KR101213108B1 - 에칭액 조합장치 및 에칭액 농도 측정장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공장이나 플랫 패널 디스플레이 제조 공장의 사용 측에서 알루미늄의 에칭액의 질산 농도, 수분 농도, 인산 농도 및 초산 농도가 일정하게 조합할 수 있는 에칭액 조합장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 조합조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 검출하는 도전율계 또는 에칭액의 질산 농도를 검출하는 흡광 광도계와, 에칭액의 수분 농도를 검출하는 흡광 광도계와, 에칭액의 인산 농도를 검출하는 흡광 광도계 또는 밀도계와, 질산 농도를 검출하는 도전율계의 도전율치와, 수분 농도를 검출하는 흡광 광도계의 흡광도치와, 인산 농도를 검출하는 흡광 광도계의 흡광도치 또는 밀도계의 밀도치라든지 다성분 연산법에 의해 에칭액의 성분 농도를 연산하는 성분 농도 연산 수단과, 단산원액, 혼산 원액 및 순수한 물의 적어도 하나를 조합조에 보급하는 액보급 수단을 갖추도록 구성한다.
Figure R1020090029960
에칭액 조합장치, 농도 측정장치, 반도체 제조, 플랫 패널 디스플레이.

Description

에칭액 조합장치 및 에칭액 농도 측정장치{Etching solution preparation apparatus and etching solution concentration measurement apparatus}
본 발명은 반도체 제조 공정이나 플랫 패널 디스플레이(flat panel display) 제조 공정(액정 기판 제조 공정, 유기 ＥＬ 디스플레이(display) 제조 공정 등)에 있어서 알루미늄막(예를 들면 알루미늄 혹은 알루미늄 합금의 박막, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금의 제１박막과 알루미늄 혹은 알루미늄 합금의 제２박막; 이하 알루미늄막이라고 한다)용 에칭 장치에 관로에서 접속된 에칭액 조합장치(調合裝置)에 관한 것이다.
액정 기판 제조 공정 등에서의 알루미늄막의 에칭 공정에 있어서는 에칭액으로서 질산과 인산의 혼합 수용액, 질산과 인산과 초산의 혼합 수용액, 질산과 인산과 마론산(malonic acid)의 혼합 수용액 등 산을 주성분으로 한 혼산(混酸) 수용액이 스프레이(spray) 방식 혹은 딥(dip) 방식 등에서 사용되고 있다. 주로 질산과 인산과 초산의 혼합 수용액이 많이 이용되고 있다. 예를 들면 인산 농도가 ７０.０%, 초산 농도가 １０.０%, 질산 농도가 ４.０%, 나머지의 수분 농도가 １６.０%의 수용액을 들 수 있다.
액정 기판 제조 공정의 알루미늄막용 에칭액은 에칭 공정에 맞추어 최고의 해상력, 패터닝(patterning)의 조각, 소정의 테이퍼(taper) 각도, 안정성 및 높은 제품 비율을 얻기 위해 그 조성 및 농도는 엄밀하게 관리되지 않으면 안 된다. 특히, 근년의 패터닝(patterning)의 고정밀화에 따라 패터닝 폭의 미세화가 요구되고 있다. 그에 따라 에칭액의 농도의 조합(調合) 정도의 향상이 강하게 요구되게 되었다.
또한, 에칭액의 사용량은 액정 디스플레이의 대형화, 다면처리(多面處理)에 의한 유리 기판의 대형화, 대량생산화에 의해 대량의 에칭액이 필요해 왔다. 또, 국제적인 액정 디스플레이의 저가격 경쟁에 의해 에칭액의 코스트 다운이 강하게 요구되게 되었다.
이러한 문제에 대응하기 위해 예를 들면 복수의 에칭조를 차례차례 절환하여 １개의 측정계(測定系)로 약액의 농도 또는 온도를 연속으로 측정해 관리하는 약액 모니터 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌１ 참조).
특허문헌 1 : 일본국 특허공개 2003-086565호 공보
그러나, 종래에 있어서 에칭액은 액정 디스플레이 등의 제조 공장에서 조합 및 농도를 목표치로 조정한 다음 이용하는 것은 설비 및 운전 코스트의 면뿐만 아니라 농도 측정 등의 기술적인 관점에서 지극히 곤란했다. 질산의 원액, 인산의 원액, 초산의 원액과 순수한 물을 혼합한 에칭액은 소정의 조성 및 농도로 되어 있는 것을 검증하기 위해 각 성분의 농도를 측정할 필요가 있다.
그렇지만, 에칭액의 질산, 인산 및 초산의 농도를 인라인 또는 온라인으로 정확하게 측정하는 것이 행해지지 않아 조합 후의 산농도를 실시간(real time)으로 측정하는 것이 불가능했다.
종래, 이러한 ３종류의 혼합산을 분별 정량하기 위한 좋은 측정법이 알려지지 않았었다. 에칭액 메이커에서는 예컨대 일차 조합 후의 에칭액을 샘플링하여 오프 라인(off-line)의 이온 크로마토(ion chromato) 분석계에서 산농도를 측정하고, 부족분의 원액을 보충해 조정하는 2차 조합하고 있었다. 일부에서는 비수중화적정법(非水中化滴定法)에 의해 간헐적으로 측정해 배치(batch)적으로 농도 조합하는 장치가 있지만, 장치가 복잡한 것, 적정 시약을 사용할 필요가 있는 것, 폐수가 발생하는 것, 간헐적인 측정이기 때문에 제어성이 좋지 않은 것 등 많은 문제가 있었다.
따라서, 액정 디스플레이 등의 제조 공장(이하,「사용측」이라고 한다)에서는 에칭액 메이커(이하,「공급측」이라고 한다)에서 조성 및 농도를 조정한 에칭액 을 사용하지 않을 수 없었다.
이 경우 공급 측에서 소정의 농도로 조정한 질산의 원액, 인산의 원액, 초산의 원액과 순수한 물을 혼합하여 소정의 조성 및 농도가 되도록 조합한 에칭액을 용기에 충전해 사용 측에 공급하는 방법이 채용된다.
공급 측에서 조제한 에칭액이 사용 측에서 사용될 때까지는 운반 및 보관에 상응하는 기간을 필요로 해 이 사이에 에칭액이 열화 한다고 하는 문제가 있었다. 더구나 에칭액 중의 질산은 휘발성이 있으므로 질산 농도가 저하하여 질산은 ＮＯｘ 가스로서 휘산해 질산 농도가 저하해 버린다고 하는 문제도 있었다.
또한, 연속 조합 방식의 에칭액 조합장치는 사용 측뿐만이 아니라 공급 측에 잇어서도 전무(全無)였다. 이것은 연속적으로 에칭액의 성분 농도를 측정하는 농도 측정장치가 전무였기 때문이다. 이러한 문제도 에칭액의 조합이 액정 디스플레이 등의 제조공장(사용 측)에서 행해지지 않은 큰 이유로서 들 수 있다.
