KR102263417B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

탑재대로부터의 기판의 박리를 고감도로 검지하는 기술을 제공하는 것이다.
[해결 수단]
진공 용기 내에 기판이 탑재되는 탑재대를 구비하고, 탑재대에 마련된 유전체층 내에, 제 1 정전 흡착 전극과 제 2 정전 흡착 전극을 서로 분리해 형성한다. 제 1 정전 흡착 전극은, 탑재대에 탑재된 기판의 주연부를 정전 흡착하고, 제 2 정전 흡착 전극은, 탑재대에 탑재된 기판의 중앙부를 정전 흡착한다. 제 1 정전 흡착 전극 및 제 2 정전 흡착 전극에는, 각각, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압이 제 1 직류 전원 및 제 2 직류 전원으로부터 인가된다. 전압 측정부에서, 제 1 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 측정하고, 박리 검지부에서, 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리가 발생한 것을 검지한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display：FPD)의 제조 공정에 있어서는, 기판에 대해서 플라즈마를 이용해서 에칭 처리나 성막 처리를 실시하는 프로세스가 있다. 이 프로세스는, 진공 용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하고, 이 탑재대의 위쪽의 공간에 공급된 처리 가스에 고주파 에너지를 부여해서, 예를 들면 용량 결합 플라즈마나 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 것에 의해 행해진다. 이러한 장치에 이용되는 탑재대에는, 예를 들면 정전 척이라 불리는 기판 고정 기구가 마련되는 경우가 있다. 정전 척은, 유전체층 내에 정전 흡착 전극이 배치된 구성으로 되어 있고, 정전 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 것에 의해, 정전 흡착력에 의해서, 기판이 탑재대 위에 유지된다.
특허문헌 1에는, 기판을 탑재대에 정전 흡착함에 임해서, 정전 흡착 전극에 공급되는 직류 전압을 감시하는 것으로, 기판의 탑재대로부터의 박리를 검지하는 기술이 기재되어 있다. 본 기술에서는, 감시하고 있는 직류 전압이, 미리 설정된 임계치를 넘었을 때에, 탑재대로부터 기판이 박리했다고 판단하고, 플라즈마 생성용 고주파 전원으로의 고주파 전력을 정지한다.
[선행 기술 문헌]
[특허문헌]
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2016－174081호 공보
본 개시는, 대형 기판의 탑재대로부터의 부분적인 박리를 정밀도 좋게 검지하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 장치는,
기판에 대해서 처리 가스를 이용한 기판 처리를 행하기 위한 진공 용기 내에 마련되고, 처리 대상의 기판이 탑재되는 탑재대와,
상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에 형성되고, 상기 탑재대에 탑재된 기판의 주연부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 주연부의 평면 형상에 대응해서 마련된 제 1 정전 흡착 전극과,
상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에, 상기 제 1 정전 흡착 전극과는 분리해서 형성되고, 상기 탑재대에 탑재된 기판의 중앙부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 중앙부의 형상에 대응해서 마련된 제 2 정전 흡착 전극과,
상기 제 1 정전 흡착 전극 및 제 2 정전 흡착 전극에, 각각, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압을 인가하는 제 1 직류 전원 및 제 2 직류 전원과,
상기 제 1 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 측정하는 전압 측정부와,
상기 전압 측정부에서 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 상기 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리가 발생한 것을 검지하는 박리 검지부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 개시에 의하면, 대형 기판의 탑재대로부터의 부분적인 박리를 정밀도 좋게 검지할 수 있다.
도 1은 본 개시의 기판 처리 장치의 제 1 실시 형태의 구성을 설명하는 종단 측면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치에 마련되는 제 1 정전 흡착 전극 및 제 2 정전 흡착 전극의 구성예를 설명하는 평면도이다.
도 3은 상기 제 1 정전 흡착 전극, 제 2 정전 흡착 전극 및 기판을 나타내는 개략 종단 측면도이다.
도 4는 본 개시의 기판 처리 방법을 설명하는 플로차트(flow chart)이다.
도 5는 소스 전력, 바이어스 전력 및 제 1 정전 흡착 전극의 직류 전압치의 시간 변화를 나타내는 특성도이다.
도 6은 본 개시의 기판 처리 장치의 제 2 실시 형태를 설명하는 평면도이다.
도 7은 본 개시의 기판 처리 장치의 제 3 실시 형태를 설명하는 평면도이다.
본 개시의 기판 처리 장치(1)의 제 1 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이 기판 처리 장치(1)는, 접지 전위에 접속된, 예를 들면 알루미늄 또는 스텐레스제의 진공 용기(10)를 구비하고 있다. 진공 용기(10)의 측면에는, 처리 대상인 기판, 예를 들면 직사각형의 글라스 기판(이하 「기판」이라고 한다) G를 주고받기 위한 반입 반출구(11)가 형성되어 있다. 도면 중의 부호 12는 반입 반출구(11)를 개폐하는 게이트 밸브를 가리키고 있다. 또, 진공 용기(10)의 아래쪽의 측면에는 배기구(13)가 개구되어 있고, 배기구(13)에는, 배기관(14)을 통해서 진공 배기부(15)가 접속되어 있다.
진공 용기(10)의 내부에는, 그 아래쪽 측에, 기판 G가 탑재되는 탑재대(3)가 배치되어 있고, 기판 G로서는, 평면에서 볼 때에 장방형(長方形)이며, 장변이 3.37m, 단변이 2.94m의 제10세대 이른바 G10로 불리는 대형의 직사각형 기판을 예시할 수 있다. 탑재대(3)는, 평면 형상이 직사각형인 각주 형상으로 구성되어 있고, 그 자세한 구성에 대해서는 후술한다.
