CN110610892B - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种以高灵敏度检测基片与载置台剥离的技术。在真空容器内具有用于载置基片的载置台，在设置于载置台的电介质层内彼此隔开间隔地形成第一静电吸附电极和第二静电吸附电极。第一静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的周缘部，第二静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的中央部。从第一直流电源和第二直流电源分别对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压。由电压测量部测量施加到第一静电吸附电极的直流电压，由剥离检测部在测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
平板显示器(Flat Panel Display：FPD)的制造步骤中，有对基片使用等离子体进行蚀刻处理或成膜处理的工序。该工序是通过将基片载置在真空容器内的载置台，对供给到该载置台上方的空间的处理气体施加高频能量，产生例如电容耦合等离子体或感应耦合等离子体来进行的。在这样的装置中使用的载置台，有时能够设置例如被称为静电吸盘的基片的固定机构。静电吸盘构成为在电介质层内配置有静电吸附电极的结构，通过对静电吸附电极施加直流电压，利用静电吸附力而能够将基片保持在载置台上。
专利文献1中记载了以下技术：当将基片静电吸附于载置台时，通过监视供给到静电吸附电极的直流电压，检测基片与载置台剥离的技术。该技术中，当所监视的直流电压超过了预先设定的阈值时，判断为基片从载置台剥离了，停止来自等离子体生成用高频电源的高频电力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-174081号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种高精度地检测大型基片与载置台的局部剥离的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的基片处理装置，其特征在于，包括：
设置在真空容器内的用于载置作为处理对象的基片的载置台，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；
在设置于所述载置台的电介质层内形成的第一静电吸附电极，所述第一静电吸附电极为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；
在设置于所述载置台的电介质层内与所述第一静电吸附电极隔开间隔地形成的第二静电吸附电极，所述第二静电吸附电极形为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；
第一直流电源和第二直流电源，其对所述第一静电吸附电极和所述第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压；
测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的电压测量部；和
剥离检测部，当由所述电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，其检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。
发明效果
依照本发明，能够高精度地检测大型基片与载置台的局部剥离。
附图说明
图1是说明本发明的基片处理装置的第一实施方式的结构的纵截侧视图。
图2是说明在上述基片处理装置设置的第一静电吸附电极和第二静电吸附电极的结构例的俯视图。
图3是表示所示第一静电吸附电极、第二静电吸附电极和基片的概略纵截侧视图。
图4是说明本发明的基片处理方法的流程图。
图5是表示源极电力、偏置电力和第一静电吸附电极的直流电压值的时间变化的特性图。
图6是说明本发明的基片处理装置的第二实施方式的俯视图。
图7是说明本发明的基片处理装置的第三实施方式俯视图。
附图标记说明
1 基片处理装置
10 真空容器
3 载置台
41 电介质层
43 静电吸附电极
44 第一静电吸附电极
45 第二静电吸附电极
63 第一直流电源
66 第二直流电源
67 电压测量部
71 剥离检测部。
具体实施方式
