TW201939698A - 半導體密封成形用暫時保護膜、帶暫時保護膜的引腳框架、帶暫時保護膜的密封成形體及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體密封成形用暫時保護膜、帶暫時保護膜的引腳框架、帶暫時保護膜的密封成形體及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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日商日立化成股份有限公司
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    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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Abstract

本發明揭示一種半導體密封成形用暫時保護膜，其包括：支撐膜；以及接著層，設置於支撐膜的單面或兩面上，且含有樹脂與矽烷偶合劑。於半導體密封成形用暫時保護膜中，相對於樹脂總量，矽烷偶合劑的含量可超過5質量%且35質量%以下。

Description

半導體密封成形用暫時保護膜、帶暫時保護膜的引腳框架、帶暫時保護膜的密封成形體及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體密封成形用暫時保護膜、帶暫時保護膜的引線框架、帶暫時保護膜的密封成形體及半導體裝置的製造方法。
先前，一直使用如下結構的半導體封裝：藉由銀糊劑等接著劑而將半導體元件接著於晶片座(die pad)上，利用金屬線將其與引線框架(lead frame)接合後，留出外部連接用的外引線而將整體密封。但是，伴隨近年來的半導體封裝的高密度化、小面積化、薄型化等要求的提高，提出有各式各樣結構的半導體封裝。其中，例如有晶片上引線（lead on chip，LOC）、引線上晶片（chip on lead，COL）結構等，但於小面積化、薄型化的方面存在極限。
為了解決該些課題，開發有如下結構的封裝：僅將封裝的單面（半導體元件側）密封，並將背面露出的引線框架用於外部連接用途（專利文獻1及專利文獻2）。該結構的封裝中，引線框架未自密封樹脂突出，因此可實現小面積化及薄型化。作為該封裝結構的半導體裝置的製造方法之一，有包括如下所示的步驟的製造方法。
（1）將半導體密封成形用暫時保護膜貼附於引線框架的單面（背面）上的步驟，所述引線框架具有晶片座及內引線；
（2）將半導體元件搭載（接著）於晶片座的與暫時保護膜相反的一側的面上的步驟；
（3）設置金屬線的步驟，所述金屬線將半導體元件與內引線連接；
（4）形成將半導體元件及金屬線密封的密封層而獲得具有引線框架、半導體元件及密封層的密封成形體的步驟；以及
（5）自密封成形體剝離暫時保護膜的步驟。
於利用該製造方法的半導體封裝中，存在如下情況：在密封成形時，產生密封樹脂繞入至引線框架背面等不良情況。作為防止此種不良情況的方法，已知有如下方法：將暫時保護膜以半導體用接著膜的形式貼附於引線框架背面來保護引線框架背面，將搭載於引線框架表面側的半導體元件密封成形後，剝離暫時保護膜。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-129473號公報
[專利文獻2]日本專利特開平10-12773號公報
[發明所欲解決之課題]
目前，於半導體封裝中，推進組裝製程條件的高溫化（Cu打線接合、回焊連接（CuClip連接等））。伴隨於此，存在如下情況：於自密封成形體剝離暫時保護膜的步驟中，暫時保護膜與引線框架及密封層會牢固地接著，暫時保護膜發生斷裂而無法剝離。
因此，本發明的目的在於提供一種可容易自引線框架及密封層不發生斷裂地剝離的半導體密封成形用暫時保護膜。
[解決課題之手段]
本發明的一側面是有關於一種半導體密封成形用暫時保護膜，其用以在形成將搭載於引線框架的半導體元件密封的密封層的密封成形期間對引線框架進行暫時保護，且所述半導體密封成形用暫時保護膜包括：支撐膜；以及接著層，設置於支撐膜的單面或兩面上，且含有樹脂。將所述暫時保護膜以接著層與引線框架相接的方式貼附於引線框架時的接著層與引線框架之間的90度剝離強度在25℃下可為5 N/m以上，所述引線框架具有晶片座及內引線。將所述暫時保護膜以接著層與引線框架相接的方式貼附於引線框架，於晶片座的與暫時保護膜相反的一側的面上搭載半導體元件，繼而，將半導體元件、引線框架及所述暫時保護膜加熱後，形成與接著層相接同時將半導體元件密封的密封層，此時，接著層與引線框架及密封層之間的90度剝離強度在180℃下可為600 N/m以下。
接著層進而含有矽烷偶合劑，相對於樹脂總量，矽烷偶合劑的含量可為超過5質量%且35質量%以下。
本發明的一側面是有關於一種半導體密封成形用暫時保護膜，其包括：支撐膜；以及接著層，設置於支撐膜的單面或兩面上，且含有樹脂與矽烷偶合劑。相對於樹脂總量，矽烷偶合劑的含量可為超過5質量%且35質量%以下。
矽烷偶合劑可為下述式（I）所表示的化合物。
[化1]



式中，R1 、R2 及R3 分別獨立地表示碳數1～3的烷氧基、碳數1～6的烷基或碳數6～12的芳基，X是由下述式（IIa）、式（IIb）、式（IIc）、式（IId）或式（IIe）表示：
[化2]