진공 용기(10)의 위쪽에는, 탑재대(3)와 대향하도록, 유전체 혹은, 금속으로 이루어지는 도시하지 않은 창 부재를 개재해서 플라즈마 형성부인 소용돌이 형상의 유도 결합 안테나(50)가 마련되어 있다. 유도 결합 안테나(50)에는, 플라즈마 생성용의 소스 전원(고주파 전력 공급부)(52)이 정합기(51)를 통해 접속되어 있다. 소스 전원(52)으로부터 유도 결합 안테나(50)에 소스 전력(플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전력)을 공급하는 것으로, 진공 용기(10) 내에 플라즈마 발생용의 전계가 발생된다.
진공 용기(10)에 있어서의, 유도 결합 안테나(50) 및 도시하지 않은 창 부재의 아래쪽에는, 진공 용기(10) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드(2)가 절연부(16)를 개재해서 마련되어 있다. 샤워 헤드(2)의 내부는 가스 분산실(20)로서 형성되어 있다. 또, 샤워 헤드(2)의 하면은, 탑재대(3)의 탑재면과 대향하도록 형성됨과 아울러, 다수의 가스 공급 구멍(21)을 구비하고 있다. 또한, 샤워 헤드(2)의 상면에는, 가스 분산실(20)을 향하여 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급관(22)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급관(22)에는, 예를 들면 CF4나 Cl2 등의 에칭 가스를 포함한 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원(23), 유량 조정부 M22 및 밸브 V22가, 상류측으로부터 이 순서로 마련되어 있다.
탑재대(3)는, 도체로 이루어지는 서셉터(31)와, 기판 G를 정전 흡착에 의해 고정하기 위한 정전 척(4)을 아래쪽으로부터 이 차례로 적층한 구조로 되어 있다. 서셉터(31)는, 진공 용기(10)의 저면에 있어서의 중앙부에 절연층(30)을 개재해서 마련된 스페이서(33) 상에 설치되고, 서셉터(31) 및 스페이서(33)의 측면은 예를 들면 세라믹제의 커버(35)로 덮여 있다. 서셉터(31)에는, 배선(53)에 의해 정합기(54)를 통해서 바이어스 전원(고주파 전력 공급부)(55)이 접속되어 있다. 이 바이어스 전원(55)에 의해 서셉터(31)에 고주파 전력인 바이어스 전력을 인가하면, 플라즈마에 의해 진공 용기(10) 내에 발생한 처리 가스의 활성종을 탑재대(3)에 탑재한 기판 G로 끌어들일 수가 있다.
탑재대(3)의 내부에는 전열 가스 공급로(32)가 형성되고, 그 하류측의 단부는, 복수로 분기해서, 탑재대(3)의 상면에 분산해 개구하는 것에 의해, 복수의 전열 가스 공급구를 구성하고 있다. 한편, 도면의 번잡화를 막기 위해서, 도 1에서는 일부의 전열 가스 공급구를 나타내고, 도 3에서는, 정전 척(4)에 있어서의 전열 가스 공급로(32)는 도시를 생략하고 있다. 전열 가스 공급로(32)의 상류측은, 진공 용기(10)의 외부에 마련된 전열 가스 공급관(36)에 의해, 유량 조정부(37)를 통해 전열 가스 공급원(38)에 접속되어 있다.
스페이서(33)의 내부에는, 예를 들면 둘레 방향으로 연장하는 고리 형상의 냉매 유로(34)가 마련되어 있다. 이 냉매 유로(34)에는, 칠러 유닛(도시하지 않음)에 의해 소정 온도로 조정된 열전도 매체가 순환 공급되고, 열전도 매체의 온도에 의해 기판 G의 처리 온도를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 탑재대(3)에는, 외부의 반송 암과의 사이에서 기판 G를 주고받기 위한 도시하지 않은 승강 핀이, 탑재대(3) 및 진공 용기(10)의 저판부를 수직 방향으로 관통해, 탑재대(3)의 표면으로부터 돌몰하도록 마련되어 있다.
계속해서, 정전 척(4)에 대해 설명한다. 정전 척(4)은, 상층의 유전체층(41)과 하층의 유전체층(42) 사이에, 정전 흡착 전극(43)을 끼운 구조를 이루고 있다. 유전체층(41),(42)은, 예를 들면 알루미나(Al2O3)등의 세라믹스에 의해 이루어지고, 정전 흡착 전극(43)은, 예를 들면 금속에 의해 구성되어 있다.
정전 흡착 전극(43)은, 제 1 정전 흡착 전극(44)과 제 2 정전 흡착 전극(45)을 포함하고 있다. 제 1 정전 흡착 전극(44)(이하 「제 1 전극」이라고 한다)은, 탑재대(3)에 탑재된 기판 G의 주연부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 주연부의 평면 형상에 대응해서 마련되어 있다. 제 2 정전 흡착 전극(45)(이하 「제 2 전극」이라고 한다)은, 제 1 전극(44)과는 절연 부재를 개재해서 전기적으로 분리해서 형성되고, 탑재대(3)에 탑재된 기판 G의 중앙부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 중앙부의 형상에 대응해서 마련되어 있다.
도 2는, 제 1 전극(44) 및 제 2 전극(45)의 구성예를 나타내는 평면도로, 제 1 전극(44)은, 직사각형 기판의 변부를 따른 고리 형상의 평면 형상에 대응해서, 평면에서 볼 때 직사각형의 고리 형상으로 형성되어 있다. 제 1 전극(44)의 외연은, 예를 들면 탑재대(3)에 탑재되는 기판 G의 외연과 거의 동일하지만, 기판 G의 외연보다 다소 외측 또는 내측에 위치하도록 설정되어 있다. 이 예에서는, 제 1 전극(44)의 외연은, 기판 G의 외연과 맞도록 형성되고, 도 2에서는, 후술하는 기판 G의 박리 영역 P를 점선의 사선으로 투영해서 나타내고 있다.
