KR101271521B1 - 유기전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 빛샘현상을 방지할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 제 2 기판의 내부면에 구비되어 흡습제가 부착되는 홈의 모서리부에 대응되는 제 1 기판의 비표시영역의 모서리부에 더미금속패턴을 형성하는 것이다.
이를 통해, 홈 형성 과정에서, 모서리부가 곡선형태로 형성됨에 따라 이의 모서리부를 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지하게 된다. 이로 인하여, 휘도 및 색균일도가 향상된 OLED를 제공하게 된다.
유기전계발광소자, 인캡슐레이션, 빛샘, 흡습제, 홈
Description
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 빛샘현상을 방지할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요 소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소 별로 위치하도록 한다.
최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, OLED(10)는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(11)과 제 1 전극(11)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기 발광층(13)과, 유기발광층(13)의 상부에는 제 2 전극(15)이 구성된다.
유기발광층(13)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질(13a, 13b, 13c)을 패턴하여 사용한다.
이들 제 1 및 제 2 전극(11, 15)과 그 사이에 형성된 유기발광층(13)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 이때, 이러한 구조를 갖는 OLED(10)는 제 1 전극(11)을 양극(anode)으로 제 2 전극(15)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다.
그리고 제 2 기판(2)의 내부면에는 홈(40)이 구비되어, 홈(40) 내부에는 외부로부터의 수분을 차단하는 흡습제(30)가 형성된다.
이러한, OLED(10)는 유기발광층(13)에서 발광된 빛이 제 1 전극(11)을 향해 방출되는 하부발광 방식(bottom emission type)으로 이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(11) 및 제 1 기판(1)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(10)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
한편, 제 2 기판(2)은 흡습제(30)가 부착되는 홈(40)을 마스크(미도시)를 이용하여 식각하고 홈(40)에 흡습제(30)를 형성하는데, 이때, 홈(40)의 각 모서리부는 도 2에 도시한 바와 같이 식각이 완전히 되지 않는 식각 불량이 발생하게 된다.
이를 통해, 유기발광층(13)으로부터 발광된 빛이 제 1 전극(11)을 향해 방출되는 과정에서, 일부 빛은 제 2 전극(15)을 향해서도 방출되고, 제 2 전극(15)을 향해 방출된 일부 빛은 홈(40)의 모서리부에 의해 굴절되어, 빛샘현상을 발생시키게 된다.
이로 인하여, 휘도 및 색균일도 저하 등의 OLED(10)의 품질이 떨어지게 된다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 유기전계발광소자의 빛샘현상을 방지하고자 하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 표시영역과 상기 표시영역 외측으로 비표시영역이 정의(定義)된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판의 상기 표시영역에 형성되며, 반도체층, 게이트전극 및 소스 및 드레인전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 다이오드와; 상기 비표시영역의 각 모서리에 형성되는 더미금속패턴과; 상기 제 1 기판과 마주하며, 상기 표시영역에 대응하여 흡습제가 부착되는 홈이 구성된 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 비표시영역의 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 개재된 실패턴을 포함하며, 상기 더미금속패턴은 상기 실패턴의 내측 모서리와 중첩되는 동시에, 상기 홈의 모서리부와도 중첩되는 유기전계발광소자를 제공한다.
이때, 상기 더미금속패턴은 상기 홈의 두께에 1.5 ~ 2.5배인 가로 및 세로 길이를 가지며, 상기 더미금속패턴은 이등변삼각형구조이다.
그리고, 상기 더미금속패턴은 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지며, 상기 더미금속패턴은 상기 소스 및 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어진다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 제 2 기판의 내부면에 구비되어 흡습제가 부착되는 홈의 모서리부에 대응되는 제 1 기판의 비표시영역의 모서리부에 더미금속패턴을 형성함으로써, 이를 통해, 홈 형성 과정에서 모서리부가 곡선형태로 형성됨에 따라 이의 모서리부를 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.
이로 인하여, 휘도 및 색균일도가 향상된 OLED를 제공하게 되는 효과가 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이다.
