KR101383931B1 - 광 흡수 금속 나노입자층을 갖는 표시장치 - Google Patents

광 흡수 금속 나노입자층을 갖는 표시장치 Download PDF

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Abstract

광 흡수층을 포함하는 표시장치가 개시되는데, 상기 광 흡수층은 매트릭스 재료(matrix material) 내에 금속 나노입자들을 포함한다. 적합한 매트릭스 재료(matrix material)들은 유기 물질들, 무기 물질들, 중합체 물질들, 그리고 이들의 조합들을 포함한다. 금속 나노입자들은 다양한 규칙적 그리고/또는 불규칙적인 형상들, 그리고/또는 2차원 또는 3차원 구조들을 가질 수도 있다. 금속 나노입자들은 약 2 내지 약 20 nm 범위의 입자 크기를 가질 수도 있다. 실시예들에서, 나노입자들의 입자 크기 분포는 +/-75%를 초과하지 않는다. 광 흡수층은 2개 이상의 개별적인 광 흡수층들을 포함하는 다층 배열을 가질 수도 있다. 광 흡수층(들)은 표시장치에서 주변 광의 반사를 감소시킨다.
광 흡수층, 금속 나노입자, OLED

Description

광 흡수 금속 나노입자층을 갖는 표시장치{Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers}
도 1은 음극과 발광 영역 사이에 배치된 광 흡수층을 포함하는 표시장치의 횡단면도이다.
도 2는 양극과 발광 영역 사이에 배치된 광 흡수층을 포함하는 표시장치의 횡단면도이다.
도 3은 제1 전극 또는 제2 전극이 광 흡수층을 포함하는 표시장치의 횡단면도이다.
도 4는 광 흡수층을 포함하는 음극을 갖는 표시장치의 횡단면도이다.
도 5는 전극들의 외측에 위치한 광 흡수층을 포함하는 표시장치의 횡단면도이다.
도 6은 광 흡수층이 발광 영역의 일부인 표시장치의 횡단면도이다.
도 7은 다층 광 흡수층을 포함하는 표시장치의 횡단면도이다.
본 발명은 다양한 실시예들에서 광 흡수층들을 포함하는 표시장치들에 관한 것이다. 광 흡수층들은 매트릭스 재료(matrix material) 내에 금속 나노입자들을 포함한다. 광 흡수층들은 유기 발광 소자들 (OLEDs)을 특별히 참조하여 설명되지만, 금속 나노입자들을 포함하는 광 흡수층들은 다른 유사한 적용들 및 표시장치들에 적합하다는 것이 이해될 것이다.
유기 발광 소자들(Organic light emitting devices: OLEDs)은 표시기 적용들을 위한 전도유망한 기술을 나타낸다. 전형적인 유기 발광 소자는 제1 전극; 하나 이상의 전계발광 유기 물질(들)을 포함하는 발광 영역; 그리고 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 정공 주입 양극으로서 기능하고, 나머지 하나의 전극은 전자 주입 음극으로서 기능하며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 전면 전극이고, 나머지 하나는 후면 전극이다. 상기 전면 전극은 투명하고(또는 적어도 부분적으로 투명함), 반면에 상기 후면 전극은 보통 빛에 대하여 매우 높은 반사도를 가진다. 전압이 제1 전극과 제2 전극 간에 인가되면, 광은 투명한 전면 전극을 통하여 발광 영역으로부터 방출된다. 높은 주변 조명하에서 보면, 반사적인 후면 전극은 상당한 양의 주변 조명을 사용자에게 반사하는데, 이는 소자 자신의 방출에 비하여 반사된 조명이 더 높은 비를 가지게 되는 결과로 되며, 이에 따라 표시되는 영상이 소실되는 "워시아웃(washout)"을 초래할 수 있다.
일반적으로 전계발광 표시기들의 콘트라스트를 개선하기 위하여, 예를 들어, 미국 특허 번호 4,287,449에서 설명된 것과 같은 광 흡수층들, 또는 예를 들어, 미국 특허번호 5,049,780에서 설명된 것과 같은 광 간섭 부재들이 주변 조명 반사를 감소시키기 위하여 사용되었다.
공지된 유기 발광 소자들의 또 다른 문제는 낮은 일함수들을 갖는 금속들의 사용, 그러므로 음극들에서 높은 반응도로부터 일어난다. 그들의 높은 반응도로 인하여, 그러한 음극 물질들은 분위기 조건들에서 불안정하고 대기의 산소(O2) 및 물과 반응하여 비방출성의 어두운 스폿들(spots)을 형성한다. 예를 들어, Burrows 등, "Reliability and Degradation of Organic Light Emitting Devices," Appl. Phys. lett. Vol. 65, pp. 2922-2924 (1994)를 참고하라. 그러한 분위기 효과들을 감소하기 위하여, 유기 발광 소자들은, 예를 들어, 10 ppm 미만의 수분 분위기와 같은 엄격한 조건들 하에서, 제조후 즉시 전형적으로 밀봉된다.
표시장치들에서 주변 광의 반사를 감소시키는데 있어서 다른 최근의 발전들은, 예를 들어, 미국 특허 출원번호 10/117,812와 10/401,238에서 설명된 것과 같은 금속 유기 혼합층들에 집중되었다. 상기 미국 특허 출원번호 10/117,812는 미국 특허공개번호 2002/0180349로서 공개되고, 지금은 미국 특허번호 6,841,932로 공개되며, 상기 미국 특허출원번호 10/401,238은 미국 특허공개번호 2003/0234609로 공개되었다. 광 반사를 감소시키는 다른 방법들은 미국 특허번호 6,750,609에서 검토된다. 이들 출원들과 특허들은 전체가 여기에서 참조로서 결합된다.
본 출원에 관련될 수도 있는 다른 문서들은 다음을 포함한다: 미국 특허번호 4,652,794; 미국 특허번호 6,023,073; Liang-Sun Hung 등, "Reduction of Ambient Light Reflection in Organic Light-Emitting Diodes," Advanced Materials Vol. 13, pp. 1787-1790 (2001); Liang-Sun Hung 등, 미국 특허출원번호 09/577,092 (2000년 5월 24일에 출원); 유럽특허 1 160 890 A2 (상기 미국 출원번호 09/577,092에 근거한 우선권을 주장); 일본 공개특허문서 번호 8-222374 (공개일: 1996년 8월 30일); O.Renault 등, "A low reflectivity multilayer cathode for organic light-emitting diodes," Thin Solid Films, Vol. 379, pp.195-198 (2000); 국제특허공개번호 01/08240 A1; 국제특허공개번호 01/06816 A1; David Johnson 등, Technical Paper 33.3, "Contrast Enhancement of OLED Displays," http://www.luxell.com/pdfs/OLED tech ppr.pdf, pp. 1-3 (2001년 4월); Junji Kido 등, "Bright organic electroluminescent devices having a metal doped electron-injecting layer," Applied Physics Letters Vol. 73, pp.2866-2868 (1998); Jae-Gyoung Lee 등, "Mixing effect of chelate complex and metal in organic light-emitting diodes," Applied Physics Letters Vol. 72, pp.1757-1759 (1998); Jingsong Huang 등, "Low-voltage organic electroluminescent devices using pin structures," Applied Physics Letters Vol. 80, pp. 139-141 (2002); L.S.Hung 등, "Sputter deposition of cathodes in organic light emitting diodes," Applied Physics Letters, Vol. 86, pp. 4607-4612 (1999); 유럽특허 0 977 287 A2; 유럽특허 0 977 288 A2; Hany Aziz 등, "Reduced reflectance cathode for organic light-emitting devices using metal organic mixtures," Applied Physics Letters Vol. 83, pp. 186-188 (2003); 그리고 H.Michelle Grandin 등, "Light-Absorption Phenomena in Novel Low-Reflectance Cathodes for Organic Light-Emitting Devices Utilizing Metal-Organic Mixtures," Advanced Materials, Vol. 15, No. 23, 2021-2024 (2003).
상기한 특허들, 출원들, 그리고 논문들의 모든 개시들의 각각은 전체가 여기에서 참조로서 결합된다.
본 출원에 관련될 수 있는 다른 문서들은 지금은 포기된 미국 특허출원번호 09/800,716 (2001년 3월 8일 출원)에서 제출되었는데, 이들 문서들은 미국 특허번호 4,885,211; 미국 특허번호 5,247,190; 미국 특허번호 4,539,507; 미국 특허번호 5,151,629; 미국 특허번호 5,150,006; 미국 특허번호 5,141,671; 미국 특허번호 5,846,666; 미국 특허번호 5,516,577; 미국 특허번호 6,057,048; 미국 특허번호 5,227,252; 미국 특허번호 5,276,381; 미국 특허번호 5,593,788; 미국 특허번호 3,172,862; 미국 특허번호 4,356,429; 미국 특허번호 5,601,903; 미국 특허번호 5,935,720; 미국 특허번호 5,728,801; 미국 특허번호 5,942,340; 미국 특허번호 5,952,115; 미국 특허번호 4,720,432; 미국 특허번호 4,769,292; 미국 특허번호 6,130,001; Bemius 등, "Developmental progress of electroluminescent polymeric materials and devices," SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III, Denver, Colo., July 1999, SPIE, Vol. 3797, pp. 129-137; Baldo 등, "Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices," Nature Vol. 395, pp. 151-154 (1998); 그리고 Kido 등, "White light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, pp. L394-L396 (1996).
상기한 특허들, 출원들 그리고 논문들 모두는 완전한 형태로 참조로서 결합 된다.
표시장치들을 위한 광 흡수층에서의 사용에 적합한 조성들을 제공할 필요가 여전히 있다. 추가적으로, 표시장치에서의 사용을 위하여 적합한 광 흡수층들의 새로운 구성들을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 실시예들에서, 본 발명의 일 측면들은 표시장치를 포함하고, 상기 표시장치는, 음극; 양극; 상기 음극과 상기 양극 사이에 배치된 발광 영역; 그리고 금속 나노입자들(i), 그리고 유기 물질들, 무기 물질들, 중합체 물질들과 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 매트릭스 재료(matrix material)(ii)를 포함하는 광 흡수층을 포함하고, 상기 광 흡수층 내의 다수의 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 1 내지 약 30 nm 범위로서, 약 2 내지 약 20 nm 범위를 포함하고 상기 금속 나노입자들은 ±75%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가진다.
본 발명의 실시예들에서, 본 발명의 다른 측면은 표시장치를 포함하고, 상기 표시장치는, 제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 영역; 그리고 금속 나노입자들(i), 그리고 유기 물질들, 무기 물질들, 중합체 물질들과 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 매트릭스 재료(matrix material)(ii)를 포함하는 광 흡수층을 포함하고, 상기 금속 나노입자들은 약 10 nm를 포함하는 약 5 내지 약 15 nm 범위의 평균 입자 크기를 가진다.
본 발명의 실시예들에서, 본 발명의 또 다른 측면은 유기 발광 소자를 포함 하고, 상기 유기 발광 소자는, 양극; 음극; 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 발광 영역을 포함하고, 상기 음극은 광 흡수층은 포함하고, 상기 광 흡수층은 금속 나노입자들(i), 그리고 유기 물질들, 무기 물질들, 중합체 물질들과 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 매트릭스 재료(matrix material)(ii)를 포함하고, 상기 다수의 금속 나노입자들은 ±25%를 포함하며 ±50%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가진다.
