KR101314017B1 - 광학식 이물질 검출 장치 및 이것을 탑재한 처리액 도포장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 피처리 기판의 상면을 따라 광 빔을 투사함으로써, 이상 상태를 검출하는 광학적인 검출 수단을 구비한 처리액 도포 장치에 있어서, 광 빔의 광축 상에 있어서의 온도차의 영향을 받아 검출 오차가 발생하는 것을 방지시키는 것이다.
스테이지(2) 상에 수평 상태로 적재되는 피처리 기판(1)과, 상기 기판(1)의 폭 방향으로 연장되는 슬릿 형상 토출 개구(11b)를 갖는 처리액 공급 노즐(11)을 상대적으로 이동시켜 처리액 공급 노즐(11)로부터 토출되는 처리액을 기판(1)의 표면에 도포하도록 구성되어 있다. 처리액 공급 노즐(11)의 이동 방향의 전방에 있어서, 투광부(5)로부터 수광부(6)에 이르는 광 빔(4)이 투사된다. 상기 광 빔(4)의 상부 및 양측부를 둘러싸는 단면 역ㄷ자 형상으로 형성된 긴 형상의 광축 커버 부재(15)가 구비되어 있고, 이에 의해 예를 들어 다운 플로우 등의 영향을 받아 광 빔의 광축 상에 있어서 온도차가 발생하는 것을 방지시킨다.
광 빔, 처리액 공급 노즐, 투광부, 수광부. 광축 커버 부재
Description
본 발명은, 피처리 기판에 진애(塵埃) 등의 이물질이 부착된 상태를 광학식으로 검출하는 이물질 검출 장치와, 이 이물질 검출 장치를 탑재하고 상기 피처리 기판에 대해 처리액을 도포하는 예를 들어 슬릿 코트식의 처리액 도포 장치에 관한 것이다.
예를 들어 LCD의 제조 기술 분야에 있어서는, LCD 기판 상에 형성된 반도체층, 절연체층, 전극층 등을 선택적으로 소정의 패턴으로 에칭하는 공정이 실행된다. 이 경우, 상기 LCD 기판 상에 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하여 이를 현상 처리하는, 이른바 포토리소그래피 기술이 응용된다.
상기한 LCD 기판 상에 포토레지스트액을 도포하는 경우에 있어서는, 용제에 감광성 수지를 용해하여 이루어지는 레지스트액을 띠 형상으로 토출하는 레지스트 공급 노즐이 채용되고, 사각형 형상의 LCD 기판을 상기 노즐에 의한 레지스트액의 토출 방향과 직교하는 방향으로 상대적으로 평행 이동시켜 도포하는 방법이 알려져 있다. 이 경우, 상기 레지스트 공급 노즐에는 LCD 기판의 폭 방향으로 연장되는 미소 간격을 갖는 슬릿 형상의 토출 개구가 구비되고, 이 슬릿 형상의 토출 개구로부터 띠 형상으로 토출되는 레지스트액을 기판의 표면 전체에 공급하여 레지스트층을 형성하도록 이루어진다.
이 방법에 따르면, 상기 기판의 한 변으로부터 다른 변에 걸쳐서 레지스트액을 띠 형상으로 토출(공급)할 수 있으므로, 기판의 전체면에 걸쳐서 평균적으로 레지스트층을 효율적으로 형성시킬 수 있다. 이와 같은 슬릿 코트식의 처리액 도포 장치에 대해서는, 다음에 나타내는 특허문헌 1에 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평10-156255호 공보
그런데, 상기한 구성의 처리액 도포 장치에 있어서는, 1회의 도포 동작에 의해 균일한 막 두께를 얻도록 하기 위해, 상기한 레지스트액을 슬릿 형상의 토출 개구로부터 토출시키는 경우에, 그 막 두께를 연신시키면서 균일한 층 형상으로 형성시키는 동작이 수반된다. 이로 인해, 상기 레지스트액을 토출하는 노즐과 상기 기판 사이의 간극(에어 갭)은, 막 두께에 대응하도록 매우 작게 설정되고, 예를 들어 100 ㎛ 정도의 갭을 갖고 양자가 상대 이동하도록 이루어진다.
