JP4397972B2 - 過渡電圧保護素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、電気装置を保護する装置およびその製造方法に関係し、前記装置は、一般に”サージ保護”装置または”過渡電圧抑制”装置と呼ばれる。過渡電圧保護素子は、今日の技術社会が高電圧に依存するのに応じて、常に増加する電気装置を保護する必要に応じて開発されてきた。電気的過渡電圧は、例えば、静電放電、または、人間の接触によって伝播する過渡電流によって生じる恐れがある。過渡電圧保護素子を代表的に使用する電気装置の例は、電気通信システム、コンピュータシステムおよび制御システムを含んでいる。
【0002】
【背景技術】
過渡電圧保護技術における最新の発展は、例えば信号導体を接地導体に相互接続する、可変インピーダンスを有する材料の取り扱いに集中している。可変インピーダンス材料は、信号導体を通過する電圧および/または電流が、信号導体が接地されていない間、特定の範囲内にある場合、比較的高い抵抗値を示す(ここでは”オフ状態”と呼ぶ)。
【0003】
しかしながら、信号導体が、可変インピーダンス材料(および一般的に過渡電圧保護素子)が設計されたしきい値を超える電圧を受けると、可変インピーダンス材料の電気的特性は変化し、材料は比較的低インピーダンスを示すようになる(ここでは”オン状態”と呼ぶ)。このとき、信号導体が受けるパルスまたは過渡電圧は、接地導体に分岐し、パルスに関係する電圧は、パルスの持続時間中、比較的低電圧においてクランプされる。このようにして、信号導体に関係する回路網は保護される。
【0004】
可変インピーダンス材料は、電圧または電流パルスが消えた後、元に戻り、その高インピーダンス状態に戻る。このように、信号導体および関係する回路網は、パルスが終了した後すぐに通常の動作を続けることができる。
【0005】
しばしば“過大応力応答組成物”とも呼ばれる異なった種類の可変インピーダンス材料が、当該技術分野において知られている。これらの材料を、例えば、絶縁性樹脂としてもよい結合材料内にマトリックスとして縣濁された導体粒子および/または半導体粒子の混合物として作ることができる。これらの種類の材料の多数の例を、チルダーズ(Childers)に対する米国特許第5393596号明細書および第5260848号明細書と、シュリア(Shrier)に対する米国特許第4977357号明細書および第5068634号明細書と、マーチンズ(Martinez)に対する米国特許第5294374号明細書とを含む特許文献において見出すことができ、これらの開示内容は、本願明細書の内容に含まれる。
【0006】
スー(Xu)他に対する米国特許第5278535号明細書は、可変インピーダンス材料を使用する電気的過大応力パルス保護素子を開示している。特に、スー他は、コネクタのピンに重ねて貼り付ける薄い柔軟な薄膜を提供している。この薄膜は、電気的絶縁基板と、ピンを受ける開口が設けられたパッドの導体薄膜と、パッドに隣接した別個の接地片と、電気的絶縁カバーとを含む。電気的過大応答パルスに応答する複合材料は、パッドおよび接地片をブリッジするように配置される。
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、このスー他に対する特許は、例えば、プリント回路ボードに代表的に使用される種類の通常の樹脂材料からの基板の形成を含む、通常の半導体製造技術を使用してパルス保護素子を形成している。同様に、スー他は、エッチング技術を使用する導体素子の形成も記述しており、これも半導体製造において良く知られている。これらの技術は、薄膜金属導体と共に作用する場合には適当であるかもしれないが、本願人は、より厚い、例えば、1.27×10-2〜2.54×10-2mm(0.5−1.0ミル)以上程度の厚さを有する、信号および接地導体素子の製造時には、他の技術および材料がより望ましいと判断した。
【0008】
【課題を解決するための手段】
可変インピーダンス材料を満たすべき、信号導体と接地導体との間の間隙を形成する場合、本出願人は、間隙寸法の再現精度が、商業的に望ましい製品の製造に重要であることを見出している。間隙寸法の精度は、素子の電気的特性、例えば、トリガ電圧、クランプ電圧および電流密度が、ある程度、間隙の寸法および形状によって決定されるため、重要である。
