KR101818063B1 - 광전 변환장치, 촬상 시스템, 및 광전 변환장치의 구동방법 - Google Patents

광전 변환장치, 촬상 시스템, 및 광전 변환장치의 구동방법 Download PDF

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Abstract

광전 변환장치는, 유효 화소 행과, 서로 인접하게 배치된 제1 기준 화소와 제2 기준 화소로 각각 이루어진 복수의 기준 화소 쌍들을 포함하는 기준 화소 행을 포함하는 화소 영역을 구비한다. 제1 및 제2 기준 화소들은 서로 다른 신호 레벨을 갖고 입사 광량에 의존하지 않는 기준신호들을 출력한다.

Description

광전 변환장치, 촬상 시스템, 및 광전 변환장치의 구동방법{PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, IMAGE PICKUP SYSTEM, AND DRIVING METHOD OF THE PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE}
본 출원은 광전 변환장치에 관한 것으로, 특히, 기준신호를 출력하는 광전 변환장치에 관한 것이다.
촬상장치의 분야에 있어서, 보정처리 등의, 동작의 타이밍의 기준이 되는 신호를, 촬상장치 자체에서 생성하는 것이 알려져 있다. 일본국 특개평 5-308579호 공보에는, 차광 화소를 포함하는 광학적 흑 영역이 차광 화소에 의해 발생된 것과는 다른 출력 신호를 발생하는 위치 기준 화소를 포함하는 기술이 기재되어 있다. 더구나, 일본국 특개평 5-308579호 공보에는, 1개의 위치 기준 화소가 차광 화소에 의해 둘러싸인 것이 기재되어 있다.
일본국 특개평 5-308579호 공보에 기재된 고체 촬상장치에서는, 예를 들면, 고체 촬상장치의 온도, 사용 환경, 또는 축적 시간의 길이 등에 의해, 위치 기준 화소의 출력이 변화할 수도 있다. 특히, 광학적 흑 영역에 있는 한 개의 위치 기준 화소가 차광 화소에 둘러싸여 있기 때문에, 판독된 신호가 위치 기준 화소에 근거한 것인지, 결함이 있는 차광 화소의 등에 의해 발생된 특이적인 신호인지를 식별하는 것이 곤란하다. 또한, 1개의 위치 기준 화소가 차광 화소에 둘러싸여 있기 때문에, 판독된 신호로부터 행의 개시 위치를 특정하기 위해서는 번잡한 처리가 필요하게 된다.
이하에서 서술하는 기술은, 상기한 문제의 적어도 한 개를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일면에 따른 광전 변환장치는, 유효 화소 행과, 서로 인접하게 배치된 제1 기준 화소와 제2 기준 화소로 각각 이루어진 복수의 기준 화소 쌍들을 포함하는 기준 화소 행을 포함하는 화소 영역을 갖는다. 상기 제1 기준 화소는, 입사 광량에 의존하지 않는 제1 기준신호를 출력한다. 상기 제2 기준 화소는, 상기 제1 기준신호의 신호 레벨과는 다른 신호 레벨을 갖는 제2 기준신호를 출력한다. 제2 기준신호도 입사 광량에 의존하지 않는다.
본 발명의 또 다른 면에 따른 광전 변환장치의 구동방법은, 유효 화소 행과, 서로 인접하게 배치된 제1 기준 화소와 제2 기준 화소로 각각 이루어진 복수의 기준 화소 쌍들과 차광 화소를 포함하는 기준 화소 행을 포함하는 화소 영역을 갖고, 상기 제1 기준 화소는 입사 광량에 의존하지 않는 제1 기준신호를 출력하고, 상기 제2 기준 화소는 상기 제1 기준신호의 신호 레벨과는 다른 신호 레벨을 갖고 입사 광량에 의존하지 않는 제2 기준신호를 출력하는 광전 변환장치의 구동방법이다. 상기 구동방법은, 상기 차광 화소가 신호를 출력하기 전에, 상기 기준 화소 쌍들 중에서 한 개에 포함된 상기 제1 기준 화소 및 상기 제2 기준 화소 각각으로부터 신호를 출력하는 것을 포함한다.
