KR101095095B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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마사히코 하루모토
미노루 스기야마
타쿠야 쿠로다
마사노리 이마무라
히로시 요시이
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

현상액노즐의 상부에 형성된 현상액공급구로부터 아래쪽으로 뻗도록 현상액유로가 형성되어 있다. 현상액유로의 일단부로부터 비스듬하게 위쪽으로 뻗도록 액저장공간이 형성되어 있다. 액저장공간의 상단부로부터 각 현상액토출구를 향해 아래쪽으로 뻗도록, 5개의 현상액유로가 형성되어 있다. 또한, 액저장공간으로부터 위쪽으로 뻗도록 액흡인로가 형성되어 있다. 액흡인로에는 흡인관을 통해 흡인장치가 접속되어 있다. 밸브를 엶으로써, 흡인장치에 의해 액저장공간 내의 현상액이 흡인된다.
Figure R1020090006571
기판처리, 웨이퍼, 현상액, 스핀척, 흡인기구, 토출노즐, 아스퍼레이터, 레지스터막, 액층

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판에 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
종래, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러가지 처리를 행하기 위해, 기판처리장치가 사용되고 있다.
기판에 현상(現像)처리를 행하는 현상장치는, 예를 들어 기판을 수평으로 보유지지해서 연직축의 둘레로 회전시키는 스핀척과, 기판에 현상액을 공급하는 노즐을 갖춘다. 현상처리시에는, 스핀척에 의해 기판이 회전하는 상태에서, 노즐이 현상액을 토출하면서 기판의 외측으로부터 기판의 중심부 위쪽으로 이동한다(예를 들면 일본 특허공개 2005-210059호 공보참조).
이 경우, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판 상의 레지스트막을 덮도록 현상액의 액층이 형성된다. 그 상태에서, 기판 상의 레지스트막의 용해반응이 진행한다. 그후, 기판 상의 현상액 및 용해한 레지스트가 제거되어, 현상처리가 종료한다.
현상액의 토출후에는, 노즐 내에 현상액의 일부가 잔류한다. 그 현상액이, 노즐의 이동시 등에, 현상처리전 또는 현상처리후의 기판에 낙하하는 경우가 있다. 그 경우, 현상액이 낙하한 부분에서 레지스트막의 반응이 여분으로 진행해, 현상결함이 발생한다.
본 발명의 목적은, 노즐로부터의 처리액의 낙하에 의한 기판의 결함의 발생이 방지된 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리액을 토출하는 토출구 및 그 토출구로 처리액을 안내하는 처리액유로(流路)를 갖는 처리액토출노즐과, 처리액토출노즐의 처리액유로에 처리액을 공급하는 처리액공급부와, 처리액토출노즐의 처리액유로 내의 처리액을 흡인하는 흡인기구를 구비하고, 처리액유로는, 제1 높이에 위치하는 상류단(上流端) 및 제1 높이보다 높은 제2 높이에 위치하는 하류단을 가지며, 제1 높이로부터 제2 높이까지 상승하도록 뻗는 제1 유로와, 제1 유로의 하류단으로부터 토출구까지 하강하도록 뻗는 제2 유로를 포함하고, 처리액공급부는, 제1 유로의 상류단으로부터 하류단을 향해 처리액을 공급하며, 흡인기구는, 제2 유로 내의 처리액을 흡인하는 것이다.
이 기판처리장치에 있어서는, 처리액공급부에 의해 처리액토출노즐의 제1 유로의 상류단으로부터 하류단을 향해 처리액이 공급된다. 그 처리액은, 제1 유로의 하류단으로부터 제2 유로를 통해 토출구로 안내되어, 토출구로부터 기판을 향해 토 출된다. 처리액이 토출된 후, 처리액토출노즐의 제2 유로 내에 잔류하는 처리액이 흡인기구에 의해 흡인된다.