該些式中，R4 、R5 及R6 分別獨立地表示碳數1～6的烷基、碳數6～12的芳基或氫原子，*表示與碳原子的鍵結部位。
接著層的玻璃轉移溫度可為100℃～300℃。
樹脂可為具有醯胺基、酯基、醯亞胺基、醚基或碸基的熱塑性樹脂。
接著層在200℃下的彈性係數可為1 MPa以上。
接著層的厚度相對於支撐膜的厚度的比可為0.5以下。接著層的厚度可為1 μm～20 μm。
支撐膜可為選自由芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚碸、芳香族聚醚碸、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二酯所組成的群組中的聚合物的膜。
支撐膜的玻璃轉移溫度可為200℃以上。支撐膜的厚度可為5 μm～100 μm。
支撐膜在20℃～200℃下的線膨脹係數可為3.0×10-5 以下。
支撐膜在200℃下加熱60分鐘時的收縮率可為0.15%以下。
於支撐膜的單面上設置有接著層，所述暫時保護膜進而包括非接著層，所述非接著層設置於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上。
本發明的一側面是有關於一種捲盤體，其包括：卷芯；以及所述暫時保護膜，捲繞於卷芯。
本發明的一側面是有關於一種包裝體，其包括：所述捲盤體；以及包裝袋，收納所述捲盤體。
本發明的一側面是有關於一種捆包物，其包括：所述包裝體；以及捆包箱，收納所述包裝體。
本發明的一側面是有關於一種帶暫時保護膜的引線框架，其包括：引線框架，具有晶片座及內引線；以及所述暫時保護膜；且所述暫時保護膜是以其接著層與引線框架的單面相接方式貼附於引線框架。
本發明的一側面是有關於一種帶暫時保護膜的密封成形體，其包括：引線框架，具有晶片座及內引線；半導體元件，搭載於晶片座；金屬線，將半導體元件與內引線連接；密封層，將半導體元件及金屬線密封；以及所述暫時保護膜；並且所述暫時保護膜的接著層貼附於引線框架的與搭載有半導體元件的面相反的一側的面。
本發明的一側面有關於一種半導體裝置的製造方法，其依序包括：將所述暫時保護膜於其接著層與引線框架相接的方向上貼附於引線框架的單面的步驟，所述引線框架具有晶片座及內引線；將半導體元件搭載於晶片座的與所述暫時保護膜相反的一側的面上的步驟；設置金屬線的步驟，所述金屬線將半導體元件與內引線連接；形成將半導體元件及金屬線密封的密封層而獲得具有引線框架、半導體元件及密封層的密封成形體的步驟；以及自密封成形體剝離暫時保護膜的步驟。
引線框架具有多個晶片座且於多個晶片座上分別搭載半導體元件，所述方法亦可進而包括如下步驟：在將所述暫時保護膜自密封成形體剝離之前或之後，將密封成形體分割而獲得具有一個晶片座及半導體元件的半導體裝置。
[發明的效果]
根據本發明，可提供一種可容易自引線框架及密封層不發生斷裂地剝離的半導體密封成形用暫時保護膜。
另外，本發明的半導體密封成形用暫時保護膜具有相對於引線框架的充分的接著層，並且兼具抑制捲曲、引線框架的翹曲及胡殘留的半導體密封用途所需的諸特性。
以下，對本發明的較佳實施形態進行詳細說明。但是，本發明並不限定於以下的實施形態。本說明書中所記載的數值範圍的上限值及下限值可任意地組合。實施例中所記載的數值亦可用作數值範圍的上限值或下限值。
＜暫時保護膜＞
圖1是表示一實施形態的暫時保護膜的剖面圖。圖1所示的暫時保護膜10包括：支撐膜1；以及接著層2，設置於支撐膜1的單面上。亦可於支撐膜1的兩面上形成接著層。圖2亦是表示一實施形態的暫時保護膜的剖面圖。圖2的暫時保護膜10'包括：支撐膜1；接著層2，設置於支撐膜1的一主面上；以及樹脂層（非接著層3），設置於支撐膜1的另一主面上，實質上不具有接著性。該些暫時保護膜藉由在形成將搭載於引線框架的半導體元件密封的密封層的密封成形的步驟中，貼附於引線框架的背面（與搭載半導體元件的面相反的一側的面），可用作用以在密封成形期間對引線框架進行暫時保護的半導體密封成形用暫時保護膜。
將暫時保護膜以接著層與引線框架相接的方式貼附於具有晶片座及內引線的引線框架時的接著層與引線框架之間的90度剝離強度（貼附後剝離強度）在25℃下可為5 N/m以上，亦可為50 N/m以上，亦可為100 N/m以上，還可為150 N/m以上。於貼附後剝離強度未滿5 N/m的情況下，容易自引線框架剝離暫時保護膜，另外，在密封成形時，存在密封樹脂繞入至引線框架與接著層之間等問題。貼附後剝離強度可為2000 N/m以下，亦可為1500 N/m以下，還可為1000 N/m以下。
貼附後剝離強度例如依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z 0237的90度剝離法，於相對於引線框架90度方向上剝離暫時保護膜來測定。具體而言，利用90度剝離試驗機（泰斯塔（TESTER）產業股份有限公司製造）來測定在25℃下以每分鐘270 mm～330 mm或每分鐘300 mm的速度剝離暫時保護膜時的90度剝離強度。
貼附後剝離強度依存於接著層的玻璃轉移溫度（Tg）、接著溫度、被接著材的材質、接著層的潤濕性等，因此於暫時保護膜中，為了將貼附後剝離強度設為5 N/m以上，考慮接著層的玻璃轉移溫度（Tg）、接著溫度、引線框架的材質、接著層的潤濕性等來適宜選擇最佳條件。該些中，接著層的玻璃轉移溫度（Tg）及貼附（接著）溫度給該剝離強度帶來的影響大，通常採用較接著層的玻璃轉移溫度（Tg）高0℃～30℃左右的接著溫度，可亦考慮引線框架的材質或接著層的潤濕性等來決定最佳條件。
為了測定貼附後剝離強度，將暫時保護膜與引線框架接著的條件並無特別限制，可在後述的引線框架的製造方法中的貼附（接著）條件下進行。例如，可使用銅引線框架、被覆有鈀的銅引線框架或42合金製引線框架作為引線框架，在（1）溫度230℃、壓力6 MPa、時間10秒，（2）溫度350℃、壓力3 MPa、時間3秒，或（3）溫度250℃、壓力6 MPa、時間10秒的任一接著條件下進行貼附。
特別是，即將進行密封步驟前的接著層與引線框架之間的90度剝離強度在25℃下可為5 N/m以上，亦可為10 N/m以上，還可為50 N/m以上。於即將進行密封步驟前的90度剝離強度未滿5 N/m的情況下，在密封步驟時，產生密封樹脂繞入至引線框架與接著層之間等問題。此處，即將進行密封步驟前為密封步驟之前，且是指密封步驟之前進行的所有步驟結束時。
可在將暫時保護膜貼附（接著）於引線框架後且進行密封步驟前實施對帶暫時保護膜的引線框架進行加熱的加熱步驟。藉此，亦可提高接著層與引線框架的接著強度。加熱步驟中的加熱溫度並無特別限定，為了提高接著層與引線框架的接著強度，可為100℃以上。就引線框架及暫時保護膜的耐熱性的方面而言，加熱溫度可為400℃以下。就相同的理由而言，加熱溫度可為130℃以上且350℃以下。加熱時間並無特別限定，為了充分提高接著層與引線框架的接著強度，可為10秒以上。就相同的理由而言，加熱時間可為1分鐘以上且2小時以內。
就生產性的方面而言，可藉由移至密封步驟之前的諸步驟（例如銀糊劑等接著劑的硬化步驟（半導體元件的接著步驟）、回焊連接步驟、打線接合步驟等）中的加熱來進行所述加熱步驟。例如，如上所述，半導體元件的接著步驟中，為了使接著中所使用的接著劑硬化，通常在140℃～200℃下進行30分鐘～2小時的加熱。因此，可藉由該些諸步驟中的加熱來進行所述加熱步驟。
將暫時保護膜以接著層與引線框架相接的方式貼附於引線框架，於晶片座的與暫時保護膜相反的一側的面上搭載半導體元件，繼而，將半導體元件、引線框架及暫時保護膜加熱後，形成與接著層相接同時將半導體元件密封的密封層，此時，接著層與引線框架及密封層之間的90度剝離強度（密封後剝離強度）在180℃下可為600 N/m以下，亦可為500 N/m以下，還可為400 N/m以下。於密封後剝離強度超過600 N/m的情況下，存在如下情況：在對引線框架及密封層施加應力時發生破損。密封後剝離強度可為0 N/m以上，亦可為3 N/m以上，還可為5 N/m以上。此處，對半導體元件、引線框架及暫時保護膜進行加熱時的溫度範圍可為250℃～400℃。以250℃～400℃的溫度範圍對引線框架及暫時保護膜進行加熱的時間（加熱時間）可為1分鐘～5分鐘。
密封後剝離強度依據JIS Z 0237的90度剝離法，於相對於引線框架及密封層90度方向上剝離暫時保護膜來測定。具體而言，利用奧拓古拉福（AUTOGRAPH）AGS-1000G（島津製作所股份有限公司製造）來測定在180℃下以每分鐘270 mm～330 mm或每分鐘300 mm的速度剝離暫時保護膜時的90度剝離強度。
密封後剝離強度的測定是在密封成形後進行。密封成形的條件並無特別限制，可為後述的半導體裝置的製造方法中的密封條件。例如，可使用GE-300（日立化成股份有限公司製造）作為密封材，在溫度180℃、壓力7 MPa、時間3分鐘的條件下進行密封，繼而，在180℃下加熱5小時而使密封材硬化。
＜接著層＞
接著層含有樹脂。接著層的形成中所使用的樹脂（以下，亦稱為「樹脂（a）」）可為具有醯胺基（-NHCO-）、酯基（-CO-O-）、醯亞胺基（-NR2 ，其中，R分別為-CO-）、醚基（-O-）或碸基（-SO2 -）的熱塑性樹脂。樹脂（a）亦可為具有醯胺基、酯基、醯亞胺基或醚基的熱塑性樹脂。作為樹脂（a）的具體例，可列舉：芳香族聚醯胺、芳香族聚酯、芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚、芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯胺、芳香族聚酯醯亞胺及芳香族聚醚醯亞胺。就耐熱性及接著性的方面而言，樹脂（a）為選自由芳香族聚醚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醯亞胺及芳香族聚醚醯胺所組成的群組中的至少一種。
關於樹脂（a），可使作為鹼成分的芳香族二胺或雙酚等與作為酸成分的二羧酸、三羧酸、四羧酸或芳香族氯化物或者該些的反應性衍生物縮聚來製造。即，可利用胺與酸的反應中所使用的通常的方法來進行，關於諸條件等，亦並無特別限制。關於芳香族二羧酸、芳香族三羧酸或該些的反應性衍生物與二胺的縮聚反應，可使用通常的方法。
作為芳香族聚醚醯亞胺、芳香族聚醚醯胺醯亞胺或芳香族聚醚醯胺的合成中所使用的鹼成分，例如可使用：2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、4,4'-二胺基二苯基醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)]六氟丙烷等具有醚基的芳香族二胺；4,4'-亞甲基雙(2,6-二異丙胺)等不具有醚基的芳香族二胺；1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等矽氧烷二胺；及1,12-二胺基十二烷、1,6-二胺基己烷等α,ω-二胺基烷烴。鹼成分總量中，可以40莫耳%～100莫耳%或50莫耳%～97莫耳%的量使用所述具有醚基的芳香族二胺，可以0莫耳%～60莫耳%或3莫耳%～50莫耳%的量使用選自不具有醚基的芳香族二胺、矽氧烷二胺及α,ω-二胺基烷烴中的至少一種。作為鹼成分的具體例，可列舉：（1）包含60莫耳%～89莫耳%或68莫耳%～82莫耳%的具有醚基的芳香族二胺、1莫耳%～10莫耳%或3莫耳%～7莫耳%的矽氧烷二胺及10莫耳%～30莫耳%或15莫耳%～25莫耳%的α,ω-二胺基烷烴的鹼成分；（2）包含90莫耳%～99莫耳%或93莫耳%～97莫耳%的具有醚基的芳香族二胺及1莫耳%～10莫耳%或3莫耳%～7莫耳%的矽氧烷二胺的鹼成分；（3）包含40莫耳%～70莫耳%或45莫耳%～60莫耳%的具有醚基的芳香族二胺及30莫耳%～60莫耳%或40莫耳%～55莫耳%的不具有醚基的芳香族二胺的鹼成分。
作為芳香族聚醚醯亞胺、芳香族聚醚醯胺醯亞胺或芳香族聚醚醯胺的合成中所使用的酸成分，例如可列舉：（A）偏苯三甲酸酐、偏苯三甲酸酐氯化物等偏苯三甲酸酐的反應性衍生物、均苯四甲酸二酐等單核芳香族三羧酸酐或單核芳香族四羧酸二酐；（B）雙酚A雙偏苯三酸酯二酐、氧二鄰苯二甲酸酐等多核芳香族四羧酸二酐；（C）對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸氯化物、間苯二甲酸氯化物等鄰苯二甲酸的反應性衍生物等芳香族二羧酸等。其中，可使用使所述鹼成分（1）或鹼成分（2）每1莫耳與0.95莫耳～1.05莫耳或0.98莫耳～1.02莫耳的所述酸成分（A）反應而獲得的芳香族聚醚醯胺醯亞胺及使所述鹼成分（3）每1莫耳與0.95莫耳～1.05莫耳或0.98莫耳～1.02莫耳的所述酸成分（B）反應而獲得的芳香族聚醚醯亞胺。
接著層亦可進而含有矽烷偶合劑。矽烷偶合劑例如可為下述式（I）所表示的化合物。
[化3]