본 발명에 따르면, 광전 변환장치의 동작의 정밀도 향상, 및 판독하고 있는 화소 행의 개시 위치의 식별 중에서 적어도 한쪽을 실현할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하여 주어지는 이하의 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 광전 변환장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2a는 제 1 실시형태에 따른 기준 화소 행의 구성을 나타낸 것이고, 도 2b는 출력부에서 출력되는 신호를 도시한 도면이다.
도 3a는 제2 실시형태에 따른 유효 화소의 구성을 나타낸 것이고, 도 3b는 제1 기준 화소의 구성을 도시한 도면이다.
도 4a는 제2실시형태에 따른 기준 화소 행의 구성을 나타낸 것이고, 도 4b는 출력부에서 출력되는 신호를 도시한 도면이다.
도 5는 제3실시형태에 따른 기준 화소의 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 제4실시형태에 따른 촬상 시스템의 구성을 도시한 도면이다.
제1실시형태
도 1은, 본 실시형태에 따른 광전 변환장치의 구성을 도시한 도면이다. 광전 변환장치(1)는 화소 영역 PA, 행 선택부(400), 판독부(500), 출력부(600), 및 수평 주사부(700)를 포함한다.
화소 영역 PA는, 유효 화소 영역(100), 차광 화소 영역(200) 및 기준 화소 영역(300)을 포함한다. 유효 화소 영역(100)은, 광전변환기를 각각 구비하고 입사광에 따라 신호를 출력하도록 구성된 복수의 유효 화소를 포함하는 유효 화소 행을 포함한다. 차광 화소 영역(200)은, 차광된 광전변환기를 각각 포함하는 복수의 차광 화소를 포함하는 차광 화소 행을 갖는다.
행 선택부(400)가 화소 영역 PA의 행을 선택하면, 선택된 행의 화소로부터, 화소신호가 출력된다. 판독부(500)는, 수평 주사부(700)와 함께, 화소 영역 PA로부터 병렬로 출력된 신호를 멀티플렉스하고 멀티플렉스된 신호를 출력부(600)로부터 출력한다. 판독부(500)는, 화소 영역 PA로부터 출력된 신호를 버퍼하는 회로와, 화소 영역 PA로부터 출력된 신호를 샘플 홀드하는 샘플 홀드 회로 등을 포함하여도 된다.
도 2a는, 기준 화소 영역(300)에 포함되는 기준 화소 행의 구성을 도시한 도면이다. 본 실시형태의 기준 화소 행은, 인접하여 배치된 제1 기준 화소(30)와 제2 기준 화소(31)로 각각 구성된 복수의 기준 화소 쌍들(33)로 이루어진다. 본 실시형태에 있어서는, 기준 화소 행의 양단에는 기준 화소 쌍(33)이 배치되어 있다. 양단에 있는 각각의 기준 화소 쌍(33)의 제1 기준 화소(30)와 제2 기준 화소(31)가 대응하는 단부로부터 이 순서로 배치되어 있다. 제1 기준 화소(30)로부터 출력되는 제1 기준신호와, 제2 기준 화소(31)로부터 출력되는 제2 기준신호는, 서로 신호 레벨이 다르다. 제1 및 제2 기준신호는, 광전 변환장치(1)에 입사하는 광량에 의존하지 않는다. 기준 화소 행은, 기준 화소 쌍(33) 뿐만 아니라, 다른 화소를 포함하여도 된다. 도 2a에는, 기준 화소 행이 기준 화소 행의 양단에서 4개의 화소의 영역을 제외한 영역에 차광 화소를 포함하는 예를 나타내고 있다.