对本发明的基片处理装置1的第一实施方式进行说明。如图1所示，基片处理装置1包括与接地电位连接的、例如铝或者不锈钢制的真空容器10。在真空容器10的侧面形成有送入送出口11，其用于交接作为处理对象的基片，例如矩形的玻璃基片(以下称为“基片”)G。图中的附图标记12表示开闭送入送出口11的闸阀。另外，在真空容器10的下方的侧面开设有排气口13，排气口13经由排气管14与真空排气部15连接。
在真空容器10的内部，在其下方侧配置有用于载置基片G的载置台3。作为基片G，能够举例俯视时为长方形且长边为3.37m、短边为2.94m的第十代即所谓被称为G10的大型矩形基片。载置台3构成为平面形状为矩形的棱柱状，其详细结构在后文中说明。
在真空容器10的上方，以与载置台3相对的方式隔着电介质或金属形成的未图示的窗部件而设置有作为等离子体形成部的螺旋状的感应耦合天线50。等离子体生成用的源极电源(高频电力供给部)52经由匹配器51与感应耦合天线50连接。通过从源极电源52对感应耦合天线50供给源极电力(用于生成等离子体的高频电力)，能够在真空容器10内产生等离子体生成用的电场。
在真空容器10中感应耦合天线50和未图示的窗部件的下方，借助绝缘部16设置有用于向真空容器10内供给处理气体的喷淋头2。喷淋头2的内部作为气体分散室20而形成。此外，喷淋头2的下表面以与载置台3的载置面相对的方式形成，并且具有大量的气体供给孔21。而且，喷淋头2的上表面与用于向气体分散室20供给处理气体的处理气体供给管22连接。在处理气体供给管22，从上游侧开始按如下顺序设置有用于供给例如包含CF4或Cl2等蚀刻气体的处理气体的处理气体供给源23、流量调节部M22和阀V22。
载置台3构成为从下方起依次层叠由导体构成的基座31、用于利用静电吸附将基片G固定的静电吸盘4而成的构造。基座31设置在以在真空容器10的底面的中央部隔着绝缘层30的方式所设的间隔件(spacer)33上，基座31和间隔件33的侧面被例如由陶瓷制的覆盖部35所覆盖。在基座31，利用配线53经由匹配器54与偏置电源(高频电力供给部)55连接。当由该偏置电源55对基座31施加作为高频电力的偏置电力时，能够由等离子体将在真空容器10内产生的处理气体的活性种引入到载置于载置台3的基片G。
在载置台3的内部形成导热气体供给通路32，其下游侧的端部分支为多个，在载置台3的上表面分散地开口，由此构成多个导热气体供给口。此外，为了防止图示的复杂化，图1中示出了一部分导热气体供给口，在图3中，省略了静电吸盘4的导热气体供给通路32的图示。导热气体供给通路32的上游侧通过在真空容器10的外部所设置的导热气体供给管36，经由流量调节部37与导热气体供给源38连接。
在间隔件33的内部，设置有例如在周向延伸的环状的致冷剂流路34。对该致冷剂流路34循环供给由冷却单元(未图示)调节为规定温度的导热介质，构成为能够由导热介质的温度控制基片G的处理温度。此外，在载置台3设置有用于与外部的输送臂之间交接基片G的未图示的升降销，该升降销设置为在垂直方向贯通载置台3和真空容器10的底板部，并且能够从载置台3的表面突出或没入。
接着，对静电吸盘4进行说明。静电吸盘4形成在上层的电介质层41与下层的电介质层42之间夹着静电吸附电极43的结构。电介质层41、42由例如氧化铝(Al2O3)等陶瓷形成，静电吸附电极43由例如金属构成。
静电吸附电极43包括第一静电吸附电极44和第二静电吸附电极45。第一静电吸附电极44(以下称为“第一电极”)为了静电吸附载置于载置台3的基片G的周缘部，而与上述周缘部的平面形状相应地设置。第二静电吸附电极45(以下称为“第二电极”)由绝缘部件与第一电极44电隔离地形成，为了静电吸附载置于载置台3的基片G的中央部，其与上述中央部的形状相应地设置。
图2是表示第一电极44和第二电极45的结构例的俯视图，第一电极44与沿着矩形基片的边部的环状的平面形状相应地形成为俯视时是矩形的环形形状。第一电极44的外缘被设定为例如与载置于载置台3的基片G的外缘大致相同，或者位于比基片G的外缘稍微靠外侧或稍微靠内侧处。该例子中，第一电极44的外缘以与基片G的外缘一致的方式形成，在图2中，将后述的基片G的剥离区域P由斜虚线投影地表示。
第一电极44的面积形成为例如4.2m2以下。像这样优选第一电极44的面积形成为4.2m2以下是因为，如后文所述，当电极的面积变大时，感测基片G的剥离的灵敏度降低。上述4.2m2的面积是根据经验从基片G的大小与基片G的剥离的检测精度的关系而得的值。像这样，优选第一电极44的面积较小，因此，优选将第一电极44的面积设定为比第二电极45的面积小。