【0009】
したがって、信号導体と接地導体との間の間隙を高度の精度で形成する、過渡電圧保護素子を製造する新たな技術を開発することが望ましく、精度が製造環境において再現可能であり、さらに、技術が、結果として得られる過渡電圧保護素子が市場価格におけるコスト原理において競争できないほど、高価ではないことが望ましい。同時に、このような素子を製造するのに使用する材料を最適化して、これらの目的を達成することが望ましい。
【0010】
本発明の好適実施形態によれば、例えば、接地導体と、少なくとも1つの他の導体とを有する過渡電圧保護素子を製造する方法は、基板を準備するステップと、導体層を前記基板上に形成するステップと、前記基板上の導体層をダイシングし、前記導体層を少なくとも前記接地導体と前記少なくとも一つの他の導体とに分離する間隙を形成するステップとを含む。基板を、セラミック材料、またはFR−4のような非セラミック材料で形成することができる。セラミック材料を基板に使用した場合、このようなセラミック材料が、3.8g/cm3程度より低い密度を有することが望ましい。例えば、フォルステライトおよびホウ珪酸カルシウムが、2つのこのようなセラミック材料である。間隙を形成するダイシングを、例えば、好適には5ミクロンを超えないサイズの、例えば、ダイヤモンド粒子を有するダイヤモンド・ダイシングソーを使用して行うことができる。
【0011】
本発明の他の好適な実施形態によれば、過渡電圧保護素子は、3.8g/cm程度より低い密度を有するセラミック基板と、前記セラミック基板上に、実質的に同一平面上で互いに間隙によって分離されるように形成された接地導体および少なくとも1つの他の導体と、前記間隙内に、前記接地導体および少なくとも1つの他の導体の双方と接触して設けられた可変インピーダンス材料とを具える。前記セラミック基板は、好適には、3.5g/cm3より低いかさ密度を有し、最適には、3.0g/cm3より低いかさ密度を有する。特に、本出願人は、2.8g/cm3のかさ密度を有するフォルステライト(2MgSiO2)と、2.5g/cm3のかさ密度を有するホウ珪酸カルシウムとを、本発明による基板に好適な材料として認識している。本発明によってセラミック材料またはガラスをベースとした材料を選択することによって、接地導体と信号導体との間の間隙を、所望の寸法で、良好なエッジの鋭さで、精密に形成することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明による好適な実施形態を図1Aおよび1Bにおいて示し、これらの図を以下に使用する用語の説明に使用する。図1Aおよび1Bは、個別の過渡電圧保護素子、すなわち、回路ボードの一部として使用される過渡電圧保護素子を示すが、本発明の他の用途は、例えば、本発明による過渡電圧保護素子をコネクタの一部として使用することが考えられる。この個別の過渡電圧保護素子は、上部に導体12および14が形成された基板10を含む。この例において、導体12を接地導体とし、導体14を信号または電力の伝送導体とする。間隙16を導体12と導体14との間に形成する。図1Aは、間隙が基板10の表面に延在するように示すが、本発明の好適な実施形態では、間隙が基板内に延在するものをも含んでいる。上述したように、過渡電圧保護素子の電気的特性は、ある程度、間隙16が形成される精度に依存する。したがって、間隙16に関係するエッジ18および20の深さ、幅および均一性(ここでは”エッジ鋭さ”と呼ぶ)の精度を、以下に説明する技術によって、慎重に制御する。
【0013】
図1Bは、図1Aの過渡電圧保護素子を示し、ここでは、可変インピーダンス材料22が間隙16を満たす。本発明によれば、上記で取り入れた特許明細書によって説明される材料や、誘電性ポリマ、ガラス、セラミックまたはこれらの複合材によって形成された材料を含む、どのような既知の可変インピーダンス材料を使用してもよい。これらの材料は、例えば、所望の電気的特性を与えるために、導体粒子および/または半導体粒子を含んでもよく、またはこれらと混合してもよい。どのような可変インピーダンス材料を使用することもできるが、現在好適な可変インピーダンス材料は、SurgXコーポレーションによって製造され、SurgXによってフォーミュレイション(Formulation)#F1−6Bとして識別されるものである。