도 2b에, 기준 화소 행의 신호가 판독될 때 출력부(600)로부터 출력되는 신호의 값의 천이를 나타낸다. 여기에서는, 도 2a의 좌측으로부터 순차적으로 신호를 판독하는 경우를 설명한다. 도 2b에 나타낸 시각 T0 내지 T4의 기간에, 출력 레벨이 V1인 제1 기준신호와, 출력 레벨이 V2인 제2 기준신호가 교대로 2회씩 출력된다. 시각 T4로부터 시각 TN-4의 기간에는, 차광 화소(200)에 근거한 신호가 출력된다. 그 후에, 시각 TN-4 내지 시각 TN의 기간에, 제2 기준신호와 제1 기준신호가 교대로 2회씩 출력된다. 도 2b에 나타낸 것과 같이, 제2 기준신호의 출력 레벨 V2은 차광 화소(200)로부터 출력되는 신호의 레벨과 실질적으로 같거나, 차광 화소(200)로부터 출력되는 신호 레벨과는 달라도 된다. 여기에서, "실질적으로 같은" 레벨이란, 신호 레벨에 차이가 있다고 하더라도, 그 차이가 무시할 수 있는 범위에 있는 것을 의미한다. "실질적으로 같은" 레벨의 범위는 광전 변환장치(1)의 용도나, 만족시켜야 할 사양에 따라 다르다.
전술한 것과 같이, 기준 화소 쌍이 복수의 기준 화소 쌍들(33)을 포함할 때, 기준 화소 행으로부터 출력된 신호 중에, 제1 기준 레벨로부터 제2 기준 레벨로의 천이 혹은 제2 기준 레벨로부터 제1 기준 레벨로의 천이가 복수회 나타난다. 이에 따라, 기준 화소에 근거한 신호인 것을 용이하게 식별할 수 있다. 특히, 복수의 기준 화소 쌍들(33)을 서로 인접해서 배치할 때, 제1 및 제2 기준신호가 교대로 나타나는 출력 패턴이 얻어진다. 따라서, 우연히 생긴 차광 화소(200)의 결함에 근거한 신호로부터, 기준 화소에 근거한 신호를 정확하게 식별할 수 있다. 기준 화소 행의 물리적인 단부에 기준 화소 대신에 예를 들면 차광 화소가 배치되더라도, 기준 화소 행을 주사하는 경우에, 최초에 기준 화소 쌍(33)을 선택함으로써, 기준 화소 행의 선두를 식별하는 것도 가능하다. 즉, 기준 화소 행에 포함된 차광 화소가 신호를 출력하기 전에, 기준 화소 쌍(33)에 포함된 제1 기준 화소 및 제2 기준 화소의 각각이 신호를 출력한다.
광전 변환장치(1)는, 화소 영역 PA의 한쪽 방향으로 주사를 행할 뿐만 아니라, 반대의 방향으로도 주사를 행할 수도 있다. 기준 화소 행의 단부, 즉, 주사 개시 위치에 기준 화소 쌍(33)을 설치함으로써, 판독하고 있는 화소 행의 개시 위치의 식별이 가능해진다. 더구나, 본 실시형태에서는, 기준 화소 행의 각각의 단부에 배치된 기준 화소 쌍(33)의 제1 및 제2 기준 화소 30 및 31이 대응하는 단부로부터 이 순서로 배치된다. 따라서, 주사의 방향이 변경될 때에도, 화소 행의 개시를 정확하게 식별할 수 있다. 특히, 화소가 선택되지 않은 경우나 1행의 판독을 끝낸 후에, 제2 기준신호의 신호 레벨과 동등한 신호 레벨을 출력부(600)가 출력하도록 구성하면, 기준 화소 행으로부터 신호를 판독하기 전에, 제2 기준신호의 신호 레벨과 동등한 신호 레벨이 항상 출력된다. 따라서, 기준 화소 행에 있어서 제1 기준 화소(30)를 최초에 선택함으로써, 화소 행의 개시를 보다 용이하게 식별할 수 있다.