이에 의해, 제2 유로 내에 잔류하는 처리액이, 자중(自重)에 의해 토출구로부터 유출하는 것이 방지된다. 한편, 제1 유로는, 제1 높이에 있는 상류단으로부터 제2 높이에 있는 하류단까지 상승하도록 뻗어 있다. 그 때문에, 제1 유로 내의 처리액에는, 하류단으로부터 상류단을 향하는 방향으로 중력이 작용한다. 따라서, 제1 유로 내에 처리액이 잔류하고 있어도, 그 처리액이 자중에 의해 토출구로부터 유출하지 않는다.
이렇게 하여, 처리액토출노즐로부터 처리액이 유출하는 것이 방지된다. 이에 의해, 불측(不測)의 타이밍으로 기판에 처리액이 낙하하는 것이 방지되어, 기판에 결함이 발생하는 것이 방지된다.
(2) 흡인기구는, 제1 유로에 접속되는 제1 흡인로(吸引路)를 가져도 좋다. 이 경우, 제1 흡인로를 통해 제1 유로 내에 잔류하는 처리액과 함께 제2 유로 내에 잔류하는 처리액을 확실하게 흡인할 수 있다. 이에 의해, 처리액토출노즐 내에 잔류하는 처리액이 불측의 타이밍으로 토출구로부터 유출하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
(3) 처리액공급부는 제1 유로의 상류단에 접속되는 공급로를 갖고, 흡인기구는 공급로에 접속되는 제2 흡인로를 가져도 좋다.
이 경우, 제2 흡인로를 통해 처리액토출노즐의 제1 유로 및 제2 유로 내에 잔류하는 처리액을 보다 확실하게 흡인할 수 있다. 이에 의해, 처리액토출노즐 내 에 잔류하는 처리액이 불측의 타이밍으로 토출구로부터 유출하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
(4) 처리액토출노즐은 토출구를 복수 가지며, 처리액유로는 제2 유로를 복수로 포함하고, 복수의 제2 유로는 제1 유로의 하류단으로부터 분기되어 복수의 토출구까지 뻗도록 설치되어도 좋다.
이 경우, 처리액이 복수의 토출구로부터 토출되므로, 기판의 처리효율이 향상한다. 또한, 복수의 제2 유로가 제1 유로의 하류단으로부터 분기되어 설치되므로, 제1 유로의 하류단보다 상류 측에서 처리액을 흡인함으로써, 복수의 제2 유로 내의 처리액을 각각 흡인할 수 있다. 이에 의해, 간단한 구성으로 처리액토출노즐로부터의 처리액의 유출을 방지할 수 있다.
(5) 처리액토출노즐은, 처리액으로서 현상액을 토출하고, 기판처리장치는, 처리액토출노즐과 일체적으로 설치되어, 린스액을 토출하는 린스액토출노즐을 더 갖추어도 좋다.
이 경우, 처리액토출노즐로부터 기판에 현상액이 토출됨으로써, 기판의 현상처리가 행해진다. 또한, 현상처리후에 린스액토출노즐로부터 기판에 린스액이 토출됨으로써, 기판의 린스처리가 행해진다.
이들 처리액토출노즐과 린스액토출노즐이 일체적으로 설치됨으로써, 기판처리장치의 동작제어가 간략화되는 동시에, 기판처리장치의 소형화 또는 공간절약화가 실현된다.
또한, 현상액의 토출후에 불측의 타이밍으로 처리액토출노즐로부터 현상액이 유출하는 것이 방지된다. 그 때문에, 린스처리시 등에, 처리액토출노즐과 린스액토출노즐이 일체적으로 기판의 위쪽으로 이동하여도, 기판에 현상액이 낙하하는 것이 방지된다. 이에 의해, 현상결함 등의 발생이 방지된다.
본 발명에 따르면, 처리액토출노즐의 제2 유로 내에 잔류하는 처리액이 흡인기구에 의해 흡인된다. 이에 의해, 처리액토출노즐로부터 처리액이 유출하는 것이 방지된다. 그 결과, 불측의 타이밍으로 기판에 처리액이 낙하하는 것이 방지되어, 기판에 결함이 발생하는 것이 방지된다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 기판처리장치에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판처리장치의 일 예로 현상(現像)장치에 대해 설명한다.
