KR102363777B1 - 프로버 - Google Patents

프로버 Download PDF

Info

Publication number
KR102363777B1
KR102363777B1 KR1020207017615A KR20207017615A KR102363777B1 KR 102363777 B1 KR102363777 B1 KR 102363777B1 KR 1020207017615 A KR1020207017615 A KR 1020207017615A KR 20207017615 A KR20207017615 A KR 20207017615A KR 102363777 B1 KR102363777 B1 KR 102363777B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inspected
chip
unit
region
led
Prior art date
Application number
KR1020207017615A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200089714A (ko
Inventor
시게루 가사이
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200089714A publication Critical patent/KR20200089714A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102363777B1 publication Critical patent/KR102363777B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

배치대 상의 기판에 매트릭스형으로 배열된 피검사 칩에 순서대로 프로브 테스트를 행할 때에, 검사 대상의 피검사 칩 이외의 피검사 칩에의 열부하를 경감하는 것.
피검사 칩(100)을 배열하는 배치대(2)의 배치면과는 반대측에 피검사 칩(100)마다 설정된 영역을 각각 독립적으로 가열하도록 복수의 LED 유닛(3)을 설치하고 있다. 그리고 피검사 칩(100)의 검사 시에 있어서, 상기 복수의 LED 유닛(3) 중, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩(100)의 영역 및 상기 영역의 주변 영역 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩(100)의 영역에 대응하는 영역의 LED 유닛(3)을 구동하도록 하고 있다. 이 때문에 검사가 행해지는 피검사 칩(100) 이외의 피검사 칩(100)에의 열부하를 경감할 수 있다.

Description

프로버
본 발명은 매트릭스형으로 배열된 피검사 디바이스의 전기적 특성의 검사를 행하는 프로버에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 예컨대 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 표면에 IC(집적 회로) 등의 IC칩을 매트릭스형으로 형성한다. 그 후, IC칩이 분리되기 전의 웨이퍼의 상태인 채로, 피검사 칩에 전압을 인가하여 전기적 특성을 조사하는 프로브 테스트가 행해진다.
프로브 검사를 통과한 IC칩은, 패키징이 이루어진 후, 개개의 패키지에 대해 최종적인 검사가 행해지는데, 패키징에는, 비용이 많아진다. 그 때문에 프로브 테스트에서, 가능한 한 정밀도가 높은 검사를 행하여, 패키징을 행하기 전의 단계에서, 문제점을 포함한 IC칩을 가능한 한 발견하는 요청이 있다. 최근에는, 피검사 칩을 실장 환경의 온도에 노출시킨 상태로, 프로브 테스트에서, 실장 시의 전압을 인가하여, 전기적 특성의 검사가 행해지고 있다. 이때 피검사 칩이 형성된 웨이퍼의 온도 제어는, 배치대의 내부에 설치한, 냉매 유로나 히터에 의해 행해지는데, 냉매 유로나 히터의 소형화는 곤란하고, 배치대의 표면 전체의 온도 조정을 행하여, 배치대 상의 웨이퍼에 형성된 복수의 IC칩을 일률적으로 온도 조정하고 있다.
그런데 최근 IC는 고속화나 미세화가 진행되어 집적도가 높아지고 있기 때문에, 동작 시의 발열량이 증대하고 있다. 그 때문에 프로브 테스트에 있어서, 피검사 칩에 실장 시의 전압을 인가했을 때에, 피검사 칩으로부터 발생하는 열량도 커진다. 이에 의해 예컨대 고온 환경에 있어서의 프로브 테스트를 행했을 때에, 피검사 칩 주위의, 검사를 행하고 있지 않은 IC칩도, 히터에 의한 승온과 피검사 칩의 검사에 의해 발생하는 열의 열부하에 노출되어 버려 문제점의 요인이 될 우려가 있다. 따라서 프로브 테스트에 있어서, 피검사 칩에 실장 시의 전압보다 낮은 전압을 인가하여 검사를 함으로써, 피검사 칩으로부터 발생하는 열량을 억제하지 않을 수 없어, 패키징 전에 IC칩의 문제점을 충분히 다 발견할 수 없는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성 제7-297242호 공보
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 배치대 상의 기판에 매트릭스형으로 배열된 피검사 칩에 순서대로 프로브 테스트를 행할 때에, 검사 대상의 피검사 칩 이외의 피검사 칩에의 열부하를 경감하는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 프로버는, 기판에 매트릭스형으로 설치된 복수의 피검사 칩의 전기적 특성을 테스터에 의해 순서대로 검사하기 위한 프로버에 있어서,
상기 기판을 배치하는 배치대와,
상기 복수의 피검사 칩의 전극 패드에 순서대로 접촉시키는 접촉자와,
상기 배치대의 배치면과는 반대측에 있어서, 복수의 피검사 칩이 각각 위치하는 복수의 영역을 서로 독립적으로 가열하도록 설치되고, 각각 1개 또는 복수의 LED를 포함하는 복수의 LED 유닛과,
피검사 칩의 검사 시에 있어서, 상기 복수의 LED 유닛 중, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역 및 상기 영역의 주변 영역 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역에 대응하는 영역의 LED 유닛을 구동하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은 매트릭스형으로 배열된 복수의 피검사 칩의 전기적 특성을 테스터에 의해 순서대로 검사할 때에, 피검사 칩이 배열된 기판을 배치하는 배치대에 있어서의 배치면과는 반대측에 피검사 칩을 각각 독립적으로 가열하도록 복수의 LED 유닛을 설치하고 있다. 그리고 피검사 칩의 검사 시에 있어서, 검사가 행해지는 피검사 칩 및 상기 영역의 주변 영역 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩에 대응하는 영역을 가열하도록 하고 있다. 이 때문에 검사가 행해지는 피검사 칩 이외의 피검사 칩에의 열부하를 경감할 수 있다.
도 1은 웨이퍼에 형성된 검사 대상이 되는 IC칩을 도시한 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 프로버의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 프로버에 이용되는 배치대의 평면도이다.
도 4는 상기 배치대의 표면부에 있어서의 종단면도이다.
도 5는 프로버의 제어부를 도시한 구성도이다.
도 6은 LED 유닛을 개별적으로 점등시키기 위한 회로를 도시한 회로도이다.
도 7은 다이오드 매트릭스 회로를 도시한 회로도이다.
도 8은 온도 검출부를 도시한 개략 구성도이다.
도 9는 온도 제어 회로를 도시한 설명도이다.
도 10은 제1 실시형태의 작용을 도시한 설명도이다.
도 11은 제1 실시형태의 작용을 도시한 설명도이다.
도 12는 상기 배치대의 다른 예를 도시한 평면도이다.
도 13은 제2 실시형태에 있어서 각 트랜지스터의 온/오프의 전환을 도시한 타임차트이다.
