CN111081739B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111081739B
CN111081739B CN201911240660.6A CN201911240660A CN111081739B CN 111081739 B CN111081739 B CN 111081739B CN 201911240660 A CN201911240660 A CN 201911240660A CN 111081739 B CN111081739 B CN 111081739B
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
auxiliary
vss
vdd
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911240660.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111081739A (zh
Inventor
郭文均
张乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911240660.6A priority Critical patent/CN111081739B/zh
Publication of CN111081739A publication Critical patent/CN111081739A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111081739B publication Critical patent/CN111081739B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括显示区以及非显示区,且所述非显示区包括端子区以及围绕所述显示区和所述端子区的切除区,所述端子区内设置有信号导线,用于连接所述显示区内的TFT层和位于所述端子区内的功能电路,所述切除区内设置有辅助导线,并且部分延伸至所述端子区,且所述辅助导线与所述信号导线并联。本发明通过在切除区内设置与信号导线并联的辅助导线,以增加电流通道,减小阻抗,防止了信号导线的发热、熔断及烧伤膜层,且辅助导线设置于切除区,在制程结束后可去除,不影响显示面板的正常显示,提高了良品率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
OLED显示面板在Array、EL、封装工艺完成后,下一步会进行一次切割、功能测试等,面板在进行测试过程中,会进行Life Time Aging(大电流加速老化),目的是使OLED器件加快速度通过寿命快速衰减期,进入平稳期。
此外,OLED面板的端子区一般需进行弯折,为降低弯折子区应力,防止弯折子区膜层断裂,阵列制作时会对弯折子区脆性绝缘层、金属层进行挖槽、打孔等工艺,因此,弯折子区信号导线阻抗会增大,其中包括VDD、VSS线路。在进行Life Time Aging时,OLED面板的大电流均通过VDD、VSS走线供应,此两条引线发热严重,又由于此两条引线在弯折子区阻抗最大,所以弯折子区发热最为严重,由此导致VDD、VSS熔断或烧伤附近膜层。
随着面板尺寸以及开口率的增加,进行Life Time Aging的电流进一步加大,此问题愈发凸显。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,针对现有技术,在进行功能测试过程中,由于弯折子区内信号导线阻抗过大,导致线路发热严重,从而使得线路熔断或烧伤附近膜层,进而影响显示的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种显示面板,包括:显示区和非显示区,所述非显示区包括:设置在所述显示区一侧的端子区和围绕所述显示区和所述端子区的切除区,所述端子区包括用于弯折的弯折子区;
所述显示面板包括:
基板;
TFT层,设置在所述基板一侧且与所述显示区对应;
功能电路,设置在所述基板一侧且与所述端子区对应;
信号导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区分别与所述TFT层和所述功能电路电连接;
辅助导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区至少一侧对应的切除区,分别与所述TFT层和所述功能电路电连接。
根据本发明一优选实施例,所述辅助导线的一端与所述TFT层相连接,另一端与所述功能电路相连接。
根据本发明一优选实施例,所述辅助导线的一端与所述TFT层相连接,另一端与位于所述弯折子区外远离所述显示区一侧的所述信号导线相连接。
根据本发明一优选实施例,所述辅助导线的一端与位于所述弯折子区外靠近所述显示区一侧的所述信号导线相连接,另一端与所述功能电路相连接。