(1)현상장치의 구성
도 1은 현상장치의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 현상장치의 Q-Q선 단면도이다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 현상장치(100)는, 기판(W)을 수평자세로 흡착지지하는 스핀척(10)을 구비한다. 스핀척(10)은, 모터(11)(도 2)의 회전축(12)의 선단부에 고정되고, 연직방향의 축 둘레로 회전가능하게 구성되어 있다. 스핀척(10)의 주위에는, 기판(W)을 둘러싸도록 원형의 내측컵(13)이 상하이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 내측컵(13)의 주위에는, 정방형의 외측컵(14)이 설치되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 외측컵(14)의 측방에는, 대기포드(15)가 설치되어 있다. 또한, 외측컵(14) 및 대기포드(15)에 병행해서 뻗도록 가이드레일(16)이 설치되어 있다. 가이드레일(16)을 따라 이동가능하게 아암구동부(17)가 설치되어 있다. 아암구동부(17)에는, 수평면 내에서 가이드레일(16)에 수직한 방향으로 뻗는 노즐아암(18)이 부착되어 있다. 노즐아암(18)은 아암구동부(17)에 의해 구동되어, 가이드레일(16)에 따른 방향으로 이동하는 동시에, 상하 방향으로 승강한다.
스핀척(10)에 관해 가이드레일(16)과는 반대측인 영역에는, 세정용 린스액으로서 순수(純水)를 토출하는 린스액토출노즐(19)이 화살표 R1의 방향으로 회동(回動) 가능하게 설치되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 노즐아암(18)의 선단부에는, 복수(본 예에서는 5개)의 현상액토출구(22)를 갖는 현상액노즐(21)이 부착되어 있다. 기판(W)의 현상처리시에는, 노즐아암(18)이 구동됨으로써 현상액노즐(21)이 대기포드(15)로부터 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.
노즐아암(18)은, 공급관(31)을 통해 현상액공급원(G1)에 접속되어 있다. 공급관(31)에는, 밸브(V1)가 끼워져 있다. 밸브(V1)를 엶으로써, 현상액공급원(G1)으로부터 노즐아암(18)을 통해 현상액노즐(21)에 현상액이 공급된다.
린스액토출노즐(19)은, 공급관(35)을 통해 린스액공급원(G2)에 접속되어 있 다. 공급관(35)에는, 밸브(V2)가 끼워져 있다. 밸브(V2)을 엶으로써, 린스액공급원(G2)으로부터 린스액토출노즐(19)에 린스액이 공급된다.
다음으로, 현상액노즐(21)의 상세에 대해 설명한다. 도 3은 현상액노즐(21)의 개략사시도이다. 또한, 도 4(a)는 현상액노즐(21)의 종단면도이며, 도 4(b)는 도 4(a)의 R-R선 단면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)에는, 연직 아래쪽으로 향하여진 5개의 현상액토출구(22)가 폭방향(도 1의 가이드레일(16)에 평행한 방향)을 따라 등간격으로 설치되어 있다. 각 현상액토출구(22)는, 현상액노즐(21)의 이동에 따라 스핀척(10)에 보유지지된 기판(W)의 중심부 위쪽을 통과하도록 배치되어 있다.
도 4(a) 및 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)의 내부에는, 현상액유로(21a), 액저장공간(21b) 및 복수의 현상액유로(21c)가 형성되어 있다. 현상액유로(21a)는, 현상액노즐(21)의 상부에 형성된 현상액공급구(23)로부터 아래쪽으로 뻗도록 형성되어 있다.
액저장공간(21b)은, 현상액유로(21a)의 일단부에서 비스듬하게 위쪽으로 뻗도록 형성되어 있다. 또한, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 액저장공간(21b)은, 비스듬하게 위쪽을 향해 폭방향으로 점차 확대하도록 형성되어 있다. 그 액저장공간(21b)의 상단부로부터 각 현상액토출구(22)를 향해 아래쪽으로 뻗도록, 5개의 현상액유로(21c)가 형성되어 있다.