상기한 레지스트액에 대표되는 처리액을 기판에 대해 도포할 때, 노즐과 기판은 상기한 미소 간격을 두고 상대 이동하게 되므로, 예를 들어 기판 상에 진애 등의 이물질이 부착되어 있는 경우에 있어서는, 그 도포 동작 중에 상기 이물질이 상기 노즐의 선단부에 접촉하는 문제가 발생한다. 또한, 이물질이 상기 기판과 이 기판을 적재 보유 지지하는 스테이지 사이에 개재된 경우에는, 기판의 일부가 산 (山) 형상으로 변형되므로, 노즐과 기판의 상대 이동에 수반하여 노즐의 선단부에 기판이 강하게 압박되는 문제가 발생한다.
특히 후자와 같이, 이물질이 상기 기판과 스테이지 사이에 개재되어 있는 경우에 있어서는, 기판의 파손은 당연히 노즐의 선단부에 흠집을 내어, 도포한 처리액에 이른바 긁힘선이 발생하게 된다. 이로 인해 상기 노즐의 교환 및 이에 수반하는 조정 작업 등이 필요하게 되고, 기판의 제조 라인이 장시간에 걸쳐서 운전 정지가 부득이하게 되는 문제로도 발전한다.
그래서, 상기한 처리액 토출 노즐의 진행 방향의 전방에 판 형상 부재를 설치하고, 상기 노즐에 대해 이물질 혹은 피처리 기판이 접촉하기 전에, 상기 판 형상 부재의 단부면에 대해 이물질 혹은 피처리 기판이 접촉하도록 구성한 슬릿 코트식 도포 장치가 다음에 나타내는 특허문헌 2에 개시되어 있다.
[특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2000-24571호 공보
그런데, 상기 특허문헌 2에 개시된 슬릿 코트식 도포 장치에 따르면, 상기 판 형상 부재에 진동 센서가 설치되고, 상기 판 형상 부재의 단부면에 이물질 혹은 기판이 접촉한 것을 상기 진동 센서에 의해 검출함으로써, 상기 노즐과 기판과의 상대 이동을 정지시키도록 구성되어 있다.
그러나, 상기 장치에 의한 처리액의 도포 동작에 있어서는, 처리액 공급 노즐과 피처리 기판은 상대 이동되므로, 이들 이동에 수반하는 진동의 발생을 전무로 하는 것은 불가능하다. 따라서 상기 진동 센서는, 이들 구동에 의한 진동을 검출하는 오검출을 발생시키기 쉽다.
한편, 상기한 오검출의 발생을 방지시키기 위해서는, 진동 센서에 의한 검출 감도를 어느 정도 억제시키는 것이 필요하지만, 이 경우에 있어서는, 피처리 기판에 존재하는 이물질 등을 효과적으로 검출하는 것이 곤란해진다. 요컨데 상기한 진동 센서에 있어서의 이상 검출의 레벨 설정은 매우 어렵고, 정상임에도 불구하고 오검출을 발생시키거나, 이상 상태에 있음에도 불구하고 이를 검출할 수 없다는 문제를 안게 된다.
그래서, 피처리 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대적인 이동 방향의 전방에 있어서 수평 방향에 광 빔을 투사하고, 피처리 기판 상의 이물질 혹은 이물질에 의해 상기 기판이 스테이지로부터 들어 올려진 이상 상태를 검출하는 광학적인 검출 수단을 채용하는 것이 고려된다.
