KR101679099B1 - 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자 - Google Patents

전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101679099B1
KR101679099B1 KR1020117025128A KR20117025128A KR101679099B1 KR 101679099 B1 KR101679099 B1 KR 101679099B1 KR 1020117025128 A KR1020117025128 A KR 1020117025128A KR 20117025128 A KR20117025128 A KR 20117025128A KR 101679099 B1 KR101679099 B1 KR 101679099B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spacing
vsdm
conductive
pads
pad
Prior art date
Application number
KR1020117025128A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120030038A (ko
Inventor
렉스 코소우스키
로버트 플레밍
브렛 그레이든
Original Assignee
쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 filed Critical 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
Publication of KR20120030038A publication Critical patent/KR20120030038A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101679099B1 publication Critical patent/KR101679099B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257—Overvoltage protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/1006—Thick film varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257—Overvoltage protection
    • H05K1/0259—Electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/073—High voltage adaptations
    • H05K2201/0738—Use of voltage responsive materials, e.g. voltage switchable dielectric or varistor materials

Abstract

스퓨리어스 전기적 이벤트(예컨대, 정전기 방전)로부터 보호하기 위한 구조 및 장치에 대해 다양한 양태가 제공된다. 일부 실시예는 두 전도성 패드들 간의 간격을 이어주는 VSDM을 포함한다. 일반적으로는 절연 상태에 있는 VSDM은 스퓨리어스 전기적 이벤트 발생 시 어느 한 패드에서 다른 패드로 전류를 전달할 수 있다(예컨대, 전류를 접지로 단락시킴). 일부 양태는 전기적 리드들(상기 전기적 리드는 패드에 연결됨) 간의 간격의 50%보다 큰 폭을 갖는 간격을 갖는다. 일부 장치는 단일 층의 VSDM을 포함한다. 일부 장치는 다층의 VSDM을 포함한다. 다양한 장치가 비활성 체적에 대한 (VSDM의) 활성 체적의 비율을 증가시키도록 설계될 수 있다.

Description

전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자{COMPONENTS HAVING VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC MATERIALS}
본원은 2009년 3월 26일에 출원된 미국 가출원번호 61/163,842, 발명의 명칭 "Discrete Component for Handling Transient Electrical Events Using Voltage Switchable Dielectric Matereial"을 기초로 우선권을 주장하며, 이 출원의 내용은 본 명세서에 참조로 도입된다.
본 발명은 전압 스위칭형 유전 물질을 포함하는 장치의 설계 및 제조에 관한 것이다.
인쇄 회로 기판, 인쇄 배선 기판, 집적 회로(IC) 패키지 또는 그와 유사한 기판(이하, PCB)은 전자 소자들을 조립하고 연결시키기 위해 사용될 수 있다. PCB는 일반적으로 유전 물질, 및 부착된 다양한 소자, 칩 등 간에 전기전도성을 제공하는 하나 또는 그 이상의 전도성 리드를 포함한다. 리드는 금속으로 만들어질 수 있으며, 주로 리소그래피 기술을 사용하여 형성된다(예컨대, Cu층이 도포된 후 식각되어 형성됨).
다양한 소자들이 PCB에 부착될 수 있다. 부착은 솔더링(예컨대, 리플로잉(reflowing)), 와이어 접합, 초음파 접합 등을 포함할 수 있다. PCB에 다수의 소자들이 부착되는 것을 요구하는 응용에서, PCB의 표면 상의 사용 가능한 "부착 영역(attachment area)"은 부착될 수 있는 소자의 사이즈 및/또는 개수를 제한할 수 있다. 부착되는 소자의 사이즈를 줄이는 것(그 결과 점유되는 면적을 줄이는 것)은 PCB 표면 상에 남은 영역을 증가시킬 수 있으며, 상기 남은 영역은 다른 소자 또는 보다 큰 소자를 부착하는데 사용될 수 있다.
다양한 전기전자 소자가 서지 보호, ESD(electrostatic discharge)에 대한 보호 및 다른 스퓨리어스(spurious) 전기적 이벤트에 대한 보호에 있어서 유용할 수 있다. ESD 보호는 VSDM(voltage switchable dielectric material)을 도입하는 것을 포함할 수 있다. VSDM은 저전압에서 절연체로 동작하고, 고전압에서는 전도체로 동작할 수 있다. VSDM은 저전도성 상태와 고전도성 상태 사이에서 소위 "스위칭되는 전압(switching voltage)"을 특징으로 가질 수 있다. VSDM은 스위칭 전압보다 큰 전압에서 전도성을 갖게 되고 이 전압에서의 전류가 피보호 장치를 통하지 않고 VSDM을 통해 접지로 흐르도록 함으로써, 소자를 파괴할 수 있는 전류를 (예컨대, 접지로) 단락시킬 수 있다.
일부 PCB 소자는 서지 보호 장치(예컨대, VSDM을 포함하는 장치)를 부착함으로써 전기적 서지로부터 보호될 수 있다. 이 경우, 부착된 서지 보호 장치는 어셈블리의 "부착 가능한(attachable)" 영역(예컨대, 표면 영역)을 차지할 수 있다. 이 경우, 장치의 해당 영역을 최소화하는 것은 다른 소자를 부착하기 위해 사용 가능한 영역을 증가시키거나 그리고/또는 PCB 어셈블리의 전체 사이즈를 최소화할 수 있다.
본 발명은 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
VSDM을 포함하는 장치에 대한 다양한 양태가 제공된다. VSDM은 실질적인 부도체 상태(예컨대, 하나 또는 그 이상의 폴리머)와 실질적인 도체 상태를 포함할 수 있다. VSDM은 반도체 상태를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 부도체 상태는 실질적으로 연속적(continuous)일 수 있으며, 도체 및/또는 반도체 상태는 이산적(discrete)일 수 있다(예컨대, 금속 및 반도체 입자는 상기 입자와 관련된 퍼콜레이션 임계치(percolation threshold)에 가까운 농도로 폴리머 매트릭스에 분산됨).
상기 장치는 제 1 및 제 2 전도성 리드를 포함할 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 전도성 리드는 "패키지 간격(package spacing)"이라고 불리는 거리만큼 분리될 수 있다. 제 1 리드는 제 1 전도성 패드에 연결되거나 전기적으로 통신할 수 있으며, 제 2 리드는 제 2 전도성 패드에 연결되거나 전기적으로 통신할 수 있다. 제 1 및 제 2 패드는 제 1 간격만큼 분리될 수 있다. 제 1 간격은 패키지 간격의 50%, 70%, 심지어 90%보다 더 큰 간격의 폭(gap width)을 가질 수 있다. 제 1 갭은 패키지 간격보다 더 클 수 있다(예컨대, 2 배, 3 배, 5 배, 10 배, 50 배, 심지어 100 배 더 클 수 있음). 제 1 및 제 2 패드는 VSDM에 부착될 수 있으며, 제 1 간격은 VSDM에 의해 이어질 수 있어, 스위칭 전압보다 높은 전압에서, 전류는 VSDM을 통해 실질적으로 제 1 간격을 "가로질러(across)" 어느 한 패드에서 다른 패드로 흐를 수 있다.
특정 실시예는 단일층의 장치로 구성된 다층형 스택(예컨대, 서로 다른 층에 있는 상보적인 패드 쌍)을 포함한다. 일부의 경우, 제 3 전도성 패드는 비아(via)를 사용하여(예컨대, 다층형 스택을 관통하여) 제 1 리드에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제 4 전도성 패드는 비아를 사용하여 제 2 리드에 전기적으로 연결될 수 있다. 제 2 VSDM(제 1 VSDM과 상이하거나 동일할 수 있음)은 제 3 및 제 4 패드 둘 모두와 접촉할 수 있으며, 제 3 패드와 제 4 패드를 분리시키는 제 2 간격을 이어줄 수 있다. 제 1 간격과 제 2 간격은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 일부 간격은 리소그래피 방법을 사용하여 구현될 수 있으며, 상기 리소그래피 방법은 다른 구현 방법에 비해, 치수에 대해 정확하게 제어된 치수 공차(dimensional tolerance)를 제공할 수 있다.
다양한 실시예가 표면 장착형 장치를 포함하며, 상기 표면 장착형 장치는 표준 SMT(surface mount technology) 스펙과 호환 가능할 수 있다. 일부의 경우, 패키지 간격은 장치가 부착될 수 있는 어셈블리에 대한 표준화된 스펙(예컨대, PCB 상의 본드 패드 공간)에 부합할 수 있다. 일반적인 패키지 간격은 수백 마이크론 내지 수십 밀리미터일 수 있다. 일부 장치는 유전체 기판(예컨대, PCB 기판)을 포함한다.
일부 실시예는 두 패드들 간에 복수의 간격을 제공한다. 일부 실시예는 둘보다 많은 패드들 간에 복수의 간격을 제공한다. VSDM에 의해 연결된 패드는 단일층에 배치될 수 있다. VSDM에 의해 연결된 패드는 다층형 스택의 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 일부의 경우, 다수의 패드들은 하나의 리드(예컨대, 접지에 부착되도록 구성된 리드)에 전기적으로 연결된다. 일부의 경우, 장치는 다수의 서로 다른 소자들을 보호할 수 있으며, 각각의 소자는 패드와 전기적으로 통신하는 분리된 리드에 부착될 수 있다. 패드는 일 간격만큼 다른 패드(예컨대, 접지 패드)로부터 분리될 수 있으며, 상기 간격은 VSDM에 의해 이어져, ESD가 발생하는 경우, 전류가 VSDM을 통해 실질적으로 상기 간격을 가로질러 일 패드에서 다른 패드로 흐르도록 한다.