그래서 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 사용 측에 있어서 에칭 원액으로부터 소망 농도의 에칭액을 정밀도 좋게 하는 한편 신속하게 조합할 수 있음과 동시에 조합된 에칭액의 조성 및 농도를 정밀도 좋게 관리하는 것이 가능한 에칭액 조합장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 우선 조합조(調合槽)의 에칭액의 질산 농도가 도 9에 나타낸 바와 같이 에칭액을 순수한 물로 소정 배율로 희석한 액의 도전율과의 사이에 상관관계가 있는 것을 실험에 의해서 확인했다. 또한, 조합 조(調合槽)의 에칭액의 질산 농도는 도 1０에 나타낸 바와 같이 그 흡광도와 상관관계가 있는 것을 실험에 의해 확인했다. 또, 조합조의 에칭액의 수분 농도는 도 11에 나타낸 바와 같이 그 흡광도와 상관관계가 있는 것을 실험에 의해 확인했다.더구나 에칭액의 인산 농도가 도 1２에 나타낸 바와 같이 그 흡광도와 상관관계가 있는 것을 실험에 의해 확인했다. 또한, 에칭액의 인산 농도가 도 １３에 나타낸ㅂ바와 같이 그 밀도와 상관관계가 있는 것을 실험에 의해 확인했다.
본 발명은 질산 농도를 희석 수용액의 도전율 측정에 의해 조정, 제어하고, 또는, 질산 농도를 흡광도 측정에 의해 조정, 제어하며, 수분 농도를 흡광도 측정에 의해 조정, 제어하고, 인산 농도를 흡광도 측정에 의해 조정, 제어하며, 또는, 인산 농도를 밀도 측정에 의해 조정, 제어하도록 한 것으로, 질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도의 ３성분의 농도를 종합적으로 조정, 제어하도록 한 것이다.
또한, 본 발명은 상관관계에 의한 농도 연산 정밀도의 향상을 의도하여 조합조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 검출하는 도전율계의 도전율값(또는 에칭액의 흡광 광도계의 흡광도값)과 에칭액의 수분 농도를 검출하는 흡광 광도계의 흡광도값과 에칭액의 인산 농도를 검출하는 흡광 광도계의 흡광도값(또는 밀도계의 밀도값)으로부터 다성분 연산법(중회귀 분석법(重回歸分析法)ㆍ다변량해석법(多變量解析法))에 의해 정확한 에칭액의 성분 농도를 연산하여 조정, 제어하도록 한 것이다. 이 경우, 질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도를 １００%로부터 공제함으로써 초산 농도를 산출할 수 있다.
즉, 상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 에칭액 조합 장치는 도 １ 및 도 ５에 나타낸 바와 같이 질산 및 인산을 포함하는 혼산수용액(混酸水溶液)의 알루미늄막용 에칭액을 조합하는 조합조와, 상기 조합조에 접속된 관로와, 상기 관로에 상기 에칭액 또는 상기 에칭액의 조합에 사용되는 액을 보내는 펌프를 갖추어 상기 관로에 의해 에칭 장치에 접속된 에칭액 조합장치에 있어서, 상기 조합조 내의 에칭액을 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이에 직선관계가 있도록 순수한 물로 소정비율로 희석한 희석액의 도전율을 도전율계로 검출함으로써 상기 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 질산농도, 또는, 상기 에칭액의 흡광도를 자외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 질산농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 질산 농도에 근거해 단산원액(單酸原液), 혼산원액(混酸原液) 또는 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 질산농도 검출ㆍ액보급 수단과, 상기 에칭액의 흡광도를 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 상기 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 수분농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 수분농도에 근거해 단산원액(單酸原液), 혼산원액(混酸原液) 또는 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 수분산농도 검출ㆍ액보급 수단과, 상기 에칭액의 흡광도를 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 상기 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 수분농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 인산농도 또는 상기 에칭액의 밀도를 밀도계로 검출함으로써 상기 에칭액의 밀도와 인산농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 인산농도에 근거해 단산원액, 혼산원액 및 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 인산농도 검출ㆍ액보급 수단을 갖춘 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 에칭액 조합장치는 도 ２ 및 도 ６에 나타낸 바와 같이 질산 및 인산을 포함하는 혼산수용액의 알루미늄막용의 에칭액을 조합하는 조합조와, 상기 조합조에 접속된 관로와, 상기 관로에 상기 에칭액 또는 상기 에칭액의 조합에 사용되는 액을 보내는 펌프를 갖추어 상기 관로에 의해 에칭장치에 접속된 에칭액 조합장치에 있어서, 상기 조합조의 에칭액을 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이에 직선관계가 있도록 순수한 물로 소정비율로 희석한 희석액의 도전율을 검출하는 도전율계, 또는, 자외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 질산농도를 검출하는 흡광 광도계와, 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 수분농도를 검출하는 흡광 광도계와, 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 흡광 광도계와, 또는, 상기 에칭액의 밀도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 밀도계와, 질산농도와 직선관계에 있는 도전율을 검출하는 상기 도전율계의 도전율 값 또는 질산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광광도계의 흡광도 값과 수분농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값 또는 인산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값 또는 인산농도와 직선관계에 있는 밀도를 검출하는 상기 밀도계의 밀도값으로부터 다성분 연산법(중회귀 분석법(重回歸分析法)ㆍ다변량해석법(多變量解析法))에 의해 상기 에칭액의 성분 농도를 연산하는 성분 농도 연산수단과, 단산원액, 혼산원액 및 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 액보급 수단을 갖춘 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 에칭액 조합장치는 상기 에칭액이 인산, 질산을 포함한 수용액이고, 상기 에칭액이 더구나 유기산, 염산, 황산, 과염소산의 적어도 １종을 포함한 수용액이며, 상기 유기산이 초산, 마론산이고, 상기 에칭액 조합장치가 연속 조합방식인 것을 특징으로 하고 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 에칭액 조합장치에 의하면, 다음과 같은 효과를 나타낸다.
(1) 반도체 제조 공장이나 플랫 패널 디스플레이(flat panel display) 제조 공장의 사용 측에서 종래 곤란하였던 알루미늄의 에칭액 조합장치가 실현될 수 있다.
(2) 에칭액의 질산 농도, 수분 농도, 인산 농도 및 초산 농도를 실시간 연속 적으로 측정할 수 있어 소정 농도로 일정하게 정밀도 좋게 연속 조합할 수 있다.
(3) 에칭액 중의 초산은 휘발성이 있으므로 초산 농도가 저하해 초산은 ＮＯ x가스로서 휘산하여 질산 농도가 저하해 버리는 경우에 대해도 연속적으로 농도를 측정하고 있으므로 목표치의 농도로 자동 조정된다.
(4) 조합된 에칭액의 농도가 정밀도 좋게 일정하게 되므로 알루미늄 박막의 고정밀 치수의 제어가 일정화하고, 또 알루미늄 박막의 테이퍼 각도의 제어도 일정화하여 제품의 이익률(yield)이 큰폭으로 향상한다.
(5) 사용 측에서 에칭액의 조합 및 농도의 검증이 가능해졌기 때문에 대량의 에칭액의 제조, 에칭 장치에 관로에서 직접 공급 및 코스트 다운이 생기게 되었다.
이하, 도면을 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시의 형태를 상세하게 설명한다. 다만, 이러한 실시의 형태에 기재되어 있는 구성 기기의 형상, 그 상대 배치 등은 특별히 특정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 것이 아니고, 단순한 설명예에 지나지 않는다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 도면 중의 참조 번호는 에칭액 조합장치를 구성하는 기기 및 부품이다. 즉, 이 에칭액 조합 장치는 에칭액을 조합하는 조합조(１; 調合槽)), 액면 레벨계(２), 에칭액의 청정화와 교반을 위한 순환 펌프(11; 에칭 장치로의 송액(送液)도 겸한다.), 관로(12), 에칭액 중의 미세 입자 등을 제거하기 위한 필터(13), 순환 교반용 에어밸브(14), 인산 원액 공급용기(20), 인산 원액 공급용 유량 조절밸브(24), 초산 원액 공급용 기(21), 초산 원액 공급용 유량 조절밸브(25), 질산 원액 공급용기(22), 질산 원액 공급용 유량 조절밸브(26), 순수한 물 공급용 유량 조절밸브(27), 사용점(point of use)으로의 송액용 에어밸브(29)와 이들 각 기기를 접속하는 배관류 및 Ｎ2 가스 배관(23), 순수한 물 등의 배관류 등으로 이루어져 있다.
본 발명에 의거해 상기 에칭액 조합장치에 부설되는 기기는 샘플링 펌프(3), 희석 펌프(38), 순수한 물 펌프(39), 질산 농도를 검출하는 도전율계(15), 수분 농도를 검출하는 흡광 광도계(16), 인산 농도를 검출하는 흡광 광도계(17), 전기 계장류(電氣計裝類) 또는 공기 계장류(空氣計裝類) 등이다.
공급액으로서는 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액, 혼산(混酸) 원액 및 순수한 물이지만, 반드시 모두 필요하다고 하는 것이 아니라 에칭액의 조성, 설비조건, 운전조건, 공급액의 입수조건 등에 의해 최적인 공급액 및 공급 장치가 선택되어 도 2 ～ 도 8에 대해서도 마찬가지이다.
조합방식으로서는 연속 조합방식이 바람직하지만, 배치(batch) 조합방식이어도 좋다. 연속 조합방식의 경우 1차 조합에는 순수한 물, 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액을 사용해 초산 농도를 크게 한 초산 리치(rich)의 1차 조합액으로 하여 순수한 물, 인산 원액, 질산 원액의 보충에 의해 소정 농도로 미조정(微調整) 하여도 좋다. 배치(batch) 조합방식의 경우 원액의 조합 순서는 순수한 물, 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액으로 하는 것이 좋다.
인산 원액을 저유(貯留)하는 인산 원액 공급용기(20)는 배관(23)으로부터의 Ｎ2 가스에서 0.1 ～ 0.2 MPa 로 가압되어 있어 인산 원액 유량 조절밸브(24)의 열림에 의해 압송된다. 초산 원액을 저유(貯留)하는 초산 원액 공급용기(21)는 배관 (23)으로부터의 Ｎ2 가스에서 ０.１ ～ 0.2 MPa 로 가압되어 있어 초산 원액 유량 조절밸브(25)의 열림에 의해 압송된다. 질산 원액을 저유하는 질산 원액 공급용기(22)는 배관(23)으로부터의 Ｎ2 가스에서 ０.１ ～ 0.2 MPa 로 가압되어 있어 질산 원액 유량 조절밸브(2b)의 열림에 의해 압송된다. 순수한 물은 기설(旣設) 배관으로부터의 분기관에 통하고 있어 순수한 물 유량 조절밸브(27)의 열림에의해 송액된다. 이러한 공급액은 각각의 밸브를 자동 조절하여 송액되어 조합조(１; 調合槽))에 공급된다.
또한, 조합조(1)로부터 관로(18)의 샘플링 펌프(3)에 의해 샘플링 된 에칭액의 일부를 관로(34)의 희석 펌프(38)에 의해 분취(分取) 하여 관로(35)의 순수한 물 펌프(39)로부터의 순수한 물과 합류해 관로(36)에 의해 혼합 교반하여 소정 비율로 희석된 후, 질산 농도를 검출하는 도전율계(15)에서 희석액의 도전율이 연속 측정되어 측정완료된 희석액은 관로(37)로부터 배수(drain) 된다.
에칭액의 순수한 물에 의한 희석 방식은 연속 희석방식이 바람직하지만, 에칭액과 순수한 물을 교반조 등에서 받는 배치(batch) 희석방식도 가능하다.
희석액의 도전율을 측정함으로써 희석액의 질산 농도를 측정할 수 있지만, 소정 비율(예를 들면 10 배)로 희석되어 있으므로 희석 전 에칭액의 질산 농도를 측정할 수 있다. 또한 희석 전 에칭액의 도전율을 측정하여 질산 농도를 측정하는 것은 인산 농도나 초산 농도에 의한 도전율에의 영향이 크고 곤란하다.
도 2는 본 발명의 제 2의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태는 제 1의 실시형태에 측정 정밀도를 향상시키기 위한 다성분(多性分) 연산기(33)를 부가한 것이다. 다른 구성 등은 도 １의 경우와 같다.
도 3은 본 발명의 제 3의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태에서는 조합조(1)로부터 샘플링 펌프(3)에 의해 샘플링 되어 온라인으로 설치된 질산 농도를 검출하는 흡광 광도계(19), 수분 농도를 검출하는 흡광 광도계(16) 및 인산 농도를 검출하는 흡광 광도계(17)에는 관로(18)로부터 시료액이 도입되어 흡광도가 연속 측정되어 측정완료된 액은 조합조(1)로 되돌려 진다. 다른 구성 등은 도 １의 경우와 같다.
도 4는 본 발명의 제 ４의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태는 제３의 실시형태에 측정 정밀도를 향상시키기 위한 다성분 연산기(33)를 부가한 것이다. 다른 구성 등은 도 1 및 도 3의 경우와 같다.
도 5는 본 발명의 제 ５의 실시형태를 나타내는 장치 계통도이다. 본 실시 형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 １의 조합조(1)에 액면 레벨계(2)대신에 로드셀(4)을 달고, 조합조(1)의 조합액의 중량을 정확하게 측정하여 1차 조합의 제어 및 농도 측정값에 의한 농도 조정을 실시하는 것이다. 다른 구성 등은 도 １의 경우와 같다.
도 6은 본 발명의 제 6의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 ２의 조합조(1)에 액면 레벨계(2) 대신 에 로드셀(4)을 달고, 조합조(1)의 조합액의 중량을 정확하게 측정하여 농도 측정값으로부터의 보충 중량의 계산 및 보충 중량의 제어를 실시하는 것이다. 다른 구성 등은 도 ２의 경우와 같다.
도 7은 본 발명의 제 7의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 3의 조합조(1)에 액면 레벨계(2) 대신에 로드셀(4)을 달고, 조합조(1)의 조제액의 중량을 정확하게 측정하여 1차 조합의 제어 및 농도 측정값에 의한 농도 조정을 실시하는 것이다. 다른 구성 등은 도 3의 경우와 같다.
도 8은 본 발명의 제 8의 실시형태를 나타낸 장치 계통도이다. 본 실시형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 4의 조합조(1)에 액면 레벨계(2) 대신에 로드셀(4)을 달고, 조합조(1)의 조합액의 중량을 정확하게 측정하여 농도 측정값으로부터의 보충 중량의 계산 및 보충 중량의 제어를 실시하는 것이다. 다른 구성 등은 도 4의 경우와 같다.
다음에 도 1 ～ 도 8에 나타낸 실시형태에 의한 장치의 제어 계통에 대해 설명한다. 도 1 ～ 도 4에 있어서는 액면 레벨계(2)와 조합조(1)의 액면 레벨, 도전율계(15; 또는 흡광 광도계(19))와 에칭액의 질산 농도, 흡광 광도계(16)와 에칭액의 수분 농도, 흡광 광도계(17; 또는 밀도계(17))와 에칭액의 인산 농도는 본질적으로는 각각 독립 기능으로서 작용하지만, 본 발명에서는 이것들을 상호의 보완적인 관련에서 기능시키는 것을 특징으로 하고 있다. 에칭액의 농도는 최적인 에칭 속도에 의한 에칭을 하여 최적인 에칭 프로필에 의한 에칭을 하기 위해서 소정의 농도로 관리할 필요가 있다. 또한, 처음에 제품 기판의 품질 관리상에서 필요한 에칭액의 질산 농도의 목표값, 수분 농도의 목표값, 인산 농도의 목표값, 초산 농도의 목표갑 등은 조업 실적 또는 계산에 근거해 미리 각 제어기에 설정해 두지 않으면 안 된다.
이하, 에칭액으로서 질산과 인산과 초산과 순수한 물을 혼합한 용액을 사용한 실시예에 대해 설명한다
에칭액의 질산 농도는 최적인 에칭 성능을 발휘시키기 위해 소정의 농도 범위로 관리할 필요가 있다. 질산 농도는 소정의 목표치, 예를 들면 4.0±0.5% 로 조합할 필요가 있다.
본 발명자는 에칭액의 질산 농도와 도전율과의 관계를 실험에 의해 검토해, 조합조의 에칭액의 질산 농도가 에칭액을 순수한 물로 소정 배율 희석한 액의 도전율과의 사이에 상관관계에 있는 것을 실험에 의해서 확인했다. 도 ９에 나타낸 바와 같이 에칭액을 순수한 물로 소정 배율 희석한 액의 도전율과 에칭액의 질산 농도는 직선 관계에 있어 에칭액을 순수한 물로 소정 배율 희석한 액의 도전율을 검출함으로써 질산 농도를 측정할 수 있는 것을 확인했다. 도 １, ５에 나타낸 바와 같이 관로(37)에 설치된 도전율계(15)는 측정 오차를 최소한으로 하기 위한 제보상 기능과 도전율 제어기(30)를 갖추고 있다. 순수한 물로 소정 배율 희석한 액의 도전율 측정치를 도전율 제어기(30)로 입력하여 그 값이 목표치가 되도록 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어하고, 질산 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다.
본 발명자는 에칭액의 질산 농도와 흡광도와의 관계를 실험에 의해 검토해, 조합조의 에칭액의 질산 농도가 에칭액의 흡광도와의 사이에 상관관계에 있는 것을 실험에 의해서 확인했다. 흡광도의 측정 파장은 자외선 영역의 250nm로부터 320nm의 범위가 적절하고, 290nm 부근이 감도가 크고 특히 양호했다. 도 １０에 나타낸 바와 같이 측정 파장 λ=290nm에 있어서의 자외(紫外) 흡광 광도계의 흡광도와 질산 농도는 고도의 직선 관계에 있어 흡광도를 측정함으로써 질산 농도를 정확하게 측정할 수 있는 것을 확인했다. 도 ３, ７에 나타낸 바와 같이 관로(18)에 온라인으로 설치된 흡광 광도계(19)는 측정 오차를 최소한으로 하기 위한 제보상 기능과 흡광도 제어기(40)를 갖추고 있다. 관로(18)로부터 도입한 시료액의 흡광도 측정치를 흡광도 제어기(40)로 입력하여 그 값이 목표치가 되도록 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어하고, 질산 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다.
또한, 에칭액의 수분 농도는 최적인 에칭 성능을 발휘시키기 위해 소정의 농도 범위로 관리할 필요가 있다. 이 때문에 수분 농도는 소정의 목표치 예를 들면 16.0±1.0%로 조합할 필요가 있다.
본 발명자는 에칭액의 수분 농도와 흡광도와의 관계를 실험에 의해 검토해, 조합조의 에칭액의 수분 농도가 에칭액의 흡광도와의 사이에 상관관계에 있는 것을 실험에 의해서 확인했다. 흡광도의 측정 파장은 근적외선(近赤外線) 영역의 1920nm 로부터 1960nm의 범위가 적절하고, 1931nm부근이 감도가 크고 특히 양호했다. 도 11에 나타낸 바와 같이 측정 파장 λ=1931nm에 있어서의 흡광도와 수분 농도와는 고도의 직선 관계에 있어 흡광도를 측정함으로써 수분 농도를 정확하게 측정할 수 있는 것을 확인했다. 도 1, 3, 5, 7에 나타낸 바와 같이 관로(18)에 온라인으로 설치된 흡광 광도계(16)는 측정 오차를 최소한으로 하기 위한 제보상 기능과 흡광도 제어기(31)를 갖추고 있다. 관로(18)로부터 도입한 시료액의 흡광도 측정치를 흡광도 제어기(31)로 입력하여 그 값이 목표치가 되도록 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어하고, 수분 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다.
또한, 에칭액의 인산 농도는 최적인 에칭 성능을 발휘시키기 위해 소정의 농도 범위로 관리할 필요가 있다. 이 때문에 인산 농도는 소정의 목표치 예를 들면 70.0±1.0%로 조합할 필요가 있다.
본 발명자는 에칭액의 인산 농도와 흡광도와의 관계를 실험에 의해 검토해, 흡광도의 측정 파장은 근적외선(近赤外線) 영역의 2050nm로부터 2200nm의 범위가 적절하고, 2101nm부근은 감도가 크고 특히 양호했다. 도 12에 나타낸 바와 같이 측정 파장 λ=2101nm에 있어서의 흡광도와 인산 농도는 직선 관계에 있어 흡광도를 측정함으로써 수분 농도를 측정할 수 있는 것을 확인했다. 도 1, 3, 5, 7에 나타낸 바와 같이 관로(18)에 온라인으로 설치된 흡광 광도계(17)는 측정 오차를 최소한으로 하기 위한 제보상 기능과 흡광도 제어기(32)를 갖추고 있다. 관로(18)로부터 도입한 시료액의 흡광도 측정치를 흡광도 제어기(32)로 입력하여 그 값이 목표치가 되도록 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어하고, 인산 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다.
또한, 본 발명자는 에칭액의 인산 농도와 밀도와의 관계를 실험에 의해 검토해, 인산 농도의 상승에 의해 밀도가 높아지는 것을 찾아냈다. 도 13에 나타낸 바와 같이 밀도와 인산 농도와는 직선 관계에 있어 밀도를 측정함으로써 인산 농도를 측정할 수 있는 것을 확인했다. 도 1, 3, 5, 7에 있어서 흡광 광도계(17)를 밀도계로 치환하고, 흡광도 제어기(32)를 밀도 제어기로 치환하는 것이며, 기능 관련에 대해서는 흡광 광도계(17) 및 흡광도 제어기(32)의 경우와 같다.
게다가 본 발명자는 상관관계에 의한 연구 및 해석에 의해, 후술하는 표 1에 나타낸 바와 같이 조합조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 측정하는 도전율계의 도전율값(또는 에칭액의 질산 농도를 측정하는 흡광 광도계의 흡광도값)과 에칭액의 수분 농도를 측정하는 흡광 광도계의 흡광도값과 에칭액의 인산 농도를 측정하는 흡광 광도계의 흡광도값(또는 밀도계의 밀도값)의 ３종류의 특성값으로부터 선형중회귀(線形重回歸) 분석법(ＭＬＲ-ＩＬＳ)에 의해 정확한 에칭액의 성분 농도를 연산해 구할 수 있었다. 이 경우 질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도를 100%로부터 공제함으로써 질산 농도를 산출할 수 있었다.
도 ２에 나타낸 바와 같이 도전율계(15), 흡광 광도계(16)와 흡광 광도계(17)로부터의 측정값의 출력이 다성분 연산기(33)에 입력되어 다성분 연산법(중회귀(重回歸) 분석법ㆍ다변량해석법)에 의해 정확한 에칭액의 성분 농도를 연산해 조정, 제어하도록 한 것이다. 질산 농도, 초산 농도, 수분 농도 및 인산 농도가 목표치가 되도록 다성분 연산기(33)의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어하고, 각 성분 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다. 도 4, 도 ６, 도 8의 설명도 도 2의 설명과 같으므로 생략한다.
도 1 ～ 도 4의 실시형태는 배치(batch) 조합 방식에서도 사용 가능하지만, 연속 조합 방식에서 사용된다. 여기서 도 1에 나타낸 실시의 제１형태의 장치가 의도한 제어계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 액면 레벨계(2)는 도시하지 않는 액면 레벨제어기에 접속되어 있다. 조합조(1)가 비어있을 때에 있어서는 액면 레벨계(2)가 비어있는 것을 검출하고, 액면 레벨제어기의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어해 송액하여 액면 레벨을 설정 위치로 한다. 1차 조합에는 순수한 물, 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액을 사용하고, 에칭 신액(新液)보다 초산 농도를 크게 한 초산 리치(rich)의 1차 조합액으로 하며, 인산 원액, 질산 원액, 순수한 물의 보충에 의해 소정 농도에 미조정(微調整) 된다. 또한 액면 레벨제어기의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 에칭 신액(新液)과 거의 동등의 농도가 되도록 적정한 유량비에서 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액해도 괜찮다.
그 다음에 도전율계(15)가 에칭액의 희석액의 도전율을 연속 측정하고, 도전율 제어기(30)의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물 의 적어도 한편이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)의 적어도 한편에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 질산 농도가 되도록 자동 제어된다.
질산 농도가 작은 경우는 도전율계(15)가 에칭액의 희석액의 도전율을 연속 측정하고, 도전율 제어기(30)의 출력 신호에 의해 질산 원액이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절밸브(26)에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 질산 농도가 되도록 자동 제어된다. 또한, 흡광 광도계(16)가 에칭액의 수분 농도를 연속 측정하고, 흡광도 제어기(31)의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절 밸브(24, 25, 26 및 27)의 적어도 한편에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 질산 농도가 되도록 자동 제어된다.
수분 농도가 작은 경우는 흡광 광도계(16)가 에칭액의 수분 농도를 연속 측정하고, 흡광도 제어기(31)의 출력 신호에 의해 순수한 물이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절밸브(27)에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 수분 농도가 되도록 자동 제어된다.
또한, 흡광 광도계(17)가 에칭액의 인산 농도를 연속 측정하고, 흡광도 제어기(32)의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물의 적어도 한편이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절밸브(24, 25, 26, 및 27)의 적어도 한편에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 질산 농도가 되도록(듯이) 자동 제어된다.
인산 농도가 작은 경우는 흡광 광도계(17)가 에칭액의 인산 농도를 연속 측정하고, 흡광도 제어기(32)의 출력 신호에 의해 인산 원액이 적정한 미소(微少) 유량에서 유량 조절밸브(24)에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액되어 목표치의 인산 농도가 되도록 자동 제어된다.
다음에, 도 2에 나타낸 실시의 제２형태의 장치가 의도한 제어계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 본 실시 형태는 주로, 질산 농도, 수분 농도, 인산 농도 및 초산 농도를 정확하게 측정해 조합하는 경우 등에 적용된다. 도 2에 나타낸 바와 같이 도전율계(15), 흡광 광도계(16)와 흡광 광도계(17)로부터의 측정값의 출력이 다성분 연산기(33)에 입력되어 다성분 연산법(중회귀 분석법ㆍ다변량해석법)에 의해 정확한 에칭액의 성분 농도를 연산하여 조정, 제어하도록 한 것이다. 조합조(１)가 비어있을 때에 있어서는 액면 레벨계(2)가 비어있는 것을 검출하고, 액면 레벨제어기의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어해 송액하여 액면 레벨을 설정 위치로 한다. 1차 조합에는 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 에칭 신액(新液)과 거의 동등의 농도가 되도록 적정한 유량비에서 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 밸브의 개도(開度)를 조절해 송액된다. 그 다음에 질산 농도, 초산 농도, 수분 농도 및 인산 농도가 목표치가 되도록 다성분 연산기(33)의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 유량 조절밸브 (24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어해 송액하여 각 성분 농도를 목표치로 조정할 때까지 보급한다. 사용점(point of use)로부터의 요구 신호에 의해 순환 송액 펌프(11)를 운전해 송액용의 에어밸브(29)를 열어 사용점(point of use)에 송액을 한다. 송액이 개시되면 액면레벨이 저하하므로 액면레벨계(2)가 저하한 것을 검출하고, 액면레벨 제어기의 출력 신호에 의해 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액 및 순수한 물을 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어해 송액하여 액면레벨을 설정 위치로 회복한다. 그 외의 제어계통의 기능적 관련에 대해서는 도 1의 경우와 같다.
〔다성분 연산기(33)〕
본 발명자는 실험에 의해 질산, 인산, 또는 초산이 공존하는 경우 질산 농도의 희석 수용액의 도전율, 질산 농도의 흡광도, 수분 농도의 흡광도, 인산 농도의 흡광도, 인산 농도의 밀도의 측정값은 각각 하나의 성분인 만큼 감응하는 것 없이 서로 상관하므로 중회귀 분석에 의하지 않으면, 보다 정확한 농도를 구할 수 없는 것을 깨달았다.
또한, 본 발명자는 상관관계에 의한 연구 및 해석의 결과, ３종류의 특성치(알루미늄막용 에칭 처리조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 측정하는 도전율계의 도전율값 또는 에칭액의 질산 농도를 측정하는 흡광도계의 흡광도값, 에칭액의 수분 농도를 측정하는 흡광 광도계의 흡광도값, 에칭액의 인산 농도를 측정하는 흡광 광도계의 흡광도값(또는 밀도계의 밀도값)으로부터 선형중회귀(線形重回歸) 분석법(ＭＬＲ-ＩＬＳ)에 의해 한층 더 정확한 에칭액의 성분 농도(질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도)를 연산할 수 있는 것, 이 연산된 질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도를 100%로부터 공제함으로써 질산 농도를 산출하는 것 을 찾아냈다.
여기서, 중회귀(重回歸) 분석의 연산식에 대해 예시한다. 중회귀 분석은 교정과 예측의 2단계로 이루어진다. ｎ성분계의 중회귀 분석에 있어서, 교정 표준 용액을 ｍ개 준비했다고 한다. ｉ번째의 용액 중에 존재하는 ｊ번째 성분의 농도를 Cij로 나타낸다. 여기서 ｉ=１ ～ ｍ, ｊ=１ ～ ｎ이다. ｍ개의 표준 용액에 대해서 각각 ｐ개의 특성치(예를 들면, 어느 파장에 있어서의 흡광도라든지 도전율) Aik(ｋ=１ ～ ｐ)를 측정한다. 농도 데이터와 특성치 데이터는 각각 정리해 행렬의 형태(C, A)로 나타낼 수 있다.
Figure 112009020908237-pat00001
이러한 행렬을 관계 짓는 행렬을 교정 행렬이라고 하여 여기에서는 기호 S(Skj; k =１ ～ ｐ, ｊ=１ ～ ｎ)으로 나타낸다.
C = A ㆍ S
기지(旣知)의 C와 A(A의 내용은 동질의 측정값뿐만 아니라 이질의 측정값이 혼재해도 상관없다. 예컨대 흡광도와 도전율)로부터 S를 행렬 연산에 의해 산출하는 것이 교정 단계이다. 이때 p＞=ｎ, 동시에 m＞=np가 아니면 안된다. S의 각 요소는 모두 미지수이기 때문에 m＞np인 것이 바람직하고, 그 경우는 다음과 같이 최 소 제곱 연산을 실시한다.
S = (ATA)-1(ATC)
여기서, 상기 T는 전치행렬을, 상기 -1은 역행열을 의미한다. 농도 미지의 시료액에 대해 p개의 특성치를 측정해 그것들을 Au(Auk; ｋ=１ ～ ｐ)이라고 하면, 거기에 Ｓ를 곱해 구하는 농도 Cu(Cuj; ｊ=１ ～ n)을 얻을 수 있다.
Cu = Au ㆍ S
이것이 예측 단계이다. 교정 표준 12(12개의 교정 표준 용액) 가운데 하나를 미지 시료로 진단하고, 나머지 11 표준으로 교정 행렬을 구해 가정한 미지 시료의 농도를 산출하여 기지(旣知)의 값(중량 조제값)과 비교하는 수법(Leave-One-Out법)에 의해서 MLR-ILS 계산을 실시한 계산 결과를 표 １에 나타낸다. 표 １은 근적외(近赤外) 2파장(1931, 2101nm)과 10배 희석 도전율로부터 구한 인산, 질산, 수분의 농도이다.
MLR-ILS 계산값(wt %) 중량 조제값(wt %)
인산 질산 수분 인산 질산 수분
75.13 4.11 17.14 74.98 4.00 17.00
72.86 3.01 14.70 72.99 3.00 15.01
74.79 2.02 14.93 75.01 2.00 15.00
75.38 0.92 17.79 75.00 1.00 18.00
69.86 4.02 16.13 69.97 4.02 16.02
69.77 2.07 16.10 70.00 2.00 16.00
69.82 1.96 24.51 70.00 2.00 23.99
70.24 0.90 19.17 70.00 1.00 19.00
65.48 3.84 19.32 64.98 4.02 19.01
64.97 4.00 24.80 64.98 4.00 25.03
64.84 3.04 25.68 65.00 3.00 26.00
64.88 1.17 21.86 65.00 1.00 22.00
다성분 연산기(33)는 상기 발명자의 지견(知見)에 근거해 다성분 연산법(중회귀 분석법ㆍ다변량해석법)에 의해 정확한 에칭액의 성분 농도를 연산하여 조정, 제어한다.
다성분 연산기(33)에는 도전율계(15), 흡광 광도계(16) 및 흡광 광도계(17)이 접속되어 있다.
다성분 연산기(33)는 도전율계(15), 흡광 광도계(16) 및 흡광 광도계(17)로부터 입력되는 도전율, 각 흡광도로부터, 다성분 연산법(중회귀 분석법ㆍ다변량해석법)에 의해 한층 더 정확한 에칭액의 성분 농도(질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도)를 연산하고, 더구나 이 연산된 질산 농도, 수분 농도 및 인산 농도를 100%로부터 공제함으로써 초산 농도를 산출하여 이들 각 농도가 미리 정해진 목표값이 되도록 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27) 중 적어도 １개의 유량 조정밸브를 개폐 제어한다. 그에 따라 그 제어된 유량 조정밸브에 대응하는 원액 혹은 순수한 물을 에칭 처리조(1) 내에 공급하여 각 성분 농도를 조정한다.
다음에, 도 ３에 나타낸 실시의 제３형태의 장치가 의도한 제어 계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 본 실시 형태는 도 1의 조합조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 도전율계에 의해 검출하는 대신에 상기 에칭액의 질산 농도를 흡광 광도계에 의해 검출하여 제어하도록 한 것이다. 그 외의 제어 계통의 기능적 관련에 대해서는 도 1의 경우와 같다.
다음에, 도 4에 나타내는 실시의 제４형태의 장치가 의도한 제어 계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 본 실시 형태는 도 ２의 조합조 내의 에칭액을 순수한 물로 희석한 희석액의 도전율을 도전율계에 의해 검출하는 대신에 상기 에칭액의 질산 농도를 흡광 광도계에 의해 검출하여 제어하도록 한 것이다. 그 외의 제어 계통의 기능적 관련에 대해서는 도 2의 경우와 같다.
연속 조제 방식에 있어서는 통상 조합조의 액면 레벨은 만배(滿杯)의 상한 레벨 부근을 유지하도록 제어된다. 즉, 조합된 에칭액이 저유조(貯留槽)나 사용점(point of use)에 송액되어 액 면레벨이 저하하면, 즉시 1차 조합를 하여 그 다음에 각 성분 농도가 목표치가 되도록 조정 제어된다. 따라서, 조합조의 액면 레벨은 만배(滿杯)의 상태가 유지되므로 유효한 저유조(貯留槽)로서의 기능도 맞추어 가지는 것이다.
도 ５ ～ 도 8의 실시 형태는 배치(batch) 조제 방식으로 사용된다. 여기서, 도 5에 나타낸 실시의 제5형태의 장치가 의도한 제어 계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 본 실시 형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 1의 조합조(1)에 액면 레벨계(2) 대신에 로드셀(4)을 달아 조합조(1)의 조합액의 중량을 정확하게 측정하고, 1차 조합의 제어 및 농도 측정치에 의한 농도 조정을 실시하는 것이다. 조합된 에칭액은 거의 전량이 저유조(貯留槽)나 사용점(point of use)에 송액되고, 조합조(1)가 비어있는 상태로 된다. 조합조(1)의 비어있는 상태에 있어서는 로드셀(4)이 하한인 것을 검출하고, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 순수한 물의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절 밸브(27)에 의해 송액된다.
다음에, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 인산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(24)에 의해 송액된다. 다음에, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 초산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(25)에 의해 송액된다. 더구나 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 질산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(26)에 의해 송액된다. 여기서, 조합조(1) 내의 혼합된 혼합액은 순환펌프(11)에 의해 교반 된다.
다음에, 샘플링 펌프(3)에 의해 샘플링 된 혼합액의 각 성분 농도가 측정된다. 각 원액의 조합 중량과 각 성분 농도의 농도 측정치에 따라 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액, 순수한 물의 보충의 제어를 하여 유량 조절 밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어해 송액하여 목표치의 농도가 되도록 미조정된다. 여기서 재차 조합조(1) 내의 혼합된 혼합액은 순환펌프(11)에 의해 교반 된다. 다음에, 샘플링 펌프(3)에 의해 샘플링 된 혼합액의 각 성분 농도가 측정된다. 각 성분 농도의 농도 측정치가 목표치의 농도 범위에 들어가 있었을 경우, 1배치(batch)의 조합이 종료한다. 그 외의 제어 계통의 기능적 관련에 대하여는 도 1의 경우와 같다.
다음에, 도 6에 나타낸 실시의 제６형태의 장치가 의도한 제어 계통의 기능적 관련에 대해 기술한다. 본 실시 형태는 배치(batch) 조합을 실시하기 위해서 도 2의 조합조(1)에 액면 레벨계(2) 대신에 로드셀(4)을 달아 조합조(1)의 조합액의 중량을 정확하게 측정하고, 다성분 연산기(33)에서 농도 측정치의 정확한 계산, 보충 중량의 계산 및 보충 중량의 제어를 실시하는 것이다. 조합된 에칭액은 거의 전량이 저유조(貯留槽)나 사용점(point of use)에 송액되고, 조합조(1)가 비어있는 상태로 된다. 조합조(1)가 비어잇는 상태에 있어서는 로드셀(4)이 하한인 것을 검출하고, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 순수한 물의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(27)에 의해 송액된다. 다음에, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 인산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(24)에 의해 송액된다.다음에, 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 초산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(25)에 의해 송액된다. 더구나 로드셀(4)의 출력 신호에 의해 질산 원액의 조합 중량이 소정의 중량이 될 때까지 유량 조절밸브(26)에 의해 송액된다. 여기서, 조합조(1) 내의 혼합된 혼합액은 순환펌프(11)에 의해 교반 된다. 다음에, 샘플링 펌프(3)에 의해, 샘플링 된 혼합액의 각 성분 농도가 측정된다. 다성분 연산기(33)에 있어서 각 원액의 조합 중량의 제어와 각 성분 농도의 농도 측정치에 따라 인산 원액, 초산 원액, 질산 원액, 순수한 물의 보충 중량의 계산에 의해 보충 중량의 제어를 하여 유량 조절밸브(24, 25, 26, 27)에 의해 각각 자동 제어 하여 송액해 목표치의 농도가 되도록 미조정된다. 여기서 재차, 조합조(1) 내의 혼합된 혼합액은 순환펌프(11)에 의해 교반 된다. 다음에, 샘플링 펌프(3)에 의해 샘플링 된 혼합액의 각 성분 농도가 측정된다. 각 성분 농도의 농도 측정치가 목표치의 농도 범위에 들어가 있는 경우, 1배치(batch)의 조제가 종료한다. 그 외의 제어 계통의 기능적 관련에 대해서는 도 5의 경우와 같다. 도 7, 도 8의 제어 계통의 기능적 관련에 대해서는 도 5, 도 6의 설명과 같으므로 생략한다.
본 발명자는 이상과 같이 각 제어 기능에 근거하는 결과를 상호 보완적인 관련으로 운용함으로써 종합적으로 에칭액 조성이 일정한 조합 및 연속 조합을 용이하게 실현할 수 있는 것을 알고 있다.
또한, 이상에서 본 발명은 에칭액으로서 질산과 초산과 인산 및 순수한 물의 용액을 사용했을 경우에 한정하지 않고, 에칭액으로서 인산과 질산과 순수한 물의 용액, 인산과 질산에 또한 유기산, 염산, 황산, 과염소산의 적어도 １종을 포함한 수용액, 상기 유기산이 초산, 마론산인 수용액을 사용했을 경우 등에도 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 제１형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 2는 본 발명의 실시의 제２형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 3은 본 발명의 실시의 제３형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 4는 본 발명의 실시의 제４형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 5는 본 발명의 실시의 제５형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 6은 본 발명의 실시의 제６형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 7은 본 발명의 실시의 제７형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 8은 본 발명의 실시의 제８형태에 의한 에칭액 조합장치의 계통도,
도 9는 본 발명에 관한 에칭액의 질산 농도와 희석액의 도전율과의 관계를 나타낸 그래프,
도 10은 본 발명에 관한 에칭액의 질산 농도와 흡광도와의 관계를 나타낸 그래프,
도 11은 본 발명에 관한 에칭액의 수분 농도와 흡광도와의 관계를 나타낸 그래프,
도 12는 본 발명에 관한 에칭액의 인산 농도와 흡광도와의 관계를 나타낸 그래프,
도 13은 본 발명에 관한 에칭액의 인산 농도와 밀도와의 관계를 나타낸 그래프이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 조합조(調合槽) 2 : 액면 레벨계
3 : 샘플링 펌프 4 : 로드셀
11 : 순환펌프 15 : 도전율계
16 : 흡광 광도계 17 : 흡광 광도계(밀도계)
19 : 흡광 광도계 20 : 인산 원액 공급용기
21 : 초산 원액 공급용기 22 : 질산 원액 공급용기
24 : 인산원액 유량 조절밸브 25 : 초산원액 유량 조절밸브
26 : 질산원액 유량 조절밸브 27 : 순수한 물 유량 조절밸브
30 : 도전율 제어기 31 : 흡광도 제어기
32 : 흡광도 제어기(밀도 제어기) 33 : 다성분 연산기
40 : 흡광도 제어기

Claims (8)

  1. 질산 및 인산을 포함하는 혼산수용액(混酸水溶液)의 알루미늄막용 에칭액을 조합하는 조합조와, 상기 조합조에 접속된 관로와, 상기 관로에 상기 에칭액 또는 상기 에칭액의 조합에 사용되는 액을 보내는 펌프를 갖추어 상기 관로에 의해 에칭 장치에 접속된 에칭액 조합장치에 있어서,
    상기 조합조 내의 에칭액을 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이에 직선관계가 있도록 순수한 물로 소정 비율로 희석한 희석액의 도전율을 도전율계로 검출함으로써 상기 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 질산농도 또는 상기 에칭액의 흡광도를 자외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 상기 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 질산농도의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 질산농도에 근거해 단산원액(單酸原液), 혼산원액(混酸原液) 또는 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 질산농도 검출ㆍ액보급 수단과,
    상기 에칭액의 흡광도를 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 상기 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 수분농도의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 수분농도에 근거해 단산원액(單酸原液), 혼산원액(混酸原液) 또는 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 수분농도 검출ㆍ액보급 수단과,
    상기 에칭액의 흡광도를 근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 흡광 광도계로 검출함으로써 상기 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 인산농도의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 인산농도 또는 상기 에칭액의 밀도를 밀도계로 검출함으로써 상기 에칭액의 밀도와 인산농도 사이의 직선관계에 근거해 얻어진 상기 에칭액의 인산농도에 근거해 단산원액, 혼산원액 및 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 인산농도 검출ㆍ액보급 수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 에칭액 조합장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에칭액 조합장치가 연속 조합방식인 에칭액 조합장치.
  3. 질산 및 인산을 포함하는 혼산수용액(混酸水溶液)의 알루미늄막용의 에칭액을 조합하는 조합조와, 상기 조합조에 접속된 관로와, 상기 관로에 상기 에칭액 또는 상기 에칭액의 조합에 사용되는 액을 보내는 펌프를 갖추어 상기 관로에 의해 에칭장치에 접속된 에칭액 조합장치에 있어서,
    상기 조합조 내의 에칭액을 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이에 직선관계가 있도록 순수한 물로 소정 비율로 희석한 희석액의 도전율을 검출하는 도전율계 또는 자외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 질산농도를 검출하는 흡광 광도계와,
    근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 수분농도를 검출하는 흡광 광도계와,
    근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 흡광 광도계, 또는 상기 에칭액의 밀도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 밀도계와,
    질산농도와 직선관계에 있는 도전율을 검출하는 상기 도전율계의 도전율값 또는 질산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값과, 수분농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값과, 인산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값 또는 인산농도와 직선관계에 있는 밀도를 검출하는 상기 밀도계의 밀도값으로부터 다성분 연산법(중회귀 분석법(重回歸分析法)ㆍ다변량해석법(多變量解析法))에 의해 상기 에칭액의 성분 농도를 연산하는 성분 농도 연산수단과,
    단산원액, 혼산원액 및 순수한 물의 적어도 하나를 상기 조합조에 보급하는 액보급 수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 에칭액 조합장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 에칭액 조합장치가 연속 조합방식인 에칭액 조합장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭액이 유기산, 염산, 황산, 과염소산의 적어도 １종을 포함한 수용액인 것을 특징으로 하는 에칭액 조합장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 유기산이 초산, 마론산인 에칭액 조합장치.
  7. 질산 및 인산을 포함하는 혼산수용액(混酸水溶液)의 알루미늄막용 에칭액을 희석액의 도전율과 상기 에칭액의 질산농도 사이에 직선관계가 있도록 순수한 물로 소정 비율로 희석한 희석액의 도전율을 검출하는 도전율계 또는 자외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 질산농도를 검출하는 흡광 광도계와,
    근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 수분농도를 검출하는 흡광 광도계와,
    근적외선 영역 중 특정의 측정 파장을 이용하여 측정한 상기 에칭액의 흡광도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 흡광 광도계, 또는 상기 에칭액의 밀도와 직선관계에 있는 상기 에칭액의 인산농도를 검출하는 밀도계와,
    질산농도와 직선관계에 있는 도전율을 검출하는 상기 도전율계의 도전율값 또는 질산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값과, 수분농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값과, 인산농도와 직선관계에 있는 흡광도를 검출하는 상기 흡광 광도계의 흡광도값 또는 인산농도와 직선관계에 있는 밀도를 검출하는 상기 밀도계의 밀도값으로부터 다성분 연산법(중회귀 분석법(重回歸分析法)ㆍ다변량해석법(多變量解析法))에 의해 상기 에칭액의 성분 농도를 연산하는 성분 농도 연산수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 에칭액 농도 측정장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170027919A (ko) * 2015-09-02 2017-03-13 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5180263B2 (ja) * 2010-07-23 2013-04-10 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
KR101124118B1 (ko) * 2010-07-29 2012-03-16 (주)화백엔지니어링 컬러 센서와 전도도 센서를 포함하는 에칭액 콘트롤 장치
CN102169102B (zh) * 2011-01-13 2014-10-01 福州大学 纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法
CN102181867A (zh) * 2011-04-11 2011-09-14 江阴市润玛电子材料有限公司 一种新型酸性钼铝蚀刻液和制备工艺
CN102534621B (zh) * 2012-02-21 2013-11-13 上海正帆科技有限公司 一种酸性蚀刻液的处理方法
US8877084B2 (en) * 2012-06-22 2014-11-04 General Electric Company Method for refreshing an acid bath solution
CN102981523A (zh) * 2012-11-14 2013-03-20 杭州格林达化学有限公司 在线测定和控制铝蚀刻液中各种酸浓度的方法
JP6028977B2 (ja) * 2012-12-28 2016-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エッチング溶液の成分濃度測定方法およびエッチング溶液の管理方法
JP6112450B2 (ja) * 2013-01-30 2017-04-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エッチング溶液の成分濃度測定装置およびエッチング溶液管理装置
CN103868866B (zh) * 2014-03-12 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 蚀刻液浓度测量装置及方法
JP6284452B2 (ja) * 2014-07-17 2018-02-28 株式会社平間理化研究所 エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法
KR20160010259A (ko) * 2014-07-17 2016-01-27 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 고체입자 회수 제거장치, 액체 관리장치 및 에칭액 관리장치
KR20160010257A (ko) * 2014-07-17 2016-01-27 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 에칭액 관리장치, 용해금속 농도 측정장치 및 용해금속 농도 측정방법
CN105278566A (zh) * 2014-07-17 2016-01-27 株式会社平间理化研究所 蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法
JP6721157B2 (ja) * 2015-07-22 2020-07-08 株式会社平間理化研究所 現像液の成分濃度測定方法及び装置、並びに、現像液管理方法及び装置
JP6751326B2 (ja) * 2016-09-16 2020-09-02 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6850650B2 (ja) * 2017-03-27 2021-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN109659260A (zh) * 2018-12-17 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 刻蚀液处理装置
CN109923415B (zh) * 2019-01-24 2021-06-22 香港应用科技研究院有限公司 用于确定溶液中物质浓度的***和方法
US11340205B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Systems and methods for determining concentrations of materials in solutions
WO2022074817A1 (ja) * 2020-10-09 2022-04-14 三菱重工業株式会社 分析システム及び管理システム、分析方法、並びに分析プログラム
CN114428064B (zh) * 2021-12-31 2023-09-19 江苏和达电子科技有限公司 一种铜蚀刻液中硝酸根离子含量的检测方法
CN116949452B (zh) * 2023-08-04 2024-03-08 福建天甫电子材料有限公司 一种铝蚀刻液的冰醋酸、硝酸及磷酸比率控制***

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201476A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 酸濃度計および酸濃度測定法
JP2004137519A (ja) 2002-10-15 2004-05-13 Nagase & Co Ltd エッチング液管理方法およびエッチング液管理装置
JP2004517486A (ja) 2000-12-30 2004-06-10 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 近赤外線分光器を利用した金属膜エッチング工程制御方法及び金属膜エッチング工程用エッチャントの再生方法
JP2008106326A (ja) 2006-10-26 2008-05-08 Hirama Rika Kenkyusho:Kk エッチング液管理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651914B2 (ja) * 1989-07-07 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜エッチング装置
JPH06122982A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物
JP3078199B2 (ja) * 1994-07-04 2000-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 濃度制御方法及びこれを利用した基板処理装置
JP3093975B2 (ja) * 1996-07-02 2000-10-03 株式会社平間理化研究所 レジスト剥離液管理装置
JPH11142332A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置
CN1327888A (zh) * 2000-06-09 2001-12-26 株式会社平间理化研究所 基板表面处理装置
JP3508712B2 (ja) * 2000-09-25 2004-03-22 カシオ計算機株式会社 レジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法
JP4596109B2 (ja) * 2001-06-26 2010-12-08 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液組成物
JP2003086565A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Sharp Corp 薬液モニタ装置
TWI245071B (en) * 2002-04-24 2005-12-11 Mitsubishi Chem Corp Etchant and method of etching
JP2005079212A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
JP2005117014A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液
TWI235425B (en) * 2004-05-26 2005-07-01 Promos Technologies Inc Etching system and method for treating the etching solution thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201476A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 酸濃度計および酸濃度測定法
JP2004517486A (ja) 2000-12-30 2004-06-10 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 近赤外線分光器を利用した金属膜エッチング工程制御方法及び金属膜エッチング工程用エッチャントの再生方法
JP2004137519A (ja) 2002-10-15 2004-05-13 Nagase & Co Ltd エッチング液管理方法およびエッチング液管理装置
JP2008106326A (ja) 2006-10-26 2008-05-08 Hirama Rika Kenkyusho:Kk エッチング液管理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170027919A (ko) * 2015-09-02 2017-03-13 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102511986B1 (ko) * 2015-09-02 2023-03-21 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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