본 발명은 광 흡수층을 포함하는 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 표시장치는 일반적으로 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광 영역, 그리고 광 흡수층(LAL:Light-Absorbing Layer)을 포함한다. 상기 광 흡수층은 매트릭스 재료(matrix material) 내에 금속 나노입자들을 포함한다. 상기 광 흡수층은 표시장치에서 어디든지 위치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층은 제1 전극과 발광 영역 사이; 제2 전극과 발광 영역 사이에 제1 전극의 일부로서; 제2 전극의 일부로서; 발광 영역의 일부로서 배치될 수도 있고, 혹은 제1 전극과 제2 전극 중 하나의 외측에 위치될 수도 있다. 표시장치는 다수의 광 흡수층들을 포함할 수도 있다. 다수의 광 흡수층들을 포함하는 표시장치에서, 상기 광 흡수층들은 표시장치를 위하여 적합한 하나 이상의 다른 층들에 의하여 분리될 수도 있다. 선택적으로, 다수의 광 흡수층들이 서로 접촉하는, 즉, 적층 배열되거나 상기 다수의 광 흡수층들이 하나 이상의 층들에 의하여 분리되는 광흡수 영역을 상기 다수의 광 흡수층들이 형성하는 것으로 생각될 수 있다.
본 발명의 목적을 위하여, 다음의 정의들이 적용가능하다. 달리 지적되지 않으면, "층"이란 용어는 i) 성분들의 농도와 ii) 각각의 조성들을 형성하는 성분들 중 적어도 하나의 견지에서 인접한 층의 조성과 다른 조성을 갖는 단일 코팅을 말한다. 예를 들어, 인접한 층들이 동일한 성분들을 가지지만 다른 농도들을 가진 조성들로부터 형성되면, 이들 인접 층들은 별도의 층들로 간주될 것이다. 여기에서 사용된 "광 흡수층"이란 용어는 특별한 광흡수 영역(region) 또는 구역(zone)을 정의하는 하나의 광 흡수층 또는 다수의 광 흡수층들 양자를 포함한다. "영역(region)"이란 용어는 단일층, 2,3,4,5 또는 그 이상의 층들과 같은 다수의 층들, 그리고/또한 하나 이상의 "구역들(zones)"을 말한다. 예를 들어, 전하 수송 구역(즉, 정공 수송 구역과 전자 수송 구역), 발광 구역, 그리고 광 흡수구역에 대해서처럼, 여기에서 사용된 "구역(zone)"이란 용어는 단일층, 다수의 층들, 단일 기능 영역(area), 혹은 다수의 기능 영역들을 말한다. "발광 영역(light emitting region)"과 "발광 영역(luminescent region)"이 상호교환적으로 사용된다.
여기에서 개시된 공정들과 장치들의 보다 완전한 이해는 첨부한 도면들을 참조하여 얻어질 수 있다. 이들 도면들은 편의와 현재의 개발을 나타내는 용이함에 근거하는 단지 도식적인 표시들이고, 그러므로 이들 도면들은 표시장치들 또는 그의 성분들의 상대적인 크기와 치수들을 나타내기 위한 것은 아니고 그리고/또한 예시적인 실시예들의 범위를 정의하거나 한정하기 위한 것도 아니다.
명확성을 위하여 특정 용어들이 다음의 설명에서 사용되었지만, 이들 용어들은 도면들에서 예시를 위하여 선택된 실시예들의 특별한 구조만을 가리키기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 정의하거나 한정하기 위한 것은 아니다. 도면들과 다음의 설명에서, 같은 참조번호들은 같은 기능을 가진 성분들을 가리키는 것으로 이해될 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따르는 광 흡수층을 포함하는 표시장치들의 몇몇 예시적인 실시예들을 설명한다. 도 1을 참조하면, 유기 발광 소자(110)는 양극(120), 발광 영역(130), 음극(150), 그리고 음극(150)과 발광 영역(130) 사이에 배치된 광 흡수층(140)을 포함한다.
도 2를 참조하면, 유기 발광 소자(210)는 양극(220), 발광 영역(240), 음극(250), 그리고 양극(220)과 발광 영역(240) 사이에 배치된 광 흡수층(230)을 포함한다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 소자(310)는 제1 전극(320), 발광 영역(330), 그리고 제2 전극(340)을 포함한다. 제1 전극과 제2 전극은 양극 또는 음극 중 하나일 수 있다. 추가적으로, 제1 또는 제2 전극들 중 하나는 본 발명에 따르는 광 흡수층을 포함한다.
도 4를 참조하면, 유기 발광소자(410)는 양극(420), 발광 영역(430), 그리고 음극(440)을 포함한다. 음극(440)은 광 흡수층(442)과 추가층(444)을 포함한다. 도 4에 도시된 소자와 같은 표시장치는 층(444)와 같은 하나 이상의 추가층들을 포함할 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 층(444)와 같은 추가층은, 예를 들어, 캡핑층(capping layer) 또는 캡핑 영역일 수 있다. 하나 이상의 그러한 추가층들을 포함하는 음극의 실시예들에서, 광 흡수층은 전자 주입 접촉으로서 작용한다. 광 흡수 층은 발광 영역(430)과 접촉하도록 형성된다.
도 5를 참조하면, 광 흡수층이 전극들의 외측에 위치하는 표시장치가 도시된다. 도 5에서, 유기 발광소자(510)는 제1 전극(520), 발광 영역(530), 제2 전극(540), 그리고 제2 전극(540)의 외측에 위치한 광 흡수층(550)을 포함한다. 제2 전극은 음극이나 양극 중 하나일 수도 있다.
도 6을 참조하면, 광 흡수층은 발광 영역의 일부로서 묘사된다. 도 6에서, 유기 발광 소자(610)는 제1 전극(620), 발광 영역(630), 그리고 제2 전극(640)을 포함한다. 발광 영역(luminescent region)(630)은 제1 전하 수송 구역(632), 발광 구역(light emitting zone)(634), 그리고 제2 전하 수송 구역(636)을 포함한다. 도 6에 도시된 것처럼, 제2 전하 수송구역(636)은 광 흡수층(636A)과 전하 수송층(636B)을 포함한다. 제1 전극은 음극 또는 양극 중 하나일 수 있고, 제2 전극은 음극 또는 양극 중 하나일 수 있다. 아울러, 제1 전하 수송 구역(632)은 정공 수송 구역(제2 전하 수송 구역이 전자 수송 구역) 또는 전자 수송 구역(제2 전하 수송 구역이 정공 수송 구역) 중 하나일 수 있다.
광 흡수층은 발광 영역 내부의 어디든지 위치될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 광 흡수층은 전자 수송 구역 또는 정공 수송 구역 내에 위치될 수 있다(그러므로 광 흡수층은 이들 구역의 일부로서 관측될 수 있고, 여기서 전자 수송 구역과 정공 수송 구역은 발광 영역을 포함하는 동일층, 또는 둘, 셋 이상의 층들의 기능적 영역들에 해당한다). 광 흡수층은 또한 전자 수송 구역과 발광 영역 사이에, 혹은 정공 수송 구역과 발광 영역 사이에 위치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 다층 광 흡수층을 포함하는 표시소자가 도시된다. 도 7에서, 유기 발광소자(710)는 제1 전극(720), 발광 영역(730), 광 흡수층(740), 그리고 제2 전극(750)을 포함한다. 제1 전극은 음극 또는 양극 중 하나일 수 있고, 제2 전극은 음극 또는 양극 중 하나일 수 있다. 광 흡수층 또는 광흡수영역(740)은 세 개의 독립적인 광 흡수층들(742, 744, 746)을 포함한다. 여기에서 사용된 것처럼, 인접한 광 흡수층들의 조성들이 광 흡수층들의 조성들 또는 그 층들 내에서 성분들의 농도들 또는 비율들 중 어느 하나의 관점에서 서로 다르면, 이들 인접한 광 흡수층들은 독립적인 것으로 여겨진다. 즉, 동일한 성분들, 즉, 동일한 금속 나노입자들과 매트릭스 재료(matrix material)를 갖는 인접한 광 흡수층들은 그 성분들이 각각의 층들에서 다른 농도 레벨들로 존재하면 독립적인 층들로 여겨질 것이다. 개시의 목적들을 위하여, 정확히 동일한 조성을 갖는 인접한 광 흡수층들은 하나의 광 흡수층으로 여겨질 것이다.
도면들에 도시되지는 않았지만, 도 1-7의 OLED들과 같은 표시소자는 제1 전극 또는 제2 전극 중 하나, 즉 양극 또는 음극 중 하나에 인접한 기판을 포함할 수도 있는 것으로 이해될 것이다. 실질적으로 투명한 기판은, 예를 들어, 중합체 성분들, 유리, 석영 등을 포함하는 다양한 적합 물질들을 포함할 수 있다. 적합한 중합체 성분들은 마이러(MYLAR®)와 같은 폴리에스테르들, 폴리카보네이트들, 폴리아크릴레이트들, 폴리메타아크릴레이트들, 폴리술폰들 등에 국한되지는 않지만 이들을 포함한다. 다른 적합한 물질들도 그들이 다른 층들을 효과적으로 지지할 수 있 고 소자의 기능적 성능과 간섭하지 않으면 선택될 수도 있다.
불투명한 기판은, 예를 들어, 마이러(MYLAR®)와 같은 폴리에스테르들, 폴리카보네이트들, 폴리아크릴레이트들, 폴리메타아크릴레이트들, 폴리술폰들 등과 같은 중합체 성분들을 포함하는 다양한 적합 물질들을 포함할 수 있고, 이들 중합체 성분들은 카본 블랙과 같은 착색제들이나 염료들을 함유한다. 기판은 또한 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 등과 같이 실리콘으로 구성될 수 있다. 기판에 이용될 수 있는 물질들의 또 다른 류는 금속 산화물, 금속 할라이드(halides), 금속 하이드록사이드, 금속 썰파이드 및 유사물들처럼, 금속 산화물들과 같은 세라믹들이다.
실시예들에서, 기판은, 예를 들어, 약 10 내지 5,000 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 기판은 약 25 내지 약 1,000 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
양극은 인듐 주석 산화물(ITO), 실리콘, 주석 산화물, 그리고 약 4 eV 내지 약 6 eV 범위의 일함수를 가지는 금속들과 같은 양전하 주입 물질들을 포함할 수 있고, 상기 금속들의 예들은 금, 백금, 그리고 팔라듐을 포함한다. 양극을 위한 다른 적합한 물질들은 이들에 국한되지는 않지만, 전기 전도성 탄소, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등과 같은 Π-공액 중합체가 있고, 이들 중합체들은 약 4 eV 이상, 보다 구체적으로는, 약 4 eV 내지 약 6 eV의 일함수를 갖는다. 실질적으로 투명한 양극은, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO), 매우 얇은 실질적으로 투명한 금속층들을 포함할 수 있고, 이들 금속층들은 약 4 eV 내지 약 6 eV 범위의 일함수를 갖는 금, 백금 등과 같은 금속을 포함하고, 예를 들어, 약 10 옹스트롬 내지 약 200 옹스트롬, 구체적으로는, 약 30 옹스트롬 내지 약 100 옹스트롬 범위의 두께를 가진다. 양극의 추가적인 적합한 형태들은 전체가 참조로서 여기에서 결합된 미국특허번호 4,885,211와 5,703,436에서 개시된다. 양극은 전체가 참조로서 여기에서 결합된 동시진행의 미국특허출원번호 10/117,812에서 개시된 것과 같은 금속-유기 혼합층(MOML:Metal-Organic Mixed Layer)을 또한 포함할 수 있다. 양극의 두께는 약 10 옹스트롬 내지 약 50,000 옹스트롬 범위를 가질 수 있고, 바람직한 범위는 양극 물질의 전기 및 광학적 상수들에 의존한다. 양극 두께의 한 예시적인 범위는 약 300 옹스트롬 내지 약 3,000 옹스트롬이다. 물론, 이 범위를 벗어난 두께도 사용될 수 있다.
