JP2921722B2 - チップ型サージアブソーバ - Google Patents

チップ型サージアブソーバ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サージ電圧が発生する
可能性のある一般の電子機器の回路又はその他の箇所に
設けられ、サージ電圧による電子機器の故障及び誤動作
を回避する半導体サージ吸収素子を含むサージアブソー
バに関する。更に詳しくはプリント回路基板の表面に直
接実装するに適したチップ型サージアブソーバに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】サージアブソーバは、通常通信用電子機
器の電子部品の一対の入力線路にこの電子部品に並列に
接続され、電子部品の使用電圧より高い電圧で動作する
ように構成される。即ち、サージアブソーバはその動作
電圧より低い電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印
加電圧がその動作電圧以上のときには数10Ω以下の抵
抗値の低い抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサー
ジ電圧が瞬間的に印加されると、サージアブソーバが動
作し、サージ電圧を吸収する。これによりサージ電圧が
電子部品に印加されず、サージ電圧による電子機器の故
障や誤動作が回避される。
【0003】この種の半導体サージ吸収素子を用いたサ
ージアブソーバとして、表面実装方式のチップ型サージ
アブソーバが知られている。図3に示すように、例えば
このサージアブソーバ1はサイリスタ構造の1個の半導
体サージ吸収素子2と、このサージ吸収素子2の上下の
両電極面2a,2bに各一端を接続し各他端を互いに同
一平面上に位置するように形成した一対の電極板3,4
と、電極板3,4の各他端を露出した状態でサージ吸収
素子2を被包した樹脂体5とを備える。電極板3,4の
各他端が同一平面上に位置するため、このサージアブソ
ーバ1は基板6の表面に直接実装することができる。
【0004】一方、電話回線等の通信線のサージ吸収回
路では、上記一対の入力線路の間に1個のサージアブソ
ーバを接続して、一方の入力線路に印加されたサージ電
圧だけを吸収するだけでなく、他方の入力線路に印加さ
れたサージ電圧をも吸収できるように、複数個のサージ
アブソーバが用いられている。例えば、図4に示すよう
に、電子部品10に一対の入力線路8,9が接続する場
合、入力線路8とアースの間、及び入力線路9とアース
の間にそれぞれ前述したチップ型サージアブソーバ1が
接続される。また図5に示す場合、更に加えて入力線路
8,9間にチップ型サージアブソーバ1が接続される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来の単一の
半導体サージ吸収素子を内蔵するサージアブソーバを用
いてサージ吸収回路を構成した場合、図4又は図5に示
すサージ吸収回路では2個又は3個のサージアブソーバ
を基板上に実装しなければならない。基板に実装するサ
ージアブソーバの数が多くなると、基板に広い実装面積
と多くの実装工数を必要とする問題点を生じる。本発明
の目的は、サージ電圧の吸収を必要とする電子機器への
配線数が増大し、複数のサージ吸収素子を実装するとき
に、プリント回路基板への実装面積を広く必要とせず、
僅かな工数で実装できるチップ型サージアブソーバを提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、図1に示すように本願発明のチップ型サージアブソ
ーバ30は、中央に膨出部16aを有する第1電極板1
6と、この第1電極板16の両端上面にそれぞれ一方の
電極面11a,12aが接合された第1及び第2半導体
サージ吸収素子11,12と、第1サージ吸収素子11
の他方の電極面11bに一端が接合され他端が前記膨出
部16aと同一平面上に位置するように形成された第2
電極板17と、第2サージ吸収素子12の他方の電極面
12bに一端が接合され他端が膨出部16aと同一平面
上に位置するように形成された第3電極板18と、第3
電極板18の一端に一方の電極面13bが接合された第
3半導体サージ吸収素子13と、この第3サージ吸収素
子13の他方の電極面13aと第2電極板17の一端と
を接合する導電性部材14と、第1電極板16の膨出部
16aと第2電極板17の他端と第3電極板18の他端
とを露出した状態で第1、第2及び第3サージ吸収素子
11,12,13と前記導電性部材14とを被包した樹
脂体19とを備えたものである。
【0007】なお、図1に示したサージアブソーバは次
のように構成することもできる。即ち、第2電極板17
の一端に第3半導体サージ吸収素子13の一方の電極面
13bを接合し、第3サージ吸収素子13の他方の電極
面13aと第3電極板18の一端とを導電性部材14に
より接続する。この導電性部材14としては、銅線等の
ワイヤ又は銅板等の金属板を用いることができる。本発
明の半導体サージ吸収素子は、比較的小型でサージ耐量
の大きなシリコンサージ吸収素子が好ましい。シリコン
サージ吸収素子には双方向型、単方向型、逆阻止型があ
るが、小型化を考慮した場合双方向型シリコンサージ吸
収素子が好ましい。複数個のサージ吸収素子と複数枚の
電極板を接合して、この接合体を樹脂体で被包する方法
としては、サージ吸収素子と電極板とをはんだで接合し
た後、この接合体を所定の型枠に入れ、型枠に封止用樹
脂を注入した上、熱硬化して、最後に型枠を取除く方法
が好適である。樹脂としては、エポキン系樹脂が好まし
い。サージ吸収素子と電極板との接合は、通常はんだ付
けで行うが、導電性接着剤で接合してもよい。
【0008】
【作用】3個の半導体サージ吸収素子を3枚の電極板に
より一体化した後、樹脂モールドすることにより、各電
極板を表面に設けた3端子の単一のチップ型サージアブ
ソーバが作製される。この結果、複数のサージ吸収素子
を広いスペースを必要とせずに、また僅かな工数で実装
することができる。
【0009】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。本発明はこ
の実施例に限るものではない。図1に示すように、それ
ぞれ長さ約3mm、幅約3mm、厚さ約1mmの第1及
び第2双方向型半導体サージ吸収素子11及び12を用
意した。これらの素子11及び12はそれぞれシリコン
半導体で作られたサイリスタ構造をなす。これらの素子
11及び12の両面にはそれぞれ電極面11a,11b
及び12a,12bが形成される。これらの素子11及
び12を、中央に膨出部16aを有する断面形状が逆ハ
ット状の第1電極板16の両端上面にそれぞれ載せ、素
子11の一方の電極面11aと素子12の一方の電極面
12aを電極板16の両端上面にはんだ付けにより接合
した。これらの素子が接合された第1電極板16を図示
しない固定具により固定した後、第2電極板17の一端
の下面を素子11の他方の電極面11bに、また第3電
極板18の一端の下面を素子12の他方の電極面12b
にそれぞれはんだ付けにより接合した。第2及び第3電
極板17及び18はそれぞれ第1電極板16と同一幅を
有しかつサージ吸収素子と接合した状態でそれぞれ左右
対称になるように折曲げられる。また電極板17及び1
8の各他端は第1電極板16の膨出部16aと同一平面
上に位置するように形成される。次いで第3電極板18
の一端の上面に第1及び第2サージ吸収素子と同一構成
の第3サージ吸収素子13の一方の電極面13bをはん
だ付けで接合し、第3サージ吸収素子13の他方の電極
面13aと第2電極板17の一端の上面とをワイヤであ
る導電性部材14をボンディングすることにより接続し
た。