또한, 액저장공간(21b)의 하단부의 높이가 청구항에 있어서의 상류단(上流端)의 높이, 즉 제1 높이에 상당하고, 액저장공간(21b)의 상단부의 높이가 청구항 에 있어서의 하류단의 높이, 즉 제2 높이에 상당한다.
액저장공간(21b)으로부터 위쪽으로 뻗도록 액흡인로(24)가 형성되어 있다. 액흡인로(24)에는, 흡인관(25)을 통해 흡인장치(SD)(예를 들면 아스퍼레이터(aspirator))가 접속되어 있다. 흡인관(25)에는 밸브(V3)가 끼워져 있다. 밸브(V3)를 엶으로써, 흡인장치(SD)에 의해 액저장공간(21b) 내의 현상액이 흡인된다.
노즐아암(18)의 내부에는, 현상액공급로(18a)가 형성되어 있다. 현상액공급로(18a)는 현상액공급원(G1)에 접속되어 있다. 현상액공급원(G1)으로부터 현상액공급로(18a)에 공급되는 현상액은, 현상액공급구(23)로부터 현상액노즐(21) 내에 유입하고, 현상액유로(21a), 액저장공간(21b) 및 현상액유로(21c)를 통해 각 현상액토출구(22)로 안내되어, 토출된다.
그런데, 현상액의 토출후에는, 현상액노즐(21)의 내부(현상액유로(21a), 액저장공간(21b) 및 현상액유로(21c))에 현상액이 잔류한 상태로 된다. 특히, 현상액유로(21c)에 잔류하는 현상액은, 거의 표면장력만에 의해 현상액노즐(21) 내에 보유된 상태이므로, 불안정하다. 그 때문에, 현상액유로(21c)에 잔류하는 현상액은, 현상액노즐(21)의 이동시 등에, 자중에 의해 현상액토출구(22)로부터 유출하는 경우가 있다.
현상액토출구(22)로부터 유출한 현상액이, 예를 들어 현상처리전의 기판(W) 상에 낙하하면, 그 현상액이 낙하한 레지스트막의 부분에 있어서 다른 부분보다 여분으로 반응이 진행한다. 또한, 현상액이 씻겨내려간 후의 기판(W)에 현상액이 낙 하하면, 기판(W)은 현상액이 부착된 상태에서 현상장치(100)로부터 반출된다. 이에 의해, 기판(W)에 결함이 발생하는 경우가 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 현상액의 토출후에 흡인장치(SD)에 의해 액저장공간(21b) 내의 현상액을 흡인한다. 이 경우, 액저장공간(21b)이 부압(負壓)으로 되므로, 현상액유로(21c) 내의 현상액이 액저장공간(21b)으로 역류하여, 액저장공간(21b) 내의 현상액과 함께 흡인된다.
여기서, 현상액유로(21a) 및 액저장공간(21b)의 일부에는, 흡인장치(SD)에 의한 흡인후에도 현상액이 잔류한다. 그렇지만, 액저장공간(21b)이 현상액유로(21c)의 상단부로부터 아래쪽으로 경사지도록 형성되어 있으므로, 액저장공간(21b) 내의 현상액에는, 상류측을 향하는 방향(현상액유로(21c)를 향하는 방향과 반대인 방향)으로 중력이 작용한다. 또한, 액저장공간(21b) 내에 일정량의 현상액이 저장되므로, 현상액유로(21a) 내의 현상액의 무게로 현상액이 현상액유로(21c)까지 밀려나가는 경우는 없다.
이에 의해, 현상액유로(21a) 및 액저장공간(21b) 내의 현상액이 현상액토출구(22)로부터 유출하는 경우는 없다. 따라서, 불측의 타이밍으로 현상액노즐(21)로부터 기판(W) 상에 현상액이 낙하하는 것이 방지된다.
(2) 현상장치의 동작
도 5는 현상장치(100)의 제어계를 나타내는 블록도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 현상장치(100)는 제어부(50)를 구비한다. 스핀척(10), 모터(11), 아암구동부(17), 린스액토출노즐(19), 흡인장치(SD) 및 밸브(V1∼V3)의 동작은, 제어 부(50)에 의해 제어된다.