도 3a는 유효 화소 영역(100)의 유효 화소(10)의 구성을 나타낸 것이다. 유효 화소(10)는, 광전변환기 PD, 트랜지스터 M1 및 M2, 및 스위치 SWs를 포함한다. 광전변환기 PD는 예를 들면 포토다이오드이다. 트랜지스터 M2은, 스위치 SWs가 도통하면, 전류원 Ic과 함께 소스 폴로워 회로로서 동작한다. 트랜지스터 M2의 제어 노드는, 광전변환기 PD 및 트랜지스터 M1의 한쪽의 주 노드와의 공통 노드에 접속된다. 따라서, 이 노드의 전위에 따른 전압이 소스 폴로워 회로의 출력 노드에 나타난다. 광전변환기 PD에서 생긴 전하에 따라, 트랜지스터 M2의 제어 노드의 전위가 변동한다. 트랜지스터 M1은 전압 VRES에 따라 트랜지스터 M2의 제어 노드 및 광전변환기 PD를 리셋한다. 전류원 Ic은, 유효 화소(10) 및 차광 화소를 포함하는 다른 화소에 대하여 공통이어도 된다. 제2 기준 화소(31)는, 유효 화소(10)와 같은 구성을 갖고 있어도 된다. 제2 기준 화소(31)의 경우에는, 적어도 신호 판독 기간중에 트랜지스터 M1을 온 상태로 유지함으로써, 트랜지스터 M2의 제어 노드의 전위를 고정하여, 입사 광량에 의존하지 않는 제2 기준신호가 출력된다.
도 3b는, 제1 기준 화소(30)의 구성을 나타낸 것이다. 제1 기준 화소(30)는, 유효 화소(10)와 유사한 구성을 갖고 있지만, 트랜지스터 M1에 공급되는 전압이 VW인 점에서 유효 화소(10)와 상위하다. 제1 및 제2 기준 화소 30 및 31은, 광전변환기 PD가 차광되도록 구성해도 되고, 광전변환기를 갖지 않아도 된다. 제1 기준 화소(30)에 있어서도, 적어도 신호 판독 기간 중에 트랜지스터 M1을 온 상태로 유지함으로써, 트랜지스터 M2의 제어 노드의 전위를 고정하여, 입사 광량에 의존하지 않는 제1 기준신호가 출력된다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 실시형태에 따른 광전 변환장치(1)는, 복수의 기준 화소 쌍들(33)을 포함하는 기준 화소 행을 갖는다. 이에 따라, 광전 변환장치(1)의 동작의 정밀도가 향상된다. 더구나, 기준 화소 행의 단부, 즉, 주사 개시 위치에 기준 화소 쌍(33)이 배치된다. 이에 따라, 판독하고 있는 화소 행의 개시 위치의 식별이 가능해진다.
제2실시형태
도 4a는, 본 발명의 제2실시형태에 따른 기준 화소 행의 구성을 도시한 도면이다. 도 2a에 나타낸 기준 화소 행과의 차이는, 도 4a에 도시된 기준 화소 행이 차광 화소(200) 대신에 온도 검출 화소 TP을 구비하는 점에 있다. 온도 검출 화소 TP은, 광전 변환장치(1)의 온도에 대응하는 신호 레벨을 갖는 신호를 출력한다.
도 4b에, 기준 화소 행의 신호가 판독되는 경우의, 출력부(600)로부터 출력되는 신호의 값의 천이를 나타낸다. 여기에서는, 도 4a의 좌측으로부터 순차적으로 신호를 판독하는 경우를 설명한다. 제1실시형태와 마찬가지로, 시각 T0 내지 T4의 기간에, 출력 레벨이 V1인 제1 기준신호와, 출력 레벨이 V2인 제2 기준신호가 교대로, 2회씩 출력된다. 시각 T4 내지 시각 TN-4의 기간에는, 온도 검출 화소 TP에 근거한 신호가 출력된다. 그후, 시각 TN-4 내지 시각 TN의 기간에, 제2 기준신호와 제1 기준신호가 교대로, 2회씩 출력된다. 제2 기준신호의 출력 레벨 V2는, 제1실시형태와 마찬가지로, 차광 화소(200)로부터 출력되는 신호의 출력 레벨과 실질적으로 같아도 된다. 온도 검출 화소 TP으로부터 출력되는 신호의 출력 레벨 V3은, 광전 변환장치(1)의 온도에 따라 변동한다.
본 실시형태의 온도 검출 화소 TP를 구비하는 것에 의해, 광전 변환장치(1)의 온도에 따른 신호의 보정을 행하는 것이 가능해진다.