제 1 전극(44)의 면적은, 예를 들면 4.2m2 이하가 되도록 형성되어 있다. 이와 같이 제 1 전극(44)의 면적이 4.2m2 이하인 것이 바람직한 것은, 후술하는 바와 같이, 전극의 면적이 커지면, 기판 G의 박리를 감지하는 감도가 저하하기 때문이다. 상기 4.2m2의 면적은 기판 G의 크기와, 기판 G의 박리의 검지 정밀도의 관계로부터, 경험적으로 얻은 값이다. 이와 같이, 제 1 전극(44)은, 면적이 작은 것이 바람직하고, 이 때문에, 제 1 전극(44)의 면적은, 제 2 전극(45)의 면적보다 작게 설정되는 것이 바람직하다.
제 2 전극(45)은 평면에서 볼 때 직사각형 형상으로 형성되고, 제 1 전극(44)의 내측에, 제 1 전극(44)과 이간해 배치되어 있다. 제 1 전극(44)과 제 2 전극(45)의 이간 거리는, 고리 형상의 이간 영역이 제 1 전극(44)과 제 2 전극(45)을 전기적으로 분리하는 것이 가능한 값으로 설정된다. 상기 이간 거리는, 예를 들면 5mm~30mm이다. 또, 제 2 전극(45)의 면적은, 제 2 전극(45)에 의해 기판 G의 중앙부를 충분히 정전 흡착 가능한 크기로 설정된다. 또한, 제 2 전극(45)의 평면 형상은 직사각형 형상으로 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 기판 G의 장변 방향에 따라 가늘고 긴 타원 형상이어도 좋다.
제 1 전극(44)은, 전압 조정용의 저항(62)이 마련된 제 1 배선(61)을 통해서 제 1 직류 전원(63)에 접속되어 있다. 또, 제 2 전극(45)은, 전압 조정용의 저항(65)이 마련된 제 2 배선(64)을 통해서 제 2 직류 전원(66)에 접속되어 있다. 제 1 직류 전원(63) 및 제 2 직류 전원(66)은, 전압 설정치에 근거해, 제 1 전극(44) 및 제 2 전극(45)에, 각각 예를 들면 0~6000V의 범위 내의 미리 설정된 직류 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다.
이와 같이 하여 제 1 직류 전원(63) 및 제 2 직류 전원(66)으로부터 각각 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압이 인가되면, 제 1 전극(44) 및 제 2 전극(45)은 정전기력에 의해 탑재대(3)에 탑재된 기판 G를 정전 흡착한다. 또, 제 1 배선(61)에는, 예컨대 2개의 저항(62)의 사이에, 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압을 측정하는 전압 측정부(67)가 접속되어 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(7)를 구비하고 있다. 이 제어부(7)에는, 프로그램, 메모리, CPU가 마련되어 있고, 프로그램에는, 기판 처리 장치(1)를 구동해, 기판 G에 대한 기판 처리를 실행하도록 명령(스텝군)이 짜여져 있다. 또한, 프로그램은, 후술의 플로차트(flow chart)에 따라, 전압 측정부(67)에 의해 직류 전압의 모니터를 실시해, 소스 전력이나 바이어스 전력의 공급 정지의 판단을 실행하도록 명령이 짜여져 있다.
또한, 제어부(7)는, 예를 들면 박리 검지부(71)와 급전 제어부(72)를 구비하고 있다. 박리 검지부(71)는, 전압 측정부(67)에서 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘은 경우에, 제 1 전극(44)을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판 G에, 탑재대(3)로부터의 박리가 발생한 것을 검지하는 것이다. 임계치는, 미리 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 파악한 값에 근거해 특정되고, 예를 들면 플라즈마 처리 중에 안정하게 측정되는 직류 전압치(안정치)에 2%~5% 정도의 여유를 갖게 한 값으로서 설정된다. 전압 측정부(67)의 검출 정밀도는 노이즈에 의해서도 좌우되기 때문에, 노이즈의 크기에 따라서는 임계치를 크게 할 수밖에 없는 경우도 있다. 단, 이상 방전의 발생을 억제하는 관점에서 보면, 임계치는 안정치에 대해서 5%의 여유를 갖게 한 값까지 억제하는 것이 바람직하다. 임계치는, 제어부(7)의 메모리에 저장된다.
급전 제어부(72)는, 기판 G의 박리의 발생이 검지되었을 경우에, 예를 들면 소스 전원(52)으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하는 것이다. 또한, 이 예의 급전 제어부(72)는, 기판 G의 박리의 발생이 검지되었을 경우에, 예를 들면 바이어스 전원(55)으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 예컨대, 전압 측정부(67)에서는 수 msec 간격, 예를 들면 1msec 간격으로 직류 전압이 측정되고, 측정된 데이터를 상술의 임계치와 비교하고, 박리 검지부(71)는 기판 G의 박리의 유무에 대해서 판정한다. 또, 제어부(7)는, 박리 검지부(71)에서 기판 G의 박리가 검지되면, 예를 들면 기판 G가 박리한 취지의 알람을 출력한다. 그리고 급전 제어부(72)에 의해, 소스 전원(52) 및 바이어스 전원(55)으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 이와 같이 하여 제어부(7)에 의해, 기판 박리의 검지 제어가 행해진다.
또, 기판 처리 장치(1)의 운전 개시 시에는 소스 전력이 안정되지 않고, 전압 측정부(67)에 의한 직류 전압의 측정 결과도 그 영향을 받게 될 우려가 있다. 그래서, 제어부(7)에는, 운전 개시시에 발생하는 이들 소스 전력, 바이어스 전력의 전력치의 변동의 판정 기준치(변동 범위)가 기억되어 있다. 그리고 소스 전력이나 바이어스 전력의 공급 정지의 판단의 실행에 임해서, 소스 전원(52)으로부터 공급되는 전력치가, 소정의 변동 범위 내의 값인지의 여부를 판단할 수 있도록 구성되어 있다. 마찬가지로, 바이어스 전원(55)으로부터 공급되는 전력치가, 당해 바이어스 전력의 변동 범위 내의 값인지 여부를 판단할 수 있도록 구성해도 좋다.
