KR101941288B1 - 고체 촬상 장치 - Google Patents

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도시아끼 이와후찌
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Abstract

고체 촬상 장치는 기판과 고체 활상 소자를 포함한다. 기판은 개구부를 포함한다. 고체 촬상 소자는 개구부의 주위의 기판의 하면에 플립칩으로서 실장되어, 상기 기판의 상면에 배치되는 렌즈에 의해 수취되며 상기 개구부로부터 입사되는 광을 수신하여 광전 변환한다. 기판의 개구부의 주위의 두께는 기판의 다른 부분의 두께보다 얇다.

Description

고체 촬상 장치{SOLID-STATE IMAGE PICKUP APPARATUS}
본 발명은 고체 촬상 장치에 관한 것으로, 특히, 플레어(flare)나 고스트(ghost)의 발생을 억제할 수 있는 고체 촬상 장치에 관한 것이다.
최근, 고체 촬상 장치의 이미지 센서에서, 다른 반도체 칩과 같이 진전된 프로세스가 도입됨으로써, 칩 축소가 진행되는 경향이 있다. 따라서, 예를 들어, 이미지 센서와 기판이 와이어 본딩에 의해 접속되는 고체 촬상 장치를 설계할 경우, 이미지 센서에서 본딩 패드를 렌즈의 유효 직경내에 배치하는 것이 고려되고 있다.
그러나, 이러한 경우, 렌즈로부터 입사한 광이 본딩 패드에 접속된 와이어(금선) 표면에 의해 반사되어 이미지 센서상의 수광면에 입사하는 것에 의해, 플레어나 고스트가 발생할 우려가 있었다.
이에 대하여, 렌즈로부터의 광 중에서, 이미지 센서상에 배치되어 있는 본딩 패드 근방에 입사되는 광을 차광하는 차광 부재를 포함하는 고체 촬상 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2006-222249호 참조).
이러한 구성을 통해, 렌즈로부터 입사한 광이 본딩 패드에 접속되어 있는 금선 표면에 의해 반사되어, 이미지 센서상의 수광면에 입사하는 반사광에 의한 플레어나 고스트를 억제할 수 있다.
그런데, 최근, 박형화를 목적으로 한 플립칩 구조의 고체 촬상 장치가 알려져 있다.
도 1은 종래의 플립칩 구조의 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 1의 고체 촬상 장치에서, CMOS 이미지 센서(10)(이하, 단순히, 이미지 센서(10)라고 칭함)는 개구부를 갖는 기판(11)에, 범프(12)를 통해서 전기적으로 접속되어 있다. 범프(12)에 의한 이미지 센서(10)와 기판(11)간의 접속 부분은 에폭시 수지 등으로 이루어지는 언더필(UF)(13)에 의해 밀봉되어 있다. 또한, 기판(11)의 개구부에는, 이미지 센서(10)의 수광면(10a)의 상부를 보호하기 위한 시일 부재(14)가 UV 경화형의 접착 부재에 의해 접착되어 있다. 또한, 이 접착 부재는 열 경화형일 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 시일 부재(14)는 광을 투과하는 투명한 재료로 형성되며, 도면에는 진한 화살표로 표시된 렌즈(미도시됨)로부터의 입사광이 시일 부재(14)을 통하여, 이미지 센서(10)의 수광면(10a)에 입사된다.
도 1에 도시되는 플립칩 구조의 고체 촬상 장치에서는, 수광면(10a)과 기판(11)의 개구부의 엣지면은 비교적 가까운 위치에 있다. 따라서, 시일 부재(14)를 통해서 입사되는 입사광 중에서 기판(11)의 개구부의 엣지면에 의해 반사된 반사광은 수광면(10a)에 입사되어, 플레어나 고스트의 발생을 발생시킬 우려가 있다.
수광면(10a)과 기판(11)의 개구부의 엣지면을, 반사광이 수광면(10a)에 입사하지 않도록 위치 조정함으로써, 이미지 센서(10)의 칩 사이즈는 커지게 된다.