도 6은, 기판(W)의 현상처리시에 있어서의 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도이다. 본 실시 형태에서는, 현상처리의 공정이, 액층형성공정, 현상공정 및 세정공정으로 나뉜다. 또한, 이하에 설명하는 현상처리는, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막에 노광처리가 실시된 후에 행해진다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 액층형성공정의 시점 t1에서, 스핀척(10)에 의해 기판(W)의 회전이 개시된다. 이어지는 시점 t2에서, 현상액노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 개시된다. 시점 t1∼t3의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 1000rpm으로 유지된다.
시점 t3에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들어 20Orpm으로 하강하고, 시점 t4에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 50rpm으로 하강한다. 그리고, 시점 t5에서, 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 시점 t6에서, 현상액노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 정지된다. 또한, 시점 t2∼t6의 기간에 있어서, 현상액노즐(21)은, 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 위쪽과 주연부(周緣部)의 위쪽 사이를 이동한다. 현상액의 토출유량은, 예를 들면 400ml/min으로 유지된다.
시점 t6에서 현상액의 토출이 정지된 후, 도 4의 흡인장치(SD)에 의해 현상액노즐(21)의 액저장공간(21b) 및 현상액유로(21c) 내에 잔류하는 현상액이 흡인된다. 이에 의해, 현상액노즐(21)로부터 현상액이 유출하는 것이 방지된다.
이 액층형성공정에 있어서는, 기판(W) 상의 레지스트막을 덮도록 현상액의 액층이 형성된다. 액층형성공정의 상세에 대해서는 후술한다.
현상공정의 시점 t6∼t7의 기간에는, 현상액의 토출 및 기판(W)의 회전이 정지된 상태로 유지된다. 이 기간에, 기판(W) 상에 보유지지된 현상액에 의해 레지스트막의 패턴부를 제외한 부분의 용해반응이 진행한다.
세정공정의 시점 t7∼t8의 기간에, 스핀척(10)에 의해 기판(W)이 예를 들면 700rpm으로 회전하는 동시에, 린스액토출노즐(19)로부터 기판(W)에 린스액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W) 상의 현상액 및 용해한 레지스트가 씻겨내려간다. 이어서, 시점 t8∼t9의 기간에, 기판(W)이 고속인, 예를 들면 2000rpm으로 회전한다. 그 회전에 따른 원심력에 의해, 기판(W)에 부착되는 린스액이 떨어져나가, 기판(W)이 건조된다. 이에 의해, 기판(W)의 현상처리가 종료한다.
(3) 액층형성공정
이어서, 도 6 및 도 7을 참조하면서 액층형성공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작의 상세에 대해 설명한다. 도 7은, 액층형성공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작에 대해 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도이다.
도 6의 시점 t2에서, 도 7(a) 및 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 위쪽에 위치하는 상태에서 현상액의 토출을 시작한다. 그리고, 도 6의 시점 t2∼ t3의 기간에, 도 7(c) 및 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 위쪽으로부터 주연부의 위쪽까지 이동한다.
이에 의해, 기판(W) 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판(W)의 표면이 충분 하게 현상액으로 습윤한 상태로 된다. 그 때문에, 기판(W)의 표면이 발수성(撥水性)이 높은 경우라도, 기판(W)의 표면에서 현상액이 튀겨나가지 않게 된다.
도 6의 시점 t3∼t4의 기간에는, 기판(W)의 회전속도가 하강하는 동시에, 도 7(e) 및 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 주연부의 위쪽으로부터 중심부의 위쪽까지 이동한다. 이 경우, 기판(W)의 바깥쪽으로 떨어져나가는 현상액의 양이 감소하여, 공급된 현상액이 기판(W) 상에 보유지지된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 형성된다.
