KR101966958B1 - 반도체 패키지용 폴리이미드 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지용 폴리이미드 필름에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기재 필름과 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 열가소성 폴리이미드층의 박리 현상을 방지할 뿐만 아니라, 리드프레임에 부착되는 열가소성 폴리이미드층이 리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 가짐으로써 리플로우 공정 완료 후 용이한 탈착이 가능한 반도체 패키지용 폴리이미드 필름에 관한 것이다.

Description

반도체 패키지용 폴리이미드 필름{POLYIMIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR PACKAGING}
본 발명은 반도체 패키지용 폴리이미드 필름에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기재 필름과 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 열가소성 폴리이미드층의 박리 현상을 방지할 뿐만 아니라, 리드프레임에 부착되는 열가소성 폴리이미드층이 패키징 공정 온도 이하의 유리전이온도를 가짐으로써 봉지 공정 완료 후 용이한 박리가 가능한 반도체 패키지용 폴리이미드 필름에 관한 것이다.
폴리이미드 필름은 기계적 및 열적 치수 안정성이 우수하고, 화학적 안정성을 갖는 특성으로 인해 전기, 전자 재료, 우주, 항공 및 전기통신 분야에 넓게 이용되고 있다. 이러한 폴리이미드 필름은 부품의 경박단소화로 인해 미세한 패턴을 가진 연성 회로기판 재료, 일예로 TAB (Tape Automated Bonding)나 COF (Chip On Film) 등의 베이스 필름으로 많이 사용되고 있다.
또한, 반도체 패키지의 일 면(반도체 소자)만을 봉지하고, 타 면에 노출된 리드프레임을 외부 접속용으로 사용하는 구조의 패키지가 개발되고 있다. 이러한 구조를 가지는 반도체 패키지는 리드프레임이 봉지 수지로부터 돌출되어 있지 않기 때문에, 경박단소화가 가능하다는 이점이 있으나, 반도체 패키지의 봉지시 리드프레임 이면(backside)에 봉지 수지가 침투하는 불량이 발생하기 용이하다.
이에 따라, 반도체 패키지의 봉지 전 리드프레임에 접착 필름을 부착시킨 후 봉지 공정을 수행하고 반도체 패키지의 봉지 후 접착 필름을 박리함으로써 리드프레임 이면에 봉지 수지가 침투하는 문제를 방지하는 시도가 행해지고 있다.
이러한 접착 필름은 일반적으로 기재 필름 상에 리드프레임에 부착되는 열가소성 폴리이미드층이 적층된 구조를 가진다.
이 때, 리드프레임의 이면에 접착 필름을 부착한 후 수행되는 봉지 공정은 상대적으로 고온(예를 들어, 200℃ 이상)에서 수행되는데, 봉지 공정 중 열가소성 폴리이미드층이 기재 필름으로부터 박리되거나 열가소성 폴리이미드층이 변성되어 봉지 후 리드프레임으로부터 용이하게 박리되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
상술한 기술적 배경 하에서 본 발명은 기재 필름과 기재 필름 상에 적층되는 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 고온에서 열가소성 폴리이미드층의 박리 현상을 방지하는 것이 가능한 반도체 패키지용 폴리이미드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 리드프레임에 부착되는 열가소성 폴리이미드층이 봉지 공정 온도 이하의 유리전이온도를 가짐으로써 패키징 공정 완료 후 용이한 박리가 가능한 반도체 패키지용 폴리이미드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기재 필름, 상기 기재 필름 상에 위치하는 비열가소성 폴리이미드층 및 상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 위치하는 열가소성 폴리이미드층을 포함하는 반도체 패키지용 폴리이미드 필름이 제공된다.
여기서, 비열가소성 폴리이미드층은 기재 필름과 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 기재 필름으로부터 열가소성 폴리이미드층이 박리하는 것을 방지하는 것이 가능한 평균 선열팽창계수 보상층으로서 역할한다.
비열가소성 폴리이미드층이 기재 필름과 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 보상층으로서 역할하기 위해서는 비열가소성 폴리이미드층 역시 기재 필름과의 평균 선열팽창계수 차이가 적어 고온의 공정 중 기재 필름으로부터 박리될 가능성이 적어야 한다.
이를 위해, 기재 필름과 비열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이는 30ppm/K 이하인 것이 바람직하다.