【0010】続いて、3個のサージ吸収素子11,12
及び13と3枚の電極板16,17,18及び導電性部
材14からなる接合体を、図示しない内寸が縦約5mm
×横約10mm×高さ約3mmの型枠に入れた後、型枠
内にエポキシ系樹脂を注入した。樹脂が硬化した後、型
枠を取除いて、サージアブソーバ30を得た。図1に示
すように、樹脂体19の両側面から底面にかけてそれぞ
れ端子電極A及びBが露出し、かつ樹脂体19の底面の
中央部に中間電極Cが露出するように、予め型枠は形成
される。端子電極A及びBは第2及び第3電極板17,
18の各他端に、中間電極Cは膨出部16aにそれぞれ
相応する。図2に示すように電子部品10に一対の入力
線路8,9が接続された回路にこのチップ型サージアブ
ソーバ30を接続した。図示しない基板に端子電極A及
びBと、中間電極Cを接続するだけで図5に示されるサ
ージ吸収回路と等価な回路を形成することができた。
【0011】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、表
面実装方式の単一のチップ型サージアブソーバに数個の
半導体サージ吸収素子を内蔵させ、かつその底面に両端
子電極と中間電極を露出させるようにしたため、例え
ば、電話回線等のサージ吸収回路のように2個或いは3
個のサージ吸収素子が必要となる場合でも、本発明のサ
ージアブソーバを1個実装するだけで済む。この結果、
従来のサージ吸収素子を複数個使用する場合に比べて、
基板上の部品実装面積を減少させることができるととも
に、部品実装の工数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例のチップ型サージアブソーバの
断面図。
【図2】そのサージアブソーバを用いた図4と等価なサ
ージ吸収回路図。
【図3】従来例のチップ型サージアブソーバの断面図。
【図4】通信回線のサージ吸収回路図。
【図5】通信回線の別のサージ吸収回路図。
【符号の説明】
10 電子部品 11 第1半導体サージ吸収素子 11a,11b 電極面 12 第2半導体サージ吸収素子 12a,12b 電極面 13 第3半導体サージ吸収素子 13a,13b 電極面 14 導電性部材 16 第1電極板 16a 膨出部 17 第2電極板 18 第3電極板 19 樹脂体 30 チップ型サージアブソーバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−211602(JP,A) 特開 昭62−287584(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央に膨出部(16a)を有する第1電極板
    (16)と、 前記第1電極板(16)の両端上面にそれぞれ一方の電極面
    (11a,12a)が接合された第1及び第2半導体サージ吸収
    素子(11,12)と、 前記第1サージ吸収素子(11)の他方の電極面(11b)に一
    端が接合され他端が前記膨出部(16a)と同一平面上に位
    置するように形成された第2電極板(17)と、 前記第2サージ吸収素子(12)の他方の電極面(12b)に一
    端が接合され他端が前記膨出部(16a)と同一平面上に位
    置するように形成された第3電極板(18)と、 前記第2又は第3電極板(17,18)の一端に一方の電極面
    (13a)が接合された第3半導体サージ吸収素子(13)と、 前記第3サージ吸収素子(13)の他方の電極面(13b)と前
    記第3又は第2電極板(18,17)の一端とを接続する導電
    性部材(14)と、 前記第1電極板(16)の膨出部(16a)と前記第2電極板(1
    7)の他端と前記第3電極板(18)の他端とを露出した状態
    で前記第1、第2及び第3サージ吸収素子(16,17,18)と
    前記導電性部材(14)とを被包した樹脂体(19)とを備えた
    チップ型サージアブソーバ。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69529677T2 (de) 1994-07-14 2004-03-25 Surgx Corp., Fremont Schutzstrukturen gegen veränderliche spannung und verfahren zur herstellung
US6064094A (en) * 1998-03-10 2000-05-16 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer
JP3764587B2 (ja) * 1998-06-30 2006-04-12 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6549114B2 (en) * 1998-08-20 2003-04-15 Littelfuse, Inc. Protection of electrical devices with voltage variable materials
US6366713B1 (en) 1998-09-04 2002-04-02 Tellabs Operations, Inc. Strictly non-blocking optical switch core having optimized switching architecture based on reciprocity conditions
US20100044079A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7825491B2 (en) * 2005-11-22 2010-11-02 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting device using voltage switchable dielectric material
US7695644B2 (en) 1999-08-27 2010-04-13 Shocking Technologies, Inc. Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US20100044080A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7446030B2 (en) * 1999-08-27 2008-11-04 Shocking Technologies, Inc. Methods for fabricating current-carrying structures using voltage switchable dielectric materials
WO2001017320A1 (en) 1999-08-27 2001-03-08 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
US6850662B1 (en) 2000-07-31 2005-02-01 Tellabs Operations, Inc. Optical switch for reciprocal traffic
US6363182B2 (en) 2000-07-31 2002-03-26 James D. Mills Optical switch for reciprocal traffic
US7183891B2 (en) * 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