式（I）中，R1 、R2 及R3 分別獨立地表示碳數1～3的烷氧基、碳數1～6的烷基或碳數6～12的芳基。
關於作為R1 、R2 或R3 的碳數1～3的烷氧基的例子，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基。關於作為R1 、R2 或R3 的碳數1～6的烷基的例子，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基。關於作為R1 、R2 或R3 的碳數6～12的芳基的例子，可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基。
式（I）中，X可為下述式（IIa）、式（IIb）、式（IIc）、式（IId）或式（IIe）所表示的基。
[化4]



該些式中，*表示與碳原子的鍵結部位。
矽烷偶合劑可為式（I）中的X為式（IIa）所表示的基的下述式（IIIa）所表示的化合物。
[化5]



式（IIIa）中，R4 表示碳數1～6的烷基、碳數6～12的芳基或氫原子。關於作為R4 的碳數1～6的烷基的例子，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基。關於作為R4 的芳基的例子，可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等碳數6～12的一價芳基。
作為式（IIIa）所表示的化合物的例子，例如可列舉：3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三乙氧基矽烷、3-苯基胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基胺基丙基三乙氧基矽烷、3-乙基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-乙基胺基丙基三乙氧基矽烷。
矽烷偶合劑亦可為式（I）中的X為式（IIb）所表示的基的下述式（IIIb）所表示的化合物。
[化6]



式（IIIb）中，R5 表示碳數1～6的烷基、碳數6～12的芳基或氫原子。關於作為R5 的碳數1～6的烷基及碳數6～12的芳基的例子，可列舉與式（IIIa）的R4 相同者。
作為式（IIIb）所表示的化合物的例子，例如可列舉：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-苯基胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-苯基胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-苯基胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-甲基胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-甲基胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-乙基胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-乙基胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷。
矽烷偶合劑亦可為式（I）中的X為式（IIc）所表示的基的下述式（IIIc）所表示的化合物。
[化7]

作為式（IIIc）所表示的化合物的例子，例如可列舉：3-異氰酸基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷、3-異氰酸基丙基甲基二乙氧基矽烷。
矽烷偶合劑亦可為式（I）中的X為式（IId）所表示的基的下述式（IIId）所表示的化合物。
[化8]



式（IIId）中，R5 表示碳數1～6的烷基、碳數6～12的芳基或氫原子。關於作為R6 的碳數1～6的烷基及碳數6～12的芳基的例子，可列舉與式（IIIa）的R4 相同者。
作為式（IIId）所表示的化合物的例子，例如可列舉：3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-脲基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(3-苯基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-甲基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-乙基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-丙基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-丁基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-己基脲基)丙基三乙氧基矽烷、3-(3-苯基脲基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-甲基脲基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-乙基脲基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-丙基脲基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-丁基脲基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-己基脲基)丙基三甲氧基矽烷。
矽烷偶合劑亦可為式（I）中的X為式（IIe）所表示的基的下述式（IIIe）所表示的化合物。
[化9]

