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(186)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(186)은 투과 영역(TA) 상에서 리세스(165)의 내벽을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
예를 들면, 정공 수송층(182) 및 전자 수송층(186)은 각각 상술한 정공 수송 물질 및 전자 수송 물질을 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA)을 공통으로 노출시키는 오픈 마스크를 사용하여 프린팅 또는 코팅함으로써 형성될 수 있다.
유기 발광층(184)은 정공 수송층(182)을 형성한 후, 화소 영역(PA) 상의 각 화소를 선택적으로 노출시키는 파인 메탈 마스크를 사용하여 발광 물질을 프린팅함으로써 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 대향 전극(190) 및 봉지층(195)은 도 18에서도 도시된 바와 같이, 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연속적으로 형성될 수 있다.
이후, 캐리어 기판(50)을 베이스 기판(100)으로부터 박리시켜 예를 들면, 도 7에 도시된 투명 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 20을 참조하면, 일부 예시적인 실시예들에 있어서, 표시층(180)은 도 18에 도시된 바와 같이, 각 화소마다 개별적으로 패터닝되며, 대향 전극(192)은 실질적으로 화소 영역(PA) 상에서만 선택적으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 개구부(165) 내에는 실질적으로 대향 전극(192)이 형성되지 않을 수 있다.
예를 들면, 화소 영역(PA)을 선택적으로 노출시키는 파인 메탈 마스크를 사용하여 금속 또는 투명 도전성 물질을 화소 정의막(175) 및 표시층(180) 상에 증착함으로써, 대향 전극(192)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 개구부(165)의 내벽 상에 금속 또는 도전성 물질에 대한 친화도가 낮은 물질을 사용하여 증착 조절막을 형성할 수 있다. 이 경우, 대향 전극(192) 형성을 위해 상기 금속 또는 투명 도전성 물질을 예를 들면 오픈 마스크를 사용하여 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에 공급하더라도, 상기 증착 조절막에 의해 개구부(165) 내에는 실질적으로 대향 전극(192)이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 실질적으로 화소 영역(PA) 상에만 선택적으로 대향 전극(192)을 형성할 수 있다.
봉지층(195)은 화소 영역(PA) 및 투과 영역(TA) 상에서 공통으로 연속적으로 형성될 수 있다. 봉지층(195)은 화소 영역(PA)에서는 대향 전극(192)과 접촉하며, 투과 영역(TA)에서는 개구부(165)의 내벽과 접촉할 수 있다.
이후, 캐리어 기판(50)을 베이스 기판(100)으로부터 박리시켜 예를 들면, 도 8에 도시된 투명 표시 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 기판 및 투명 표시 장치는 투과성이 향상된 플렉시블 표시 장치에 활용될 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 표시 기판 및 투명 표시 장치는 컴퓨터, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, MP3 플레이어 등의 전자 기기뿐만 아니라, 자동차용 네비게이션 또는 헤드 업(Head up) 디스플레이 등에도 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
PA: 화소 영역 TA: 투과 영역
50: 캐리어 기판 60: 포토 마스크
62: 차광부 64: 반투과부
100: 베이스 기판 105: 리세스
110: 배리어 막 120: 액티브 패턴
130: 게이트 절연막 130a: 게이트 절연막 패턴
135: 게이트 전극 140: 층간 절연막
142: 제1 콘택 홀 144: 제2 콘택 홀
146: 트렌치 150: 소스 전극
155: 드레인 전극 160, 162: 비아 절연막
163: 비아 홀 165, 166, 167: 개구부
168: 오목부 170: 화소 전극
175: 화소 정의막 180, 180a: 표시층
182: 정공 수송층 184: 유기 발광층
186: 전자 수송층 190, 192: 대향 전극
195: 봉지층
50: 캐리어 기판 60: 포토 마스크
62: 차광부 64: 반투과부
100: 베이스 기판 105: 리세스
110: 배리어 막 120: 액티브 패턴
130: 게이트 절연막 130a: 게이트 절연막 패턴
135: 게이트 전극 140: 층간 절연막
142: 제1 콘택 홀 144: 제2 콘택 홀
146: 트렌치 150: 소스 전극
155: 드레인 전극 160, 162: 비아 절연막
163: 비아 홀 165, 166, 167: 개구부
168: 오목부 170: 화소 전극
175: 화소 정의막 180, 180a: 표시층
182: 정공 수송층 184: 유기 발광층
186: 전자 수송층 190, 192: 대향 전극
195: 봉지층
Claims (20)
- 화소 영역 및 투과 영역을 포함하며, 상기 투과 영역에서 상대적으로 얇은 두께를 갖고, 폴리이미드를 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되는 화소 회로;
상기 화소 회로를 커버하는 절연 구조;