第二电极45形成为俯视时是矩形形状，在第一电极44的内侧与第一电极44隔开间隔地配置。第一电极44与第二电极45的间隔距离被设定为环状的间隔区域能够将第一电极44与第二电极45电隔离的值。上述隔开的距离例如为5mm～30mm。此外，第二电极45的面积设定为能够由第二电极45充分地静电吸附基片G的中央部的大小。另外，第二电极45的平面形状不限于矩形形状，例如也可以为沿基片G的长边方向细长的椭圆形状。
第一电极44经由设置有电压调节用的电阻62的第一配线61与第一直流电源63连接。此外，第二电极45经由设置有电压调节用的电阻65的第二配线64与第二直流电源66连接。第一直流电源63和第二直流电源66构成为基于电压设定值，能够对第一电极44和第二电极45分别施加例如0～6000V的范围内的预先设定的直流电压。
如此，当从第一直流电源63和第二直流电源66分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压时，第一电极44和第二电极45利用静电力来静电吸附载置于载置台3的基片G。此外，在第一配线61，例如在2个电阻62之间，连接有测量施加到第一电极44的直流电压的电压测量部67。
基片处理装置1包括控制部7。该控制部7中设置有程序、存储器、CPU，在程序中编入有命令(步骤的组)，以能够驱动基片处理装置1，执行对基片G的基片处理。并且，程序中编入有命令，以能够按照后述的流程图由电压测量部67监视直流电压，执行停止供给源极电力和偏置电力的判断。
而且，控制部7包括例如剥离检测部71和供电控制部72。剥离检测部71在由电压测量部67测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用第一电极44静电吸附着的基片G与载置台3发生了剥离。阈值能够基于由事先的实验或仿真等所掌握的值来确定，例如设定为使等离子体处理中能够稳定地测量的直流电压值(稳定值)具有2％～5％程度的富余量的值。由于电压测量部67的检测精度也被噪声影响，有时不得不根据噪声的大小来增大阈值。但是，从抑制发生异常放电的观点考虑，优选将阈值抑制至相对于稳定值具有5％的富余量的值。阈值保存在控制部7的存储器中。
当检测出基片G发生了剥离时，供电控制部72输出例如用于停止从源极电源52供给高频电力的控制信号。并且，该例中的供电控制部72构成为，当检测出基片G发生了剥离时，输出例如用于停止从偏置电源55供给高频电力的控制信号。例如电压测量部67以数msec的间隔(例如1msec的间隔)测量直流电压，将测量出的数据与上述的阈值进行比较，剥离检测部71判断基片G有无剥离。此外，当由剥离检测部71检测到基片G的剥离时，控制部7输出例如基片G发生了剥离这一内容的警告。然后，由供电控制部72输出用于停止从源极电源52和偏置电源55供给高频电力的控制信号。如此，由控制部7进行基片剥离的检测控制。
另外，在基片处理装置1的运转开始时源极电力不稳定，由电压测量部67进行的直流电压的测量结果也可能受其影响。因此，在控制部7中存储有在运转开始时产生的这些源极电力、偏置电力的电力值的变动的判断基准值(变动范围)。于是，构成为当执行停止供给源极电力和偏置电力的判断时，能够判断从源极电源52供给的电力值是否为规定的变动范围内的值。同样地，也可以构成为能够判断从偏置电源55供给的电力值是否为该偏置电力的变动范围内的值。
本例的基片处理装置1为了检测基片G与载置台3的剥离，利用由电压测量部67测量的施加到第一电极44的直流电压值。接着，关于基片G的剥离与施加到第一电极44的直流电压值的关系，参照图3进行说明。图3是概略地表示静电吸盘4和基片G的纵截侧视图，图3右侧表示基片G被正常地吸附在载置台3的状态，图3左侧表示基片G的一部分从载置台3剥离的状态。
在基片处理装置1中，由于基片G与静电吸附电极43彼此被上层的电介质层41隔开，因此构成电容器40。在真空容器10内生成了等离子体的状态下，基片G经由等离子体而接地，从第一直流电源63、第二直流电源66分别对第一电极44、第二电极45施加直流电压。因此，在基片G带负电荷，在第一电极44和第二电极45带正电荷。由于这些电荷，第一电极44和第二电极45与基片G彼此因静电引力而相互吸引，因此基片G能够被吸附保持在载置台3上。
例如图3右侧所示，当基片G以水平的姿态保持在载置台3时，以下的(1)式、(2)式的关系成立。
Q＝CV…(1)
C＝ε0×εr×(S/d)…(2)
Q：电容器40的电荷
C：电容器40的静电容量
V：基片G与第一电极44的电位差
ε0：真空介电常数
εr：电介质层41的相对介电常数
S：基片G的面积
d：基片G与第一电极44的距离(电介质层41的厚度)