도 1a 및 도 1b는 VSDM을 포함하는 예시적인 장치를 도시한다.
도 2는 일부 실시예에 따른 활성 체적(active volume)의 개략도이다.
도 3은 일부 실시예에 따른 다층형 스택을 도시한다.
도 4는 일부 실시예에 따른 다층형 스택을 도시한다.
도 5는 일 예시적인 실시예를 도시한다.
도 6은 일 예시적인 실시예를 도시한다.
도 7은 일 예시적인 실시예를 도시한다.
도 8은 일 예시적인 실시예를 도시한다.
본 발명의 방법 및 장치는 스퓨리어스 전기적 이벤트(예컨대, ESD)로부터의 보호에 관한 것이다. 일부 장치는 어셈블리(예컨대, PCB)에 부착되도록 설계되어, 상기 장치와 전기적으로 통신하는 어셈블리의 전자소자를 보호할 수 있다. 예를 들어, 소자는 ESD 보호 장치를 통해 접지에 연결될 수 있으며, 상기 ESD 보호 장치는 ESD 발생 시 전류를 접지로 단락시킬 수 있으나 ESD가 발생하지 않은 경우에는 접지로부터 소자를 절연시킬 수 있다. 장치는 하나 또는 그 이상의 스펙(예컨대, 전기적 리드들 간의 거리, 솔더링 지점들 간의 거리, 와이어 본딩 지점들 간의 거리 등)에 따라 설계될 수 있으며, 상기 스펙은 상기 장치가 부착될 수 있는 어셈블리에 의해 정의되거나 상기 어셈블리와 관련될 수 있다.
다양한 실시예가 광범위한 사이즈(예컨대, 0.5 mm2 미만부터 수 cm2까지)를 갖는 장치를 제공한다. 편의상, 특정한 특징(예컨대, 간격의 폭)의 사이즈는 장치의 대략적인 사이즈를 특징짓는 공간으로 기술될 수 있다. 본 명세서의 목적을 달성하기 위해, 패키지 간격은 이러한 장치의 사이즈를 기술할 수 있다. 패키지 간격은 전기적 리드들 간의 공간에 대한 포괄적인 표현일 수 있으며, 상기 공간은 다른 물건에 대한 대응하는 공간(예컨대, 상기 장치가 부착될 수 있는 패키지로서, PCB 상의 본드 패드들 간의 거리)에 매칭되도록 선택될 수 있다. 본 명세서는 패키지 간격을 패키징 그 자체로 제한하도록 의도되지는 않지만, 장치와 관련된 사이즈 스케일을 제공하도록 의도된다. 패키지 간격은 지정된 거리를 기술할 수 있다. 패키지 간격은 장치의 대략적인 사이즈를 정성적으로 기술할 수 있다. 일부 실시예는 소형 장치(예컨대, 1 mm 미만의 패키지 간격을 갖는 장치)에 관련될 수 있다. 일부 실시예는 대형 장치(예컨대, 1 cm, 심지어 10 cm보다 큰 패키지 간격을 갖는 장치)에 관련될 수 있다.
두 개의 전도성 패드는 일 간격만큼 분리되고, VSDM에 의해 연결될 수 있으며, 전기적 이벤트 발생 시 상기 VSDM을 통해 전류가 흐른다. 간격은 간격의 폭을 포함할 수 있으며, VSDM은 활성 체적을 포함할 수 있다. 다양한 실시예가 다양한 설계 스펙에 따라(예컨대, 장치가 부착될 수 있는 패키지에 따라) 간격의 폭 및/또는 활성 체적을 최적화하는 것을 제공한다. 예를 들어, 일 실시예는 누설 전류 제한, 최대 목표 클램프 전압 및 장치의 최대 부피에 종속되어 간격의 폭을 최대화할 수 있다. 특정 실시예는 VSDM의 비활성 체적(inactive volume)에 대한 활성 체적의 비율을 최대화시킴으로써, 클램프 전압 및 장치의 사이즈를 최소화한다.
도 1a 및 도 1b는 전압 스위칭형 유전 물질을 포함하는 일 예시적인 장치를 도시한다. 장치(100)는 VSDM(120)에 의해 연결된 적어도 두 개의 전도성 패드(또는 전극)(110 및 112)를 포함한다. 일반적으로, 어느 한 패드(예컨대, 패드(110))는 접지에 연결되도록 구성되고, 다른 패드(예컨대, 패드(112))는 피보호 소자(예컨대, 회로, 칩, 저항, 커패시터, 인덕터 다이오드 등)에 연결되도록 구성된다. 장치(100)는 패키지 간격(170)에 의해 특징이 결정될 수 있다.
일반적인 동작 조건 하에서, VSDM(120)은 절연체로 동작하여, 일반적인 전압에서 전류는 패드(112)로부터 패드(110)로 흐르지 않을 수 있다. 피보호 장치가 치명적인 전기적 이벤트(예컨대, 스위칭 전압보다 큰 전압)에 노출되는 경우, VSDM(120)은 전도성을 갖게 되고, 전류가 VSDM(120) 및 패드(110)를 통해 접지로 단락될 수 있다.
VSDM(120)의 전기적, 열적 및 물리적 특성은 VSDM(120)의 화학적 조성의 함수일 수 있다. 또한, 장치(100)의 응답은 특정한 기하학적 인자(간격(130), 간격의 높이(140) 및 간격의 폭(150)을 포함함)의 함수일 수 있다. 이러한 치수들은 일반적으로 전류가 패드들 사이에서 흐르게 하는 VSDM의 체적을 결정할 수 있다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 예에서, 접촉 영역(160)은 VSDM(120)에 접촉하는 전도성 패드의 영역을 기술할 수 있으며, 단락 시 전류가 흐르는 영역을 기술할 수 있다. 반대쪽 패드(112)는 VSDM(120)에 대한 다른 접촉 영역을 포함할 수 있다. 전류는 VSDM(120)의 체적(본질적으로 도 1b에 도시된 간격(130), 높이(140) 및 간격의 폭(150)에 의해 정의됨)을 통해 실질적으로 균일하게 흐를 수 있다. 일부 실시예에서, 전류는 VSDM의 체적을 통해 불균일하게 흐를 수 있다.
도 2는 일부 실시예에 따른 활성 체적의 개략적인 도면이다. 장치(200)는 간격(230)만큼 분리된 패드(110 및 112)를 포함한다. 이 예에서, 패드(110 및 112)는 VSDM(120)에 배치되고 VSDM(120)에 의해 연결되며, VSDM(120)은 유전체 기판(202) 상에서 두께(240)를 갖는 층으로 배치된다. 장치(200)는 패키지 간격(272)에 의해 특징이 결정될 수 있으며, 도 2의 지면(page)에 수직한 갭의 폭을 포함한다. 일부 유전체 기판은 PCB 제조에 사용되는 바와 같이, 레진으로 예비-함침된(pre-impregnated) 섬유 강화층을 포함할 수 있다. 일부 VSDM은 기판 상에 증착될 수 있다(예컨대, 스핀 코팅, 닥터 블레이드, 분사 등으로 증착됨).
다양한 장치(예컨대, 장치(200))가 리소그래피를 사용하여 제조될 수 있다. 예를 들어, PCB 기판은 구리층 아래에 VSDM 층을 포함할 수 있으며, 전도성 패드는 리소그래피 기술을 사용하여 구리층에서 식각될 수 있다. 일부 실시예에서, 마스크가 VSDM 층에 적용될 수 있고, 패드가 마스크에 있는 홀을 통해 VSDM 층에 증착(예컨대, 스퍼터링)될 수 있다. 리소그래피 제조는 비-리소그래피 방법을 사용하여 제조된 장치에 비해, 개선된 공차를 갖는 치수(예컨대, 간격, 간격의 폭 등)를 제공할 수 있다. 일부 실시예에서, 전도성 패드, 라인, 비아 등은 PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), 전기화학적 증착(예컨대, 도금), 무전해 화학적 증착 등을 사용하여 제조될 수 있다.
일부 구성에서, 패드는 단락 시 VSDM의 서로 다른 부분에서 전류 밀도가 변화하는 방식으로 VSDM에 연결될 수 있다. 예를 들어, VSDM 내에 봉입된(encapsulated) 패드들이 작은 간격만큼 분리될 수 있다. 단락 시, 전류의 대부분은 직접 간격을 가로질러, 어느 한 패드에서 다른 패드로 가는 가장 짧은 경로를 따를 수 있다. 적은 양의 전류는 보다 긴 경로(예컨대, 보다 긴 거리만큼 분리된 패드 부분들 간의 경로)를 따를 수 있다.