본 예의 기판 처리 장치(1)는, 탑재대(3)로부터의 기판 G의 박리를 검지하기 위해서, 전압 측정부(67)에 의해 측정되는 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압치를 이용하는 것이다. 계속해서, 기판 G의 박리와 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압치의 관계에 대해, 도 3을 참조해 설명한다. 도 3은 정전 척(4)과 기판 G를 개략적으로 나타내는 종단 측면도로, 도 3 우측은 기판 G가 탑재대(3)에 정상적으로 흡착되고 있는 상태, 도 3 좌측은 기판 G의 일부가 탑재대(3)로부터 박리한 상태를 각각 나타내고 있다.
기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판 G와 정전 흡착 전극(43)은, 상층의 유전체층(41)을 개재해서 서로 이간하고 있기 때문에, 콘덴서(40)를 구성한다. 진공 용기(10) 내에서 플라즈마가 생성된 상태에서는, 기판 G는 플라즈마를 거쳐서 접지 되고, 제 1 전극(44), 제 2 전극(45)에는, 제 1 직류 전원(63), 제 2 직류 전원(66)으로부터 각각 직류 전압이 인가된다. 이 때문에, 기판 G에는 부의 전하가 대전하고, 제 1 및 제 2 전극(44),(45)에는 정의 전하가 대전한다. 이들의 전하에 의해 제 1 및 제 2 전극(44),(45)과 기판 G가 서로 정전 인력에 의해 서로 끌어당기기 때문에, 기판 G가 탑재대(3) 상에 흡착 유지된다.
예를 들면 도 3 우측에 나타내는 바와 같이, 기판 G가 탑재대(3)에 수평인 자세로 유지되고 있는 경우에는, 다음의 (1) 식, (2) 식의 관계가 성립된다.
Q=CV ···(1)
C=εo×εr×(S/d)···(2)
Q：콘덴서(40)의 전하
C：콘덴서(40)의 정전 용량
V：기판 G와 제 1 전극(44)의 전위차
εo：진공의 유전율
εr：유전체층(41)의 비유전률
S：기판 G의 면적
d：기판 G와 제 1 전극(44)의 거리(유전체층(41)의 두께)
소스 전력 및 바이어스 전력의 안정 후에는, 콘덴서(40)의 전하 Q는 일정하다. 따라서, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리하지 않고, 기판 G와 제 1 전극(44)의 거리 d가 일정할 때에는, 직류 전압치는 변화하지 않는다. 한편, 도 3 좌측에 나타내는 바와 같이, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리하면, 탑재대(3)와 기판 G의 거리 Δd가 커져, 기판 G와 제 1 전극(44)의 거리는 (d＋Δd)로 된다.
이 결과, 기판 G와 전극(44)의 거리의 확대에 의해, (2) 식에서 콘덴서(40)의 정전 용량 C가 감소한다. 콘덴서(40)의 전하 Q는 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리하는 전후에서 변하지 않기 때문에, (1) 식에서 기판 G 및 제 1 전극(44)의 전위차 V가 증대한다. 그리고 기판 G는 플라즈마를 개재하여 접지되어 있으므로, 제 1 전극(44)의 전위가 변화한다. 즉, 제 1 전극(44)의 직류 전압치가 상승한다. 이와 같이, 탑재대(3)로부터의 기판 G의 박리와 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압치의 사이에는 상관 관계가 있는 것으로부터, 직류 전압치를 측정하는 것에 의해, 탑재대(3)로부터의 기판 G의 박리를 검지할 수가 있다.
한편, 기판의 탑재대(3)로부터의 박리는, 기판 G의 전면에서 동일하게 박리가 발생할 가능성보다도, 기판 G의 주연부의 일부에서만 박리가 발생할 가능성이 높은 것이 밝혀졌다. 또, 기판 G의 면적이 커진 경우여도, 박리 영역 P의 면적은, 대형화 이전과 크게 변하지 않는 경향이 있는 것을 파악했다. 또한, 기판 G의 면적의 변화에 관계없이, 기판 G를 흡착 유지할 때에 제 1 및 제 2 전극(44),(45)에 인가하는 전압은 거의 일정하다.
발명자들은, 예를 들면 제6세대, 이른바 G6로 불리는 기판 G에서는, 정전 흡착 전극(43)이 분할되어 있지 않은, 상술한 특허문헌 1에 기재의 수법에 의해, 전압 측정부에서 측정된 직류 전압에 근거해 기판 G의 박리를 검출 가능한 것을 파악했다. G6 기판 G는, 장변 1.85m, 단변 1.5m, 면적 2.78m2의 기판이며, 이 사이즈여도 탑재대(3)로부터의 기판의 박리는, 기판의 주연부에서 발생하고, 기판 사이즈에 관계없이 박리 영역의 크기는 거의 변화하지 않는 경향이 있다. 이 때문에, 후속의 세대에서 기판 G가 대형화해 나가면, 이하에 설명하는 바와 같이, 박리 발생 시의 전압 변화의 검출이 곤란해질 염려가 있다.
즉, (1) 식 및 도 3을 이용해서 설명한 바와 같이, 기판 G의 박리를 직류 전압의 측정치의 변화에 의해 검지하는 수법에서는, 직류 전압의 증가분은 박리 영역 P의 면적에 의존한다. 따라서, 박리 영역 P의 크기가 거의 변화하지 않는 경우에는, 기판 G의 대형화에 따라, 박리 영역 P의 면적이 기판 G의 사이즈에 대해서 상대적으로 작아진다. 이 때문에, 정전 흡착 전극이 기판 G와 동일 사이즈인 경우에는, 기판 사이즈의 대형화에 대응해, 기판 G의 박리 발생시의 직류 전압의 증가분이 작아져, 측정 감도가 낮아져 버린다.