본 발명은 이러한 상황에 감안하여 이루어진 것으로, 플레어나 고스트의 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 개구부를 포함하는 기판; 및 상기 개구부의 주위의 상기 기판의 하면에 플립칩으로서 실장되어, 상기 기판의 상면에 배치되는 렌즈에 의해 수취되며 상기 개구부로부터 입사되는 광을 수신하여 광전 변환하는 고체 촬상 소자를 포함하고, 상기 기판의 상기 개구부의 주위의 두께는 상기 기판의 다른 부분의 두께보다 얇은 고체 촬상 장치를 제공한다.
상기 기판의 상기 개구부의 주위는 단층 구조를 가지고, 상기 기판의 다른 부분은 다층 구조를 갖는다.
상기 기판의 상기 개구부에는 상기 고체 촬상 소자의 수광면을 보호하기 위한 시일 부재가 수지에 의해 고정되어 있고, 상기 수지는 흑색 카본 충전제 및 안료 중 하나와 혼합될 수 있다.
고체 촬상 장치는 상기 렌즈측의 상기 시일 부재의 표면과 상기 고체 촬상 소자측의 표면 중 하나에 제공되고, 상기 렌즈로부터 상기 고체 촬상 소자에 입사하는 광의 일부를 차광하는 차광 부재를 더 포함할 수 있으며, 상기 렌즈의 광축 방향에 대한 상기 차광 부재의 엣지면의 각도는 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광의 입사각보다 클 수도 있다.
상기 렌즈의 광축 방향에 대한 상기 차광 부재의 엣지면의 각도는 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광 중에서, 입사각이 가장 큰 광의 입사각보다 클 수도 있다.
상기 개구부의 엣지면은 상기 차광 부재의 엣지면의 가상 연장면과 교차하지 않는다.
본 발명의 실시 형태에서, 고체 촬상 장치는 개구부를 포함하는 기판; 및 상기 개구부의 주위의 상기 기판의 하면에 플립칩으로서 실장되어, 상기 기판의 상면에 배치되는 렌즈에 의해 수취되며 상기 개구부로부터 입사되는 광을 수신하여 광전 변환하는 고체 촬상 소자를 포함하고, 상기 기판의 상기 개구부의 주위의 두께는 상기 기판의 다른 부분의 두께보다 얇다.
본 발명의 이들 및 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부된 도면에 도시된 바와 같이, 최적의 실시예의 다음 상세 설명의 관점에서 보다 명확하게 될 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 플레어 및 고스트의 발생이 억제될 수 있다.
도 1은 종래의 플립칩 구조의 고체 촬상 장치의 구성예를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명을 적용한 플립칩 구조의 고체 촬상 장치의 구성예를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치에서의 기판의 개구부에서의 반사를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 또 다른 구성예를 도시하는 도면.
도 6은 차광 부재의 위치 및 수광면의 단부와 기판의 개구부의 엣지면간의 거리에 대해서 설명하기 위한 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
[고체 촬상 장치의 구성예]
도 2는 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 일 실시 형태의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2의 고체 촬상 장치는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서(30), 기판(31), 범프(32), 언더필(UF)(33), 시일 부재(34) 및 보강 수지(35)로 구성된다.
CMOS 이미지 센서(30)(이하, 단순히, 이미지 센서(30)라고 칭함)는 광전 변환 소자를 포함하는 단위 화소(이하, 단순히, 화소라고 칭함)가 매트릭스 형상으로 2차원 배열되어 이루어지는 수광면(30a)을 포함하고, 수광면(30a)에 입사한 광량에 대응하는 전하량을 물리량으로서 화소 단위로 검출한다.
기판(31)은 예를 들어, 리지드 플렉시블 기판(rigid flexible substrate)으로서 구성되고, 개구부를 포함한다. 개구부 주위의 하면에는, CMOS 이미지 센서(30)가 플립칩으로서 실장되어 있고, 기판(31)은 범프(32)를 통하여 CMOS 이미지 센서(30)에 전기적으로 접속되어 있다. 기판(31)의 상면에는 렌즈(미도시됨)가 배치되어 있고, 렌즈에 의해 수취된 광은 기판(31)의 개구부로부터 이미지 센서(30)의 수광면(30a)에 입사된다.