源极电力和偏置电力稳定后，电容器40的电荷Q是一定的。因此，当基片G未从载置台3剥离且基片G与第一电极44的距离d为一定的时，直流电压值不发生变化。另一方面，如图3左侧所示，当基片G从载置台3剥离时，载置台3与基片G的距离Δd变大，基片G与第一电极44的距离成为(d+Δd)。
其结果是，由于基片G与电极44的距离扩大，根据(2)式，电容器40的静电容量C减少。由于电容器40的电荷Q在基片G从载置台3剥离的前后不发生改变，因此根据(1)式，基片G与第一电极44的电位差V增大。并且，基片G经由等离子体接地，因此第一电极44的电位发生变化。即，第一电极44的直流电压值上升。像这样，由于基片G与载置台3的剥离及施加到第一电极44的直流电压值之间存在相关关系，因此通过测量直流电压值，能够检测基片G与载置台3的剥离。
另一方面，关于基片与载置台3的剥离，可知与在基片G的整个面上同样地发生剥离的可能性相比，仅基片G的周缘部的一部分发生剥离的可能性较高。此外，发现了即使在基片G的面积变大的情况下，存在剥离区域P的面积不会比大型化前变大的倾向。此外，与基片G的面积的变化无关，在吸附保持基片G时施加到第一电极44和第二电极45的电压大致是一定的。
发明人发现了：关于例如第6代即所谓被称为G6的基片G，静电吸附电极43未被分割，利用已述的专利文献1记载的技术方案，根据由电压测量部测量出的直流电压能够检测基片G的剥离。G6基片G为长边1.85m、短边1.5m、面积2.78m2的基片，即使是这样的尺寸，也在基片的周缘部发生基片与载置台3的剥离，存在与基片尺寸无关而剥离区域的大小几乎不变的倾向。因此，当后代的基片G变得大型化时，如以下所说明的那样，存在检测剥离产生时的电压变化变得困难的可能性。
即，如使用(1)式和图3所说明的那样，在根据直流电压的测量值的变化来检测基片G的剥离的方法中，直流电压的增加量依赖于剥离区域P的面积。因此，当剥离区域P的大小几乎不变时，随着基片G的大型化，剥离区域P的面积对基片G的尺寸相对地变小。因此，当静电吸附电极与基片G为相同尺寸时，对应于基片尺寸的大型化，基片G发生剥离时的直流电压的增加量变小，测量灵敏度会降低。
基于以上说明的理由，在本实施方式中，将静电吸附电极43分割为：与基片G的容易发生剥离的基片周缘部对应的第一电极44；和与基片G的中央部对应的第二电极45。其结果是，能够将第一电极44的面积抑制为比基片G小，因此即使基片G大型化，也能够防止直流电压值的测量灵敏度降低。在该例中，使第一电极44的面积形成为4.2m2以下。该值是对应于G6基片G的面积的大约1.5倍的面积，是利用专利文献1中记载的现有方法能够检测到剥离的基片G的尺寸，根据经验而求得的值。像这样，通过使第一电极44的面积形成为4.2m2以下，能够以高灵敏度来检测在更大型的基片G的周缘部发生的局部剥离。此外，第一电极44的面积的下限值没有特别的限定，不过从抑制与直流电压的增加相应的检测灵敏度变得过高的观点考虑，能够举例0.9m2(G6基片G的面积的大约3分之1)以上的情况。
接着，关于上述基片处理装置1的作用，以对基片G的蚀刻处理为例，参照图4的流程图进行说明。首先，利用从外部进入的输送臂与未图示的升降销的协动作用，将基片G载置在载置台3上。接着，在关闭了闸阀12后，对载置台3与基片G之间供给导热气体。此外，基于处理方案等中记载的信息，从第一直流电源63和第二直流电源66分别对静电吸盘4的第一电极44和第二电极45施加设定的直流电压。
由此，第一电极44和第二电极45与基片G彼此吸引，能够将基片G吸附保持在载置台3。接着，从喷淋头2对真空容器10内供给包括例如CF4或Cl2等蚀刻气体的处理气体，并且从排气口13进行真空排气，将真空容器10内的压力调节为规定的压力。
接着，开始从源极电源52向感应耦合天线50施加源极电力，并且开始从偏置电源55向基座31施加偏置电力(步骤S1)。例如，先施加源极电力，源极电力上升并且稳定之后，施加偏置电力。之后，由控制部7进行源极电力、偏置电力的各测量值与变动范围的比较，判断源极电力和偏置电力是否已经稳定(步骤S2)。当判断为这些电力已经稳定时(步骤S2：是)，能够确认成为了受到源极电力和偏置电力变动的影响而直流电压不发生变动的状态。因此，开始进行基片剥离的检测控制(步骤S3)。
在真空容器10内，通过对感应耦合天线50施加源极电力，在载置台3与喷淋头2之间产生高频电场，由此，激励被供给到真空容器10内的处理气体，生成处理气体的等离子体。接着，通过从偏置电源55对基座31施加偏置电力，等离子体中的阳离子因借助载置台3在基片G产生的直流偏置电位而被引入到基片G。如此一来，能够利用等离子体对基片G的整个面均匀地实施等离子体蚀刻。