음극은 약 4 eV 내지 약 6 eV 범위의 일함수를 갖는 금속들처럼 높은 일함수 성분들을 포함하는 금속들 또는 약 2 eV 내지 약 4 eV 범위의 일함수를 갖는 금속들처럼 낮은 일함수 성분들을 포함하는 금속들과 같은 적합한 전자 주입 물질들을 포함할 수 있다. 음극은 낮은 일함수(약 4 eV 미만) 금속과 적어도 하나의 다른 금속의 조합을 포함할 수 있다. 제2 또는 다른 금속에 대한 낮은 일함수 금속의 유효 분율들은 약 0.1 중량% 내지 약 99.9 중량%이다. 낮은 일함수 금속들의 실례들은 이들에 국한되지는 않지만, 리튬 또는 나트륨과 같은 알카리 금속, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘 또는 바륨과 같은 2A족 또는 알카리 토금속, 스칸듐, 이트륨, 란타늄, 세륨, 유로퓸, 테르븀 또는 악티늄과 같은 희토류 금속과 악티나이드 족 금속들을 포 함하는 III족 금속들을 포함한다. 음극을 형성하기 위한 적합한 물질들은 이들에 국한되지는 않지만 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 4,885,211, 4,720,432 그리고 5,703,436에서 개시된 Mg-Ag 합금 음극들을 포함한다. 다른 적합한 음극들은 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허출원번호 10/117,812와 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 5,429,884에서 개시된 것과 같은 금속-유기 혼합층(MOML)을 포함한다. 음극들은 알루미늄 및 인듐과 같은 다른 높은 일함수 금속들을 가진 리튬 합금들로부터 형성될 수 있다.
실질적으로 투명한 음극은 매우 얇은 실질적으로 투명한 금속층들을 포함할 수 있고, 이들 투명한 금속층들은 Mg, Ag, Al, Ca, In, Li 그리고 이들의 합금들과 같이 약 2 eV 내지 약 4 eV 범위의 일함수를 갖는 금속을 포함하고, 상기 합금들로는 예를 들어 약 80 내지 95 체적 %의 Mg와 약 20 내지 약 5 체적%의 Ag로 구성되는 Mg:Ag 합금과, 예를 들어, 약 90 내지 99 체적%의 Al과 약 10 내지 약 1 체적%의 Li으로 구성되는 Li:Al 합금 등이 있고, 이들은 약 10 옹스트롬 내지 약 200 옹스트롬 범위, 구체적으로 약 30 옹스트롬 내지 약 100 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다. 물론, 상기 범위 외의 두께도 사용될 수 있다.
실시예들에서, 상기 음극들은 하나 이상의 추가층들을 포함할 수도 있다. 상기 음극들의 하나 이상의 추가층(들)은 적어도 하나의 금속 그리고/또는 적어도 하나의 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 추가층(들)에 사용될 수 있는 적합한 예시 금속들은, 이들에 국한되지는 않지만, Mg, Ag, Al, In, Ca, Sr, Au, Li, Cr 그리고 이들의 혼합물들을 포함한다. 상기 추가층(들)에 사용될 수 있는 적합한 예시적 무 기 물질들은 이들에 국한되지는 않지만 SiO, SiO2, LiF, MgF2 그리고 이들의 혼합물들을 포함한다.
하나 이상의 추가층(들)은 서로 동일하거나 다른 기능들을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 음극의 하나 이상의 추가층들은 낮은 면저항(예를 들어, < 10 Ω/square)을 갖는 전도층을 형성하는 금속을 포함하거나 혹은 필수적으로 구성될 수 있다. 아울러, 상기 음극의 하나 이상의 추가층들은 MOML, 발광 영역 및 양극으로의 주변 수분의 침투를 방지하거나 적어도 감소시키는 보호층(예를 들어, 수분 장벽과 같은)을 형성하므로써 분위기로부터 상기 금속-유기 혼합층을 보호할 수 있다. 또한, 상기 음극의 하나 이상의 추가층들은 고온에서 소자를 단락으로부터 보호하는 열적 보호층으로서 작용할 수 있다. 예를 들어, 그러한 보호는 전체가 여기에서 참조로서 결합되는 2001년 1월 26일에 제출된 미국특허출원번호 09/770,154에서 보다 상세히 논의된 것처럼, 약 60 ℃ 내지 약 110 ℃ 범위의 온도에서 제공될 수 있다.
음극의 두께는 예를 들어 약 10 나노미터(nm) 내지 약 1,000 나노미터 범위를 가질 수 있다. 이 범위 밖의 두께 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 OLED들에서 사용되는 양극과 음극 각각은 단일층이거나 둘, 셋 이상의 층들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 전극은 전하 주입층(즉, 전자 주입층 또는 정공 주입층)과 캡핑층으로 구성될 수도 있다. 그러나, 실시예들에서, 상기 전자 주입층은 전극과는 별개인 것으로 여겨질 수도 있다.
전자 주입층은 매우 얇은 실질적으로 투명한 금속층들을 포함할 수 있는데, 이 금속층들은 Mg, Ag, Al, Ca, In, Li 그리고 이들의 합금들과 같이 약 2 eV 내지 약 4 eV 범위의 일함수를 갖는 금속으로 구성되고, 상기 합금들로는 예를 들어 약 80 내지 95 체적%의 Mg와 약 20 내지 약 5 체적%의 Ag로 구성되는 Mg:Ag 합금들과, 예를 들어, 약 90 내지 99 체적%의 Al과 약 10 내지 약 1 체적%의 Li으로 구성되는 Li:Al 합금들 등이 있고, 상기 전자 주입층은 약 10 옹스트롬 내지 약 200 옹스트롬 범위, 구체적으로는, 약 30 옹스트롬 내지 약 100 옹스트롬 범위의 두께를 가진다. 물론, 이들 범위들 외의 두께 또한 사용될 수 있다. 전자 주입층은 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 5,457,565; 5,608,287; 그리고 5,739,635에서 설명된 것처럼 산화물 또는 알카리 금속 화합물과 같은 매우 얇은 절연성 물질들을 포함할 수 있다.
정공 주입층은 인듐 주석 산화물(ITO), 실리콘, 주석 산화물, 그리고 약 4 eV 내지 약 6 eV 범위의 일함수를 가지는 금속들과 같은 적합한 양전하 주입 물질들로 구성될 수 있고, 상기 금속들의 예들은 금, 백금, 그리고 팔라듐이 있다. 정공 주입층을 위한 다른 적합한 물질들은 이들에 국한되지는 않지만, 전기 전도성 탄소, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등과 같은 Π-공액 중합체가 있고, 이들 중합체들은 약 4 eV 이상, 보다 구체적으로는, 약 4 eV 내지 약 6 eV의 일함수를 갖는다. 실질적으로 투명한 정공 주입 물질은 매우 얇은 실질적으로 투명한 금속층들로 구성될 수 있고, 이들 금속층들은 약 4 eV 내지 약 6 eV 범위의 일함수를 갖는 금, 백금 등과 같은 금속을 포함하고, 예를 들어, 약 10 옹스트롬 내지 약 200 옹스트롬, 일부 실시예들에서는, 약 30 옹스트롬 내지 약 100 옹스트롬 범위의 두께를 가진다. 물론, 이들 범위 외의 두께 또한 사용될 수 있다. 정공 수송층들의 추가적인 적합한 형태들은 전체가 참조로서 여기에서 결합된 미국특허번호 4,885,211와 5,703,436에서 개시된다.
양극 및/또는 음극 위의 캡핑층은 열적 안정성을 향상시키고, 환경 안정성을 높이며, 그리고/또는 다른 측면에서는 유기 발광 소자의 성능을 개선하기 위하여 포함될 수 있다. 유기 발광소자의 열적 안정성을 향상시키기 위하여 사용될 수 있는 캡핑층의 예는 SiO, SiO2, 또는 이들의 혼합물들로 구성되는 층이다. 다른 예들은 그의 개시가 여기에서 전체가 참조로서 결합된 미국특허번호 6,765,348과 6,614,175에서 개시된다. 유기 발광소자의 환경적 안정성을 높이기 위하여 사용될 수 있는 캡핑층의 예는 Ag, Al, In 또는 Au와 같은 안정한 금속으로 구성되는 층이다. 유기 발광소자의 환경적 안정성을 높이기 위하여 사용될 수 있는 캡핑층의 또 다른 예는 예를 들어 미국특허번호 5,059,861에서 설명된 것처럼 낮은 일함수 금속으로 구성되는 층이다. 캡핑층의 두께는, 예를 들어, 약 20 나노미터 내지 약 5,000 나노미터 범위이다. 실시예들에서, 이 두께는 50 나노미터 내지 500 나노미터 범위이다.
표시장치는 선택적으로 양극과 정공 수송층 사이에 버퍼층을 포함한다. 버퍼층은 주로 양극으로부터 정공들의 원하는 전하 주입을 성취하고 양극과 정공 수송층 사이의 부착을 개선하여, 소자의 동작 안정성을 개선하도록 기능한다. 버퍼층에 이용될 수 있는 적합한 물질들은, 예를 들어, 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 4,356,429에서 개시된 1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 구리 (II)와 같은 포피린(porphrin) 유도체들; 구리 프탈로시아닌, 구리 테트라메틸 프탈로시아닌; 아연 프탈로시아닌; 티타늄 산화물 프탈로시아닌; 마그네슘 프탈로시아닌 등과 같은 반도체 유기 물질들을 포함한다. 이들 혼합물들과 다른 적합한 물질들도 사용될 수 있다. 버퍼층에 사용될 수 있는 다른 적합한 물질들은, 예를 들어, MgO, Al2O3, BeO, BaO, AgO, SrO, SiO, SiO2, ZrO2, CaO, Cs2O, Rb2O, Li2O, K2O 및 Na2O와 같은 금속 산화물들; 그리고 LiF, KCl, NaCl, CsCl, CsF, 및 KF와 같은 금속 할라이드들과 같은 반도체성 및 절연성의 금속 화합물들을 포함한다. 상기 버퍼층은 약 1 nm 내지 약 10 nm 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 버퍼층을 위한 예시적인 두께 범위는 약 5 nm 내지 약 25 nm이다. 상기 버퍼층을 위한 또 다른 예시적인 두께 범위는 약 1 nm 내지 약 5 nm이다.