장치(200)에서, 단락 발생 시 VSDM(120)을 통한 전류 밀도는 위치에 따라 균일하지 않을 수 있다. VSDM(120)의 특정 부분(예컨대, 패드들 "사이에서" 가장 가까이 위치한 부분 및/또는 패드(110 및 112)의 가장 가까운 "코너(corners)"에 인접한 부분)은, 패드들 간의 가장 직접적인 연결부로부터 멀리 떨어진 다른 부분보다 더 큰 전류가 흐를 수 있다.
VSDM(120) 내 위치의 함수에 따른 전류 밀도는, 장치의 다양한 파라미터(패드의 치수, VSDM의 체적 및 형상, 패드와 VSDM 간의 인터페이스 등) 및 주어진 ESD와 관련된 전압 및/또는 전압 프로파일에서의 물질의 성질(예컨대, 폴리머와 같은 VSDM의 조성물의 성질, 채워진 입자의 성질, 입자 로딩(loading), 및 상태의 열적, 전기적, 기계적 성질 등)에 따라 계산될 수 있다(예컨대, 유한 요소 모델링(finite element modeling, FEM) 방법을 사용하여 계산됨). 활성 체적은, 단락 발생 시 전류의 적어도 특정 부분을 흐르게 하는 VSDM의 체적으로 정의될 수 있다. 활성 체적은 임의로(arbitrarily) 선택될 수 있으며(예컨대, 응용에 따라 선택됨), 전류의 상당한 부분(예컨대, 30%, 50%, 70%, 90% 또는 그 이상)를 흐르게 하는 VSDM의 체적을 나타낼 수 있다. 활성 체적은 실험적으로 또는 정성적으로 설명될 수 있다. 도 2에서, 활성 체적(270)은 일반적으로 패드(110 및 112) 사이에서 상대적으로 많은 양의 전류를 전달하는 VSDM(120)의 영역과 관련될 수 있다. 비활성 체적(280)은 패드(110 및 112) 사이에서 상대적으로 적은 양의 전류를 전달하는(심지어 전류를 전달하지 않는) VSDM(120)의 영역을 나타낼 수 있다.
특정 실시예는 비활성 체적에 대한 활성 체적의 비율을 증가시키는 것을 제공한다. 일부 응용에서, 비활성 체적에 대한 활성 체적의 비율을 증가시키는 것은 단락 발생 시 전류를 실제적으로 단락시키는 VSDM의 부분을 증가시킬 수 있다. 비활성 체적에 대한 활성 체적의 비율을 증가시키는 것은 VSDM을 포함하는 장치의 전체 사이즈를 감소시키는 것을 제공할 수 있다.
얇은 층의 VSDM의 경우, 활성 체적은 두께(240)를 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 비록 일부 응용은 간격(230)에 의해 실질적으로 정의될 수 있는 정확하게 제어되는 전기적 성질을 요구할지라도(즉, 간격(230)이 특정 응용에 따른 "고정된 파라미터"일 수 있음), 활성 체적은 간격(230)을 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 특정 응용은 간격의 폭(즉, 도 2의 지면에 수직한 방향의 폭 또는 대안적으로 도 1에 도시된 간격의 폭(150))을 증가시킴으로써 활성 체적을 증가시킨다.
도 3은 일부 실시예에 따른 다층형 스택을 도시한다. 일부 실시예에서, 간격의 폭(지면(page)에 수직함)은 복수의 간격을 생성함으로써 증가될 수 있으며, 각각의 패드는 도시된 바와 같이 평행하게 연결된다. 일부 경우, 복수의 부재들은 장치의 서로 다른 층에 배치된다. 장치(300)는 VSDM 층(120, 122, 124 및 126)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서는, 동일한 VSDM이 각각의 층에 사용된다. 일부 실시예에서는, 상이한 VSDM이 상이한 층에 사용된다. VSDM 층은 유전체 기판 상에 배치될 수 있다. 도 3에 도시된 예에서, 장치(300)는 복수의 유전체 기판(202, 204, 206, 208)을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 유전체 기판은 상이한 타입의 기판이거나 동일한 타입의 기판일 수 있다.
VSDM(120)은 간격(330)을 가로질러 패드들(310 및 312)을 연결시킬 수 있다. VSDM(122)은 간격(333)을 가로질러 패드들(320 및 322)을 연결시킬 수 있다. VSDM(124)은 간격(334)을 가로질러 패드들(330 및 332)을 연결시킬 수 있다. VSDM(126)은 간격(336)을 가로질러 패드들(340 및 342)을 연결시킬 수 있다. 장치의 간격(예컨대, 간격(330, 333, 334, 336))은 동일한 길이를 갖거나 서로 다른 길이를 가질 수 있다.
패드들 간의 간격은 1 내지 1000 마이크론일 수 있으며, 10 내지 200 마이크론일 수도 있다. 패드들 간의 특정한 간격은 20 내지 80 마이크론일 수 있으며, 45 내지 70 마이크론일 수도 있다. 간격은 리소그래피를 사용하여 구현(또는 패드들 간에 정의)될 수 있다. 일부 간격의 경우, 전도성 패드들 간의 거리에 대한 공차는 거리의 20% 이내일 수 있다. 일부 제조 방법(예컨대, 유리 마스크 리소그래피)은 10% 이내의 공차(예컨대, 50 μm 간격에서 ±5 μm)를 제공할 수 있다. 일부 방법은 5%, 1%, 심지어 0.1% 이내의 공차를 제공할 수 있다.
전도성 패드(310, 320, 330 및 340)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 예에서, 상기 패드들은 전도성 비아(350)에 의해 연결될 수 있다. 비아(350)는 전도성 리드(360)에 연결될 수 있다. 유사하게, 전도성 패드(312, 322, 332 및 342)는 비아(352)에 의해 전도성 리드(362)에 연결될 수 있다.
리드들(360 및 362) 간의 거리(예컨대, 중심에서 중심까지의 거리)는 패키지 간격으로 기술될 수 있으며, 장치(300)가 부착될 수 있는 매칭 간격에 의해 정의될 수 있다(또는 매칭 간격에 맞도록 설계될 수 있음). 장치(300)는 리드들(360 및 362) 간의 패키지 간격(370)에 의해 특징이 결정될 수 있다. 일부 실시예에서, 패키지 간격은 50 마이크론 내지 1 cm일 수 있으며, 250 마이크론 내지 5 mm일 수도 있다. 특정 패키지 간격은 500 마이크론 내지 10 cm이다. 패키지 간격은 표준 간격(예컨대, EIA(Electronic Industries Alliance) 481 표준 또는 IEC(International Electrotechnical Commission) 표준)과 관련될 수 있다. 예를 들어, EIA 표준의 SMD(surface mount device) 타입 0402(1005 메트릭) 장치는 대략 1 mm의 패키지 간격으로 기술될 수 있으며, 0603 장치는 대략 1.66 mm의 패키지 간격으로 기술될 수 있다. 패키지 간격은 표준화된 SMT(surface mount technology) 스펙과 관련될 수 있다. 패키지 간격은 임의의 타입의 장치와 관련된 치수를 결정할 수 있으며, 상기 치수는 이-단자(two-terminal) 패키지(예컨대, 101005 장치/400 마이크론; 0201 장치/600 마이크론; 0805 장치/2mm; 2010 장치/5mm; 2512 장치/6.35 mm) 등을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 패키지 간격은 삼-단자 장치(예컨대, SOT-223, SOT-89, SOT-723, SOT-883 등)의 간격과 관련될 수 있다. 패키지 간격은 5, 6, 심지어 8 단자 장치(예컨대, SOT-23-5, SOT-23-6, SOT-23-8)와 관련될 수 있다. 패키지 간격은 보다 많은 핀 카운트(예컨대, SOIC, TSOP, SSOP, TSSOP, VSOP 등과 같은 듀얼인라인(dual in-line))를 갖는 장치와 관련될 수 있다. 패키지 간격은 쿼드인라인(quad in-line) 패키지(예컨대, PLCC, QFP, TQFP, LCC, MLP 등)와 관련될 수 있다. 패키지 간격은 그리드 어레이(예컨대, PGA, BGA, LGA, LFBGA, TFBGA, CGA, μBGA, LLP 등)과 관련될 수 있다. 패키지 간격은 SOC(system on chip), SIP(system in package), COB(chip on board), COF(chip on flex), COG(chip on glass) 등과 관련될 수 있다.
특정 응용은 장치의 높이를 실제적으로 제한하지 않을 수 있다. 특정 응용은 장치의 지정된 최대 높이(예컨대, 장치가 부착될 수 있는 표면에 수직한 방향의 높이)를 가질 수 있다. 장치(300)는 높이(380)를 포함할 수 있으며, 상기 높이는 지정된 최대 높이(최대 높이가 있는 경우임) 미만으로 선택될 수 있다. 일부 실시예에서, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 심지어 1000 개의 층들이 다층형 스택을 형성하도록 사용될 수 있다. 간격(330, 332, 334 및 336)은 간격의 폭(도 3의 지면에 수직함)을 포함하고; 상기 간격의 폭은 동일한 길이를 갖거나 서로 다른 길이를 가질 수 있다. 통합된 간격의 폭(또는 개개의 간격의 폭의 합)은 패키지 간격의 50%보다 더 크다. 일부 경우에서, 간격의 폭(통합된 간격의 폭을 포함할 수 있음)은 패키지 간격보다 두 배, 다섯 배, 열 배, 심지어 오십 배 더 클 수 있다.