在基片剥离的检测控制中，由电压测量部67以例如1msec的间隔来测量施加到第一电极44的直流电压值(步骤S4)。然后，在步骤S5中，判断测量出的直流电压值是否超过了阈值，如果是阈值以下，则判断为基片G没有发生剥离(步骤S5：否)，返回到步骤S4继续进行处理。
另一方面，当直流电压值超过了阈值时，判断为基片G发生了剥离(步骤S5：是)，在步骤S6中，输出例如警告，利用供电控制部72向为了对基片G进行等离子体处理而对真空容器10内供给高频电力的源极电源52和偏置电源55输出停止信号。如此一来，停止供给高频电力(源极电力和偏置电力)，使真空容器10内的等离子体消失，结束处理。
依照该实施方式，测量施加到与基片G的容易发生剥离的基片周缘部对应的第一电极44的直流电压，当测量出的直流电压超过了阈值时，检测为基片G发生了剥离。因此，即使基片G大型化，也能够防止测量直流电压值的第一电极44大型化，由此，能够给充分地掌握随着发生了局部剥离而来的直流电压的增加量。因此，例如即使是G10这种大型基片G，也能够提高基片剥离的检测灵敏度，连局部的剥离也能够检测。
具体而言，G10基片G的面积是G6基片面积的3.57倍。因此，在静电吸附电极与基片G为相同尺寸且剥离区域P为相同的大小的情况下，G10基片G的直流电压的变化量为G6基片的0.28倍，能够理解检测灵敏度降低。在上述的实施方式中，由于使第一电极44的面积形成为4.2m2以下，因此能够高灵敏度地检测基片发生剥离。
像这样，通过获取施加到第一电极44的直流电压值，当基片G从载置台3剥离时，能够立即检测出基片G的剥离。例如在电压测量部67以1msec的间隔测量了直流电压，因此即使基片G从载置台3剥离，在数msec后就能够检测到发生了该剥离。如此一来，能够在早期检测出基片G的剥离，在发生了剥离后，能够迅速地执行停止供给等离子体生成用的高频电力的动作等。由此，能够避免在基片G从载置台3剥离了的状态下继续进行等离子体处理的情况，能够事先防止等离子体的活性种从剥离了的部分进入而导致异常放电的发生和由等离子体的活性种导致的载置台3的损伤。
在此，图5表示等离子体蚀刻中发生了异常放电时的源极电力和偏置电力、测量出的直流电压值的时间变化。图5中的纵轴表示源极电力和偏置电力的电平和直流电压值，横轴表示时间。在时刻t1开始施加源极电力，在时刻t2开始施加偏置电力。在源极电力和偏置电力均稳定之后，在时刻t3开始进行基片剥离的检测控制，直流电压值在源极电力和偏置电力稳定的期间稳定为一定值。
时刻t5是发生了异常放电的时刻(timing)，由于异常放电而源极电力和偏置电力均发生变动。此外，以一定值稳定了的直流电压值也急剧地降低。另外，在时刻t5之前，在时刻t4确认了基片G从载置台3剥离了的状况，这时的第一电极44的直流电压值上升，确认了剥离与直流电压值的变动是相应的。图5中，用虚线表示的直流电压值，是使用与基片尺寸相同尺寸的静电吸附电极的情况，像这样，当静电吸附电极较大时，直流电压的变化量变小。据此，也能够理解使用第一电极44来静电吸附基片G的周缘部，测量该电极44的直流电压值的变化，由此能够高灵敏度地检测基片G的剥离。
接着，参照图6，说明本发明的基片处理装置的第二实施方式。该例的基片处理装置中，在将第一实施方式记载的电压测量部67作为第一电压测量部时，还包括测量施加到第二电极45的直流电压的第二电压测量部68。另外，剥离检测部71构成为能够在由第一电压测量部67测量出的第一直流电压值超过了第一阈值时和由第二电压测量部68测量出的第二直流电压值超过了第二阈值时，分别检测为基片G发生了剥离。
在该实施方式中，与第一实施方式同样地，例如从源极电源52供给的源极电力和从偏置电源55供给的偏置电力稳定之后，开始进行基片剥离的检测控制。该基片剥离的检测控制中，由第一电压测量部67测量施加到第一电极44的第一直流电压值，并且由第二电压测量部68测量施加到第二电极45的第二直流电压值。
然后，判断测量出的第一直流电压值和第二直流电压值是否分别超过了第一阈值和第二阈值，当分别在阈值以下时，判断基片G没有发生剥离，继续进行处理。另一方面，当第一直流电压值超过了第一阈值时，判断为在基片G的周缘部发生了剥离。然后，输出例如警告，由供电控制部72向源极电源52和偏置电源55输出停止信号，停止供给高频电力(源极电力和偏置电力)。另外，当第二直流电压值超过了第二阈值时，判断为在基片G的中央部发生了剥离，输出例如警告。