여기서, 시점 t2∼t4의 기간에 있어서, 현상액노즐(21)은, 현상액토출구(22)가 기판(W)의 위쪽의 영역으로부터 외측으로 돌출해 나오지 않도록 이동한다. 이 경우, 기판(W)의 외주단부(外周端部)를 가로지르도록 현상액이 공급되지 않는다. 이에 의해, 현상액의 비산을 억제할 수 있다. 따라서, 현상장치(100) 내의 각 부에 현상액이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 현상액노즐(21)은, 예를 들어 기판(W)의 직경이 300mm인 경우에, 기판(W)의 중심부의 위쪽으로부터 주연부의 위쪽까지를 예를 들면 1∼3초에 이동하고, 기판(W)의 주연부의 위쪽으로부터 중심부의 위쪽까지를 예를 들면 1∼5초에 이동한다.
현상액노즐(21)의 이동속도는, 일정해도 좋고, 이동방향 또는 위치에 따라 변화하여도 좋다. 예를 들면, 기판(W)의 주연부의 위쪽부근에 있어서의 현상액노즐(21)의 이동속도가, 기판(W)의 중심부의 위쪽부근에 있어서의 현상액노즐(21)의 이동속도보다 낮아도 좋다. 이 경우, 면적이 큰 기판(W)의 주연부의 영역에도 충분 히 현상액을 공급할 수 있다.
도 8은 현상액의 액층의 형성과정을 나타내는 사시도 및 측면도이다. 도 8(a) 및 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)이 회전하는 상태에서 현상액노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 주연부의 위쪽으로부터 기판(W)의 중심부의 위쪽을 향해 이동함으로써, 기판(W)의 주연부로부터 중심부를 향해 소용돌이형상으로 현상액이 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 주연부로부터 중심부를 향해 현상액의 액층이 형성되어 간다.
(4) 본 실시 형태의 효과
본 실시 형태에서는 현상액노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 정지된 후에, 현상액노즐(21)의 액저장공간(21b) 및 현상액유로(21c) 내에 잔류하는 현상액이 흡인장치(SD)에 의해 흡인된다. 이에 의해, 현상액을 토출해서는 안되는 기간에, 불측의 타이밍으로 현상액노즐(21)로부터 현상액이 유출하는 것이 방지된다. 이에 의해, 현상처리전 또는 세정처리후의 기판(W) 상에 현상액이 낙하하는 것이 방지되어, 기판(W)에 결함이 발생하는 것이 방지된다.
(5) 다른 동작예
상기의 예에서는, 액층형성공정에서 현상액노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 위쪽과 주연부의 위쪽 사이를 이동하지만, 이에 한하지 않고, 현상액노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 위쪽에서 계속적으로 현상액을 토출해도 좋다.
또한, 상기의 예에서는, 현상처리공정에서 기판(W)의 회전을 정지하고 있지 만, 이에 한하지 않고, 현상처리공정에서 기판의 회전을 유지해도 좋다. 그 경우, 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 10rpm이상 200rpm이하로 조정된다. 또한, 그 경우, 회전하는 기판(W)에 계속적으로 현상액을 공급하여도 좋다.
또한, 기판(W)의 회전속도 및 현상액의 유량은, 상기의 예에 한정되지 않고, 기판(W)의 크기 또는 발수성 등의 여러가지 조건에 따라 적당히 변경해도 좋다.
(6) 흡인장치(SD)의 다른 접속예
상기 실시 형태에서는, 현상액노즐(21)의 액저장공간(21b)에 흡인장치(SD)가 접속되지만, 이에 한하지 않고, 다른 부분에 흡인장치(SD)가 접속되어도 좋다. 도 9는, 흡인장치(SD)의 다른 접속예를 나타내는 도면이다.
도 9의 예에서는, 노즐아암(18)의 현상액공급로(18a)에 연통(連通)하도록 액흡인로(18b)가 형성되고, 그 액흡인로(18b)에 흡인관(25)을 통해 흡인장치(SD)가 접속되어 있다. 이 경우, 흡인장치(SD)에 의해 노즐아암(18)의 현상액공급로(18a) 내에 잔류하는 현상액의 일부가 흡인되는 동시에, 현상액노즐(21)의 현상액유로(21a), 액저장공간(21b) 및 현상액유로(21c) 내에 잔류하는 현상액이 흡인된다. 이에 의해, 현상액노즐(21)로부터 기판(W) 상에 현상액이 낙하하는 것이 방지된다.