DE10392524B4 (de) * 2002-04-08 2008-08-07 OTC Littelfuse, Inc., Des Plaines Vorrichtungen mit spannungsvariablem Material zur direkten Anwendung
US7132922B2 (en) * 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
WO2007062122A2 (en) * 2005-11-22 2007-05-31 Shocking Technologies, Inc. Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
US20100264225A1 (en) * 2005-11-22 2010-10-21 Lex Kosowsky Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
US7968014B2 (en) * 2006-07-29 2011-06-28 Shocking Technologies, Inc. Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US20080032049A1 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lex Kosowsky Voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
MY145875A (en) 2006-09-24 2012-05-15 Shocking Technologies Inc Formulations for voltage switchable dielectric material having a stepped voltage response and methods for making the same
US7793236B2 (en) * 2007-06-13 2010-09-07 Shocking Technologies, Inc. System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices
US8206614B2 (en) 2008-01-18 2012-06-26 Shocking Technologies, Inc. Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents
US8203421B2 (en) * 2008-04-14 2012-06-19 Shocking Technologies, Inc. Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration
US20100047535A1 (en) * 2008-08-22 2010-02-25 Lex Kosowsky Core layer structure having voltage switchable dielectric material
US9208930B2 (en) * 2008-09-30 2015-12-08 Littelfuse, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductive core shelled particles
US9208931B2 (en) * 2008-09-30 2015-12-08 Littelfuse, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles
US8362871B2 (en) * 2008-11-05 2013-01-29 Shocking Technologies, Inc. Geometric and electric field considerations for including transient protective material in substrate devices
US8106502B2 (en) * 2008-11-17 2012-01-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with plated pad and method of manufacture thereof
US9226391B2 (en) 2009-01-27 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8272123B2 (en) 2009-01-27 2012-09-25 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
WO2010110909A1 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Shocking Technologies, Inc. Components having voltage switchable dielectric materials
US9053844B2 (en) * 2009-09-09 2015-06-09 Littelfuse, Inc. Geometric configuration or alignment of protective material in a gap structure for electrical devices
US9320135B2 (en) 2010-02-26 2016-04-19 Littelfuse, Inc. Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
US9082622B2 (en) 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials
US9224728B2 (en) 2010-02-26 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
JP2011228208A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 心線保護方法
JP5652465B2 (ja) * 2012-12-17 2015-01-14 Tdk株式会社 チップバリスタ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4600960A (en) * 1979-09-17 1986-07-15 General Semiconductor Industries, Inc. Four terminal pulse suppressor
JPS63211602A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 日本電気株式会社 三端子型バリスタ
US5075759A (en) * 1989-07-21 1991-12-24 Motorola, Inc. Surface mounting semiconductor device and method
US5150271A (en) * 1990-08-21 1992-09-22 Texas Instruments Incorporated Telecommunication equipment protector

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Publication number Publication date
US5416662A (en) 1995-05-16
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