이상에서 설명한 이유에 근거해, 본 실시 형태에서는, 정전 흡착 전극(43)을, 기판 G의 박리가 발생하기 쉬운 기판 주연부에 대응하는 제 1 전극(44)과, 기판 G의 중앙부에 대응하는 제 2 전극(45)으로 분할하고 있다. 이 결과, 제 1 전극(44)의 면적을 기판 G보다 작게 억제할 수 있으므로, 기판 G가 대형화해도, 직류 전압치의 측정 감도의 저하를 막는 것이 가능하다. 이 예에서는, 제 1 전극(44)의 면적을 4.2m2 이하가 되도록 형성하고 있다. 이 값은, G6 기판 G의 면적의 약 1.5배에 상당하는 면적이며, 특허문헌 1에 기재의 종래 수법으로 박리를 검출 가능한 기판 G의 사이즈를 근거로 해 경험적으로 구한 것이다. 이와 같이, 제 1 전극(44)의 면적을 4.2m2 이하로 하는 것으로, 보다 대형 기판 G의 주연부에 있어서의 부분 박리의 발생을 높은 감도로 검지할 수가 있다. 또한, 제 1 전극(44)의 면적의 하한치에 특단의 한정은 없지만, 직류 전압의 증가분의 검출 감도가 너무 높아지는 것을 억제하는 관점으로부터는, 0.9m2(G6 기판 G의 면적의 약 3분의 1) 이상으로 하는 경우를 예시할 수 있다.
계속해서, 상기의 기판 처리 장치(1)의 작용에 대해, 기판 G에 대한 에칭 처리를 예로 해서, 도 4의 플로차트(flow chart)를 참조하면서 설명한다. 처음에, 외부로부터 진입한 반송 아암과 도시하지 않은 승강 핀의 협동 작용에 의해, 기판 G를 탑재대(3)에 탑재한다. 그 다음에, 게이트 벨브(12)를 닫은 후, 탑재대(3)와 기판 G의 사이에 전열 가스를 공급한다. 또한, 처리 레시피 등에 기재되어 있는 정보에 근거해, 정전 척(4)의 제 1 전극(44) 및 제 2 전극(45)에, 제 1 직류 전원(63) 및 제 2 직류 전원(66)으로부터 각각 설정된 직류 전압을 인가한다.
이것에 의해, 제 1 및 제 2 전극(44),(45)과 기판 G가 서로 끌어당겨, 기판 G가 탑재대(3)에 흡착 유지된다. 그 다음에, 진공 용기(10) 내에, 예를 들면 CF4나 Cl2 등의 에칭 가스를 포함한 처리 가스를 샤워 헤드(2)로부터 공급함과 아울러, 배기구(13)로부터 진공 배기를 실시해 진공 용기(10) 내의 압력을 소정의 압력으로 조정한다.
계속해서, 소스 전원(52)으로부터 유도 결합 안테나(50)에 소스 전력의 인가를 개시함과 아울러, 바이어스 전원(55)으로부터 서셉터(31)에 바이어스 전력의 인가를 개시한다(스텝 S1). 예를 들면, 먼저 소스 전력을 인가하고, 소스 전력이 상승해서 안정되고 나서, 바이어스 전력을 인가한다. 그 후, 제어부(7)에 의해 소스 전력, 바이어스 전력의 각 측정치와 변동 범위의 비교가 행해지고, 소스 전력 및 바이어스 전력이 안정되었는지의 여부를 판단한다(스텝 S2). 이들의 전력이 안정되었다고 판단이 되었을 때에는(스텝 S2：Yes), 소스 전력이나 바이어스 전력의 변동의 영향을 받아 직류 전압이 변동하지 않는 상태로 된 것이 확인된다. 그래서, 기판 박리의 검지 제어를 개시한다(스텝 S3).
진공 용기(10) 내에서는, 유도 결합 안테나(50)로의 소스 전력의 인가에 의해, 탑재대(3)와 샤워 헤드(2) 사이에 고주파의 전계가 발생하고, 이것에 의해, 진공 용기(10) 내에 공급되고 있는 처리 가스가 여기되어, 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 계속해서, 바이어스 전원(55)으로부터 서셉터(31)에 바이어스 전력을 인가하는 것으로, 플라즈마 중의 양이온은 탑재대(3)를 개재해서 기판 G에 생기는 직류 바이어스 전위에 의해 기판 G에 끌어들여 진다. 이렇게 해서, 플라즈마에 의해 기판 G의 전면에 균일하게 플라즈마 에칭이 실시된다.
기판 박리의 검지 제어에서는, 전압 측정부(67)에 의해, 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압치를 예를 들면 1msec 간격으로 측정한다(스텝 S4). 그리고 스텝 S5에서, 측정된 직류 전압치가 임계치를 넘고 있는지 여부를 판정해, 임계치 이하이면, 기판 G의 박리가 발생하지 않았다고 판정하고(스텝 S5：No), 스텝 S4에 돌아와 처리를 속행한다.
한편, 직류 전압치가 임계치를 넘고 있으면, 기판 G의 박리가 발생했다고 판정하고(스텝 S5：Yes), 스텝 S6에서, 예를 들면 알람을 출력하고, 급전 제어부(72)에, 기판 G에 대해서 플라즈마 처리를 실시하기 위해 진공 용기(10) 내에 고주파 전력을 공급하는 소스 전원(52) 및 바이어스 전원(55)에 정지 신호를 출력한다. 이렇게 해서, 고주파 전력(소스 전력 및 바이어스 전력)의 공급을 정지해, 진공 용기(10) 내의 플라즈마를 소멸시키고 처리를 종료한다.