도 14는 각 트랜지스터의 온/오프의 전환의 다른 예를 도시한 타임차트이다.
도 15는 각 트랜지스터의 온/오프의 전환의 또 다른 예를 도시한 타임차트이다.
도 16은 본 발명의 실시형태의 다른 예에 따른 배치대의 평면도이다.
도 17은 LED 유닛을 개별적으로 점등시키기 위한 회로를 도시한 회로도이다.
[제1 실시형태]
제1 실시형태에 따른 프로버에 대해 설명하는데, 먼저 피검사 칩이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 설명한다. 웨이퍼(W)는 예컨대 직경 300 ㎜의 원판형으로 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 주연부(周緣部) 5 ㎜의 커트 라인보다 내측의 영역은, 도 1에 도시된 바와 같이, 예컨대 한 변이 30 ㎜의 정사각형의 영역(D)을 빈틈없이 깐 격자형으로 구획되어 있고, 각 영역(D)에는, 표면에 IC 등이 구성된 직사각형의 IC칩(100)이 형성되어 있다. 각 IC칩(100)에는, IC칩(100)을 구성하는 소자에 전류를 공급하기 위한 전극 패드(101)가 형성되어 있고, 프로버에 있어서는, 상기 전극 패드(101)에 실장 시의 전압을 인가하여, 전기적 특성을 검사한다. 또한 IC칩(100)에 있어서의 일부의 전극 패드(101a)는, 예컨대 다이오드 등의 온도 측정에 이용하기 위한 온도 측정용의 소자(102)에 접속되어 있다. 그리고 후술하는 피검사 칩(100)의 온도를 측정할 때에는, 온도 측정용의 소자(102)에 접속된 전극 패드(101a)가 이용된다. 한편 이하 명세서 중에서는, 피검사 대상의 IC칩과 검사 대상이 아닌 IC칩을 구별하지 않고 피검사 칩(100)이라고 나타낸다.
계속해서 프로버의 전체 구성에 대해 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 프로버는, 장치 본체를 구성하는 케이스(1)를 구비하고 있다. 이 케이스(1)의 바닥부의 베이스(11) 상에는, Y 방향(도 2와 교차하는 방향)으로 연장되는 Y 레일(211)을 따라 이동 가능하게 구성된 Y 스테이지(21)가 설치되어 있다. 또한 Y 스테이지(21) 상에는, X 방향(도 2를 마주보아 좌우 방향)으로 연장되는 X 레일(221)을 따라 이동 가능하게 구성된 X 스테이지(22)가 설치되어 있다.
예컨대 Y 스테이지(21)나 X 스테이지(22)에는, 도시하지 않은 볼 나사 기구가 병설되고, 인코더가 조합된 모터를 이용하여 볼 나사의 회전량을 조절할 수 있다. 이 구성에 의해 Y 스테이지(21)의 Y 방향의 정지 위치, 및 X 스테이지(22)의 X 방향의 정지 위치를 정확히 조정할 수 있다.
X 스테이지(22) 위에는, 신축 가능하게 구성된 신축축(231)에 지지되고, Z 방향(상하 방향)으로 승강 가능하게 구성된 Z 이동부(23)가 설치되어 있다. 또한 이 Z 이동부(23)의 상면측에는, Z 이동부(23) 상에서 Z축 주위로 회전 가능(θ 방향으로 이동 가능)하게 구성된 배치대(2)가 설치되어 있다. 전술한 Y 스테이지(21), X 스테이지(22), 신축축(231)에 지지된 Z 이동부(23)는, 본 실시형태의 이동 기구를 구성하고, 배치대(2)를 X, Y, Z, θ의 각 방향으로 이동시킬 수 있다.
Y 스테이지(21), X 스테이지(22), Z 이동부(23)에 의해 배치대(2)[배치면에 배치된 웨이퍼(W)]가 이동하는 영역을 이동 영역이라고 부르면, 상기 이동 영역의 상방에는 프로브 카드(13)가 설치되어 있다. 프로브 카드(13)는, 케이스(1)의 상부판(12)에 착탈 가능하게 부착되어 있다.
프로브 카드(13)는 PCB(Printed circuit board)로서 구성되고, 그 상면측에는, 전극군이 형성되어 있다. 또한 상부판(12)의 상방에 배치된 테스터(14)와 프로브 카드(13) 사이에는, 테스터(14)측의 단자와 이미 서술한 전극군 사이의 전기적 도통(導通)을 취하기 위한 인터페이스(41)가 개재되어 설치되어 있다.
인터페이스(41)는, 프로브 카드(13)의 전극군의 배치 위치에 대응하도록, 전극부인 포고핀(411)이 다수 배치된 포고핀 유닛으로서 구성되고, 인터페이스(41)는, 예컨대 테스터(14)측에 고정되어 있다.
또한, 테스터(14)는 프로브 카드(13)를 통해 취득한 피검사 칩의 전기적 특성을 나타내는 전기 신호를 검사 데이터로서 기억하는 데이터 기억부나, 검사 데이터에 기초하여 피검사 칩(100)의 전기적인 결함의 유무를 판정하는 판정부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 프로브 카드(13)의 하면측에는, 상면측의 전극군에 대해 각각, 전기적으로 접속된 프로브인, 다수의 프로브 바늘(131)이 설치되어 있다.
계속해서 배치대(2)에 대해 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이 배치대(2)는, 웨이퍼(W)가 배치되는 영역에 걸친 영역(D)이, 격자형으로 구획되고, 11열[칼럼(C1∼C11)], 11행[로우(row; R1∼R11)]의 97개의 한 변이 30 ㎜의 직사각형의 영역(D)으로 분할되어 있다. 이후 명세서 중에서는, 각 영역(D)에 대해, 도 3 중의 각 영역(D)에 붙인 번호를 붙여 설명한다.
배치대(2)는, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)가 배치되는 면과는 반대측으로부터, 배치면에 배치된 웨이퍼(W)의 하면을 향해 광을 조사하는 LED 유닛(3)이, 각 영역(D)마다 개별적으로 설치되어 있다. LED 유닛(3)은, 예컨대 복수의 LED 광원(31)을 늘어놓아 구성되고, 대응하는 영역(D)에 배치된 웨이퍼(W)의 하면에 있어서의 상기 영역(D)의 전역에 광을 조사할 수 있도록 구성되어 있다. 한편 LED 유닛(3)은 하나의 LED 광원(31)으로 구성되어 있어도 좋다.