(7) 린스액토출노즐의 다른 예
상기 실시 형태에서는, 린스액토출노즐(19)이 스핀척(10)의 바깥쪽에 독립해서 설치되지만, 린스액토출노즐(19)이 현상액노즐(21)과 일체적으로 설치되어도 좋다. 도 10은, 린스액토출노즐의 다른 예를 나타내는 외관사시도이다.
도 10의 예에서는, 린스액토출구(32)를 갖는 린스액노즐(19a)이, 현상액노 즐(21)과 함께 노즐아암(18)에 부착되어 있다. 이처럼, 현상액노즐(21)과 린스액노즐(19a)을 일체적으로 설치함으로써, 동작제어를 간략화하는 것이 가능하게 되는 동시에, 현상장치(100)의 소형화 및 공간절약화가 가능하게 된다.
또한, 이렇게 린스액 노즐(19a)과 현상액노즐(21)을 일체적으로 설치하는 경우에는, 도 6의 세정공정에 있어서, 린스액노즐(19a)과 함께 현상액노즐(21)이 기판(W)의 위쪽으로 이동한다. 그때, 현상액노즐(21)의 현상액유로(21c) 내에 현상액이 잔류하고 있으면, 세정후의 기판(W) 상에 현상액이 낙하할 가능성이 있다. 그렇지만, 본 실시 형태에서는, 현상액유로(21c) 내의 현상액을 흡인해서 제거하므로, 그러한 문제가 생기지 않는다.
(8) 다른 실시 형태
상기 실시 형태에서는, 기판(W)에 현상처리를 행하는 현상장치에 본 발명이 적용된 예가 나타나지만, 이에 한하지 않고, 기판(W)에 성막처리를 행하는 성막장치 또는 기판(W)에 세정처리를 행하는 세정장치 등의 다른 장치에 본 발명이 적용되어도 좋다. 그 경우, 성막처리를 위한 도포액 또는 세정처리를 위한 세정액을 토출하는 노즐에, 현상액노즐(21)과 같은 구성을 사용할 수 있다.
(9) 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소와의 대응
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소의 대응예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시 형태에서는, 현상액노즐(21)이 처리액토출노즐의 예이고, 현상액토출구(22)가 토출구의 예이며, 현상액유로(21a), 액저장공간(21b) 및 현상액유 로(21c)가 처리액유로의 예이고, 현상액공급원(G1) 및 공급관(31)이 처리액공급부의 예이며, 흡인장치(SD) 및 흡인관(25)이 흡인기구의 예이다.
또한, 액저장공간(21b)이 제1 유로의 예이고, 현상액유로(21c)가 제2 유로의 예이며, 액흡인로(24)가 제1 흡인로의 예이고, 현상액공급로(18a)가 공급로의 예이며, 액흡인로(18b)가 제2 흡인로의 예이고, 린스액노즐(19a)이 린스액토출노즐의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러가지 요소를 사용할 수도 있다.
도 1은 현상장치의 구성을 나타내는 평면도,
도 2는 도 1의 현상장치의 Q-Q선 단면도,
도 3은 현상액 노즐의 개략사시도,
도 4는 현상액노즐의 단면도,
도 5는 현상장치의 제어계를 나타내는 블록도,
도 6은 기판의 현상처리시에 있어서의 기판의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도,
도 7은 액층형성공정에 있어서의 현상장치의 동작에 대해 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도,
도 8은 현상액의 액층의 형성과정을 나타내는 사시도 및 측면도,
도 9는 흡인장치의 다른 접속예를 나타내는 도면,
도 10은 린스액토출노즐의 다른 예를 나타내는 외관사시도이다.