본 실시형태에 있어서도, 제1실시형태와 유사한 효과를 얻을 수 있다.
제3실시형태
도 5에, 본 발명의 제3실시형태에 따른 제1 및 제 2 기준 화소 30 및 31의 구성을 나타낸다. 본 실시형태에서는, 제1 및 제2 기준 화소 30 및 31은, 동일한 회로 구성을 갖는다.
본 실시형태에 따른 기준 화소는, 제1 기준신호와 제2 기준신호 사이에서 출력을 전환할 수 있도록 구성되어 있다. 이전의 실시형태에서는, 제1 기준 화소(30) 및 제2 기준 화소(31) 각각의 트랜지스터 M2의 제어 노드는, 트랜지스터 M1을 거쳐 전압 VRES가 공급되도록 구성되어 있었다. 본 실시형태에서는, 트랜지스터 M2의 제어 노드가 트랜지스터 M3을 거쳐 전압 VW가 더 공급되도록 구성되어 있다. 트랜지스터 M1과 트랜지스터 M3은 동시에 온되지 않는다.
이와 같은 기준 화소를 사용함으로써, 기준 화소 행으로부터 출력되는 신호의 패턴을 바꿀 수 있다고 하는 이점이 있다.
본 실시형태에 있어서도, 이전의 실시형태와 유사한 효과를 얻을 수 있다.
제4실시형태
도 6은, 본 발명의 제4실시형태에 따른 촬상 시스템의 구성을 도시한 도면이다. 촬상 시스템(800)은, 예를 들면, 광학부(810), 촬상소자(890), 영상신호 처리부(830), 기록/통신부(840), 타이밍 제어부(850), 시스템 제어부(860), 및 재생/표시부(870)를 포함한다. 촬상장치(820)는, 촬상소자(890) 및 영상신호 처리부(830)를 갖는다. 촬상소자(890)로서는 전술한 실시형태의 광전 변환장치(1)가 사용된다.
렌즈 등의 광학계인 광학부(810)는, 피사체로부터의 빛을 촬상소자(890)의 복수의 화소가 2차원 형상으로 배열된 화소들을 갖는 화소 영역 PA에 결상시켜, 피사체의 상을 형성한다. 촬상소자(890)는, 타이밍 제어부(850)로부터의 신호에 근거한 타이밍에 따라, 화소 영역 PA에 결상된 빛에 대응하는 신호를 출력한다. 촬상소자(890)로부터 출력된 신호는, 영상신호 처리부(830)에 입력되고, 영상신호 처리부(830)에 의해 프로그램 등에 의해 정해진 방법에 따라서 처리된다. 영상신호 처리부(830)에서의 처리에 의해 얻어진 신호는 화상 데이터로서 기록/통신부(840)에 보내진다. 기록/통신부(840)는, 화상을 형성하기 위한 신호를 재생/표시부(870)에 보내고, 재생/표시부(870)에서 동화상을 재생하거나 정지화상을 표시시킨다. 기록/통신부(840)는, 또한, 영상신호 처리부(830)로부터의 신호에 응답하여, 시스템 제어부(860)와 통신을 행할 뿐 아니라, 기록매체(미도시)에 화상을 형성하기 위한 신호를 기록한다.
시스템 제어부(860)는, 촬상 시스템(800)의 전체적인 동작을 제어한다. 시스템 제어부(860)는, 광학부(810), 타이밍 제어부(850), 기록/통신부(840), 및 재생/표시부(870)의 구동을 제어한다. 또한, 시스템 제어부(860)는, 예를 들면 기록매체인 기억장치(미도시)를 구비하고, 여기에 촬상 시스템(800)의 동작을 제어하는데 필요한 프로그램 등이 기록된다. 시스템 제어부(860)는, 예를 들면 유저의 조작에 따라 구동 모드를 전환하는 신호를 촬상 시스템(800) 내에 공급한다. 예를 들면, 구동 모드를 전환하는 신호는, 판독할 행이나 리셋할 행의 변경, 전자 줌 조작에 따르는 화각의 변경이나, 전자 화상 안정화 조작에 따른 화각의 시프트를 위해 공급된다. 타이밍 제어부(850)는, 시스템 제어부(860)에 의한 제어하에서 촬상소자(890) 및 영상신호 처리부(830)의 구동 타이밍을 제어한다.