도 4는 일부 실시예에 따른 다층형 스택을 도시한다. 장치(400)는 VSDM(120 및 122)을 포함할 수 있다. VSDM(120 및 122)은 동일한 VSDM이거나 서로 다른 VSDM일 수 있다(예컨대, 서로 다른 조성물, 다양한 상태의 일부(fraction), 클램프, 트리거 및/또는 스위칭 전압 등을 가짐). VSDM 층은 유전체 기판 상에 배치될 수 있다. 도 4에 도시된 예에서, 장치(400)는 복수의 유전체 기판(202, 204 및 206)을 포함할 수 있으며, 상기 유전체 기판은 서로 다른 타입의 기판이거나 동일한 타입의 기판일 수 있다.
VSDM(120)은 간격(430)을 가로질러 패드(410 및 412)를 연결시킬 수 있다. VSDM(122)은 간격(432)을 가로질러 패드(420 및 422)를 연결시킬 수 있다. 다층형 스택에서 간격(예컨대, 간격(430 및 432))은 동일한 길이이거나 서로 다른 길이일 수 있다.
전도성 패드(410 및 420)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 예에서, 상기 패드들은 다층형 스택을 관통하는 비아(350)에 의해 연결된다. 비아(350)는 전도성 리드(360)에 연결될 수 있다. 유사하게, 전도성 패드(412 및 422)는 비아(352)에 의해 전도성 리드(362)에 연결될 수 있다. 리드(360 및 362)는 패키지 간격(470)에 의해 분리될 수 있으며, 장치(400)의 높이는 높이(480)로 기술될 수 있다.
장치(400)는 "수직으로"(예컨대, 비아(350 및 352)에 평행한 간격의 방향) 배향된 간격(430 및 432)을 포함한다. 일부 실시예에서, 수직 간격은 활성 체적을 증가시킬 수 있다. 간격의 폭(도 4의 지면에 수직함)은 다층형 스택에서 층의 개수(예컨대, 분리된 갭의 개수)를 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 갭의 폭은 도 4의 평면에 수직한 방향으로 장치(400)의 사이즈를 증가시킴으로써(예컨대, 전도성 패드와 각각의 VSDM 간의 접촉 면적을 증가시킴으로써) 증가될 수 있다.
도 5는 일 예시적인 실시예를 도시한다. 장치(500)는 VSDM(120)을 포함한다. VSDM(120)은 선택적으로 기판 상에 배치될 수 있다(미도시). 전도성 리드(560 및 562)는 각각 전도성 패드(및/또는 복수의 전도성 패드들)와 전기적으로 통신하고, 패키지 간격(570)에 의해 분리된다. 리드(560)는 패드(510)와 통신하고, 리드(562)는 패드(512)와 통신할 수 있다. 패드(510 및 512)는 VSDM(120) 상에 배치되고, 간격(530)을 가로질러 VSDM(120)에 의해 연결될 수 있으며, 이러한 배치는 (각각의 패드의 "디지트(digits)"에 따라) 상호 맞물린 빗(interdigitated comb)으로 설명될 수 있다. 간격의 폭(550)(빗의 디지트에 걸친 "경로(pathway)" 또는 "길이"로 설명될 수 있음)은 패키지 간격(570)의 50%보다 더 클 수 있으며, 일부 실시예에서는 패키지 간격(570)보다 훨씬 더 클 수 있다(예컨대, 다섯 배, 열 배, 수백 배, 심지어 수천 배 더 클 수 있음).
다층형 스택은 장형의 간격의 폭을 갖는 개별적인 층을 가질 수 있다(예컨대, 복수의 적층된 장치(500)). 선택적인 비아(350 및 352)는 다층형 스택 내의 다양한 층에 있는 전도성 패드 및 리드를 연결시키도록 사용될 수 있다.
도 6은 일 예시적인 실시예를 도시한다. 장치(600)는 전자소자 상의 복수의 지점(예컨대, 다수의 본드 패드)을 보호할 수 있다(예컨대, ESD 손상 보호). 장치(600)는 복수의 소자(예컨대, 각각의 소자는 장치(600)의 전도성 리드에 연결됨)를 보호할 수 있다. 장치(600)는 VSDM(120)을 포함하며, 상기 VSDM(120)은 선택적으로 기판 상에 배치될 수 있다. 전도성 리드(660)(예컨대, 접지에 연결될 수 있는 리드)는 복수의 전도성 패드(610, 620, 630 및 640)(편의상 "접지 패드"로 기술함)와 전기적으로 통신할 수 있다. 복수의 장치 리드(662, 664, 666, 668) 각각은 각각의 전도성 패드(612, 622, 632, 642)(편의상 "장치 패드"로 기술함)와 전기적으로 통신할 수 있다.
접지 패드 및 장치 패드는 VSDM(120)으로 접촉될 수 있다(예컨대, VSDM 상에 배치될 수 있음). VSDM(120)은 하나 또는 그 이상의 간격을 가로질러 접지 패드를 장치 패드에 연결시킬 수 있다. 패드는 다수의 간격을 가로질러 (VSDM(120)을 통해) 연결될 수 있다. 장치 패드는 하나 또는 그 이상의 접지 패드에 (VSDM(120)을 통해) 연결될 수 있으며, 접지 패드는 하나 또는 그 이상의 장치 패드에 (VSDM(120)을 통해) 연결될 수 있다. 예를 들어, 전류는 VSDM을 통해 간격(680, 682, 684)(상기 간격들은 동일한 거리를 갖거나 서로 다른 거리를 가짐)를 가로질러 장치 패드(612)와 접지 패드(610) 사이를 흐를 수 있다. 장치 패드(622)는 간격(690)을 가로질러 접지 패드(620)에 연결될 수 있으며, 간격(692)을 가로질러 접지 패드(630)에 연결될 수 있다. 명확성을 위해, 오직 예시적이고 설명적인 간격만이 도 6에 도시되었다.
다양한 리드들은 하나 또는 그 이상의 패키지 간격을 따라 분리될 수 있다. 명확성을 위해, 오직 예시적인 패키지 간격(670)만이 설명되었으며, 상기 패키지 간격은 장치 리드들(644 및 666) 간의 거리를 기술한다. 다양한 실시예에서, 간격의 폭(및/또는 통합되거나 합산된 간격의 폭)은 하나 또는 그 이상의 패키지 간격의 50%보다 더 클 수 있다. 일부 실시예는 장치(600)의 하나 또는 그 이상의 층을 포함하는 다층형 스택을 포함한다. 다양한 간격의 폭(예컨대, 통합된 간격의 폭)은 적어도 하나의 패키지 간격의 50%보다 더 클 수 있다.
도 7은 일 예시적인 실시예를 도시한다. 장치(700)는 VSDM(120)을 포함한다. VSDM(120)은 선택적으로 기판 상에 배치될 수 있다(미도시). 전도성 리드(760 및 762)는 전도성 패드와 전기적으로 통신하고, 패키지 간격(770)에 의해 분리된다. 리드(760)는 패드(710)와 통신할 수 있고, 리드(762)는 패드(712)와 통신할 수 있다. 패드(710 및 712)는 VSDM(120) 상에 배치되고, 하나 또는 그 이상의 간격에 걸쳐 VSDM(120)에 의해 연결될 수 있다. 예시적인 간격(730 및 732)이 설명의 목적을 위해 도시된다. 일부 실시예는 도 7에 도시된 바와 같이 "만곡된(curved)" 간격을 포함한다. 일부 실시예는 장치(700)의 하나 또는 그 이상의 층을 포함하는 다층형 스택을 포함한다. 다양한 간격의 폭(예컨대, 통합된 간격의 폭)은 패키지 간격의 50%보다 더 클 수 있다. 간격은 리소그래피, 전자빔 식각, 선택적 증착(예컨대, 실란화된(silanated) 표면 상에 원자 크기의 층을 증착), CVD(선택적일 수 있음), PVD(예컨대, 마스크, 포토레지스트 등을 사용함)를 사용하여 구현될 수 있다.
도 8은 일 예시적인 실시예를 도시한다. 장치(800)는 VSDM(120)을 포함하고, 상기 VSDM은 기판 상에 배치될 수 있다. 장치(800)는 제 1 전도성 패드(810) 및 제 2 전도성 패드(812)를 포함하며, 상기 제 1 전도성 패드와 제 2 전도성 패드는 간격(830)만큼 분리된다. 장치(800)는 패키지 간격(870)에 의해 특징이 결정될 수 있으며, 상기 패키지 간격은 전도성 패드(810 및 812)의 부분들(예컨대, 상기 패드들과 관련된 결합 지점 또는 상기 패드들과 관련된 비아 설치 지점) 간의 거리를 나타낼 수 있다. 설명의 명확성을 위해, 선택적인 비아(350 및 352)가 패키지 간격(870)을 정의하기 위해 사용될 수 있다. ESD가 발생한 경우, 전류는 VSDM(120)을 통해 간격(830)을 거쳐 전도성 패드(810 및 812) 사이를 흐를 수 있다. 리드(미도시)는 전도성 패드에 연결되어, 패드를 접지, 소자 등에 연결시킬 수 있다.