기판(31)에서, 개구부 주위의 두께는 기판(31)의 다른 부분의 두께보다 얇게 형성되어 있다. 구체적으로는, 기판(31)의 개구부 주위의 단면은 도 3에 도시된 바와 같이, L자형으로 형성되어 있고, 기판(31)의 개구부의 주위 부분 P는 단층(리지드층) 구조를 갖는 반면, 기판(31)의 나머지 부분은 다층(리지드층 및 플렉시블층)을 갖는다. 도 3의 기판(31)에서, 개구부의 주위 부분 P를 포함하는 층에는, 범프(32)에 접속되는 패드(전극) 및 배선이 형성되어 있다.
UF(33)은 에폭시 수지 등으로 이루어지고, 범프(32)에 의한 이미지 센서(30)와 기판(31)간의 접속 부분을 밀봉하고 있다.
시일 부재(34)는 글래스나 수지 필름과 같은 광을 투과하는 투명한 재료로 형성되고, 이미지 센서(30)의 수광면(30a)의 상부를 보호하기 위한 시일 부재로서의 역할을 담당한다. 시일 부재(34)의 상면 또는 하면에는, 적외선 흡수 재료를 포함하는 광학 필터로서의 IRCF(Infrared Ray Cut Filter)가 부착될 수도 있다. 또한, 시일 부재(34) 자체가 글래스, 수지 필름 등으로 형성되는 IRCF일 수도 있으며 시일 부재로서의 기능과 적외선을 흡수하는 기능을 갖는다. 시일 부재(34)는 흑색의 카본 충전제나 안료 등이 혼합된 UV 경화형 보강 수지(35)에 의해, 기판(31)의 개구부의 단층 기판에 고정되어 있다. 보강 수지(35)가 열 경화형 수지일 수도 있다는 것에 유의하여야 한다.
상술한 구성에 따르면, 기판(31)의 개구부의 주변의 두께가 얇게 형성되기 때문에, 기판(31)의 개구부의 엣지면에서의 입사광의 반사는 저감될 수 있어, 기판(31)의 개구부의 엣지면으로부터의 반사광에 의한 플레어나 고스트의 발생을 억제할 수 있게 된다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 진한 화살표로 표시된 렌즈(미도시됨)로부터의 입사광의 일부는 보강 수지(35)에 의해 반사되지만, 기판(31)의 개구부의 주위의 단면, 보강 수지(35)의 형상, 보강 수지(35)와 혼합된 흑색 카본 충전제나 안료 등에 의해, 수광면(30a)에 입사하는 반사광은 저감되게 된다.
따라서, 수광면(30a)은 기판(31)의 개구부의 엣지면의 가까운 위치에 배치할 수 있고, 기판(31)의 개구부의 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 이미지 센서(30)의 칩 사이즈를 작게 할 수도 있다. 그 결과, 칩 당 비용을 저감 할 수 있다.
또한, 이미지 센서(30)에서, 수광면(30a)은 기판(31)의 개구부의 엣지면의 가까운 위치에 배치할 수 있기 때문에, 이미지 센서(30)의 주변 회로의 규모도 작게 할 수 있고, 반도체 칩의 프로세스 세대를 진전시킬 수 있다. 그 결과, 소비 전력의 저감이나, 동작 속도의 향상에 상응하는 이미지 센서를 제공할 수 있다.
또한, 이미지 센서(30)의 칩 사이즈를 작게 할 수 있기 때문에, 이미지 센서(30)를 구비하는 카메라 모듈의 사이즈도 작게 할 수 있으며, 본 발명은 특히 소형화의 요구가 있는 카메라가 부착된 휴대 전화기 등에 적용할 수 있다.