또한, 비열가소성 폴리이미드층으로부터 열가소성 폴리이미드층이 박리될 가능성을 줄이기 위해 비열가소성 폴리이미드층과 상기 열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이는 30ppm/K 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 기재 필름과 기재 필름 상에 적층되는 열가소성 폴리이미드층 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 고온에서 열가소성 폴리이미드층의 박리 현상을 방지하는 것이 가능하다.
또한, 리드프레임에 부착되는 열가소성 폴리이미드층이 봉지 공정 온도 이하의 유리전이온도를 가짐으로써 패키징 공정 완료 후 용이한 박리가 가능하다.
또한, 리드프레임에 부착할 경우 열가소성 폴리이미드층과 기재 필름 사이의 평균 선열평챙계수의 차이가 클 경우 리드프레임 휨 형상 발생 가능성이 있으므로, 본 발명에 따르면 비열가소성 폴리이미드층을 도입함으로써 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 리드프레임 휨 현상 또는 폴리이미드 필름의 박리 현상을 줄이는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명을 더 쉽게 이해하기 위해 편의상 특정 용어를 본원에 정의한다. 본원에서 달리 정의하지 않는 한, 본 발명에 사용된 과학 용어 및 기술 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가질 것이다. 또한, 문맥상 특별히 지정하지 않는 한, 단수 형태의 용어는 그것의 복수 형태도 포함하는 것이며, 복수 형태의 용어는 그것의 단수 형태도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름(100)은 기재 필름(120), 기재 필름(120) 상에 위치하는 비열가소성 폴리이미드층(140) 및 비열가소성 폴리이미드층(140) 상에 위치하는 열가소성 폴리이미드층(160)을 포함한다.
여기서, 기재 필름(120)은 반도체 패키지의 제조 공정 중 가해지는 고온에서의 변성을 방지하기 위해 내열성을 확보하는 것이 가능한 소재로 이루어진 필름인 것이 바람직하다.
이러한 기재 필름(120)을 형성하는 소재로는, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌설피드, 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등과 같은 수지가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름(100)을 구현하기 위한 기재 필름(120)의 소재는 상술한 다양한 수지 이외의 소재도 사용될 수 있으나, 이러한 수지를 사용하여 형성된 기재 필름(120)은 20℃ 내지 200℃에서 20ppm/K 이하의 평균 선열팽창계수를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
기재 필름(120)의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수가 20ppm/K보다 클 경우, 리드프레임과 접착 후 리드프레임과의 평균 선열팽창계수 차이에 의한 리드프레임 휨현상(warpage)이 발생하거나 접착된 폴리이미드 필름이 박리될 우려가 있다.
또한, 기재 필름(120)의 유리전이온도는 폴리이미드 필름(100)의 내열성 확보를 위해 적어도 150℃ 이상인 것이 바람직하다.
기재 필름(120)의 두께는 특별히 제한은 없지만, 폴리이미드 필름(100)을 리드프레임에 부착한 후 리드프레임의 버(burr)가 발생하는 것을 방지하기 위해 150μm 이하의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 비열가소성 폴리이미드층(140)과의 접착력을 높이기 위해 비열가소성 폴리이미드층(140)과 접하는 기재 필름(120)의 표면은 표면 처리될 수 있다.
이러한 표면 처리는 기재 필름(120)의 표면 조도를 변화시키는 처리로서, 필름의 표면 조도를 변화시키는 처리 방법으로는 화학적 처리, 물리적 처리, 플라즈마 처리 또는 코로나 처리 등이 있다.
여기서, 비열가소성 폴리이미드층(140)은 기재 필름(120)과 열가소성 폴리이미드층(160) 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 기재 필름(120)으로부터 열가소성 폴리이미드층(160)이 박리하는 것을 방지하는 것이 가능한 평균 선열팽창계수 보상층으로서 역할한다.
이러한 비열가소성 폴리이미드층(140)을 형성하는 소재로는, 열경화성 폴리이미드 수지 등이 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 열가소성 폴리이미드 수지에 예를 들어, 페놀 수지와 같은 열경화성 수지를 혼합하여 형성할 수 있다.