상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되며, 상기 절연 구조를 적어도 부분적으로 관통하여 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및
상기 절연 구조 내에 형성되며 상기 베이스 기판의 상기 투과 영역과 중첩되는 개구부 또는 오목부를 포함하는 투명 표시 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 베이스 기판의 두께는 상기 화소 영역에서의 두께의 1/2 내지 1/4 범위인 투명 표시 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 절연 구조는 상기 베이스 기판의 상면 상에 순차적으로 적층된 배리어막, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 비아 절연막을 포함하며,
상기 화소 회로는,
상기 배리어막 상에 배치된 액티브 패턴;
상기 게이트 절연막 상에 배치되며, 상기 액티브 패턴과 중첩되는 게이트 전극; 및
상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 화소 전극은 상기 비아 절연막을 관통하는 투명 표시 기판. - 제4항에 있어서, 상기 배리어막 및 상기 게이트 절연막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장되고,
상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되고,
상기 비아 절연막은 상기 층간 절연막의 상면 및 측벽을 커버하며, 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성된 투명 표시 기판. - 제4항에 있어서, 상기 배리어막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장되고,
상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되고,
상기 비아 절연막은 상기 층간 절연막의 상면 및 측벽을 커버하며, 상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성되고,
상기 게이트 절연막은 상기 투과 영역 상에서 상기 개구부에 의해 절단된 형상을 갖는 투명 표시 기판. - 제4항에 있어서, 상기 배리어막, 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 공통으로 연속적으로 연장되고,
상기 층간 절연막은 상기 투과 영역 상에서 상대적으로 얇은 두께를 가지고,
상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성되고, 상기 개구부에 의해 상기 상대적으로 얇은 두께를 갖는 상기 층간 절연막 부분이 노출되는 투명 표시 기판. - 제4항에 있어서, 상기 비아 절연막은 상기 투과 영역과 중첩되는 상기 오목부를 포함하는 투명 표시 기판.
- 제4항에 있어서, 상기 베이스 기판은 상기 투과 영역 상에 형성된 리세스를 포함하며, 상기 배리어막은 상기 리세스의 내벽을 따라 연장되어 상기 리세스를 부분적으로 채우는 투명 표시 기판.
- 화소 영역 및 투과 영역을 포함하며, 상기 투과 영역에 형성된 리세스를 포함하고, 폴리이미드를 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되는 화소 회로;
상기 화소 회로를 커버하며 상기 리세스와 중첩되는 개구부 또는 오목부를 포함하는 절연 구조;
상기 베이스 기판의 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되며, 상기 절연 구조를 적어도 부분적으로 관통하여 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 형성된 표시층; 및
상기 표시층 상에 배치되며 상기 화소 전극과 마주보는 대향 전극을 포함하는 투명 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 대향 전극은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 연속적으로 연장되며,
상기 개구부의 내벽 상에 형성된 상기 대향 전극의 부분은 상대적으로 얇은 두께를 갖는 투명 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 표시층은 상기 화소 전극 상에 순차적으로 적층된 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함하고,
상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역 상에서 연속적으로 연장되며, 상기 개구부의 내벽을 따라 컨포멀한 프로파일을 가지고,
상기 유기 발광층은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되는 투명 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 대향 전극 및 상기 표시층은 상기 화소 영역 상에 선택적으로 배치되는 투명 표시 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 대향 전극 상에 형성된 봉지층을 더 포함하며,
상기 봉지층은 상기 개구부의 내벽과 접촉하는 투명 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 절연 구조는 복수의 막들을 포함하고,
상기 투과 영역 상에 형성된 상기 복수의 막들의 수 및 총 두께는 상기 화소 영역 상에 형성된 상기 복수의 막들의 수 및 총 두께보다 작은 투명 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 리세스의 깊이는 상기 베이스 기판 두께의 1/2 내지 3/4 범위인 투명 표시 장치.