根据本发明一优选实施例,所述辅助导线的两端分别与位于所述弯折子区两侧的所述信号导线相连接。
根据本发明一优选实施例,所述信号导线位于所述弯折子区内的部分设置有孔结构或槽结构。
根据本发明一优选实施例,所述信号导线包括第一信号线以及第二信号线,且所述辅助导线包括与所述第一信号线相对应的第一辅助线,以及与所述第二信号线相对应的第二辅助线。
根据本发明一优选实施例,所述第一信号线包括VDD信号走线,以及所述第二信号线包括VSS信号走线。
根据本发明一优选实施例,所述VDD信号走线包括第一VDD走线以及第二VDD走线,所述VSS信号走线包括第一VSS走线以及第二VSS走线;
其中,所述第一辅助线包括与所述第一VDD走线相对应的第一VDD辅助线,以及与所述第二VDD走线相对应的第二VDD辅助线,所述第二辅助线包括与所述第一VSS走线相对应的第一VSS辅助线,以及与所述第二VSS走线相对应的第二VSS辅助线。
根据本发明的上述目的,提供一种显示装置,所述显示装置由所述显示面板经切割制得。
本发明的有益效果为:本发明通过在切除区内设置与信号导线并联的辅助导线,以增加电流通道,减小阻抗,防止了信号导线发热、熔断及烧伤膜层的技术问题,且辅助导线设置于切除区,在制程结束后可去除,不影响显示面板的正常显示,提高了良品率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图。
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图。
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板结构示意图。
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的显示面板及显示装置,在进行功能测试过程中,由于弯折子区内信号导线阻抗过大,导致线路发热严重,从而使得线路熔断或烧伤附近膜层,进而影响显示的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
本发明实施例提供一种显示面板,包括:显示区和非显示区,所述非显示区包括:设置在所述显示区一侧的端子区和围绕所述显示区和所述端子区的切除区,所述端子区包括用于弯折的弯折子区;
所述显示面板包括:
基板;
TFT层,设置在所述基板一侧且与所述显示区对应;
功能电路,设置在所述基板一侧且与所述端子区对应;
信号导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区分别与所述TFT层和所述功能电路电连接;
辅助导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区至少一侧对应的切除区,分别与所述TFT层和所述功能电路电连接。
具体地,请参照图1所示,为所述显示面板结构示意图,其中,所述显示面板10包括显示区110以及围绕所述显示区110的非显示区,其中,所述非显示区包括位于所述显示区110一侧的端子区106,以及围绕所述显示区110的切除区。
需要说明的是,本发明实施例中说明的切除区为面板制程中的二次切除区,且由于本发明的技术特征仅涉及到位于所述端子区106两侧的切除区108,所以在本发明实施例提供的显示面板结构示意图中示出的切除区仅有位于所述端子区106两侧的所述切除区108,其余区域并未画出,且后续说明中的切除区均为位于所述端子区106两侧的所述切除区108。
另外,所述显示面板10包括基板,以及设置于所述基板上的TFT层、信号导线101和102、辅助导线103和104以及功能电路。
其中,所述TFT层设置于所述显示区110内,所述功能电路设置于所述端子区106内,所述信号导线101和102通过所述弯折子区107,并分别与所述TFT层和所述功能电路相连接,所述辅助导线103和104通过所述切除区108,并分别与所述TFT层和所述功能电路电性连接,且具体连接方式见后续实施例。
需要注意的是,本发明实施例提供的为显示面板平面分布结构简图,其中TFT层及细节部分并未示出,仅示出与发明点相关的位置,且本发明实施例中导线与所述显示面板内的TFT层相连接可以为常规设置方式,在此不再赘述。
且所述辅助线路103、104可在制程完成结束后,通过二切工艺去除,以使后续的制程以及显示不受影响。
在实施应用过程中,显示面板的端子区一般需进行弯折,为降低弯折子区应力,防止弯折子区膜层断裂,制作时会对弯折子区脆性绝缘层、金属层进行挖槽、打孔等工艺,且在面板制作过程中,会进行大电流加速老化(Life Time Aging,下文简写为L-Aging),目的是使OLED器件加速度过寿命快速衰减期,进入平稳期,因此,由于弯折子区信号导线阻抗会增大,导致信号导线发热,从而熔断或烧伤附近膜层。而本实施例所提供的显示面板通过在显示面板的二切制程之前,在显示面板的二切区域设置辅助导线,并与信号导线并联,以达到增大电流通道,减小阻抗的目的,从而可以防止信号导线发热、熔断、烧伤膜层等问题的发生。