도4의 (A), 도4의 (B)는 그 구성을 모식적으로 나타낸 것이며, 부호 1은 피처리 기판으로서의 예를 들어 글래스 기판을 나타내고 있고, 또한 부호 2는 상기 글래스 기판(1)을 수평 상태로 적재하여 유지하는 적재대(스테이지)를 나타내고 있다. 그리고, 도4의 (A)는 글래스 기판(1)의 상면에 진애 등의 이물질(3)이 부착되어 있는 상태를 나타내고 있고, 또한 도4의 (B)는 글래스 기판(1)과 스테이지(2) 사이에 이물질(3)이 개재되어, 기판(1)의 일부가 부호 1a로서 나타내는 바와 같이 융기 상태로 되어 있는 예를 모식적으로 나타내고 있다.
또한, 도4에는 도시되어 있지 않지만, 슬릿 형상의 토출 개구를 구비한 처리액 공급 노즐이 피처리 기판(1) 상면을 따라 지면(紙面)의 수직 방향으로 상대 이동하도록 구성되어 있고, 상기 슬릿 형상의 토출 개구는 그 길이 방향이 도4에 도시하는 지면의 좌우 방향에 배치된 상태에서 상대 이동하도록 이루어진다. 이 경우, 처리액 공급 노즐과 상기 기판(1) 사이의 간극은 상기한 바와 같이 100 ㎛ 정도로 이루어진다.
한편, 상기 슬릿 형상의 토출 개구의 길이 방향에 따르도록 광축(광 빔)(4)이 투광부(5)로부터 투사되고, 이를 수광부(6)에 의해 수광하도록 구성되어 있다. 상기 투광부(5)로부터 투사되는 광 빔(4)으로서는, 예를 들어 670 ㎚ 정도의 파장을 갖는 레이저 빔이 이용된다. 그리고, 상기 광 빔(4)은 기판(1) 상면을 따라, 일례로서 그 상면에 있어서의 약 50 ㎛의 위치를 통과하도록 조정되어 있다.
도4의 (A)에 도시하는 상태에 있어서는, 투광부(5)로부터 투사되는 레이저 빔은, 기판(1)의 상면에 부착된 이물질(3)의 영향을 받아 레이저 빔이 차단되거나 혹은 수광부(6)에 의해 받는 수광량은 저하된다. 또한, 도4의 (B)에 도시하는 상태에 있어서도, 투광부(5)로부터 투사되는 레이저 빔은 기판의 융기부(1a)의 영향을 받아, 마찬가지로 레이저 빔이 차단되거나 혹은 수광부(6)에 의해 받는 수광량은 저하된다. 따라서, 상기 수광량에 임계치를 설정함으로써, 기판(1)의 이상 상태를 검출할 수 있다.
그런데, 최근에 있어서는 상기한 피처리 기판으로서의 글래스 기판(1)의 사이즈는 점점 대형화되고, 이에 수반하여 도4에 도시한 투광부(5)와 수광부(6)와의 거리도 3000 ㎜, 혹은 그 이상의 거리를 둔 상태로 설정되는 상황으로 되어 있다. 상기한 바와 같은 상황하에 있어서는, 예를 들어 다운 플로우 등의 근소한 공기의 흐름을 받아 투광부(5)와 수광부(6) 사이에 있어서 온도(기온)차가 발생한다.
상기한 바와 같이 투광부(5)와 수광부(6) 사이에서 온도차가 발생한 경우에는, 온도에 의해 광의 진행 속도가 변화함으로써 광에 굴절 현상이 발생한다. 이는 상기한 바와 같이 670 ㎚의 파장을 갖는 레이저 빔을 이용한 경우에도 마찬가지이다.
도5는, 상기한 투광부와 수광부 사이에 있어서 생기는 온도차의 발생 패턴과 광의 굴절 현상을 모식적으로 설명하는 것이며, 도4와 마찬가지로 부호 1은 피처리 기판을 나타내고, 부호 2는 상기 기판(1)을 적재하는 스테이지를 나타내고 있다. 그리고, 도5의 (A) 내지 도5의 (C) 모두에 있어서 도면의 좌측이 투광부측을, 우측이 수광부측을 나타내고 있다.
