KR101270784B1

KR101270784B1 - 도전성 적층체, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름및 보호판

Info

Publication number: KR101270784B1
Application number: KR1020077010669A
Authority: KR
Inventors: 다모츠 모리모토; 히데아키 미야자와; 마사히로 후센; 고이치 간다; 스스무 나카가마
Original assignee: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2004-11-30
Filing date: 2005-10-31
Publication date: 2013-06-04
Also published as: EP1819210B1; TW200633634A; WO2006059448A1; US20070224432A1; CN101945564A; JP2006186309A; CA2588815A1; ATE541439T1; US8040062B2; EP1819210A1; KR20070084168A; EP1819210A4

Abstract

본 발명은 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 전자파 차폐성, 가시광 투과성, 및 근적외선 차폐성이 우수한 것을 목적으로 하는 도전성 적층체 (10) 로서, 기체 (11) 와, 기체 (11) 상에 형성된 도전막 (12) 을 갖고, 도전막 (12) 이, 기체 (11) 측에서부터, 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 총 (2n+1) 층 [n 은 1 이상의 정수] 적층된 다층 구조체이고, 산화물층 (12a) 이, 산화 아연과 굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물을 주성분으로서 함유하고, 금속층 (12b) 이, 은 또는 은합금을 주성분으로서 함유하는 도전성 적층체 (10) 에 관한 것이다.

도전성 적층체, 은합금, 플라즈마 디스플레이, 전자파 차폐

Description

도전성 적층체, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름 및 보호판{ELECTROCONDUCTIVE LAMINATE, AND ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING FILM AND PROTECTIVE PLATE FOR PLASMA DISPLAY}

기술분야

본 발명은, 도전성 적층체, 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, PDP 라 약칭함) 본체를 보호하기 위해서 PDP 의 관찰자 측에 설치되어 PDP 로부터 발생하는 전자 노이즈를 차폐시키는 전자파 차폐 기능을 갖는 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름 및 플라즈마 디스플레이용 보호판에 관한 것이다.

배경기술

투명성을 갖는 도전성 적층체는, 액정 표시 소자 등의 투명 전극, 자동차 방풍 유리, 히트 미러, 전자파 차폐 창유리 등으로서 이용되고 있다. 예를 들어, 특허 문헌 1 에는, 투명 기판상에 산화 아연으로 이루어지는 투명 산화물층과 은층을 교대로 적층한 총 (2n+1) 층 (n 은 1 이상의 정수) 의 코팅이 실시된 도전성 적층체가 개시되어 있다. 그 도전성 적층체는, 충분한 도전성 (전자파 차폐성) 및 가시광 투과성을 갖는다고 여겨지고 있다. 그러나, 도전성 적층체의 도전성 (전자파 차폐성) 을 더욱 향상시키려고, 적층 수 (n) 를 증가시켜 은층의 수를 증가시켰을 경우, 가시광 투과성이 저하되는 문제가 있다.

또, 도전성 적층체는, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름으로서도 이 용되고 있다. PDP 의 앞면에서는 전자파가 방출되고 있기 때문에, 그 전자파를 차폐하는 것을 목적으로 하여, PDP 의 관찰자 측에는, 플라스틱 필름 등의 기체 상에 도전막이 형성된 전자파 차폐 필름이 배치되어 있다.

예를 들어, 특허 문헌 2 에는, 도전막으로서 산화물층과 금속층이 교대로 적층된 적층체를 갖는 플라즈마 디스플레이용 보호판이 기재되어 있다.

전자파 차폐 필름에서는, 가시광 영역 전체에 걸쳐서 투과율이 높고, 또한 반사율이 낮을 것, 즉 투과ㆍ반사 대역이 넓을 것, 또, 근적외영역에서는 차폐성이 높을 것이 요구된다. 투과ㆍ반사 대역을 넓게 하기 위해서는, 산화물층과 금속층의 적층 수를 증가시키면 된다. 그러나, 적층 수를 증가시키면, 전자파 차폐 필름에서의 내부 응력이 증가하고, 그 필름이 비틀리거나 도전막이 파단되어 저항값이 높아지거나 하는 등의 문제가 발생하였다. 또, 적층 수를 증가시키면 가시광 투과성이 저하되는 일이 있었다. 따라서, 종래, 도전막에서의 산화물층과 금속층의 적층 수에는 한계가 있고, 적층 수를 적게 해도, 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 또한 도전성 (전자파 차폐성) 및 가시광 투과성이 우수한 전자파 차폐 필름은 알려지지 않았다.

특허 문헌 1: 일본 특허공보 평8-32436호

특허 문헌 2: 국제공개공보 제98/13850호 팜플렛

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명은, 적층 수를 적게 해도, 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 또한 도전성 (전 자파 차폐성), 가시광 투과성, 및 근적외선 차폐성이 우수한 도전성 적층체, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름 및 플라즈마 디스플레이용 보호판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명의 도전성 적층체는, 기체 (基體) 와, 기체 상에 형성된 도전막을 갖는 도전성 적층체로서, 도전막이, 기체측에서부터, 산화물층과 금속층이 교대로 총 (2n+1) 층 [n 은 1 이상의 정수] 적층된 다층 구조체이고, 산화물층이, 산화 아연과 굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물을 주성분으로서 함유하고, 금속층이 은 또는 은합금을 주성분으로서 함유하는 것을 특징으로 한다.

고굴절률 금속 산화물은, 산화 티탄 및/또는 산화 니오브인 것이 바람직하다.

금속층은, 2∼8층 형성되어 있는 것이 바람직하다.

금속층은, 순은, 또는, 금 및/또는 비스무트를 함유하는 은합금인 것이 바람직하다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름은, 본 발명의 도전성 적층체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이용 보호판은, 지지 기체와, 그 지지 기체 상에 형성되는 본 발명의 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름과, 그 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름의 도전막에 전기적으로 접하고 있는 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이용 보호판은, 도전성 메시 필름을 추가로 갖고 있어도 된다.

발명의 효과

본 발명의 도전성 적층체는, 적층 수를 적게 해도, 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 또한 도전성 (전자파 차폐성), 가시광 투과성, 및 근적외선 차폐성이 우수하다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름은, 적층 수를 줄여도, 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 또한 도전성 (전자파 차폐성), 가시광 투과성, 및 근적외선 차폐성이 우수하다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이용 보호판은, 전자파 차폐 능력이 우수하여 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 가시광 투과율이 높고, 근적외선 차폐성이 우수하다.