실시예들에서, 본 발명의 표시장치의 발광 영역은 적어도 하나의 전계발광 유기 물질을 포함한다. 상기 전계발광 물질은 임계적이지 않고 표시장치에서 전계발광 물질로서의 사용을 위하여 적합한 임의 물질일 수도 있다. 적합한 유기 전계발광 물질들은, 예를 들어, 폴리(p-페닐렌비닐렌) PPV, 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥시록시)1,4-페닐렌비닐렌) (MEHPPV) 그리고 폴리(2,5-디알콕시페닐렌비닐렌) (PDMeOPV), 그리고 전체가 참조로서 여기에서 결합된 미국특허번호 5,247,190에서 개시된 다른 물질과 같은 폴리페닐렌비닐렌류; 폴리(p-페닐렌)(PPP), 래더폴리-파 라-페닐렌 (LPPP), 그리고 폴리(테트라하이드로피렌) (PTHP)와 같은 폴리페닐렌류; 그리고 폴리(9,9-디-n-옥틸플루오렌-2,7-디일), 폴리(2,8-(6,7,12,12-테트라알킬인데노플루오렌)과 플루오렌-아민 공중합체들과 같은 플루오렌을 함유하는 공중합체들(Bemius 등, "Developmental progress of Electroluminescent Polymeric Materials and Devices," Proceedings of SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III, Denver, Colo., July 1999, Volume 3797, p. 129를 참고)과 같은 폴리플루오렌류를 포함한다.
발광 영역에 이용될 수 있는 유기 전계발광 물질들의 또 다른 류는, 이들에 국한되지는 않지만, 각각의 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국 특허 번호 4,539,507; 5,151,629; 5,150,006; 5,141,671 그리고 5,846,666에서 설명된 것처럼 금속 옥시노이드(oxinoid) 화합물들 포함한다. 실례들은 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄(AlQ3)과 비스(8-하이드록시퀴노라토)-(4-페닐페노라토)알루미늄 (BAlq)를 포함한다. 이런 류의 물질들의 다른 예들은 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)갈륨, 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트)마그네슘, 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트)아연, 트리스(5-메틸-8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄, 트리스(7-프로필-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 비스[벤조{f}-8-퀴놀리네이트]아연, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이트)베릴륨, 등, 그리고 비스(8-퀴놀린티오라토)아연, 비스(8-퀴놀린티오라토)카드듐, 트리스(8-퀴놀린티오라토)갈륨, 트리스(8-퀴놀린티오라토)인듐, 비스(5-메틸퀴놀린티오라토)아연, 트리스(5-메틸퀴놀린티오라토)갈륨, 트리스 (5-메틸퀴놀린티오라토)인듐, 비스(5-메틸퀴놀린티오라토)카드뮴, 비스(3-메틸퀴놀린티오라토)카드뮴, 비스(5-메틸퀴놀린티오라토)아연, 비스[벤조{f}-8-퀴놀린티오라토]아연, 그리고 유사류의 금속 티옥시노이드(thioxinoid) 화합물들과 같이 미국 특허번호 5,846,666(여기에서 참조로서 결합된)에서 개시된 금속 티옥시노이드 화합물들을 포함한다.
보다 구체적으로, 발광 영역에 사용될 수 있는 유기 전계발광 물질들의 류는 전체가 여기에서 참조로 결합된 미국 특허번호 5,516,577에서 개시된 것들과 같은 스틸벤 유도체들을 포함한다. 적합한 스틸벤 유도체의 비제한적인 예는 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐이다.
혼합 영역에서 사용될 수 있는 2극 수송 물질들의 류는, 예를 들어, 2-t-부틸-9,10-디-(2-나프틸)안트라센, 9,10-디-(2-나프틸)안트라센, 9,10-디-페닐 안트라센, 9,9-비스[4-(9-안트릴)페닐]플루오린, 그리고 9,9-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]플루오린과 같은 안트라센들을 포함한다. 다른 적합한 안트라센들은 미국특허출원번호 09/208,172(유럽특허 1009044 A2에 대응), 지금은 미국 특허번호 6,465,115에 개시된 것들, 미국 특허번호 5,972,247, 5,935,721에서 개시된 것들과, 미국특허출원번호 09/771,311, 지금은 미국특허번호 6,479,172에 개시된 것들이고, 이들 특허들의 개시들은 여기에서 참조로 결합된다.
발광영역에서의 사용을 위하여 적합한 유기 전계발광 물질들의 또 다른 류는 전체가 여기에서 참조로 결합된 미국특허출원번호 08/829,398에서 개시된 옥사디아졸 금속 킬레이트들이다. 이들 물질들은 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-페닐-1,3,4- 옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-페닐-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(1-나프틸)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(1-나프틸)-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[5-비페닐-2-(2-하이드록시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[5-비페닐-2-(2-하이드록시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스(2-하이드록시페닐)-5-페닐-1,3,4-옥사디아졸라토]리튬; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-p-토릴-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-p-토릴-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[5-(p-터트-부틸페닐)-2-(2-하이드록시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[5-(p-터트-부틸페닐)-2-(2-하이드록시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(3-플루오로페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(4-플루오로페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(4-플루오로페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[5-(4-클로로페닐)-2-(2-하이드록시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(4-메톡시페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시-4-메틸페닐)-5-페닐-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-u-(2-하이드록시나프틸)-5-페닐-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-p-피리딜-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-p-피리딜-1,3,4-옥사디아졸라토]베릴륨; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(2-티오페닐)-1,3,4-옥사디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-페닐-1,3,4-티아디아졸라토]아연; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-페닐-1,3,4-티아디아졸라토]베릴륨; 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(1-나프틸)- 1,3,4-티아디아졸라토]아연; 그리고 비스[2-(2-하이드록시페닐)-5-(1-나프틸)-1,3,4-티아디아졸라토]베릴륨 등과, 전체가 여기에서 참조로 결합된 2000년 1월 21일에 출원된 미국특허출원번호 09/489,144와 미국 특허번호 6,057,048에서 개시된 것들을 포함하는 트리아진들을 포함한다. 상기 발광영역은 약 0.01 중량% 내지 약 25 중량%의 발광물질을 도펀트로서 더 포함할 수 있다. 상기 발광영역에서 사용될 수 있는 도펀트 물질들의 예들은 쿠마린(coumarin), 디시아노메틸렌 피란(dicyanomethylene pyranes), 폴리메틴(polymethine), 옥사벤잔트란(oxabenzanthrane), 크산텐(xanthene), 피릴륨, 카보스틸(carbostyl), 페릴렌(perylene) 등과 같은 형광성 물질들이다. 형광성 물질들의 또 다른 적합한 류는 퀴나크리돈(quinacridone) 염료들이다. 퀴나크리돈 염료들의 실례들은 미국 특허번호 5,227,252; 5,276,381; 그리고 5,593,788 (이들 각각의 개시는 전체가 여기에서 참조로 결합된다)에서 개시된 것처럼, 퀴나크리돈, 2-메틸퀴나크리돈, 2,9-디메틸퀴나크리돈, 2-클로로퀴나크리돈, 2-플루오로퀴나크리돈, 1,2-벤조퀴나크리돈, N,N'-디메틸퀴나크리돈, N,N'-디메틸-2-메틸퀴나크리돈, N,N'-디메틸-2,9-디메틸퀴나크리돈, N,N'-디메틸-2-클로로퀴나크리돈, N,N'-디메틸-2-플루오로퀴나크리돈, N,N'-디메틸-1,2-벤조퀴나크리돈, 등을 포함한다. 도펀트들로서 사용될 수 있는 형광성 물질들의 또 다른 류는 접합 고리 형광 염료들(fused ring fluorescent dyes)이다. 적합한 접합 고리 형광 염료들의 예들은 여기에서 전체가 참조로서 결합된 미국 특허번호 3,172,862에서 개시된 것처럼 페릴렌(perylene), 루브린(rubrene), 안트라센(anthracene), 코로넨(coronene), 페난트라센(phenanthrecene), 피렌 (pyrene) 등을 포함한다. 추가적인 형광 물질들은 각각의 개시는 여기에서 참조로서 결합된 미국 특허번호 4,356,429와 5,516 577에서 개시된 것처럼 1,4-디페닐부타디엔과 테트라페닐부타디엔과 같은 부타디엔들, 그리고 스틸벤, 그리고 유사류들을 포함한다. 사용될 수 있는 형광 물질들의 다른 예들은 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국 특허번호 5,601,903에서 개시된 것들이다.
추가적으로, 발광영역에서 이용될 수 있는 발광 도펀트들은 미국특허번호 5,935,720(전체가 여기에서 참조로서 결합된)에서 개시된 형광 염료들로서, 이들 염료들의 예들로는, 4-(디시아노메틸렌)-2-1-프로필-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜(tetramethyljulolidyl)-9-에닐)-4H-피란 (DCJTB); 트리스(아세틸 아세토나토)(페난트롤린)테르븀, 트리스(아세틸 아세토나토)(페난트롤린)유로퓸, 그리고 트리스(테노일 트리스플루오로아세토나토)(페난트롤린)유로퓸, 그리고 전체가 여기에서 참조로서 결합된 Kido 등, "White light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes," Jpn. J. Appl. Phys., Volume 35, pp. L394-L396 (1996)에 개시된 것들과 같은 란타나이드(lanthanide) 금속 킬레이트; 그리고 예를 들어, 전체가 여기에 참조로서 결합된 Baldo 등의 "Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices", Letters to Nature, 395, pp 151-154 (1998)에서 개시된 것들과 같이, 강한 스핀-궤도 결합으로 이끌리며 중금속 원소를 함유하는 예를 들어 유기금속 화합물들과 같은 인광 물질들이다. 바람직한 예들은 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H23H-포르핀(phorpine) 백금(II) (PtOEP) 그리고 fac 트리스(2-페닐피리딘)이리듐 (Ir(ppy)3) 을 포함한다.
상기 발광 영역은 정공 수송 성질들을 갖는 하나 이상의 물질들을 포함할 수도 있다. 발광 영역에 이용될 수 있는 정공 수송 물질들의 예들은 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 5,728,801에서 개시된 것과 같은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜, 폴리아릴아민, 그리고 그들의 유도체들, 그리고 공지된 반도체성의 유기 물질들; 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 4,356,429에서 개시된 1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 구리 (II)와 같은 포피린 유도체들; 구리 프탈로시아닌; 구리 테트라메틸 프탈로시아닌; 아연 프탈로시아닌; 티타늄 산화물 프탈로시아닌; 마그네슘 프탈로시아닌 등이 있다.