예를 들어 도5의 (A)에 도시한 바와 같이, 투광부측이 고온이고 수광부측이 저온으로 이루어지고, 그 경계선이 도면에 D1로 나타낸 바와 같은 상황인 경우에는, 광 빔은 저온부측에 있어서 상향으로 굴절된다. 또 도5의 (B)에 도시한 바와 같이, 투광부측이 고온이고 수광부측이 저온으로 이루어지고, 그 경계선이 도면에 D2로 나타낸 바와 같은 상황인 경우에는, 광 빔은 저온부측에 있어서 하향으로 굴절된다.
또한 도5의 (C)에 도시한 바와 같이, 투광부측이 고온이고 수광부측이 저온으로 이루어지고, 그 경계선이 도면에 D3으로 나타낸 바와 같은 상황인 경우에는, 광 빔은 저온부측에 있어서 확대(확장)된다.
상기한 현상은 투광부와 수광부 사이의 온도차가 가령 1 ℃ 정도라도 발생하는 것이 검증되었고, 이에 의해 이러한 종류의 광 투과형 센서 유닛에 있어서의 검출 정밀도의 신뢰성의 저하를 초래하여, 실용상에 있어서 간과할 수 없는 문제인 것이 본건의 발명자들은 실험 등에 의해 지견하고 있다.
본 발명은, 상기한 바와 같은 기술적인 문제점에 착안하여 이루어진 것으로, 레이저광에 대표되는 광 빔을 기판의 상면을 따라 투사하는 광 투과형 센서 유닛에 있어서, 투광부측과 수광부측에 있어서의 온도차에 의해 발생하는 검출 정밀도의 저하를 방지할 수 있는 이물질 검출 장치 및 이를 탑재한 처리액 도포 장치를 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
상기한 과제를 해결하기 위해 이루어진 본 발명에 관한 광학식 이물질 검출 장치는, 스테이지 상에 적재된 피처리 기판의 상면을 따라 광 빔을 투사하는 투광 부, 및 상기 광 빔을 수광하는 수광부를 포함하는 광 투과형 센서 유닛과, 상기 광 투과형 센서 유닛을 피처리 기판에 대해 상대 이동시킴으로써 상기 광 빔이 피처리 기판의 상면을 따라 평행하게 주사되도록 이루어지는 상대 이동 수단을 구비한 광학식 이물질 검출 장치이며, 상기 광 투과형 센서 유닛에는, 상기 투광부로부터 수광부에 이르는 상기 광 빔의 상부 및 양측부를 둘러싸는 단면 역ㄷ자 형상으로 형성된 긴 형상의 광축 커버 부재가 구비되어 있는 점에 특징을 갖는다.
이 경우, 상기 광축 커버 부재는 바람직하게는 금속제의 소재에 의해 구성되고, 상기 광 빔의 양측부에 위치하는 상기 광축 커버 부재의 양측면부에는, 상기 측면부를 따라 상기 피처리 기판에 대치하도록 합성 수지 소재에 의한 보호 부재가 각각 설치되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 관한 처리액 도포 장치에 있어서는, 스테이지 상에 적재된 상기 피처리 기판에 대치하여 상대적으로 이동하고, 상기 피처리 기판을 향해 처리액을 토출함으로써 처리액을 상기 기판의 표면에 도포하는 처리액 공급 노즐이 구비되고, 상기 피처리 기판에 대해 상대 이동하는 처리액 공급 노즐의 이동 방향의 전방에, 상기한 광학식 이물질 검출 장치를 탑재함으로써, 상기 처리액 공급 노즐을 상기 상대 이동 수단으로서 이용하도록 하는 점에 특징을 갖는다.