설명에 앞서, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정이 자유도가 높아, 하부 발광방식에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이하 본 발명의 OLED(100)는 하부 발광방식이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 하부발광 방식 OLED(100)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)를 구비한 제 1 기판(101)과, 제 1 기판(101)과 마주하며 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(102)으로 구성되고 있다.
우선, OLED(100)는 화상이 구현되는 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 가장자리를 두르는 비표시영역(NA)으로 나뉘어지는데, 제 1 기판(101)의 표시영역(AA)에는 다수의 게이트 및 데이터배선(미도시)이 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하며, 화소영역(P)을 관통하며 게이트배선(미도시) 또는 데이터배선(미도시)과 이격하며 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다.
또한, 다수의 각 화소영역(P)에는 게이트 및 데이터배선(미도시)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성된다.
또한, 이러한 구동 박막트랜지스터(DTr) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다.
그리고, 제 2 기판(102)의 내부면의 홈(140)에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(130)가 형성된다.
이러한, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 서로 이격되어 있고, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 표시영역(AA)의 가장자리를 두르는 비표시영역(NA)의 실패턴(seal pattern : 120)을 통해 봉지되어 합착된다.
여기서, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(101) 상에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103a) 그리고 액티브영역(103a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)으로 구성된다.
이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있다.
게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103a)에 대응하여 게이트전극(107)이 형성되어 있다.
또한, 게이트전극(107) 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 구비한다.
다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인전극(110a, 110b)이 형성되어 있다.
이때, 소스 및 드레인전극(110a, 110b)과 이들 전극(110a, 110b)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.
여기서, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(110a, 110b) 상부로 드레인전극(110b)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는 제 2 층간절연막(109b)이 형성되어 있다.
또한, 제 2 층간절연막(109b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다.
제 1 전극(111)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결되며, 제 1 전극(111)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이의 비화소영역(NA)에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다.
즉, 뱅크(119)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(119)를 각 화소영역(P) 별 경계부로 하여 제 1 전극(111)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.
이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 제 1 전극(111)에 비해 일함수 값이 낮은 도전성 물질로 이루어지는데, 이러한 제 2 전 극(115)은 유기발광층(113)의 손상을 최소화하기 위하여 저온 증착에 의해 형성하게 된다.
따라서, 제 2 전극(115)은 막질이 나쁘고 비저항이 높아지게 된다. 이는, 결국 휘도나 화상 특성의 불균일을 발생시키게 되며, OLED(100)의 소비전력을 상승시키는 문제점을 야기하게 된다.
이에, 제 2 전극(115)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착하여 사용함으로써, 위와 같은 문제점을 방지하게 된다.
그리고, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E) 상부에는 제 2 기판(102)이 위치하는데, 제 2 기판(102)은 금속호일(metal foil)등을 재료로 하여 형성할 수 있다.
이에, 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(102)은 서로 마주하도록 위치한 상태에서 이의 가장자리부가 실패턴(120)에 의해 서로 접착되어 합착된다.
이를 통해, OLED(100)는 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
이때, 본 발명의 OLED(100)는 제 2 기판(102)을 금속호일로 형성하여 유리로 제 2 기판을 형성하는 경우에 비해 제 2 기판(102)을 얇은 두께로 형성할 수 있어, OLED(100)의 전체적인 두께를 줄일 수 있다.
또한, OLED(100)의 두께를 줄임에도 불구하고 OLED(100) 자체의 내구성을 향상시킬 수 있으며, OLED(100)의 방열 특성 또한 향상시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 OLED(100)는 유기발광층(113)을 통해 발광된 빛이 제 1 전극(111)을 향해 발광하는 하부 발광방식(bottom emission type)이다.
그리고, 제 2 기판(102)의 내부면에는 홈(140)이 구비되며, 홈(140) 내부에는 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)로 이루어진 흡습제(130)가 구비된다.