촬상 시스템(800)은, 광학부(810)로서, 입사광의 파장을 변환하는 파장 변환부재를 구비해도 된다. 파장 변환부재의 예로는, X선의 입사시에 가시광을 방출하는 것을 들 수 있다. 촬상소자(890)는, 파장 변환부재에 의해 파장이 변환된 입사광에 근거한 신호를 생성한다. 이 구성에 따르면, X선 촬상장치로서의 역할을 하는 촬상 시스템(800)을 구성할 수 있다. 촬상 시스템(800)은, X선을 생성하는 광원으로서 역할을 하는 X선 생성장치를 포함해도 된다.
상기한 광전 변환장치(1)를 위에 형성한 복수의 반도체 기판을 2차원 형상(즉, 평면 구성으로)으로 배열함으로써, 멀티칩 광전 변환장치를 구성해도 된다. 멀티칩 광전 변환장치를 구성하는 광전 변환장치들(1)은 병렬로 동작해도 된다.
상기한 실시형태는 예시적인 것에 지나지 않고, 본 발명의 사상으로부터 일탈하지 않는 범위에서 변경을 가할 수 있다. 예를 들면, 상기한 각 실시형태에 있어서는, 기준 화소 행이 기준 화소 쌍(33) 이외에 차광 화소(200) 또는 온도 검출 화소 TP을 포함한다. 그러나, 기준 화소 행은 기준 화소만을 포함해도 된다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.

Claims (20)

  1. 유효 화소 행과, 서로 인접하게 배치된 제1 기준 화소와 제2 기준 화소를 각각 포함하는 복수의 기준 화소 쌍들을 포함하는 기준 화소 행을 포함하는 화소 영역과, 전압 공급부를 구비한 광전 변환장치로서,
    상기 제1 기준 화소는 입사 광량에 의존하지 않는 제1 기준신호를 출력하고,
    상기 제2 기준 화소는, 상기 제1 기준신호의 신호 레벨과는 다른 신호 레벨을 갖고 입사 광량에 의존하지 않는 제2 기준신호를 출력하며,
    상기 제1 기준 화소는 상기 제1 기준신호를 출력하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 기준 화소는 상기 제2 기준신호를 출력하는 트랜지스터를 포함하며,
    상기 전압 공급부는 상기 제1 기준 화소에 포함된 트랜지스터의 게이트에 제1 전압을 공급하고, 상기 제2 기준 화소에 포함된 트랜지스터의 게이트에 제2 전압을 공급하며, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압과 상이한 전압을 갖는, 광전 변환장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화소 영역을 주사하도록 구성된 주사부를 더 구비하고,
    상기 주사부는, 상기 기준 화소 행을 주사시에 상기 기준 화소 쌍들 중에서 한 개의 기준 화소 쌍을 최초에 선택하는 광전 변환장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 주사부는, 상기 최초에 선택된 상기 기준 화소 쌍의 상기 제1 기준 화소를 선택하는 광전 변환장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화소 영역은, 차광된 광전변환기를 각각 구비한 차광 화소들을 포함하는 차광 화소 행을 더 구비한 광전 변환장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 기준신호의 신호 레벨은, 상기 제1 기준신호의 신호 레벨보다도, 상기 차광 화소들에 근거한 신호의 신호 레벨에 더 가까운 광전 변환장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 기준신호의 신호 레벨은, 상기 차광 화소들에 근거한 신호의 신호 레벨과 실질적으로 같은 광전 변환장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 기준 화소 쌍들 중에서 적어도 한 개의 기준 화소 쌍은 상기 기준 화소 행의 단부에 배치된 광전 변환장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 적어도 한개의 기준 화소 쌍의 제1 기준 화소 및 제2 기준 화소는 상기 단부로부터 순차적으로 배열되고,
    상기 복수의 기준 화소 쌍들의 다른 한개의 기준 화소 쌍은, 상기 기준 화소 행의 상기 단부와는 반대인 반대측 단부에 배치되고, 상기 반대측 단부에 있는 상기 기준 화소 쌍의 제 1 기준 화소 및 제 2 기준 화소는 상기 반대측 단부로부터 순차적으로 배열된 광전 변환장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 기준 화소 행이, 상기 광전 변환장치의 온도를 검출하는 적어도 한 개의 온도 검출 화소를 더 포함하는 광전 변환장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 기준 화소 쌍들은 서로 인접해서 배치된 광전 변환장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 기준 화소들은, 상기 제1 및 제2 기준신호들 사이에서 출력을 전환할 수 있도록 구성된 광전 변환장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 광전 변환장치를 각각 갖는 복수의 반도체 기판을 2차원 형상으로 배열해서 이루어진 멀티칩 광전 변환장치.