이 경우, 상기 처리액 공급 노즐에는, 상기 기판의 폭 방향으로 연장되는 슬릿 형상 토출 개구가 구비되고, 처리액 공급 노즐의 상기 슬릿 형상 토출 개구로부터 띠 형상으로 토출되는 처리액을 상기 기판의 표면에 도포하도록 구성되고, 상기 슬릿 형상 토출 개구의 길이 방향에 평행하도록, 또한 상기 기판의 바로 옆(直近) 을 따라 상기 광 빔이 투사되도록 상기 광 투과형 센서 유닛을 배치한 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 광학식 이물질 검출 장치에 의해 이물질의 존재를 검지한 경우에 있어서, 상기 피처리 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동이 정지되도록 구성된다.
상기한 광학식 이물질 검출 장치에 따르면, 투광부로부터 수광부에 이르는 광 빔의 상부 및 양측부를 둘러싸는 긴 형상의 광축 커버 부재가 구비되어 있으므로, 상기 광축 커버 부재와 피처리 기판 사이에서 상기 광 빔을 상하 좌우로 둘러싼 상태로 이루어진다.
이에 의해, 상기한 바와 같이 다운 플로우 등의 영향을 받아, 투광부측과 수광부측에 있어서, 즉 광 빔의 광축 상에 있어서 온도차가 발생하는 것을 저지하도록 작용한다. 그로 인해, 상기한 온도차에 기인하여 발생하는 이러한 종류의 센서 유닛의 검출 정밀도의 저하를 효과적으로 저지할 수 있다.
그리고, 상기한 광학식 이물질 검출 장치를 처리액 공급 노즐에 탑재한 처리액 도포 장치에 따르면, 피처리 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동에 따라서, 그 이동 방향의 전방에 있어서 이물질 혹은 이에 의해 기판의 일부가 융기 상태로 이루어져 있는 것을 정밀도 좋게 검지할 수 있다. 이 검지를 기초로 하여, 상기 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동을 정지시키도록 제어함으로써, 기판 및 처리액 공급 노즐에 손상을 주는 문제를 회피할 수 있다.
이하, 본 발명에 관한 광학식 이물질 검출 장치와 이를 탑재한 처리액 도포 장치에 대해 도면을 기초로 하여 설명한다. 도1 및 도2는 광학식 이물질 검출 장치를 탑재한 처리액 도포 장치의 주요부를 서로 단면도로 나타낸 것이다. 즉, 도1은 도2에 있어서의 B-B선으로부터 화살표 방향으로 본 상태의 단면도이며, 또한 도2는 도1에 있어서의 A-A선으로부터 화살표 방향으로 본 상태의 단면도로 나타내고 있다.
도1 및 도2에 있어서, 부호 1은 이미 설명한 피처리 기판으로서의 예를 들어 사각형 형상의 글래스 기판을 나타내고 있고, 부호 2는 상기 글래스 기판(1)을 수평 상태로 적재하고, 예를 들어 부압에 의해 이를 흡착 보유 지지하는 적재대(스테이지)를 나타내고 있다. 부호 11은 처리액 공급 노즐을 나타내고 있고, 이 노즐(11)은 외관이 대강 직육면체 형상으로 형성되고, 그 상단부에 처리액 공급구(11a)가 형성되는 동시에, 그 하단부에는 슬릿 형상의 처리액 토출 개구(11b)가 형성되어 있다.
이 도1 및 도2에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 글래스 기판(1)을 수평 상태로 적재한 스테이지(2)는 고정 상태로 이루어지고, 상기 처리액 공급 노즐(11)이 글래스 기판(1) 상면을 따라 도1에 백색의 화살표 C로 나타내는 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 즉, 처리액 공급 노즐(11)은 그 슬릿 형상 개구(11b)의 길이 방향에 직교하는 방향으로 수평 이동하도록 이루어진다. 그리고, 상기 노즐(11)의 선단부(도면에 나타내는 하단부)와, 글래스 기판(1) 사이에서, 대략 100 ㎛ 정도의 간격을 두고 이동하면서 슬릿 형상 개구(11b)로부터 처리액(R)을 선 형상으로 토출함으로써, 글래스 기판(1) 상에 처리액(R)을 띠 형상으로 도포하도록 동작한다.