특히, 본 발명의 제 1 기판(101)은 표시영역(AA)의 가장자리를 두르는 비표시영역(NA)의 각 모서리부에 더미금속패턴(200)을 더욱 형성하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 제 2 기판(102)에 구비된 홈(140)을 통해 빛샘현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 대해 아래 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 4는 도 3의 더미금속패턴이 형성된 일부를 확대 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 제 1 기판(101) 상의 비표시영역(NA)의 각 모서리부에는 더미금속패턴(200)이 형성된다.
더미금속패턴(200)은 제 2 기판(102)의 내부면에 구비되어 흡습제(130)가 부착되는 홈(140)의 모서리부(G)에 대응하여 형성되어, 제 2 기판(102)에 구비된 홈(140)을 통해 빛샘현상이 발생하는 것을 방지하게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 2 기판(102)의 내면에 흡습제(130)를 부착하기 위한 홈(140)은 마스크(미도시)를 이용하여 식각함으로써 형성하는데, 이때, 홈(140)의 각 모서리부(G)는 식각이 완전히 되지 않는 식각 불량이 발생하게 된다.
즉, 마스크(미도시)를 이용하여 제 2 기판(102)을 식각액(미도시)을 통해 식각하여 홈(140)을 형성하는 과정에서, 식각이 되어 홈(140)을 형성하는 영역과 식각이 되지 않는 영역의 접합부 즉, 홈(140)의 모서리부(G)는 홈(140)을 형성하는 영역에 비해 식각속도가 느려 일정한 단차가 형성되며, 이러한 단차가 곡선형태를 갖게 되는 것이다.
따라서, 본 발명의 OLED(100)가 하부 발광방식으로, 유기발광층(113)으로부터 발광되어 제 1 전극(111)을 향해 방출된 빛은 OLED(100)의 화상을 구현하게 되며, 제 2 전극(115)을 향해 방출되는 일부 빛은 OLED(100) 내부에서 상쇄(相殺)되 어야 하나, 제 2 전극(115)을 향해 방출된 일부 빛들이 홈(140)의 곡선형태로 이루어지는 모서리부(G)에 의해 굴절되어, 제 1 기판(101)을 향해 방출되는 것이다.
즉, 홈(140)의 모서리부(G)에 의해 굴절된 빛들을 통해 OLED(100)의 빛샘현상이 발생하게 되는 것이다. 이로 인하여, 휘도 및 색균일도 저하 등의 OLED(100)의 품질이 떨어지게 된다.
그러나, 본 발명의 OLED(100)는 제 2 기판(102)의 홈(140)의 모서리부(G)에 대응되는 제 1 기판(101)의 비표시영역(NA)의 모서리부에 더미금속패턴(200)을 형성함으로써, 더미금속패턴(200)이 제 2 기판(102)의 홈(140)의 모서리부(G)에 의해 굴절된 빛들을 차광하는 역할을 하도록 하는 것이다.
이를 통해, OLED(100)의 화상이 구현되는 표시영역(AA) 외의 부분으로 빛이 새지 못하도록 차광하게 되는 것이다.
이러한 더미금속패턴(200)은 구동소자의 게이트전극(도 3의 107)과 동일층, 동일물질로 구성할 수 있으며, 또는 구동소자의 소스 및 드레인전극(도 3의 110a, 110b)과 동일층, 동일물질로 구성할 수 있다.
그리고, 더미금속패턴(200)은 제 2 기판(102)의 내부면에 구비되어 흡습제(130)가 부착되는 홈(140)의 모서리부(G)에 대응하여 형성되는 것이 바람직하며, 그리고 더미금속패턴(200)의 길이(d1)는 홈(140)의 두께(t)에 1.5 ~ 2.5배의 길이로 형성하는 것이 바람직하다.
이는, 홈(140)의 곡선형태로 이루어지는 모서리부(G)가 홈(140)의 두께(t)에 대응하여 형성되기 때문이다. 이에 대해 차후 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
또한, 더미금속패턴(200)의 일부는 OLED(100)의 비표시영역(NA)을 따라 형성되는 실패턴(120)과 중첩되어 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 실패턴(120)을 더미금속패턴(200)의 상부에 일부가 중첩되도록 형성되도록 하는 것이다.