依照该实施方式，不仅能够检测基片G的周缘部也能够检测中央部的局部剥离，所以能够检测出例如在基片G产生了翘曲而基片中央部从载置台3剥离的情况等。这样的信息对于处理状态的均匀性的评价等是起作用的、有效的。此外，当仅基片G的中央部发生剥离时，由于不易发生产生异常放电的情况和等离子体活性种进入的情况，因此示出了仅产生警告的例子，不过也可以与发生周缘部的剥离的情况同样，停止供给高频电力。
接着，参照图7，说明本发明的基片处理装置的第三实施方式。该例的第一电极沿基片G的周缘部的周向被分割为多个分割电极。在图7表示将第一电极8分割为4个分割电极81、82、83、84的例子。该例子中，对应于基片G的4个边，在一个边设置一个分割电极，分割电极彼此相互隔开间隔，并且各分割电极与第二电极45彼此隔开间隔地排列。并且，彼此相对的2个分割电极构成组，对每一个该组对应地设置第一直流电源，对于各组所包含的分割电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压。
在图7的例子中，分割电极81、83构成第一组，上述分割电极81、83通过配线91与第一组用的第一直流电源92连接。此外，分割电极82、84构成第二组，上述分割电极82、84通过配线93与第二组用的第一直流电源94连接。附图标记95、96分别是电压调节用的电阻，配线91、93分别与电压测量部97、98连接。并且，电压测量部97、98构成为按上述组来测量施加到该组所包含的分割电极81、83/82、84的直流电压。
剥离检测部71构成为在由电压测量部97、98按上述组测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用该组所包含的分割电极81、83/82、84来静电吸附着的基片G发生了剥离。阈值按组来设定。其它的构成与第一实施方式相同。
在该实施方式中，与第一实施方式同样，例如从源极电源52供给的源极电力和从偏置电源55供给的偏置电力稳定之后，开始进行基片剥离的检测控制。在该基片剥离的检测控制中，由电压测量部97测量施加到第一组所包含的分割电极81、83的直流电压值。此外，由电压测量部98测量施加到第二组所包含的分割电极82、84的直流电压值。
然后，判断测量出的各组的分割电极81、83/82、84的直流电压值是否超过各自的阈值，当分别在阈值以下时，判断为基片G没有发生剥离，继续进行处理。另一方面，当超过了阈值时，判断为在基片G的周缘部发生了剥离。然后，输出例如警告，由供电控制部向源极电源52和偏置电源55输出停止信号，停止供给高频电力(源极电力和偏置电力)。在该例中，也可以测量施加到第二电极45的直流电压值，当该测量值超过了阈值时，判断为在基片G的中央部发生了剥离。
依照该实施方式，由于第一电极被进一步分割为多个，因此能够进行灵敏度更高的基片G的剥离检测。另外，由于按分割电极的组来测量直流电压，因此容易确定剥离区域P。
在以上内容中，剥离检测部和电压测量部也可以不经由进行基片处理装置的控制的控制部，而对源极电源52的电源部设置，电压测量部只要是能够直接或间接地监视静电吸附电极中的电位变化的装置即可。另外，在上述的例子中，当直流电压一旦超过阈值时，判断为基片G从载置台3剥离，但考虑到直流电压的噪声的影响，也可以当直流电压在规定的期间内多次连续地超过了阈值时，检测为基片G剥离。
另外，设置在基片处理装置1的等离子体形成部，不限于感应耦合天线50，也可以与载置台(下部电极)相对地设置上部电极，利用上部电极与下部电极的电容耦合形成等离子体。在该情况下，对载置台和上部电极的一者从等离子体生成用的高频电力供给部供给高频电力来形成等离子体。
在以上内容中，处理对象的基片G不一定限定于矩形基片。此外，在真空容器内执行的使用了处理气体的基片处理不限于蚀刻，也可以是成膜处理。并且，在真空容器内不一定必须形成等离子体，例如也能够应用于热CVD处理。
本次所公开的实施方式的全部内容是例示，而不应该理解为限定性的内容。上述的实施方式只要不超出所附的请求保护的范围和主旨，能够以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
设置在真空容器内的用于载置作为处理对象的基片的载置台，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；
在设置于所述载置台的电介质层内形成的第一静电吸附电极，所述第一静电吸附电极为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；
在设置于所述载置台的电介质层内与所述第一静电吸附电极隔开间隔地形成的第二静电吸附电极，所述第二静电吸附电极形为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；