상기 처리액 공급 노즐(11)의 측벽, 즉 노즐(11)의 이동 방향의 전방에는, 단면이 L자 형상으로 형성된 설치 금속 부재(12)가 수평 상태로 설치되어 있고, 이 설치 금속 부재(12)의 양단부에는 좌우 한 쌍의 홀더 부재(13a, 13b)가 각각 마주 보도록 하여 설치되어 있다. 즉 상기 한 쌍의 홀더 부재(13a, 13b)는, 도2에 도시한 바와 같이 L자 형상의 설치 금속 부재(12)의 양단부에 있어서 상기 노즐(11)의 폭 방향의 더욱 양 외측에 설치되어 있다. 그리고, 각 홀더 부재(13a, 13b)에는, 광 투과형 센서 유닛을 구성하는 투광부(5) 및 수광부(6)가 각각 마주 보도록 하여 설치되어 있다.
도2에 도시한 바와 같이 상기 투광부(5) 및 수광부(6)는, 이들을 연결하는 직선, 즉 광축(광 빔)(4)이 처리액 공급 노즐(11)에 있어서의 슬릿 형상 토출 개구(11b)의 길이 방향과 평행해지도록, 또한 상기 노즐(11)의 이동 방향의 전방에 위치하도록 상기 홀더 부재(13a, 13b)에 각각 설치되어 있다.
상기 투광부(5)로부터 투사되는 광 빔(4)으로서는, 상기한 바와 같이 670 ㎚ 정도의 파장을 갖는 레이저 빔이 이용된다. 그리고, 상기 광 빔(4)의 광축은 기판(1)의 상면을 따라 평행하게, 즉 이 실시 형태에 있어서는 기판(1)의 상면에 있어서의 약 50 ㎛의 위치를 지나도록 설정되고, 상기 광 빔(4)은 처리액 공급 노즐(11)의 이동에 수반하여 기판(1)의 상면을 따라 주사된다.
한편, 상기 한 쌍의 홀더 부재(13a, 13b)의 사이에는, 긴 형상의 광축 커버 부재(15)가 설치되어 있다. 이 커버 부재(15)는 상기 투광부(5)로부터 수광부(6)에 이르는 광 빔(4)의 상부 및 양측부를 둘러쌀 수 있도록 단면 역ㄷ자 형상으로 형성되어 있다.
상기 긴 형상의 광축 커버 부재(15)는, 도3에 도시하는 바와 같이 그 주체부(15a)가 금속제의 소재, 바람직하게는 SUS에 의해 예를 들어 단면이 역ㄷ자 형상으로 형성되어 있고, 이 역ㄷ자 형상으로 둘러싸인 대략 중앙부를 상기 광 빔(4)이 통과하도록 상기 한 쌍의 홀더 부재(13a, 13b) 사이에 설치되어 있다.
그리고, 상기 광 빔(4)의 수평 방향의 양측부에 위치하는 상기 주체부(15a)의 각 측벽면에는, 상기 측벽면을 따라 합성 수지 소재, 바람직하게는 유연성을 갖는 테프론(등록상표) 수지에 의해 띠 형상으로 형성된 보호 부재(15b)가 각각 주체부(15a)보다도 하방으로 돌출되도록 하여 복수의 나사(15c) 등에 의해 설치되어 있다.
상기한 광축 커버 부재(15)는, 단면이 역ㄷ자 형상으로 형성된 주체부(15a)가 상기한 바와 같이 SUS 등의 금속에 의해 형성되어 있고, 이에 의해 기계적인 강성을 갖게 하여 중앙부에 있어서 휨이 발생하는 일이 없도록 적절한 두께로 성형되어 있다. 또한 상기 주체부(15a)에 대해 보호 부재(15b)가 설치됨으로써, 금속제의 상기 주체부(15a)가 피처리 기판(1)에 직접 접촉하는 것을 방지하여, 피처리 기판(1)을 손상시키는 것을 방지하도록 배려되어 있다.