[고체 촬상 장치의 다른 구성예]
도 4는 본 발명을 적용한 플립칩 구조의 고체 촬상 장치의 다른 구성을 도시하는 도면이다. 도 4의 고체 촬상 장치에서, 도 2의 고체 촬상 장치와 대응하는 부분에 대해서는, 동일한 부호가 부여된다.
도 4에서, 차광 부재(41)는 소정의 두께를 갖는 흑색이 착색된 필름으로 구성되고, 렌즈(미도시됨)로부터 이미지 센서(30)의 수광면(30a)에 입사하는 입사광을 통과시키는 개구부를 포함한다. 차광 부재(41)는 렌즈와 이미지 센서(30)간의 광로상에 배치되고, 시일 부재(34)의 렌즈측에 부착된다.
렌즈로부터의 입사광의 대부분은, 차광 부재(41)의 개구부로부터 이미지 센서(30)의 수광면(30a)에 입사되지만, 렌즈로부터의 입사광 중의 보강 수지(35) 및 기판(31)의 개구부의 엣지면에 입사되는 입사광은 차광 부재(41)에 의해 차광된다.
또한, 도 4에서, 이미지 센서(30)의 수광면(30a)에 입사하는 입사광 중에서, 가장 입사각이 큰 입사광이 차광 부재(41)의 개구부의 엣지부를 통과하도록, 차광 부재(41)의 엣지면과 렌즈의 광축 방향간에 각도를 형성함으로서, 차광 부재(41)의 개구부의 엣지면에 의해 입사광이 반사되지 않는다. 즉, 차광 부재(41)의 엣지면과 렌즈의 광축간에 형성된 각도(이하, 엣지면 각도라고 칭함)는 차광 부재(41)의 개구부의 엣지부에 입사하는 입사광의 입사각보다 크다. 또한, 차광 부재(41)의 개구부의 엣지면의 엣지면 각도는 차광 부재(41)로서의 필름을 성형함으로써 형성될 수 있다는 것에 유의하여야 한다.
또한, 차광 부재(41)의 폭(도면에서 횡방향의 길이)은 기판(31)의 개구부의 엣지면이 차광 부재(41)의 개구부의 엣지면의 가상 연장면과 교차하지 않도록 설정된다. 즉, 차광 부재(41)의 개구부의 엣지부를 통과한 입사광은 기판(31)의 개구부의 엣지면에 의해 반사되지 않는다.
상술한 구성에 따르면, 보강 수지(35) 및 기판(31)의 개구부의 엣지면에 의해 입사광이 반사되지 않고, 또한 차광 부재(41)의 개구부의 엣지면에 의해 입사광이 반사되지도 않는다. 따라서, 보강 수지(35), 기판(31)의 개구부의 엣지면, 및 차광 부재(41)의 개구부의 엣지면으로부터의 반사광에 의한 플레어나 고스트의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 수광면(30a)에 입사하는 반사광량이 한층 더 저감되기 때문에, 수광면(30a)과 기판(31)의 개구부의 엣지면은 서로 더 근접하게 위치할 수 있으며, 그에 따라, 기판(31)의 개구부의 면적은 더욱 줄일 수 있다. 따라서, 이미지 센서(30)의 칩 사이즈는 더욱 작게 할 수 있다.
상술한 설명에서는, 차광 부재(41)가 시일 부재(34)의 렌즈측 표면에 부착되도록 하였지만, 시일 부재(34)의 렌즈측 표면과는 반대측 면(이미지 센서(30)측의 표면)에 부착할 수도 있다.
[고체 촬상 장치의 다른 구성예]
도 5는 본 발명을 적용한 플립칩 구조의 고체 촬상 장치의 다른 구성을 도시하는 도면이다. 도 5의 고체 촬상 장치에서, 도 4의 고체 촬상 장치와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여한다는 것에 유의하여야 한다.
구체적으로, 도 5의 고체 촬상 장치에서, 차광 부재(51)는 시일 부재(34)의 이미지 센서(30)측의 표면에 부착되어 있다.