장치(800)는 내측 패드(812)와 외측(동축임) 패드(810) 사이에 환형의 간격을 포함한다. 특정 실시예는 서로 다른 접촉 면적(VSDM에 대한 접촉 면적)을 갖는 패드들(상기 패드들은 VSDM에 의해 연결됨)를 포함한다. ESD가 발생한 경우, 전류는 서로 다른 접촉 면적을 갖는 두 개의 패드들 사이를 흐를 수 있으며, 상기 접촉 면적은 제 2 패드에 비해 제 1 패드에서 상이한 전류 밀도를 생성할 수 있다. 일부 실시예는 피보호 소자에 연결되고 높은 전류 밀도를 갖는 패드(예컨대, 더 작은 패드임)를 포함한다. 일부 실시예는 피보호 소자에 연결되고 낮은 전류 밀도를 갖는 패드(예컨대, 보다 큰 패드임)를 포함한다. 다층형 스택은 하나 또는 그 이상의 장치(800)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 간격의 폭은 간격(830)고 관련된 동심원에 의해 설명될 수 있다. 간격의 폭은 위치에 따라 변할 수 있다(예컨대, 장치(800)에서의 반경에 따라 변할 수 있음). 일부의 경우, 장치(800)의 간격의 폭의 적어도 일부는 패키지 간격(870)의 50%보다 더 클 수 있다.
용어 "리드", "패드", "비아" 등은 오직 설명의 명확성을 위해 사용되었다. 이러한 전기적으로 전도성을 갖는 피쳐들은 서로 다른 단계에서 제조될 수 있거나 제조되지 않을 수 있으며, 서로 다른 물질로 제조되거나 제조되지 않을 수 있다. 상기 피쳐들은 실질적으로 인접하거나 그리고/또는 상호 연결되어 있는 분리된 피쳐들이다.
일부 실시예는 다양한 파라미터(예컨대, 두께, 변형, 온도, 응력, 점성, 농도, 깊이, 길이, 폭, 두께, 층의 개수, 열팽창계수(coefficient of thermal expansion, CTE), (절연 상태와 도전 상태 간의) 스위칭 전압 및/또는 전압 밀도, 트리거 전압, 클램프 전압, 오프-상태의 전류 경로, 유전상수, 시간, 날짜 및 다른 특징)를 감지하는 센서를 포함한다. 다양한 장치가 다양한 센서를 모니터링할 수 있고, 시스템은 자동화된 제어(솔레노이드, 공압식, 압전식 등)에 의해 구동될 수 있다. 일부 실시예는 프로세서 및 메모리에 결합된, 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장매체를 포함한다. 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장 매체에 저장된 실행 가능한 명령이 프로세서에 의해 실행되어, 본 명세서에 기술된 다양한 방법을 수행할 수 있다. 센서 및 액추에이터는 프로세서에 결합되어, 입력을 제공하고 다양한 방법과 관련된 명령을 수신할 수 있다. 특정 명령은, 입력을 제공하는 결합된 센서 및 명령을 수신하는 결합된 액추에이터를 통해 다양한 파라미터를 폐루프 제어하여, 파라미터를 조절할 수 있다. 특정 실시예는 물질을 포함한다. 다양한 실시예가 전화기(예컨대, 휴대 전화), USB 장치(예컨대, USB 저장 장치), PDA(personal digital assistants), iPod, iPad, 랩탑 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 PC 컴퓨터 등과 관련될 수 있다.
전술한 내용은 설명적일 뿐, 제한적으로 해석되지는 않는다. 본 발명의 많은 변화가 본 명세서의 검토 시 통상의 기술자에게 자명하게 도출될 것이다. 본 발명의 범위는 전술한 발명의 상세한 설명을 참조로 결정되는 것이 아니라, 첨부된 청구항을 참조로 하여 완전한 범위의 균등물과 함께 결정되어야 한다.

Claims (21)

  1. VSDM(voltage switchable dielectric material)을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 장치는 패키지 간격만큼 분리된 제 1 및 제 2 전도성 리드를 포함하고,
    상기 제 1 전도성 리드는 제 1 전도성 패드에 전기적으로 연결되고,
    상기 제 2 전도성 리드는 제 2 전도성 패드에 전기적으로 연결되고,
    상기 제 1 및 제 2 전도성 패드는 제 1 간격만큼 분리되고, 상기 제 1 간격은 상기 패키지 간격의 50%보다 더 큰 제 1 간격의 폭을 가지며,
    상기 장치는,
    상기 제 1 간격을 이어주고, 상기 제 1 및 제 2 전도성 패드를 연결시키는 제 1 VSDM;
    상기 제 1 전도성 리드에 전기적으로 연결된 제 3 전도성 패드; 및
    상기 제 2 전도성 리드에 전기적으로 연결된 제 4 전도성 패드를 더 포함하고,
    상기 제 3 및 제 4 전도성 패드는 제 2 간격만큼 분리되고,
    상기 장치는, 상기 제 2 간격에 걸쳐 상기 제 1 및 제 2 전도성 패드를 연결시키는 제 2 VSDM을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 간격의 폭은 상기 패키지 간격보다 더 큰 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 간격의 폭은 상기 패키지 간격보다 열 배 더 큰 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 간격은 서로 다른 간격의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 다층형 스택을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 VSDM은 상기 다층형 스택의 서로 다른 층에 배치되고,
    상기 전도성 패드들은 상기 다층형 스택을 관통하는 전도성 비아에 의해 각각의 리드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 VSDM은 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 VSDM은 서로 다른 전기적 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 VSDM은 서로 다른 조성물을 갖는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 간격은 서로 다른 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  11. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 간격은 200 내지 8,000 마이크론인 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  12. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 간격은, EIA 0201, 0402 및 0603 장치 중 어느 하나와 관련된 전기적 연결 지점들 간의 거리에 부합하는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  13. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 간격의 폭은 500 내지 5,000 마이크론인 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  14. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패드, 리드 또는 간격은 리소그래피를 사용하여 구현되는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  15. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 간격은, 패드들 간의 거리에 대한 공차가 상기 거리의 값의 20% 이내인 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  16. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 유전체 기판을 더 포함하고,
    상기 제 1 VSDM은 상기 유전체 기판 상에서 제 1 층으로 배치되는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  17. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 VSDM은 평면층으로 배치되고,
    상기 평면층의 VSDM에 전기적으로 연결된 상기 전도성 패드들 중 하나 또는 그 이상은, 상기 평면층의 VSDM 상에 제 2 층으로 증착되는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 기판은 프리프레그(prepreg) 층을 포함하고,
    상기 전도성 패드는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  19. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는, 제 3 전도성 패드에 전기적으로 연결된 제 3 전도성 리드를 더 포함하고,
    상기 제 3 전도성 패드는 상기 제 1 VSDM에 부착되고, 제 3 간격만큼 상기 제 1 또는 제 2 전도성 패드로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  20. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 VSDM에 부착되고, 상기 제 1 또는 제 2 전도성 리드에 전기적으로 연결되는 제 5 전도성 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
  21. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    VSDM에 의해 연결된 패드들 간의 간격은 길이가 10 내지 100 마이크론인 것을 특징으로 하는 VSDM을 포함하는 장치.