【0014】
本発明による好適な個別の過渡電圧保護素子の構造を簡単に説明するために、過渡電圧保護素子を製造する方法を、ここで図2A〜2Fを参照して説明する。多くのこのような素子を、一枚のウェハ上に製作することができる。この方法は、基板ウェハ30のための好適な材料の選択によって開始する。図2Aにおいて簡単にするために矩形として示したが、当業者は、ウェハ製造業者によって与えられるウェハの形状が変化してもよく、例えば円形であってもよいことを理解するであろう。
【0015】
本出願人は、ダイシングによる間隙の形成が、導体間に所望の精度で寸法付けられた間隙を形成する好適な技術であることを見出していることから、セラミック材料またはガラスをベースとする材料が、基板30に適している。本発明は、いかなるすべてのセラミック材料およびガラスをベースとする材料をも考慮しているが、特定のセラミック材料およびガラスをベースとする材料が、製造の視点から最適であることがわかっている。特に、ダイヤモンド・ダイシングソーが間隙を、(1)十分なエッジ鋭さで、(2)ダイシングソーが経済的に許容しがたいほど急速に磨り減ることなく、形成することができる、十分に低い密度を有するセラミック材料およびガラスをベースとする材料を選択すべきである。
【0016】
これらの実験に基づいて、本出願人は、好適なセラミック材料および/またはガラスをベースとした材料は、3.8g/cm3より低く、好適には3.5g/cm3より低く、最適には3.0g/cm3より低い密度を有することを見出している。特に、本出願人は、2.8g/cm3のかさ密度を有するフォルステライト(2MgSiO2)と、2.5g/cm3のかさ密度を有するホウ珪酸カルシウムとを、本発明による基板に適した材料として認識している。しかしながら、当業者は、どのようなセラミック、例えば、三元系MgO−Al2O3−SiO2系内の材料または同様の特性を有する材料、または、十分低いかさ密度を有し、他の点でダイシングを行いやすいガラス複合材を、本発明による基板として使用できることを理解するであろう。
【0017】
好適な基板30を選択した後の次のステップは、基板を金属化でパターン化することである。結果を図2Bに示す。個別の過渡電圧保護素子を製造するこの好適な実施形態において、金属化は、基板30において領域34だけ間隔を置いて延在するライン32の形態を取ることができる。本発明の好適な一実施形態によれば、金属化ライン32を、銀パラジウムの基板30へシルクスクリーニングによって形成することができる。もちろん、当業者は、例えば、銅、金、ニッケル等を含む他の導体材料を使用できることを理解するであろう。
【0018】
ライン32の幅および厚さを、形成すべき個別の過渡電圧保護素子に要求される性能に基づいて選択することができる。好適な一実施形態によれば、本出願人は、1.01mm(0.040インチ)程度の幅と、1.27×10-2〜2.54×10-2mm(0.〜1.0ミル)の厚さが良好な性能を与えることを見出しているが、当業者は、これらの値が単なる説明のためのものであることを理解するであろう。
【0019】
金属化を基板ウェハ30において形成した後、ダイシングを行い、導体間に間隙を形成し、基板ウェハ30を個々の個別の過渡電圧保護素子に分割する。上述したように、本出願人は、間隙の幅、深さおよびエッジ鋭さに関するその精度に関して、例えば、間隙をレーザで切断するといった、導体間の間隙を形成するのに使用できる他の技術よりもダイシングを選択した。間隙を切断し、ウェハ基板30を分割するのに使用できるダイヤモンド・ダイシング技術の詳細を以下に示す。
【0020】
2つの導体間に形成されたダイシングされた間隙を説明するために、ウェハ基板30の部分36から切り出した一個の個別素子を、図2Cに拡大して示す。この素子は、ウェハ基板30から、ウェハ基板30を水平に横切って領域34に沿ったダイシングと、金属化部32を垂直に横切ったダイシングとによって切り取られたものである。間隙40を、ウェハ基板30を部分的に通過し、金属化部32を完全に通過してダイシングすることによって、2つの別個の導体42および44が形成され、これらの一方を、プリント回路ボード(図示せず)に装着した場合、接地することができる。