도 4의 고체 촬상 장치에서는, 차광 부재는 흑색이 착색된 필름으로 형성되어 있었지만, 도 5의 고체 촬상 장치에서는, 차광 부재(51)는 시일 부재(34)에 인쇄 재료를 인쇄함으로써 형성될 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 인쇄 재료로는, 예를 들어, 카본 충전제나 안료 등에 의해 흑색화된 에폭시 수지, 아크릴 수지 및 에폭시-아크릴 수지 등이 있으며, 인쇄 재료는 UV 경화성이나 열변화성을 포함한다. 대안적으로, 인쇄 재료는 상온 경화성을 갖는 수지일 수도 있다. 이러한 인쇄 재료의 인쇄 방식으로서는, 스크린 인쇄 방식이나 잉크제트 인쇄 방식이 적용된다.
차광 부재(51)가 액체 형상의 인쇄 재료일 경우, 차광 부재(51)의 엣지면 각도는 시일 부재(34)의 습윤성에 기초하여 결정되는 인쇄 재료의 접촉각으로서 얻어진다는 것에 유의하여야 한다. 엣지면 각도는 복수회 인쇄된 인쇄 재료의 중첩 정도에 기초하여 구해질 수도 있다는 것에 유의하여야 한다.
대안적으로, 차광 부재(51)는 시일 부재(34)에 박막을 적층함으로써 형성될 수도 있다. 이 경우, 적층된 박막에 대하여 개구부를 패터닝할 때, 사이드 에칭을 수행함으로써 차광 부재(51)가 형성된다.
이상의 구성에 따르면, 보강 수지(35) 및 기판(31)의 개구부의 엣지면에 의해 입사광이 반사되지 않고, 또한 차광 부재(51)의 개구부의 엣지면에 의해 입사광이 반사되지도 않는다. 따라서, 보강 수지(35), 기판(31)의 개구부의 엣지면 및 차광 부재(51)의 개구부의 엣지면으로부터의 반사광에 의한 플레어나 고스트의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 수광면(30a)에 입사하는 반사광은 한층 더 저감될 수 있기 때문에, 수광면(30a)와 기판(31)의 개구부의 엣지면은 서로 근접하여 위치될 수 있고, 그에 따라, 기판(31)의 개구부의 면적은 더욱 감소시킬 수 있다. 따라서, 이미지 센서(30)의 칩 사이즈는 더욱 감소될 수 있다.
[차광 부재의 위치 및 수광면의 단부와 기판의 개구부의 엣지면간의 거리]
여기에서, 도 6을 참조하면, 이미지 센서에 관한 차광 부재의 위치 및 수광면의 단부와 기판의 개구부의 엣지면간의 거리에 대해서 설명한다. 이하에서는, 도 1의 고체 촬상 장치의 시일 부재(14)의 이미지 센서(10)측의 표면에 차광 부재가 부착되었을 경우의, 이미지 센서에 대한 차광 부재의 위치 및 수광면의 단부와 기판의 개구부의 엣지면간의 거리에 대해서 설명될 것이라는 것에 유의하여야 한다.
이미지 센서(10)에 대한 차광 부재(61)의 위치는 소정의 변동을 포함하고 있지만, 그 변동은, 어느 일정한 범위내에서 억제된다. 도 6에 도시된 곡선은 차광 부재(61)의 엣지부(엣지면)의 위치의 변동을 도시한 분포 곡선이다. 구체적으로, 도 6의 분포 곡선이 피크가 되는 위치는 설계상의 차광 부재(61)의 엣지면의 위치를 나타내고, 실제의 차광 부재(61)의 엣지면의 위치는 설계상의 위치로부터 최대 오차 σ를 포함한다.
이미지 센서(10)의 수광면(10a)에 대하여, 렌즈로부터의 주광선이 소정 입사각(CRA: Chief Ray Angle)에서 입사될 경우, 그 주광선(chief ray)에 대응하는 상광선(upper ray) 및 하광선(lower ray) 또한 각각의 입사각에서 입사된다.