作為式（IIIe）所表示的化合物的例子，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。
矽烷偶合劑可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。
相對於樹脂（a）總量，矽烷偶合劑的含量可為1質量%～40質量%，亦可為1質量%～35質量%，亦可為2質量%～35質量%，亦可為3質量%～30質量%，亦可為超過5質量%且35質量%以下，亦可為超過5質量%且30質量%以下，還可為超過5質量%且20質量%以下。於矽烷偶合劑的含量為1質量%以上的情況下，有如下傾向：在密封後，接著層與引線框架及密封層的密接性充分降低，在室溫（25℃）下更容易剝離暫時保護膜。另外，於矽烷偶合劑的含量為40質量%以下的情況下，不易引起清漆的凝膠化、黏度降低等，因此有清漆的穩定性進一步提高且更容易製作暫時保護膜的傾向。
接著層亦可含有陶瓷粉、玻璃粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、橡膠粒子等填料、偶合劑（其中，相當於所述矽烷偶合劑者除外）。於接著層含有填料的情況下，相對於樹脂（a）100質量份，填料的含量可為1質量份～30質量份，亦可為5質量份～15質量份。
作為偶合劑（其中，相當於所述矽烷偶合劑者除外），例如可列舉：鈦酸鹽、鋁螯合物、鋁酸鋯。相對於樹脂（a）100質量份，偶合劑的含量可為1質量份～15質量份，亦可為2質量份～10質量份。相對於樹脂（a）100質量份，偶合劑的含量可為1質量份～30質量份，亦可為5質量份～15質量份。
就接著性、耐熱性的觀點而言，接著層的玻璃轉移溫度可為100℃～300℃，亦可為130℃～280℃，還可為150℃～250℃。於玻璃轉移溫度為100℃以上的情況下，在密封步驟後，引線框架及密封層與接著層的接著強度不會變得過高，另外，於打線接合步驟中，由於接著層軟化，因此金屬線連接時的力得到分散，而不易引起金屬線的連接不良。另一方面，於玻璃轉移溫度為300℃以下的情況下，可抑制相對於引線框架的接著強度的降低，因此不易產生搬送步驟中的剝離、密封時密封材料的洩漏等。
接著層的5%重量減少溫度可為300℃以上，亦可為350℃以上，還可為400℃以上。於接著層的5%重量減少溫度為300℃以上的情況下，有如下傾向：可抑制由將暫時保護膜貼附於引線框架時的熱及打線接合步驟的熱引起的逸出氣體，從而不易污染引線框架及金屬線。再者，接著層的5%重量減少溫度可利用示差熱天秤（精工儀器（Seiko Instruments）股份有限公司製造，TG-DTA220）以升溫速度10℃/min進行測定而求出。
接著層在200℃下的彈性係數可為1 MPa以上，亦可為3 MPa以上。打線接合溫度並無特別限制，通常而言為200℃～230℃左右，廣泛使用200℃前後。因此，於200℃下的彈性係數為1 MPa以上的情況下，有如下傾向：可抑制由打線接合步驟中的熱引起的接著層的軟化，從而不易產生金屬線的接合不良。接著層在200℃下的彈性係數的上限可為2000 MPa，亦可為1500 MPa，還可為1000 MPa。關於接著層在200℃下的彈性係數，可以夾頭間距離20 mm設置於動態黏彈性測定裝置（UBM股份有限公司製造，Rheogel-E4000），並藉由正弦波、升溫速度5℃/min、頻率10 Hz的拉伸模式來測定。
就容易更進一步抑制暫時保護膜的捲曲的觀點而言，接著層的厚度（A）可為20 μm以下、18 μm以下、16 μm以下、14 μm以下、12 μm以下、10 μm以下、9 μm以下或8 μm以下。另外，接著層的厚度（A）可為1 μm以上、2 μm以上、3 μm以上、4 μm以上、5 μm以上、6 μm以上、7 μm以上或8 μm以上。接著層的厚度（A）可為1～20以下，亦可為1～15以下，還可為1 μm～8 μm以下。於接著層的厚度為1 μm以上的情況下，有如下傾向：可確保充分的接著性，密封時密封材不易洩漏。於接著層的厚度（A）為20 μm以下的情況下，除有暫時保護膜的層厚度變薄而經濟性優異的傾向以外，亦可更進一步抑制進行300℃以上的熱處理時的空隙的產生。進而，於接著層的厚度（A）為20 μm以下的情況下，可抑制熱處理時的潤濕性的上升，且可抑制被黏附材與接著層牢固地貼附，因此剝離性更進一步優異。
於將接著層設置於支撐膜的兩面的情況下，兩接著層的厚度比（設置於與引線框架接著的一側的接著層的厚度：設置於相反側的接著層的厚度）可為0.8：1～1.2：1，亦可為0.9：1～1.1：1，還可為1：1。
＜支撐膜＞
支撐膜並無特別限制，可為包含接著層或非接著層的形成中所使用的可耐受樹脂的塗敷、乾燥、半導體裝置組裝步驟中的熱的樹脂（耐熱性樹脂）的膜。支撐膜例如可為選自由芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚碸、芳香族聚醚碸、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二酯所組成的群組中的至少一種聚合物的膜。
為了提高耐熱性，支撐膜的玻璃轉移溫度可為200℃以上，亦可為250℃以上。藉由使用所述聚合物的膜，於將半導體元件接著於晶片座的步驟、打線接合步驟、密封步驟、將暫時保護膜自密封成形體剝離的步驟等施加熱的步驟中，支撐膜不會軟化而可高效地進行作業。
為了減低將暫時保護膜貼附於引線框架後的引線框架的翹曲，支撐膜在20℃～200℃下的線膨脹係數可為3.0×10-5 /℃以下，亦可為2.5×10-5 /℃以下，還可為2.0×10-5 /℃以下。支撐膜在20℃～200℃下的線膨脹係數是依據JIS K 7197來進行。測定使用熱機械分析裝置（Thermomechanical Analyzer，TMA）。以夾頭間距離為10 mm進行設置，並算出20℃～200℃下的熱膨脹係數。
為了減低將暫時保護膜貼附於引線框架後的引線框架的翹曲，支撐膜在200℃下加熱60分鐘時的收縮率（加熱收縮率）可為0.15%以下，亦可為0.13%以下，還可為0.10%以下。加熱收縮率的測定可依據JIS K 7133來進行。加熱收縮率的測定中使用CNC圖像測定系統（NEXIV）。加熱收縮率可藉由對熱處理前後的支撐膜中的MD方向（長邊方向）或TD方向（與MD方向垂直的方向）的尺寸差進行測定來求出。熱處理條件為溫度200℃、時間60分鐘。加熱收縮率為MD方向及TD方向中的較大的方向上的測定值。
支撐膜較佳為對於接著層的密接性充分高。若密接性低，則當在100℃～300℃的溫度下自引線框架及密封材剝離時，在接著層2與支撐膜的界面容易產生剝離，且樹脂容易殘留於引線框架及密封材上。就具有耐熱性且較佳為對於接著層的密接性充分高的方面而言，支撐膜可為聚醯亞胺膜。
為了充分提高對於接著層的密接性，支撐膜可進行表面處理。作為支撐膜的表面處理方法，並無特別限制，可列舉：鹼處理、矽烷偶合劑處理等化學處理；砂墊處理等物理處理；電漿處理；電暈處理等。
支撐膜的厚度並無特別限制，可為5 μm～100 μm，亦可為5 μm～50 μm以下。於支撐膜的厚度未滿5 μm的情況下，有於暫時保護膜上容易形成褶皺而作業性變差的傾向，於超過100 μm的情況下，有將暫時保護膜貼附於引線框架後的引線框架的翹曲變大的傾向。
關於支撐膜的材質，亦可選自由所述聚合物以外的銅、鋁、不鏽鋼及鎳所組成的群組中。藉由將支撐膜設為所述金屬，可使引線框架與支撐膜的線膨脹係數相近，且可使將暫時保護膜貼附於引線框架後的引線框架的翹曲減低。
接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 可為0.5以下，亦可為0.3以下，還可為0.2以下。此處所述的接著層的厚度T2 為僅形成於支撐膜的接著層的單面的厚度。於在支撐膜的兩面上設置有接著層的情況下，接著層的厚度T2 為較厚的接著層的厚度。
於T2 /T1 超過0.5的情況下，有如下傾向：因塗敷後的溶劑去除時的接著層的體積減少而膜容易捲曲，貼附於引線框架時的作業性容易降低。
＜非接著層＞
非接著層為在0℃～270℃下實質不具有對於引線框架的接著性（或感壓接著性）的樹脂層。非接著層可為在高溫下不易軟化的樹脂層，例如，具有高的玻璃轉移溫度的樹脂層可作為非接著層發揮功能。
非接著層含有樹脂。非接著層的形成中所使用的樹脂（以下，亦稱為「樹脂（b）」）的組成並無特別限制，可使用熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂的任一種。熱塑性樹脂的組成並無特別限制，可為具有醯胺基、酯基、醯亞胺基、醚基或碸基的熱塑性樹脂。另外，熱硬化性樹脂的組成並無特別限制，例如可為環氧樹脂、酚樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂（例如，以雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷為單體的雙馬來醯亞胺樹脂）等。另外，亦可將熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂組合使用。於將熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂組合的情況下，相對於熱塑性樹脂100質量份，熱硬化性樹脂可設為5質量份～100質量份，亦可設為20質量份～70質量份。
非接著層亦可含有陶瓷粉、玻璃粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、橡膠粒子等填料、偶合劑等。於非接著層含有填料的情況下，相對於樹脂（b）100質量份，填料的含量可為1質量份～30質量份，亦可為5質量份～15質量份。相對於樹脂（b）100質量份，偶合劑的含量可為1質量份～20質量份，亦可為5質量份～15質量份。
非接著層在200℃下的彈性係數可為10 MPa以上，亦可為100 MPa以上，還可為1000 MPa以上。於非接著層在200℃下的彈性係數為10 MPa以上的情況下，有如下傾向：在打線接合步驟等施加熱的步驟中不易軟化而不易貼附於模具及夾具。非接著層在200℃下的彈性係數可為2000 MPa以下，亦可為1800 MPa以下。
關於非接著層在200℃下的彈性係數，可以夾頭間距離20 mm設置於動態黏彈性測定裝置（UBM股份有限公司製造，Rheogel-E4000），並藉由正弦波、升溫速度5℃/min、頻率10 Hz的拉伸模式來測定。
關於非接著層對於模具及夾具的接著力，若低至在步驟中不黏著於模具及/或夾具的程度，則並無特別限制，常溫（例如25℃）下的非接著層與模具及夾具之間的剝離角度90度的剝離強度可未滿5 N/m，亦可為1 N/m以下。所述剝離強度例如在於黃銅製的模具上以溫度250℃、壓力8 MPa壓接10秒後進行測定。
為了於將半導體元件接著於晶片座的步驟、打線接合步驟、密封步驟、將暫時保護膜自密封成形體剝離的步驟等中不易軟化，且不易貼附於模具及夾具，非接著層的玻璃轉移溫度可為150℃以上，亦可為200℃以上，還可為250℃以上。非接著層的玻璃轉移溫度可為350℃以下，亦可為300℃以下。
＜暫時保護膜的製造方法＞
一實施形態的暫時保護膜例如可藉由以下的方法來製造。首先，將樹脂（a）與N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、二甲基甲醯胺等溶劑及視需要的矽烷偶合劑等其他成分加以混合來製作包含樹脂（a）或其前驅物的接著層形成用的清漆。將所製作的接著層形成用的清漆塗佈於支撐膜的單面或兩面上後，藉由加熱處理而自塗膜去除溶劑，從而於支撐膜的單面或兩面上形成接著層。藉此，可獲得兩層結構或三層結構的暫時保護膜。另外，亦可藉由清漆塗佈後的加熱處理等而將溶劑去除，並且使用成為樹脂（a）（例如聚醯亞胺樹脂）的樹脂（a）的前驅物（例如聚醯亞胺樹脂）來代替樹脂（a）。就塗敷面的表面狀態等方面而言，亦可使用包含樹脂（a）的清漆。
於支撐膜的其中一面上設置有接著層的兩層結構的暫時保護膜可於另一面上設置非接著層而形成三層結構的暫時保護膜。包括接著層、支撐膜及非接著層的三層結構的暫時保護膜例如可藉由以下的方法來製造。首先，將樹脂（b）與N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、二甲基甲醯胺等溶劑及視需要的矽烷偶合劑等其他成分加以混合來製作包含樹脂（b）或其前驅物的非接著層形成用的清漆。將所製作的非接著層形成用的清漆塗佈於兩層結構的暫時保護膜的支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上後，藉由加熱處理而自塗膜去除溶劑，從而於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上形成非接著層。藉此，可獲得包括接著層、支撐膜及非接著層的三層結構的暫時保護膜。另外，亦可藉由清漆塗佈後的加熱處理等而將溶劑去除，並且使用成為樹脂（b）（例如聚醯亞胺樹脂）的樹脂（b）的前驅物（例如聚醯亞胺樹脂）來代替樹脂（b）。就塗敷面的表面狀態等方面而言，亦可使用包含樹脂（b）的清漆。
作為將清漆塗佈於支撐膜的單面上的方法，並無特別限制，例如可使用輥塗佈、逆輥塗佈、凹版塗佈、棒塗佈、缺角輪塗佈、模塗佈、減壓模塗佈。於塗佈於支撐膜的兩面上的情況下，可使支撐膜於包含樹脂或其前驅物的清漆中通過來進行塗佈。
關於在清漆塗佈後，為了去除溶劑、醯亞胺化等而對支撐膜進行加熱處理時的處理溫度，根據是使用包含樹脂（樹脂（a）或樹脂（b））的清漆，還是使用包含樹脂的前驅物的清漆而不同。關於處理溫度，於使用包含樹脂的清漆的情況下，只要為可去除溶劑的溫度即可，於使用包含樹脂的前驅物的清漆的情況下，為了將樹脂的前驅物形成樹脂（例如醯亞胺化），可為接著層或非接著層的玻璃轉移溫度以上。
非接著層的厚度例如可為10 μm以下、9 μm以下、8 μm以下或7 μm以下。非接著層的厚度例如可為1 μm以上、2 μm以上、3 μm以上、4 μm以上、5 μm以上或6 μm以上。非接著層的厚度並無特別限制，例如可為1 μm～10 μm或1 μm～8 μm。
＜半導體裝置的製造方法＞
可藉由包括使用一實施形態的暫時保護膜的半導體元件的密封成形步驟的方法來製造半導體裝置。所製造的半導體裝置例如可為如下無引線型封裝（Non Lead Type Package），所述無引線型封裝具有引線框架及搭載於其的半導體元件以及在引線框架的半導體元件側將半導體元件密封的密封層，並且引線框架的背面露出，以便用以外部連接。作為其具體例，可列舉方形扁平無引線封裝（Quad Flat Non-leaded Package，QFN）、小外形無引線封裝（Small Outline Non-leaded Package，SON）。
圖3及圖4是表示一實施形態的半導體裝置的製造方法的剖面圖。圖5是表示藉由圖3及圖4的製造方法而獲得的半導體裝置的一實施形態的剖面圖。以下，視需要，參照各圖式來說明各步驟。
圖3的實施形態的半導體裝置的製造方法依序包括：將暫時保護膜10於其接著層與引線框架相接的方向上貼附於引線框架11的單面（背面）的步驟，所述引線框架11具有晶片座11a及內引線11b；將半導體元件14搭載（接著）於晶片座11a的與暫時保護膜10相反的一側的面上的步驟；設置金屬線12的步驟，所述金屬線12將半導體元件14與內引線11b連接；形成將半導體元件14及金屬線12密封的密封層13，從而獲得具有引線框架11、半導體元件14及密封層13的密封成形體20的步驟；以及自密封成形體20剝離暫時保護膜10的步驟。
暫時保護膜10對於引線框架11的貼附可在常溫（例如5℃～35℃）下進行。貼附的方法並無特別限制，例如可為輥層壓法。
暫時保護膜10對於引線框架11的接著條件並無特別限制，接著溫度可為150℃～400℃，亦可為180℃～350℃，還可為200℃～300℃。於接著溫度為150℃以上的情況下，有進一步提高引線框架11與接著層2的接著強度的傾向。另外，於接著溫度為400℃以下的情況下，有可進一步抑制引線框架11的劣化的傾向。
暫時保護膜10對於引線框架11的接著壓力可為0.5 MPa～30 MPa，亦可為1 MPa～20 MPa，還可為3 MPa～15 MPa。於接著壓力為0.5 MPa以上的情況下，有進一步提高接著層2與引線框架11的接著強度的傾向。另外，於接著壓力為30 MPa以下的情況下，有容易進一步抑制引線框架11的破損的傾向。
暫時保護膜10對於引線框架11的接著時間可為0.1秒～60秒之間，亦可為1秒～30秒，還可為3秒～20秒。於接著時間為0.1秒以上的情況下，有容易進一步提高接著層2與引線框架11的接著強度的傾向。另外，於接著時間為60秒以內的情況下，有容易進一步提高作業性與生產性的傾向。另外，亦可在施加壓力前進行5秒～60秒左右的預加熱。
引線框架11的材質並無特別限制，例如可為42合金等鐵系合金、銅或銅系合金。另外，於使用銅及銅系合金的情況下，亦可對引線框架的表面實施鈀、金、銀等被覆處理。
半導體元件14通常介隔接著劑（例如銀糊劑）而搭載（接著）於晶片座11a。亦可藉由加熱處理（例如140℃～200℃、30分鐘～2小時）而使接著劑硬化。
亦可在搭載（接著）半導體元件後，以最大溫度250℃～400℃的溫度範圍且在1分鐘～30分鐘的條件下進行回焊連接（CuClip連接等）。
金屬線12並無特別限制，例如可為金線、銅線或鈀被覆銅線。例如，亦可在200℃～270℃下加熱3分鐘～60分鐘，並利用超音波與按壓壓力而將半導體元件及內引線與金屬線12接合。
密封成形的步驟中，使用密封材來形成密封層13。藉由密封成形，可獲得具有多個半導體元件14及一次性將該些半導體元件密封的密封層13的密封成形體20。在密封成形期間，因設置有暫時保護膜10而可抑制密封材繞入至引線框架11的背面側。
一實施形態的帶暫時保護膜的密封成形體包括：引線框架11，具有晶片座11a及內引線11b；半導體元件14，搭載於晶片座11a；金屬線12，將半導體元件14與內引線11b連接；密封層13，將半導體元件14及金屬線12密封；以及暫時保護膜10；並且暫時保護膜10的接著層2貼附於引線框架11的與搭載有半導體元件14的面相反的一側的面。
形成密封層13期間的溫度（密封溫度）可為140℃～200℃，亦可為160℃～180℃。形成密封層期間的壓力（密封壓力）可為6 MPa～15 MPa，亦可為7 MPa～10 MPa。密封成形中的加熱時間（密封時間）可為1分鐘～5分鐘，亦可為2分鐘～3分鐘。
視需要亦可將所形成的密封層13加熱硬化。用以使密封層13硬化的加熱溫度（密封硬化溫度）可為150℃～200℃，亦可為160℃～180℃。用以使密封層13硬化的加熱時間（密封硬化時間）可為4小時～7小時，亦可為5小時～6小時。
密封材的材質並無特別限制，例如可列舉：甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、聯苯二環氧樹脂、萘酚酚醛清漆環氧樹脂等環氧樹脂。於密封材中，例如亦可添加填料、溴化合物等阻燃性物質，蠟成分等添加材。