【0021】
間隙40を、どのような所望の幅を持つようにもダイシングすることができ、例えば、1.27×10-2〜7.62×10-2mm(0.5〜3.0ミル)、好適には2.03×10-2〜2.79×10-2mm(0.8〜1.1ミル)、最適には2.54×10-2mm(1ミル)の幅を持つようにダイシングすることができる。当業者は、他の間隙幅を望むこともでき、例えば、間隙幅を増大し、クランプ電圧を上昇させるか、単に、製造をより簡単にすることもできることを理解し、これらのような変形例が本発明の範囲内であることを理解するであろう。次に過渡電圧保護素子を、各々の末端を導体材料46で覆うことによって成端することができる。
【0022】
次に間隙を、図2Dに示すように、可変インピーダンス材料48で満たす。上述したように、どのような既知の可変インピーダンス材料を使用することもできるが、現在好適な材料は、SurgXコーポレーションから入手でき、フォーミュレーション#F1−6Bとして識別されるものである。図2Dに示す好適な実施形態において、可変インピーダンス材料48の円形部分を用い、間隙40をブリッジすることができ、この部分は1.27mm(0.050インチ)程度のほぼ円形のフットプリントを有することができる。好適な一実施形態によれば、可変インピーダンス材料48を、間隙40に、注入器を使用し、材料が間隙40をほぼ完全に満たすように押し込める。可変インピーダンス材料48が各導体の間隙エッジ(すなわち、図1におけるエッジ18および20)の表面領域全体に実質的に接触することを保証するために、間隙40を、基板ウェハ30の表面より下にダイシングする。例えば、間隙は、金属化部を超えて基板ウェハ30内に0.127mm(0.005インチ)程度延在してもよい。
【0023】
ダイシングは、特に、間隙を形成できる精度の故に、可変インピーダンス材料を挿入する導体間の間隙を形成するのに好適な技術である。ダイシングは、削り取って開口を形成するように材料に圧縮力を加えることを含む。したがって、幅、深さおよびエッジ鋭さの見地から十分な精度で間隙を得るために、ダイシング動作のパラメータを慎重に選択すべきである。本発明の好適な実施形態によれば、図3に示すようなダイヤモンド・ダイシングソーを使用する。
【0024】
ダイシングソーは、ソーハブ50およびスピンドル52を有し、このスピンドル52においてソーブレード54が回転可能に支持されている。あるいはまた、ハブレスソーを使用することもできる。ソーブレード54を、例えば、2.54×10-2mm(1ミル)厚とすることができ、好適には、ニッケル粒子およびダイヤモンド粒子の溶液で電気メッキする。ダイヤモンド粒子のサイズは、削りくずのサイズに影響し、したがってエッジ鋭さに影響する。したがって、本出願人は、ダイヤモンド粒子を、好適には5ミクロン以下にすべきであることを見出している。他のダイシング・パラメータも、間隙の精度に影響する。特に、ハブ50を超えるブレード54の露出(図3における“E”)を最小にし、ブレードのふらつきと、間隙幅において関係する不正確さとを回避すべきである。さらに、ダイシングソーを通過する基板の送り込み速度と、ブレードのスピンドル速度とを、当業者には理解されるように、考慮すべきである。
【0025】
好適な実施形態を、プリント回路ボードに直接組み込むことができる個別の過渡電圧保護素子の見地から説明したが、当業者は、本発明をどのような物理的過渡電圧保護素子構造に用いることもできることを理解するであろう。例えば、複数の個別素子を大きいウェハから製造し、分割する、上述した製造ステップを使用し、いかなる種々の電気的コネクタ、例えば、RJタイプ(すなわち、電話)コネクタ、D−Subコネクタ(すなわち、多ピンコンピュータケーブルコネクタ)等と共に使用する、貫通孔電気的保護素子を製造することもできる。これらのような電気的保護素子は、当業者には理解されるように、形状/サイズおよび回路パターンにおけるバリエーションを除いて、すべての電気的コネクタにおいて、実質的に同様の構造的特徴を有するであろう。
【0026】