도면의 간단한 설명

도 1 은, 본 발명에 관련되는 도전성 적층체의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 2 는, 본 발명에 관련되는 도전성 적층체의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 3 은, 본 발명에 관련되는 보호판의 제 1 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 4 는, 본 발명에 관련되는 보호판의 제 2 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 5 는, 본 발명에 관련되는 보호판의 제 3 실시형태를 나타내는 단면도이 다.

도 6 은, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2 의 보호판에서의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.

도 7 은, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2 의 보호판에서의 투과 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.

부호의 설명

1, 2, 3: 보호판 10: 도전성 적층체

11: 기체 12: 도전막

12a: 산화물층 12b: 금속층

12c: 배리어층 12d: 보호막

20: 지지 기체 30: 착색 세라믹스층

40: 비산 방지 필름 50: 전극

70: 점착제층 80: 도전성 메시 필름

90: 전극

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

「도전성 적층체」

본 발명의 도전성 적층체의 일 실시형태 (이하, 실시형태라고 한다) 에 대해 설명한다.

도 1 에, 본 실시형태의 도전성 적층체 (10) 를 나타낸다. 이 도전성 적층체 (10) 는, 기체 (11) 와 도전막 (12) 을 갖는 것이다.

<기체>

기체 (11) 의 재료로서는, 유리판 (풍랭 강화유리, 화학 강화유리 등의 강화유리를 포함한다), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 트리아세틸셀룰로오스 (TAC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA) 등의 투명 플라스틱 재료 등을 들 수 있다.

<도전막>

도전막 (12) 은, 기체 (11) 측에서부터 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 총 (2n+1) 층 [n 은 1 이상의 정수] 적층된 다층 구조체이다.

도전막 (12) 에서, 금속층이 2∼8 층 형성되어 있는 것이 바람직하고, 2∼6 층 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 금속층이 2 층 이상이면, 저항값을 충분히 낮게 할 수 있고, 8 층 이하이면, 도전성 적층체 (10) 의 내부 응력 증가를 보다 억제할 수 있다.

도전막 (12) 은, 전자파 차폐 능력을 충분히 확보하기 위해서는, 저항값이 0.4∼3.5Ω 인 것이 바람직하고, 0.5∼2.5Ω 인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼1.5Ω 인 것이 특히 바람직하다.

[산화물층]

도전막 (12) 에서의 산화물층 (12a) 은, 굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물과 산화 아연을 주성분으로서 함유하는 층이다. 산화물층 (12a) 은, 굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물과 산화 아연을 총 90질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 95질량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 99질량% 이상 함 유하는 것이 특히 바람직하다.

굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물 중에서도, 반사 대역을 보다 넓힐 수 있다는 점에서, 산화 티탄 (굴절률 2.5) 및/또는 산화 니오브 (굴절률 2.4) 가 바람직하다. 본 발명에서「굴절률」이란, 파장 550㎚ 에서의 굴절률을 말한다.

고굴절률 금속 산화물의 존재에 의해 산화물층 (12a) 의 굴절률을 높일 수 있고, 도전막 (12) 의 투과ㆍ반사 대역을 넓힐 수 있다. 산화물층 (12a) 에서, 고굴절률 금속 산화물 금속의, 그 금속과 아연의 합계에 대한 비율은, 1∼50원자% 인 것이 바람직하고, 5∼20원자% 인 것이 특히 바람직하다. 이 범위 내로 함으로써, 투과ㆍ반사 대역을 넓게 유지할 수 있음과 동시에, 내습성이 양호한 도전막을 얻을 수 있다. 이 이유는 반드시 명확하지는 않지만, 이 범위로 함으로써, 산화 아연의 양호한 물성을 유지한 채로, 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 의 응력을 완화할 수 있기 때문이라고 생각된다.

산화물층 (12a) 에는, 물성을 손상시키지 않는 범위에서, 산화 아연, 산화 티탄 및 산화 니오브 이외의 금속 산화물이 포함되어 있어도 된다. 예를 들어, 도전성을 부여할 목적으로, 산화 갈륨, 산화 인듐, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 주석 등을 혼합해도 된다.

산화물층 (12a) 의 기하학적 막두께 (이하, 간단하게 막두께라 한다) 는, 기체에 가장 가까운 산화물층 및 기체로부터 가장 먼 산화물층은 20∼60㎚ (특히 30∼50㎚), 그 이외의 산화물층은 40∼120㎚ (특히 40∼100㎚) 로 하는 것이 바람직하다.

[금속층]

금속층 (12b) 은, 은 또는 은합금을 주성분으로서 함유하는 층이다. 은 또는 은합금에 의해 금속층 (12b) 이 형성되어 있음으로써 도전막 (12) 의 저항값을 낮게 할 수 있다.

금속층 (12b) 은, 도전막 (12) 의 저항값을 낮게 하는 관점에서는, 순은으로 이루어지는 층인 것이 바람직하다. 본 발명에서의「순은」은, 금속층 (12b) (100질량%) 중에 은을 99.9질량% 이상 함유하는 것을 의미한다.

금속층 (12b) 은, 은의 확산을 억제하여, 결과적으로 내습성을 높일 수 있는 관점에서는, 금 및/또는 비스무트를 함유하는 은합금으로 이루어지는 층이 바람직하다. 금 및 비스무트의 합계는, 비저항을 4.5μΩ㎝ 이하로 하기 위해서, 금속층 (12b)(100질량%) 중, 0.2∼1.5질량% 가 바람직하다.

금속층 (12b) 의 합계 막두께는, 예를 들어, 얻어지는 도전성 적층체 (10) 의 저항값의 목표를 1.5Ω 으로 했을 경우에는 25∼60㎚ (특히 25∼50㎚), 저항값의 목표를 0.9Ω 으로 했을 경우에는 35∼80㎚ (특히 35∼70㎚) 로 하는 것이 바람직하다. 각 금속층의 막두께는, 상기의 합계 막두께를 금속층 수로 적절하게 배분한다. 또한, 금속층의 수가 많아지면 각 금속층의 비저항이 올라가므로, 저항을 낮추기 위해서 막두께의 합계는 커지는 경향이 있다.