更进一步地,请参照图1所示,所述功能电路包括测试电路105,设置于所述端子区106内,且所述测试电路105可用于进行大电流加速老化测试,则后续说明直接以测试电路105为例。
即所述信号导线101、102将所述TFT层与所述测试电路105相连接。
同理,所述辅助导线103、104与所述信号导线101、102并联,则所述辅助导线103、104与所述TFT层以及所述测试电路105电性连接。
则本发明实施例中所提供的所述辅助导线103和104的连接方式有四种。
第一种情况,所述辅助导线103和104的一端与所述TFT层相连接,另一端与所述测试电路105相连接。
第二种情况,所述辅助导线103和104的一端与所述TFT层相连接,另一端与位于所述弯折子区107外远离所述显示区110一侧的所述信号导线101和102对应连接。
第三种情况,所述辅助导线103和104的一端与位于所述弯折子区外靠近所述显示区110一侧的所述信号导线101和102对应连接,另一端与所述测试电路105相连接。
第四种情况,所述辅助导线103和104的两端分别与位于所述弯折子区107两侧的所述信号导线101和102对应连接。
以上四种情况并未在全部显示于图1中,将在后续具体实施例中进行详述。
另外,在本发明实施例中,所述端子区106还包括靠近所述显示区110一侧的弯折子区107,且所述信号导线101、102位于所述弯折子区107内的部分设置有孔结构或槽结构109。
需要注意的是,所述孔结构或槽结构109将减小所述信号导线101、102的电流通道,导致所述基板10在进行大电流加速老化测试时,信号导线101、102会发热严重,导致熔断或烧伤膜层。
在本发明实施例中,所述信号导线101、102包括第一信号线101以及第二信号线102,且所述辅助导线103、104包括与所述第一信号线101相对应的第一辅助线103,以及与所述第二信号线102相对应的第二辅助线104。
另外,在实施应用过程中,由于显示面板在进行大电流加速老化测试时,大电流均通过VDD、VSS走线供应,因此,此两条引线发热最为严重。
则在本发明实施例中,所述第一信号线101包括VDD信号走线,以及所述第二信号线102包括VSS信号走线。
其中,所述VDD信号走线包括第一VDD走线1011以及第二VDD走线1012,所述VSS信号走线包括第一VSS走线1021以及第二VSS走线1022。
其中,所述第一辅助线103包括与所述第一VDD走线1011相对应的第一VDD辅助线1031,以及与所述第二VDD走线1012相对应的第二VDD辅助线1032,所述第二辅助线104包括与所述第一VSS走线1021相对应的第一VSS辅助线1041,以及与所述第二VSS走线1022相对应的第二VSS辅助线1042。
其中,所有线路具体连接情况见后续具体实施例。
下面,以具体实施例对本发明提供的显示面板进行说明。
实施例一
请参照图1所示,所述显示面板10包括显示区110和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括设置于所述显示区110一侧的端子区106,以及设置于所述端子区106两侧的切除区108。
其中,所述端子区106内设置有信号导线101、102,所述信号导线101、102将所述显示区110内的TFT层与所述端子区106内的功能电路相连接,其中主要包括第一VDD走线1011、第二VDD走线1012、第一VSS走线1021以及第二VSS走线1022。
所述显示面板10还包括辅助导线103、104,且所述辅助导线103、104设置于所述切除区108内,并延伸至所述端子区106内,与所述信号导线101、102并联,其中主要包括与所述第一VDD走线1011相对应的第一VDD辅助线1031,与所述第二VDD走线1012相对应的第二VDD辅助线1032,与所述第一VSS走线1021相对应的第一VSS辅助线1041,以及与所述第二VSS走线1022相对应的第二VSS辅助线1042。
另外,所述端子区106内设置有弯折子区107,且所述第一VDD走线1011、所述第二VDD走线1012、所述第一VSS走线1021以及所述第二VSS走线1022位于所述弯折子区107内的部分设置有孔结构或槽结构109,因此,所述第一VDD走线1011、所述第二VDD走线1012、所述第一VSS走线1021以及所述第二VSS走线1022在所述弯折子区107内的电流通道将减小,从而增大了阻抗,使得线路发热严重。
在本实施例中,所述功能电路包括测试电路105,用于进行大电流加速老化测试,且所述第一VDD走线1011、所述第二VDD走线1012、所述第一VSS走线1021以及所述第二VSS走线1022将所述TFT层与所述测试电路105相连接,辅助导线103、104与所述信号导线101、102并联。
其中,所述第一VDD辅助线1031、所述第二VDD辅助线1032、所述第一VSS辅助线1041以及所述第二VSS辅助线1042的一端均与所述TFT层相连接,另一端均与所述测试电路105相连接,以增加所述信号导线101、102的电流通道。