KR1020117025128A 2009-03-26 2010-03-25 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자 KR101679099B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16384209P 2009-03-26 2009-03-26
US61/163,842 2009-03-26
PCT/US2010/000906 WO2010110909A1 (en) 2009-03-26 2010-03-25 Components having voltage switchable dielectric materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120030038A KR20120030038A (ko) 2012-03-27
KR101679099B1 true KR101679099B1 (ko) 2016-11-23

Family

ID=42173972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117025128A KR101679099B1 (ko) 2009-03-26 2010-03-25 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8968606B2 (ko)
EP (1) EP2412212A1 (ko)
KR (1) KR101679099B1 (ko)
CN (1) CN102550132A (ko)
TW (1) TW201110833A (ko)
WO (1) WO2010110909A1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100038121A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100038119A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
AU6531600A (en) 1999-08-27 2001-03-26 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
US7923844B2 (en) 2005-11-22 2011-04-12 Shocking Technologies, Inc. Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
US20100264224A1 (en) * 2005-11-22 2010-10-21 Lex Kosowsky Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
US20080029405A1 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lex Kosowsky Voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material
CN101595535A (zh) * 2006-09-24 2009-12-02 肖克科技有限公司 利用电压可切换电介质材料和光辅助进行电镀衬底器件的技术
US7872251B2 (en) 2006-09-24 2011-01-18 Shocking Technologies, Inc. Formulations for voltage switchable dielectric material having a stepped voltage response and methods for making the same
US20090050856A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Lex Kosowsky Voltage switchable dielectric material incorporating modified high aspect ratio particles
US8206614B2 (en) 2008-01-18 2012-06-26 Shocking Technologies, Inc. Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents
US20090220771A1 (en) * 2008-02-12 2009-09-03 Robert Fleming Voltage switchable dielectric material with superior physical properties for structural applications
US8203421B2 (en) * 2008-04-14 2012-06-19 Shocking Technologies, Inc. Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration
US9208931B2 (en) 2008-09-30 2015-12-08 Littelfuse, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8272123B2 (en) 2009-01-27 2012-09-25 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US9226391B2 (en) 2009-01-27 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US9320135B2 (en) 2010-02-26 2016-04-19 Littelfuse, Inc. Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
US9082622B2 (en) 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials
US9224728B2 (en) 2010-02-26 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
JP2012018907A (ja) * 2010-06-11 2012-01-26 Nissan Motor Co Ltd 電機部品
US8633562B2 (en) * 2011-04-01 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (ESD) protection
TWI473542B (zh) * 2011-09-21 2015-02-11 Shocking Technologies Inc 垂直切換的電壓調變介電材質構造及結構
TWI510148B (zh) * 2011-11-07 2015-11-21 Shocking Technologies Inc 保護電子組件防止靜電放電（ｅｓｄ）脈衝的系統
JP2016500914A (ja) * 2012-09-25 2016-01-14 ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッドＰｓｔ Ｓｅｎｓｏｒｓ （Ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ） Ｌｉｍｉｔｅｄ 電流切換トランジスタ
CN103021894B (zh) * 2012-12-30 2015-07-08 深圳中科***集成技术有限公司 多路静电释放保护器件的加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050057867A1 (en) 2002-04-08 2005-03-17 Harris Edwin James Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
US20060291127A1 (en) 2005-06-27 2006-12-28 Hee-Man Kim Device to protect against a surge voltage and an electronic apparatus including the same

Family Cites Families (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3347724A (en) 1964-08-19 1967-10-17 Photocircuits Corp Metallizing flexible substrata
US3685028A (en) 1970-08-20 1972-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of memorizing an electric signal
US3685026A (en) 1970-08-20 1972-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of switching an electric current
US3808576A (en) 1971-01-15 1974-04-30 Mica Corp Circuit board with resistance layer
US3723635A (en) 1971-08-16 1973-03-27 Western Electric Co Double-sided flexible circuit assembly and method of manufacture therefor
GB1433129A (en) 1972-09-01 1976-04-22 Raychem Ltd Materials having non-linear resistance characteristics
US4359414A (en) 1972-12-22 1982-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Insulative composition for forming polymeric electric current regulating junctions
US3926916A (en) 1972-12-22 1975-12-16 Du Pont Dielectric composition capable of electrical activation
US3977957A (en) 1973-09-24 1976-08-31 National Plastics And Plating Supply Co. Apparatus for intermitting electroplating strips
US4113899A (en) 1977-05-23 1978-09-12 Wear-Cote International, Inc. Method of obtaining electroless nickel coated filled epoxy resin article
US4133735A (en) 1977-09-27 1979-01-09 The Board Of Regents Of The University Of Washington Ion-sensitive electrode and processes for making the same
JPS6056238B2 (ja) 1979-06-01 1985-12-09 株式会社井上ジャパックス研究所 電気メツキ方法
JPS5828750B2 (ja) 1979-12-25 1983-06-17 富士通株式会社 半導体装置
US4331948A (en) 1980-08-13 1982-05-25 Chomerics, Inc. High powered over-voltage protection
DE3040784C2 (de) 1980-10-29 1982-11-18 Schildkröt Spielwaren GmbH, 8057 Eching Verfahren zum Aufbringen eines metallischen Überzuges und hierfür geeigneter Leitlack
US4439809A (en) 1982-02-22 1984-03-27 Sperry Corporation Electrostatic discharge protection system
US4591411A (en) 1982-05-05 1986-05-27 Hughes Aircraft Company Method for forming a high density printed wiring board
DE3231118C1 (de) 1982-08-20 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4405432A (en) 1982-10-22 1983-09-20 National Semiconductor Corporation Plating head
CH663491A5 (en) 1984-02-27 1987-12-15 Bbc Brown Boveri & Cie Electronic circuit module
US4702860A (en) 1984-06-15 1987-10-27 Nauchno-Issledovatelsky Institut Kabelnoi Promyshlennosti Po "Sredazkabel" Current-conducting composition
JPS61108160A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
BR8601387A (pt) 1985-03-29 1986-12-02 Raychem Ltd Dispositivo para proteger um circuito eletrico,circuito eletrico,componente eletrico e uso de uma composicao amorfa
US4888574A (en) 1985-05-29 1989-12-19 501 Ohmega Electronics, Inc. Circuit board material and method of making
US4642160A (en) 1985-08-12 1987-02-10 Interconnect Technology Inc. Multilayer circuit board manufacturing
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US4799128A (en) 1985-12-20 1989-01-17 Ncr Corporation Multilayer printed circuit board with domain partitioning
US4726877A (en) 1986-01-22 1988-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods of using photosensitive compositions containing microgels
US4726991A (en) 1986-07-10 1988-02-23 Eos Technologies Inc. Electrical overstress protection material and process
KR960015106B1 (ko) 1986-11-25 1996-10-28 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 면실장형 반도체패키지 포장체
US5295297B1 (en) 1986-11-25 1996-11-26 Hitachi Ltd Method of producing semiconductor memory
JPS63195275A (ja) 1987-02-10 1988-08-12 Canon Inc 精密成形金型の製造方法
US5138438A (en) 1987-06-24 1992-08-11 Akita Electronics Co. Ltd. Lead connections means for stacked tab packaged IC chips
US4892776A (en) 1987-09-02 1990-01-09 Ohmega Electronics, Inc. Circuit board material and electroplating bath for the production thereof
US5734188A (en) 1987-09-19 1998-03-31 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit, method of fabricating the same and apparatus for fabricating the same
EP0322466A1 (en) 1987-12-24 1989-07-05 Ibm Deutschland Gmbh PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) method for deposition of tungsten or layers containing tungsten by in situ formation of tungsten fluorides
US5068634A (en) 1988-01-11 1991-11-26 Electromer Corporation Overvoltage protection device and material
US4977357A (en) 1988-01-11 1990-12-11 Shrier Karen P Overvoltage protection device and material
US4935584A (en) 1988-05-24 1990-06-19 Tektronix, Inc. Method of fabricating a printed circuit board and the PCB produced
US5502889A (en) 1988-06-10 1996-04-02 Sheldahl, Inc. Method for electrically and mechanically connecting at least two conductive layers
US4992333A (en) 1988-11-18 1991-02-12 G&H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
WO1990007858A2 (en) 1988-12-24 1990-07-12 Technology Applications Company Limited Improved method for making printed circuits
EP0379176B1 (en) 1989-01-19 1995-03-15 Burndy Corporation Card edge connector
US5300208A (en) 1989-08-14 1994-04-05 International Business Machines Corporation Fabrication of printed circuit boards using conducting polymer
US5099380A (en) 1990-04-19 1992-03-24 Electromer Corporation Electrical connector with overvoltage protection feature
JPH045844A (ja) 1990-04-23 1992-01-09 Nippon Mektron Ltd Ｉｃ搭載用多層回路基板及びその製造法
US4996945A (en) 1990-05-04 1991-03-05 Invisible Fence Company, Inc. Electronic animal control system with lightning arrester
JPH0636472B2 (ja) 1990-05-28 1994-05-11 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 多層配線基板の製造方法
US5260848A (en) 1990-07-27 1993-11-09 Electromer Corporation Foldback switching material and devices
JP3151816B2 (ja) 1990-08-06 2001-04-03 日産自動車株式会社 エッチング方法
US5252195A (en) 1990-08-20 1993-10-12 Mitsubishi Rayon Company Ltd. Process for producing a printed wiring board
US5679977A (en) 1990-09-24 1997-10-21 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
DE69133311T2 (de) 1990-10-15 2004-06-24 Aptix Corp., San Jose Verbindungssubstrat mit integrierter Schaltung zur programmierbaren Verbindung und Probenuntersuchung
US5142263A (en) 1991-02-13 1992-08-25 Electromer Corporation Surface mount device with overvoltage protection feature