또한, 비열가소성 폴리이미드층(140)이 기재 필름(120)과 열가소성 폴리이미드층(160) 사이의 평균 선열팽창계수 보상층으로서 역할하기 위해서는 비열가소성 폴리이미드층(140) 역시 기재 필름과의 평균 선열팽창계수 차이가 적어 고온의 공정 중 기재 필름(120)으로부터 박리될 가능성이 적어야 한다.
이를 위해, 비열가소성 폴리이미드층(140)은 20℃ 내지 200℃에서 40ppm/K 이하의 평균 선열팽창계수를 가지되, 기재 필름(120)과의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이가 30ppm/K 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
비열가소성 폴리이미드층(140)은 기재 필름(120)과의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이가 30ppm/K 이하가 됨으로써, 리드프레임의 이면에 폴리이미드 필름(100)을 부착한 후 수행되는 고온(예를 들어, 200℃ 이상)에서의 다이 어태치, 와이어링 공정 중 비열가소성 폴리이미드층(140)이 기재 필름(120)으로부터 박리될 가능성을 줄일 수 있다.
또한, 비열가소성 폴리이미드층(140)은 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력이 10gf/cm 미만인 것이 바람직하다.
비열가소성 폴리이미드층(140)은 리드프레임에 대한 직접적인 접착 용도로서 존재하는 층은 아니나, 비열가소성 폴리이미드층(140) 상에 열가소성 폴리이미드층(160)이 완전히 적층되지 않아 일부의 비열가소성 폴리이미드층(140)이 노출될 수 있다.
다만, 노출된 비열가소성 폴리이미드층(140)이 리드프레임과 접착하더라도 비열가소성 폴리이미드층(140)은 리드프레임에 대한 낮은 접착력을 가짐으로써 봉지 공정 후 폴리이미드 필름(100)의 박리에 영향을 주지 않는다.
상술한 비열가소성 폴리이미드층(140)의 두께는 특별히 제한은 없지만, 반도체 패키지 공정 중 와이어링 공정 진행 시 바운싱을 방지하기 위해 0.3μm 내지 5μm 이하의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 비열가소성 폴리이미드층(140)은 고온의 봉지 공정 중 비열가소성 폴리이미드층(140)이 유연해지는 것을 방지하기 위해 320℃ 이상의 유리전이온도를 가지는 것이 바람직하다.
비열가소성 폴리이미드층(140)의 유리전이온도가 320℃보다 작을 경우, 리플로우 등의 고온 공정 진행 시 비열가소성 폴리이미드 층과 열가소성 폴리이미드 층 간의 계면 상태가 달라져 리드프레임과의 접착력이 강해져서 리드프레임에서 필름 제거 시 이물질이 잔류할 가능성이 높다.
또한, 리드프레임 접착 후 고온 공정 시 리드프레임 휨 현상이 커짐에 따라 기재 필름(100)으로부터 비열가소성 폴리이미드층(140)이 박리되거나 비열가소성 폴리이미드층(140)과 열가소성 폴리이미드층(160)이 기재필름(100)에서 박리되어 폴리이미드 필름(100)이 리드프레임 상에 온전히 부착되지 못할 가능성이 있다.
한편, 열가소성 폴리이미드층(160)은 비열가소성 폴리이미드층(140) 상에 위치한다.
열가소성 폴리이미드층(140)은 에테르기, 케톤기 및 메틸기로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디아민과 에테르기, 케톤기 및 메틸기로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디안하이드리드(aromatic dianhydride)를 유기 용매에 합성하여 제조된 폴리아믹산을 포함하는 수지를 이용하여 형성할 수 있다.
이 때, 방향족 디아민은 하기의 화학식 1로 표기되는 3,3'-디메틸-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112018088942767-pat00001
또한, 방향족 디안하이드리드는 하기 화학식 2로 표기되는 3,3', 4,4'-벤조페논테트라카르복실디안하이드리드(3,3',4,4'-benzophenontetracarbolxylic dianhydride)을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112018088942767-pat00002
유기 용매로는 NMP(N-메틸-2-피롤리돈), DMAC(디메틸아세트아마이드), DMF(디메틸포름아마이드), 디메틸 설폭사이드 및 에틸 락테이트로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 추가적으로 열가소성 폴리이미드층(140)을 형성하기 위한 수지에는 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 20 중량부의 무기 필러가 더 포함될 수 있다.