배치대(2)에 있어서의 LED 유닛(3)의 군의 상방에는, 냉각 유닛(32)이 설치되어 있다. 냉각 유닛(32)은, 예컨대 LED의 광을 거의 감쇠시키지 않고 투과시키는 석영 등의 부재로 구성되고, 내부에 모든 영역(D)에 공통되는 냉매 유로(33)가 형성되어 있다. 냉매 유로(33)에는, 펌프, 유량 조정부, 펠티에 소자 등으로 구성된 냉각 기구를 구비한 냉매 통류 기구(34)가 접속되어 있다. 그리고 냉매 유로(33)에 예컨대 물이나 갈덴(등록 상표) 등의 냉매를 소정의 유량으로 통류시킴으로써, 배치면에 배치된 웨이퍼(W)를 냉각할 수 있도록 구성되어 있다.
냉각 유닛(32)의 상방에는, O링(36)을 통해, 배치면을 구성하는 배치판(35)이 설치되어 있다. 배치판(35)은, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)보다 큰, 예컨대 직경 310 ㎜의 원판형으로 구성되고, 예컨대 석영 등의 LED광을 투과시키는 재질로 구성되어 있다.
또한 프로버는, 프로버의 동작을 제어하기 위한 제어부(9)를 구비하고 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 제어부(9)는, LED 유닛(3)의 점등을 제어하는 LED 제어부(91)와, 배치대(2)의 이동이나, 프로브 바늘을 피검사 칩(100)에 밀어붙여 검사를 실행하는 동작 등을 제어하는 주제어부(90)를 구비하고 있다. 이에 의해 주제어부(90)로부터 LED 제어부(91)에, 예컨대 검사를 행하는 피검사 칩(100)이 배치되어 있는 영역을 나타내는 정보가 송신된다.
계속해서 각 영역(D)의 LED 유닛(3)을 개별적으로 점등시키기 위한 회로에 대해 설명한다. 도 6에 도시된 바와 같이 이 제어 회로는, 예컨대 종횡으로 배열된 LED 유닛(3)을 포함하는 다이오드 매트릭스 회로(5)와, 다이오드 매트릭스 회로(5)에 전력을 공급하는 전력 공급부(7)를 구비하고 있다. 또한 다이오드 매트릭스 회로(5)에 있어서의, 점등시키는 LED 유닛(3)을 선택하기 위한, 칼럼(열) 제어부(74)와, 로우(행) 제어부(75)를 구비하고 있다. 또한 도 6 중의 부호 73은, 전력 공급부(7)와, 칼럼 제어부(74) 및 로우 제어부(75)를 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 원칩 CPU를 포함하는 데이터 처리부(컨트롤러)이다. 이 예에서는, 데이터 처리부(73), 칼럼 제어부(74), 로우 제어부(75) 및 다이오드 매트릭스 회로(5)에 있어서의 구동 회로의 부위가 LED 제어부(91)에 상당한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전력 공급부(7)는, 교류 전원(71)과, 부하측에 공급되는 고주파 전력의 역률(力率)을 개선하는 역률 개선 회로(721)와, 교류 전력으로부터 직류 전력을 얻는 정류 평활 회로(722)와, 직류 전력의 전압 조정을 행하는 강압(降壓) 초퍼 회로(723)를 구비하고 있다.
교류 전원(71)은, 예컨대 상용 교류 전원을 이용하여, 50/60 ㎐, 200 V의 교류 전력을 공급한다. 예컨대 공지의 인터리브 전류 연속 모드 방식의 역률 개선 회로(721)와 조합하여 설치된 정류 평활 회로(722)로부터는, 예컨대 400 V의 직류 전력이 출력된다.
강압 초퍼 회로(723)는, 정류 평활 회로(722)로부터 공급된 직류 전류를, 예컨대 10 V∼400 V의 범위의 전압을 갖는 직류 전력으로 조정한다. 역률 개선 회로(721) 내의 액티브 필터의 듀티 제어, 강압 초퍼 회로(723)의 PWM 제어는, 데이터 처리부(73)에 의해 제어된다.
이어서 다이오드 매트릭스 회로(5)에 대해 설명한다. 기판에 설치된 피검사 칩(100)은, 11행, 11열의 매트릭스형의 배열 영역 중, 4모퉁이 부위가 말하자면 계단형으로 결락(缺落)된 배열 영역의 각각에 설치되어 있다. 각 LED 유닛(3)은, 피검사 칩(100)의 배열에 대응하여 11행, 11열의 매트릭스형으로 설치되어 있다. 한편 각 LED 유닛(3)도 11행, 11열의 매트릭스형의 배열 영역 중, 4모퉁이 부위가 마찬가지로 결락되도록 설치되어 있다.
다이오드 매트릭스 회로(5)는, 이와 같이 배열된 LED 유닛(3)과 각 LED 유닛(3)을 구동하는 구동 회로(드라이버)로 구성되어 있다. 도 7에 도시된 다이오드 매트릭스 회로(5)에 있어서는, 회로도의 작도의 편의상, 매트릭스형의 배열 영역에 있어서 상기한 결락된 배열 부위에 대해서도 LED 유닛(3)을 기재하고 있으나, 실제로는 상기 영역에는 LED 유닛이 설치되어 있지 않다.
구동 회로는 각 행(로우)마다 설치된 로우용의 스위칭부인 트랜지스터와 각 열(칼럼)마다 설치된 칼럼용의 스위칭부인 트랜지스터를 구비하고 있다.
각 행의 트랜지스터에는, 제1행째, 제2행째, … 제n행째에 각각 대응하여 부호 TrR1, TrR2 … TrRn을 할당하고, 각 열의 트랜지스터에는, 제1열째, 제2열째, … 제n열째에 각각 대응하여 부호 TrC1, TrC2 … TrCn을 할당하고 있다. 이하에 있어서는, 개별적인 트랜지스터의 설명에서는, 트랜지스터의 말미의 부호(수치)를 기재하지만, 총괄적인 트랜지스터의 설명에서는, 트랜지스터의 말미에는 부호를 붙이지 않고, TrR 혹은 TrC라고 기재하는 것으로 한다.
각 행의 LED 유닛(3)의 캐소드측은, 대응하는 트랜지스터(TrR)의 컬렉터에 접속되고 각 트랜지스터(TrR)의 이미터는 접지되어 있다. 각 트랜지스터(TrR)의 베이스는, 로우 제어부(75)에 의해 구동 전압이 공급되도록 되어 있고, 온이 되는 각 트랜지스터(TrR)가 로우 제어부(75)에 의해 선택된다.
각 열의 LED 유닛의 애노드측은, 대응하는 트랜지스터(TrC)의 컬렉터에 접속되고 각 트랜지스터(TrC)의 이미터는 전력 공급부(7)에 접속되어 있다. 각 트랜지스터(TrC)의 베이스는, 칼럼 제어부(74)에 의해 구동 전압이 공급되도록 되어 있고, 온이 되는 각 트랜지스터(TrC)가 칼럼 제어부(74)에 의해 선택된다.