综上所述,本实施例通过在切除区内设置第一VDD辅助线、第二VDD辅助线、第一VSS辅助线以及第二VSS辅助线,增加了第一VDD走线、第二VDD走线、第一VSS走线以及第二VSS走线的电流通道,减小了阻抗,防止了信号导线因发热严重导致熔断或烧伤膜层的问题,提高了显示面板的良率。
实施例二
请参照图2所示,所述显示面板20包括显示区210以及围绕所述显示区210的非显示区,所述非显示区包括设置于所述显示区210一侧的端子区206,以及设置于所述端子区206两侧的切除区208。
其中,所述端子区206内设置有信号导线201、202,所述信号导线201、202将所述显示区210内的TFT层与所述端子区206内的功能电路相连接,其中主要包括第一VDD走线2011、第二VDD走线2012、第一VSS走线2021以及第二VSS走线2022。
所述显示面板20还包括辅助导线203、204,且所述辅助导线203、204设置于所述切除区208内,并延伸至所述端子区206内,与所述信号导线201、202并联,其中主要包括与所述第一VDD走线2011相对应的第一VDD辅助线2031,与所述第二VDD走线2012相对应的第二VDD辅助线2032,与所述第一VSS走线2021相对应的第一VSS辅助线2041,以及与所述第二VSS走线2022相对应的第二VSS辅助线2042。
另外,所述端子区206内设置有弯折子区207,且所述第一VDD走线2011、所述第二VDD走线2012、所述第一VSS走线2021以及所述第二VSS走线2022位于所述弯折子区207内的部分设置有孔结构或槽结构209,因此,所述第一VDD走线2011、所述第二VDD走线2012、所述第一VSS走线2021以及所述第二VSS走线2022在所述弯折子区207内的电流通道将减小,从而增大了阻抗,使得线路发热严重。
在本实施例中,所述功能电路包括测试电路205,用于进行大电流加速老化测试,且所述第一VDD走线2011、所述第二VDD走线2012、所述第一VSS走线2021以及所述第二VSS走线2022将所述TFT层与所述测试电路205相连接,辅助导线203、204与所述信号导线201、202并联。
其中,所述第一VDD辅助线2031、所述第二VDD辅助线2032、所述第一VSS辅助线2041以及所述第二VSS辅助线2042的一端均与所述TFT层相连接,另一端分别与所述信号导线201、202中的对应线路相连接,且连接点位于所述端子区206内非所述弯折子区207的区域,即所述连接点位于所述弯折子区207外远离所述显示区210的一侧,以增加所述信号导线201、202的电流通道。
具体地,所述第一VDD辅助线2031与所述第一VDD走线2011相连接,所述第二VDD辅助线2032与所述第二VDD走线2012相连接,所述第一VSS辅助线2041与所述第一VSS走线2021相连接,所述第二VSS辅助线2042与所述第二VSS走线2022相连接,且上述四个连接点均位于所述弯折子区207外远离所述显示区210的一侧。
综上所述,本实施例通过在切除区内设置第一VDD辅助线、第二VDD辅助线、第一VSS辅助线以及第二VSS辅助线,增加了第一VDD走线、第二VDD走线、第一VSS走线以及第二VSS走线的电流通道,减小了阻抗,防止了信号导线因发热严重导致熔断或烧伤膜层的问题,提高了显示面板的良率。
实施例三
请参照图3所示,所述显示面板30包括显示区310以及围绕所述显示区310的非显示区,所述非显示区包括设置于所述显示区310一侧的端子区306,以及设置于所述端子区306两侧的切除区308。
其中,所述端子区306内设置有信号导线301、302,所述信号导线301、302将所述显示区310内的TFT层与所述端子区306内的功能电路相连接,其中主要包括第一VDD走线3011、第二VDD走线3012、第一VSS走线3021以及第二VSS走线3022。
所述显示面板30还包括辅助导线303、304,且所述辅助导线303、304设置于所述切除区308内,并延伸至所述端子区306内,与所述信号导线301、302并联,其中主要包括与所述第一VDD走线3011相对应的第一VDD辅助线3031,与所述第二VDD走线3012相对应的第二VDD辅助线3032,与所述第一VSS走线3021相对应的第一VSS辅助线3041,以及与所述第二VSS走线3022相对应的第二VSS辅助线3042。
另外,所述端子区306内设置有弯折子区307,且所述第一VDD走线3011、所述第二VDD走线3012、所述第一VSS走线3021以及所述第二VSS走线3022位于所述弯折子区307内的部分设置有孔结构或槽结构309,因此,所述第一VDD走线3011、所述第二VDD走线3012、所述第一VSS走线3021以及所述第二VSS走线3022在所述弯折子区307内的电流通道将减小,从而增大了阻抗,使得线路发热严重。