열가소성 폴리이미드층(140)에 무기 필러를 포함시킴으로써 비열가소성 폴리이미드층(140)과 열가소성 폴리이미드층(160)의 접착력을 향상시켜 비열가소성 폴리이미드층(140)으로부터 열가소성 폴리이미드층(160)이 박리되는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 무기 필러는 열가소성 폴리이미드층(160)과 비열가소성 폴리이미드층(140) 사이의 평균 선열팽창계수 차이를 줄여 고온의 공정 중 비열가소성 폴리이미드층(140)으로부터 열가소성 폴리이미드층(160)이 박리되지 않도록 할 수 있다. 또한 열가소성 폴리이미드층(140)에 무기 필러를 포함 시킴으로써 열가소성 폴리이미드층(140)과 리드프레임 사이의 접착력을 제어 할 수 있다.
본원에서 사용되는 무기 필러의 비제한적인 예로는 SiO2, Al2O3 또는 ZnO 등이 있으며, 무기 필러의 평균 직경은 1Å 내지 100nm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 폴리이미드 필름(100)은 기재 필름(120)과 열가소성 폴리이미드층(160) 사이에 개재된 비열가소성 폴리이미드층(140)을 포함하며, 비열가소성 폴리이미드층(140)은 기재 필름(120)과 열가소성 폴리이미드층(160) 사이의 평균 선열팽창계수를 가짐으로써 폴리이미드 필름(100) 전체에서 평균 선열팽창계수의 급격한 변화를 줄이는 것이 가능하다.
열가소성 폴리이미드층(160)은 20℃ 내지 200℃에서 40ppm/K 내지 50ppm/K의 평균 선열팽창계수를 가질 수 있으며, 특히 비열가소성 폴리이미드층(140) 상에 위치하는 열가소성 폴리이미드층(160)은 고온의 공정 중 비열가소성 폴리이미드층(140)으로부터 박리되지 않기 위해 비열가소성 폴리이미드층(140)과 열가소성 폴리이미드층(160)의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이는 30ppm/K 이하인 것이 바람직하다.
또한, 열가소성 폴리이미드층(160)은 190℃ 내지 230℃의 유리전이온도를 가짐으로써 고온의 봉지 공정시 고무처럼 유연하게 됨으로써 리드프레임과의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 열가소성 폴리이미드층(160)은 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력이 50gf/cm 내지 200gf/cm인 것이 바람직하다.
열가소성 폴리이미드층(160)은 리드프레임에 대한 직접적인 접착 용도로서 존재하는 층으로서, 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력이 50gf/cm 미만인 경우, 리드프레임에 대한 접착력이 낮아 에폭시 몰드 주입시 에폭시 누출(leakage) 및 버(burr)가 발생할 가능성이 있는 반면, 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력이 200gf/cm보다 클 경우, 리드프레임에 대한 접착력이 과도하게 높아 봉지 후 리드프레임으로부터 폴리이미드 필름(100)의 박리 시 잔유물이 남을 우려가 있다.
상술한 열가소성 폴리이미드층(160)의 두께는 특별히 제한은 없지만, 온도 변화에 따른 열가소성 폴리이미드층(160)의 체적 변화로 인해 폴리이미드 필름(100)에 굴곡이 발생하는 것을 방지하기 위해 0.3μm 내지 5μm 이하의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
폴리이미드 필름의 제조 방법
실시예 1
4,4'-디아미노디페닐에테르 와 피로멜리트산 디언하아디라이드를 이용하여 비열가소성 폴리이미드 수지(수지 A)를 중합하였고, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 과 3,3',4,4'-벤조페논 디안무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 사용하여 열가소성 폴리이미드층을 형성하기 위한 수지(수지 B)를 합성하고 수지 질량 대비 15퍼센트의 실리카를 첨가하여 복합화를 진행하였다.
두께 100μm, 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수가 17ppm/K인 GF100 (SKCKolonPI)필름을 기재 필름으로 사용하였으며, 기재 필름의 편면에 수지 A를 2μm의 두께로 도포한 다음 300℃로 열처리하며 비열가소성 폴리이미드층을 형성하였다.
이 때, 비열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수는 30ppm/K이었다.
이어서, 비열가소성 폴리이미드층 상에 수지 B를 1μm의 두께로 도포한 다음 300℃로 열처리하며 열가소성 폴리이미드층을 형성하여 폴리이미드 필름을 제조하였다.
이 때, 열가소성 폴리이미드층의 유리전이온도는 200 ℃이며, 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수는 40ppm/K이었다.
실시예 2
4,4'-디아미노디페닐에테르 와 피로멜리트산 디언하아디라이드를 이용하여 비열가소성 폴리이미드 수지(수지 A)를 중합하였고, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 과 3,3',4,4'-벤조페논 디안무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 사용하여 열가소성 폴리이미드층을 형성하기 위한 수지(수지 B)를 합성하였다.
두께 100μm, 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수가 17ppm/K인 GF100 (SKCKolonPI)필름을 기재 필름으로 사용하였으며, 기재 필름의 편면에 수지 A를 2μm의 두께로 도포한 다음 300℃로 열처리하며 비열가소성 폴리이미드층을 형성하였다.
이 때, 비열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수는 30ppm/K이었다.
이어서, 비열가소성 폴리이미드층 상에 수지 B를 1μm의 두께로 도포한 다음 300℃로 열처리하며 열가소성 폴리이미드층을 형성하여 폴리이미드 필름을 제조하였다.
이 때, 열가소성 폴리이미드층의 유리전이온도는 200 ℃이며, 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수는 60ppm/K이었다.
실시예 3
기재필름의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수는 10ppm/K인 것을 제외하고 실시예 2와 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.
비교예 1
열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수가 90ppm/K이며, 유리전이 온도가 180℃ 인것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.
비교예 2
비열가소성 폴리이미드층을 형성하지 않고 기재필름 상에 열가소성 폴리이미드층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.
폴리이미드 필름에 대한 잔유물 평가
잔유물 평가 방법
폴리이미드 필름의 내열성을 평가하기 위해 반도체 패키지의 리드프레임 이면에 폴리미이드 필름을 부착한 후 190도 5분, 260도 1분, 175도 3분간 단계적으로 열처리 한 후 리드프레임에서 폴리이미드 필름을 제거한 후 리드프레임 표면에 남아있는 잔유물 수량을 현미경을 사용하여 확인 하였다.
잔유물 평가 기준
○ : 리드프레임 표면의 잔유물 전체 면적 대비 5% 이내
△ : 리드프레임 표면의 잔유물 전체 면적 대비 5~30% 이내
X : 리드프레임 표면의 잔유물 전체 면적 대비 30% 이상
구분 잔유물 평가
실시예 1 ○
실시예 2 ○
실시예 3 △
비교예 1 X
비교예 2 X
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. 기재 필름;
    상기 기재 필름 상에 위치하는 비열가소성 폴리이미드층; 및
    상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 위치하는 열가소성 폴리이미드층;
    을 포함하며,
    여기서, 상기 기재 필름과 상기 비열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이는 15ppm/K 이하이고,
    상기 열가소성 폴리이미드층은 무기 필러를 포함하되, 상기 무기 필러는 상기 열가소성 폴리이미드층의 수지 100 중량부에 대하여 5 ~ 20 중량부를 포함하며,
    상기 비열가소성 폴리이미드층의 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력은 10gf/cm 미만이며,
    상기 열가소성 폴리이미드층의 리드프레임에 대한 25℃에서의 접착력은 50gf/cm 내지 200gf/cm인,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비열가소성 폴리이미드층과 상기 열가소성 폴리이미드층의 20℃ 내지 200℃에서 평균 선열팽창계수의 차이는 30ppm/K 이하인,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기재 필름은 20℃ 내지 200℃에서 20ppm/K 이하의 평균 선열팽창계수를 가지며,
    상기 비열가소성 폴리이미드층은 20℃ 내지 200℃에서 30ppm/K 이하의 평균 선열팽창계수를 가지는,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 폴리이미드층은 20℃ 내지 200℃에서 40ppm/K 내지 50ppm/K의 평균 선열팽창계수를 가지는,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비열가소성 폴리이미드층은 320℃ 이상의 유리전이온도를 가지는,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 폴리이미드층은 190℃ 내지 230℃의 유리전이온도를 가지는,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 비열가소성 폴리이미드층과 접하는 상기 기재 필름의 표면은 상기 비열가소성 폴리이미드층과의 접착력을 높이기 위해 표면 처리된,
    반도체 패키지용 폴리이미드 필름.
  9. 삭제
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