[도전막의 형성 방법]

기체 (11) 상에 대한 도전막 (12) (산화물층 (12a), 금속층 (12b)) 의 형성 방법은 한정되지 않고, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법, 이온플레이팅법, 화학 적 기상 성장법 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도, 품질, 특성의 안정성이 양호한 점에서, 스퍼터법이 바람직하다. 스퍼터법으로서는, 펄스 스퍼터법, AC 스퍼터법 등을 들 수 있다.

스퍼터법에 의한 도전막 (12) 의 형성은, 예를 들어, 이하와 같이 하여 실시할 수 있다. 우선, 기체 (11) 표면에, 산화 아연과 고굴절률 금속 산화물로 이루어진 타겟 (이하, ZnO 혼합 타겟이라 한다.) 을 이용하고, 산소 가스를 혼합한 아르곤 가스를 도입하고, 펄스 스퍼터를 실시하여, 산화물층 (12a) 을 형성한다.

이어서, 은 타겟 또는 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 펄스 스퍼터를 실시하여, 금속층 (12b) 을 형성한다. 이 조작을 반복하고, 마지막으로 상기와 동일한 방법으로 산화물층 (12a) 을 형성함으로써, 다층 구조체의 도전막 (12) 을 형성한다.

ZnO 혼합 타겟은, 각각의 성분의 고순도 (통상 99.9%) 분말을 혼합하여, 핫 프레스 법 또는 HIP (핫 아이소스태딕 프레스) 법을 이용하여 소결함으로써 제조할 수 있다. 핫 프레스 법의 경우, 구체적으로는, 고굴절률 금속 산화물을 포함한 산화 아연 분말을 진공 또는 불활성 가스 분위기 중, 최고 온도 1000∼1200℃ 에서 핫 프레스함으로써 제조된다. 그 ZnO 혼합 타겟은, 기공율이 5.0% 이하이고, 비저항이 1Ω㎝ 미만인 것이 바람직하다.

[보호막]

본 실시형태의 도전막 (12) 에서는, 최상의 산화물층 (12a) 상에 보호막 (12d) 이 형성되어 있다. 보호막 (12d) 은, 산화물층 (12a) 및 금속층 (12b) 을 수분으로부터 보호하고, 표면의 산화물층 (12a) 상에 임의의 수지 필름 (방습 필름, 비산 방지 필름, 반사 방지 필름, 근적외선 차폐용 등의 보호 필름, 근적외선 흡수 필름 등의 기능성 필름 등) 을 접착할 때의 접착제 (특히 알칼리성 접착제) 로부터 산화물층 (12a) 을 보호할 수 있다. 또한, 이 보호막 (12d) 은, 본 발명에서 임의의 구성요소이고, 생략되어도 되는 것이다.

보호막 (12d) 으로서 구체적으로는, Sn, In, Ti, Si 등의 금속의 산화물막이나 질화물막 등을 들 수 있고, 특히, 인듐-주석 산화물 (ITO) 막이 바람직하다.

보호막 (12d) 의 막두께는 2∼30㎚ 인 것이 바람직하고, 3∼20㎚ 인 것이 보다 바람직하다.

[배리어층]

도 2 에 나타내는 바와 같이, 도전막 (12) 에서는, 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 적층되지만, 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 의 사이에는 배리어층 (12c) 이 형성되어 있어도 된다. 금속층 (12b) 상에 배리어층 (12c) 이 형성되면, 상기 서술한 바와 같이, 산화물층 (12a) 을 산소 분위기하에서 형성하는 경우에, 금속층 (12b) 의 산화를 막을 수 있다. 배리어층 (12c) 으로서는, 산소 비존재하에서 형성할 수 있는 것을 들 수 있고, 재질로서 예를 들어, 알루미늄 도프 산화 아연, 주석 도프 산화 인듐 등을 사용할 수 있다.

본 발명의 도전성 적층체는, 시감 투과율이 55% 이상인 것이 바람직하고, 60% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 발명의 도전성 적층체는, 파장 850㎚ 에서의 투과율이 5% 이하인 것이 바람직하고, 2% 이하인 것이 특히 바람직하다.

[용도]

본 발명의 도전성 적층체는, 도전성 (전자파 차폐성), 가시광 투과성 및 근적외선 차폐성이 우수하고, 또한 유리 등의 지지 기체에 적층했을 경우, 투과ㆍ반사 대역이 넓어지기 때문에, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름으로서 유용하다.

또, 본 발명의 도전성 적층체는, 액정 표시 소자 등의 투명 전극으로서 이용할 수 있다. 그 투명 전극은, 표면 저항이 낮기 때문에 응답성이 좋고, 반사율이 유리 수준으로 억제되기 때문에 시인성이 좋다.

또, 본 발명의 도전성 적층체는, 자동차 방풍 유리로서 사용할 수 있다. 그 자동차 방풍 유리는, 도전막에 통전함으로써, 흐림 방지 또는 융빙 (融氷) 기능을 발휘할 수 있고, 또한 저저항이므로 통전에 필요로 하는 전압이 낮아도 되며, 또한, 반사율이 유리 수준으로 억제되기 때문에 운전자의 시인성을 손상시킬 일이 없다.

또, 본 발명의 도전성 적층체는, 적외선 영역에서의 반사율이 매우 높기 때문에, 건물의 창 등에 설치되는 히트 미러로서 사용할 수 있다.

또, 본 발명의 도전성 적층체는, 전자파 차폐 효과가 높기 때문에, 전기ㆍ전자 기기로부터 방사되는 전자파가 실외로 누설되는 것을 방지하고, 또한 전기ㆍ전자기기에 영향을 미치는 전자파가 실외에서 실내로 침입하는 것을 방지하는 전자파 차폐 창유리에 사용할 수 있다.

「플라즈마 디스플레이용 보호판」

이하, 본 발명의 도전성 적층체를, 플라즈마 디스플레이용 보호판 (이하, 보호판이라 기재한다) 의 전자파 차폐 필름으로서 이용한 예에 대해 설명한다.

(제 1 실시형태)

도 3 에, 제 1 실시형태의 보호판을 나타낸다. 이 보호판 (1) 은, 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 상에 형성된 상기 도전성 적층체 (10) 와, 지지 기체 (20) 에서의 도전성 적층체 (10) 측의 면의 둘레 가장자리부에 형성된 착색 세라믹스층 (30) 과, 지지 기체 (20) 에서의 도전성 적층체 (10) 측과 반대측의 면에 접착된 비산 방지 필름 (40) 과, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 의 둘레 가장자리부에서 전기적으로 접하고 있는 전극 (50) 과, 도전성 적층체 (10) 상에 형성된 보호 필름 (60) 을 갖는 것이다.