US5183698A (en) 1991-03-07 1993-02-02 G & H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
US5557136A (en) 1991-04-26 1996-09-17 Quicklogic Corporation Programmable interconnect structures and programmable integrated circuits
US5189387A (en) 1991-07-11 1993-02-23 Electromer Corporation Surface mount device with foldback switching overvoltage protection feature
AT398877B (de) 1991-10-31 1995-02-27 Philips Nv Zwei- oder mehrlagige leiterplatte, verfahren zum herstellen einer solchen leiterplatte und laminat für die herstellung einer solchen leiterplatte nach einem solchen verfahren
US5248517A (en) 1991-11-15 1993-09-28 Electromer Corporation Paintable/coatable overvoltage protection material and devices made therefrom
US5367764A (en) 1991-12-31 1994-11-29 Tessera, Inc. Method of making a multi-layer circuit assembly
US5282312A (en) 1991-12-31 1994-02-01 Tessera, Inc. Multi-layer circuit construction methods with customization features
US5294374A (en) 1992-03-20 1994-03-15 Leviton Manufacturing Co., Inc. Electrical overstress materials and method of manufacture
EP0568313A2 (en) 1992-05-01 1993-11-03 Nippon CMK Corp. A method of manufacturing a multilayer printed wiring board
JP2601128B2 (ja) 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
JP2921722B2 (ja) 1992-06-10 1999-07-19 三菱マテリアル株式会社 チップ型サージアブソーバ
US5246388A (en) 1992-06-30 1993-09-21 Amp Incorporated Electrical over stress device and connector
US5278535A (en) 1992-08-11 1994-01-11 G&H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5393597A (en) 1992-09-23 1995-02-28 The Whitaker Corporation Overvoltage protection element
DE69314742T2 (de) 1992-09-23 1998-02-19 Whitaker Corp Vorrichtung zum Schutz gegen elektrische Überbeanspruchung
US5262754A (en) 1992-09-23 1993-11-16 Electromer Corporation Overvoltage protection element
JP2773578B2 (ja) 1992-10-02 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5354712A (en) 1992-11-12 1994-10-11 Northern Telecom Limited Method for forming interconnect structures for integrated circuits
US5340641A (en) 1993-02-01 1994-08-23 Antai Xu Electrical overstress pulse protection
US5418689A (en) 1993-02-01 1995-05-23 International Business Machines Corporation Printed circuit board or card for direct chip attachment and fabrication thereof
US5347258A (en) 1993-04-07 1994-09-13 Zycon Corporation Annular resistor coupled with printed circuit board through-hole
JP3256603B2 (ja) 1993-07-05 2002-02-12 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5413694A (en) 1993-07-30 1995-05-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for improving electromagnetic shielding performance of composite materials by electroplating
IL106738A (en) 1993-08-19 1998-02-08 Mind E M S G Ltd Device for external correction of deficient valves in venous junctions
US5736681A (en) 1993-09-03 1998-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Printed wiring board having an interconnection penetrating an insulating layer
US5444593A (en) 1993-09-30 1995-08-22 Allina; Edward F. Thick-film varistors for TVSS
JP3361903B2 (ja) 1994-01-06 2003-01-07 凸版印刷株式会社 プリント配線板の製造方法
US5808351A (en) 1994-02-08 1998-09-15 Prolinx Labs Corporation Programmable/reprogramable structure using fuses and antifuses
US5834824A (en) 1994-02-08 1998-11-10 Prolinx Labs Corporation Use of conductive particles in a nonconductive body as an integrated circuit antifuse
US6191928B1 (en) * 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5552757A (en) 1994-05-27 1996-09-03 Littelfuse, Inc. Surface-mounted fuse device
US5510629A (en) 1994-05-27 1996-04-23 Crosspoint Solutions, Inc. Multilayer antifuse with intermediate spacer layer
WO1996002924A1 (en) 1994-07-14 1996-02-01 Surgx Corporation Single and multi-layer variable voltage protection devices and methods of making same
US5493146A (en) 1994-07-14 1996-02-20 Vlsi Technology, Inc. Anti-fuse structure for reducing contamination of the anti-fuse material
AU704862B2 (en) 1994-07-14 1999-05-06 Surgx Corporation Variable voltage protection structures and methods for making same
US5802714A (en) 1994-07-19 1998-09-08 Hitachi, Ltd. Method of finishing a printed wiring board with a soft etching solution and a preserving treatment or a solder-leveling treatment
US5487218A (en) 1994-11-21 1996-01-30 International Business Machines Corporation Method for making printed circuit boards with selectivity filled plated through holes
US5962815A (en) 1995-01-18 1999-10-05 Prolinx Labs Corporation Antifuse interconnect between two conducting layers of a printed circuit board
US5714794A (en) * 1995-04-18 1998-02-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electrostatic protective device
US5906042A (en) 1995-10-04 1999-05-25 Prolinx Labs Corporation Method and structure to interconnect traces of two conductive layers in a printed circuit board
JPH09111135A (ja) 1995-10-23 1997-04-28 Mitsubishi Materials Corp 導電性ポリマー組成物
US5834160A (en) 1996-01-16 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for forming fine patterns on printed circuit board
US5940683A (en) 1996-01-18 1999-08-17 Motorola, Inc. LED display packaging with substrate removal and method of fabrication
JP4298791B2 (ja) 1996-01-22 2009-07-22 サージックス コーポレイション 過電圧保護装置及び過電圧保護方法
US6172590B1 (en) 1996-01-22 2001-01-09 Surgx Corporation Over-voltage protection device and method for making same
US5869869A (en) 1996-01-31 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure
US5933307A (en) 1996-02-16 1999-08-03 Thomson Consumer Electronics, Inc. Printed circuit board sparkgap
US6455916B1 (en) * 1996-04-08 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit devices containing isolated dielectric material
US5744759A (en) 1996-05-29 1998-04-28 International Business Machines Corporation Circuit boards that can accept a pluggable tab module that can be attached or removed without solder
US5874902A (en) 1996-07-29 1999-02-23 International Business Machines Corporation Radio frequency identification transponder with electronic circuit enabling/disabling capability
US5956612A (en) 1996-08-09 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Trench/hole fill processes for semiconductor fabrication
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US5977489A (en) 1996-10-28 1999-11-02 Thomas & Betts International, Inc. Conductive elastomer for grafting to a metal substrate
US5856910A (en) 1996-10-30 1999-01-05 Intel Corporation Processor card assembly having a cover with flexible locking latches
US5946555A (en) 1996-11-04 1999-08-31 Packard Hughes Interconnect Company Wafer level decal for minimal packaging of chips
JP4397972B2 (ja) 1996-11-19 2010-01-13 サージックス コーポレイション 過渡電圧保護素子およびその製造方法
US6013358A (en) 1997-11-18 2000-01-11 Cooper Industries, Inc. Transient voltage protection device with ceramic substrate
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US20020061363A1 (en) 2000-09-27 2002-05-23 Halas Nancy J. Method of making nanoshells
US5972192A (en) 1997-07-23 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Pulse electroplating copper or copper alloys
JP3257521B2 (ja) * 1997-10-07 2002-02-18 ソニーケミカル株式会社 Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US7253109B2 (en) 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
ID22590A (id) * 1997-11-27 1999-11-25 Kanto Kasei Kogyo Produk-produk tidak konduktif yang dilapisi dan metode pelapisannya
TW511103B (en) 1998-01-16 2002-11-21 Littelfuse Inc Polymer composite materials for electrostatic discharge protection
US6064094A (en) 1998-03-10 2000-05-16 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer
US6130459A (en) * 1998-03-10 2000-10-10 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection device for integrated circuits
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JP2000059986A (ja) 1998-04-08 2000-02-25 Canon Inc 太陽電池モジュ―ルの故障検出方法および装置ならびに太陽電池モジュ―ル
JP2942829B1 (ja) 1998-08-17 1999-08-30 熊本大学長 光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法
US6549114B2 (en) 1998-08-20 2003-04-15 Littelfuse, Inc. Protection of electrical devices with voltage variable materials
US6162159A (en) 1998-08-24 2000-12-19 Martini; Calvin Duke Ticket dispenser
US6108184A (en) 1998-11-13 2000-08-22 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a voltage variable material
US6713955B1 (en) 1998-11-20 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device having a current self-limiting structure
US6351011B1 (en) 1998-12-08 2002-02-26 Littlefuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
US6211554B1 (en) 1998-12-08 2001-04-03 Littelfuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
US6198392B1 (en) 1999-02-10 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Communications system and method with A/D converter
US6534422B1 (en) 1999-06-10 2003-03-18 National Semiconductor Corporation Integrated ESD protection method and system
US20120195018A1 (en) 2005-11-22 2012-08-02 Lex Kosowsky Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
US20100038121A1 (en) 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100044079A1 (en) 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7825491B2 (en) 2005-11-22 2010-11-02 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting device using voltage switchable dielectric material
AU6531600A (en) 1999-08-27 2001-03-26 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
US20100040896A1 (en) 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100044080A1 (en) 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100038119A1 (en) 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7446030B2 (en) * 1999-08-27 2008-11-04 Shocking Technologies, Inc. Methods for fabricating current-carrying structures using voltage switchable dielectric materials
KR100533673B1 (ko) * 1999-09-03 2005-12-05 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기
US6448900B1 (en) 1999-10-14 2002-09-10 Jong Chen Easy-to-assembly LED display for any graphics and text