그리고, 상기한 광축 커버 부재(15)에 있어서의 보호 부재(15b)의 하단부와 피처리 기판으로서의 글래스 기판(1) 사이의 간극은, 1 내지 3 ㎜ 정도로 설정되어 있다. 이 구성에 의해, 상기 광축 커버 부재(15)와 피처리 기판(1) 사이에서, 상기 광 빔(4)을 상하 좌우로 둘러싼 상태로 이루어진다.
이에 의해, 발명의 효과의 란에 기재한 바와 같이, 실내의 다운 플로우 등의 영향을 받아, 광 빔의 광축 상에 있어서 온도차가 발생하는 것을 방지하도록 작용한다. 그로 인해, 상기한 온도차에 기인하여 발생하는 이러한 종류의 센서 유닛의 검출 정밀도의 저하를 효과적으로 저지할 수 있다.
따라서, 상기한 구성의 광 투과형 센서 유닛을 구비한 처리액 도포 장치에 따르면, 피처리 기판의 이상 상태를 정밀도 좋게 검지할 수 있고, 이 검지를 기초로 하여 상기 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동을 정지시키도록 제어함으로써, 기판 및 처리액 공급 노즐에 손상을 주는 문제를 회피할 수 있다.
또, 이상 설명한 실시 형태에 있어서는, 피처리 기판(1)을 적재한 스테이지(2)가 고정 상태가 되고, 처리액 공급 노즐(11), 투광부(5)와 수광부(6) 및 광축 커버 부재(15)를 포함하는 광 투과형 센서 유닛이 피처리 기판 상을 이동하도록 구성되어 있지만, 이와는 반대로, 처리액 공급 노즐, 투광부와 수광부 및 광축 커버 부재를 포함하는 광 투과형 센서 유닛이 고정 상태가 되고, 피처리 기판을 적재한 스테이지가 수평 방향으로 이동하도록 구성되어 있어도 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
이 발명에 관한 처리액 도포 장치는, 앞서 설명한 LCD 기판에 대해 예를 들어 레지스트액을 도포하는 경우의 도포 장치에 한하지 않고, 반도체 웨이퍼나 프린 트 기판, 그 밖의 전자 디바이스의 제조 분야, 또는 그 밖의 분야에 있어서 채용되는 슬릿 코트식 도포 장치에 적합하게 채용할 수 있다. 또한 본 발명에 관한 광학식 이물질 검출 장치는, 상기한 처리액 도포 장치에 채용될 뿐만 아니라, 특히 평면 형상으로 이루어진 기판면을 감시할 필요가 있는 자동기 등에 적합하게 채용할 수 있다.
도1은 본 발명에 관한 처리액 도포 장치를 도시한 단면도.
도2는 도1에 있어서의 A-A로부터 본 상태의 단면도.
도3은 도1 및 도2에 도시한 처리액 도포 장치에 이용된 광축 커버 부재의 구성을 도시한 사시도.
도4는 광 투과형 센서 유닛에 의해 이상 상태를 검출하는 작용을 설명하는 모식도.