도 6에서는, 수광면(10a)의 단부에 입사되며 주광선에 대응하는 상광선은 차광 부재(61)에 의해 차광되지 않으며, 수광면(10a)에는, 주광선과, 그 주 광선에 대응하는 상광선 및 하광선이 빠짐없이 입사된다.
또한, 도 6에 있어서는, 차광 부재(61)에 의해 차광되지 않고 통과한 하광선이 기판(11)의 개구부의 엣지면에 의해 반사해도, 수광면(10a)의 단부에 입사되지 않는다.
즉, 이미지 센서(10)에 대한 차광 부재(61)의 위치는 차광 부재(61)의 개구부의 엣지부에서, 수광면(10a)에 주광선과 그 주광선에 대응하는 상광선 및 하광선이 빠짐없이 입사되고, 하광선의 반사광이 수광면(10a)에 입사되지 않는 위치가 된다.
여기에서, 차광 부재(61)의 개구부의 엣지부와 수광면(10a)의 단부간 거리를 D라고 하고 차광 부재(61)의 개구부의 엣지부와 하광선의 반사광이 이미지 센서(10)에 입사하는 위치간의 거리를 D'라고 했을 경우, 이하의 수학식 １을 만족하는 한, 하광선의 반사광은 수광면(10a)에 입사되지 않는다.
Figure 112012055267732-pat00001
여기서, 시일 부재(14)와 이미지 센서(10)의 표면간의 거리(갭 길이)를 G라고 하고, 하광선의 입사각을 θL이라고 하고, 시일 부재(14)와 하광선의 기판(11)의 개구부의 엣지면에서의 반사 위치간의 거리를 X라고 하면, D'는 이하의 수학식 2로 표현된다.
Figure 112012055267732-pat00002
또한, 차광 부재(61)의 엣지면에서의 설계상의 위치로부터 최대 오차 σ에 대응하는 양만큼 개구부 중심측으로 어긋난 위치와, 수광면(10a)의 단부에 수직한 위치간의 거리를 L이라고 하면, 이하의 수학식 3이 성립한다.
Figure 112012055267732-pat00003
따라서, 거리 X는 이하의 수학식 4로 표현된다.
Figure 112012055267732-pat00004
수학식 4로 표현된 거리 X를 수학식 2에 대입하면, 수학식 １은 이하의 수학식 5로 표현될 수 있다.
Figure 112012055267732-pat00005
여기에서, 상광선의 입사각을 θU라고 하면, L=GtanθU가 성립한다. 따라서, 수학식 5는 이하의 수학식 6으로 표현될 수 있다.
Figure 112012055267732-pat00006
즉, 상술한 수학식 6을 충족시키도록 고체 촬상 장치를 설계함으로써, 차광 부재(61)에 의해 차광되지 않고 통과한 하광선은 기판(11)의 개구부의 엣지면에 의해 반사해도, 수광면(10a)의 단부에 입사되지 않기 때문에, 기판(11)의 개구부의 엣지면으로부터의 반사광에 의한 플레어나 고스트의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 수학식 6에 따르면, 갭 길이 G가 작을수록, 차광 부재(61)의 개구부의 엣지부와 수광면(10a)의 단부간의 거리 D를 작게 할 수 있다. 즉, 기판(11)의 두께를 얇게 함으로써, 차광 부재(61)의 개구부의 엣지부와 수광면(10a)의 단부간의 거리 D를 작게 할 수 있기 때문에, 기판(11)의 개구부의 면적을 더욱 작게 할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다는 것에 유의하여야 한다.
또한, 본 발명은 이하와 같은 구성을 취할 수 있다.
(1) 고체 촬상 장치는,
개구부를 포함하는 기판; 및
상기 개구부의 주위의 상기 기판의 하면에 플립칩으로서 실장되어, 상기 기판의 상면에 배치되는 렌즈에 의해 수취되며 상기 개구부로부터 입사되는 광을 수신하여 광전 변환하는 고체 촬상 소자를 포함하고,
상기 기판의 상기 개구부의 주위의 두께는 상기 기판의 다른 부분의 두께보다 얇다.