상기 발광 영역에 사용될 수 있는 정공 수송물질의 특정 류는 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 4,539,507에서 개시된 것들과 같은 방향족 3차 아민들이다. 방향족 3차 아민들의 적합한 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄; N,N,N-트리(p-토릴)아민; 1,1-비스(4-디-p-토릴아미노페닐)시클로헥산; 1,1-비스(4-디-p-토릴아미노페닐)-4-페닐 시클로헥산; N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-메톡시페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N,N',N'-테트라-p-토릴-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N'-디-1-나프틸-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 ("NPB"); 이들의 혼합물들 등을 포함한다. 또 다른 류의 방향족 3차 아민들은 다핵 방향족 아민들이다. 이들 다핵 방향족 아민들의 예들은, 이 들에 국한되지는 않지만, N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-토릴아미노)-4-비페닐일]아닐린; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-토릴아미노)-4-비페닐일]-m-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-토릴아미노)-4-비페닐일]-p-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-p-토릴아미노)4-비페닐일]아닐린: N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-p-토릴아미노)-4-비페닐일]-m-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-p-토릴아미노)-4-비페닐일]-p-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-p-클로로페닐아미노)-4-비페닐일]-m-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-클로로페닐아미노)-4-비페닐일]-m-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-클로로페닐아미노)-4-비페닐일]-p-톨루이딘; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-토릴아미노)-4-비페닐일]-p-클로로아닐린; N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-p-토릴아미노)-4-비페닐일]-m-클로로아닐린; 그리고 N,N-비스-[4'-(N-페닐-N-m-토릴아미노)-4-비페닐일]-1-아미노나프탈렌, 이들의 혼합물들과 유사류; 4,4'-비스(9-카바조릴)-1,1'-비페닐과 4,4'-비스(3-메틸-9-카바조릴)-1,1'-비페닐 등과 같은 4,4'-비스(9-카바조릴)-1,1'-비페닐 화합물들을 포함한다.
발광영역에서 사용될 수 있는 정공 수송물질들의 특정 류는 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 5,942,340과 5,952,115에서 개시된 것들과 같은 인돌로-카라바졸들로서, 예들로는 5,11-디-나프틸-5,11-디하이드로인돌로[3,2-b]카바졸과 2,8-디메틸-5,11-디-나프틸-5,11-디하이드로인돌로[3,2-b]카바졸; N,N,N',N'-테트라아릴벤지딘들이 있고, 여기에서 아릴은 페닐, m-토릴, p-토릴, m-메톡시페닐, p-메톡시페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 등으로부터 선택될 수 있다. N,N,N',N'-테트라아릴벤지딘의 실례들은 N,N'-디-1-나프틸-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아 민; N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민; N,N'-비스(3-메톡시페닐)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 등이 있다. 발광 영역에 사용될 수 있는 적합한 정공 수송 물질들로 나프틸-치환된 벤지딘 유도체들이 적용될 수 있다.
또한 발광영역은 전자 수송 성질들을 갖는 하나 이상의 물질들을 포함할 수 있다. 상기 발광영역에서 사용될 수 있는 전자 수송 물질들의 예는 폴리(9,9-디-n-옥틸플루오렌-2,7-디일), 폴리(2,8-(6,7,12,12-테트라알킬인데노플루오렌)과 같은 폴리플루오렌들과, Bernius 등의 "Proceedings of SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III, Denver, Colo., July 1999, Volume 3797, p.129에서 개시된 것처럼 플루오렌-아민 공중합체들과 같이 플루오렌들을 함유한 공중합체들이다.
상기 발광영역에서 사용될 수 있는 전자 수송물질들의 다른 예들은 금속 옥시노이드 화합물들, 옥사디아졸 금속 킬레이트 화합물들, 트리아진 화합물들 그리고 스틸벤 화합물들로부터 선택될 수 있고, 이들 화합물들의 예들은 위에서 상세히 설명되었다.
발광 영역이 유기 전계발광 물질(들) 외에 하나 이상의 정공 수송 물질 그리고/또한 하나 이상의 전자 수송 물질을 포함하는 실시예들에서, 상기 유기 전계발광 물질, 정공 수송 물질(들), 그리고/또는 전자 수송 물질(들)은 예를 들어 미국특허번호 4,539,507; 4,720,432 그리고 4,769,292에서 개시된 OLED들과 같은 별개의 층들에 혹은 동일층에 형성될 수 있고, 그리하여 두 가지 이상의 물질들의 혼합 영역을 형성하는데, 이러한 예는 미국특허번호 6,130,001; 6,392,339; 6,392,250 그리고 6,614,175에 개시된 OLED들이다. 이들 특허들과 특허 출원들의 개시들은 전체가 여기에서 참조로 결합된다.
발광 영역의 두께는 예를 들어 약 1 nm부터 약 1000 nm까지 가변될 수 있다. 실시예들에서, 발광 영역의 두께는 약 20 nm부터 약 200 nm까지이고, 다른 실시예들에서, 약 50 nm부터 약 150 nm까지이다.
본 발명에 따르는 광 흡수층은 금속 나노입자들과 매트릭스 재료(matrix material)를 포함한다. 상기 금속 나노입자들은 분산되어 매트릭스 재료(matrix material)에 완전히 또는 부분적으로 삽입될 수도 있다. 매트릭스 재료(matrix material)는 중합체 물질들, 무기 물질들, 그리고 유기 물질들로부터 선택될 수도 있다.
금속 나노입자들은 광 흡수층에 광흡수 성질들을 제공하려는 임의의 금속을 포함할 수 있다. 적합한 금속들은, 이들에 국한되지는 않지만, 400-700 nm 범위의 플라즈마 주파수를 특징으로 하는 금속들을 포함하고, 이들 금속들의 예로는 Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Cu, 그리고 이들의 합금들이 있다. 광 흡수 성질들을 가지는 나노입자들을 형성하는 것으로 알려진 다른 금속들은 Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co 그리고 이들의 합금들이 있다. 실시예들에서, 금속 나노 입자들은 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti 그리고 이들의 조합으로 구성되는 그룹에서 선택된 금속을 포함한다. 다른 실시예들에서, 금속 나노입자들은 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti, 그리고 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti의 합금들, 그리고 이들의 조합들로부터 선택될 수 있다.
금속 나노입자들은 다양한 형태들 또는 구조들을 가질 수도 있다. 예를 들어, 금속 나노입자들은 규칙적인 형상, 불규칙적인 형상들, 2차원 구조들, 그리고/또한 3차원 구조들을 가질 수도 있다. 적합한 규칙적인 형상을 가진 금속 나노입자들의 예들은 구, 편구(oblate spheres), 장구(prolate spheroids), 타원체, 막대, 실린더, 콘, 디스크, 입방체, 그리고 직사각형을 포함한다. 주어진 광 흡수층에서, 금속 나노입자들은 동일하거나 다른 형상들을 가질 수 있다. 주어진 광 흡수층은 동일한 금속 또는 다른 금속들로 된 금속 나노입자들, 동일하거나 다른 형상들로 된 금속 나노입자들, 그리고/또는 동일하거나 다른 크기로 된 금속 나노입자들을 포함할 수도 있다. 아울러, 주어진 광 흡수층은 개별적인 입자들(동일하거나 다른 금속들로 되고 그리고/또한 동일하거나 다른 형상들과 크기들로 된)과 2차원 구조 또는 3차원 구조로 형성되는 입자들을 포함할 수도 있다.
금속 나노입자들의 입자 크기는 약 1 내지 약 30 nm 범위이다. 여기에서 사용된 것처럼, 금속 나노입자의 입자 크기는 주어진 나노입자의 하나 이상의 특징적인 치수들의 크기를 말한다. 금속 나노입자의 크기가 근거로 하는 금속 나노입자의 하나 이상의 특징적인 치수들은 나노입자의 형상에 의존한다. 예를 들어, 금속 나노입자의 특징적 치수의 비제한적인 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, 구형, 회전 타원체 형상으로 되거나, 혹은 타원체 형상으로 된 입자들에 대한 직경; 육면체 또는 사각형태로 된 나노입자들에 대한 입자의 하나 이상의 면들의 길이; 그리고 막대 형상, 실린더 형상, 콘 형상 또는 디스크 형상으로 된 입자들에 대한 입자의 길이 및/또는 직경을 포함한다. 일 실시예에서, 금속 나노입자들은 약 1 내지 약 15 nm의 입자 크기를 가진다. 다른 실시예에서, 금속 나노입자들은 약 15 내지 약 30 nm의 입자 크기를 가진다. 또 다른 실시예에서, 금속 입자들은 약 10 내지 약 20 nm의 입자 크기를 가진다. 또 다른 실시예에서, 상기 금속 입자들은 약 10 nm의 입자 크기를 가진다.
실시예들에서, 본 발명에 따르는 광 흡수층에서 수 많은 금속 나노입자들의 입자 크기에서 좁은 변화가 있다. 어떤 특정 이론에 얽매이지 않고서, 입자 크기의 작은 또는 좁은 변화는 금속 나노입자들의 광흡수 효과를 향상시킨다. 입자 크기의 변화는 여기에서 입자 크기 분포라고 언급된다. 입자 크기 분포는 여기에서 수 많은 금속 나노입자들에서 임의의 주어진 금속 나노입자의 입자 크기와 상기 수 많은 금속 입자들의 평균 입자 크기 사이의 백분율 차이로서 정의된다. 일 실시예에서, 광 흡수층에서 많은 금속 입자들의 평균 입자 크기는 약 2 내지 20 nm 범위이다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층에서 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 5 nm 내지 약 15 nm이다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 10 nm이다. 일 실시예에서, 광 흡수층의 금속 나노입자들의 입자 크기 분포는 +/-75%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 입자 크기 분포는 +/-50%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 입자 크기 분포는 +/-25%를 초과하지 않는다.
일실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 2 내지 20 nm 범위이고, 입자 크기 분포는 +/-75%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 5 내지 15 nm 범위이고, 입자 크기 분포는 +/-50%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 5 내지 15 nm 범위이고, 입자 크기 분포는 +/-25%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 10 nm이고, 입자 크기 분포는 +/-50%를 초과하지 않는다. 또 다른 실시예에서, 광 흡수층의 많은 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 약 10 nm이고, 입자 크기 분포는 +/-25%를 초과하지 않는다.
매트릭스 재료(matrix material)는 무기 물질들, 중합체 물질들, 그리고 유기 물질들로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수도 있다.
실시예들에서, 무기 매트릭스 재료(matrix material)는 금속 함유 화합물이다. 무기 매트릭스 재료(matrix material)로서 적합한 금속 함유 화합물들은, 이들에 국한되지는 않지만, 금속의 산화물, 수산화물, 할로겐화물, 붕화물, 질화물, 황화물, 탄화물 등을 포함한다. 무기 물질의 적합한 금속 성분들은, 이들에 국한되지는 않지만, 주기율표의 I, II, IIIB족, 천이 금속 등으로부터 선택된 금속을 포함한다. 추가적으로, 무기 물질은 주기율표의 IIIA, IVA, 또는 VA족으로부터 선택된 원소 종들, 또는 이들의 조합들을 포함할 수도 있다. 무기 매트릭스 재료(matrix material)의 일부로서 적합한 금속들의 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Ia, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Nm, Tc, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, B, Al, Ga, In, Sn, Pb, Sb, Bi, Se, Te, Ce, Nd, Sm 그리고 Eu를 포함한다. 무기 매트릭스 재료(matrix material)는 GaAs 또는 InP와 같은 III-V족계 화합물, 또는 ZnS와 같은 II-VI족계 화합물일 수 있다. 무기 매트릭스 재료(matrix material)로서 적합한 물질들의 특정 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, CsF, CsCl, MgF2, SrF2, AlF3, AgCl, AgF, CuCl2, Li2O, SnO2, SiO, SiO2, In2O3, ITO, TiO2, Al2O3, AgO, CaF2, CaB6, ZnO, CsO2, ZnO, Cu2O, CuO, Ag2O, NiO, TiO, Y2O3, ZrO2, Cr2O3, LaN, YN, GaN, C, Li2C, FeC, NiC, Ge, Si, SiC, SiO, SiO2, Si3N4, ZnTe, ZnSe 등을 포함한다. 광 흡수층으로서 적합한 물질의 다른 예들은 전체가 참고로서 여기에 결합된 미국특허번호 3,598,644와 4,084,966에 개시된 Se와 SeTe 조성물들을 포함한다.