各コネクタに対して、コネクタに関係する素子を使用して、少なくとも1つのコネクタピンが素子の貫通孔を通過するのを可能にし、少なくとも1つの接地ピンが素子の少なくとも1つの接地貫通孔を通過するのを可能にし、素子の接地貫通孔は、他の貫通孔から、過電圧状態を受けるまで電気的に絶縁される。したがって、本発明のこの実施形態の一例として、RJ−11タイプコネクタ用の保護素子のみを、例示のために説明する。
【0027】
図4Aは、本発明の好適な実施形態によるRJ−11タイプコネクタ用過渡電圧保護素子を示す。ここで、セラミックまたはガラス・ベースの基板60は、上述したように、その上部にスクリーン処理された金属化層62を有する。しかしながら、この例示的な実施形態において、導体をパターン化して、素子を装着した場合、RJタイプコネクタのピンと嵌合する貫通孔を設ける。次に、図4Bに示すように、2つの間隙64および66を、基板60および金属化層62を通過してダイシングする。これは、貫通孔領域を取り囲む6個の導体部分が、中心導体“バス”68から離れていることの影響を受ける。次に、図4Cに示すように、導電材料70を、貫通孔(すなわち、RJ−11コネクタの接地ピン用の貫通孔)を取り囲む導体と、導体“バス”68との間に配置する。これは、導体“バス”68を、他の貫通孔領域に関係する導体の各々に隣接した接地面として確立する。他の実施形態を図4Dにおいて示す。この実施形態では、ピン、例えばピン67が、セラミック基板60に形成されたサドル、例えばサドル69と嵌合する。ピンとサドルとの間に安定した電気的接続および/または機械的接続を与えるために、ピンを、はんだパッチ71によって示されるように、サドルの金属化表面にはんだ付けすることができる。
【0028】
いずれの実施形態においても、可変インピーダンス材料74を、間隙64および66を含む領域上に設けて、間隙に押し込め、導体“バス”68と導体76〜84の各々との間に、過電圧および/または応答性の電気的接続を与え、導体の各々は、素子を装着するRJ−11コネクタの対応するピンと関係する。最後に、カプセル化材料86を与え、可変インピーダンス材料74を覆い、例えば、可変インピーダンス材料を保護し、他の回路網からの電荷が、可変インピーダンス材料の両端間に印加されるのを防ぐ。
【0029】
貫通孔を、領域72において、導体76〜84内に、穿孔、レーザマイクロマシーン処理、または、当業者によって知られている他の方法によって形成することができる。貫通孔のサイズは、個々のコネクタから延在するリードの直径に依存する。例えば、貫通孔の口径を、5.08×10-1mm(20ミル)から1.01mm(40ミル)の範囲とすることができるが、より代表的には7.62×10-1mm(30ミル)とする。図4Eに示す素子88と、過渡電圧抑制素子をピンまたはリードを有するコネクタとの接続において使用しようとする他の好適な実施形態とを、ピンまたはリードとの嵌合関係において搭載することができ、基板をコネクタのボディに、はんだ技術または他の付着技術を使用して固着させることができる。
【0030】
図5は、図2A〜2Dに示して説明した、本発明によって構成される素子を通過する電流と、素子の両端間の電圧とのグラフである。ここで、入力として、本出願人は、国際電気標準会議(IEC)によって指定される1000−4−2標準8kVパルスを用いた。この標準パルスは、電気回路網に人間の身体に関係する静電気の放電によって印加されるパルスをシミュレートしようとするものである。このグラフにおいて、上側の波形(I)は、グランドに流れる、過渡電圧保護素子によって伝導される電流を表し、下側の波形(V)は、試験中の過渡電圧保護素子の両端間の電圧示す。
【0031】
図5に示す特定の試験において、過渡電圧保護素子は188Vにおいてトリガした(すなわち、そのオン状態に入った)。パルスは41.3Vでクランプされ、ピーク電流は42.8Aであった。したがって、従来の過渡電圧保護素子と比較した場合、本発明によって構成された過渡電圧保護素子は、図5から、過渡電圧を、予測パルスの値よりかなり低い値に急速に制限することがわかる。さらに、本発明によって構成される過渡電圧保護素子は、比較的小さい漏れ電流と、小さいキャパシタンスとを示す。
【0032】