이는, 제 1 기판(101)의 비표시영역(NA)에 제 2 기판(102)의 홈(140)의 모서리부(G)의 면적의 1.5 ~ 2.5배에 해당하는 면적을 갖는 더미금속패턴(200)을 형성하는 과정에서, 더미금속패턴(200)을 형성하기 위한 별도의 영역을 필요로 하지 않기 위함이다.
즉, 더미금속패턴(200)으로 인해 OLED(100)의 베젤영역이 늘어나지 않도록 하기 위함이다.
도 5는 제 1 기판 상에 형성된 더미금속패턴의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 제 1 기판(101) 상의 표시영역(AA)의 가장자리를 두르는 비표시영역(NA)을 따라서 실패턴(120)이 형성되어 있으며, 비표시영역(NA)의 각 모서리부 내측 즉, 실패턴(120)의 내측 모서리부와 일부 중첩되도록 더미금속패턴(200)이 형성된다.
이러한, 더미금속패턴(200)은 제 2 기판(도 4의 102)의 내부면에 구비되어 흡습제(도 4의 130)가 부착되는 홈(140)의 모서리부(G)에 대응하여 형성된다.
즉, 더미금속패턴(200)은 제 1 기판(101) 상의 비표시영역(NA)에 형성되며, 실패턴(120)의 내측 모서리와 일부 중첩되는 동시에, 제 2 기판(도 4의 102)의 홈(140)의 모서리부(G)와도 일부 중첩되도록 형성되는 것이다.
이때, 더미금속패턴(200)은 홈(140)의 곡선형태의 모서리부(G)에 의한 빛샘을 방지하기 위하여, 홈(140)의 두께(t)에 1.5 ~ 2.5배에 해당하는 길이를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
이는, 홈(140)의 모서리부(G)의 면적은 홈(140)의 두께(도 4의 t)에 대응하기 때문이다. 즉, 홈(140)의 모서리부(G)의 곡선형태는 홈(140)의 두께(도 4의 t)에 대응하는 곡선형태를 갖게 되는데, 즉, 홈(140)의 두께(도 4의 t)가 0.3t일 경우, 홈(140)의 모서리부(G)의 곡선형태는 홈(140)의 모서리로부터 세로와 가로방향으로 300㎛의 곡선형태로 형성된다.
이에, 더미금속패턴(200)은 홈(140)의 곡선형태의 모서리부(G)에 의한 빛샘을 방지하기 위하여, 곡선형태로 이루어지는 모서리부(G)에 비해 큰 면적을 갖도록 형성함으로써, 더미금속패턴(200)은 홈(140)의 두께(도 4의 t)에 1.5 ~ 2.5배에 해당하는 길이(d1)를 갖도록 형성하는 것이다.
일예로, 홈(140)의 곡선형태의 모서리부(G)가 홈(140)의 모서리로부터 세로와 가로방향으로 300㎛으로 형성될 경우, 더미금속패턴(200)의 홈(140)의 모서리부(G)의 세로와 가로방향에 대응하는 두 변의 길이가 300㎛ × 2의 길이(d1)로 형성하는 것이다.
따라서, 더미금속패턴(200)은 면적이 180000(300㎛ × 2)2 × 1/2)인 이등변삼각형 구조를 갖도록 하는 것이다.
이렇게, 더미금속패턴(200)을 곡선형태로 이루어지는 모서리부(G)에 비해 큰 면적을 갖도록 형성함으로써, 곡선형태의 모서리부(G)에 의한 빛샘을 방지할 수 있게 된다.
이때, 더미금속패턴(200)의 면적은 곡선형태의 모서리부(G)에 비해 크게 형성할수록 빛샘을 방지하는데 더욱 효과가 있을 수 있으나, 이는 OLED(100)의 비표시영역(NA)을 늘리게 되는 문제점을 야기할 수 있다. 이에, 더미금속패턴(200)은 앞서 전술한 바와 같이 홈(140)의 두께(도 4의 t)에 1.5 ~ 2.5배에 해당하는 길이(d1)를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
첨부한 도 6a와 도 6b는 더미금속패턴이 형성되지 않은 OLED와 본 발명의 실시예에 따라 더미금속패턴을 형성한 OLED의 모서리부의 빛샘 발생 여부를 나타낸 사진이다.