在本实施例中,所述功能电路包括测试电路305,用于进行大电流加速老化测试,且所述第一VDD走线3011、所述第二VDD走线3012、所述第一VSS走线3021以及所述第二VSS走线3022将所述TFT层与所述测试电路305相连接,辅助导线303、304与所述信号导线301、302并联。
其中,所述第一VDD辅助线3031、所述第二VDD辅助线3032、所述第一VSS辅助线3041以及所述第二VSS辅助线3042的一端均与所述测试电路305相连接,另一端分别与所述信号导线301、302中的对应线路相连接,且连接点位于所述端子区306内非所述弯折子区307的区域,即所述连接点位于所述弯折子区307外靠近所述显示区310的一侧,以增加所述信号导线301、302的电流通道。
具体地,所述第一VDD辅助线3031与所述第一VDD走线3011相连接,所述第二VDD辅助线3032与所述第二VDD走线3012相连接,所述第一VSS辅助线3041与所述第一VSS走线3021相连接,所述第二VSS辅助线3042与所述第二VSS走线3022相连接,且上述四个连接点均位于所述弯折子区307外靠近所述显示区310的一侧。
综上所述,本实施例通过在切除区内设置第一VDD辅助线、第二VDD辅助线、第一VSS辅助线以及第二VSS辅助线,增加了第一VDD走线、第二VDD走线、第一VSS走线以及第二VSS走线的电流通道,减小了阻抗,防止了信号导线因发热严重导致熔断或烧伤膜层的问题,提高了显示面板的良率。
实施例四
请参照图4所示,所述显示面板40包括显示区410以及围绕所述显示区410的非显示区,所述非显示区包括设置于所述显示区410一侧的端子区406,以及设置于所述端子区406两侧的切除区408。
其中,所述端子区306内设置有信号导线401、402,所述信号导线401、402将所述显示区410内的TFT层与所述端子区406内的功能电路相连接,其中主要包括第一VDD走线4011、第二VDD走线4012、第一VSS走线4021以及第二VSS走线4022。
所述显示面板40还包括辅助导线403、404,且所述辅助导线403、404设置于所述切除区408内,并延伸至所述端子区406内,与所述信号导线401、402并联,其中主要包括与所述第一VDD走线4011相对应的第一VDD辅助线4031,与所述第二VDD走线4012相对应的第二VDD辅助线4032,与所述第一VSS走线4021相对应的第一VSS辅助线4041,以及与所述第二VSS走线4022相对应的第二VSS辅助线4042。
另外,所述端子区406内设置有弯折子区407,且所述第一VDD走线4011、所述第二VDD走线4012、所述第一VSS走线4021以及所述第二VSS走线4022位于所述弯折子区407内的部分设置有孔结构或槽结构409,因此,所述第一VDD走线4011、所述第二VDD走线4012、所述第一VSS走线4021以及所述第二VSS走线4022在所述弯折子区407内的电流通道将减小,从而增大了阻抗,使得线路发热严重。
在本实施例中,所述功能电路包括测试电路405,用于进行大电流加速老化测试,且所述第一VDD走线4011、所述第二VDD走线4012、所述第一VSS走线4021以及所述第二VSS走线4022将所述TFT层与所述测试电路405相连接,辅助导线403、404与所述信号导线401、402并联。
其中,所述第一VDD辅助线4031、所述第二VDD辅助线4032、所述第一VSS辅助线4041以及所述第二VSS辅助线4042的两端均与所述信号导线401、402中的对应线路相连接,且连接点位于所述端子区406内非所述弯折子区407的区域,即所述连接点分别位于所述弯折子区407的两侧,且位于所述弯折子区407之外的区域,以增加所述信号导线401、402的电流通道。
具体地,所述第一VDD辅助线4031的两端与所述第一VDD走线4011相连接,其中一端连接点位于所述弯折子区407外靠近所述显示区410的一侧,另一端连接点位于所述弯折子区407外远离所述显示区410的一侧。
所述第二VDD辅助线4032的两端与所述第二VDD走线4012相连接,其中一端连接点位于所述弯折子区407外靠近所述显示区410的一侧,另一端连接点位于所述弯折子区407外远离所述显示区410的一侧。
所述第一VSS辅助线4041的两端与所述第一VSS走线4021相连接,其中一端连接点位于所述弯折子区407外靠近所述显示区410的一侧,另一端连接点位于所述弯折子区407外远离所述显示区410的一侧。
所述第二VSS辅助线4042的两端与所述第二VSS走线4022相连接,其中一端连接点位于所述弯折子区407外靠近所述显示区410的一侧,另一端连接点位于所述弯折子区407外远离所述显示区410的一侧。
综上所述,本实施例通过在切除区内设置第一VDD辅助线、第二VDD辅助线、第一VSS辅助线以及第二VSS辅助线,增加了第一VDD走线、第二VDD走线、第一VSS走线以及第二VSS走线的电流通道,减小了阻抗,防止了信号导线因发热严重导致熔断或烧伤膜层的问题,提高了显示面板的良率。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,且所述显示装置由上述显示面板所制成,将所述显示面板经二次切除以及其余常规工艺流程得到所述显示装置,且本实施例所提供的显示面板即在二切制程之前增设上述辅助导线,其余区域设置与常规制程相同,且在二切制程之后可将所述辅助导线去除,并不影响所述显示装置的使用。