도5는 종래의 광 투과형 센서 유닛에 의한 이상 검출 오차를 설명하는 모식도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 피처리 기판(글래스 기판)
2 : 적재대(스테이지)
4 : 광축(광 빔)
5 : 투광부
6 : 수광부
11 : 처리액 공급 노즐
11a : 처리액 공급구
11b : 처리액 토출 개구
12 : 설치 금속 부재
13a, 13b : 홀더 부재
15 : 광축 커버 부재
15a : 커버 부재 주체부
15b : 보호 부재
15c : 설치 나사
R : 처리액
Claims (6)
- 스테이지 상에 적재된 피처리 기판의 상면을 따라 광 빔을 투사하는 투광부, 및 상기 광 빔을 수광하는 수광부를 포함하는 광 투과형 센서 유닛과, 상기 광 투과형 센서 유닛을 피처리 기판에 대해 상대 이동시킴으로써 상기 광 빔이 피처리 기판의 상면을 따라 평행하게 주사되도록 이루어지는 상대 이동 수단을 구비한 광학식 이물질 검출 장치이며,상기 광 투과형 센서 유닛에는, 상기 투광부로부터 수광부에 이르는 상기 광 빔의 상부 및 양측부를 둘러싸는 광축 커버 부재가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광학식 이물질 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 광축 커버 부재는 금속제의 소재에 의해 구성되고, 상기 광 빔의 양측부에 위치하는 상기 광축 커버 부재의 양측면부에는 상기 양측면부를 따라 상기 피처리 기판에 대치하도록 합성 수지 소재에 의한 보호 부재가 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학식 이물질 검출 장치.
- 스테이지 상에 적재된 피처리 기판에 대치하여 상대적으로 이동하고, 상기 피처리 기판을 향해 처리액을 토출함으로써 처리액을 상기 기판의 표면에 도포하는 처리액 공급 노즐이 구비되고,상기 피처리 기판에 대해 상대 이동하는 처리액 공급 노즐의 이동 방향의 전방에, 제1항 또는 제2항에 기재된 광학식 이물질 검출 장치를 탑재함으로써, 상기 처리액 공급 노즐을 상기 상대 이동 수단으로서 이용하도록 구성한 것을 특징으로 하는 처리액 도포 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 처리액 공급 노즐에는 상기 기판의 폭 방향으로 연장되는 슬릿 형상 토출 개구가 구비되고, 처리액 공급 노즐의 상기 슬릿 형상 토출 개구로부터 띠 형상으로 토출되는 처리액을 상기 기판의 표면에 도포하도록 구성되고, 상기 슬릿 형상 토출 개구의 길이 방향으로 평행하도록, 또한 상기 기판의 바로 옆을 따라 상기 광 빔이 투사되도록 상기 광 투과형 센서 유닛이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리액 도포 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 광학식 이물질 검출 장치에 의해 이물질의 존재를 검지한 경우에 있어서, 상기 피처리 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동이 정지되도록 구성한 것을 특징으로 하는 처리액 도포 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 광학식 이물질 검출 장치에 의해 이물질의 존재를 검지한 경우에 있어서, 상기 피처리 기판에 대한 처리액 공급 노즐의 상대 이동이 정지되도록 구성한 것을 특징으로 하는 처리액 도포 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00315011 | 2006-11-22 | ||
JP2006315011A JP4222522B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 光学式異物検出装置およびこれを搭載した処理液塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080046576A KR20080046576A (ko) | 2008-05-27 |
KR101314017B1 true KR101314017B1 (ko) | 2013-10-01 |
Family
ID=39552529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070118868A KR101314017B1 (ko) | 2006-11-22 | 2007-11-21 | 광학식 이물질 검출 장치 및 이것을 탑재한 처리액 도포장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4222522B2 (ko) |
KR (1) | KR101314017B1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4587950B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2010-11-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5108909B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 裏面異物検出方法及び裏面異物検出装置及び塗布装置 |
JP5406086B2 (ja) | 2010-03-17 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 用紙浮き検出装置及びインクジェット記録装置 |
JP5444079B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 用紙浮き検出装置及び用紙搬送装置並びに画像記録装置 |
JP5489926B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 記録媒体浮き検出装置及びインクジェット記録装置 |
CN103899281B (zh) * | 2014-03-13 | 2017-04-05 | 西安隽格软件科技有限公司 | 一种带有光电检测的储油罐入口检测装置 |
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---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-11-22 JP JP2006315011A patent/JP4222522B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-21 KR KR1020070118868A patent/KR101314017B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4222522B2 (ja) | 2009-02-12 |
KR20080046576A (ko) | 2008-05-27 |
JP2008126155A (ja) | 2008-06-05 |
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