第一直流电源和第二直流电源，其对所述第一静电吸附电极和所述第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压；
测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的电压测量部；和
剥离检测部，当由所述电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，其检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
当将所述电压测量部作为第一电压测量部时，包括测量施加到所述第二静电吸附电极的直流电压的第二电压测量部；
所述剥离检测部还在由所述第二电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用所述第二静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一静电吸附电极沿所述基片的周缘部的周向被分割为多个分割电极，
当将所述多个分割电极分为多个组时，包括分别与该多个组对应地设置的多个所述第一直流电源，其对所对应的组所包含的分割电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压，电压测量部按所述组测量施加到该组所包含的分割电极的直流电压，
所述剥离检测部在由所述电压测量部按所述组测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用该组所包含的分割电极来静电吸附着的基片发生了剥离的情况。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
高频电力供给部，其对用于在所述真空容器内生成处理气体的等离子体的等离子体形成部供给高频电力；和
供电控制部，在由所述剥离检测部检测出使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离时，输出用于停止从所述高频电力供给部供给高频电力的控制信号。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片为矩形基片，所述第一静电吸附电极与沿所述矩形基片的边部的环状的平面形状相应地设置，
所述第一静电吸附电极的面积形成为4.2m2以下。
6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
将作为处理对象的基片载置在设置于真空容器内的载置台的步骤，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；
对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压来静电吸附载置于所述载置台的基片的步骤，其中所述第一静电吸附电极形成在设置于所述载置台的电介质层内，为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；所述第二静电吸附电极形成在设置于所述载置台的电介质层内，为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；
测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的步骤；和
当测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离的步骤。
7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
对用于在所述真空容器内生成处理气体的等离子体的等离子体形成部供给高频电力的步骤；和
当检测出使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离时，停止对等离子体形成部供给高频电力的步骤。
8.如权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于，
所述基片为矩形基片，所述第一静电吸附电极与沿所述矩形基片的边部的环状的平面形状相应地设置，
所述第一静电吸附电极的面积形成为4.2m2以下。
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