도 6에 도시된 데이터 처리부(73)에 도시하지 않은 메모리가 설치되어 있다. 상기 메모리에는, 검사를 행하는 피검사 칩(100)(영역)의 번호와, 구동(점등)해야 할 LED 유닛(3)을 구동하기 위한 트랜지스터(TrR, TrC)에 대응하는 디지털 코드가 대응되어 기억되어 있다. 따라서 데이터 처리부(73)는, 주제어부(90)로부터 검사 대상이 되는 피검사 칩(100)의 번호가 지정되면, 그 피검사 칩(100)에 대응하는 이미 서술한 디지털 코드를 메모리로부터 읽어내어 로우 제어부(75) 및 칼럼 제어부(74)에 출력한다. 이에 의해 로우 제어부(75) 및 칼럼 제어부(74)로부터 각각 트랜지스터(TrR, TrC)에 선택 신호(구동 신호)가 출력되고, 상기 피검사 칩(100)에 대응하는 LED 유닛(3)이 구동된다.
또한 프로버는, 피검사 칩(100)의 온도를 측정하기 위한 온도 검출부를 구비하고 있다. 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이 프로브 바늘(131) 중, 피검사 칩(100)에 있어서의 온도 측정용의 소자(102)와 접속된 전극 패드(101a)에 접촉하는 2개의 프로브 바늘(131)에 전기적으로 접속된 중간 접속 유닛인 포고핀(411)에는, 각각 릴레이(81)가 설치되어 있다. 각 릴레이(81)는, 전극 패드(101a)의 전위를 테스터(14)측과, 온도 검출부(8)측으로 전환하여 전달하도록 구성되어 있다. 이에 의해 예컨대 피검사 칩(100)의 전기적 특성의 검사를 행할 때에, 소정의 타이밍에 각 전극 패드(101a)의 전위를 온도 검출부(8)에 전달한다.
이때 다이오드 등 온도 측정용의 소자(102)는, 각 전극 패드(101)에 인가된 소정의 전압에 따라 전위차를 발생시키는데, 상기 전위차는, 온도에 따라 상이하다. 따라서 온도 측정용의 소자(102)의 각 전극에 대응하는 전극 패드(101a) 사이의 전위차에 기초하여 온도 측정용의 소자(102)의 온도를 측정할 수 있다. 또한 온도 측정용의 소자(102)의 온도는 대략 피검사 칩(100)의 온도가 되기 때문에, 상기 전위차는, 피검사 칩(100)의 온도에 대응한 값이라고 할 수 있다. 그리고 프로버에 있어서는, 온도 검출부(8)에서 검출된 온도에 기초하여 피드백을 행하여, 강압 초퍼 회로(723)의 PWM 제어를 행한다. 이에 의해 전력 공급부(7)의 출력을 조정하여, LED 유닛(3)의 발광 강도를 제어한다.
도 9는 검출한 온도에 따라 피드백을 행하여, 강압 초퍼 회로(723)의 PWM 제어를 행하여, 전력 공급부(7)의 출력을 제어하는 제어 회로를 도시한다. 전술한 온도 검출부(8)에 있어서는, 일정 전류가 흐르도록 정전류원을 교정하고, 그때의 다이오드 전압이 온도에 상당한다. 그 전압을, 예컨대 전압 센서에 의해 취득한다. 이 온도 정보값에 상당하는 전압값은, 필터(82)를 통과한 후, 가산부(85)에서 설정 온도에 상당하는 설정 전류값과의 편차분이 구해진다. 그리고 편차분은, PID 제어부(83)에 입력되고, 상기 편차분에 따라 PID 제어가 행해지며, 출력되는 조작량에 따라 듀티비 설정부(84)를 통해, 강압 초퍼 회로(723)에 있어서의 초퍼 동작의 듀티비가 조정된다. 이에 의해 강압 초퍼 회로(723)로부터, 다이오드 매트릭스 회로(5)에 입력되는 전압이 조정되고, 다이오드 매트릭스 회로(5)에 의해 선택되어 있는 영역(D)에 있어서의 LED 유닛(3)의 발광 강도가 조정되며, 대응하는 영역(D)의 가열 온도가 조정된다. 필터(82), 가산부(85), PID 제어부(83) 및 듀티비 설정부(84)는, 예컨대 데이터 제어부(73)에 설치된다.
또한 도 5에 도시된 주제어부(90)는 프로그램, 메모리, CPU를 포함하는 데이터 처리부 등을 구비하고, 프로그램에는 제어부(90)로부터 프로브 장치의 각부에 제어 신호를 보내어, 웨이퍼(W)의 검사 동작하기 위한 스텝군이 편입되어 있다. 이 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 도시하지 않은 기억부에 저장되어 제어부(91)에 인스톨된다.
계속해서 전술한 프로버의 작용에 대해 설명한다. 먼저 도시하지 않은 외부의 반송 아암에 의해 케이스(1) 내에 웨이퍼(W)를 반입하여, 배치대(2) 상에 배치한다. 이때 웨이퍼(W)에 있어서의 각 피검사 칩(100)을 형성한 각 영역(D)이, 배치대(2)측의 각 영역(D)에 위치가 맞춰지도록 배치된다.
그런 후, 배치대(2)를 상승시켜, 웨이퍼(W) 상의 예컨대 영역(D49) 위에 있는 피검사 칩(100)의 전극 패드(101)에 프로브 바늘(131)을 접촉시킨다. 이때 배치대(2)에 있어서는, 냉매 유로(33)에 냉매가 통류된다. 또한 전력 공급부(7)로부터 다이오드 매트릭스 회로(5)에 온도 설정값에 대응한 구동 전력이 공급된다. 또한 주제어부(90)로부터 피검사 칩(100)이 배치된 영역의 위치 정보가 데이터 처리부(73)에 송신된다. 또한 데이터 처리부(73)로부터 칼럼 제어부(74) 및 로우 제어부(75)에 최초로 검사 대상이 되는 피검사 칩에 대응한 위치에 있는 LED 유닛(3)을 점등하기 위한 제어 신호가 출력된다.
예컨대 영역(D49)에 있어서의 LED 유닛(3)을 먼저 점등시킨다고 하면, 도 10에 도시된 바와 같이 칼럼 제어부(74)로부터 트랜지스터(TrC6)에 1 V의 전압이 예컨대 10밀리초간 인가된다. 또한 동시에 로우 제어부(75)로부터 트랜지스터(TrR6)를 향해 1 V의 전압이 예컨대 10밀리초간 인가된다. 이에 의해, 트랜지스터(TrC6) 및 트랜지스터(TrR6)가 온이 되어, 칼럼(C6), 로우(R6)에 대응한 영역(D49)의 LED 유닛(3)이 점등된다.