- 폴리이미드를 포함하며, 화소 영역 및 투과 영역으로 구분되는 베이스 기판을 형성하는 단계;
상기 투과 영역의 상기 베이스 기판의 상부를 제거하여 리세스를 형성하는 단계;
상기 베이스 기판의 상면 및 상기 리세스의 내벽 상에 배리어막을 형성하는 단계;
상기 화소 영역의 상기 배리어막 부분 상에 화소 회로를 형성하는 단계;
상기 배리어막 상에 상기 화소 회로를 커버하는 절연막을 형성하는 단계;
상기 투과 영역의 상기 절연막 부분을 적어도 부분적으로 제거하여 개구부를 형성하는 단계;
상기 화소 영역의 상기 절연막 부분 상에 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 상에 표시층을 형성하는 단계; 및
상기 표시층 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 포함하는 투명 표시 장치의 제조 방법. - 제17항에 있어서, 상기 리세스를 형성하는 단계는 하프 톤 마스크를 사용하여 상기 투과 영역의 상기 베이스 기판 부분을 노광하는 단계를 포함하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 절연막은 상기 배리어막 상에 순차적으로 적층되는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 비아 절연막을 포함하고,
상기 화소 회로를 형성하는 단계는,
상기 배리어막 상에 액티브 패턴을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 상에 상기 액티브 패턴과 중첩되도록 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 부분적으로 제거하여 상기 화소 영역 상에서 상기 액티브 패턴을 노출시키는 콘택 홀들 및 상기 투과 영역 상에서 상기 리세스와 중첩되는 트렌치를 형성하는 단계; 및
상기 콘택 홀들을 채우는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 투명 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서, 상기 비아 절연막을 부분적으로 제거하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 비아 홀을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 개구부는 상기 비아 절연막 내에 형성되어 상기 트렌치와 연통되며, 상기 비아 홀과 동일한 식각 공정을 통해 형성되는 투명 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150017990A KR102370035B1 (ko) | 2015-02-05 | 2015-02-05 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| CN201510968836.5A CN105870146B (zh) | 2015-02-05 | 2015-12-22 | 透明显示基板、透明显示设备和制造透明显示设备的方法 |
| US15/016,241 US9634074B2 (en) | 2015-02-05 | 2016-02-04 | Transparent display substrates, transparent display devices and methods of manufacturing transparent display devices |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150017990A KR102370035B1 (ko) | 2015-02-05 | 2015-02-05 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160096760A KR20160096760A (ko) | 2016-08-17 |
| KR102370035B1 true KR102370035B1 (ko) | 2022-03-07 |
Family
ID=56567074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150017990A KR102370035B1 (ko) | 2015-02-05 | 2015-02-05 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9634074B2 (ko) |
| KR (1) | KR102370035B1 (ko) |
| CN (1) | CN105870146B (ko) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102240894B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2021-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102245771B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104733504A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及制备方法、oled面板及显示装置 |
| KR102485707B1 (ko) | 2016-01-29 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102519420B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2023-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2017212360A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| KR102611500B1 (ko) | 2016-08-31 | 2023-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치와 그의 제조방법 |
| KR20180041796A (ko) * | 2016-10-14 | 2018-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20180046960A (ko) | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102631257B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN107170791B (zh) * | 2017-07-10 | 2020-02-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示面板 |
| JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| CN107579171B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
| KR102381901B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2022-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN107706214B (zh) * | 2017-09-13 | 2019-11-22 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置 |
| CN111149429B (zh) * | 2017-09-28 | 2022-10-04 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| CN109599030B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及电子产品 |
| CN107887398B (zh) * | 2017-11-14 | 2022-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置 |
| DE102017129524A1 (de) * | 2017-12-12 | 2019-06-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display |
| KR102520016B1 (ko) * | 2018-02-02 | 2023-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR102638296B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2024-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| WO2019178782A1 (zh) * | 2018-03-21 | 2019-09-26 | 华为技术有限公司 | 一种显示屏及其制备方法、移动终端 |
| KR102609418B1 (ko) | 2018-06-29 | 2023-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 표시 패널의 제조 방법 |
| CN108962952B (zh) * | 2018-07-17 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR102661469B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
| CN109411522A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN109659345B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板 |
| CN111370446B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
| KR20200115887A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함한 표시 장치 |
| CN111755617B (zh) * | 2019-03-28 | 2023-08-15 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 屏下摄像组件及相应的终端设备 |