이 실시 형태에 의하면, 기판 G의 박리가 발생하기 쉬운 기판 주연부에 대응하는 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압을 측정해, 측정된 직류 전압이 임계치를 넘었을 경우에, 기판 G의 박리가 발생한 것을 검지하고 있다. 따라서, 기판 G가 대형화해도, 직류 전압치를 측정하는 제 1 전극(44)의 대형화를 막을 수가 있고, 이것에 의해, 부분 박리의 발생에 따른 직류 전압의 증가분을 충분히 파악할 수가 있다. 이 때문에, 예를 들면 G10의 대형 기판 G여도, 기판 박리의 검지 감도를 높일 수가 있어, 부분적인 박리에 대해서도 검지할 수가 있다.
구체적으로는, G10 기판 G의 면적은, G6 기판 면적의 3.57배이다. 이 때문에, 정전 흡착 전극이 기판 G와 동일 사이즈이며, 박리 영역 P가 같은 크기인 경우에는, G10 기판 G의 직류 전압의 변화분은 G6 기판의 0.28배가 되어, 검출 감도가 저하하는 것이 이해된다. 상술의 실시 형태에서는, 제 1 전극(44)의 면적을 4.2m2이하가 되도록 형성하고 있으므로, 높은 감도로 기판 박리의 발생을 검지할 수가 있다.
이와 같이 제 1 전극(44)에 인가되는 직류 전압치를 취득하는 것에 의해, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리하면, 즉시 기판 G의 박리를 검지할 수가 있다. 예를 들면 전압 측정부(67)에서는, 1msec 간격으로 직류 전압을 측정하고 있으므로, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리했다고 해도 수msec 후에는, 당해 박리의 발생을 검지할 수가 있다. 이렇게 해서, 기판 G의 박리를 조기에 검지할 수 있으므로, 박리의 발생 후, 신속하게 플라즈마 생성용의 고주파 전력의 공급을 정지하는 동작 등을 실행할 수가 있다. 이것에 의해, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리한 상태로 플라즈마 처리를 속행하는 사태를 회피할 수 있어, 박리한 부분으로부터 플라즈마의 활성종이 진입하는 것에 기인하는 이상 방전의 발생이나, 플라즈마의 활성종에 의한 탑재대(3)의 손상을 미리 막을 수가 있다.
여기서, 도 5에, 플라즈마 에칭 중에 이상 방전이 발생했을 경우의 소스 전력 및 바이어스 전력, 측정된 직류 전압치의 시간 변화를 나타낸다. 도 5중, 세로축은 소스 전력 및 바이어스 전력의 전력 레벨과 직류 전압치, 횡축은 시간이다. 시각 t1에서 소스 전력의 인가를 개시하고, 시각 t2에서 바이어스 전력의 인가를 개시한다. 소스 전력 및 바이어스 전력이 모두 안정된 후, 시각 t3에서 기판 박리의 검지 제어를 개시하지만, 직류 전압치는 소스 전력 및 바이어스 전력이 안정되어 있는 동안은 일정치로 안정되어 있다.
시각 t5는 이상 방전이 발생한 타이밍이며, 이상 방전에 의해 소스 전력 및 바이어스 전력 모두 변동한다. 또, 일정치로 안정되어 있던 직류 전압치도 급격하게 저하한다. 또, 시각 t5에 앞서, 시각 t4에서 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리한 것이 인정되었지만, 이때의 제 1 전극(44)의 직류 전압치는 상승하고 있고, 박리와 직류 전압치의 변동이 대응하는 것이 확인되었다. 도 5중, 점선으로 나타내는 직류 전압치는, 기판 사이즈와 동일 사이즈의 정전 흡착 전극을 이용했을 경우이며, 이와 같이, 정전 흡착 전극이 크면 직류 전압의 변화분이 작아지는 것이 인정된다. 이것으로부터도, 제 1 전극(44)을 이용해서 기판 G의 주연부를 정전 흡착하고, 이 전극(44)의 직류 전압치의 변화를 측정하는 것에 의해, 기판 G의 박리를 고감도로 검지할 수 있는 것이 이해된다.
계속해서, 본 개시의 기판 처리 장치의 제 2 실시 형태에 대해, 도 6을 참조해 설명한다. 이 예의 기판 처리 장치는, 제 1 실시 형태에 기재된 전압 측정부(67)를 제 1 전압 측정부로 했을 때, 제 2 전극(45)에 인가되는 직류 전압을 측정하는 제 2 전압 측정부(68)를 더 구비하고 있다. 또, 박리 검지부(71)는, 제 1 전압 측정부(67)에서 측정된 제 1 직류 전압치가 제 1 임계치를 넘었을 경우와, 제 2 전압 측정부(68)에서 측정된 제 2 직류 전압치가 제 2 임계치를 넘었을 경우에, 각각 기판 G의 박리의 발생을 검지하도록 구성되어 있다.
이 실시 형태에 있어서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 예를 들면 소스 전원(52)으로부터 공급되는 소스 전력과, 바이어스 전원(55)으로부터 공급되는 바이어스 전력이 안정되고 나서, 기판 박리의 검지 제어를 개시한다. 이 기판 박리의 검지 제어에서는, 제 1 전압 측정부(67)에 의해, 제 1 전극(44)에 인가되는 제 1 직류 전압치를 측정함과 아울러, 제 2 전압 측정부(68)에 의해, 제 2 전극(45)에 인가되는 제 2 직류 전압치를 측정한다.
그리고 측정된 제 1 직류 전압치 및 제 2 직류 전압치가 각각 제 1 임계치 및 제 2 임계치를 넘고 있는지 여부를 판정해, 각각 임계치 이하이면, 기판 G의 박리가 발생하지 않은 것으로 판정하고, 처리를 속행한다. 한편, 제 1 직류 전압치가 제 1 임계치를 초과하고 있으면, 기판 G의 주연부에서 박리가 발생했다고 판정한다. 그리고 예를 들면 알람을 출력해, 급전 제어부(72)에 의해, 소스 전원(52) 및 바이어스 전원(55)에 정지 신호를 출력해, 고주파 전력(소스 전력 및 바이어스 전력)의 공급을 정지한다. 또, 제 2 직류 전압치가 제 2 임계치를 넘고 있으면, 기판 G의 중앙부에서 박리가 발생했다고 판정하고, 예를 들면 알람을 출력한다.
이 실시 형태에 의하면, 기판 G의 주연부뿐만 아니라 중앙부의 부분 박리가 검지되므로, 예를 들면 기판 G에 휘어짐이 발생해, 기판 중앙부가 탑재대(3)로부터 박리하는 경우 등을 검지하는 것이 가능하다. 이러한 정보는, 처리 상태의 균일성의 평가 등에 도움이 되어, 유효하다. 또한, 기판 G의 중앙부만의 박리 발생시에는, 이상 방전의 발생이나 플라즈마 활성종의 진입이 발생하기 어렵기 때문에, 알람 발생만의 예를 나타냈지만, 주연부의 박리 발생과 마찬가지로, 고주파 전력의 공급 정지를 실시해도 좋다.
계속해서, 본 개시의 기판 처리 장치의 제 3 실시 형태에 대해, 도 7을 참조해 설명한다. 이 예의 제 1 전극은, 기판 G의 주연부의 둘레 방향을 따라 복수의 분할 전극으로 분할되어 있다. 도 7에서는, 제 1 전극(8)을, 4개의 분할 전극(81), (82), (83), (84)으로 분할한 예를 나타낸다. 이 예에서는, 기판 G의 4개의 변에 대응해, 하나의 변에 하나의 분할 전극이 마련되어 있고, 분할 전극끼리가 서로 이간함과 아울러, 각 분할 전극과 제 2 전극(45)이 서로 이간하도록 배열되어 있다. 그리고 서로 대향하는 2개의 분할 전극이 그룹을 구성하고, 이 그룹마다에 대응해 제 1 직류 전원이 마련되고, 각 그룹에 포함되는 분할 전극에 대해, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압을 인가하도록 구성되어 있다.
도 7의 예에서는, 분할 전극(81),(83)이 제 1 그룹을 구성하고, 이들 분할 전극(81),(83)은, 배선(91)에 의해 제 1 그룹용의 제 1 직류 전원(92)에 접속되어 있다. 또한, 분할 전극(82),(84)이 제 2 그룹을 구성하고, 이들 분할 전극(82),(84)은, 배선(93)에 의해 제 2 그룹용의 제 1 직류 전원(94)에 접속되어 있다. 부호(95),(96)은 각각 전압 조정용의 저항이며, 배선(91),(93)은, 각각 전압 측정부(97),(98)에 접속되어 있다. 그리고 전압 측정부(97),(98)는, 상기 그룹마다, 그 그룹에 포함되는 분할 전극(81),(83)/(82),(84)에 인가되는 직류 전압을 측정하도록 구성되어 있다.
박리 검지부(71)는, 전압 측정부(97),(98)에서 상기 그룹마다 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 그 그룹에 포함되는 분할 전극(81),(83)/(82),(84)을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판 G의 박리의 발생을 검지하도록 구성되어 있다. 임계치는, 그룹마다 설정되어 있다. 그 외의 구성은, 제 1 실시 형태와 같다.
이 실시 형태에서는, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 예를 들면 소스 전원(52)으로부터 공급되는 소스 전력과, 바이어스 전원(55)으로부터 공급되는 바이어스 전력이 안정되고 나서, 기판 박리의 검지 제어를 개시한다. 이 기판 박리의 검지 제어에서는, 전압 측정부(97)에 의해, 제 1 그룹에 포함되는 분할 전극(81), (83)에 인가되는 직류 전압치를 측정한다. 또, 전압 측정부(98)에 의해, 제 2 그룹에 포함되는 분할 전극(82),(84)에 인가되는 직류 전압치를 측정한다.
그리고 측정된 각 그룹의 분할 전극(81),(83)/(82),(84)의 직류 전압치가 각각 임계치를 넘고 있는지 여부를 판정해, 각각 임계치 이하이면, 기판 G의 박리가 발생하지 않은 것으로 판정하고, 처리를 속행한다. 한편, 임계치를 넘고 있으면, 기판 G의 주연부에서 박리가 발생했다고 판정한다. 그리고 예를 들면 알람을 출력해, 급전 제어부에 의해, 소스 전원(52) 및 바이어스 전원(55)에 정지 신호를 출력해서, 고주파 전력(소스 전력 및 바이어스 전력)의 공급을 정지한다. 이 예에 있어서도, 제 2 전극(45)에 인가되는 직류 전압치를 측정하고, 이 측정치가 임계치를 넘고 있으면, 기판 G의 중앙부에서 박리가 발생했다고 판정하도록 해도 좋다.
이 실시 형태에 의하면, 제 1 전극이 복수로 더 분할되어 있기 때문에, 보다 감도가 높은 기판 G의 박리의 검지를 실시할 수가 있다. 또, 분할 전극의 그룹마다 직류 전압을 측정하고 있으므로, 박리 영역 P가 특정하기 쉬워진다.
이상에 있어서, 박리 검지부 및 전압 측정부는, 기판 처리 장치의 제어를 행하는 제어부를 개재하지 않고, 소스 전원(52)의 전원부에 마련하도록 해도 좋고, 전압 측정부는, 정전 흡착 전극에 있어서의 전위의 변화를 직접적 혹은 간접적으로 감시하는 것이면 좋다. 또, 상술의 예에서는, 직류 전압이 한번 임계치를 넘으면, 기판 G가 탑재대(3)로부터 박리했다고 판정하고 있지만, 직류 전압의 노이즈의 영향을 고려해, 직류 전압이 소정의 기간 내에 복수 회 연속해 임계치를 넘었을 때에 기판 G의 박리를 검지하도록 해도 좋다.