Claims (5)

  1. 처리액을 토출하는 토출구 및 그 토출구로 처리액을 안내하는 처리액유로(流路)를 갖는 처리액토출노즐과,
    상기 처리액토출노즐의 상기 처리액유로에 처리액을 공급하는 처리액공급부와,
    상기 처리액토출노즐의 상기 처리액유로 내의 처리액을 흡인하는 흡인기구를 구비하고,
    상기 처리액유로는,
    상류단(上流端)으로부터 하류단(下流端)까지 상승하도록 뻗는 제1 유로와,
    상기 제1 유로의 상기 하류단으로부터 상기 토출구까지 하강하도록 뻗는 제2 유로를 포함하고,
    상기 처리액공급부는 상기 제1 유로의 상기 상류단으로부터 상기 하류단을 향해 처리액을 공급하며,
    상기 흡인기구는 상기 제1 유로에 접속되는 제1 흡인로를 갖고, 상기 제2 유로 내의 처리액을 상기 토출구로부터 상기 제1 유로를 향하는 방향으로 상기 제1 유로 및 상기 제1 흡인로를 통하여 흡인하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 처리액을 토출하는 토출구 및 그 토출구로 처리액을 안내하는 처리액유로(流路)를 갖는 처리액토출노즐과,
    상기 처리액토출노즐의 상기 처리액유로에 처리액을 공급하는 처리액공급부와,
    상기 처리액토출노즐의 상기 처리액유로 내의 처리액을 흡인하는 흡인기구를 구비하고,
    상기 처리액유로는,
    상류단(上流端)으로부터 하류단(下流端)까지 상승하도록 뻗는 제1 유로와,
    상기 제1 유로의 상기 하류단으로부터 상기 토출구까지 하강하도록 뻗는 제2 유로를 포함하고,
    상기 처리액공급부는 상기 제1 유로의 상기 상류단에 접속되는 공급로를 갖고, 상기 공급로를 통하여 상기 제1 유로의 상기 상류단으로부터 상기 하류단을 향해 처리액을 공급하며,
    상기 흡인기구는 상기 공급로에 접속되는 제2 흡인로를 갖고, 상기 제2 유로 내의 처리액을 상기 토출구로부터 상기 제1 유로를 향하는 방향으로 상기 제1 유로, 상기 공급로 및 상기 제2 흡인로를 통하여 흡인하는 기판처리장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 처리액토출노즐은 상기 토출구를 복수 갖고,
    상기 처리액유로는 상기 제2 유로를 복수 포함하며, 상기 복수의 제2 유로는 상기 제1 유로의 상기 하류단으로부터 분기(分岐)되어 상기 복수의 토출구까지 뻗도록 설치된 기판처리장치.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 처리액토출노즐은 처리액으로서 현상액을 토출하고,
    상기 처리액토출노즐과 일체적으로 설치되어, 린스액을 토출하는 린스액토출노즐을 더 구비하는 기판처리장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5317504B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Sokudo 現像装置および現像方法
JP5521731B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-18 凸版印刷株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP6216200B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6173192B2 (ja) * 2013-12-03 2017-08-02 株式会社ディスコ 液体噴射装置
JP6385864B2 (ja) * 2015-03-18 2018-09-05 株式会社東芝 ノズルおよび液体供給装置
JP6924614B2 (ja) 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN112435941A (zh) * 2020-11-27 2021-03-02 华虹半导体(无锡)有限公司 单片湿法清洗机台的防滴液装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005161130A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Seiko Epson Corp 吐出ヘッド機構およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0469920A (ja) * 1990-07-10 1992-03-05 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP3398272B2 (ja) * 1995-12-05 2003-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 薬液吐出ノズル
JPH09160256A (ja) * 1995-12-07 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体吐出装置
JP3434650B2 (ja) * 1996-10-03 2003-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板塗布装置
JP3633775B2 (ja) * 1998-02-12 2005-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JPH11111603A (ja) * 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像方法及びその装置
JPH11226475A (ja) * 1998-02-12 1999-08-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JP3633774B2 (ja) * 1998-02-12 2005-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JP2002170803A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4347734B2 (ja) * 2004-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005161130A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Seiko Epson Corp 吐出ヘッド機構およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

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