在形成密封層13（密封成形）後，自所獲得的密封成形體20的引線框架11及密封層13剝離暫時保護膜10。於使密封層硬化的情況下，亦可於使密封層13硬化之前或之後的任意時刻點剝離暫時保護膜10。
自密封成形體剝離暫時保護膜10的溫度（剝離溫度）可為0℃～250℃之間。於剝離溫度為0℃以上的情況下，接著層更不易殘留於引線框架11及密封層13上。另外，於剝離溫度為250℃以下的情況下，有容易進一步抑制引線框架11及密封層13的劣化的傾向。就所述相同的理由而言，剝離溫度可為100℃～200℃，亦可為150℃～250℃。
半導體裝置的製造方法視需要亦可進而包括如下步驟：在剝離步驟後，將殘留於引線框架11及密封層13上的接著層（糊殘留）去除。較佳為：當利用密封材加以密封後，在180℃下剝離暫時保護膜10時，接著層2不會殘留於引線框架11及密封層13上。於接著層的殘留量多的情況下，不僅外觀差，而且當將引線框架11用於外部連接用途時，容易成為接觸不良的原因。因此，亦可利用機械性刷洗（brushing）、溶劑等將殘留於引線框架11及密封層13上的接著層去除。溶劑並無特別限制，可為N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、二甲基甲醯胺等。
於引線框架包含具有晶片座及內引線的多個圖案的情況下，視需要，可將密封成形體20分割而獲得多個分別具有一個半導體元件的圖5的半導體裝置100。
即，於引線框架11具有多個晶片座11a且於多個晶片座11a上分別搭載半導體元件14的情況下，一實施形態的製造方法亦可進而包括如下步驟：在將暫時保護膜10（或10'）自密封成形體20剝離之前或之後，將密封成形體20分割而獲得具有一個晶片座11a及半導體元件14的半導體裝置100。
亦可將長條的暫時保護膜捲繞於卷芯，一邊自所獲得的捲盤體捲出暫時保護膜，一邊製造半導體裝置。所述情況下的捲盤體具有卷芯以及捲繞於卷芯的所述實施形態的暫時保護膜。
圖7是表示捲盤體的一實施形態的立體圖。圖7所示的捲盤體30包括：卷芯31；暫時保護膜10，捲繞於卷芯31；以及側板32。
卷芯31及暫時保護膜10的寬度（與捲繞方向正交的方向上的長度）例如可為10 μm以上、50 μm以上、50 μm以上或80 μm以上，可為300 μm以下。卷芯31及暫時保護膜10的寬度（與捲繞方向正交的方向上的長度）例如可為10 μm以上且300 μm以下、50 μm以上且300 μm以下或80 μm以上且300 μm以下。
所述實施形態的暫時保護膜亦可以將所述捲盤體收納於包裝袋中而成的包裝體的形式提供。圖8表示包裝體的一實施形態。如圖8所示，包裝體50包括：所述捲盤體30；以及包裝袋40，收納所述捲盤體30。捲盤體30通常個別地收納於包裝袋中，但亦可將多個（例如2個～3個）捲盤體30收納於一個包裝袋40中。
包裝袋40可由樹脂膜形成，亦可由作為具有鋁層的樹脂膜的複合膜形成。作為包裝袋40的具體例，可列舉經鋁塗覆的塑膠製的袋等。作為樹脂膜的原料，可列舉：聚乙烯、聚酯、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等塑膠。捲盤體30例如可以經真空包裝的狀態收納於包裝袋中。包裝體50並不限於經真空包裝者。
於包裝袋40中亦可與捲盤體30一起收納乾燥劑。作為乾燥劑，例如可列舉矽膠。包裝體50亦可為進而利用緩衝材包裹收納有捲盤體30的包裝袋40者。
包裝體50亦可以收納於捆包箱而成的捆包物的形式提供。圖8表示捆包物的一實施形態。如圖9所示，捆包物70包括：所述包裝體50；以及捆包箱60，收納所述包裝體50。於捆包箱60中收納一個或多個包裝體50。作為捆包箱60，例如可使用紙箱。
使用一實施形態的暫時保護膜而製造的半導體裝置於高密度化、小面積化、薄型化等方面優異，例如可較佳地用於行動電話、智慧型手機、電腦、平板等電子機器中。
[實施例]
以下，藉由實施例而對本發明進行更具體說明，但本發明並不限定於以下實施例。
＜接著層形成用的清漆的製作＞
製造例1
（樹脂的合成）
於安裝有溫度計、攪拌機、氮氣導入管及分餾塔的5000 ml的四口燒瓶中，在氮氣環境下，加入270.9 g（0.66莫耳）的2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、8.7 g（0.035莫耳）的1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷，並將其溶解於1950 g的N-甲基-2-吡咯啶酮（NMP）中。進而，將該溶液冷卻至0℃，並在該溫度下添加149.5 g（0.71莫耳）的偏苯三甲酸酐氯化物。偏苯三甲酸酐氯化物溶解後，添加100 g的三乙胺。在室溫下持續攪拌2小時後，升溫至180℃並反應5小時，藉此完成醯亞胺化。將反應液投入至甲醇中而分離聚合物。將其乾燥後，溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮並投入至甲醇中，再次分離聚合物。將所分離的聚合物減壓乾燥，從而獲得經精製的粉末狀的聚醚醯胺醯亞胺。將其設為聚醚醯胺醯亞胺A。
（接著層形成用的清漆的製作）
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺A及2.2 g的N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM603）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆1A。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺A及4.4 g的3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBE9007）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆1B。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺A溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆1C。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺A及6.6 g的3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（東麗道康寧（Toray Dow-corning）矽酮股份有限公司製造，商品名：SH6040）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆1D。
製造例2
（樹脂的合成）
於具備攪拌機、溫度計、氮氣導入管及冷卻管的1000 ml的四口燒瓶中，在氮氣環境下，加入120.9 g（0.41莫耳）的1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、44.0 g（0.18莫耳）的1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷，將其添加於538.3 g的NMP中並均勻溶解。進而，將該溶液冷卻至0℃，並在該溫度下添加125.0 g（0.59莫耳）的偏苯三甲酸酐氯化物，在室溫（25℃）下攪拌1小時。向反應溶液中添加72.6 g的三乙胺，在室溫（25℃）下攪拌1小時後，在180℃下攪拌6小時。將所獲得的反應液投入至水中而分離聚合物。將其乾燥後，溶解於NMP並投入至水中，再次分離聚合物。將所分離的聚合物減壓乾燥，從而獲得經精製的粉末狀的聚醚醯胺醯亞胺。將其設為聚醚醯胺醯亞胺B。
（接著層形成用的清漆的製作）
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺B及2.2 g的3-胺基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM903）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆2A。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺B及2.2 g的N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM602）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆2B。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺B溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆2C。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺B及0.66 g的3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（東麗道康寧（Toray Dow-corning）矽酮股份有限公司製造，商品名：SH6040）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆2D。
製造例3
（樹脂的合成）
於具備攪拌機、溫度計、氮氣導入管及冷卻管的5000 ml的四口燒瓶中，在氮氣環境下，加入253.3 g（0.81莫耳）的1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯與8.7 g（0.035莫耳）的1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷，將其溶解於1500 g的NMP中。進而，將該溶液冷卻至0℃，並在該溫度下添加239.7 g（1.14莫耳）的偏苯三甲酸酐氯化物。在室溫下持續攪拌1小時後，升溫至180℃並反應5小時，藉此完成醯亞胺化。將反應液投入至甲醇中而分離聚合物。將其乾燥後，溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮並投入至甲醇中，再次分離聚合物。將所分離的聚合物減壓乾燥，從而獲得經精製的粉末狀的聚醚醯胺醯亞胺。將其設為聚醚醯胺醯亞胺C。
（接著層形成用的清漆的製作）
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺C及6.6 g的3-脲基丙基三乙氧基矽烷（50%甲醇溶液）（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBE585）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆3A。
將22 g的聚醚醯胺醯亞胺C及2.2 g的3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（東麗道康寧（Toray Dow-corning）矽酮股份有限公司製造，商品名：SH6040）溶解於78 g的NMP中，從而製作接著層形成用的清漆3B。
＜非接著層形成用的清漆的製作＞
製造例4
於安裝有溫度計、攪拌機、氮氣導入管及分餾塔的5升的四口燒瓶中，在氮氣環境下，加入172.4 g（0.42莫耳）的2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、153.7 g（0.42莫耳）的4,4'-亞甲基雙(2,6-二異丙基苯胺)，並將其溶解於1550 g的NMP中。進而，將該溶液冷卻至0℃，並在該溫度下添加174.7 g（0.83莫耳）的偏苯三甲酸酐氯化物。偏苯三甲酸酐氯化物溶解後，添加130 g的三乙胺。在室溫（25℃）下持續攪拌2小時後，升溫至180℃並反應5小時，藉此完成醯亞胺化。將反應液投入至水中而分離聚合物。將其乾燥後，溶解於NMP並投入至水中，再次分離聚合物。將所分離的聚合物減壓乾燥，從而獲得經精製的粉末狀的聚醯胺醯亞胺。
將120 g的該聚醯胺醯亞胺粉末及6 g的矽烷偶合劑（東麗道康寧（Toray Dow-corning）矽酮股份有限公司製造，商品名：SH6040）溶解於360 g的NMP中，從而獲得接著層形成用的清漆4。
（暫時保護膜的製作及評價）
實施例1
將厚度50 μm的對表面實施了化學處理的聚醯亞胺膜（宇部興產股份有限公司製造的尤皮萊克斯（UPILEX）SGA）用作支撐膜。於該聚醯亞胺膜的單面上以30 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆2A。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘及在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度6 μm的接著層，從而獲得實施例1的暫時保護膜。
關於實施例1的暫時保護膜，接著層的玻璃轉移溫度為155℃，接著層的5%重量減少溫度為421℃，接著層在200℃下的彈性係數為8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.12。
將實施例1的暫時保護膜在溫度230℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於銅引線框架（50 mm×200 mm，AgCu）後，對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為50 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。實施例1的暫時保護膜的捲曲稍大，但貼附時的作業性良好。繼而，對實施例1的暫時保護膜的翹曲進行測定。圖6是表示翹曲的評價方法的示意圖。如圖6所示，將於引線框架11貼附有暫時保護膜10的帶暫時保護膜的引線框架載置於台200上，對該帶暫時保護膜的引線框架的長邊方向的翹曲（X）進行測定。對實施例1的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為1.0 mm。
使用貼附有實施例1的暫時保護膜的引線框架來進行半導體元件的接著、打線接合及密封層的形成。圖4表示所獲得的封裝（帶暫時保護膜的密封成形體）的示意圖。半導體元件的接著中使用銀糊劑，在180℃下加熱60分鐘而使銀糊劑硬化。繼而，假定回焊連接，在最大溫度400℃下加熱2分鐘。使用金線作為金屬線，在230℃下加熱10分鐘來進行打線接合。形成密封層的密封步驟中，使用GE-300（日立化成股份有限公司製造）作為密封材，以溫度180℃、壓力7 MPa、時間3分鐘進行，其後，在180℃下進行5小時的加熱，使密封材硬化。任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為390 N/m。此時，接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。所獲得的封裝為多個圖5的封裝相連而成的結構者。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例2
將厚度25 μm的對表面實施了化學處理的聚醯亞胺膜（宇部興產股份有限公司製造的尤皮萊克斯（UPILEX）SGA）用作支撐膜。於該聚醯亞胺膜的單面上以15 μm的厚度塗佈樹脂清漆1A。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘及在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度3 μm的接著層，從而製作實施例2的暫時保護膜。
關於實施例2的暫時保護膜，接著層的玻璃轉移溫度為230℃，接著層的5%重量減少溫度為443℃，接著層在200℃下的彈性係數為1500 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.12。
將實施例2的暫時保護膜在溫度250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於銅引線框架（50 mm×200 mm，AgCu），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為20 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。實施例2的暫時保護膜的捲曲稍大，但貼附時的作業性良好。與實施例1同樣地對實施例2的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.8 mm。
使用貼附有實施例2的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4所示的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架及密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為290 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。所獲得的封裝為多個圖5的封裝相連而成的結構者。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例3
作為支撐膜，使用厚度25 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以25 μm的厚度塗佈接著劑形成用的清漆3A。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘及在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度5 μm的接著層，從而獲得實施例3的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為146℃，5%重量減少溫度為410℃，接著層在200℃下的彈性係數為3.8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.2。
將實施例3的暫時保護膜在溫度170℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為110 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。實施例3的暫時保護膜的捲曲稍大，但貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對實施例3的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.9 mm。
使用貼附有實施例3的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4所示的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為370 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。所獲得的封裝為多個圖5的封裝相連而成的結構者。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例4
作為支撐膜，使用厚度50 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以50 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆1B。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度8 μm的接著層，從而獲得兩層結構的暫時保護膜。
接著層的玻璃轉移溫度為230℃，5%重量減少溫度為421℃，200℃下的彈性係數為1500 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.16。
於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上以50 μm的厚度塗佈製造例4中所製作的非接著層形成用的清漆4。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，從而於支撐膜的單面上形成厚度8 μm的非接著層。該非接著層的玻璃轉移溫度為253℃，5%重量減少溫度為416℃，200℃下的彈性係數為1700 MPa。藉此，獲得如圖2般的於支撐膜的單面分別形成有接著層與非接著層的實施例4的暫時保護膜。
將實施例4的暫時保護膜在溫度250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為40 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。將實施例4的暫時保護膜的非接著層的面上在250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於黃銅製的金屬板，對25℃下的非接著層與黃銅製的金屬板的90度剝離強度進行測定，結果為0 N/m，且未產生在步驟中黏著於模具或夾具的不良情況。實施例4的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對實施例4的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.2 mm。
使用貼附有實施例4的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4所示的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜，結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為420 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例5
作為支撐膜，使用厚度25 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以15 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆2B。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度3 μm的接著層，從而獲得兩層結構的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為155℃，5%重量減少溫度為415℃，200℃下的彈性係數為8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.12。
於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上以10 μm的厚度塗佈製造例4中所製作的非接著層形成用的清漆4。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，從而於支撐膜的單面上形成厚度2 μm的非接著層。該非接著層的玻璃轉移溫度為253℃，5%重量減少溫度為416℃，200℃下的彈性係數為1700 MPa。藉此，獲得如圖2般的於支撐膜的單面上分別形成有接著層與非接著層的實施例5的暫時保護膜。
將實施例5的暫時保護膜在溫度230℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於銅引線框架（50 mm×200 mm，AgCu），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定。其結果，貼附後剝離強度為70 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。另外，將實施例5的暫時保護膜的非接著層的面上在250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於黃銅製的金屬板，對25℃下的非接著層與黃銅製的金屬板的90度剝離強度進行測定，結果為0 N/m，且未產生在步驟中黏著於模具或夾具的不良情況。另外，實施例5的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對實施例5的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.1 mm。
使用貼附有實施例5的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4所示的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜，結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為460 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例6
作為支撐膜，使用厚度25 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以10 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆3B。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度2 μm的接著層，從而獲得實施例6的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為146℃，5%重量減少溫度為409℃，200℃下的彈性係數為3.8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.08。
將實施例6的暫時保護膜在溫度170℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定。其結果為90 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。
實施例6的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對實施例6的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.3 mm。
使用貼附有實施例6的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為310 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。所獲得的封裝為多個圖5的封裝相連而成的結構者。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
實施例7
作為支撐膜，使用厚度25 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以5 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆1D。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在180℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度1 μm的接著層，從而獲得實施例7的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為230℃，5%重量減少溫度為435℃，200℃下的彈性係數為1500 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.04。
將實施例7的暫時保護膜在溫度20q℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定。其結果為100 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。
實施例7的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對實施例7的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果翹曲（X）為0.2 mm。
使用貼附有實施例7的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為430 N/m，且接著層不會附著殘留於引線框架及密封層而簡單地剝離。所獲得的封裝為多個圖5的封裝相連而成的結構者。進而，將該封裝分割而製作圖5所示的分別具有一個半導體元件的封裝，步驟中不存在問題。
比較例1
作為支撐膜，使用厚度50 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以100 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆1C。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度20 μm的接著層，從而獲得圖1的構成的比較例1的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為230℃，5%重量減少溫度為452℃，200℃下的彈性係數為1500 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.4。
繼而，於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上以95 μm的厚度塗佈製造例4中所製作的非接著層形成用的清漆4。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，從而於支撐膜的單面上形成厚度15 μm的非接著層。
該非接著層的玻璃轉移溫度為253℃，5%重量減少溫度為416℃，200℃下的彈性係數為1700 MPa。藉此，獲得如圖2般的於支撐膜的單面上分別形成有接著層與非接著層的比較例1的暫時保護膜。
將比較例1的暫時保護膜在溫度230℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為15 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。將比較例1的暫時保護膜的非接著層的面上以250℃、壓力6 MPa、時間10秒貼附於黃銅製的金屬板，對25℃下的非接著層與黃銅製的金屬板的90度剝離強度進行測定，結果為0 N/m，且未產生在步驟中黏著於模具或夾具的不良情況。
比較例1的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對比較例1的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果為0.2 mm。
使用貼附有比較例1的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，欲在180℃下自引線框架及密封層剝離暫時保護膜，結果由於接著層與引線框架及密封材的接著強度過強，因此膜發生斷裂而無法剝離。由於膜發生斷裂，因此接著層與引線框架及密封材在180℃下的90度剝離強度無法測定，斷裂時的剝離強度（密封後剝離強度）為2000 N/m。
比較例2
作為支撐膜，使用厚度25 μm的對表面實施了化學處理的聚醯亞胺膜（宇部興產股份有限公司製造的尤皮萊克斯（UPILEX）SGA）。於該聚醯亞胺膜的單面上以50 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆2C。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度10 μm的接著層，從而獲得圖1的構成的比較例2的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為155℃，5%重量減少溫度為421℃，200℃下的彈性係數為8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.4。
於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上以40 μm的厚度塗佈製造例4中所製作的非接著層形成用的清漆4。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，從而於支撐膜的單面上形成厚度7 μm的非接著層。
該非接著層的玻璃轉移溫度為253℃，5%重量減少溫度為416℃，200℃下的彈性係數為1700 MPa。藉此，獲得如圖6般的於支撐膜的單面上分別形成有接著層與非接著層的比較例2的暫時保護膜。
將比較例2的暫時保護膜在溫度210℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於銅引線框架（50 mm×200 mm，AgCu），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為150 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。
將比較例2的暫時保護膜的非接著層的面上在250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於黃銅製的金屬板，對25℃下的非接著層與黃銅製的金屬板的90度剝離強度進行測定，結果為0 N/m，且未產生在步驟中黏著於模具或夾具的不良情況。
比較例2的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對比較例2的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果為0.1 mm。
使用貼附有比較例2的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為900 N/m，且在剝離中途，膠帶發生破損。
比較例3
作為支撐膜，使用具有實施了化學處理的表面的厚度25 μm的聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）股份有限公司製造，商品名：卡普頓（Kapton）EN，20℃～200℃下的線膨脹係數為1.5×10-5 /℃，在200℃下加熱60分鐘時的加熱收縮率為0.02%）。於該聚醯亞胺膜的單面上以25 μm的厚度塗佈接著層形成用的清漆2D。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，於支撐膜的單面上形成厚度10 μm的接著層，從而獲得圖1的構成的比較例3的暫時保護膜。
關於接著層，玻璃轉移溫度為155℃，5%重量減少溫度為421℃，200℃下的彈性係數為8 MPa。接著層的厚度T2 相對於支撐膜的厚度T1 的比T2 /T1 為0.4。
於支撐膜的與設置有接著層的面相反的一側的面上以40 μm的厚度塗佈製造例4中所製作的非接著層形成用的清漆4。藉由將塗膜在100℃下加熱10分鐘、在300℃下加熱10分鐘而加以乾燥，從而於支撐膜的單面上形成厚度7 μm的非接著層。
該非接著層的玻璃轉移溫度為253℃，5%重量減少溫度為416℃，200℃下的彈性係數為1700 MPa。藉此，獲得如圖6般的於支撐膜的單面上分別形成有接著層與非接著層的比較例3的暫時保護膜。
將比較例3的暫時保護膜在溫度250℃、壓力8 MPa、時間10秒的條件下貼附於被覆有鈀的銅引線框架（50 mm×200 mm，PPF），對25℃下的接著層與引線框架的90度剝離強度（貼附後剝離強度）進行測定（剝離速度：每分鐘300 mm）。其結果，貼附後剝離強度為500 N/m，且未產生在搬送時剝離的不良情況。
將比較例3的暫時保護膜的非接著層的面上在250℃、壓力6 MPa、時間10秒的條件下貼附於黃銅製的金屬板，對25℃下的非接著層與黃銅製的金屬板的90度剝離強度進行測定，結果為0 N/m，且未產生在步驟中黏著於模具或夾具的不良情況。
比較例3的暫時保護膜基本無捲曲，且貼附時的作業性良好。繼而，與實施例1同樣地對比較例3的暫時保護膜所引起的翹曲（X）進行測定，結果為0.1 mm。
使用貼附有比較例3的暫時保護膜的引線框架，與實施例1同樣地進行半導體元件的接著、假定回焊連接的加熱、打線接合及密封層的形成，製作圖4的封裝，任一步驟均未產生問題。密封成形後，在180℃下自引線框架與密封層剝離暫時保護膜（剝離速度：每分鐘300 mm），結果90度剝離強度（密封後剝離強度）為800 N/m，且在剝離中途，膠帶發生破損。
實施例1～實施例6的暫時保護膜在180℃下可容易自引線框架及密封層剝離。示出：藉由使用實施例1～實施例6的暫時保護膜，可以高的作業性與生產性製造半導體封裝。實施例1～實施例6的暫時保護膜在25℃下與引線框架的密接性高，而且即便通過最大溫度400℃的回焊連接的步驟並進行樹脂密封後，在180℃下亦容易自引線框架及密封層剝離，因此可以高的作業性與生產性製造半導體封裝。相對於此，利用密封材將貼附有暫時保護膜的引線框架密封後的接著層與引線框架及密封材在180℃下的90度剝離強度超過600 N/m的比較例1、比較例2及比較例3的暫時保護膜中，接著層與引線框架及密封材的接著強度過強，因此膜發生斷裂而無法剝離。
[表1]


[表2]
1‧‧‧支撐膜
2‧‧‧接著層
3‧‧‧非接著層
10、10'‧‧‧暫時保護膜
11‧‧‧引線框架
11a‧‧‧晶片座
11b‧‧‧內引線
12‧‧‧金屬線
13‧‧‧密封層
14‧‧‧半導體元件
20‧‧‧密封成形體
30‧‧‧捲盤體
31‧‧‧卷芯
32‧‧‧側板
40‧‧‧包裝袋
50‧‧‧包裝體
60‧‧‧捆包箱
70‧‧‧捆包物
100‧‧‧半導體裝置
200‧‧‧台
圖1是表示暫時保護膜的一實施形態的剖面圖。
圖2是表示暫時保護膜的一實施形態的剖面圖。
圖3是對半導體裝置的製造方法的一實施形態進行說明的剖面圖。
圖4是對半導體裝置的製造方法的一實施形態進行說明的剖面圖。
圖5是表示半導體裝置的一實施形態的剖面圖。
圖6是表示帶暫時保護膜的引線框架的翹曲的測定點的圖。
圖7是表示捲盤體的一實施形態的立體圖。
圖8是表示包裝體的一實施形態的前視圖。
圖9是表示捆包物的一實施形態的前視圖。

Claims (22)

  1. 一種半導體密封成形用暫時保護膜，在形成將搭載於引線框架的半導體元件密封的密封層的密封成形期間，用於對所述引線框架進行暫時保護，所述半導體密封成形用暫時保護膜包括： 支撐膜；以及 接著層，設置於所述支撐膜的單面或兩面上，且含有樹脂；並且 將所述暫時保護膜以所述接著層與所述引線框架相接的方式貼附於所述引線框架時，所述接著層與所述引線框架之間的90度剝離強度在25℃下為5 N/m以上，所述引線框架具有晶片座及內引線， 將所述暫時保護膜以所述接著層與所述引線框架相接的方式貼附於所述引線框架，於所述晶片座的與所述暫時保護膜為相反側的面上搭載半導體元件，繼而，將所述半導體元件、所述引線框架及所述暫時保護膜加熱後，形成與所述接著層相接且同時將所述半導體元件密封的密封層，此時，所述接著層與所述引線框架及所述密封層之間的90度剝離強度在180℃下為600 N/m以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述接著層進而含有矽烷偶合劑， 相對於所述樹脂總量，所述矽烷偶合劑的含量為超過5質量%且35質量%以下。
  3. 一種半導體密封成形用暫時保護膜，在形成將搭載於引線框架的半導體元件密封的密封層的密封成形期間，用於對所述引線框架進行暫時保護，且所述半導體密封成形用暫時保護膜包括： 支撐膜；以及 接著層，設置於所述支撐膜的單面或兩面上，且含有樹脂與矽烷偶合劑；並且 相對於所述樹脂總量，所述矽烷偶合劑的含量為超過5質量%且35質量%以下。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述矽烷偶合劑是由下述式（I）表示： 式中，R1 、R2 及R3 分別獨立地表示碳數1～3的烷氧基、碳數1～6的烷基或碳數6～12的芳基，X是由下述式（IIa）、式（IIb）、式（IIc）、式（IId）或式（IIe）表示： 該些式中，R4 、R5 及R6 分別獨立地表示碳數1～6的烷基、碳數6～12的芳基或氫原子，*表示與碳原子的鍵結部位。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述接著層的玻璃轉移溫度為100℃～300℃。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述樹脂為具有醯胺基、酯基、醯亞胺基、醚基或碸基的熱塑性樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述接著層在200℃下的彈性係數為1 MPa以上。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述接著層的厚度相對於所述支撐膜的厚度的比為0.5以下。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述接著層的厚度為1 μm～20 μm。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述支撐膜為選自由芳香族聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚碸、芳香族聚醚碸、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二酯所組成的群組中的聚合物的膜。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述支撐膜的玻璃轉移溫度為200℃以上。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述支撐膜的厚度為5 μm～100 μm。
  13. 如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述支撐膜在20℃～200℃下的線膨脹係數為3.0×10-5 以下。
  14. 如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中所述支撐膜在200℃下加熱60分鐘時的收縮率為0.15%以下。
  15. 如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，其中於所述支撐膜的單面上設置有所述接著層， 所述暫時保護膜進而包括非接著層，所述非接著層設置於所述支撐膜的與設置有所述接著層的面為相反側的面上。
  16. 一種捲盤體，其包括：卷芯；以及如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，捲繞於所述卷芯。
  17. 一種包裝體，其包括：如申請專利範圍第16項所述的捲盤體；以及包裝袋，收納所述捲盤體。
  18. 一種捆包物，其包括：如申請專利範圍第17項所述的包裝體；以及捆包箱，收納所述包裝體。
  19. 一種帶暫時保護膜的引線框架，其包括： 引線框架，具有晶片座及內引線；以及 如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜；並且 所述暫時保護膜以其接著層與所述引線框架的單面相接的方式貼附於所述引線框架。
  20. 一種帶暫時保護膜的密封成形體，其包括： 引線框架，具有晶片座及內引線； 半導體元件，搭載於所述晶片座； 金屬線，將所述半導體元件與所述內引線連接； 密封層，將所述半導體元件及所述金屬線密封；以及 如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜；並且 所述暫時保護膜的接著層貼附於所述引線框架的與搭載有所述半導體元件的面為相反側的面。
  21. 一種半導體裝置的製造方法，其依序包括： 將如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的半導體密封成形用暫時保護膜，於其接著層與引線框架相接的方向上貼附於所述引線框架的單面的步驟，所述引線框架具有晶片座及內引線； 將半導體元件搭載於所述晶片座的與所述暫時保護膜為相反側的面上的步驟； 設置金屬線的步驟，所述金屬線將所述半導體元件與所述內引線連接； 形成將所述半導體元件及所述金屬線密封的密封層，從而獲得具有所述引線框架、所述半導體元件及所述密封層的密封成形體的步驟；以及 自所述密封成形體剝離所述暫時保護膜的步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的方法，其中所述引線框架具有多個所述晶片座，於多個所述晶片座上分別搭載有所述半導體元件， 所述半導體裝置的製造方法進而包括如下步驟：在將所述暫時保護膜自所述密封成形體剝離之前或之後，將所述密封成形體分割而獲得具有一個所述晶片座及所述半導體元件的半導體裝置。
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