또, 기판 처리 장치(1)에 마련되는 플라즈마 형성부는, 유도 결합 안테나(50)에 한정되지 않고, 탑재대(하부 전극)와 대향하도록 상부 전극을 마련하고, 상부 전극과 하부 전극의 용량 결합에 의해 플라즈마를 형성하는 것이어도 좋다. 이 경우, 탑재대 및 상부 전극의 한쪽에 플라즈마 생성용의 고주파 전력 공급부로부터 고주파 전력을 공급해 플라즈마를 형성한다.
이상에 있어서, 처리 대상의 기판 G는 반드시 직사각형 기판으로 한정되지 않는다. 또, 진공 용기 내에 있어서 실행되는 처리 가스를 이용한 기판 처리는, 에칭에 한정되지 않고, 성막 처리라도 좋다. 또한, 진공 용기 내에서 반드시 플라즈마를 형성할 필요는 없고, 예를 들면 열 CVD 처리에 대해서도 적용 가능하다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하는 것 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
1: 기판 처리 장치
10: 진공 용기
3: 탑재대
41: 유전체층
43: 정전 흡착 전극
44: 제 1 정전 흡착 전극
45: 제 2 정전 흡착 전극
63: 제 1 직류 전원
66: 제 2 직류 전원
67: 전압 측정부
71: 박리 검지부

Claims (8)

  1. 기판에 대해서 처리 가스를 이용한 기판 처리를 행하기 위한 진공 용기 내에 마련되고, 처리 대상의 기판이 탑재되는 탑재대와,
    상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에 형성되고, 상기 탑재대에 탑재된 기판의 주연부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 주연부의 평면 형상에 대응해서 마련된 제 1 정전 흡착 전극과,
    상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에, 상기 제 1 정전 흡착 전극과는 분리해서 형성되고, 상기 탑재대에 탑재된 기판의 중앙부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 중앙부의 형상에 대응해서 마련된 제 2 정전 흡착 전극과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극 및 제 2 정전 흡착 전극에, 각각, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압을 인가하는 제 1 직류 전원 및 제 2 직류 전원과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 측정하는 전압 측정부와,
    상기 전압 측정부에서 측정된 상기 기판의 상기 주연부를 정전 흡착하는 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 상기 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리가 발생한 것을 검지하는 박리 검지부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 측정부를 제 1 전압 측정부로 했을 때, 상기 제 2 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 측정하는 제 2 전압 측정부를 구비하고,
    상기 박리 검지부는, 또한, 상기 제 2 전압 측정부에서 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 상기 제 2 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리의 발생을 검지하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 정전 흡착 전극은, 상기 기판의 주연부의 둘레 방향을 따라 복수의 분할 전극으로 분할되어 있는 것과,
    상기 복수의 분할 전극을 복수의 그룹으로 나누었을 때, 이들 복수의 그룹에 각각 대응지어 마련되고, 대응지어진 그룹에 포함되는 분할 전극에 대해, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압을 인가하는 복수의 상기 제 1 직류 전원을 구비하고, 전압 측정부는 상기 그룹마다, 그 그룹에 포함되는 분할 전극에 인가되는 직류 전압을 측정하는 것과,
    상기 박리 검지부는, 상기 전압 측정부에서 상기 그룹마다 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 그 그룹에 포함되는 분할 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리의 발생을 검지하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 용기 내에 처리 가스의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 형성부에 대해서 고주파 전력을 공급하는 고주파 전력 공급부와,
    상기 박리 검지부에서 상기 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리의 발생이 검지되었을 경우에, 상기 고주파 전력 공급부로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 제어 신호를 출력하는 급전 제어부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은 직사각형 기판이며, 상기 제 1 정전 흡착 전극은, 상기 직사각형 기판의 변부를 따른 평면 형상에 대응해서, 고리 형상으로 마련되어 있는 것과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극의 면적이 4.2m2 이하가 되도록 형성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 기판에 대해서 처리 가스를 이용한 기판 처리를 행하기 위한 진공 용기 내에 마련된 탑재대에 처리 대상의 기판을 탑재하는 공정과,
    상기 탑재대에 탑재된 기판의 주연부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에 형성되고, 상기 주연부의 평면 형상에 대응해서 마련된 제 1 정전 흡착 전극과, 상기 탑재대에 탑재된 기판의 중앙부를 정전 흡착하기 위해서, 상기 탑재대에 마련된 유전체층 내에 형성되고, 상기 중앙부의 형상에 대응해서 마련된 제 2 정전 흡착 전극에 대해, 각각, 미리 설정된 전압 설정치에 대응하는 직류 전압을 인가해서, 상기 탑재대에 탑재된 기판을 정전 흡착하는 공정과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극에 인가되는 상기 기판의 상기 주연부를 정전 흡착하는 직류 전압을 측정하는 공정과,
    상기 측정된 직류 전압이 미리 설정된 임계치를 넘었을 경우에, 상기 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리가 발생한 것을 검지하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 진공 용기 내에 처리 가스의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 형성부에 대해서 고주파 전력을 공급하는 공정과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극을 이용해서 정전 흡착되고 있는 기판의 박리의 발생이 검지된 경우에, 플라즈마 형성부로의 고주파 전력의 공급을 정지하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 기판은 직사각형 기판이며, 상기 제 1 정전 흡착 전극은, 상기 직사각형 기판의 변부를 따른 평면 형상에 대응해서, 고리 형상으로 마련되어 있는 것과,
    상기 제 1 정전 흡착 전극의 면적이 4.2m2 이하가 되도록 형성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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