무기 매트릭스 재료(matrix material)는 전도체, 반도체, 또는 부도체일 수 있다. 광 흡수층이 양극, 음극, 또는 발광 영역 중 하나에 위치되는 일 실시예에서, 무기 매트릭스 재료(matrix material)는 전도체 또는 반도체이다.
매트릭스 재료(matrix material)는 또한 중합체 물질로부터 선택될 수도 있다. 적합한 중합체 매트릭스 재료(matrix material)들의 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리플루오렌, 폴리비닐 카바졸, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리스티렌 등을 포함한다. 본 발명에 따르는 광 흡수층에서 매트릭스 재료(matrix material)로서 적합한 중합체 물질들의 다른 예들은 전체가 여기에서 참조로서 결합된 미국특허번호 3,598,644와 4,084,966에 있는 이동 이미징 시스템에서의 사용을 위한 연화가능한 물질로서 개시된 중합체 물질들을 포함한다. 그러한 다른 적합한 중합체 물질들은, 예를 들어, 수소화되거나 혹은 부분적으로 수소화된 로진(rosin) 에스테르들, 치환된 폴리스티렌들, 스티렌 아크릴레이트 중합체들, 폴리올레핀들, 예를 들어, 메틸, 페닐, 실리콘, 폴리스티렌-올레핀 공중합체들을 포함하는 폴리에스테르 실리콘들, 그리고 에폭시 수지들을 포함한다. 적합한 스티렌 아크릴레이트 중합체들의 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, 예를 들어, 옥틸 아크릴레이트, 도코실아크릴레이트(docosylacrylate), 메틸 메타클릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 헥실 메타크릴레이트 등과 같은 아크릴레이트와 스티렌의 공중합체들을 포함한다.
광 흡수층을 위하여 적합한 유기 물질들은, 표시장치의 발광 영역을 제조하는데 사용되는, 예를 들어, 전계발광 물질들, 정공 수송 물질들 그리고 전자 수송 물질들을 포함하는 유기 물질들이고, 그러한 전계발광 물질들은 여기에서 설명된다. 예를 들어, 광 흡수층을 위하여 적합한 유기 물질들은, 이들에 국한되지는 않지만, 금속 옥시노이드, 금속 킬레이트, 3차 방향족 아민, 인돌로카보졸, 포피린, 프탈로시아닌, 트리아진, 안트라센, 그리고 옥사디아졸들과 같은 분자(저분자) 유기 화합물들을 포함한다. 또한 매트릭스 재료(matrix material)로서 적합한 유기 물질들은 그의 개시가 여기에서 참조로서 결합되는 미국특허출원번호 10/117,812와 10/401,238, 이후, 미국특허공개번호 2002/0180349와 2003/0234609로서 각각 공개된 특허들에서 설명된 물질들을 포함한다. 적합한 유기 매트릭스 재료(matrix material)의 비제한적 예는 트리스(8-하이드로퀴놀레이트)알루미늄(AlQ3)을 포함한 다.
실시예들에서, 금속 나노입자들은 광 흡수층에 약 5 내지 약 50 체적%의 양으로 존재하고, 매트릭스 재료(matrix material)는 상기 광 흡수층의 약 95 내지 약 50 체적%의 양으로 존재한다. 다른 실시예들에서, 금속 나노입자들은 광 흡수층에 약 10 내지 약 30 체적%의 양으로 존재하고, 매트릭스 재료(matrix material)는 상기 광 흡수층의 약 90 내지 약 70 체적%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시예들에서, 금속 나노입자들은 약 50 체적%의 양으로 존재하고, 매트릭스 재료(matrix material)는 상기 광 흡수층의 약 50 체적%의 양으로 존재한다.
광 흡수층은 단일층 배열 또는 다층 배열 중 어느 하나일 수 있다. 다층 광 흡수층은 서로 바로 인접한, 즉, 적층 구조로, 혹은 하나 이상의 추가층들에 의하여 분리된 2, 3, 4, 5, 또는 그 이상의 광 흡수층들을 포함할 수 있다. 다층 광 흡수층은 또한 여기에서 광 흡수 영역(region) 또는 구역(zone)으로 언급된다.
다수의 광 흡수층들로 구성되는 광 흡수층을 갖는 실시예들에서, 서로 바로 인접한 층들은 일반적으로 매트릭스 재료(matrix material) 및/또는 매트릭스 재료(matrix material)의 농도 중 적어도 하나의 관점에서 다른 조성들을 포함한다. 예를 들어, 실시예들에서, 인접한 광 흡수층들은 동일한 매트릭스 재료(matrix material)와 동일 유형의 금속(나노입자)이지만 다른 농도로 포함할 수도 있다. 다른 실시예들에서, 인접한 광 흡수층들은 동일류의 물질들(즉, 무기 물질들, 중합체 물질들, 또는 유기 물질들)로부터 다른 매트릭스 재료(matrix material) 조성들을 포함할 수도 있다. 또 다른 실시예들에서, 인접한 광 흡수층들은 각각이 다른 류들 의 매트릭스 재료(matrix material)들로부터 다른 매트릭스 재료(matrix material) 조성을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나의 광 흡수층은 무기 매트릭스 재료(matrix material)를 포함할 수 있고, 제1 광 흡수층에 인접한 제2 광 흡수층은 중합체 매트릭스 재료(matrix material) 또는 유기 매트릭스 재료(matrix material)를 포함할 수 있다. 이 개시의 목적들을 위하여, 매트릭스 재료(matrix material)와 금속의 유형 및 이들의 농도들 양자에 대하여 동일한 조성들을 갖는 인접한 광 흡수층들은 단일 광 흡수층으로 여겨질 것이다. 광 흡수층이 또 다른 층에 의하여 분리된 둘 이상의 광 흡수층들을 포함하는 다층 배열을 가지는 실시예들에서, 인접하지 않은 광 흡수층들은 동일한 조성을 가질 수도 있다. 광 흡수층이 적층 배열로 된 다수의 광 흡수층들을 가진 다층 배열을 가지는 다른 실시예들에서, 인접하지 않은 광 흡수층들은 동일한 조성들을 가질 수도 있다.
광 흡수층 또는 층들의 두께는 특별한 적용을 위하여 원한다면 변화될 수도 있다. 실시예들에서, 광 흡수층은 약 10 nm 내지 약 1000 nm 범위의 두께를 가진다.
다른 실시예들에서, 본 발명에 따르는 광 흡수층은 본 출원과 동시(동일자)에 출원되고 전체 개시가 여기에서 참조로서 결합되는 미국 특허 출원 11/133,752 [20041458-US-NP]에서 설명된 것처럼 얇은 층 배열을 가질 수도 있다. 구체적으로, 금속 나노입자들을 포함하는 광 흡수층은 일 실시예에서 약 10 내지 약 100 nm, 다른 실시예에서, 약 30 내지 약 50 nm의 두께를 갖는 얇은 층 배열로 이루어질 수도 있다. 실시예들에서, 얇은 광 흡수층 또는 영역은 2, 3, 4, 5 또는 그 이상의 흡수 층들을 포함하는 다층 배열을 가질 수도 있다. 얇은 다층 배열들에서, 광 흡수층의 각 개별층은 약 5 내지 약 95 nm 범위의 두께를 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 박막의 광 흡수층은 약 10 내지 약 100 nm의 두께를 가진다. 다른 실시예에서, 박막의 광 흡수층은 약 30 내지 약 50 nm의 두께를 가진다. 여기에서 앞서 설명된 것처럼, 광 흡수층은 2, 3, 4, 5 또는 그 이상의 개별적인 광 흡수층들을 포함할 수도 있다. 다른 실시예들에서, 광 흡수층은 약 100 nm 내지 약 300 nm의 두께를 가진다.
광 흡수층의 광흡수 성질들은 광 흡수층의 광학 밀도(O.D.:Optical Density)의 관점에서 정의될 수도 있다. 실시예들에서, 광 흡수층의 광학 밀도는 전자기 스펙트럼(즉, 400 내지 700 nm)의 가시범위의 적어도 일부에 대하여 적어도 0.1이다. 다른 실시예들에서, 광 흡수층의 광학 밀도는 약 0.5 내지 약 2.5이다.
임의의 적합한 기술이 본 발명에 따르는 광 흡수층과 표시장치를 형성하기 위하여 채용될 수도 있다. 적합한 기술들은, 이들에 국한되지는 않지만, 물리적 열 기상증착 (PVD), 스핀 코팅, 스퍼터링, 전자 빔, 전자 아크, 화학 기상 증착 (CVD), 액체증착 등을 포함한다. 예를 들어, PVD에서, 광 흡수층은 진공에서 가열된 소스들로부터 금속과 매트릭스 재료(matrix material)를 함께 기화시켜서 마스크를 통하여 원하는 기판/표면 상에 기화물을 응축/증착하므로써 형성된다. 개별적인 물질들의 증발율은 원하는 금속 입자 크기와 금속과 매트릭스 성분들의 원하는 비를 얻기 위하여 제어된다. 중합체 매트릭스 재료(matrix material)를 포함하는 광 흡수층들은 금속과 중합체 용액의 분산을 형성하고 이후 예를 들어 스핀-코팅, 블레이드-코팅, 딥-코팅, 잉크젯 프린팅 등을 포함하는 적합한 코팅기술에 의하여 상기 분산물을 기판/소자에 적용하므로써 형성될 수도 있다. 중합체 매트릭스에 금속 나노입자들을 포함하는 광 흡수층은 또한 미국특허번호 3,598,644에서 설명된 것처럼 중합체 표면 상에 금속 나노입자들의 열적 기상 증착에 의하여 형성될 수도 있다.
실시예들에서, 표시장치의 하나 이상의 층들은 액체 증착 또는 용액 공정들에 의하여 형성된다. 일 실시예에서, 적어도 상기 광 흡수층은 액체 증착 또는 용액 공정으로부터 형성된다. 광 흡수층의 매트릭스 재료(matrix material) 또는 금속 나노입자 성분들 중 하나 또는 둘 모두는 액체 증착 또는 용액 공정들로부터 형성될 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 적합한 액체 공정들의 예들은, 이들에 국한되지는 않지만, 스핀-코팅, 잉크젯 프린팅, 블레이드 코팅, 웹(web) 코팅, 그리고 딥 코팅을 포함한다.