もちろん、本発明を、上述した以外の特定の形態において、本発明の趣旨から逸脱することなしに実現することができる。上述した実施形態は、単に説明的なものであり、限定的であるとみなすべきではない。例えば、間隙のダイシングを、ウェハの個々の素子への切断と同時に行うように説明したが、間隙のダイシングを、より後の段階において行うこともでき、すなわち、各々の素子に個別的に間隙を作ることもできる。さらに、上述した好適な実施形態は、セラミック基板およびガラスをベースとする基板に焦点を合わせたが、ダイシング技術を使用し、樹脂材料(例えば、FR−4)のような他の基板における導体間に間隙を形成することもできる。
【0033】
本発明の範囲は、上述した説明よりも請求の範囲によって決定され、請求の範囲に入るすべての変形例および均等例を、ここに含むとする。
【図面の簡単な説明】
【図1A】図1Aは、個別の過渡電圧保護素子の一部を示す図である。
【図1B】図1Bは、可変インピーダンス材料を含む図1Aの個別の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図2A】図2Aは、本発明の過渡電圧保護素子を形成する方法を説明するために、製造の種々の段階における個別の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図2B】図2Bは、本発明の過渡電圧保護素子を形成する方法を説明するために、製造の種々の段階における個別の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図2C】図2Cは、本発明の過渡電圧保護素子を形成する方法を説明するために、製造の種々の段階における個別の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図2D】図2Dは、本発明の過渡電圧保護素子を形成する方法を説明するために、製造の種々の段階における個別の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図3】図3は、本発明によって、導体間の間隙をダイシングするのに使用するダイアモンド・ダイシングソーを示す図である。
【図4A】図4Aは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図4B】図4Bは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図4C】図4Cは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図4D】図4Dは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図4E】図4Eは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図4F】図4Fは、コネクタに装着するのに適合した本発明の過渡電圧保護素子を示す図である。
【図5】図5は、本発明によって構成された素子の試験に関係する電流および電圧のグラフを示す図である。
Claims (4)
- 過渡電圧保護素子の製造方法において、
電子構成部品間に導体経路を形成する複数の導体ラインを基板上に形成する工程と、
前記複数の導体ラインの少なくとも1つに、前記導体ラインをダイシングソーにより切断することによって、7.62×10-2mm(3ミル)以下の間隙を形成する工程と、
前記間隙を純粋な未調合のポリマから成る可変インピーダンス材料で満たす工程とを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記間隙を2.54×10-2mm(1ミル)程度以下にすることを特徴とする方法。
- 過渡過電圧保護素子において、
電気的構成部品を接続する複数の導体ラインを有し、少なくとも1つの導体ラインに7.62×10-2mm(3ミル)以下の幅の間隙を有する基板を具え、
前記間隙を未調合のポリマから成る可変インピーダンス材料によって満たしたことを特徴とする過渡過電圧保護素子。 - 請求項3に記載の過渡過電圧保護素子において、前記間隙を2.54×10-2mm(1ミル)未満にしたことを特徴とする過渡過電圧保護素子。
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