  13. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 광전 변환장치와,
    상기 광전 변환장치로부터 출력된 신호를 처리해서 화상 데이터를 생성하도록 구성된 영상신호 처리부를 구비한 촬상 시스템.
  14. 제 13항에 있어서,
    X선을 생성하도록 구성된 광원을 더 구비한 촬상 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 X선의 파장을 변환하도록 구성된 파장 변환부재를 더 구비한 촬상 시스템.
  16. 유효 화소 행과, 서로 인접하게 배치된 제1 기준 화소와 제2 기준 화소를 각각 포함하는 복수의 기준 화소 쌍들과 차광 화소들을 포함하는 기준 화소 행을 포함하는 화소 영역을 갖는 광전 변환장치의 구동방법으로서,
    상기 제1 기준 화소는 입사 광량에 의존하지 않는 제1 기준신호를 출력하고,
    상기 제2 기준 화소는 상기 제1 기준신호의 신호 레벨과는 다른 신호 레벨을 갖고 입사 광량에 의존하지 않는 제2 기준신호를 출력하고,
    상기 제1 기준 화소는 상기 제1 기준신호를 출력하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 기준 화소는 상기 제2 기준신호를 출력하는 트랜지스터를 포함하며,
    상기 구동방법은,
    상기 제1 기준 화소에 포함된 트랜지스터의 게이트에 제1 전압을 공급하고,
    상기 제2 기준 화소에 포함된 트랜지스터의 게이트에, 상기 제1 전압과 상이한 전압을 갖는 제2 전압을 공급하며,
    상기 차광 화소들이 신호를 출력하기 전에, 상기 기준 화소 쌍들 중에서 한 개에 포함된 상기 제1 기준 화소 및 상기 제2 기준 화소 각각으로부터 신호를 출력하는 것을 포함하는 광전 변환장치의 구동방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 기준신호의 신호 레벨은, 상기 제1 기준신호의 신호 레벨보다도, 상기 차광 화소들에 근거한 신호의 신호 레벨에 더 가깝고, 상기 차광 화소들은 상기 화소 영역에 포함된 차광 화소 행에 포함되고, 상기 차광 화소들 각각은 차광된 광전변환기를 구비한 광전 변환장치의 구동방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 기준신호의 신호 레벨은 상기 화소 영역에 포함된 차광 화소 행에 포함된 상기 차광 화소들에 근거한 신호의 신호 레벨과 실질적으로 같으며, 상기 차광 화소들 각각은 차광된 광전변환기를 구비한 광전 변환장치의 구동방법.
  19. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 기준 화소 쌍들은 제1 기준 화소 쌍 및 제2 기준 화소 쌍을 포함하고,
    상기 제1 기준 화소 쌍은 상기 제2 기준 화소 쌍에 인접하고,
    상기 제1 및 제2 기준 화소 쌍들의 각각의 상기 제1 기준신호의 신호 레벨은 동일하고,
    상기 제1 및 제2 기준 화소 쌍들의 각각의 상기 제2 기준신호의 신호 레벨은 동일하는 광전 변환장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 제1 기준 화소 쌍의 상기 제2 기준 화소는 상기 제2 기준 화소 쌍의 상기 제1 기준 화소에 인접하게 배치되는 광전 변환장치.
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