LED 유닛(3)의 구동 전류는, 이미 서술한 바와 같이 데이터 처리부(73)에 의한 PWM 제어를 통해, 전압이 제어되어 있기 때문에, 영역(D49)에 대응한 LED 유닛(3)이 점등되어, 영역(D49)이 설정 온도, 예컨대 85℃가 되도록 가열된다. 이때 영역(D49) 이외의 영역(D)에 있어서는, 냉매에 의해 냉각된 상태가 된다.
또한 영역(D49)의 위치의 피검사 칩을 가열하고 있는 동안에, 예컨대 테스터(14)로부터 인터페이스(41), 프로브 카드(13) 및 프로브 바늘(131)을 통해 영역(D49)의 위치의 피검사 칩(100)에 전기 신호를 공급하여, 전기적 특성의 검사를 행한다. 이때 영역(D49)의 위치의 피검사 칩(100)에 실장 시의 전압이 인가되어, 발열한다. 이때 온도 검출부(8)에 의해 검출되는 온도에 기초하여 피드백 제어가 행해지고, 전력 공급부(7)로부터 공급되는 구동 전력이 조정되어, 영역(D49)의 온도가 발열에 의한 열부하도 포함하여, 예컨대 85℃가 되도록 제어된다.
또한 영역(D49) 이외의 영역(D)에도 피검사 칩(100)의 발열에 의한 열부하가 가해지지만, 이들 영역(D)은, LED 유닛(3)이 점등되어 있지 않기 때문에, 온도가 상승하고 있지 않고, 또한 냉매에 의해 냉각되어 있기 때문에, 빠르게 냉각된다. 따라서 영역(D49) 이외의 영역(D)에 배치되어 있는 피검사 칩(100)에는, 영역(D49)의 온도에 상당하는 열부하는 가해지지 않게 된다.
이어서 이동 기구를 이용하여 프로브 카드(13)에 대해 배치대(2)[웨이퍼(W)]를 순차 이동시켜, 계속해서 검사를 행하는 피검사 칩(100), 예컨대 영역(D50)의 위치의 피검사 칩(100)의 상방으로 프로브 바늘(131)을 이동시킨다. 또한 영역(D50)의 위치의 피검사 칩(100)의 전극 패드(101)에 프로브 바늘(131)을 접촉시킨다.
이때 도 11에 도시된 바와 같이 칼럼 제어부(74) 및 로우 제어부(75)로부터 트랜지스터(TrR7, TrC6)에 각각 구동 전류가 인가되어, 즉 트랜지스터(TrR7, TrC6)가 선택되어, 영역(D50)에 대응하는 LED 유닛(3)이 점등된다. 이에 의해 영역(D50)이 설정 온도로 가열된다. 한편 영역(D49)에 대응하는 LED 유닛(3)이 소등되고, 영역(D49)은, 냉매에 의해 냉각된다. 그리고 영역(D50)을 가열하고 있는 동안에, 테스터(14)로부터 프로브 바늘(131)을 통해 영역(D50)의 위치의 피검사 칩(100)에 전기 신호를 공급하여, 전기적 특성의 검사를 행한다.
이와 같이 웨이퍼(W) 상에 다수 형성된 각 피검사 칩(100)의 전극 패드(101)에 대해 동일한 동작을 반복해서 순서대로 검사를 행하고, 광을 조사하는 LED 유닛(3)을 순서대로 바꿔, 검사 대상이 되고 있는 피검사 칩(100)을 순서대로 온도 제어한다.
전술한 실시형태에 의하면, 매트릭스형으로 배열된 복수의 피검사 칩(100)을 검사할 때에, 배치대(2)의 피검사 칩(100)의 배치면과는 반대측에 피검사 칩(100)마다 설정된 영역(D)을 각각 독립적으로 가열하도록 LED 유닛(3)을 설치하고 있다. 그리고 피검사 칩(100)의 검사 시에 있어서, 검사가 행해지는 피검사 칩(100)에 대응하는 영역(D)만을 가열하도록 하고 있다. 이 때문에 검사가 행해지고 있는 피검사 칩(100) 이외의 피검사 칩(100)에의 열부하를 경감할 수 있다.
또한 각 LED 유닛(3)을 개별적으로 점등시킬 때에, 도 6에 도시된 바와 같은 다이오드 매트릭스 회로(5)를 구성하여, 칼럼 단위 및 로우 단위마다 트랜지스터를 각각 선택함으로써, 점등시키는 LED 유닛(3)을 선택하도록 하고 있다. 그 때문에 각 LED 유닛(3)마다 상기 LED 유닛(3)을 점등시키기 위한 드라이버 회로 등의 개별의 회로를 설치할 필요가 없기 때문에 회로를 소형화할 수 있고, 장치를 소형화할 수 있다.
또한 동시에 복수의 피검사 칩(100)의 검사를 행하는 경우에는, 피검사 칩(100)이 각각 배치된 영역(D), 및 상기 영역(D)의 주변의 영역(D) 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩(100)의 영역(D)에 대응하는 영역의 LED 유닛(3)을 구동하도록 제어하면 된다.
또한 배치대(2)에 설치하는 LED 유닛(3)의 군의 다른 예에 대해 설명한다. 예컨대 도 12에 도시된 바와 같이 정육각형 형상의 영역(D)을 허니컴형으로 배치한 구성이어도 좋다. 이러한 정육각형 형상의 영역(D)을 허니컴형으로 배치한 구성의 경우에도 매트릭스형에 포함하는 것으로 한다. 이 예의 경우에는, 도 12 중의 C1∼C5가 나타내는 화살표의 방향을 열, R1∼R5가 나타내는 화살표의 방향을 행으로 하면 된다.
또한 본 발명은 예컨대 절단(다이싱)을 행한 피검사 칩(100)을, 예컨대 유리 기판 등의 기판에 매트릭스형으로 배치하여, 검사를 행하는 프로버에 적용해도 좋다.
[제2 실시형태]
또한 피검사 칩(100)이 배치된 영역(D)의 온도는, 상기 영역의 주위의 영역(D)의 온도에 의해, 온도 구배가 형성되어 버리는 경우가 있다. 그 때문에 검사 대상의 피검사 칩(100)이 배치된 개소를 가열하는 LED 유닛(3)뿐만이 아니라, 상기 영역(D)의 주위를 둘러싸도록 배치된 영역(D)을 가열함으로써 피검사 칩(100)이 배치된 영역(D)의 주위도 가열하도록 해도 좋다. 또한, 검사 대상의 피검사 칩(100)에 실장 시의 전압을 인가했을 때에, 검사 대상의 피검사 칩(100)이 배치된 영역(D)의 온도와, 그 주위의 영역(D)의 온도가 맞춰지도록 조정해도 좋다.