여기에서 설명된 것들과 같은 광 흡수층들은 주변 광의 반사를 감소시키기 위한 표시장치에서의 사용을 위하여 적합하다. 반사 감소는 예를 들어 태양/눈-집적 반사분율(Sun/Eye-Integrated Reflectance Percentage: SEIR %)의 관점에서 정량화될 수 있다. SEIR은 가시 스펙트럼(입사광에 대하여 400-700 nm 범위)의 전체 가시 범위에 대하여 프런트(front) 통합되고 그리고 그 범위에 대하여 인간의 눈 민감도에 가중치가 부여된 표시소자, 예를 들어, OLED를 벗어나서 반사되는 입사광의 총 백분율이다. 실시예들에서, 반사 백분율은 약 50% 미만일 수 있다. 다른 실시예들에서, 반사 백분율은 약 20% 미만일 수도 있다. 또한 또 다른 실시예들에서, 반사 백분율은 약 10% 미만일 수도 있다.
본 발명에 따르는 광 흡수층들의 사용이 OLED들을 참조하여 설명되었지만, 그러한 광 흡수층들은 어떤 종류의 OLED 또는 다른 표시장치들에 적용될 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 본 발명에 따르는 광 흡수층은 분자(저분자) 기반 OLED들, 덴드리머(dendrimer) 기반 OLED들, 중합체 기반 OLED들, 발광 영역에 분자 및 중합체 물질들 모두를 포함하는 하이브리드 OLED들, 발광 영역에 유기 및 무기 물질들을 모두를 포함하는 하이브리드 OLED들, 무기 전계발광 또는 인광 소자들, 액정표시소자들(LCDs), 플라즈마 표시소자들 등에서의 사용을 위하여 적합할 수도 있다.
본 발명에 따르는 광 흡수층을 포함하는 표시장치들은 다음의 예들을 참조하여 더 설명되고 이해된다. 이들 예들은 단지 예시를 위한 것이고 어떤 식으로든 제한하려는 것은 아니다.
예들
아래의 표 1의 예 1-4는 실제로 행하여진 광 흡수층을 포함하는 OLED 소자들을 요약한 것으로서 상기 광 흡수층은 무기 재료에 금속 나노입자들을 포함한다. 예 1은 광 흡수층을 포함하지 않는 제어 소자이다. 모든 소자들은 UV-오존 세정을 이용하여 전세정된 ITO-코팅된 유리 기판들 상에서 진공 (5×10-6 Torr)에서 물리적 기상 증착을 이용하여 제조되었다. 괄호들 안의 숫자들은 옹스트롬(Å) 단위의 층 두께를 가리킨다.
Figure 112006035207670-pat00001
비록 특별한 실시예들이 설명되었지만, 현재 예측되지 않거나 예측되지 않을 수도 있는 대안들, 변형들, 변화들, 개선들, 그리고 실질적인 등가물들이 이 기술에 숙력된 출원인들이나 타인들에게 일어날 수도 있다. 따라서, 제출시 그리고 보정이 있었으면 보정시 첨부된 청구항들은 그러한 대안들, 변형들, 변경들, 개선들, 그리고 실질적인 등가물들을 모두 포함하는 것으로 간주된다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 표시장치에 의하면 영상표시 성능을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (33)

  1. 음극;
    양극;
    상기 음극과 상기 양극 사이에 배치된 발광 영역; 그리고
    금속 나노입자들(i), 그리고 무기 물질들로 구성되는 매트릭스 재료(matrix material)(ii)를 포함하는 다수의 광 흡수층을 포함하고,
    상기 광 흡수층 내의 다수의 금속 나노입자들의 평균 크기는 2 내지 20 nm이고 상기 금속 나노입자들은 +/-75%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지고,
    상기 금속 나노입자들은 상기 광 흡수층의 5 내지 50 체적%의 양으로 존재하고, 상기 매트릭스 재료(matrix material)는 상기 광 흡수층의 95 내지 50 체적%의 양으로 존재하고,
    상기 다수의 광 흡수층 중 서로 인접한 광 흡수층은, 서로 다른 매트릭스 재료로 형성되거나, 동일한 매트릭스 재료로 형성되고,
    상기 인접하는 광 흡수층이 동일한 매트릭스 재료로 형성되는 경우, 각각의 광 흡수층의 매트릭스 재료는 서로 상이한 체적%를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 ±50%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 ±25%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층 내의 상기 다수의 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 5 내지 15 nm 범위인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층 내의 상기 다수의 금속 나노입자들의 평균 입자 크기는 10 nm인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 규칙적인 형상들, 불규칙적인 형상들 및 이들의 조합들로부터 선택되는 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 구, 편구(oblate spheres), 장구면(prolate spheroids), 막대, 실린더, 콘, 디스크, 입방체 그리고 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 10 내지 1000 nm 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 가시 스펙트럼의 적어도 일 부분에 대하여 광학밀도가 0.1이상인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 음극은 상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 양극과 음극 중 하나의 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 발광 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 양극 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti, 그리고 이들의 합금들, 그리고 금속들과 이들의 합금들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 표시장치는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 기판;
    제1 전극;
    제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 영역; 및
    다수의 광 흡수층을 포함하고, 상기 광 흡수층은 금속 나노입자들(i)과, 무기 물질들로 구성되는 매트릭스 재료(matrix material)(ii)를 포함하고,
    상기 금속 나노입자들은 2 내지 20 nm의 평균 크기와, ±75%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지고,
    상기 금속 나노입자들은 상기 광 흡수층의 5 내지 50 체적%의 양으로 존재하고, 상기 매트릭스 재료(matrix material)는 상기 광 흡수층의 95 내지 50 체적%의 양으로 존재하고,
    상기 다수의 광 흡수층 중 서로 인접한 광 흡수층은, 서로 다른 매트릭스 재료로 형성되거나, 동일한 매트릭스 재료로 형성되고,
    상기 인접하는 광 흡수층이 동일한 매트릭스 재료로 형성되는 경우, 각각의 광 흡수층의 매트릭스 재료는 서로 상이한 체적%를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 5 내지 15 nm 범위의 평균 입자 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 ±50%을 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 10 nm의 평균 입자 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  21. 제17 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 ±25%를 초과하지 않는 입자 크기 분포를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  22. 삭제
  23. 제17 항에 있어서,
    상기 무기 물질은 I, II, III족의 금속으로부터 선택된 금속, IIIA, IVA, VA족으로부터 선택된 원소종, 천이금속, 그리고 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  24. 제17 항에 있어서,
    상기 무기 물질은 LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, CsF, CsCl, MgF2, SrF2, AlF3, AgCl, AgF, CuCl2, Li2O, SnO2, SiO, SiO2, In2O3, ITO, TiO2, Al2O3, AgO, CaF2, CaB6, ZnO, CsO2, ZnO, Cu2O, CuO, Ag2O, NiO, TiO, Y2O3, ZrO2, Cr2O3, LaN, YN, GaN, C, Li2C, FeC, NiC, Ge, Si, SiC, SiO, SiO2, Si3N4, ZnTe, ZnSe, 그리고 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  25. 제17 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 10 내지 1000 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  26. 제17 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 10 내지 100 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  27. 삭제
  28. 제17 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 10 내지 100 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  29. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 음극이고, 상기 음극은 상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  30. 제17 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  31. 제17 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 발광 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  32. 제17 항에 있어서,
    상기 다수의 광 흡수층 중 적어도 하나의 광 흡수층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나의 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  33. 제17 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti, 그리고 상기 Ag, Au, Cu, Se, Te, As, Zn, Sn, Ga, Co, Pt, Pd, Ni, In, Ti의 합금들, 그리고 이들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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JP (2) JP2006332046A (ko)
KR (1) KR101383931B1 (ko)
CN (2) CN102394274B (ko)
DE (2) DE102006063041B3 (ko)
FR (1) FR2886056B1 (ko)
GB (1) GB2426627B (ko)
TW (1) TWI299586B (ko)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US20060265278A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Napster Llc System and method for censoring randomly generated character strings
US7795806B2 (en) 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
KR20070036835A (ko) * 2005-09-30 2007-04-04 삼성전자주식회사 무기물 완충층을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
JP4698660B2 (ja) * 2006-12-12 2011-06-08 サムスンコーニング精密素材株式会社 ディスプレイ装置用外光遮蔽フィルムおよびこの製造方法、これを含むディスプレイ装置用フィルタ
DE102007062040B8 (de) 2007-12-21 2021-11-18 Osram Oled Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US20100314639A1 (en) * 2008-02-21 2010-12-16 Panasonic Corporation Light emitting device and display device using the same
US20090267891A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Bamidele Ali Virtual paper
US8502208B2 (en) 2008-05-21 2013-08-06 Pioneer Corporation Organic light-emitting device
US9092389B2 (en) * 2009-03-16 2015-07-28 Avaya Inc. Advanced availability detection
EP2239651B1 (en) * 2009-03-27 2017-08-30 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Smart Label
EP2287938B1 (de) * 2009-08-22 2012-08-01 Karlsruher Institut für Technologie Ladungsträger-Transportschicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und elektrooptisches Bauelement
US9382470B2 (en) 2010-07-01 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Thiol containing compositions for preparing a composite, polymeric composites prepared therefrom, and articles including the same
US9001406B2 (en) 2010-12-20 2015-04-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reflective display utilizing luminescence
JP6018774B2 (ja) 2011-03-31 2016-11-02 住友化学株式会社 金属系粒子集合体
JP6085095B2 (ja) 2011-03-31 2017-02-22 住友化学株式会社 光学素子
JP6125758B2 (ja) 2011-03-31 2017-05-10 住友化学株式会社 光学素子
KR101973207B1 (ko) * 2011-06-23 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자
JP6373552B2 (ja) * 2011-10-26 2018-08-15 住友化学株式会社 光電変換素子
US9726928B2 (en) 2011-12-09 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display including the same
JP5531029B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-25 日東電工株式会社 導電性フィルム及び導電性フィルムロール
WO2013113421A1 (de) * 2012-02-03 2013-08-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg SIGNALGEBER, SYSTEM UND VERFAHREN ZUR HERVORHEBUNG VON OBJEKTEN IM STRAßENVERKEHR SOWIE VERWENDUNG DES SYSTEMS UND VERWENDUNG DES SIGNALGEBERS
JP5685558B2 (ja) 2012-04-19 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置
KR101378168B1 (ko) * 2012-07-13 2014-03-24 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 나노입자를 포함하는 전자소자의 제조방법
US9515283B2 (en) * 2012-08-29 2016-12-06 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED devices with internal outcoupling
KR102082780B1 (ko) * 2013-01-10 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9368722B2 (en) * 2013-09-06 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Resistive random access memory and manufacturing method thereof
CN103474450A (zh) * 2013-09-11 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
DE102013113486B4 (de) 2013-12-04 2022-03-17 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
CN104031459B (zh) * 2014-06-09 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板
US9618841B2 (en) * 2014-06-09 2017-04-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34 nanocrystalline solution, its preparation method, photosensitive resin solution, method for forming black matrix, and color filter substrate
CN104201290A (zh) * 2014-08-22 2014-12-10 上海和辉光电有限公司 倒置型有机电致发光结构
KR101650541B1 (ko) * 2014-09-23 2016-08-23 코닝정밀소재 주식회사 플렉서블 기판 및 그 제조방법
DE102015111733A1 (de) * 2015-07-20 2017-01-26 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
US10466408B2 (en) * 2015-08-31 2019-11-05 Lg Display Co., Ltd. Polarizer and liquid crystal display device including the same
EP3168894B8 (en) * 2015-11-10 2023-07-26 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising two metal dopants
KR102650149B1 (ko) 2015-11-10 2024-03-20 노발레드 게엠베하 금속 함유 층을 제조하는 공정
EP3168324A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-17 Novaled GmbH Process for making a metal containing layer
GB2549490A (en) * 2016-04-19 2017-10-25 Sumitomo Chemical Co Light emitting device with tuned cathode layer optical properties
DE102016009885A1 (de) * 2016-08-17 2018-02-22 Universität Siegen Lichtemittierendes Bauteil
CN106521423A (zh) 2016-11-28 2017-03-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板
DE102016123154A1 (de) 2016-11-30 2018-05-30 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Bestimmung der Anordnung eines Probenobjekts mittels winkelselektiver Beleuchtung
CN106653776B (zh) * 2017-01-20 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN106887438B (zh) 2017-02-24 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制作方法及显示装置
CN107195797B (zh) 2017-06-28 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN107526127A (zh) * 2017-09-18 2017-12-29 江门市卡色光学有限公司 一种加强钢化滤镜
KR102091798B1 (ko) * 2017-12-19 2020-03-20 이화여자대학교 산학협력단 규칙적인 배열을 갖는 금속 나노구조체를 포함하는 유기 태양전지, 및 그의 제조 방법
US10367162B1 (en) * 2018-03-28 2019-07-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device including optical cavity with low angular colour shift
CN109524570B (zh) * 2018-12-26 2021-03-16 上海晶合光电科技有限公司 一种高对比度的有机电致发光器件及其制备方法
KR20200084967A (ko) * 2019-01-03 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
CN110673383A (zh) * 2019-09-24 2020-01-10 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113299703B (zh) * 2021-05-08 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