도전성 적층체 (10) 와 지지 기체 (20) 의 사이, 도전성 적층체 (10) 와 보호 필름 (60) 의 사이, 지지 기체 (20) 와 비산 방지 필름 (40) 사이에는 점착제층 (70) 이 형성되어 있다.

또, 이 보호판 (1) 은, 도전성 적층체 (10) 가, 지지 기체 (20) 의 PDP 측에 형성된 것이다.

<지지 기체>

보호판 (1) 에서의 지지 기체 (20) 는, 도전성 적층체 (10) 의 기체 (11) 보다 강성이 높은 투명한 기체이다. 지지 기체 (20) 를 형성함으로써, 도전성 적층체 (10) 의 기체 (11) 의 재료가 PET 등의 플라스틱이어도, PDP 측의 표면과 반대측에서 발생하는 온도차에 의해 휨이 발생되는 일이 없다.

지지 기체 (20) 의 재료로서는, 상기 서술한 도전성 적층체 (10) 의 기체 (11) 의 재료와 동일한 재료 등을 들 수 있다.

<착색 세라믹스층>

착색 세라믹스층 (30) 은, 전극 (50) 이 관찰자측에서 직접 보이지 않게 은폐하기 위한 층이다. 착색 세라믹스층 (30) 은, 예를 들어 지지 기체 (20) 상에 인쇄하거나 착색 테이프를 붙임으로써 형성할 수 있다.

<비산 방지 필름>

비산 방지 필름 (40) 은, 지지 기체 (20) 의 손상시에서의 지지 기체 (20) 의 파편의 비산을 방지하기 위한 필름이다. 비산 방지 필름 (40) 으로서는, 특별히 제한은 없고, 일반적으로 보호판에 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다.

비산 방지 필름 (40) 에는, 반사 방지 기능을 지니게 해도 된다. 비산 방지 기능과 반사 방지 기능을 겸비한 필름은 여러 가지 알려져 있고, 이러한 필름이면 어떠한 필름에서도 이용할 수 있다. 예를 들어, 아사히 가라스사에서 제조한 ARCTOP (상품명) 을 들 수 있다. ARCTOP (상품명) 은, 자기 수복성과 비산 방지 특성을 갖는 폴리우레탄계 연질 수지 필름의 편면에, 비결정성을 갖는 불소 중합체로 이루어지는 저굴절률의 반사 방지층을 형성하여 반사 방지 처리를 실시한 것이다. 또, PET 등의 플라스틱으로 이루어지는 필름 상에, 저굴절률 반사 방지층을 습식 또는 건식에서 형성한 필름 등도 들 수 있다.

<전극>

전극 (50) 은, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 의 전자파 차폐 효과가 발휘되도록, 도전막 (12) 과 전기적으로 접하도록 형성된다.

전극 (50) 은, 도전막 (12) 의 둘레 가장자리부의 전체에 형성되어 있는 것이, 도전막 (12) 의 전자파 차폐 효과를 확보하기 위해서 바람직하다.

전극 (50) 의 재질로서는, 저항이 낮은 것이 전자파 차폐능 면에서는 우위가 된다. 예를 들어, 은 (Ag) 페이스트 (Ag 와 유리 플릿을 함유한 페이스트) 나 구리 (Cu) 페이스트 (Cu 와 유리 플릿을 함유한 페이스트) 를 도포, 소성시킨 것이 바람직하게 사용된다.

<보호 필름>

보호 필름 (60) 은, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 을 보호하는 필름이다. 구체적으로는, 도전막 (12) 을 수분으로부터 보호하는 경우에는, 방습 필름이 형성된다. 방습 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 일반적으로 보호판에 이용되고 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 PET, 폴리염화비닐리덴 등의 플라스틱제 필름을 들 수 있다.

또, 보호 필름 (60) 으로서 상기 서술한 비산 방지 필름을 사용해도 된다.

<점착제층>

점착제층 (70) 의 점착제로서는, 시판되고 있는 점착제를 사용할 수 있다. 바람직한 구체예로서는, 아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리염화비닐, 에폭시수지, 폴리우레탄, 아세트산 비닐 공중합체, 스티렌-아크릴 공중합체, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리올레핀, 스티렌-부타디엔 공중합체 고무, 부틸 고무, 실리콘 수지 등의 점착제를 들 수 있다. 특히, 양호한 내습성을 얻을 수 있는 점에서 아크 릴계의 점착제가 바람직하다.

또, 이 점착제층 (70) 에는, 자외선 흡수제 등의 여러 가지 기능을 갖는 첨가제가 배합되어도 된다.

(제 2 실시형태)

도 4 에, 제 2 실시형태의 보호판을 나타낸다. 이 보호판 (2) 은, 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 의 편면에 형성된 도전성 적층체 (10) 와, 도전성 적층체 (10) 상에 형성된 비산 방지 필름 (40) 과, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 에 둘레 가장자리부에서 전기적으로 접하고 있는 전극 (50) 과, 지지 기체 (20) 에서의 도전성 적층체 (10) 측과 반대측 면의 둘레 가장자리부에 형성된 착색 세라믹스층 (30) 을 갖는 것이다. 또, 비산 방지 필름 (40) 은, 전극 (50) 의 내측에 형성되어 있다.

또한, 본 실시형태에서, 제 1 실시형태와 같은 구성에 대해서는 도 3 과 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.

이 제 2 실시형태의 보호판 (2) 은, 도전성 적층체 (10) 가, 지지 기체 (20) 의 관찰자 측에 형성된 것이다.

(제 3 실시형태)

도 5 에, 제 3 실시형태의 보호판을 나타낸다. 보호판 (3) 은, 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 표면에 점착제층 (70) 을 개재시켜 접착된 도전성 적층체 (10) 와, 도전성 적층체 (10) 표면에 점착제층 (70) 을 개재시켜 접착된 비산 방지 필름 (40) 과, 도전성 적층체 (10) 와는 반대측의 지지 기체 (20) 표면의 둘 레 가장자리부에 형성된 착색 세라믹스층 (30) 과, 도전성 메시 필름 (80) 의 둘레 가장자리부가 착색 세라믹스층 (30) 과 중첩되도록 지지 기체 (20) 표면에 점착제층 (70) 을 개재시켜 접착된 도전성 메시 필름 (80) 과, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 과 도전성 메시 필름 (80) 의 도전성 메시층 (도시 생략) 을 전기적으로 접속하도록 보호판 (3) 의 둘레부에 설치된 전극 (90) 을 갖는 것이다. 보호판 (3) 은, 도전성 적층체 (10) 가 지지 기체 (20) 의 관찰자 측에 형성되고 도전성 메시 필름 (80) 이 지지 기체 (20) 의 PDP 측에 형성되어 있는 예이다.

또한, 제 3 실시형태에서, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 도 3 과 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.

도전성 메시 필름 (80) 은, 투명 필름 상에 구리로 이루어지는 도전성 메시층을 형성한 것이다. 통상적으로는, 투명 필름 상에 동박을 접착시킨 후, 메시 형상으로 가공함으로써 제조된다.

동박은, 압연 구리, 전계 구리 중 어느 것이어도 되고, 적절하게 필요에 따라 공지된 것을 이용하면 된다. 동박은, 각종 표면 처리가 되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 크로메이트 처리, 조면화 (粗面化) 처리, 산 세정, 징크 크로메이트 처리 등을 들 수 있다. 동박의 두께는, 3∼30㎛ 가 바람직하고, 5∼20㎛ 가 보다 바람직하고, 7∼10㎛ 가 특히 바람직하다. 동박의 두께를 30㎛ 이하로 함으로써 에칭 시간을 짧게 할 수 있고, 3㎛ 이상으로 함으로써 전자파 차폐성이 높아진다.

도전성 메시층의 개구율은, 60∼95% 가 바람직하고, 65∼90% 가 보다 바람직 하고, 70∼85% 가 특히 바람직하다.

도전성 메시층의 개구부의 형상은, 정삼각형, 정사각형, 정육각형, 원형, 직사각형, 마름모꼴 등이다. 개구부는, 형상이 갖추어져 있고, 또한 면내에 나란히 있는 것이 바람직하다.

개구부의 사이즈는, 한 변 또는 직경이 5∼200㎛ 인 것이 바람직하고, 10∼150㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 개구부의 한 변 또는 직경을 200㎛ 이하로 함으로써 전자파 차폐성이 향상되고, 5㎛ 이상으로 함으로써 PDP 의 화상에 대한 영향이 적다.

개구부 이외의 금속부의 폭은, 5∼50㎛ 가 바람직하다. 즉, 개구부의 배열 피치는, 10∼250㎛ 가 바람직하다. 금속부의 폭을 5㎛ 이상으로 함으로써, 가공이 용이해지고, 50㎛ 이하로 함으로써, PDP 의 화상에 대한 영향이 적다.

도전성 메시층의 면저항을 필요 이상으로 낮게 하면, 막이 두꺼워지고, 개구부를 충분히 확보할 수 없게 되는 등, 보호판 (3) 의 광학 성능 등에 악영향을 미친다. 한편, 도전성 메시층의 면저항을 필요 이상으로 높게 하면, 충분한 전자파 차폐성을 얻을 수 없게 된다. 따라서, 도전성 메시층의 면저항은, O.01∼10Ω/□ 가 바람직하고, 0.01∼2Ω/□ 가 보다 바람직하고, 0.05∼1Ω/□ 가 특히 바람직하다.

도전성 메시층의 면저항은, 개구부의 한 변 또는 직경보다 5 배 이상 큰 전극을 이용하고 개구부의 배열 피치보다 5 배 이상의 전극 간격으로 4 단자법에 의해 측정하면 된다. 예를 들어, 개구부가 한 변 100㎛ 인 정방형이고, 금속부의 폭 20㎛ 를 통하여 규칙적으로 나열된 것이면, 직경 1㎜ 의 전극을 1㎜ 간격으로 나열하여 측정하면 된다. 또는, 도전성 메시 필름을 직사각형 형상으로 가공하고, 그 길이 방향의 양단에 전극을 형성하여, 그 저항 R 을 측정하고, 길이 방향의 길이 a, 폭 방향의 길이 b 를 통해, 하기 식으로 구해도 된다.

면저항=R×b/a

동박을 투명 필름에 라미네이트할 때에는, 투명한 접착제를 이용한다. 접착제로서는, 아크릴계 접착제, 에폭시계 접착제, 우레탄계 접착제, 실리콘계 접착제, 폴리에스테르계 접착제 등을 들 수 있다. 접착제의 타입으로서는, 2 액형 또는 열경화 타입이 바람직하다. 또, 접착제로서는, 내약품성이 우수한 것이 바람직하다.

동박을 메시 형상으로 가공하는 방법으로서는, 포토레지스트법을 들 수 있다. 인쇄법에서는, 스크린 인쇄에 의해 개구부의 패턴 형성을 한다. 포토레지스트법에서는, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 전면(全面) 인쇄법, 전사법 등에 의해, 동박 상에 포토레지스트 재료를 형성하고, 노광, 현상, 에칭에 의해 개구부의 패턴을 형성한다. 도전성 메시층을 형성하는 다른 방법으로서는, 스크린 인쇄 등의 인쇄법에 따라, 개구부의 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있다.

전극 (90) 은, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 과 도전성 메시 필름 (80) 의 도전성 메시층을 전기적으로 접속시키는 것이다. 전극 (90) 으로서는, 도전성 테이프 등을 들 수 있다. 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 과 도전성 메시 필름 (80) 의 도전성 메시층을 전기적으로 접속함으로써, 전체의 면저항값 을 더 내릴 수 있기 때문에, 전자파 차폐 효과를 한층 더 향상시킬 수 있다.

보호판 (1∼3) 은, PDP 의 앞면에 배치되는 것이기 때문에, PDP 의 화상이 보기 어렵지 않도록, 가시광 투과율은 40% 이상인 것이 바람직하다. 또, 가시광 반사율은 6% 미만이 바람직하고, 3% 미만이 특히 바람직하다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 5% 이하가 바람직하고, 2% 이하가 특히 바람직하다.

이상 설명한 제 1 실시형태∼제 3 실시형태의 보호판 (1∼3) 은, 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 상에 형성된 도전성 적층체 (10) 와, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 에 전기적으로 접하고 있는 전극 (50) 또는 전극 (90) 을 갖는 것이다. 그리고, 상기 서술한 바와 같이, 도전성 적층체 (10) 의 도전막 (12) 은, 기체 (11) 측에서부터, 산화물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 총 (2n+1) 층 [n은 1 이상의 정수] 적층된 다층 구조체이고, 산화물층 (12a) 이, 굴절률 2.3 이상의 고굴절률 금속 산화물과 산화 아연을 주성분으로서 함유하고, 금속층 (12b) 이, 은 또는 은합금을 주성분으로서 함유한다. 이러한 도전성 적층체 (10) 에서는, 도전막 (12) 의 산화물층 (12a) 이 고굴절률 금속 산화물을 함유하므로, 투과ㆍ반사 대역을 넓힐 수 있다. 따라서, 적층 수를 증가시키지 않아도, 투과ㆍ반사 대역이 넓은 보호판을 얻을 수 있다. 그리고, 적층 수를 증가시키지 않음으로써, 가시광 투과성을 높힐 수 있다. 또한, 산화물층 (12a) 에 포함되는 산화 아연은 결정성을 갖기 때문에, 산화물층 (12a) 상에 형성된 금속층 (12b) 중의 금속도 결정화되기 쉽고, 마이그레이션되기 어렵다. 그 결과, 보호판은, 도전성이 높고, 전자파 차폐 능력이 높다.

또한, 본 발명의 보호판은, 상기 서술한 실시형태로 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 서술한 실시형태에서는, 점착제층 (70) 을 형성하여 필름을 적층했지만, 점착제 또는 접착제를 이용하지 않고, 열에 의한 접착이 가능한 경우도 있다.

또, 본 발명의 보호판에서는, 필요에 따라, 반사 방지 필름 또는 저굴절률 박막인 반사 방지층을 가져도 된다. 반사 방지 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 일반적으로 보호판에 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 특히, 불소 수지계의 필름을 이용하면 반사 방지성이 보다 우수하다.

반사 방지층은, 얻어진 보호판의 반사율이 낮아져 바람직한 반사색을 얻을 수 있는 점에서, 그 반사 방지층 자체에 대해, 가시 영역에서의 반사율이 최저가 되는 파장이 500∼600㎚, 특히 530∼590㎚ 인 것이 바람직하다.

또, 보호판에 근적외선 차폐 능력을 지니게 해도 된다. 근적외선 차폐 능력을 갖게 하는 방법으로서는, 근적외선 차폐 필름을 이용하는 방법, 근적외선 흡수 기체를 이용하는 방법, 근적외선 흡수제를 첨가한 점착제를 필름 적층시에 사용하는 방법, 반사 방지 수지 필름 등에 근적외선 흡수제를 첨가하여 근적외선 흡수 기능을 겸비하게 하는 방법, 근적외선 반사 기능을 갖는 도전막을 이용하는 방법 등을 들 수 있다.

실시예
(실시예 1)

고순도의 산화 아연 분말 및 산화 티탄 분말을, 산화 아연:산화 티탄=80:20 (질량비) 가 되도록, 볼밀로 혼합하고, 혼합 분말을 조제하였다. 그 혼합 분말 을 카본제 핫 프레스용 거푸집에 충전하고, 아르곤 가스 분위기 중 1100℃ 에서 1 시간 유지하는 조건으로, 핫 프레스를 실시하여, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟을 얻었다. 핫 프레스의 압력은 1OOkg/㎠ 로 하였다.

도 2 에 나타내는 도전성 적층체를 이하와 같이 제조하였다.

우선, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 실시하였다. 우선 아르곤 가스에 약 30% 의 산소를 혼합하고, 100W 의 전력을 투입하였다. 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체 표면에 조사하였다.

이어서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 표면에, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=80:20 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 10체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 35㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정한 바, 이 산화물층 (12a) 에서, 아연과 티탄의 합계 (100원자%) 중, 아연은 80원자%, 티탄은 20원자% 였다. 또, 산화물층 (12a) 에서, 전체 원자 합계 (100원자%) 중, 아연은 34.3원자%, 티탄은 8.0원자%, 산소는 57.7원자% 였다. 이것을 ZnO 와 TiO₂로 환산하면, 산화물의 합계는 96.7질량% 였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여 아르곤 가스를 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.3W/㎠, 반전 펄스 폭 10μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 10㎚ 의 금속층 (12b) 을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.45Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.7W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 5㎚ 의 산화 아연막 (배리어층 (12c)) 을 형성하였다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=80:20 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 10체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 65㎚ 의 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막을 형성하였다. 이와 같이 하여 얻은 산화 아연막과 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막으로 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여 아르곤 가스를 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.3W/㎠, 반전 펄스 폭 10μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 14㎚ 의 금속층 (12b) 을 형성하였다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=80:20 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 10체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 65㎚ 의 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막을 형성하였다. 이렇게 하여 얻은 산화 아연막과 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막으로 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤 가스 를 도입하고, 0.45Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 2.7W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 5㎚ 의 산화 아연막 (배리어층 (12c)) 을 형성하였다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=80:20 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 10체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 30㎚ 의 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막을 형성하였다. 이렇게 하여 얻은 산화 아연막과 산화 아연ㆍ산화 티탄 혼합막으로 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이어서, 최상의 산화물층 (12a) 상에, ITO 타겟 [인듐:주석=90:10 (질량비)] 을 이용하여, 아르곤에 5체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 1.3W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 보호막 (12d) 인 두께 5㎚ 의 ITO 막을 형성하였다.

이렇게 하여, 기체 (11) 상에, 산화 티탄과 산화 아연을 주성분으로서 함유하는 산화물층 (12a) 과, 금-은합금으로 이루어지는 금속층 (12b) 이 교대로 적층된 도전성 적층체 (10) 로서, 산화물층 (12a) 이 5 층, 금속층 (12b) 이 4 층인 것을 얻었다.

실시예 1 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 71.40%, 시감 반사율은 6.50% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.96% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 0.942Ω 이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

그 후, 이 도전성 적층체 (10) 의 기체 (11) 측 표면에는, 점착제층을 형성하였다.

이 도전성 적층체 (10) 를 이용하여 도 3 에 나타내는 보호판 (1) 을 이하와 같이 제조하였다.

지지 기체 (20) 인 유리판을 소정의 크기로 절단, 모따기하고, 세정한 후, 착색 세라믹스층용 잉크를 유리판 주변에 스크린 인쇄하고, 충분히 건조시켜 착색 세라믹스층 (30) 을 형성하였다. 그 다음으로, 유리 강화 처리로서 이 유리판을 660℃ 까지 가열하고, 그 후 풍랭하여 유리 강화 처리를 실시하였다.

이 유리판의 착색 세라믹스층 (30) 측에, 점착제층 (70) 을 개재시켜, 상기 도전성 적층체 (10) 를 접착하였다. 이어서, 도전성 적층체 (10) 를 보호할 목적으로, 도전성 적층체 (10) 상에 보호 필름 (60) (아사히 가라스사 제조, 상품명: ARCTOP CP21) 를, 점착제층 (70) 을 개재시켜 접착시켰다. 단, 전극 취출의 목적에서, 둘레 가장자리부에는 보호 필름을 접착시키지 않은 부분 (전극 형성부) 을 남겨 두었다.

그리고, 전극 형성부에, 은페이스트 (타이요 잉키제조사 제조, AF4810) 를 나일론 메시#180, 유제 두께 20㎛ 에서 스크린 인쇄하고, 열풍 순환로에서 85℃, 35 분간 건조시켜 전극 (50) 을 형성하였다.

이어서, 유리판의 이면 (도전성 적층체 (10) 를 접착시킨 측의 반대측의 면) 에, 비산 방지 필름 (40) 인 폴리우레탄계 연질 수지 필름 (아사히 가라스사 제조, 상품명: ARCTOP URP2199) 에 점착제층 (70) 을 개재시켜 접착시켰다. 이 폴리우레탄계 연질 수지 필름은 반사 방지 기능도 갖는다. 또한, 통상, 이 폴리우레탄계 연질 수지 필름에 착색제를 첨가하여, 색조 보정, Ne 컷을 하여 색재현성 향상을 도모하지만, 본 실시예에서는 색조 보정, Ne 컷을 평가하지 않기 때문에 착색 없음으로 하였다.

실시예 1 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 71.5%, 시감 반사율은 1.92% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.76% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 보호판에서의 반사 스펙트럼을 도 6 에, 투과 스펙트럼을 도 7 에 나타낸다.

(실시예 2)

산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟으로서, 모두, 산화 아연:산화 티탄 =50:50 (질량비) 인 것을 이용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 도전성 적층체 및 보호판을 제조하였다. 실시예 2 의 산화물층 (12a) 에서, 아연과 티탄의 합계 (100원자%) 중, 아연은 50원자%, 티탄은 50원자% 였다. 또, 산화물층 (12a) 에서, 전체 원자 합계 (100원자%) 중, 아연은 23.6원자%, 티탄은 16.7원자%, 산소는 59.7원자% 이었다. 이것을 ZnO 와 TiO₂ 로 환산하면, 산화물의 합계는 97.7질량% 이었다.

실시예 2 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 62.94%, 시감 반사율은 4.96% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.69% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 0.965Ω 이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

실시예 2 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 62.6%, 시감 반사율은 1.92% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.51% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 보호판에서의 반사 스펙트럼을 도 6 에, 투과 스펙트럼을 도 7 에 나타낸다.

(비교예 1)

도전성 적층체를 이하와 같이 제조한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 도전성 적층체 및 보호판을 얻었다.

우선, 기체인 두께 100㎛ 의 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 하여 실시하였다. 우선, 아르곤 가스에 약 30% 의 산소를 혼합하여, 100W 의 전력을 투입하고, 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체 표면에 조사하였다.

이어서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 표면에 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여 아르곤 가스에 3체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하 고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 40㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.6W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 9㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤 가스에 3체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.9W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 11㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤에 3% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 1.0W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 13㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.6W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 9㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤에 3% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.2W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 35㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 최상의 산화물층 상에, ITO 타겟 (인듐:주석=90:10, 질량비) 을 이용하여, 아르곤에 5체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.5W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 보호막인 두께 5㎚ 의 ITO 막을 형성하였다.

이렇게 하여, 기체 상에, AZO 로 이루어지는 산화물층과, 금-은합금으로 이루어지는 금속층이 교대로 적층된 도전성 적층체로서, 산화물층이 7 층, 금속층이 6 층인 것을 얻었다.

비교예 1 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 59.75%, 시감 반사율은 5.79% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.5% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 0.957Ω이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 1 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 60.3%, 시감 반사율은 1.98% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.28% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 반사 스펙트럼을 도 6 에, 투과 스펙트럼을 도 7 에 나타낸다.

(비교예 2)

우선, 기체인 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 하여 실시하였다. 우선 아르곤 가스에 약 30% 의 산소를 혼합하여, 100W 의 전력을 투입하였다. 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체 표면에 조사하였다.

이어서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 표면에 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여 아르곤 가스에 3체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.7W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 40㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.6W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 13㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤 가스에 3체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 4.7W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.9W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 16㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤에 3% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 4.7W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 1.0W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 16㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 금을 1.0질량% 도핑한 은합금 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.6W/㎠, 반전 펄스 폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 13㎚ 의 금속층을 형성하였다.

이어서, 알루미나를 5질량% 도핑한 산화 아연 타겟을 이용하여, 아르곤에 3% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.2W/㎠, 반전 펄스 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 35㎚ 의 산화물층을 형 성하였다.

이어서, 최상의 산화물층 상에, ITO 타겟 (인듐:주석=90:10) 을 이용하여, 아르곤에 3체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 1.0W/㎠, 반전 펄스 폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 보호막인 두께 5㎚ 의 ITO 막을 형성하였다.

이와 같이 하여, 기체 상에, AZO 로 이루어지는 산화물층과, 금-은합금으로 이루어지는 금속층이 교대로 적층된 도전성 적층체로서, 산화물층이 5 층, 금속층이 4 층인 것을 얻었다.

비교예 2 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 60.9%, 시감 반사율은 6.85% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.40% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 0.981Ω 이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 2 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 61.8%, 시감 반사율은 4.22% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.27% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 이 보호판에서의 반사 스펙트럼을 도 6 에, 투과 스펙트럼을 도 7 에 나타낸다.

산화물층이 산화 아연과 산화 티탄을 주성분으로서 함유하고, 금속층이 은합 금을 주성분으로서 함유하는 실시예 1 의 보호판은, 금속층의 수가 4 층임에도 불구하고, 투과ㆍ반사 대역이 넓고, 또한 도전성 및 가시광 투과성이 우수하였다.

반면에, 산화물 층이 AZO 를 주성분으로서 함유하고, 금속층의 수가 6 층인 비교예 1 의 보호판은, 가시광 투과율이 낮았다.

산화물층이 AZO 를 주성분으로서 함유하고, 금속층의 수가 4 층인 비교예 2 의 보호판은 투과ㆍ반사 대역이 좁았다.

(실시예 3)

도 1 에 나타내는 도전성 적층체를 이하와 같이 제조하였다.

우선, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 하여 실시했다. 우선 아르곤 가스에 약 30% 의 산소를 혼합하여, 100W 의 전력을 투입하였다. 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체표면에 조사하였다.

이어서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 표면에, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=85:15(질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 15체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 40㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정한 바, 이 산화물층 (12a) 에서, 아연과 티탄의 합계 (100원자%) 중, 아연은 85원자%, 티탄은 15원자% 이었다. 또, 산화물층 (12a) 에서, 전체 원자 합계 (100원자%) 중, 아연은 37.0원자%, 티탄은 6.2원자%, 산소는 56.8원자% 이었다. 이것을 ZnO 와 TiO₂ 로 환산하면, 산화물의 합계는 96.7질량% 이었다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=85:15 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 15체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=85:15 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 15체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 35㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이와 같이 하여, 기체 (11) 상에, 산화 티탄과 산화 아연을 주성분으로서 함유하는 산화물층 (12a) 과, 금-은합금으로 이루어지는 금속층 (12b) 이 교대로 적층된 도전성 적층체로서, 산화물층이 4 층, 금속층이 3 층인 것을 얻었다.

실시예 3 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 77.25%, 시감 반사율은 5.07% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 12.3% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 1.815Ω 이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

이 도전성 적층체 (10) 를 이용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 3 에 나타내는 보호판 (1) 을 제조하였다.

실시예 3 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 76.99%, 시감 반사율은 3.45% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 9.6% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

(실시예 4)

도 1 에 나타내는 도전성 적층체를 이하와 같이 제조하였다.

우선, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 하여 실시하였다. 우선 아르곤 가스에 약 30% 의 산소를 혼합하여, 100W 의 전력을 투입하였다. 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체 표면에 조사하였다.

이어서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 표면에, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=85:15 (질량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 15체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 40㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다. 러더퍼드 후방 산란법에 의해 측정한 바, 이 산화물층 (12a) 에서, 아연과 티탄의 합계 (100원자%) 중, 아연은 85원자%, 티탄은 15원자% 이었다. 또, 산화물층 (12a) 에서, 전체 원자 합계 (100원자%) 중, 아연은 37.0원자%, 티탄은 6.2원자%, 산소는 56.8원자% 이었다. 이것을 ZnO 와 TiO₂ 로 환산하면, 산화물의 합계는 96.7질량% 이었다.

이어서, 산화 아연 및 산화 티탄 혼합 타겟 [산화 아연:산화 티탄=85:15 (질 량비)] 을 이용하여 아르곤 가스에 15체적% 의 산소 가스를 혼합하여 도입하고, 0.73Pa 의 압력으로 주파수 50㎑, 전력 밀도 4.5W/㎠, 반전 펄스 폭 2μ초의 펄스 스퍼터를 실시하여, 두께 80㎚ 의 산화물층 (12a) 을 형성하였다.

이와 같이 하여, 기체 (11) 상에, 산화 티탄과 산화 아연을 주성분으로서 함유하는 산화물층 (12a) 과 금-은합금으로 이루어지는 금속층 (12b) 이 교대로 적층된 도전성 적층체로서, 산화물층이 5 층, 금속층이 4 층인 것을 얻었다.

실시예 4 의 도전성 적층체에 대해, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 67.7%, 시감 반사율은 5.88% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.78% 이었다.

또, Nagy사에서 제조한 와전류형 저항 측정기 SRM12 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 0.968Ω이었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

이 도전성 적층체 (10) 를 이용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 3 에 나타내는 보호판 (1) 을 제조한다.

실시예 4 의 보호판에 대해서, 도쿄 덴쇼쿠사에서 제조한 컬러 애널라이저 TC1800 에 의해 측정한 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되는 자극치 Y) 은 68.0%, 시감 반사율은 2.52% 이었다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은, 0.68% 이었다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

산업상이용가능성

본 발명의 도전성 적층체는, 도전성 (전자파 차폐성), 가시광 투과성 및 근적외선 차폐성이 우수하고, 또한 지지 기체에 적층한 경우, 투과ㆍ반사 대역이 넓어지므로, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름, 보호판으로서 유용하다. 또, 본 발명의 도전성 적층체는, 액정 표시 소자 등의 투명 전극, 자동차 방풍 유리, 히트 미러, 전자파 차폐 유리창으로서 이용할 수 있다.

또한, 2004년 11월 30일에 출원된 일본 특허 출원 2004-345877호, 및 2005년 9월 2일에 출원된 일본 특허 출원 2005-254907호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도 면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명의 명세서의 개시로서 도입한 것이다.

Claims

기체와, 상기 기체 상에 형성된 도전막을 갖는 도전성 적층체로서,

상기 도전막은, 상기 기체로부터, 산화물층과 금속층이 교대로 총 (2n+1) 층 [n 은 1 이상의 정수] 적층된 다층 구조체이고,

상기 산화물층은, 산화 아연과 산화 티탄을 주성분으로서 함유하고,

상기 산화물층에 있어서, 티탄과 아연의 합계에 대한 티탄의 비율은 1 ~ 20 원자%이고, 상기 금속층은, 은 또는 은합금을 주성분으로서 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 적층체.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 금속층은 2∼8 층 형성되어 있는, 도전성 적층체.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 금속층은, 순은, 또는, 금 및 비스무트 중 적어도 하나를 함유하는 은합금인, 도전성 적층체.
제 1 항 또는 제 3 항에 기재된 도전성 적층체로 이루어지는, 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름.
지지 기체와,

상기 지지 기체 상에 형성된 제 5 항에 기재된 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름과,

상기 플라즈마 디스플레이용 전자파 차폐 필름의 도전막에 전기적으로 접하고 있는 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이용 보호판.
제 6 항에 있어서,

도전성 메시 필름을 추가로 갖는, 플라즈마 디스플레이용 보호판.