所述显示装置包括上述显示面板,且所述显示装置包括OLED柔性显示装置,可应用于TV、手机、手表等小中大型显示装置中。
本发明通过在切除区内设置与信号导线并联的辅助导线,以增加电流通道,减小阻抗,防止了信号导线发热、熔断及烧伤膜层的技术问题,且辅助导线设置于切除区,在制程结束后可去除,不影响显示面板的正常显示,提高了良品率。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区和非显示区,所述非显示区包括:设置在所述显示区一侧的端子区和围绕所述显示区和所述端子区的切除区,所述端子区包括用于弯折的弯折子区,所述切除区为所述显示面板的二切制程中进行切除的区域;
所述显示面板包括:
基板;
TFT层,设置在所述基板一侧且与所述显示区对应;
功能电路,设置在所述基板一侧且与所述端子区对应;
信号导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区分别与所述TFT层和所述功能电路电连接;
辅助导线,设置在所述基板一侧,且通过所述弯折子区至少一侧对应的切除区,分别与所述TFT层和所述功能电路电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助导线的一端与所述TFT层相连接,另一端与所述功能电路相连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助导线的一端与所述TFT层相连接,另一端与位于所述弯折子区外远离所述显示区一侧的所述信号导线相连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助导线的一端与位于所述弯折子区外靠近所述显示区一侧的所述信号导线相连接,另一端与所述功能电路相连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助导线的两端分别与位于所述弯折子区两侧的所述信号导线相连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述信号导线位于所述弯折子区内的部分设置有孔结构或槽结构。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述信号导线包括第一信号线以及第二信号线,且所述辅助导线包括与所述第一信号线相对应的第一辅助线,以及与所述第二信号线相对应的第二辅助线。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线包括VDD信号走线,以及所述第二信号线包括VSS信号走线。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述VDD信号走线包括第一VDD走线以及第二VDD走线,所述VSS信号走线包括第一VSS走线以及第二VSS走线;
其中,所述第一辅助线包括与所述第一VDD走线相对应的第一VDD辅助线,以及与所述第二VDD走线相对应的第二VDD辅助线,所述第二辅助线包括与所述第一VSS走线相对应的第一VSS辅助线,以及与所述第二VSS走线相对应的第二VSS辅助线。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置由权利要求1至9任一项所述的显示面板经切割制得。
CN201911240660.6A 2019-12-06 2019-12-06 显示面板及显示装置 Active CN111081739B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911240660.6A CN111081739B (zh) 2019-12-06 2019-12-06 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911240660.6A CN111081739B (zh) 2019-12-06 2019-12-06 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111081739A CN111081739A (zh) 2020-04-28
CN111081739B true CN111081739B (zh) 2022-05-27

Family

ID=70313094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911240660.6A Active CN111081739B (zh) 2019-12-06 2019-12-06 显示面板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111081739B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107004617A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有桥接配线迹线的柔性显示装置
CN107004698A (zh) * 2014-12-15 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有包括圆化边缘的支承层的柔性显示装置
CN207303104U (zh) * 2017-10-31 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 显示面板
WO2019146115A1 (ja) * 2018-01-29 2019-08-01 シャープ株式会社 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102333671B1 (ko) * 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102565907B1 (ko) * 2017-12-27 2023-08-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 전계발광 표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107004617A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有桥接配线迹线的柔性显示装置
CN107004698A (zh) * 2014-12-15 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有包括圆化边缘的支承层的柔性显示装置
CN207303104U (zh) * 2017-10-31 2018-05-01 昆山国显光电有限公司 显示面板
WO2019146115A1 (ja) * 2018-01-29 2019-08-01 シャープ株式会社 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111081739A (zh) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9460882B2 (en) Laminated electrical fuse
TWI687002B (zh) 電連接器
US10290403B2 (en) Methods of fabricating chip resistors using aluminum terminal electrodes
CN104756321A (zh) 连接器结构、母连接器以及公连接器
CN113169000A (zh) 使用牺牲构件制造开腔式熔断器的方法
JP2016028381A (ja) 二厚ダブルエンド雄型ブレード端子
CN111081739B (zh) 显示面板及显示装置
JP2004527907A (ja) 電気的接続素子を備えた集積回路
US20210257174A1 (en) Chip-type fuse with a metal wire type fusible element and manufacturing method for the same
JP2006310277A (ja) チップ型ヒューズ
JP7055109B2 (ja) 半導体装置
KR20210099259A (ko) 배터리 센싱 모듈
KR101759870B1 (ko) 표면 실장형 퓨즈
KR101819033B1 (ko) 배터리 보호 장치 제조 방법
CN102005429A (zh) Tcp型半导体器件
JP4823201B2 (ja) 回路基板
CN104733153B (zh) 叠层片式磁珠
JP2017139394A (ja) 電子回路基板とfpcの電気接続構造および方法
CN107026145B (zh) 半导体装置
JP2007149663A (ja) コネクタおよびそのベース
JP6381439B2 (ja) ケーブル接続構造
JP2005235680A (ja) チップ型ヒューズおよびその製造方法
CN112269484A (zh) 一种触控显示基板及其测试方法、制造方法
US20110299211A1 (en) Surge Arrester Having a Short-Circuit Device
CN218103627U (zh) 线路板及具有其的电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant