KR101167742B1 - 집적화된 트랜지스터모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

집적화된 트랜지스터모듈은, 적어도 하나의 하측 영역, 및 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 리드프레임을 포함한다. 리드프레임의 계단형부는 기계적으로，그리고 전기적으로 하측 및 상측 영역을 상호연결시킨다. 하측 트랜지스터는, 하측 영역과 전기적으로 도통된 그 드레인을 지닌 하측 영역 상에 장착된다. 상측 트랜지스터는, 상측 영역에 전기적으로 도통된 그 소스를 지닌 상측 영역에 장착된다.
Figure R1020067027196
집적화된 트랜지스터모듈, 리드프레임, 드레인, 소스

Description

집적화된 트랜지스터모듈 및 그 제조방법{INTEGRATED TRANSISTOR MODULE AND METHOD OF FABRICATING SAME}
이 출원은, 2004년 6월 24일에 출원된 미국 특허 출원 제 10/876,248 호의 이익을 청구한다.
본 발명은 일반적으로 반도체 장치에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 동기 벅(buck) 컨버터를 포함하여, 다른 장치에 대한 내장 블럭으로서 사용에 적합한 집적화된 트랜지스터모듈에 관한 것이다.
셀폰，휴대형 컴퓨터，디지털 카메라，라우터와 다른 휴대형 전자 시스템에 대한 전력 공급의 일반적인 사용에서，동기 벅 컨버터는, 배터리 출력을 안정하게 하고，노이즈를 여과하고，리플을 줄이면서, 프로그램가능한 격자배열 집적회로，마이크로 프로세서，디지털신호처리 집적회로 및 다른 회로에 전력을 제공하기 위해 DC 전압 레벨을 이동시킨다. 동기 벅 컨버터는, 데이터 통신, 전기통신, 포인트-오브-로드(point-of-load), 및 컴퓨팅 응용의 광범위에서 고-전류 다중전력을 제공하기 위해서도 사용된다.
도 1은 전형적인 동기 벅 컨버터의 단순화된 개요의 도면을 도시한 것이다. 동기 벅 컨버터(SBC)(10)는 상측 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스 터(MOSFET)(12), 및 하측 MOSFET(14)를 포함한다. 하측 MOSFET(14)의 드레인(D)은 상측 MOSFET(12)의 소스(S)와 전기적으로 도통되어 있다. 대부분의 상용-생산된 MOSFET은 수직장치이고，그리고 게이트，드레인 및 소스가 지리적으로 장치의 동일 평면 상에 있도록 패키지된다.
SBC(10)에서 상 및 하측 MOSFET(12 및 14) 각각의 소스(S)와 드레인(D) 사이의 연결은 SBC(10)가 고속동작/스위칭 주파수에서 적당히 사용되도록 매우 낮은 인덕턴스를 가져야 한다. 여기에서, MOSFET(12 및 14)가 분리된 장치로서 구성되며, SBC(10)의 회로기판 배치의 설계는 기생 인덕턴스를 줄이기 위해 최적화되어야 한다. 대안적으로，SBC(10)는 단일 패키지의 완전-집적화된 동기 벅 컨버터로서 구성되고, 설계되며, 그리고 상 및 하측 MOSFET(12 및 14) 각각의 소스(S)와 드레인(D) 사이의 연결에서 기생 인덕턴스를 줄이기 위해 배치된다. 그러나, 그러한 완전 집적화된 장치는 다른 적용 및/또는 설계와 종종 호환되지 않는 특정장치를 적용 및/또는 설계되는 경향이 강하다. 또한, MOSFET를 연결하는 인쇄된 회로기판 트레이스/컨덕터는 고레벨의 전류가 적당히 흐르기에 매우 적합하지 않다.
그러므로，기술분야에서 필요한 것은, 상측 MOSFET의 소스와 하측 MOSFET의 드레인 사이에서 감소된 인덕턴스 또는 저-인덕턴스 연결을 가지고, 고 전류가 적당히 흐를 수 있는 비-적용 특정 벅 컨버터이다.
또한，기술분야에서 필요한 것은, 고전류가 적당히 흐를 수 있고, 감소된 또는 저-인덕턴스를 가지는 모듈의 상측 트랜지스터 소스와, 모듈의 하측 트랜지스터 드레인 사이의 연결을 제공하여, 적당한/높은 주파수에서 사용되도록 벅 컨버터의 설계/구조용 내장 블럭으로서의 사용에 알맞은 집적화된 트랜지스터모듈 또는 내장블럭이다.
게다가, 기술분야에서 필요한 것은, 고전류가 적당히 흐를 수 있고, 모듈의 상측 트랜지스터 소스와 모듈의 하측 트랜지스터 드레인 사이에서 감소된 또는 저-인덕턴스 연결을 제공하여, 고주파수에서의 사용용 벅 컨버터의 설계/구조를 가능하게 하는 집적화된 트랜지스터모듈 또는 내장 블럭을 형성하는 방법이다.
더욱이, 기술분야에서 필요한 것은, 모듈의 상측 트랜지스터 소스와 모듈의 하측 트랜지스터 드레인 사이에서 감소된 또는 저-인덕턴스 연결을 갖는 집적회된 트랜지스터모듈 또는 내장블럭을 사용함으로써, 고주파수를 사용하기에 알맞고 고전류가 적당히 흐를 수 있는 벅 컨버터를 형성하는 방법이다.
본 발명은, 트랜지스터들 사이에서 저-인덕턴스 고전류량 연결을 제공하고, 예를 들면, 벅 컨버터와 같은，다른 회로용 내장블럭으로써 유용한 집적화된 트랜지스터모듈을 제공하는 것이다.
일 형태에 의하면, 본 발명은 적어도 하나의 하측 영역(low-side land) 및 적어도 하나의 상측 영역(high-side land)을 정하는 리드프레임을 포함하는 집적화된 트랜지스터모듈을 포함한다. 리드프레임의 계단형부는 기계적으로，그리고 전기적으로 하측 및 상측 영역들을 상호연결시킨다. 하측 트랜지스터는 하측 영역 상에 장착되고 그 드레인은 하측 영역에 전기적으로 연결된다. 상측 트랜지스터는 상측 영역 상에 장착되고 그 소스는 상측 영역에 전기적으로 연결된다.
또다른 형태에 의하면, 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임으로서, 도전성 리드프레임의 계단형부가 하측 영역 및 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키는 상기 도전성 리드프레임; 하측 영역 상에 장착된 하측 MOSFET 트랜지스터로서, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인이 하측 영역 상에 있는 상기 하측 MOSFET 트랜지스터; 및 상측 영역 상에 장착된 상측 MOSFET 트랜지스터로서, 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스가 상측 영역 상에 있는 상기 상측 MOSFET 트랜지스터;를 포함하고, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 도전성 리드프레임을 통하여 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈이 제공된다.
또다른 형태에 의하면, 도전성 리드프레임, 적어도 하나의 하측 MOSFET 트랜지스터 및 적어도 하나의 상측 MOSFET 트랜지스터를 포함하고, 도전성 리드프레임은 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하고, 도전성 리드프레임의 계단형부는 하측 영역 및 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키고, 하측 MOSFET 트랜지스터는 하측 영역 상에 장착되고, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 하측 영역 상에 있고, 상측 MOSFET 트랜지스터는 상측 영역 상에 장착되고, 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스는 상측 영역 상에 있고, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 도전성 리드프레임을 통하여 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터가 제공된다.
또다른 형태에 의하면, 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임으로서, 도전성 리드프레임의 계단형부가 하측 영역 및 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키고 제1 평면을 제2 평면으로부터 이격시키는 상기 도전성 리드프레임; 상측 영역 상에 장착되고 상측 영역 상에 소스를 갖는 상측 MOSFET 트랜지스터; 하측 영역 상에 장착되고 하측 영역 상에 드레인을 갖는 하측 MOSFET 트랜지스터; 하측 MOSFET 트랜지스터의 소스 및 게이트 상의 볼 콘택트; 및 도전성 리드프레임 중 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면에 있는 상부 표면부를 갖는 몰딩된 부분;을 포함하고, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 도전성 리드프레임을 통하여 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈이 제공된다.
또다른 형태에 의하면, 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 하측 영역으로부터 수직으로 오프셋팅된 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임을 형성하는 단계; 도전성 리드프레임의 일부를 전기적 절연 물질에 넣는 단계로서, 도전성 리드프레임 중 상측 영역에 반대인 측 상의 전기적 절연 물질의 상부 표면이 도전성 리드프레임 중 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면인 상기 넣는 단계; 상측 영역 상에 상측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계로서, 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스가 상측 영역 상에 있는 상기 상측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계; 및 하측 영역 상에 하측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계로서, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인이 하측 영역 상에 있는 상기 하측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계;를 포함하고, 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 도전성 리드프레임을 통하여 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 이점은, 한 트랜지스터 드레인과 또 다른 트랜지스터 소스 사이에서 저-인덕턴스 고전류-용량 연결을 포함하는 것이 구비된 집적화된 트랜지스터모듈이고, 이것은 벅 컨버터용 내장블럭으로서 유용하다는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은, 집적화된 트랜지스터모듈이 쉽게，그리고 효율적인 열발산이 된다는 것이다.
더욱이, 본 발명의 이점은, 집적화된 트랜지스터모듈이 모듈/표준 패키지를 사용한 장치로부터 형성되어서 효율적인 공정흐름에 따라 제조된다는 것이다.
또한, 본 발명의 이점은, 집적화된 트랜지스터모듈이 인쇄된 회로기판의 배치와 설계도 간단하게 한다는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은, 집적화된 트랜지스터모듈이 장착될 수 있는 다중-위상 DC-DC 컨버터 장치에서 사용될 수 있다는 것이다.
더욱이，본 발명의 이점은, 집적화된 트랜지스터모듈이 DC/DC 컨버터장치에서 구성소자 수를 감소시킨다는 것이다.
본 발명의 상술되고 다른 특징 및 이점, 그리고 그 달성 방법은, 첨부된 도면과 관련되어 본 발명의 다음의 제 1 실시예의 설명을 참조함으로써, 보다 더 명백하게 될 것이고, 이해될 수 있을 것이며, 첨부된 도면은 다음과 같다:
도 1은 전형적인 동기 벅 컨버터의 개요의 도면이다;
도 2는 도 1의 동기 벅 컨버터의 기능적 모듈을 도시한 도면이다;
도 3은 본 발명의 집적화된 FET 모듈을 갖는 제 1 실시예의 측면을 도시한 도면이다;
도 4는 본 발명의 집적화된 FET 모듈을 갖는 제 2 실시예의 측면을 도시한 도면이다;
도 5A-5C는 본 발명의 집적화된 FET 모듈을 갖는 제 3 실시예에 대한 리드프레임을 갖는 제 1 실시예의 상면도이고, 그 제조방법을 도시한 도면이다; 그리고
도 6A-6G는 본 발명의 집적화된 FET 모듈을 갖는 제 1 실시예를 제조하는 방법인 제 1 실시예를 설명한 도면이다.
상응하는 참조 특징은, 몇몇 도면을 통하여 상응하는 부분을 나타낸다.
본 예시는, 하나의 형태에서 본 발명의 바람직한 제 1 실시예를 설명하기 위해 설정되고, 그리고 그러한 예시는 여러 방식에서 본 발명의 영역을 국한시킴으로써 해석되지는 않는다.
도면에 관해서, 특히, 도 1은 전형적인 동기 벅 컨버터의 개요의 도면을 도시한 것이다. 상술된 바와 같이，동기 벅 컨버터(SBC)(10)는 상측 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)(14) 및 하측 MOSFET(12)를 포함한다. 하측 MOSFET(14) 드레인(D)은 상측 MOSFET(12) 소스(S)와 전기적으로 도통된다.
또한, MOSFET(12 및 14)의 게이트(G)는, 펄스-폭 변조(PWM) 제어기(20)의 상응하는 출력부(미도시)에 연결된다. 도 2에 적합하게 도시된 바와 같이, 본 발명의 집적화된 FET 모듈은 MOSFET(12 및 14)를 포함하여, 원(22)내의 회로를 집적화시킨다.
지금 도 3 및 4를 참조하여, 본 발명의 집적화된 트랜지스터모듈의 제 1 실시예의 측면이 단일화(singulation)되기 전(도 4) 및 단일화된 후(도 3)를 도시한 것이다. 집적화된 트랜지스터모듈(30)은 상측 및 하측 트랜지스터(12 및 14),기판 또는 리드프레임(32), 몰딩(34) 및 방열판(36)을 포함한다.
일반적으로，예를 들면, 전계효과 트랜지스터(FETS) 또는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은, 상측 및 하측 트랜지스터(12 및 14)는, 하측 FET(14) 드레인(D)과 상측 FET(12) 소스(S) 사이에서 저-인덕턴스 연결을 제공하는 기판 또는 리드프레임(32) 상에 증착되고 연결되어서, 집적화된 트랜지스터모듈(30)은, 예를 들면, 벅 컨버터와 같은, 다른 회로용 내장블럭으로서의 사용이 적합하다.
상측 및 하측 FETS(12 및 14)는 종래의 집적화된-회로 MOSFET장치이며, 그리고, 집적화된 FET 모듈(30)이 적용되기에 알맞도록 선택된다. 도시된 실시예에서, 상측 FET(12)는 플립-칩 장치/패키지로서 구성되고，그리고 하측 FET(14)은 BGA 장치/패키지로서 구성된다.
기판 또는 리드프레임(32)은，예를 들면, 구리 또는 알루미늄 같은, 전기도전성 물질로 구성되고, 그리고 예를 들면，약 0.005 내지 약 0.010 인치의 두께를 가진다. 일반적으로，기판(32)과 몰딩(34)은, 적어도 하나의 상측 영역패턴(42) 및 적어도 하나의 하측 영역패턴(44)을 정한다. 영역패턴(42 및 44)이 정해진 기판부(32) 상은 기판(32)의 계단형부(46)에 의해 상호연결된다. 계단형부(46)는, 서로에 대해 실질적으로 평행한 각 평면내의 상측-영역패턴(42)과 하측 영역패턴(44)을 지향한다. 몰딩(34)과 관련한 계단형부(46)는 서로에 대해 실질적으로 동일 평면 방식으로 상측 및 하측FETS(12 및 14)를 증착시킨다. 패드(48)를 포함한 기판(32)은 상측-영역패턴(42) 상에 패턴화를 준비하기 위해 그리고, 상측 MOSFET(12)가 장착되기 위해 반-에칭된다.
상측 FETS(12)는 상응하는 상측 영역패턴(42)에 장착된 플립-칩이고, 그리고 하측 FETS(14)는 하측 영역패턴(44)에 상응하는 BGA 패키지를 장착하기 위해 종래공정을 사용하여 장착된다. 더 상세하게，각 하측 FET(14) 드레인(D)은 상응하는 하측 영역패턴(44)에 부착되고, 그리고 각 상측 FET(12) 소스(S)는 상측 영역패턴(42)에 부착된 플립-칩이다.
몰딩(34)은 영역패턴(44) 중 상측 FETS(12)이 부착된 측에 반대인 측 상에 형성되고 그 측을 덮는다. 몰딩(34)의 최상위 또는 상위 표면부(34A)(도 3 및 6B)는 기판(32)의 최상위 또는 상부 표면부(32A)와 실질적으로 동일한 평면에 형성된다. 몰딩(34)은 상측 FETS(12)의 드레인 및 게이트를 방열판(36)과의 접촉으로부터 또는 전기적 단락으로부터 전기적으로 격리시킨다(도 3 및 4 참조).
방열판(36)은, 예를 들면 열적 도전성 페이스트 또는 솔더 페이스트와 같은 열적-도전성 방식으로 기판(32)의 최상위 또는 상부 표면부(32A)에 부착된다. 몰딩(34)이 상측 FETS(12)의 드레인 및 게이트를 방열판(36)에 단락시키는 것을 막기 때문에, 방열판(36)은 집적화된 FET 모듈(30)의 전체 길이 및/또는 폭이 연장될 수 있다. 방열판(36)은, 예를 들면, 구리의 스트립이거나, 또는 다른 적당한 열적-도전 물질과 같은 열적-도전성 물질로 구성된다.
도 6A-6G는 본 발명의 집적화된 FET 모듈의 제 1 실시예를 제조하는 방법인 제 1 실시예를 설명한 도면이다. 도 6A에 도시된 바와 같이, 미리 형성된 리드프레임(32)은, 각각으로부터 각각의 집적화된 FET 모듈(30)이 형성되는 미러-이미지 측들 또는 절반들로 구성된다. 도 6B에서 도시된 바와 같이, 몰딩된 부분(34)은, 기판(32)의 각각의 미러-이미지 절반 상에 형성된다. 몰딩된 부분(34)은 계단형부(46), 및 하측 영역(44) 중 하측 FET(14)이 장착된 측에 반대인 측을 덮으며, 그리고 기판(32)의 최상위 또는 상부 표면부(32A)와 실질적으로 동일한 평면에 있는 상위 표면부(34A)를 형성한다. 그 후, 도 6C에 도시된 바와 같이, 상측 FETS(12)는 상측 영역패턴(42) 상에 장착된 플립-칩이다. 도 6D에 도시된 바와 같이, 솔더 볼(56)은 패드(48) 상에 형성되는데, 집적화된 FET 모듈(30)의 기판(32), 및 그리하여 상측 FET(12) 소스(S)와 하측 FET(14)의 드레인(D)을 회로기판 또는 다른 장치에 전기적으로 연결하도록 나중에 리플로잉된다.
그 후, 도 6E에 도시된 바와 같이, 하측 FETS(14)는 기판(32)의 하측 영역(44)에 부착되도록 종래의 BGA 패키지에 의해 장착되고, 그리고 2 개의 미러-이미지 절반은, 예를 들면, 펀칭(도 6F 참조)에 의해, 또는 톱질(도 6G 참조)에 의해 단일화된다.
특히 주목할 점은, 도 6D에서 도시된 제조단계에서 집적화된 FET 모듈(30)의 단일화는 2 개의 하위부품(60)을 형성한다. 각 하위부품(60)은, 기판(32)의 상응하는 상측 영역(42)에 장착되고 상응하는 몰딩(34)에 의해 절연되는 하나 이상의 상측 FETS(12)를 포함한다. 몰딩(34)으로부터 연장되고 영역(44)을 정하는 기판 부(32)는 상측 FET(12)의 소스를 하측 FET(14)과 같은 또 다른 패키지 또는 장치에 연결하기에 적합한 내장형 커넥터 스트립을 형성한다. 기판(32)은 상측 FET(12)를 하측 FET(14)에 연결시킴에도 불구하고, 기판(32)은 집적화된 회로장치의 여러 다른 원하는 형태 및/또는 패키지를 상측 FET(12)에 실질적으로 연결하여 대안적으로 구성될 수 있다.
도 5A-5C에서 도시된 기판(32)의 실시예는 2 개의 상측 FETS(12) 및 1 개의 하측 FET(14)를 포함하는 집적화된 FET 모듈(30)의 실시예에 상응한다. 따라서，실시예에서，기판(32)은, 기판(32)에 의해 정해진 상측 영역패턴(42) 주변 주위에 증착된 몰딩(34)을 포함한다. 각 상측 FETS(12)의 소스(S)는 상측 영역패턴(42)에 장착된 플립-칩이고, 그리고 하측 FET(14)는 상술된 바와 같이 장착된다. 이로써, 상측 FETS(12)의 소스(S)는, 상술된 유사한 방식으로 기판(32)을 통하여 하측 FET(14)의 드레인(D)에 전기적으로 도통된다. FET 소스들의 상호연결은, 분리된 구성소자를 상호연결에 필요한 배치에 관한 인쇄된 회로기판의 배치를 단순화시킨다.
사용에 있어, 집적화된 FET 모듈(30)은, 예를 들면, 상대적으로 고전류를 흐를 수 있는 기판/리드프레임(32)을 통해 한 MOSFET의 소스에 연결된 또 다른 MOSFET의 드레인을 갖는 2 개의 MOSFET를 필요로 하는 벅 컨버터 또는 다른 회로와 같은 다른 회로용 내장블럭을 형성하고, 상대적으로 낮은 인덕턴스를 갖는다. 집적화된 FET 모듈(30)의 표면은 실질적으로 동일 평면에 있으므로 방열판(36)이 손쉽게 부착 및/또는 집적화되고 다른 방식보다 가능한 더 큰 면적을 가지는 장치를 구비하며, 그리고 상측 FET(12)가 몰딩(34)에 의해 방열판(36)으로부터 전기적으로 절연되기 때문에, FET(12)가 방열판(36)에 단락될 가능성은 감소된다.
본 발명은 바람직한 설계를 가짐으로써 설명되는 반면에, 본 발명은 이 명세서의 기술영역과 요지내에서 추가 수정될 수도 있다. 그러므로, 본 출원은 여기에 개시된 일반적 원칙을 사용하여 본 발명의 여러 변화, 용도, 또는 적용을 다룰 수 있다. 또한, 이 출원은, 본 발명이 속해 있고, 첨부된 청구항내에 포함하는 기술분야에서 알려진 사실 또는 통상 원칙내에 이르는 본 명세서로부터 벗어남을 다룰 수 있다.

Claims (24)

  1. 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 상기 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임으로서, 상기 도전성 리드프레임의 계단형부가 상기 하측 영역 및 상기 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키는 상기 도전성 리드프레임;
    상기 하측 영역 상에 장착된 하측 MOSFET 트랜지스터로서, 상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인이 상기 하측 영역 상에 있는 상기 하측 MOSFET 트랜지스터; 및
    상기 상측 영역 상에 장착된 상측 MOSFET 트랜지스터로서, 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스가 상기 상측 영역 상에 있는 상기 상측 MOSFET 트랜지스터;를 포함하고,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 상기 드레인은 상기 도전성 리드프레임을 통하여 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 상기 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임은 도전성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터 및 상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 상기 상측 영역에 장착된 플립-칩인 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터는 볼 격자 배치 패키지내에 포함되고, 상기 패키지는 상기 하측 영역에 장착되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임 중 상기 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면에 있는 상부 표면부를 갖는 몰딩된 부분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임 중 상기 상측 영역에 반대인 측에 결합되고 그로써 상기 하측 MOSFET 트랜지스터 및 상기 상측 MOSFET 트랜지스터에 결합되는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 방열판은 상기 몰딩된 부분 위에 연장된 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  9. 도전성 리드프레임, 적어도 하나의 하측 MOSFET 트랜지스터 및 적어도 하나의 상측 MOSFET 트랜지스터를 포함하고,
    상기 도전성 리드프레임은 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 상기 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하고,
    상기 도전성 리드프레임의 계단형부는 상기 하측 영역 및 상기 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키고,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터는 상기 하측 영역 상에 장착되고, 상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인은 상기 하측 영역 상에 있고,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 상기 상측 영역 상에 장착되고, 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스는 상기 상측 영역 상에 있고,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 상기 드레인은 상기 도전성 리드프레임을 통하여 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 상기 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임은 도전성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터 및 상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 상기 상측 영역에 장착된 플립-칩인 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터는 볼 격자 배치 패키지내에 포함되고, 상기 패키지는 상기 하측 영역에 장착되는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임 중 상기 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면에 있는 상부 표면부를 갖는 몰딩된 부분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임 중 상기 상측 영역에 반대인 측에 결합되고 그로써 상기 하측 MOSFET 트랜지스터 및 상기 상측 MOSFET 트랜지스터에 결합되는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 방열판은 상기 몰딩된 부분 위에 연장된 것을 특징으로 하는 동기 벅 컨버터.
  17. 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 상기 제1 평면에 평행한 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임으로서, 상기 도전성 리드프레임의 계단형부가 상기 하측 영역 및 상기 상측 영역을 기계적으로 그리고 전기적으로 상호연결시키고 상기 제1 평면을 상기 제2 평면으로부터 이격시키는 상기 도전성 리드프레임;
    상기 상측 영역 상에 장착되고 상기 상측 영역 상에 소스를 갖는 상측 MOSFET 트랜지스터;
    상기 하측 영역 상에 장착되고 상기 하측 영역 상에 드레인을 갖는 하측 MOSFET 트랜지스터;
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 소스 및 게이트 상의 볼 콘택트; 및
    상기 도전성 리드프레임 중 상기 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면에 있는 상부 표면부를 갖는 몰딩된 부분;을 포함하고,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 상기 드레인은 상기 도전성 리드프레임을 통하여 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 상기 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 도전성 리드프레임은 도전성 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 상기 상측 영역에 장착된 플립-칩인 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈.
  21. 제1 평면에 적어도 하나의 하측 영역 및 상기 하측 영역으로부터 수직으로 오프셋팅된 제2 평면에 적어도 하나의 상측 영역을 정하는 도전성 리드프레임을 형성하는 단계;
    상기 도전성 리드프레임의 일부를 전기적 절연 물질에 넣는 단계로서, 상기 도전성 리드프레임 중 상기 상측 영역에 반대인 측 상의 상기 전기적 절연 물질의 상부 표면이 상기 도전성 리드프레임 중 상기 하측 영역에 반대인 측에 대해 동일 평면인 상기 넣는 단계;
    상기 상측 영역 상에 상측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계로서, 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 소스가 상기 상측 영역 상에 있는 상기 상측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계; 및
    상기 하측 영역 상에 하측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계로서, 상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 드레인이 상기 하측 영역 상에 있는 상기 하측 MOSFET 트랜지스터를 장착시키는 단계;를 포함하고,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터의 상기 드레인은 상기 도전성 리드프레임을 통하여 상기 상측 MOSFET 트랜지스터의 상기 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 상측 MOSFET 트랜지스터는 상기 상측 영역 상에 장착된 플립-칩인 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 하측 MOSFET 트랜지스터는 볼 격자 배치 패키지내에 포함된 것을 특징으로 하는 집적화된 트랜지스터모듈의 제조방법.
  24. 삭제
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