(2) (1)에 따른 고체 촬상 장치에서,
상기 기판의 상기 개구부의 주위는 단층 구조를 가지고, 상기 기판의 다른 부분은 다층 구조를 갖는다.
(3) (1) 또는 (2)에 따른 고체 촬상 장치에서,
상기 기판의 상기 개구부에는 상기 고체 촬상 소자의 수광면을 보호하기 위한 시일 부재가 수지에 의해 고정되어 있고,
상기 수지는 흑색 카본 충전제 및 안료 중 하나와 혼합된다.
(4) (3)에 따른 고체 촬상 장치는,
상기 렌즈측의 상기 시일 부재의 표면과 상기 고체 촬상 소자측의 표면 중 하나에 제공되고, 상기 렌즈로부터 상기 고체 촬상 소자에 입사하는 광의 일부를 차광하는 차광 부재를 더 포함하고,
상기 렌즈의 광축 방향에 대한 상기 차광 부재의 엣지면의 각도는 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광의 입사각보다 크다.
(5) (4)에 따른 고체 촬상 장치에서,
상기 렌즈의 광축 방향에 대한 상기 차광 부재의 엣지면의 각도는 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광 중에서, 입사각이 가장 큰 광의 입사각보다 크다.
(6) (4) 또는 (5)에 따른 고체 촬상 장치에서,
상기 개구부의 엣지면은 상기 차광 부재의 엣지면의 가상 연장면과 교차하지 않는다.
본 발명은 2011년 7월 27일자로 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 JP2011-163935호에 개시된 것에 관련된 과제를 포함하며, 그 전체 내용은 참조로서 결합된다.
본 분야의 숙련된 자라면, 첨부된 청구범위 또는 그 등가물내에 포함되는 한 다양한 변형, 조합, 하위조합 및 변경이 설계 조건 및 다른 팩터에 따라 이루어질 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (6)

  1. 고체 촬상 장치로서,
    개구부를 갖는 다층의 기판과,
    상기 기판의 상기 개구부의 주위의 하면에 플립칩 실장되며, 상기 기판의 상면에 배치되는 렌즈에 의해 수취되고, 상기 개구부로부터 입사되는 광을 수광하여, 광전 변환하는 고체 촬상 소자와,
    상기 렌즈로부터 상기 고체 촬상 소자에 입사하는 광의 일부를 차광하는 차광 부재를 구비하고,
    상기 기판은, 상기 개구부의 주위 부분만, 상기 고체 촬상 소자와 전기적으로 접속되는 전극 및 배선이 형성되어 있는 단층으로 구성되고,
    상기 차광 부재의 폭은, 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광이, 상기 기판의 상기 개구부의 엣지면에 반사되지 않도록 설계되는, 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상기 개구부에는, 상기 고체 촬상 소자의 수광면을 보호하기 위한 시일 부재가 수지에 의해 고정되고,
    상기 수지에는, 흑색의 카본 충전제 또는 안료가 혼합되는, 고체 촬상 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 차광 부재는, 상기 시일 부재의 상기 렌즈측의 면 또는 상기 고체 촬상 소자측의 면에 설치되고,
    상기 차광 부재의 엣지면의, 상기 렌즈의 광축 방향에 대하여 이루는 각도는, 상기 차광 부재의 엣지부에 입사하는 광 중에서, 입사각이 가장 큰 광의 상기 입사각보다 큰, 고체 촬상 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기판의 상기 개구부의 엣지부와 상기 고체 촬상 소자의 단부의 수평 거리 D, 상기 시일 부재와 상기 고체 촬상 소자의 갭 길이 G, 하광선(下光線)의 입사각 θL, 상광선(上光線)의 입사각 θU, 및 상기 차광 부재의 설계상의 위치로부터의 최대 오차 σ는,
    Figure 112018051393059-pat00013

    를 만족시키는, 고체 촬상 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
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