US6316734B1 (en) 2000-03-07 2001-11-13 3M Innovative Properties Company Flexible circuits with static discharge protection and process for manufacture
US6509581B1 (en) 2000-03-29 2003-01-21 Delta Optoelectronics, Inc. Structure and fabrication process for an improved polymer light emitting diode
US6407411B1 (en) 2000-04-13 2002-06-18 General Electric Company Led lead frame assembly
US6373719B1 (en) 2000-04-13 2002-04-16 Surgx Corporation Over-voltage protection for electronic circuits
JP4066620B2 (ja) 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
US6628498B2 (en) 2000-08-28 2003-09-30 Steven J. Whitney Integrated electrostatic discharge and overcurrent device
JP4708577B2 (ja) 2001-01-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US6903175B2 (en) * 2001-03-26 2005-06-07 Shipley Company, L.L.C. Polymer synthesis and films therefrom
KR101008294B1 (ko) 2001-03-30 2011-01-13 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스
US6690251B2 (en) 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
TW492202B (en) 2001-06-05 2002-06-21 South Epitaxy Corp Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge
SE523309E (sv) 2001-06-15 2009-10-26 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
ATE499691T1 (de) 2001-07-02 2011-03-15 Abb Schweiz Ag Polymercompound mit nichtlinearer strom-spannungs-kennlinie und verfahren zur herstellung eines polymercompounds
US7034652B2 (en) * 2001-07-10 2006-04-25 Littlefuse, Inc. Electrostatic discharge multifunction resistor
US20030066998A1 (en) * 2001-08-02 2003-04-10 Lee Howard Wing Hoon Quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6525953B1 (en) 2001-08-13 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication
DE10153563A1 (de) 2001-10-30 2003-05-15 Infineon Technologies Ag Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Einbettung von Nanopartikeln zur Erzeugung von Feldüberhöhungen
US6936968B2 (en) 2001-11-30 2005-08-30 Mule Lighting, Inc. Retrofit light emitting diode tube
GB0200259D0 (en) 2002-01-07 2002-02-20 Univ Reading The Encapsulated radioactive nuclide microparticles and methods for their production
US20070208243A1 (en) * 2002-01-16 2007-09-06 Nanomix, Inc. Nanoelectronic glucose sensors
US20030143492A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Scitex Digital Printing, Inc. Mandrel with controlled release layer for multi-layer electroformed ink jet orifice plates
TWI229115B (en) * 2002-02-11 2005-03-11 Sipix Imaging Inc Core-shell particles for electrophoretic display
CN100350606C (zh) * 2002-04-08 2007-11-21 力特保险丝有限公司 使用压变材料的装置
US7132922B2 (en) * 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
TWI299559B (en) 2002-06-19 2008-08-01 Inpaq Technology Co Ltd Ic substrate with over voltage protection function and method for manufacturing the same
KR100497121B1 (ko) 2002-07-18 2005-06-28 삼성전기주식회사 반도체 led 소자
FR2843756B1 (fr) 2002-08-26 2005-04-22 Commissariat Energie Atomique Procede de soudage d'une surface polymere avec une surface conductrice ou semi-conductrice et ses applications
EP2399970A3 (en) 2002-09-05 2012-04-18 Nanosys, Inc. Nanocomposites
JP3625467B2 (ja) 2002-09-26 2005-03-02 キヤノン株式会社 カーボンファイバーを用いた電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6709944B1 (en) 2002-09-30 2004-03-23 General Electric Company Techniques for fabricating a resistor on a flexible base material
EP1588385B1 (en) 2002-12-26 2008-05-14 Showa Denko K.K. Carbonaceous material for forming electrically conductive material and use thereof
US7132697B2 (en) * 2003-02-06 2006-11-07 Weimer Alan W Nanomaterials for quantum tunneling varistors
US6981319B2 (en) 2003-02-13 2006-01-03 Shrier Karen P Method of manufacturing devices to protect election components
US20040211942A1 (en) 2003-04-28 2004-10-28 Clark Darren Cameron Electrically conductive compositions and method of manufacture thereof
KR100776912B1 (ko) * 2003-06-25 2007-11-15 주식회사 엘지화학 리튬 이차 전지용 고용량 부극재
DE102004049053A1 (de) 2003-10-11 2005-05-04 Conti Temic Microelectronic Leitungsträger mit einer Funkenstrecke zum Überspannungsschutz zwischen zwei elektrischen leitfähigen Gebieten auf einem Leitungsträger
US7141184B2 (en) 2003-12-08 2006-11-28 Cts Corporation Polymer conductive composition containing zirconia for films and coatings with high wear resistance
US7557154B2 (en) * 2004-12-23 2009-07-07 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polymer compositions, method of manufacture, and articles formed therefrom
WO2005067684A2 (en) 2004-01-07 2005-07-28 Silicon Pipe, Inc. Insulating substrate for ic packages having integral esd protection
US7279724B2 (en) 2004-02-25 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection
ATE403935T1 (de) 2004-04-06 2008-08-15 Abb Research Ltd Elektrisches nichtlineares material für anwendungen mit hoher und mittlerer spannung
US7064353B2 (en) 2004-05-26 2006-06-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED chip with integrated fast switching diode for ESD protection
US20050274455A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Extrand Charles W Electro-active adhesive systems
US7002217B2 (en) * 2004-06-12 2006-02-21 Solectron Corporation Electrostatic discharge mitigation structure and methods thereof using a dissipative capacitor with voltage dependent resistive material
US7541509B2 (en) * 2004-08-31 2009-06-02 University Of Florida Research Foundation, Inc. Photocatalytic nanocomposites and applications thereof
US7218492B2 (en) 2004-09-17 2007-05-15 Electronic Polymers, Inc. Devices and systems for electrostatic discharge suppression
KR100576872B1 (ko) 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
WO2006124055A2 (en) 2004-10-12 2006-11-23 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US7567414B2 (en) * 2004-11-02 2009-07-28 Nantero, Inc. Nanotube ESD protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
CN101069296B (zh) 2004-11-30 2010-10-13 Nxp股份有限公司 用于电热可编程器件的电介质反熔丝及其制造方法
US20060152334A1 (en) 2005-01-10 2006-07-13 Nathaniel Maercklein Electrostatic discharge protection for embedded components
US7368045B2 (en) 2005-01-27 2008-05-06 International Business Machines Corporation Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow
US7579397B2 (en) * 2005-01-27 2009-08-25 Rensselaer Polytechnic Institute Nanostructured dielectric composite materials
CN101189365B (zh) 2005-02-16 2015-09-16 三米拉-惜爱公司 印刷电路板的基本连续的嵌入瞬时保护层
TWI389205B (zh) 2005-03-04 2013-03-11 Sanmina Sci Corp 使用抗鍍層分隔介層結構
KR100775100B1 (ko) 2005-03-16 2007-11-08 주식회사 엘지화학 절연막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는 절연막, 및 이를포함하는 전기 또는 전자 소자
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
US7923844B2 (en) 2005-11-22 2011-04-12 Shocking Technologies, Inc. Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
US20070116976A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Qi Tan Nanoparticle enhanced thermoplastic dielectrics, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same
US7435780B2 (en) 2005-11-29 2008-10-14 Sabic Innovavtive Plastics Ip B.V. Poly(arylene ether) compositions and methods of making the same
KR100698087B1 (ko) * 2005-12-29 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US7492504B2 (en) * 2006-05-19 2009-02-17 Xerox Corporation Electrophoretic display medium and device
KR20090045213A (ko) 2006-07-29 2009-05-07 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 고 종횡비 입자를 갖는 전압 절환형 유전체
US20080047930A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Graciela Beatriz Blanchet Method to form a pattern of functional material on a substrate
CN101595535A (zh) 2006-09-24 2009-12-02 肖克科技有限公司 利用电压可切换电介质材料和光辅助进行电镀衬底器件的技术
US7872251B2 (en) 2006-09-24 2011-01-18 Shocking Technologies, Inc. Formulations for voltage switchable dielectric material having a stepped voltage response and methods for making the same
DE102006047377A1 (de) 2006-10-06 2008-04-10 Robert Bosch Gmbh Elektrostatischer Entladungsschutz
EP1990834B1 (en) 2007-05-10 2012-08-15 Texas Instruments France Local integration of non-linear sheet in integrated circuit packages for ESD/EOS protection
US7793236B2 (en) * 2007-06-13 2010-09-07 Shocking Technologies, Inc. System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices
US7708912B2 (en) * 2008-06-16 2010-05-04 Polytronics Technology Corporation Variable impedance composition
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
CN102576586B (zh) * 2009-09-30 2015-06-03 株式会社村田制作所 Esd保护器件及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050057867A1 (en) 2002-04-08 2005-03-17 Harris Edwin James Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
US20060291127A1 (en) 2005-06-27 2006-12-28 Hee-Man Kim Device to protect against a surge voltage and an electronic apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20100243302A1 (en) 2010-09-30
TW201110833A (en) 2011-03-16
KR20120030038A (ko) 2012-03-27
WO2010110909A1 (en) 2010-09-30
EP2412212A1 (en) 2012-02-01
CN102550132A (zh) 2012-07-04
US8968606B2 (en) 2015-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101679099B1 (ko) 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자
US9320135B2 (en) Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
CN100568658C (zh) 用于静电放电抑制的装置和***
JP6860718B2 (ja) Ｅｓｄ保護のための垂直スイッチング構成
US7593203B2 (en) Selective deposition of embedded transient protection for printed circuit boards
WO2001080387A2 (en) Over-voltage protection for electronic circuits
JP2011517138A (ja) 縦型スイッチング構成において電圧で切替可能な誘電体材料の埋込層を用いる基板デバイスまたはパッケージ
JP4418177B2 (ja) 高電圧ｂｇａパッケージ用ヒートスプレッダーの製造方法
WO2013070806A1 (en) Voltage switchable dielectric material formations and supporting impedance elements for esd protection
US9609741B1 (en) Printed circuit board and electronic apparatus
KR20170141039A (ko) 기판 및 그 제조방법
TWI497538B (zh) 過電壓抑制器
KR102576106B1 (ko) 과전압 보호소자
WO2023278303A1 (en) Embeddable electrically insulating thermal connector and circuit board including the same
CN112997261A (zh) 表面可移动的正温度系数装置及其制造方法
KR20200045766A (ko) 과전압 보호용 복합소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 4