CN113629206A (zh) * 2021-07-20 2021-11-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
WO2023189381A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ソニーグループ株式会社 発光素子および電子機器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180349A1 (en) 2001-03-08 2002-12-05 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
JP2004311244A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Aterio Design Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2823905A (en) 1954-12-13 1958-02-18 Tillotson Mfg Co Charge forming and fuel feeding apparatus
US3172862A (en) 1960-09-29 1965-03-09 Dow Chemical Co Organic electroluminescent phosphors
US3598644A (en) 1964-10-12 1971-08-10 Xerox Corp Imaging member fabrication
US3598655A (en) 1968-04-01 1971-08-10 Gen Electric Metal-air cell
CA942828A (en) 1968-08-26 1974-02-26 James E. Adams Method for producing images by flash exposure
US4287449A (en) 1978-02-03 1981-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-absorption film for rear electrodes of electroluminescent display panel
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4652794A (en) 1982-12-10 1987-03-24 National Research Development Corporation Electroluminescent device having a resistive backing layer
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4665115A (en) 1984-08-22 1987-05-12 Exxon Research And Engineering Company Method for controlling viscosity of organic liquids and compositions
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
CA1302547C (en) 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2815472B2 (ja) 1990-01-22 1998-10-27 パイオニア株式会社 電界発光素子
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
JP2974835B2 (ja) 1991-09-12 1999-11-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5429884A (en) 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
EP0569827A2 (en) 1992-05-11 1993-11-18 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
JP3300069B2 (ja) 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子
US5409783A (en) 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP2931229B2 (ja) 1995-02-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5608287A (en) 1995-02-23 1997-03-04 Eastman Kodak Company Conductive electron injector for light-emitting diodes
JP3529543B2 (ja) 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
DE19543205A1 (de) * 1995-11-20 1997-05-22 Bayer Ag Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel
CN1155226A (zh) * 1995-11-20 1997-07-23 拜尔公司 含细碎无机颗粒的场致发光装置中的中间层
WO1997020355A1 (en) 1995-11-28 1997-06-05 International Business Machines Corporation Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices
JP4477150B2 (ja) 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5728801A (en) 1996-08-13 1998-03-17 The Dow Chemical Company Poly (arylamines) and films thereof
DE19638770A1 (de) 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
US6131001A (en) 1996-11-15 2000-10-10 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus for detecting viscosity of a liquid type developer by utilizing a developer density detecting device
JP2762993B2 (ja) 1996-11-19 1998-06-11 日本電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5846666A (en) 1997-02-27 1998-12-08 Xerox Corporation Electroluminescent devices
DE69834259T2 (de) 1997-03-11 2007-04-26 The Ohio State University Research Foundation, Columbus Bipolare/ac lichtemittierende vorrichtungen mit variabler farbe
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
US5925980A (en) 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
JP3425061B2 (ja) * 1997-05-19 2003-07-07 アルプス電気株式会社 ブラックマトリックス形成用組成物及びこれを用いたブラックマトリックスを有するカラー液晶表示装置
US6130001A (en) 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US5952115A (en) 1997-10-02 1999-09-14 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5942340A (en) 1997-10-02 1999-08-24 Xerox Corporation Indolocarbazole electroluminescent devices
EP0933058A1 (en) 1998-01-30 1999-08-04 STMicroelectronics S.r.l. Intelligent suction device capable of automatically adapting the suction force according to the conditions of the surface, particularly for vacuum cleaners and the like
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
US5972247A (en) 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
GB2336839A (en) 1998-04-30 1999-11-03 Sharp Kk Triazine Compounds And Their Use In Electrolumiescent, Electronic and Liquid Crystal Devices
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US6140763A (en) 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
US6137223A (en) 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
EP1029832A1 (en) 1998-08-05 2000-08-23 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Antireflection colored film coated glass article and plasma display panel optical filter
US6057048A (en) 1998-10-01 2000-05-02 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6229012B1 (en) 1998-10-01 2001-05-08 Xerox Corporation Triazine compositions
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
US6465115B2 (en) 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6303250B1 (en) 1999-04-09 2001-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Secondary battery including an electrolytic solution with an organic additive
CA2277654A1 (en) 1999-07-19 2001-01-19 Luxell Technologies Inc. Electroluminescent display packaging and method therefor
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6411019B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
JP5073899B2 (ja) 1999-09-21 2012-11-14 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
US6225467B1 (en) 2000-01-21 2001-05-01 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6821643B1 (en) 2000-01-21 2004-11-23 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP3469525B2 (ja) 2000-03-03 2003-11-25 Ｓｍｃ株式会社 クッション機構付空気圧ロータリアクチュエータ
JP2002033185A (ja) * 2000-05-06 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電気器具
US6429451B1 (en) 2000-05-24 2002-08-06 Eastman Kodak Company Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
JP4788852B2 (ja) 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
JP2002055203A (ja) 2000-08-11 2002-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性反射防止フイルム及びそれを用いた表示装置
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6479172B2 (en) 2001-01-26 2002-11-12 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6765348B2 (en) 2001-01-26 2004-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing thermal protective layers
US7288887B2 (en) 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
US6565996B2 (en) 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
JP4611578B2 (ja) 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6727644B2 (en) 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
US6750609B2 (en) 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
JP5223163B2 (ja) 2001-09-07 2013-06-26 東レ株式会社 発光素子
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US6956240B2 (en) 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6737177B2 (en) 2001-11-08 2004-05-18 Xerox Corporation Red organic light emitting devices
US6759146B2 (en) 2001-11-08 2004-07-06 Xerox Corporation Organic devices
US6753098B2 (en) 2001-11-08 2004-06-22 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6773830B2 (en) 2001-11-08 2004-08-10 Xerox Corporation Green organic light emitting devices
US6740429B2 (en) 2001-11-08 2004-05-25 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
DE10222574A1 (de) * 2002-05-08 2003-11-27 Global Science Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsystems und Mehrschichtsystem
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
TW564657B (en) 2002-06-12 2003-12-01 Ritdisplay Corp Organic light-emitting diode display device
US20040004433A1 (en) 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US7291430B2 (en) 2002-07-02 2007-11-06 Xerox Corporation Imaging members
US7169482B2 (en) 2002-07-26 2007-01-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Display device with anthracene and triazine derivatives
US6734625B2 (en) 2002-07-30 2004-05-11 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode
JP4368638B2 (ja) 2002-08-09 2009-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 有機エレクトロルミネッセント素子
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP4515735B2 (ja) 2002-09-24 2010-08-04 大日本印刷株式会社 表示素子およびその製造方法
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
EP1566385B1 (en) 2002-11-26 2009-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Phosphorescent compound and electroluminescent element including the same
WO2004068911A1 (ja) 2003-01-29 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置
CA2425797C (en) 2003-04-17 2013-10-15 Xerox Corporation Organic light emitting devices
KR101030718B1 (ko) 2003-04-18 2011-04-26 후지필름 가부시키가이샤 표시장치용 차광막
JP4401101B2 (ja) 2003-04-18 2010-01-20 富士フイルム株式会社 ブラックマトリックス作製用着色組成物及び感光性転写材料、ブラックマトリックス及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びにブラックマトリックス基板
KR100537966B1 (ko) 2003-04-30 2005-12-21 한국과학기술연구원 나노복합체를 발광층으로 이용하는 고분자 전기발광 소자
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
US6903378B2 (en) 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US6840070B1 (en) * 2003-07-15 2005-01-11 Taiwan Fu Hsing Industrial Co., Ltd. Door lock
JP4148066B2 (ja) 2003-08-27 2008-09-10 日本ゼオン株式会社 重合トナーの製造方法
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US6881502B2 (en) 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
KR20050039674A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 펜탁스 가부시키가이샤 백색 유기 전자 발광 소자
KR100670543B1 (ko) 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
US7211948B2 (en) 2004-01-13 2007-05-01 Eastman Kodak Company Using a crystallization-inhibitor in organic electroluminescent devices
US9085729B2 (en) 2004-02-09 2015-07-21 Lg Display Co., Ltd. Blue emitters for use in organic electroluminescence devices
JP5167571B2 (ja) 2004-02-18 2013-03-21 ソニー株式会社 表示素子
US7629695B2 (en) 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
JP5305652B2 (ja) 2004-06-23 2013-10-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ コーヒーメーカーのボイラの加熱プロセス
JP4785386B2 (ja) 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US7449831B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
JP4841816B2 (ja) * 2004-08-03 2011-12-21 富士フイルム株式会社 遮光膜付基板、及び該遮光膜付基板を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
CN100583491C (zh) 2004-10-01 2010-01-20 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光器件
US20060105202A1 (en) 2004-11-17 2006-05-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7351999B2 (en) 2004-12-16 2008-04-01 Au Optronics Corporation Organic light-emitting device with improved layer structure
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
KR101106558B1 (ko) 2004-12-28 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 블랙매트릭스와 이를 포함하는 액정표시장치
US20060194076A1 (en) 2005-02-28 2006-08-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7777407B2 (en) 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US9800716B2 (en) 2010-09-21 2017-10-24 Cellepathy Inc. Restricting mobile device usage

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180349A1 (en) 2001-03-08 2002-12-05 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
KR20040098055A (ko) * 2002-04-05 2004-11-18 제록스 코포레이션 유기-금속 혼합 층을 포함하는 디스플레이 소자
JP2004311244A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Aterio Design Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子

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