| KR20200120803A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP2020181190A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置及びその製造方法 |
| CN110164924B (zh) * | 2019-04-25 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR20200131400A (ko) * | 2019-05-13 | 2020-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| CN110224077A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-09-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
| KR20210008204A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110491913B (zh) * | 2019-07-31 | 2021-11-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110610970A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
| KR20210040230A (ko) * | 2019-10-02 | 2021-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210040224A (ko) * | 2019-10-02 | 2021-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110728919B (zh) * | 2019-10-25 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR20210062780A (ko) | 2019-11-21 | 2021-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR20210074494A (ko) | 2019-12-12 | 2021-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리이미드 기판 및 디스플레이 장치 |
| KR20210086888A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| EP4095919A4 (en) * | 2020-01-22 | 2023-01-25 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND DISPLAY DEVICE |
| KR20210120177A (ko) * | 2020-03-25 | 2021-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기 |
| KR20210130893A (ko) * | 2020-04-22 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102512014B1 (ko) | 2020-05-21 | 2023-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TWI729862B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光面板及其製作方法 |
| KR20220021082A (ko) * | 2020-08-12 | 2022-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 |
| US11294518B1 (en) | 2020-09-15 | 2022-04-05 | Tpk Advanced Solutions Inc. | Touch panel and device thereof |
| KR20220039918A (ko) * | 2020-09-21 | 2022-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| KR20220072956A (ko) * | 2020-11-25 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11552143B1 (en) | 2022-04-29 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | OLED panel with trench overhang structures |
| CN115132948B (zh) * | 2022-06-30 | 2024-02-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和电子装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242398B2 (en) * | 2002-02-18 | 2007-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Flexible display device |
| KR100484496B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-04-20 | 한국과학기술원 | 유기염이 도핑된 전하 주입층을 이용하는 유기/고분자전기발광소자 |
| JP4334258B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2009-09-30 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JP2005050708A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR20070075591A (ko) * | 2006-01-13 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 마스크, 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 패널 |
| KR100784707B1 (ko) | 2006-08-28 | 2007-12-12 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법 |
| TWI352430B (en) * | 2006-10-14 | 2011-11-11 | Au Optronics Corp | Lcd tft array substrate and fabricating method the |
| TWI363891B (en) | 2006-11-14 | 2012-05-11 | Lg Display Co Ltd | Manufacturing method of the flexible display device |
| KR101061719B1 (ko) | 2008-06-27 | 2011-09-02 | 한국정보통신주식회사 | 단골 고객 확인을 통한 쿠폰 제공 방법 및 시스템 |
| WO2011010503A1 (ja) | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 昭和電工株式会社 | 発光素子、発光素子の製造方法、画像表示装置および照明装置 |
| JP5476878B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-04-23 | カシオ計算機株式会社 | 発光パネルの製造方法 |
| KR101084195B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101274719B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2013-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과 그를 가지는 평판 표시 소자 |
| KR20110136991A (ko) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 주식회사 티지솔라 | 유기 발광 다이오드용 기판의 텍스쳐링 방법 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
| KR101922177B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2019-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR102010789B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102083987B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조방법 |
| JP6114670B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2017-04-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-05 KR KR1020150017990A patent/KR102370035B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-22 CN CN201510968836.5A patent/CN105870146B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-04 US US15/016,241 patent/US9634074B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160096760A (ko) | 2016-08-17 |
| US9634074B2 (en) | 2017-04-25 |
| CN105870146B (zh) | 2021-04-20 |
| CN105870146A (zh) | 2016-08-17 |
| US20160233289A1 (en) | 2016-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |