JP2009071146A - 導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板 - Google Patents
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Abstract
【課題】導電性（電磁波遮蔽性）に優れ、可視光透過率が高く、耐指紋腐食性に優れる導電性積層体および電磁波遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、耐指紋腐食性に優れるプラズマディスプレイ用保護板を提供する。
【解決手段】基体１２上に形成された導電膜１４を有し、導電膜１４は基体１２側から酸化物膜２０１、２０２・・・と金属膜３０１、３０２・・・とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数。）である多層構造体であり、基体１２側から１〜ｎ番目の酸化物膜２０１〜２０ｎが、酸化ジルコニウム層２２１〜２２ｎを有し、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数。）の酸化物膜２０ｉの酸化ジルコニウム層２２ｉが、基体１２側からｉ番目の金属膜３０ｉと接し、金属膜３０ｉが純銀からなる膜または銀合金からなる膜である導電性積層体１０。
【選択図】図１
【解決手段】基体１２上に形成された導電膜１４を有し、導電膜１４は基体１２側から酸化物膜２０１、２０２・・・と金属膜３０１、３０２・・・とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数。）である多層構造体であり、基体１２側から１〜ｎ番目の酸化物膜２０１〜２０ｎが、酸化ジルコニウム層２２１〜２２ｎを有し、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数。）の酸化物膜２０ｉの酸化ジルコニウム層２２ｉが、基体１２側からｉ番目の金属膜３０ｉと接し、金属膜３０ｉが純銀からなる膜または銀合金からなる膜である導電性積層体１０。
【選択図】図１
Description
本発明は、導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板に関する。
透明性を有する導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極、自動車風防ガラス、ヒートミラー（熱線反射ガラス）、電磁波遮蔽窓ガラス等として用いられている。
該導電性積層体としては、たとえば、下記のものが提案されている。
（１）透明基体上に、酸化チタン等からなる酸化物膜、銀等の貴金属からなる金属膜、酸化チタン等からなる酸化物膜を順次積層してなる導電膜を有する熱線反射透明体（特許文献１）。
（２）透明基体上に、酸化亜鉛からなる酸化物膜と銀からなる金属膜とを交互に積層した合計（２ｎ＋１）層（ｎ≧２）の導電膜を有する導電性積層体（特許文献２）。
（１）透明基体上に、酸化チタン等からなる酸化物膜、銀等の貴金属からなる金属膜、酸化チタン等からなる酸化物膜を順次積層してなる導電膜を有する熱線反射透明体（特許文献１）。
（２）透明基体上に、酸化亜鉛からなる酸化物膜と銀からなる金属膜とを交互に積層した合計（２ｎ＋１）層（ｎ≧２）の導電膜を有する導電性積層体（特許文献２）。
また、導電性積層体は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す。）から発生する電磁波を遮蔽するフィルタとして用いられている。たとえば、ＰＤＰの観察者側には、基体上に、高屈折率の金属酸化物からなる酸化物膜と、銀または銀合金からなる金属膜とが交互に計（２ｎ＋１）層積層された導電膜を有する導電性積層体を、さらに支持基体上に設けたプラズマディスプレイ用保護板が配置されている。
該導電性積層体としては、たとえば、下記のものが提案されている。
（３）酸化物膜が、酸化インジウムと酸化スズとを主成分として含む導電性積層体（特許文献３）。
（４）酸化物膜が、酸化亜鉛と、酸化アルミニウム等の他の金属酸化物とを主成分として含む導電性積層体（特許文献４）。
（５）酸化物膜が、酸化亜鉛と酸化チタンとを主成分として含む導電性積層体（特許文献５）。
（３）酸化物膜が、酸化インジウムと酸化スズとを主成分として含む導電性積層体（特許文献３）。
（４）酸化物膜が、酸化亜鉛と、酸化アルミニウム等の他の金属酸化物とを主成分として含む導電性積層体（特許文献４）。
（５）酸化物膜が、酸化亜鉛と酸化チタンとを主成分として含む導電性積層体（特許文献５）。
（１）〜（５）の導電性積層体には、高い可視光透過率が求められている。また、プラズマディスプレイ用保護板には、可視光領域全体にわたって透過率が高く、かつ反射率が低いこと、すなわち透過・反射バンドが広いことが求められている。しかし、導電性積層体の可視光透過率をさらに向上させようと、金属膜の膜厚を薄くした場合、金属膜の抵抗値が上がり、導電性積層体の導電性（電磁波遮蔽性）が低下する問題がある。また、（１）〜（５）の導電性積層体は、人の指が接触することにより導電膜に付着した指紋形状の皮脂を長時間放置すると、酸化物膜が腐食し、導電膜に指紋跡が残りやすいという問題（指紋腐食性の問題）がある。
特開平１−１８８４４６号公報
特公平８−３２４３６号公報
特開平１０−２１７３８０号公報
国際公開第９８／１３８５０号パンフレット
特開２００６−１８６３０９号公報
本発明は、導電性（電磁波遮蔽性）に優れ、可視光透過率が高く、耐指紋腐食性に優れる導電性積層体、および電磁波遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、耐指紋腐食性に優れるプラズマディスプレイ用保護板を提供する。
本発明の導電性積層体は、基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数である。）である多層構造体であり、基体側から１〜ｎ番目の酸化物膜が、酸化ジルコニウム層を有し、基体側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の酸化物膜の酸化ジルコニウム層が、基体側からｉ番目の金属膜と接し、前記金属膜が、純銀からなる膜、または銀合金からなる膜であることを特徴とする。すなわち、基体側から１〜ｎ番目の酸化物膜の酸化ジルコニウム層が、それぞれ基体側から１〜ｎ番目の金属膜と接している。
基体側からｎ＋１番目の酸化物膜は、酸化ジルコニウム層を有していてもよい。
前記酸化物膜は、屈折率が１．８以上である金属酸化物（ただし、酸化ジルコニウムを除く。）からなる高屈折率層を有することが好ましい。
基体側からｉ番目の金属膜と、基体側からｉ＋１番目の酸化物膜との間には、バリア層を有することが好ましい。
前記酸化物膜は、屈折率が１．８以上である金属酸化物（ただし、酸化ジルコニウムを除く。）からなる高屈折率層を有することが好ましい。
基体側からｉ番目の金属膜と、基体側からｉ＋１番目の酸化物膜との間には、バリア層を有することが好ましい。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、支持基体と、該支持基体上に設けられた本発明の導電性積層体と、該導電性積層体の導電膜に電気的に接している電極とを有することを特徴とする。
本発明の導電性積層体は、導電性（電磁波遮蔽性）に優れ、可視光透過率が高く、耐指紋腐食性に優れる。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、電磁波遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、耐指紋腐食性に優れる。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、電磁波遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、耐指紋腐食性に優れる。
＜導電性積層体＞
図１は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。導電性積層体１０は、基体１２と、導電膜１４とを有する。
図１は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。導電性積層体１０は、基体１２と、導電膜１４とを有する。
（基体）
基体１２としては、透明基体が好ましい。透明とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味する。
透明基体の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。
基体１２としては、透明基体が好ましい。透明とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味する。
透明基体の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。
ガラスからなる透明基体の厚さは、０．１〜１５ｍｍが好ましく、１．０〜２．３ｍｍがより好ましく、１．６〜２ｍｍが特に好ましい。
プラスチックからなる透明基体の厚さは、１〜５００μｍが好ましく、１０〜２００μｍがより好ましく、４０〜１１０μｍが特に好ましい。
プラスチックからなる透明基体の厚さは、１〜５００μｍが好ましく、１０〜２００μｍがより好ましく、４０〜１１０μｍが特に好ましい。
（導電膜）
導電膜１４は、基体１２側から酸化物膜２０１、２０２・・・と金属膜３０１、３０２・・・とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数である。）であり、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の金属膜３０ｉと、基体１２側からｉ＋１番目の酸化物膜２０（ｉ＋１）との間に、バリア層３２ｉ（３２１、３２２・・・）を有する多層構造体である。図示例はｎ＝４である。
ｎは、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましい。ｎが２以上であれば、導電性（電磁波遮蔽性）に優れる。ｎが８以下であれば、導電膜１４の内部応力の増加が抑えられる。
導電膜１４は、基体１２側から酸化物膜２０１、２０２・・・と金属膜３０１、３０２・・・とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数である。）であり、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の金属膜３０ｉと、基体１２側からｉ＋１番目の酸化物膜２０（ｉ＋１）との間に、バリア層３２ｉ（３２１、３２２・・・）を有する多層構造体である。図示例はｎ＝４である。
ｎは、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましい。ｎが２以上であれば、導電性（電磁波遮蔽性）に優れる。ｎが８以下であれば、導電膜１４の内部応力の増加が抑えられる。
（酸化物膜）
酸化物膜とは、金属酸化物からなる膜を意味する。
基体１２側から１〜ｎ番目の酸化物膜２０１〜２０ｎ（図示例はｎ＝４。）は、酸化ジルコニウム層２２１〜２２ｎ（図示例はｎ＝４。）および高屈折率層２４１〜２４ｎ（図示例はｎ＝４。）を有し、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の酸化物膜２０ｉの酸化ジルコニウム層２２ｉは、基体１２側からｉ番目の金属膜３０ｉと接する。
基体１２側からｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）は、高屈折率層２４（ｎ＋１）（図示例では符号２４５。）からなる。
酸化物膜とは、金属酸化物からなる膜を意味する。
基体１２側から１〜ｎ番目の酸化物膜２０１〜２０ｎ（図示例はｎ＝４。）は、酸化ジルコニウム層２２１〜２２ｎ（図示例はｎ＝４。）および高屈折率層２４１〜２４ｎ（図示例はｎ＝４。）を有し、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の酸化物膜２０ｉの酸化ジルコニウム層２２ｉは、基体１２側からｉ番目の金属膜３０ｉと接する。
基体１２側からｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）は、高屈折率層２４（ｎ＋１）（図示例では符号２４５。）からなる。
酸化物膜の物理的膜厚（以下、単に膜厚と記す。）は、基体１２から１番目およびｎ＋１番目で１０〜６０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましく、基体１２から２〜ｎ番目で１０〜１２０ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましい。
膜厚は、下記の方法であらかじめ作成された検量線を用い、成膜時のスパッタリング時間から換算して得られた値である。
検量線の作成方法：表面の一部に油性ペンのインキを塗布した基体表面に、任意の時間でスパッタリングによる成膜を行う。成膜後、油性ペンのインキを基体からはがす。該基体表面において、油性ペンのインキをはがした部分と成膜された部分との高さの差を触針式表面粗さ測定器により測定する。該高さの差が当該スパッタリング時間における膜厚である。ついで、成膜時のスパッタリングの時間を変えた以外は前記と同様にして、膜厚を測定する。必要に応じて同様の測定を３回以上繰り返す。以上の測定により得られた値から、スパッタリング時間と膜厚との検量線を作成する。
酸化物膜２０１〜２０ｎは、それぞれ全て同じ構成、材料であってもよく、異なる構成、材料であってもよい。また、膜厚についても、酸化物膜２０１〜２０ｎはそれぞれ同じであってもよく、それぞれが異なっていてもよい。
膜厚は、下記の方法であらかじめ作成された検量線を用い、成膜時のスパッタリング時間から換算して得られた値である。
検量線の作成方法：表面の一部に油性ペンのインキを塗布した基体表面に、任意の時間でスパッタリングによる成膜を行う。成膜後、油性ペンのインキを基体からはがす。該基体表面において、油性ペンのインキをはがした部分と成膜された部分との高さの差を触針式表面粗さ測定器により測定する。該高さの差が当該スパッタリング時間における膜厚である。ついで、成膜時のスパッタリングの時間を変えた以外は前記と同様にして、膜厚を測定する。必要に応じて同様の測定を３回以上繰り返す。以上の測定により得られた値から、スパッタリング時間と膜厚との検量線を作成する。
酸化物膜２０１〜２０ｎは、それぞれ全て同じ構成、材料であってもよく、異なる構成、材料であってもよい。また、膜厚についても、酸化物膜２０１〜２０ｎはそれぞれ同じであってもよく、それぞれが異なっていてもよい。
（酸化ジルコニウム層）
酸化ジルコニウム層とは、酸化ジルコニウム（屈折率：２．１９）を主成分とする層を意味する。
酸化ジルコニウム層２２ｉは、平坦性が高く、かつ酸化ジルコニウム層２２ｉの表面に形成される金属膜３０ｉの結晶性を向上させる。そのため、酸化ジルコニウム層２２ｉを有することにより、金属膜３０ｉの膜厚が薄くても、金属膜３０ｉの抵抗値を低くできる。また、酸化ジルコニウム層２２ｉは、他の金属酸化物に比べ、皮脂によって腐食しにくい。
酸化ジルコニウム層とは、酸化ジルコニウム（屈折率：２．１９）を主成分とする層を意味する。
酸化ジルコニウム層２２ｉは、平坦性が高く、かつ酸化ジルコニウム層２２ｉの表面に形成される金属膜３０ｉの結晶性を向上させる。そのため、酸化ジルコニウム層２２ｉを有することにより、金属膜３０ｉの膜厚が薄くても、金属膜３０ｉの抵抗値を低くできる。また、酸化ジルコニウム層２２ｉは、他の金属酸化物に比べ、皮脂によって腐食しにくい。
酸化ジルコニウム層２２ｉにおいて、酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ、ＺｒＯ２、ＺｒＯ３の混合物として存在すると考えられる。酸化ジルコニウム層２２ｉにおけるジルコニウム原子の含有量は、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法）またはラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により測定できる。
ジルコニウム原子の含有量は、酸化ジルコニウム層２２ｉにおける金属原子全量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が特に好ましい。ジルコニウム原子の含有量が９０質量％以上であれば、酸化ジルコニウム層２２ｉの表面に形成される金属膜３０ｉの膜厚が薄くても、金属膜３０ｉの抵抗値を充分に低くできる。
酸化ジルコニウム層２２ｉには、物性を損なわない範囲で、ジルコニウムを除く他の金属が酸化物として含まれていてもよい。他の金属としては、たとえば、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、ストロンチウム、イットリウム、ニオブ、バリウム、ハフニウム、タンタル、鉄、クロム等が挙げられる。
酸化ジルコニウム層２２ｉの膜厚は、３〜４０ｎｍが好ましく、５〜２０ｎｍがより好ましく、６〜１５ｎｍが特に好ましい。酸化ジルコニウム層２２ｉの膜厚が該範囲であれば、酸化ジルコニウム層２２ｉの平坦性が良好となり、表面に形成される金属膜３０ｉの膜厚が薄くても、金属膜３０ｉの抵抗値を充分に低くできる。
（高屈折率層）
高屈折率層２４ｉ（ただし、ｉは１〜ｎ＋１の整数である。）は、屈折率が１．８以上である金属酸化物（ただし、酸化ジルコニウムを除く。）からなる層である。より好ましい屈折率は、１．８〜２．５である。高屈折率層２４ｉを有することにより、導電性積層体１０の可視光反射率を低く抑えることができる。また、高屈折率層２４ｉの材料として、成膜速度を速くできうる物質を選択すれば、より短いタクトで本発明の導電性積層体を製造できる。
屈折率とは、波長５５０ｎｍにおける屈折率を意味する。
高屈折率層２４ｉ（ただし、ｉは１〜ｎ＋１の整数である。）は、屈折率が１．８以上である金属酸化物（ただし、酸化ジルコニウムを除く。）からなる層である。より好ましい屈折率は、１．８〜２．５である。高屈折率層２４ｉを有することにより、導電性積層体１０の可視光反射率を低く抑えることができる。また、高屈折率層２４ｉの材料として、成膜速度を速くできうる物質を選択すれば、より短いタクトで本発明の導電性積層体を製造できる。
屈折率とは、波長５５０ｎｍにおける屈折率を意味する。
屈折率が１．８以上である金属酸化物としては、酸化ニオブ（屈折率２．３５）、酸化チタン（屈折率２．４５）、酸化タンタル（屈折率２．１〜２．２）、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ（インジウムおよびスズの複合酸化物）（屈折率２．０）等が挙げられ、屈折率が高く、成膜速度が速い等の点から、酸化ニオブ、酸化チタン、ＩＴＯが好ましく、酸化ニオブ、ＩＴＯがより好ましい。
高屈折率層２４ｉにおけるニオブ原子、チタン原子、タンタル原子、スズ原子またはインジウム原子の含有量は、ＥＳＣＡまたはラザフォード後方散乱法により測定できる。
ニオブ原子、チタン原子、またはタンタル原子の含有量は、高屈折率層２４ｉにおける金属原子全量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が特に好ましい。
高屈折率層２４ｉの材料としてＩＴＯを用いる場合、インジウム原子とスズ原子との合計量は、高屈折率層２４ｉにおける金属原子全量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が特に好ましい。また、インジウム原子の含有量は、高屈折率層２４ｉ中、３３〜７５質量％が好ましく、４１〜５８質量％がより好ましい。スズ原子の含有量は、高屈折率層２４ｉ中、７〜４８質量％が好ましく、２３〜４０質量％がより好ましい。
高屈折率層２４ｉの材料としてＩＴＯを用いる場合、インジウム原子とスズ原子との合計量は、高屈折率層２４ｉにおける金属原子全量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が特に好ましい。また、インジウム原子の含有量は、高屈折率層２４ｉ中、３３〜７５質量％が好ましく、４１〜５８質量％がより好ましい。スズ原子の含有量は、高屈折率層２４ｉ中、７〜４８質量％が好ましく、２３〜４０質量％がより好ましい。
高屈折率層２４ｉの膜厚は、３〜６０ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましく、３０〜４５ｎｍが特に好ましい。
高屈折率層２４ｉは、金属酸化物の種類の異なる複数の層からなる多層構造体であってもよい。たとえば、酸化ニオブ層と酸化チタン層とからなる多層構造体であってもよい。
高屈折率層２４ｉは、金属酸化物の種類の異なる複数の層からなる多層構造体であってもよい。たとえば、酸化ニオブ層と酸化チタン層とからなる多層構造体であってもよい。
（金属膜）
金属膜３０ｉは、純銀からなる膜、または銀合金からなる膜である。
金属膜３０ｉとしては、導電性積層体１０のシート抵抗を低くする点からは、純銀からなる膜が好ましい。純銀とは、金属膜３０ｉ（１００質量％）中に銀を９９．９質量％以上含有することを意味する。
金属膜３０ｉとしては、銀のマイグレーションを抑制し、結果として耐湿性を高くできる点からは、金、ビスマスおよびパラジウムからなる群から選ばれる１種以上を含有する銀合金からなる膜が好ましい。金、ビスマスおよびパラジウムの合計は、金属膜３０ｉ（１００原子％）のうち、１〜２５原子％が好ましく、３〜１５原子％がより好ましく、４〜１１原子％が特に好ましい。
金属膜３０ｉは、純銀からなる膜、または銀合金からなる膜である。
金属膜３０ｉとしては、導電性積層体１０のシート抵抗を低くする点からは、純銀からなる膜が好ましい。純銀とは、金属膜３０ｉ（１００質量％）中に銀を９９．９質量％以上含有することを意味する。
金属膜３０ｉとしては、銀のマイグレーションを抑制し、結果として耐湿性を高くできる点からは、金、ビスマスおよびパラジウムからなる群から選ばれる１種以上を含有する銀合金からなる膜が好ましい。金、ビスマスおよびパラジウムの合計は、金属膜３０ｉ（１００原子％）のうち、１〜２５原子％が好ましく、３〜１５原子％がより好ましく、４〜１１原子％が特に好ましい。
金属膜３０１〜３０ｎの膜厚を合計した合計膜厚は、たとえば、導電性積層体１０のシート抵抗の目標を１．５Ω／□とした場合、１５〜７０ｎｍが好ましく、２０〜６０ｎｍがより好ましく、３０〜５０ｎｍが特に好ましく、シート抵抗の目標を０．９Ω／□とした場合、２０〜８０ｎｍが好ましく、３０〜７０ｎｍがより好ましく、４０〜６０ｎｍが特に好ましい。各金属膜３０ｉの膜厚は、合計膜厚を金属膜の数ｎで適宜配分する。なお、金属膜の数ｎが多くなると、各金属膜３０ｉの膜厚が薄くなるため、各金属膜３０ｉの比抵抗が上がる。したがって、金属膜の数ｎが多くなる場合には、抵抗を下げるために合計膜厚は大きくなる傾向にある。
（バリア膜）
バリア膜３２ｉは、酸化物膜２０（ｉ＋１）を酸素雰囲気下で成膜する場合に、金属膜３０ｉの酸化を防ぐ膜である。
バリア膜３２ｉとしては、酸素非存在下で形成できる膜が挙げられ、たとえば、酸化ニオブ膜、ニオブ膜、ジルコニウム膜、チタン膜、タンタル膜、インジウム膜等が挙げられる。
バリア膜３２ｉの膜厚は、０．１〜１０ｎｍが好ましい。
バリア膜３２ｉは、酸化物膜２０（ｉ＋１）を酸素雰囲気下で成膜する場合に、金属膜３０ｉの酸化を防ぐ膜である。
バリア膜３２ｉとしては、酸素非存在下で形成できる膜が挙げられ、たとえば、酸化ニオブ膜、ニオブ膜、ジルコニウム膜、チタン膜、タンタル膜、インジウム膜等が挙げられる。
バリア膜３２ｉの膜厚は、０．１〜１０ｎｍが好ましい。
（導電膜の形成方法）
導電膜１４の形成方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相成長法等が挙げられ、品質、特性の安定性が良好である点から、スパッタ法が好ましい。
スパッタ法としては、ＤＣスパッタ法、パルススパッタ法、ＡＣスパッタ法等が挙げられる。
導電膜１４の形成方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相成長法等が挙げられ、品質、特性の安定性が良好である点から、スパッタ法が好ましい。
スパッタ法としては、ＤＣスパッタ法、パルススパッタ法、ＡＣスパッタ法等が挙げられる。
スパッタ法による導電膜１４の形成は、たとえば、以下のように行う。
（ｉ）酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、屈折率が１．８以上である金属酸化物ターゲット、または金属ターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、基体１２の表面に高屈折率層２４１を成膜する。
（ii）酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、ジルコニウムターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、高屈折率層２４１の表面に酸化ジルコニウム層２２１を成膜する。
（iii）アルゴンガスまたは窒素ガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金ターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、酸化ジルコニウム層２２１の表面に金属膜３０１を成膜する。
（iv）アルゴンガスを導入しながら、酸化ニオブ等のターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、金属膜３０１の表面にバリア膜３２１を成膜する。
（ｉ）〜（iv）の操作を合計でｎ回繰り返し、最後に（ｉ）と同様の方法で高屈折率層２４（ｎ＋１）（図示例では符号２４５。）を成膜することにより、多層構造体の導電膜１４を形成する。
（ｉ）酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、屈折率が１．８以上である金属酸化物ターゲット、または金属ターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、基体１２の表面に高屈折率層２４１を成膜する。
（ii）酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、ジルコニウムターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、高屈折率層２４１の表面に酸化ジルコニウム層２２１を成膜する。
（iii）アルゴンガスまたは窒素ガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金ターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、酸化ジルコニウム層２２１の表面に金属膜３０１を成膜する。
（iv）アルゴンガスを導入しながら、酸化ニオブ等のターゲットを用いてＤＣスパッタを行い、金属膜３０１の表面にバリア膜３２１を成膜する。
（ｉ）〜（iv）の操作を合計でｎ回繰り返し、最後に（ｉ）と同様の方法で高屈折率層２４（ｎ＋１）（図示例では符号２４５。）を成膜することにより、多層構造体の導電膜１４を形成する。
スパッタ時のガスの圧力は、０．２０Ｐａ以下が好ましい。
電力密度は、酸化物膜の場合、３．５７Ｗ/ｃｍ２が好ましく、金属膜の場合、０．２９Ｗ/ｃｍ２が好ましい。
金属酸化物ターゲットは、各金属酸化物の高純度（通常９９．９％）粉末を混合し、ホットプレス法、またはＨＩＰ（ホットアイソスタティックプレス）法、または常圧焼成法により焼結することにより製造できる。
金属酸化物ターゲットを用いて高屈折率層２４ｉを成膜する場合、高屈折率層２４ｉの各金属原子および酸素原子の組成比は、金属酸化物ターゲットの各金属原子および酸素原子の組成比とほぼ同じとなる。
電力密度は、酸化物膜の場合、３．５７Ｗ/ｃｍ２が好ましく、金属膜の場合、０．２９Ｗ/ｃｍ２が好ましい。
金属酸化物ターゲットは、各金属酸化物の高純度（通常９９．９％）粉末を混合し、ホットプレス法、またはＨＩＰ（ホットアイソスタティックプレス）法、または常圧焼成法により焼結することにより製造できる。
金属酸化物ターゲットを用いて高屈折率層２４ｉを成膜する場合、高屈折率層２４ｉの各金属原子および酸素原子の組成比は、金属酸化物ターゲットの各金属原子および酸素原子の組成比とほぼ同じとなる。
酸化ジルコニウム層２２ｉを成膜する場合に用いられるジルコニウムターゲットには、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、ストロンチウム、イットリウム、ニオブ、バリウム、ハフニウム、タンタル、鉄、クロム等のその他の金属が含まれていてもよい。その他の金属の含有量は少なければ少ないほどよく、通常、ジルコニウムターゲット中のその他の金属の合計の含有量は、０．１〜５．０原子％である。酸化ジルコニウム層２２ｉの各金属原子の組成比は、ターゲット中の金属原子の組成比とほぼ同じとなる。
導電性積層体１０の視感度透過率は、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
導電性積層体１０のシート抵抗は、導電性（電磁波遮蔽性）を充分に確保するため、０．１〜３．５Ω／□が好ましく、０．３〜２．５Ω／□がより好ましく、０．３〜１．０Ω／□が特に好ましい。
導電性積層体１０のシート抵抗は、導電性（電磁波遮蔽性）を充分に確保するため、０．１〜３．５Ω／□が好ましく、０．３〜２．５Ω／□がより好ましく、０．３〜１．０Ω／□が特に好ましい。
以上説明した導電性積層体１０にあっては、基体１２側から１〜ｎ番目の酸化物膜２０１〜２０ｎ（図示例はｎ＝４。）が、酸化ジルコニウム層２２１〜２２ｎ（図示例はｎ＝４。）を有し、基体１２側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の酸化物膜２０ｉの酸化ジルコニウム層２２ｉが、基体１２側からｉ番目の金属膜３０ｉと接しているため、導電性（電磁波遮蔽性）に優れる。すなわち、平坦性の良好な酸化ジルコニウム層２２ｉの表面に金属膜３０ｉが形成されているため、金属膜３０ｉの結晶性が向上し、金属膜３０ｉの膜厚が薄くても、金属膜３０ｉの抵抗値を低くできる。
また、以上説明した導電性積層体１０にあっては、金属膜３０ｉの抵抗値を低く抑えつつ、金属膜３０ｉの膜厚を薄くできるため、可視光透過率が高い。
また、以上説明した導電性積層体１０にあっては、酸化ジルコニウム層２２ｉが皮脂によって腐食しにくいため、人の指が接触した場合の指紋形状の皮脂の付着により腐食しにくい、すなわち耐指紋腐食性に優れる。
また、以上説明した導電性積層体１０にあっては、金属膜３０ｉの抵抗値を低く抑えつつ、金属膜３０ｉの膜厚を薄くできるため、可視光透過率が高い。
また、以上説明した導電性積層体１０にあっては、酸化ジルコニウム層２２ｉが皮脂によって腐食しにくいため、人の指が接触した場合の指紋形状の皮脂の付着により腐食しにくい、すなわち耐指紋腐食性に優れる。
なお、本発明の導電性積層体は、図１に示す導電性積層体１０に限定されない。たとえば、高屈折率層２４ｉは、必ずしも設ける必要はなく、図２に示すように、すべての酸化物膜２０ｉ（ただし、ｉは１〜ｎ＋１の整数である。）が酸化ジルコニウム層２２ｉからなる膜であってもよい。
また、バリア層３２ｉは、必ずしも設ける必要はなく、図３および図４に示すように、バリア層を省略してもよい。
また、バリア層３２ｉは、必ずしも設ける必要はなく、図３および図４に示すように、バリア層を省略してもよい。
また、基体１２側からｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）は、酸化ジルコニウム層を有していてもよく、高屈折率層を有していてもよく、酸化ジルコニウム層および高屈折率層の両方を有していてもよい。基体１２側からｎ＋１番目の酸化物膜２０は、耐指紋腐食性の点からは、最外層が酸化ジルコニウム層２２であることが好ましい。基体１２側からｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）は、可視光反射率および成膜速度の点からは、酸化ニオブからなる高屈折率層２４（ｎ＋１）（図示例では符号２４５。）が好ましい。
また、導電性積層体１０は、基体１２からｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）の表面に、保護膜（図示略）を有していてもよい。保護膜は、酸化物膜および金属膜を水分から保護し、ｎ＋１番目の酸化物膜２０（ｎ＋１）（図示例では符号２０５。）上に任意の樹脂フィルム（防湿フィルム、飛散防止フィルム、反射防止フィルム、近赤外線遮蔽用等の保護フィルム、近赤外線吸収フィルム等の機能性フィルム等。）を接着する際の接着剤（特にアルカリ性の接着剤。）から酸化物膜を保護する膜である。
保護膜としては、スズ、インジウム、チタン、ケイ素、ガリウム等の酸化物膜または窒化物膜が挙げられ、酸化インジウムと酸化スズとを主成分として含む膜が好ましい。
保護膜１６の膜厚は、２〜３０ｎｍが好ましく、３〜２０ｎｍがより好ましい。
保護膜としては、スズ、インジウム、チタン、ケイ素、ガリウム等の酸化物膜または窒化物膜が挙げられ、酸化インジウムと酸化スズとを主成分として含む膜が好ましい。
保護膜１６の膜厚は、２〜３０ｎｍが好ましく、３〜２０ｎｍがより好ましい。
本発明の導電性積層体は、導電性（電磁波遮蔽性）に優れ、可視光透過率が高く、しかもガラス等の支持基体に積層した場合、透過・反射バンドが広くなることから、プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルムとして有用である。
また、本発明の導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極として用いることができる。該透明電極は、シート抵抗が低いため応答性がよく、反射率が低く抑えられるため視認性がよい。
また、本発明の導電性積層体は、自動車風防ガラスとして用いることができる。該自動車風防ガラスは、導電膜に通電することにより、防曇または融氷の機能を発揮でき、かつ低抵抗であるので通電に要する電圧が低く済み、また、反射率が低く抑えられるためドライバーの視認性を損なうことがない。
また、本発明の導電性積層体は、赤外線領域での反射率が非常に高いため、建物の窓等に設けられるヒートミラーとして用いることができる。
また、本発明の導電性積層体は、電磁波遮蔽効果が高いため、電気・電子機器から放射される電磁波が室外に漏れることを防止し、かつ電気・電子機器に影響する電磁波が室外から室内へ侵入することを防止する電磁波遮蔽窓ガラスに用いることができる。
また、本発明の導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極として用いることができる。該透明電極は、シート抵抗が低いため応答性がよく、反射率が低く抑えられるため視認性がよい。
また、本発明の導電性積層体は、自動車風防ガラスとして用いることができる。該自動車風防ガラスは、導電膜に通電することにより、防曇または融氷の機能を発揮でき、かつ低抵抗であるので通電に要する電圧が低く済み、また、反射率が低く抑えられるためドライバーの視認性を損なうことがない。
また、本発明の導電性積層体は、赤外線領域での反射率が非常に高いため、建物の窓等に設けられるヒートミラーとして用いることができる。
また、本発明の導電性積層体は、電磁波遮蔽効果が高いため、電気・電子機器から放射される電磁波が室外に漏れることを防止し、かつ電気・電子機器に影響する電磁波が室外から室内へ侵入することを防止する電磁波遮蔽窓ガラスに用いることができる。
＜プラズマディスプレイ用保護板＞
本発明のプラズマディスプレイ用保護板（以下、保護板と記す。）は、支持基体と、該支持基体上に設けられた本発明の導電性積層体と、該導電性積層体の導電膜に電気的に接している電極とを有する。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板（以下、保護板と記す。）は、支持基体と、該支持基体上に設けられた本発明の導電性積層体と、該導電性積層体の導電膜に電気的に接している電極とを有する。
（第１の実施形態）
図５に、第１の実施形態の保護板を示す。保護板４０は、支持基体４２と、支持基体４２の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４と、導電性積層体１０の周縁部が着色セラミックス層４４と重なるように、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面に、粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、粘着剤層４６を介して導電性積層体１０表面に貼り合わされた保護フィルム５０と、導電性積層体１０および保護フィルム５０の周縁部に設けられ、導電性積層体１０の導電膜１４と電気的に接続する電極５２とを有するものである。保護板４０は、導電性積層体１０が支持基体４２のＰＤＰ側に設けられている例である。
図５に、第１の実施形態の保護板を示す。保護板４０は、支持基体４２と、支持基体４２の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４と、導電性積層体１０の周縁部が着色セラミックス層４４と重なるように、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面に、粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、粘着剤層４６を介して導電性積層体１０表面に貼り合わされた保護フィルム５０と、導電性積層体１０および保護フィルム５０の周縁部に設けられ、導電性積層体１０の導電膜１４と電気的に接続する電極５２とを有するものである。保護板４０は、導電性積層体１０が支持基体４２のＰＤＰ側に設けられている例である。
支持基体４２は、導電性積層体１０の基体１２よりも剛性の高い、透明基体である。支持基体４２を設けることにより、導電性積層体１０の基体１２の材料がＰＥＴ等のプラスチックであっても、ＰＤＰ側と観察者側との間で生じる温度差により反りが発生することがない。
支持基体４２の材料としては、上述の基体１２の材料と同様の材料が挙げられる。
支持基体４２の材料としては、上述の基体１２の材料と同様の材料が挙げられる。
着色セラミックス層４４は、電極５２が観察者側から直接見えないように隠蔽するための層である。着色セラミックス層４４は、たとえば、支持基体４２上に印刷する、着色テープを貼る等により形成できる。
飛散防止フィルム４８は、支持基体４２の損傷時における支持基体４２の破片の飛散を防止するためのフィルムである。飛散防止フィルム４８としては、公知のものを用いることができる。
飛散防止フィルム４８には、反射防止機能を持たせてもよい。飛散防止機能と反射防止機能とを兼ね備えたフィルムとしては、旭硝子社製のＡＲＣＴＯＰ（商品名）が挙げられる。ＡＲＣＴＯＰ（商品名）は、自己修復性と飛散防止特性とを有するポリウレタン系軟質樹脂フィルムの片面に、非結晶性の含フッ素重合体からなる低屈折率の反射防止層を形成して反射防止処理を施したものである。また、ＰＥＴ等の高分子からなるフィルム上に、低屈折率の反射防止層を湿式または乾式で形成したフィルム等も挙げられる。
飛散防止フィルム４８には、反射防止機能を持たせてもよい。飛散防止機能と反射防止機能とを兼ね備えたフィルムとしては、旭硝子社製のＡＲＣＴＯＰ（商品名）が挙げられる。ＡＲＣＴＯＰ（商品名）は、自己修復性と飛散防止特性とを有するポリウレタン系軟質樹脂フィルムの片面に、非結晶性の含フッ素重合体からなる低屈折率の反射防止層を形成して反射防止処理を施したものである。また、ＰＥＴ等の高分子からなるフィルム上に、低屈折率の反射防止層を湿式または乾式で形成したフィルム等も挙げられる。
電極５２は、導電性積層体１０の導電膜１４による電磁波遮蔽効果が発揮されるように、導電膜１４と電気的に接続するように設けられる。電極５２は、導電性積層体１０の周縁部の全体に設けられていることが、導電膜１４による電磁波遮蔽効果を確保するために好ましい。
電極５２の材料は、抵抗が低い方が電磁波遮蔽性の点では優位となる。電極５２は、たとえば、銀とガラスフリットとを含む銀ペースト、銅とガラスフリットとを含む銅ペーストを塗布、焼成することにより形成される。
電極５２の材料は、抵抗が低い方が電磁波遮蔽性の点では優位となる。電極５２は、たとえば、銀とガラスフリットとを含む銀ペースト、銅とガラスフリットとを含む銅ペーストを塗布、焼成することにより形成される。
保護フィルム５０は、導電性積層体１０（導電膜１４）を保護するフィルムである。導電膜１４を水分から保護する場合には、防湿フィルムが設けられる。防湿フィルムとしては、たとえば、ＰＥＴ、ポリ塩化ビニリデン等のプラスチック製のフィルムが挙げられる。また、保護フィルム５０として、上述した飛散防止フィルムを用いてもよい。
粘着剤層４６の粘着剤としては、市販されている粘着剤が挙げられる。たとえば、アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、スチレン−ブタジエン共重合体系ゴム、ブチルゴム、シリコーン樹脂等の粘着剤が挙げられる。これらのうち、良好な耐湿性が得られる点から、アクリル系の粘着剤が特に好ましい。粘着剤層４６には、紫外線吸収剤等の添加剤が配合されてもよい。
（第２の実施形態）
図６に、第２の実施形態の保護板を示す。保護板６０は、支持基体４２と、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０の周縁部に設けられ、導電性積層体１０の導電膜１４と電気的に接続する電極５２と、電極５２と重ならないように、導電性積層体１０表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４とを有するものである。保護板６０は、導電性積層体１０が支持基体４２の観察者側に設けられている例である。
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同じ構成については図５と同じ符号を付して説明を省略する。
図６に、第２の実施形態の保護板を示す。保護板６０は、支持基体４２と、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０の周縁部に設けられ、導電性積層体１０の導電膜１４と電気的に接続する電極５２と、電極５２と重ならないように、導電性積層体１０表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４とを有するものである。保護板６０は、導電性積層体１０が支持基体４２の観察者側に設けられている例である。
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同じ構成については図５と同じ符号を付して説明を省略する。
（第３の実施形態）
図７に、第３の実施形態の保護板を示す。保護板７０は、支持基体４２と、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４と、導電性メッシュフィルム５４の周縁部が着色セラミックス層４４と重なるように、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性メッシュフィルム５４と、導電性積層体１０の導電膜１４と導電性メッシュフィルム５４の導電性メッシュ層（図示略）とを電気的に接続するように保護板７０の周側部に設けられた導電体５６とを有するものである。保護板７０は、導電性積層体１０が支持基体４２の観察者側に設けられ、導電性メッシュフィルム５４が支持基体４２のＰＤＰ側に設けられている例である。
なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同じ構成については図５と同じ符号を付して説明を省略する。
図７に、第３の実施形態の保護板を示す。保護板７０は、支持基体４２と、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性積層体１０と、導電性積層体１０表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた飛散防止フィルム４８と、導電性積層体１０とは反対側の支持基体４２表面の周縁部に設けられた着色セラミックス層４４と、導電性メッシュフィルム５４の周縁部が着色セラミックス層４４と重なるように、支持基体４２表面に粘着剤層４６を介して貼り合わされた導電性メッシュフィルム５４と、導電性積層体１０の導電膜１４と導電性メッシュフィルム５４の導電性メッシュ層（図示略）とを電気的に接続するように保護板７０の周側部に設けられた導電体５６とを有するものである。保護板７０は、導電性積層体１０が支持基体４２の観察者側に設けられ、導電性メッシュフィルム５４が支持基体４２のＰＤＰ側に設けられている例である。
なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同じ構成については図５と同じ符号を付して説明を省略する。
導電性メッシュフィルム５４を導電性積層体１０と併用することにより、導電性積層体１０を有し導電性メッシュフィルム５４を有さない保護板と比較して、保護板全体の表面抵抗を下げて、電磁波遮蔽効果をさらに向上できる。また、導電性メッシュフィルム５４を有し、導電性積層体１０を有さない保護板と比較すると、導電性積層体１０と併用することにより、電磁波遮蔽効果の向上とともに近赤外線遮蔽効果を付与できる。リモコンの誤作動防止等の必要上、プラズマディスプレイ用保護板としては近赤外線遮蔽能力が必要とされているが、導電性メッシュフィルム５４には近赤外線遮蔽効果がなく、近赤外線吸収色素含有層等を併用する必要がある。導電性積層体１０は近赤外線遮蔽効果を有することから、併用により導電性メッシュフィルム５４に近赤外線遮蔽効果が付与される。
導電性メッシュフィルム５４は、透明フィルム上に銅からなる導電性メッシュ層を形成したものである。通常は、透明フィルム上に銅箔を貼り合わせた後、メッシュ状に加工することにより製造される。
銅箔は、圧延銅、電界銅のどちらでもよく、適宜必要に応じて公知のものを用いればよい。銅箔は、各種表面処理をされていてよい。表面処理としては、クロメート処理、粗面化処理、酸洗、ジンク・クロメート処理等が挙げられる。銅箔の厚さは、３〜３０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましく、７〜１０μｍが特に好ましい。銅箔の厚さを３０μｍ以下とすることにより、エッチング時間を短くすることができ、３μｍ以上とすることにより、電磁波遮蔽性が高くなる。
銅箔は、圧延銅、電界銅のどちらでもよく、適宜必要に応じて公知のものを用いればよい。銅箔は、各種表面処理をされていてよい。表面処理としては、クロメート処理、粗面化処理、酸洗、ジンク・クロメート処理等が挙げられる。銅箔の厚さは、３〜３０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましく、７〜１０μｍが特に好ましい。銅箔の厚さを３０μｍ以下とすることにより、エッチング時間を短くすることができ、３μｍ以上とすることにより、電磁波遮蔽性が高くなる。
導電性メッシュ層の開口率は、６０〜９５％が好ましく、６５〜９０％がより好ましく、７０〜８５％が特に好ましい。
導電性メッシュ層の開口部の形状は、正三角形、正四角形、正六角形、円形、長方形、菱形等である。開口部は、形状が揃っていて、かつ面内に並んでいることが好ましい
開口部のサイズは、１辺または直径が５〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１５０μｍであることがより好ましい。開口部の１辺または直径を２００μｍ以下とすることにより、電磁波遮蔽性が向上し、５μｍ以上とすることにより、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
開口部以外の金属部の幅は、５〜５０μｍが好ましい。すなわち、開口部の配列ピッチは、１０〜２５０μｍが好ましい。金属部の幅を５μｍ以上とすることにより、加工が容易となり、５０μｍ以下とすることにより、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
導電性メッシュ層の開口部の形状は、正三角形、正四角形、正六角形、円形、長方形、菱形等である。開口部は、形状が揃っていて、かつ面内に並んでいることが好ましい
開口部のサイズは、１辺または直径が５〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１５０μｍであることがより好ましい。開口部の１辺または直径を２００μｍ以下とすることにより、電磁波遮蔽性が向上し、５μｍ以上とすることにより、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
開口部以外の金属部の幅は、５〜５０μｍが好ましい。すなわち、開口部の配列ピッチは、１０〜２５０μｍが好ましい。金属部の幅を５μｍ以上とすることにより、加工が容易となり、５０μｍ以下とすることにより、ＰＤＰの画像への影響が少ない。
導電性メッシュ層のシート抵抗を必要以上に低くすると、膜が厚くなり、開口部を充分確保できなくなる等、保護板７０の光学性能等に悪影響を及ぼす。一方、導電性メッシュ層のシート抵抗を必要以上に高くすると、充分な電磁波遮蔽性を得ることができなくなる。したがって、導電性メッシュ層のシート抵抗は、０．０１〜１０Ω／□が好ましく、０．０１〜２Ω／□がより好ましく、０．０５〜１Ω／□が特に好ましい。
導電性メッシュ層のシート抵抗は、開口部の１辺または直径よりも５倍以上大きな電極を用い、開口部の配列ピッチよりも５倍以上の電極間隔で、４端子法より測定すればよい。たとえば、開口部が１辺１００μｍの正方形で、金属部の幅２０μｍを介して規則的に並べられたものであれば、直径１ｍｍの電極を１ｍｍ間隔で並べて測定すればよい。または、導電性メッシュフィルムを短冊状に加工し、その長手方向の両端に電極を設けて、その抵抗値Ｒを測り、長手方向の長さａ、短手方向の長さｂから、下式から求めてもよい。
シート抵抗＝Ｒ×ｂ／ａ。
シート抵抗＝Ｒ×ｂ／ａ。
銅箔を透明フィルムにラミネートする際には、透明な接着剤を用いる。接着剤としては、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、ポリエステル系接着剤等が挙げられる。接着剤のタイプとしては、２液型または熱硬化タイプが好ましい。また、接着剤としては、耐薬品性に優れたものが好ましい。
銅箔をメッシュ状に加工する方法としては、フォトレジスト法が挙げられる。印刷法では、スクリーン印刷によって開口部のパターン形成をする。フォトレジスト法では、ロールコーティング法、スピンコーティング法、全面印刷法、転写法等により、銅箔上にフォトレジスト材料を形成し、露光、現像、エッチングによって開口部のパターンを形成する。導電性メッシュ層を形成する他の方法としては、スクリーン印刷等の印刷法によって、開口部のパターンを形成する方法が挙げられる。
導電体５６は、導電性積層体１０の導電膜１４と導電性メッシュフィルム５４の導電性メッシュ層とを電気的に接続するものである。導電体５６としては、導電性テープ等が挙げられる。導電性積層体１０の導電膜１４と導電性メッシュフィルム５４の導電性メッシュ層とを電気的に接続することによって、全体の表面抵抗をさらに下げることができるため、電磁波遮蔽効果をさらに向上させることができる。
保護板４０、６０、７０は、ＰＤＰの前面に配置されるものであるため、ＰＤＰの画像が見にくくならないように、視感度透過率は３５％以上であることが好ましい。また、視感度反射率は６％未満が好ましく、３％未満が特に好ましい。また、波長８５０ｎｍでの透過率は、５％以下が好ましく、２％以下が特に好ましい。
以上説明した保護板４０、６０、７０にあっては、導電性（電磁波遮蔽性）に優れ、可視光透過率が高く、耐指紋腐食性に優れる導電性積層体１０を用いているため、電磁波遮蔽性に優れ、透過・反射バンドが広く、耐指紋腐食性に優れる。
なお、本発明の保護板は、第１〜３の実施形態に限定されない。たとえば、粘着剤層４６を設けずに、熱による貼り合わせを行ってもよい。
また、本発明の保護板には、必要に応じて、反射防止フィルムまたは低屈折率薄膜である反射防止層を設けてもよい。
反射防止フィルムとしては、公知のものを用いることができ、反射防止性の点から、フッ素樹脂系フィルムが特に好ましい。
反射防止層は、保護板の反射率が低くなり、好ましい反射色が得られることから、可視光領域において反射率が最低となる波長が５００〜６００ｎｍであるものが好ましく、５３０〜５９０ｎｍであるものが特に好ましい。
また、本発明の保護板には、必要に応じて、反射防止フィルムまたは低屈折率薄膜である反射防止層を設けてもよい。
反射防止フィルムとしては、公知のものを用いることができ、反射防止性の点から、フッ素樹脂系フィルムが特に好ましい。
反射防止層は、保護板の反射率が低くなり、好ましい反射色が得られることから、可視光領域において反射率が最低となる波長が５００〜６００ｎｍであるものが好ましく、５３０〜５９０ｎｍであるものが特に好ましい。
また、保護板に近赤外線遮蔽機能を持たせてもよい。近赤外線遮蔽機能を持たせる方法としては、近赤外線遮蔽フィルムを用いる方法、近赤外線吸収基体を用いる方法、近赤外線吸収剤を添加した粘着剤をフィルム積層時に用いる方法、反射防止フィルム等に近赤外線吸収剤を添加して近赤外線吸収機能を併せ持たせる方法、近赤外線反射機能を有する導電膜を用いる方法等が挙げられる。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例１〜１３は、参考例であり、例１４は、実施例である。
例１〜１３は、参考例であり、例１４は、実施例である。
（視感度透過率）
透過率測定器（朝日分光社製、ＭＯＤＥＬ ３０４）により導電性積層体の視感度透過率を測定した。
透過率測定器（朝日分光社製、ＭＯＤＥＬ ３０４）により導電性積層体の視感度透過率を測定した。
（シート抵抗）
渦電流型抵抗測定器（ＤＥＬＣＯＭ社製、７１７ Ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ）により導電性積層体のシート抵抗を測定した。
渦電流型抵抗測定器（ＤＥＬＣＯＭ社製、７１７ Ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ）により導電性積層体のシート抵抗を測定した。
（耐指紋腐食性）
酸化物膜の表面に指紋を付着させた後、温度４０℃、相対湿度９０％の高温高湿槽内に導電性積層体を１２０時間入れた。指紋を拭き取り、拭き取った箇所の酸化物膜の状態を目視にて確認した。
酸化物膜の表面に指紋を付着させた後、温度４０℃、相対湿度９０％の高温高湿槽内に導電性積層体を１２０時間入れた。指紋を拭き取り、拭き取った箇所の酸化物膜の状態を目視にて確認した。
〔例１〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
８０体積％のアルゴンガスと２０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍの酸化ジルコニウム層を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
８０体積％のアルゴンガスと２０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍの酸化ジルコニウム層を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度０．２９Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、酸化ジルコニウム層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜し、導電性積層体を得た。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
〔例２〕
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガス中のアルゴンガスを６０体積％、酸素ガスを４０体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガス中のアルゴンガスを６０体積％、酸素ガスを４０体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
〔例３〕
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガス中のアルゴンガスを２０体積％、酸素ガスを８０体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガス中のアルゴンガスを２０体積％、酸素ガスを８０体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
〔例４〕
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガスを酸素ガスの１００体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
酸化ジルコニウム層の成膜時の混合ガスを酸素ガスの１００体積％に変更した以外は、例１と同様にして導電性積層体を得た。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。
例１〜４の結果から、混合ガス中の酸素ガスは、８０体積％が好ましいことが確認された。
〔例５〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍの酸化ニオブ層（高屈折率層）を成膜した。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、９８質量％以上である。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍの酸化ニオブ層（高屈折率層）を成膜した。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、９８質量％以上である。
アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度０．２９Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、酸化ニオブ層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜し、導電性積層体を得た。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
〔例６〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚３７ｎｍの酸化ニオブ層（高屈折率層）を成膜した。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚３７ｎｍの酸化ニオブ層（高屈折率層）を成膜した。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。
２０体積％のアルゴンガスと８０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、酸化ニオブ層の表面に膜厚３ｎｍの酸化ジルコニウム層を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度０．２９Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、酸化ジルコニウム層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜し、導電性積層体を得た。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
〔例７〕
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を３５ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を５ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を３５ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を５ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
〔例８〕
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を３０ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を１０ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を３０ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を１０ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
〔例９〕
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を２０ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を２０ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
酸化ニオブ層（高屈折率層）の膜厚を２０ｎｍに変更し、酸化ジルコニウム層の膜厚を２０ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして導電性積層体を得た。酸化ニオブ層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。
例４〜９の結果から、酸化ジルコニウム層の膜厚は、１０ｎｍが好ましいことが確認された。
〔例１０〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの混合物（以下、ＡＺＯと記す。）ターゲット［酸化亜鉛：酸化アルミニウム＝９７：３（質量比）］を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍのＡＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの混合物（以下、ＡＺＯと記す。）ターゲット［酸化亜鉛：酸化アルミニウム＝９７：３（質量比）］を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍのＡＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度０．２９Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ＡＺＯ層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜し、導電性積層体を得た。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表３に示す。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表３に示す。
〔例１１〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９０体積％のアルゴンガスと１０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合物（以下、ＳＺＯと記す。）ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍのＳＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９０体積％のアルゴンガスと１０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合物（以下、ＳＺＯと記す。）ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚４０ｎｍのＳＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２４Ｐａ、電力密度０．２９Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ＳＺＯ層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜し、導電性積層体を得た。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表３に示す。
導電性積層体の視感度透過率および金属膜の表面のシート抵抗を測定した。結果を表３に示す。
例５、８、１０、１１の結果から、酸化物膜としては、酸化ニオブ層（高屈折率層）と酸化ジルコニウム層との多層構造体が好ましいことが確認された。
〔例１２〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
２０体積％のアルゴンガスと８０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．３３Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚２０ｎｍの酸化ジルコニウム層（酸化物膜）を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
耐指紋腐食性の評価を行ったところ、酸化ジルコニウム層の膜剥がれは見られなかった。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
２０体積％のアルゴンガスと８０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．３３Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚２０ｎｍの酸化ジルコニウム層（酸化物膜）を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
耐指紋腐食性の評価を行ったところ、酸化ジルコニウム層の膜剥がれは見られなかった。
〔例１３〕
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ＡＺＯターゲット［酸化亜鉛：酸化アルミニウム＝９７：３（質量比）］を用い、圧力０．２５Ｐａ、電力密度２．１４７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚３５ｎｍのＡＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
耐指紋腐食性の評価を行ったところ、ＡＺＯ層の膜剥がれが見られた。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
９７体積％のアルゴンガスと３体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ＡＺＯターゲット［酸化亜鉛：酸化アルミニウム＝９７：３（質量比）］を用い、圧力０．２５Ｐａ、電力密度２．１４７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚３５ｎｍのＡＺＯ層（酸化物膜）を成膜した。
耐指紋腐食性の評価を行ったところ、ＡＺＯ層の膜剥がれが見られた。
〔例１４〕
図１に示す導電性積層体１０を下記のように製造した。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
図１に示す導電性積層体１０を下記のように製造した。
乾式洗浄処理が施されたガラス基体を用意した。
（ｉ）９０体積％のアルゴンガスと１０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２７Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、ガラス基体の表面に膜厚３７ｎｍの高屈折率層を成膜した。高屈折率層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。
（ii）２０体積％のアルゴンガスと８０体積％の酸素ガスとの混合ガスを導入しながら、ジルコニウムターゲット（ジルコニウム９９．８質量％、ハフニウム０．０１質量％、鉄およびクロム０．０９質量％）を用い、圧力０．３３Ｐａ、電力密度３．５７Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、高屈折率層の表面に膜厚３０ｎｍの酸化ジルコニウム層を成膜した。酸化ジルコニウム層における金属原子全量に対するジルコニウム原子の含有量は、９８質量％以上である。
（iii）アルゴンガスを導入しながら、金の０．５原子％をドープした銀合金ターゲットを用い、圧力０．２５Ｐａ、電力密度０．２８６Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、酸化ジルコニウム層の表面に膜厚１０ｎｍの金属膜を成膜した。金属膜における銀の含有量は、９９．５原子％であり、金の含有量は、０．５原子％である。
（iv）アルゴンガスを導入しながら、酸化ニオブターゲットを用い、圧力０．２５Ｐａ、電力密度２．１４Ｗ／ｃｍ２の条件で、ＤＣスパッタを行い、金属膜の表面に膜厚３ｎｍのバリア層を成膜した。バリア層における金属原子全量に対するニオブ原子の含有量は、１００質量％である。
（ｉ）〜（iv）の操作をさらに３回繰り返した。ただし、（ｉ）の操作においては、高屈折率層をバリア層の表面に成膜した。
最後に、（ｉ）の操作を行い、ガラス基体側から４番目のバリア層の表面に、膜厚３７ｎｍの高屈折率層を成膜し、導電性積層体を得た。
最後に、（ｉ）の操作を行い、ガラス基体側から４番目のバリア層の表面に、膜厚３７ｎｍの高屈折率層を成膜し、導電性積層体を得た。
導電性積層体の視感度透過率は、５４％であり、導電性積層体の導電膜の表面のシート抵抗は、１．６Ω／□であった。
また、耐指紋腐食性の評価を行ったところ、導電膜の膜剥がれは見られなかった。
また、耐指紋腐食性の評価を行ったところ、導電膜の膜剥がれは見られなかった。
本発明の導電性積層体は、導電性(電磁波遮蔽性)に優れ、可視光透過率が高く、耐指紋腐食性に優れる、しかも支持基体に積層した場合、透過・反射バンドが広くなることから、プラズマディスプレイ用保護板として有用である。また、本発明の導電性積層体は、液晶表示素子等の透明電極、自動車風防ガラス、ヒートミラー、電磁波遮蔽窓ガラスとして用いることができる。
１０ 導電性積層体、１２ 基体、１４ 導電膜、２０１〜２０５ 酸化物膜、２２１〜２２５ 酸化ジルコニウム層、２４１〜２４５ 高屈折率層、３０１〜３０４ 金属膜、４０ 保護板、４２ 支持基体、５２ 電極、６０ 保護板、７０ 保護板
Claims (5)
- 基体と、基体上に形成された導電膜とを有する導電性積層体であって、
前記導電膜は、基体側から酸化物膜と金属膜とを交互に有し、金属膜の数がｎであり、酸化物膜の数がｎ＋１（ただし、ｎは１以上の整数である。）である多層構造体であり、
基体側から１〜ｎ番目の酸化物膜が、酸化ジルコニウム層を有し、
基体側からｉ番目（ただし、ｉは１〜ｎの整数である。）の酸化物膜の酸化ジルコニウム層が、基体側からｉ番目の金属膜と接し、
前記金属膜が、純銀からなる膜、または銀合金からなる膜である、導電性積層体。 - 基体側からｎ＋１番目の酸化物膜が、酸化ジルコニウム層を有する、請求項１記載の導電性積層体。
- 前記酸化物膜が、屈折率が１．８以上である金属酸化物（ただし、酸化ジルコニウムを除く。）からなる高屈折率層を有する、請求項１または２に記載の導電性積層体。
- 基体側からｉ番目の金属膜と、基体側からｉ＋１番目の酸化物膜との間に、バリア層を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の導電性積層体。
- 支持基体と、
該支持基体上に設けられた請求項１〜４のいずれかに記載の導電性積層体と、
該導電性積層体の導電膜に電気的に接している電極と
を有する、プラズマディスプレイ用保護板。
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