도 6a는 더미금속패턴이 형성되지 않은 OLED로, OLED의 모서리부에서 빛샘이 발생된 모습을 확인할 수 있다.
그리고, 도 6b는 본 발명의 실시예에 따라 더미금속패턴을 제 2 기판의 내부면에 구비되어 흡습제가 부착되는 홈의 모서리부에 대응하여 형성한 OLED로, 도 6a와 비교확인하면 OLED의 모서리부에서 빛샘이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제 2 기판의 내부면에 구비되어 흡습제가 부착되는 홈의 모서리부에 대응되는 제 1 기판의 비표시영역의 모서리부에 더미금속패턴을 형성함으로써, 더미금속패턴이 제 2 기판의 홈의 모서리부에 의해 굴절된 빛들을 차광하게 된다.
이로 인하여, 휘도 및 색균일도가 향상된 OLED를 제공하게 된다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 빛샘현상이 발생되는 모습을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4는 도 3의 더미금속패턴이 형성된 일부를 확대 도시한 단면도.
도 5는 제 1 기판 상에 형성된 더미금속패턴의 구조를 개략적으로 도시한 평면도.
도 6a ~ 6b는 더미금속패턴이 형성되지 않은 OLED와 본 발명의 실시예에 따라 더미금속패턴을 형성한 OLED의 모서리부의 빛샘 발생 여부를 나타낸 사진.
Claims (5)
- 표시영역과 상기 표시영역 외측으로 비표시영역이 정의(定義)된 제 1 기판과;상기 제 1 기판의 상기 표시영역에 형성되며, 반도체층, 게이트전극 및 소스 및 드레인전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;상기 구동 박막트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 다이오드와;상기 제 1 기판의 비표시영역의 각 모서리에 위치하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 상기 제 1 기판의 면에 형성되는 더미금속패턴과;상기 제 1 기판과 마주하며, 상기 표시영역에 대응하여 흡습제가 부착되는 홈이 구성된 제 2 기판과;상기 제 1 기판의 비표시영역의 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 개재된 실패턴을 포함하며, 상기 더미금속패턴은 상기 실패턴의 내측 모서리와 중첩되는 동시에, 상기 홈의 모서리부와도 중첩되는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미금속패턴은 상기 홈의 두께에 1.5 ~ 2.5배인 가로 및 세로 길이를 갖는 유기전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 더미금속패턴은 이등변삼각형구조인 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미금속패턴은 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미금속패턴은 상기 소스 및 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 유기전계발광소자.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150019876A (ko) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20160073252A (ko) * | 2014-12-16 | 2016-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10863632B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8580655B2 (en) * | 2012-03-02 | 2013-11-12 | Disco Corporation | Processing method for bump-included device wafer |
CN104749824B (zh) * | 2015-04-08 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曲面显示面板和曲面显示装置 |
KR102416017B1 (ko) | 2015-06-15 | 2022-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102642398B1 (ko) | 2015-06-22 | 2024-02-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102342596B1 (ko) | 2015-06-26 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102508329B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
KR102451725B1 (ko) | 2017-12-20 | 2022-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100636497B1 (ko) | 2005-05-02 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20080024423A (ko) * | 2006-09-13 | 2008-03-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 |
KR20090069558A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6949883B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-09-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
JP2006119270A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 表示装置用基板 |
KR20090005541A (ko) | 2007-07-09 | 2009-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100636497B1 (ko) | 2005-05-02 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20080024423A (ko) * | 2006-09-13 | 2008-03-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 |
KR20090069558A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150019876A (ko) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR102158630B1 (ko) | 2013-08-16 | 2020-09-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20160073252A (ko) * | 2014-12-16 | 2016-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102430346B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2022-08-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10863632B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US12016135B2 (en) | 2016-12-06 | 2024-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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