피검사 칩(100)에 실장 시의 전압을 인가했을 때에, 피검사 칩(100)이 배치되어 있는 영역이 가장 피검사 칩(100)의 발열의 영향을 받아 열부하가 가해지고, 피검사 칩(100)으로부터의 거리[상기 영역(D)의 중심부로부터의 이격 거리]에 따라 열부하가 작아진다. 따라서 예컨대 영역(D49)에 피검사 칩(100)이 위치하는 경우에는, 영역(D49)과 행 및 열 방향으로 인접하는 영역(D38), 영역(D48), 영역(D50) 및 영역(D60)에는, 영역(D49)에 이어 큰 열부하가 가해진다. 또한 영역(D37), 영역(D39), 영역(D59) 및 영역(D61)은, 영역(D38), 영역(D48), 영역(D50) 및 영역(D60)보다 영역(D49)으로부터의 거리가 멀다. 그 때문에 영역(D37), 영역(D39), 영역(D59) 및 영역(D61)에 있어서 피검사 칩(100)의 발열에 의해 받는 열부하는, 영역(D38), 영역(D48), 영역(D50) 및 영역(D60)보다 낮아진다.
따라서, 피검사 칩(100)이 배치된 영역(D)과 그 주위를 둘러싸는 영역(D)을 가열할 때에, 영역(D49)의 가열 온도를 낮게 하고, 이어서 영역(D38), 영역(D48), 영역(D50) 및 영역(D60)의 가열 온도를 낮게 설정한다. 또한 영역(D37), 영역(D39), 영역(D59) 및 영역(D61)을 가장 높은 설정 온도로 함으로써, 이들 9개의 영역(D)의 온도를 맞출 수 있다.
각 영역의 온도를 조정하는 수법으로서, LED 유닛(3)을 온, 오프시켜 듀티비를 조정하는 수법을 들 수 있다. 이 수법은, 피검사 칩(100)의 1회의 측정에 요하는 시간에 대해 충분히 짧은 시간의 단위를 T1이라고 하면, 시간 T1의 시간대에 있어서 LED 유닛(3)이 구동되어 있는 시간의 비율(LED 유닛의 구동률)을 조정함으로써 행해진다. 피검사 칩(100)의 1회의 측정에 요하는 시간이란, 피검사 칩(100)을 1개씩 검사하는 경우 혹은 복수의 피검사 칩(100)을 동시에 검사하는 경우에 있어서의 그 검사 시간이다.
도 13은 영역(D40)의 피검사 칩이 검사 대상인 경우에 있어서, 상기 영역(D40) 및 상기 영역(D40)을 둘러싸는 주변의 영역(D37∼39, 48∼50, 59∼61)에 각각 대응하는 LED 유닛(3)의 온/오프의 상태와 상기 LED 유닛(3)을 구동하기 위한 트랜지스터(TrC5∼TrC7 및 TrR5∼TrR7)의 온/오프의 상태를 대응시켜 기재한 타임차트이다. 상기 LED 유닛(3)의 구동률로서는, 예컨대 영역(D49)에 대해서는 30%, 영역(D48, D38, D50, D60)에 대해서는 50%, 영역(D37, D39, D59, D61)에 대해서는 60%로서 설정할 수 있다.
이 경우, 트랜지스터(TrR5, TrR6, TrR7)에 대해서는, t0으로부터 t3까지의 동안에, 연속하는 시간 T1의 시간대씩 순서대로 온으로 된다. 또한 트랜지스터(TrC5, TrC6, TrC7)에 대해서는, 단위 시간 T1마다, 온으로 해야 할 영역의 LED 유닛(3)의 구동률에 대응하는 시간의 비율로 온으로 된다. 예컨대 영역(D37)의 LED 유닛(37)에 대해서는, 단위 시간 T1의 시간대에 있어서 트랜지스터(TrR5)를 온한 채로 하고 트랜지스터(TrC5)를 65%의 비율로 온으로 한다. 한편 상기 비율의 수치는 일례를 나타냈을 뿐이며, 본 발명에 있어서의 수치를 구속하는 것은 아니다.
각 트랜지스터(TrR, TrC)의 온, 오프의 조합은, 데이터 처리부(73)로부터 로우 제어부(75) 및 칼럼 제어부(74)에 보내지는 디지털 신호인 코드 데이터에 의해 결정된다. 이 때문에 각 트랜지스터(TrR, TrC)의 온, 오프의 조합이 예컨대 도 13에 규정되는 타임차트가 되도록 코드 데이터의 시계열 데이터를 데이터 처리부(73)의 메모리 내에 기록해 둠으로써, 전술한 수법을 달성할 수 있다.
또한 제2 실시형태에 있어서의 각 트랜지스터의 온/오프를 나타내는 타임차트의 다른 예를 나타낸다. 도 14에 도시된 바와 같이 이 예에서는, 단위 시간 T2의 시간대에 있어서 트랜지스터(TrR5 및 TrR7)를 온으로 하고 있을 때에, 트랜지스터(TrC5, TrC6, TrC7) 온으로 해야 할 영역의 LED 유닛(3)의 구동률에 대응하는 시간의 비율로 온으로 하고 있다. 그 후 트랜지스터(TrR6)를 온으로 하고 있을 때에, 트랜지스터(TrC5, TrC6, TrC7) 온으로 해야 할 영역의 LED 유닛(3)의 구동률에 대응하는 시간의 비율로 온으로 하고 있다. 이러한 경우에도, 도 13에 도시된 예와 동일한 온도 분포를 형성할 수 있다.
이 예에서는, 로우(R5)의 3개의 영역(D)과 로우(R7)의 3개의 영역(D)에 있어서의 LED 유닛(3)이 점등되는 공정과, R6에 있어서의 3개의 영역(D)의 LED 유닛이 점등되는 공정이 교대로 반복되게 된다. 이 예에 있어서는, 영역(D37) 및 영역(D39), 영역(D48) 및 영역(D50), 영역(D59) 및 영역(D61)에 있어서, 각각 동시에 LED 유닛(3)으로부터 광을 조사할 수 있다. 따라서 동시에 많은 영역(D)의 온도를 올릴 수 있기 때문에, 목표 온도에 도달하기까지의 시간을 짧게 할 수 있는 효과가 있다.
또한 3개의 트랜지스터(TrR) 단위 사이에서 순서대로 LED 유닛(3)을 구동하는 모드와, 3개의 트랜지스터(TrC) 단위 사이에서 LED 유닛(3)을 순서대로 구동하는 모드를 교대로 실행하도록 해도 좋다.
예컨대 도 15의 타임차트에 도시된 바와 같이 시각 t0으로부터 t3에 있어서, 도 13에 도시된 타임차트의 예와 동일하게 실행한다. 이어서 시각 t4로부터 t7에 있어서는, 트랜지스터(TrC5)를 온으로 하고, 트랜지스터(TrR5, 6, 7) 온으로 한다. 또한 시각 t5로부터 트랜지스터(TrC6)를 온으로 하고, 트랜지스터(TrR5, 6, 7) 온으로 하며, 이어서 시각 t6으로부터 트랜지스터(TrC7)를 온으로 하고, 트랜지스터(TrR5, 6, 7) 온으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 시각 t0으로부터 t3까지 트랜지스터(TrR5)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3), 트랜지스터(TrR6)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3), 트랜지스터(TrR7)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3)의 순서로 점등된다. 또한 시각 t4로부터 t7에 있어서는, 트랜지스터(TrC5)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3), 트랜지스터(TrC6)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3), 트랜지스터(TrC7)의 3 영역(D)의 LED 유닛(3)의 순서로 점등된다.
이와 같이 구성한 경우에도, 각 영역(D)의 LED 유닛(3)을 각각 소정의 시간 점등시킬 수 있어, 각 영역(D)을 각각 소정의 온도로 가열할 수 있기 때문에 동일한 효과가 얻어진다.
또한 제2 실시형태에 있어서는, 9개의 영역(D)을 가열하는 예에 대해 설명하고 있으나, 예컨대, 4행×4열 이상의 영역(D)을 가열하는 경우에 적용해도 좋다.
또한 전술한 실시형태에서는, 영역(D49)을 포함하는 9개의 영역(D)에 대응하는 LED 유닛(3)을 구동하고, 상기 9개의 영역(D) 이외의 다른 영역(D)의 LED 유닛(3)은 오프로 하고 있다. 그러나 본 발명은 검사하고 있는 피검사 칩의 검사에 영향을 미치지 않을 정도의 낮은 발광량으로 다른 영역(D)의 LED 유닛(3)을 구동하는 경우에도, 본 발명의 기술적 범위에 포함되며, 이러한 실시는 특허청구의 범위의 문언 침해인 것으로 한다.
또한 본 발명은 배치면을 복수의 영역(D)으로 구성되는 몇 개의 구획(Z)으로 분할하고, 각 구획(Z)마다 다이오드 매트릭스 회로(5)를 구성하며, 각 구획(Z)마다 LED 제어부(91)에 의해 제어하도록 해도 좋다. 예컨대 도 16에 도시된 바와 같이 도 3에 도시된 배치대(2)의 영역(D)을 종횡 9개의 존(Z1∼Z9)으로 분할한다. 또한 도 17에 도시된 바와 같이 각 존(Z1∼Z9)마다, 상기 존(Z1∼Z9)에 행 및 열 방향으로 늘어서는 격자형으로 배치된 복수의 영역(D)에 대응시킨 다이오드 매트릭스 회로(5)를 구성하고, 각 다이오드 매트릭스 회로(5)를 각각 구동하는 LED 제어부(91A∼I)를 구성한다. 또한 각 존(Z1∼Z9)마다 상기 존(Z1∼Z9)에 대응하는 강압 초퍼 회로(723A∼723I)를 각각 설치한다. 이미 서술한 바와 같이 데이터 처리부(73), 칼럼 제어부(74), 로우 제어부(75) 및 다이오드 매트릭스 회로(5)에 있어서의 구동 회로의 부위가 LED 제어부(91A∼I)에 상당하지만, 도 17에서는, 편의상 LED 유닛(3)을 포함하는 다이오드 매트릭스 회로(5)로 도시하고 있다.
이와 같이 구성함으로써, 각 존(Z1∼Z9)마다 다이오드 매트릭스 회로(5)의 구동 전력을 각각 설치된 강압 초퍼 회로(723A∼I)에 의해 조정할 수 있고, 각 존(Z1∼Z9)마다 출력을 조정할 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 예컨대 웨이퍼(W)를 전면(全面) 가열할 때에 있어서도 존(Z1∼Z9)마다 출력값을 조정하여 가열 온도를 조정할 수 있다.
또한 각 존(Z1∼Z9)마다 다이오드 매트릭스 회로(5)와, LED 제어부(91A∼91I)를 설치하고 있기 때문에, 각 존(Z1∼Z9)에 할당된 영역(D)을, 존(Z1∼Z9)마다 독립적으로 제어할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판에 매트릭스형으로 설치된 복수의 피검사 칩의 전기적 특성을 테스터에 의해 순서대로 검사하기 위한 프로버에 있어서,
    상기 기판을 배치하는 배치대와,
    상기 복수의 피검사 칩의 전극 패드에 순서대로 접촉시키는 접촉자와,
    상기 배치대의 배치면과는 반대측에 있어서, 복수의 피검사 칩이 각각 위치하는 복수의 영역을 서로 독립적으로 가열하도록 설치되고, 각각 1개 또는 복수의 LED를 포함하는 복수의 LED 유닛과,
    피검사 칩의 검사 시에 있어서, 상기 복수의 LED 유닛 중, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역 및 상기 영역의 주변 영역 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역에 대응하는 영역의 LED 유닛을 구동하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    피검사 칩의 검사 시에 온으로 하는 LED 유닛을, LED 유닛의 행 단위 및 열 단위 중 적어도 한쪽의 단위로 그룹화하고,
    상기 제어부는, 그룹화된 LED 유닛의 단위 사이에서 시분할로 구동하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 LED 유닛에 의해 다이오드 매트릭스 회로가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역 및 상기 영역의 주변 영역에 대응하는 LED 유닛을 구동하고, 상기 주변 영역에 대응하는 LED 유닛의 발광 강도를, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역에 대응하는 LED 유닛의 발광 강도보다 크게 하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 피검사 칩의 검사 시에, 상기 행 단위와 열 단위를 바꾸면서 LED 유닛을 구동하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 피검사 칩의 검사 시에 온으로 하는 LED 유닛, 및 상기 LED 유닛에 인접하여 상기 LED 유닛을 둘러싸는 LED 유닛군에 대해, 행 단위 사이에서 순서대로 LED 유닛을 구동하거나, 또는 열 단위 사이에서 순서대로 LED 유닛을 구동하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 피검사 칩의 검사 시에 온으로 하는 LED 유닛, 및 상기 LED 유닛에 인접하여 상기 LED 유닛을 둘러싸는 LED 유닛군에 대해,
    검사 대상인 피검사 칩을 포함하는 행 단위를 구동하는 모드와, 상기 행 단위의 양측의 행 단위를 동시에 구동하는 모드를 교대로 행하거나, 또는 검사 대상인 피검사 칩을 포함하는 열 단위를 구동하는 모드와, 상기 열 단위의 양측의 열 단위를 동시에 구동하는 모드를 교대로 행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 피검사 칩의 검사 시에 온으로 하는 LED 유닛, 및 상기 LED 유닛에 인접하여 상기 LED 유닛을 둘러싸는 LED 유닛군에 대해,
    행 단위 사이에서 순서대로 LED 유닛을 구동하는 모드와, 열 단위 사이에서 순서대로 LED 유닛을 구동하는 모드를 교대로 행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
  8. 기판에 매트릭스형으로 설치된 복수의 피검사 칩의 전기적 특성을 테스터에 의해 순서대로 검사하기 위한 프로버에 있어서,
    상기 기판을 배치하는 배치대와,
    상기 복수의 피검사 칩의 전극 패드에 순서대로 접촉시키는 접촉자와,
    상기 배치대의 배치면과는 반대측에 있어서, 복수의 피검사 칩이 각각 위치하는 복수의 영역을 서로 독립적으로 가열하도록 설치되고, 각각 1개 또는 복수의 LED를 포함하는 복수의 LED 유닛과,
    피검사 칩의 검사 시에 있어서, 상기 복수의 LED 유닛 중, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역 및 상기 영역의 주변 영역 중, 적어도 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역에 대응하는 영역의 LED 유닛을 구동하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역 및 상기 영역의 주변 영역에 대응하는 LED 유닛을 구동하고, 상기 주변 영역에 대응하는 LED 유닛의 발광 강도를, 상기 검사가 행해지는 피검사 칩의 영역에 대응하는 LED 유닛의 발광 강도보다 크게 하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 프로버.
KR1020207017615A 2017-12-01 2018-11-05 프로버 KR102363777B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017232009A JP7078838B2 (ja) 2017-12-01 2017-12-01 プローバ
JPJP-P-2017-232009 2017-12-01
PCT/JP2018/041002 WO2019107079A1 (ja) 2017-12-01 2018-11-05 プローバ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200089714A KR20200089714A (ko) 2020-07-27
KR102363777B1 true KR102363777B1 (ko) 2022-02-15

Family

ID=66664645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207017615A KR102363777B1 (ko) 2017-12-01 2018-11-05 프로버

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11125813B2 (ko)
JP (1) JP7078838B2 (ko)
KR (1) KR102363777B1 (ko)
CN (1) CN111373518B (ko)
TW (1) TWI786227B (ko)
WO (1) WO2019107079A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018147959A (ja) * 2017-03-02 2018-09-20 東京エレクトロン株式会社 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法
US20220227555A1 (en) 2019-05-31 2022-07-21 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Packaging film, package, and method of manufacturing laminated film
JP7345284B2 (ja) * 2019-06-05 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 載置台、検査装置および温度校正方法
JP7266481B2 (ja) * 2019-07-19 2023-04-28 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
US11378619B2 (en) * 2019-12-18 2022-07-05 Formfactor, Inc. Double-sided probe systems with thermal control systems and related methods
JP7449799B2 (ja) 2020-07-09 2024-03-14 東京エレクトロン株式会社 載置台の温度調整方法及び検査装置
JP7455015B2 (ja) * 2020-07-14 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP7500312B2 (ja) 2020-07-16 2024-06-17 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の制御方法
JP2022030909A (ja) 2020-08-07 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法及び検査装置
JP7449814B2 (ja) 2020-08-12 2024-03-14 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
JP7479266B2 (ja) * 2020-09-25 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法、及び、検査装置
JP2022090538A (ja) 2020-12-07 2022-06-17 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法及び検査装置
JP2022092972A (ja) 2020-12-11 2022-06-23 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及びｌｅｄの制御方法
WO2023170737A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社アドバンテスト 温度制御装置、試験装置、温度制御方法、および温度制御プログラム
US12013432B1 (en) 2023-08-23 2024-06-18 Aem Singapore Pte. Ltd. Thermal control wafer with integrated heating-sensing elements
US12000885B1 (en) * 2023-12-20 2024-06-04 Aem Singapore Pte. Ltd. Multiplexed thermal control wafer and coldplate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140296A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Tokyo Electron Ltd 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法
JP2008066646A (ja) 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp アニール装置、アニール方法及び半導体装置の製造方法
JP2013065823A (ja) * 2011-08-26 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2014209556A (ja) 2013-02-28 2014-11-06 ウルトラテック インク 発光ダイオードを利用した材料の製造システムおよび製造方法
JP2015056624A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2017188238A (ja) 2016-04-04 2017-10-12 住友電気工業株式会社 マトリックスヒータ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3156192B2 (ja) 1994-04-19 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びその装置
US7043391B2 (en) * 2001-02-16 2006-05-09 Shuji Miyazaki User interface for semiconductor evaluation device
KR100615086B1 (ko) * 2004-05-04 2006-08-22 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 칩 검사장치 및 이를 이용한 검사방법
DE102005001163B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Erich Reitinger Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
US7741837B2 (en) * 2007-05-15 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Probe apparatus
JP4932618B2 (ja) * 2007-06-29 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 検査方法及びこの方法を記録したプログラム記録媒体
JP2013137224A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Sharp Corp マルチチッププローバ、そのコンタクト位置補正方法、制御プログラムおよび可読記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140296A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Tokyo Electron Ltd 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法
JP2008066646A (ja) 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp アニール装置、アニール方法及び半導体装置の製造方法
JP2013065823A (ja) * 2011-08-26 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2014209556A (ja) 2013-02-28 2014-11-06 ウルトラテック インク 発光ダイオードを利用した材料の製造システムおよび製造方法
JP2015056624A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2017188238A (ja) 2016-04-04 2017-10-12 住友電気工業株式会社 マトリックスヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
US11125813B2 (en) 2021-09-21
TWI786227B (zh) 2022-12-11
JP7078838B2 (ja) 2022-06-01
TW201935023A (zh) 2019-09-01
US20210033666A1 (en) 2021-02-04
CN111373518B (zh) 2023-10-27
WO2019107079A1 (ja) 2019-06-06
KR20200089714A (ko) 2020-07-27
JP2019102645A (ja) 2019-06-24
CN111373518A (zh) 2020-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102363777B1 (ko) 프로버
EP3550313B1 (en) Electronic device inspecting apparatus
US11927539B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
US11557494B2 (en) Substrate support and inspection apparatus
KR20220018920A (ko) 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치
EP3940403B1 (en) Inspection apparatus and control method for inspection apparatus
EP3940402B1 (en) Inspection apparatus
EP3929603B1 (en) Substrate support and inspection apparatus
KR102626167B1 (ko) 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치
KR20140105897A (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 프로빙 장치
US11828794B2 (en) Placement table, testing device, and testing method
JP2022032473A (ja) 検査方法及び検査装置
KR20240053003A (ko) 기판 탑재 기구, 검사 장치, 및 검사 방법
JP2022092972A (ja) 加熱装置及びｌｅｄの制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant