KR101074593B1 - 광모듈 - Google Patents

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요시히사 와라시나
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

4개의 포토 다이오드(12) 및 2개의 가이드 그루브(10)를 광소자 설치면(16)상에 갖는 서브마운트(1)와, 4개의 V 그루브(21), 4개의 요면경(22), 및 2개의 가이드 레일(20)을 광화이버 고정면(26)상에 갖는 화이버 고정 부재(2)와, 화이버 고정 부재(2)에 고정된 4개의 광화이버(3)를 구비하여 광모듈을 구성한다. 또, 이 광모듈에 있어서, 서브마운트(1)와 화이버 고정 부재(2)는 가이드 그루브(10)와 가이드 레일(20)이 감합함으로써, 위치 맞춤되어서 고정된다. 이로 인해, 양산화 및 저비용화가 가능한, 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광모듈이 실현된다.

Description

광모듈{OPTICAL MODULE}
본 발명은 광화이버(optical fiber)와 광반도체 소자가 광학적으로 접속된 광모듈에 관한 것이다.
최근, 광통신 시장에 있어서는 기간 회선의 인프라 정비의 확충에 수반하여, 사용자측 회선의 설비 및 사용자측 회선과 기간 회선을 접속하는 설비의 정비에 관심이 향하고 있다. 구체적으로는 메트로 에어리어 네트워크, 액세스계 및 학교나 회사내의 LAN의 충실(充實), 또 프로바이더내의 서버나 라우터의 고속화ㆍ대용량화 등이 요망되고 있다.
특히, 학교나 회사내의 LAN, 또는 프로바이더내의 서버, 라우터 등에서의 광접속은 VSR(Very Short Reach)나 인터커넥션으로 불리고 있다. 이러한 광접속은 단거리이지만, 고속 대용량으로의 신호 전송이 요망되고 있다. 한편, 저비용인 것이 바람직하기 때문에, 고속으로 해도 예를 들면 10 Gbps의 전송 속도를 갖는 광접속과 같이 필요한 설비가 고가인 것은 적합하지 않다.
이러한 요망으로, 최대 2.5 Gbps 정도의 속도로 광신호를 병렬로 전송하는 광모듈이 주목받고 있다. 이 광모듈에서는 광화이버 어레이인 테이프(tape) 화이버와 광반도체 소자 어레이가 위치 맞춤(engage)되어서 접속됨으로써, 복수의 광신호 가 병렬로 전송된다. 그러나, 그 위치 맞춤을 조심(調芯)에서 행하는 것은 저비용인 광모듈을 실현할 수 없다. 여기서, 패시브 얼라이먼트(passive alignment) 방식으로 위치 맞춤된 광모듈이 제안되어 있다(일본 특개평 7－77634호 공보, 일본 특개평 7－151940호 공보).
도 7은 종래의 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광모듈의 구성예를 나타낸 단면도이다(문헌 「전자 정보 통신 학회 기술 연구 보고, LQE 99－130, p.1－6」참조). 광화이버(92)와 광반도체 소자(94)와의 위치 맞춤은 화이버 페룰(Ferrule)(91)이 갖는 가이드 핀(95)이, 기판(93)이 갖는 가이드 핀 삽입 구멍(96)에 삽입 접착됨으로써 행하게 되어 있다. 여기서, 광화이버(92)는 가이드 핀(95)에 대하여 위치 맞춤된 화이버 삽통부에 삽통되어 있으며, 광반도체 소자(94)는 가이드 핀 삽입 구멍(96)과 동일한 마스크 프로세스로 형성된 위치 결정 마크를 가이드로 하여 기판(93)상에 위치 결정되어서 고정되어 있다.
종래의 패시브 얼라이먼트 방식의 광모듈에 있어서, 모든 광화이버의 설치(取付)는 광모듈 전체의 조립 공정 중 초기 단계에서 행해진다. 예를 들면, 도 7에 나타낸 광모듈에 있어서는 기판(93)을 서브마운트(submount)로서 회로 기판에 설치하는 경우, 모듈 높이를 낮게 억제하기 위하여, 기판(93)을 회로 기판에 대하여 수직으로 세워 고정한다. 이 때, 기판(93)을 회로 기판에 고정한 후에는 화이버 페룰(91)을 기판(93)에 대하여 설치하기 어렵다. 여기서, 광화이버(92)를 갖는 화이버 페룰(91)과, 광반도체 소자(94)를 갖는 기판(93)과의 설치는 기판(93)을 회로 기판에 대하여 고정하는 공정보다 이전에 행해진다.
이와 같이, 광화이버를 설치하는 공정이 광모듈 전체의 조립의 초기 단계에서 행해지는 경우, 그 후의 공정에 있어서 핸들링이나 자동화에 지장을 초래한다고 하는 문제가 있다. 예를 들면, 광반도체 소자 또는 광반도체 소자가 설치된 기판을, 회로 기판에 대하여 다이 본딩, 와이어 본딩 등을 하는 공정에 있어서는 광화이버가 설치되어 있는 것을 고려한 전용의 장치가 필요하다. 그리고, 이러한 문제는 광모듈의 양산화ㆍ저비용화를 방해하는 요인이다.
본 발명은 이상의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 양산화 및 저비용화에 적절한 광모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 광모듈은 (1) 소정의 제1면상에 설치된 광반도체 소자와, 제1면상에 형성된 제1 위치 맞춤부를 갖는 서브마운트와, (2) 소정의 제2면상에 형성되며 광화이버를 위치 결정하여 고정하기 위한 고정 그루브(groove, 溝)와, 고정 그루브에 대하여 설치되며 고정 그루브에 고정되는 광화이버 및 대응하는 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광을 다른 쪽으로 이끄는 요면경(凹面鏡, concave mirror)과, 제2면상에 형성된 제2 위치 맞춤부를 갖는 화이버 고정 부재와, (3) 고정 그루브에 고정된 광화이버를 구비하고, (4) 제1 위치 맞춤부 및 제2 위치 맞춤부는 그 한 쪽이 가이드 레일(guide rail)로 이루어지며, 다른 쪽이 가이드 레일과 감합(嵌合; 끼워 맞춤)하는 가이드 그루브로 이루어지고, 서브마운트와 화이버 고정 부재는 제1 위치 맞춤부와 제2 위치 맞춤부가 감합함으로써, 위치 맞춤되어서 고정되는 것을 특징으로 한다.
상기한 광모듈에 있어서는 서브마운트의 제1 위치 맞춤부와 화이버 고정 부재의 제2 위치 맞춤부가 감합함으로써, 광반도체 소자와 광화이버가 위치 맞춤된다. 이 때문에, 본 광모듈에 있어서는 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 위치 맞춤이 가능하게 되어 있다.
또, 위치 맞춤부로서 가이드 레일과 가이드 그루브를 이용하고 있으므로, 광반도체 소자와 광화이버를 고정밀도로 위치 맞춤 할 수 있다.
또, 광반도체 소자가 설치되는 서브마운트의 제1면에 대하여, 광화이버가 고정되는 화이버 고정 부재의 제2면이 대향하여 배치된다. 이로 인해, 광화이버가 고정된 화이버 고정 부재를 서브마운트에 대해 위치 맞춤하여 고정하는 공정을, 서브마운트를 회로 기판에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 하는 공정보다 이후에 행하는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 서브마운트를 회로 기판에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 하는 공정에 있어서 핸들링이나 자동화에 지장이 생기는 일이 없고, 양산화, 저비용화가 가능한 광모듈이 실현된다. 또, 광화이버가 서브마운트의 제1면에 대하여 평행하게 배치되므로, 모듈 높이가 낮게 억제되어 있다.
또한, 광화이버와 광반도체 소자와의 사이의 도광 광학계로서 요면경이 설치되어 있다. 이로 인해, 광화이버 및 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광은 집광되어서 다른 쪽으로 이끌리므로, 높은 광결합율을 실현할 수 있다.
광모듈은 N(N은 2이상의 정수)개의 광반도체 소자를 갖는 서브마운트와, 서로 평행한 N개의 고정 그루브와, N개의 고정 그루브 각각 대하여 설치되는 N개의 요면경을 갖는 화이버 고정 부재와, N개의 고정 그루브 각각 고정된 N개의 광화이버를 구비하는 구성으로 해도 된다. 이 경우, 복수의 광신호를 병렬로 전송할 수 있기 때문에, 보다 고속으로 대용량의 전송을 가능하게 하는 광모듈이 제공된다.
또, 광반도체 소자는 서브마운트와 동일한 재료로 동일한 반도체 프로세스에서 제조되므로, 제1 위치 맞춤부와 모노리식(monolithic)으로 형성되는 것으로 해도 된다. 또는, 서브마운트는 제1 위치 맞춤부와 동일한 마스크 프로세스로 형성된 위치 결정 마크를 갖고, 광반도체 소자는 위치 결정 마크를 기준으로 하여, 서브마운트에 대하여 위치 결정되어서 설치되는 것으로 해도 된다. 이러한 경우, 광반도체 소자와 제1 위치 맞춤부가 서로 고정밀도로 위치 맞춤된 서브마운트를 얻을 수 있다.
또, 화이버 고정 부재는 수지로부터 일체(一體)로 성형되는 것으로 해도 된다. 이 경우, 고정 그루브, 요면경 및 제2 위치 맞춤부가 서로 고정밀도로 위치 맞춤된 화이버 고정 부재를 얻을 수 있다.
또, 제2 위치 맞춤부는 고정 그루브와 거의 평행하게 형성되는 것으로 해도 된다. 이 경우, 제2 위치 맞춤부와 고정 그루브를 서로 위치 맞춤하여 형성하는 것이 용이하게 된다.
또, 가이드 레일은 그 긴 쪽 방향에 수직인 평면에서의 단면 형상이 테이퍼 형상인 것으로 해도 된다. 이 경우, 가이드 레일과 가이드 그루브와의 감합이 용이하게 된다.
또, 광모듈은 광반도체 소자와 요면경과의 사이에 설치되고, 광화이버 및 대응하는 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광을 다른 쪽으로 집광하는 렌즈를 구비하는 것으로 해도 된다. 이 경우, 요면경에 의한 집광과 함께, 광결합율을 보다 향상시킬 수 있다.
또, 서브마운트에 설치되는 광반도체 소자로서는 광검출 소자를 이용할 수 있다. 이 경우, 본 광모듈은 광수신 모듈로 된다. 또는, 광반도체 소자로서 발광 소자를 이용할 수 있다. 이 경우, 본 광모듈은 광송신 모듈로 된다.
도 1은 광모듈의 한 실시형태의 구성을 나타내는 측면 단면도.
도 2는 도 1에 나타낸 광모듈에 구비된 서브마운트의 사시도.
도 3은 도 1에 나타낸 광모듈에 구비된 화이버 고정 부재의 사시도.
도 4는 도 3에 나타낸 화이버 고정 부재에 광화이버가 고정된 상태를 나타내는 사시도.
도 5는 도 1에 나타낸 광모듈의 I－I선에 따른 정면 단면도.
도 6은 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광모듈의 구성예를 나타낸 측면 단면도.
도 7은 종래의 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광모듈의 구성예를 나타낸 단면도.
이하, 도면과 함께 본 발명에 의한 광모듈의 바람직한 실시형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하여 중복하는 설명을 생략한다. 또, 도면의 치수 비율은 설명의 것과 반드시 일치하고 있지 않다.
도 1은 본 발명에 의한 광모듈의 한 실시형태의 구성을 나타내는 측면 단면도이다. 이 도 1을 이용하여 본 실시형태에 의한 광모듈의 구성의 개략을 설명한다. 본 광모듈은 N(N은 자연수)개의 광화이버와 N개의 광반도체 소자가 광학적으로 접속되어서 광신호를 병렬로 전송하는 광송신용 또는 광수신용의 광모듈이다. 이하에 설명하는 실시형태에서는 N=4이다. 또, 도 1에는 4조 중 1조의 광화이버와 광반도체 소자에 대하여, 그 광축을 포함하는 평면에 의한 단면도가 도시되어 있다. 도 1에 있어서는 그 좌우 방향이 광화이버의 광축에 따른 광전송 방향으로 되어 있다.
본 광모듈은 회로 기판(41), 서브마운트(1), 화이버 고정 부재(2) 및 피복 광화이버 어레이(31)를 구비한다. 회로 기판(41)은 서브마운트(1)를 실장하는 마운트 기판이다. 또, 회로 기판(41)상에는 신호 처리에 필요한 배선이나 전자 회로 등이 실장된다. 도 1에 있어서 회로 기판(41)상에는 전기 신호를 증폭하여 출력하는 프리 앰프(43)가 실장되어 있다.
서브마운트(1)는 광반도체 소자를 설치하기 위한 기판이다. 이 서브마운트(1)는 회로 기판(41)상에 재치되어 있다. 또, 서브마운트(1)의 회로 기판(41)과는 반대측인 면은 광반도체 소자가 설치되는 광소자 설치면(제1면)(16)으로 되어 있다. 서브마운트(1)의 기판으로서는 예를 들면 실리콘 기판을 이용할 수 있다.
광 소자 설치면(16)상에는 포토 다이오드 어레이(11)가 설치되어 있다. 이 포토 다이오드 어레이(11)는 광반도체 소자로서 4개의 포토 다이오드(광검출 소자)(12)가 일정한 피치로 배열된 광반도체 소자 어레이이다. 이러한 포토 다이오드(12)는 후술하는 광화이버(3)의 광축에 대하여 수직인 방향(도 1에서는 지면에 수 직인 방향)을 배열 방향으로서 설치되어 있다. 또, 회로 기판(41)상의 프리 앰프(43), 서브마운트(1)상의 포토 다이오드 어레이(11), 및 회로 기판(41), 서브마운트(1)상에 설치된 전극, 배선 등은 각각 다이 본딩 또는 와이어 본딩 등에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.
화이버 고정 부재(2)는 광화이버를 고정하는 부재이다. 이 화이버 고정 부재(2)는 서브마운트(1)에 대하여 회로 기판(41)과는 반대측에 설치되어 있다. 또, 화이버 고정 부재(2)의 서브마운트(1)의 광소자 설치면(16)에 대향하는 면은 광화이버가 고정되는 광화이버 고정면(제2면)(26)으로 되어 있다. 화이버 고정 부재(2)는 예를 들면 수지로부터 일체로 성형할 수 있다.
광화이버 고정면(26)상에는 광화이버를 위치 결정하여 고정하기 위한 고정 그루브로서 4개의 V 그루브(21)가 서로 평행하게 형성되어 있다. 또, 이러한 V 그루브(21)에 대하여, 일정한 피치로 배열된 4개의 광화이버를 갖는 피복 광화이버 어레이(31)가 설치되어 있다. 이 피복 광화이버 어레이(31)는 그 첨단 부분이 소정의 길이에 걸쳐서 피복이 제거되고, 4개의 광화이버(3)가 노출되어 있다. 그리고, 이러한 노출된 광화이버(3)가 각각 대응하는 V 그루브(21)에 위치 결정하여 고정되어 있다.
이러한 V 그루브(21) 및 V 그루브(21)에 고정되는 광화이버(3)는 광화이버(3)의 광축에 대하여 수직인 방향을 배열 방향으로 하여, 포토 다이오드(12)에 대응하도록 동일한 피치로 배치되어 있다. 또, 화이버 고정 부재(2)에는 서브마운트(1)의 윗쪽에 위치하여 V 그루브(21)가 설치된 광화이버 고정부(2a)와 함께, 서브 마운트(1) 및 광화이버 고정부(2a)로부터 보아 피복 광화이버 어레이(31)가 뻗어가는 방향으로 돌출하는 어레이 수용부(2b)가 설치되어 있다.
또, 광화이버 고정면(26)상에는 광화이버(3) 각각의 광축상에서, 그 단면에 대향하는 위치에 요면경(22)이 설치되어 있다. 이 요면경(22)은 4개의 V 그루브(21) 및 광화이버(3)의 각각에 대하여 설치되어 있다. 또, 요면경(22)은 서브마운트(1)로부터 보아 대응하는 포토 다이오드(12)의 윗쪽으로 향하는 광축상에 배치되어 있다. 요면경(22)은 광화이버(3)의 단면으로부터 출사한 광의 광로를 연직(鉛直) 아래쪽으로 거의 90°변환하는 동시에 평행 광으로서 그 광을 포토 다이오드(12)로 집광하면서 이끈다.
요면경(22)과 포토 다이오드(12)와의 사이에는 볼 렌즈(14)가 그 광축이 포토 다이오드(12)의 광축에 일치하도록 위치 결정되어서 설치되어 있다. 이 볼 렌즈(14)는 광화이버(3)로부터 출사되어서 요면경(22)에 의하여 광로가 변환된 광을 대응하는 포토 다이오드(12)로 집광한다. 본 실시형태에 있어서는 이러한 요면경(22) 및 볼 렌즈(14)에 의해, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)와의 사이의 도광 광학계가 구성되어 있다. 볼 렌즈(14)의 위치 결정은 예를 들면, 포토 다이오드 어레이(11)와 동일한 반도체 프로세스에 있어서 레지스터 등을 이용하여 형성된 렌즈 설치용의 대좌(臺座)에 고정함으로써 행할 수 있다.
상술한 회로 기판(41), 서브마운트(1), 화이버 고정 부재(2) 등은 케이스(筐體) 본체부(44a)와 케이스 본체부(44a)의 상부에 위치하는 케이스 개부(蓋部)(44b)로 구성되는 케이스(45)에 수납되어 있다. 케이스 본체부(44a)의 저부(45a)상에 회 로 기판(41)이 서브마운트(1)가 실장되어 있는 면과 반대측의 면이 저부(45a)와 대면하여 설치되어 있다.
케이스(45)의 측부 중에서, 광화이버 고정부(2a)로부터 보아 어레이 수용부(2b)의 방향으로 있는 측부(45b)에는 광화이버(3)의 광축상에 개구(開口)(47)가 설치되어 있다. 이 개구(47)에는 피복 광화이버 어레이(31)가 통과하고 있다.
피복 광화이버 어레이(31)가 통과된 개구(47)에는 땜납(48)이 충전되어 있다. 이 땜납(48)은 피복 광화이버 어레이(31)를 케이스(45)에 대하여 고정하는 동시에, 개구(47)를 막아서 케이스(45)를 기밀(氣密)하게 유지하고 있다. 이와 같이 피복 광화이버 어레이(31)를 땜납(48)에 의해 고정하는 경우, 피복 광화이버 어레이(31)의 피복으로서는 예를 들면 메탈라이즈 화이버와 같이 금속제의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또는 피복 광화이버 어레이(31)의 케이스(45)에의 고정은 수지 등에 의하여 행해도 된다.
케이스(45)의 측부(45b)와 대향하는 측부(45c)에는 출력 단자(42)가 삽통되어 있다. 이 출력 단자(42)는 프리 앰프(43)에서 증폭된 포토 다이오드(12)로부터의 전기 신호를 케이스 외부로 이끄는 것이다.
도 2는 화이버 고정 부재(2)의 옆으로부터 본 서브마운트(1)의 사시도이다. 이 도 2를 이용하여 서브마운트(1)의 구성을 상세히 설명한다.
서브마운트(1)의 광소자 설치면(16)상에는 제1 위치 맞춤부로서 서로 평행하게 뻗는 2개의 가이드 그루브(10)가 형성되어 있다. 가이드 그루브(10)는 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)를 패시브 얼라이먼트 방식으로 위치 맞춤하기 위한 것이다. 이 가이드 그루브(10)의 형성 방향은 포토 다이오드(12)의 배열 방향과 수직인 방향이다. 또, 가이드 그루브(10)는 화이버 고정 부재(2)가 갖는 제2 위치 맞춤부에 대응하는 소정의 위치에 설치되어 있다. 또, 가이드 그루브(10)의 긴 쪽 방향에 수직인 평면에서의 단면 형상은 광소자 설치면(16)으로부터 서브마운트(1)의 내측으로 향하여 점차 폭이 좁아지는 테이퍼 형상이다.
또, 광소자 설치면(16)상에는 위치 결정 마크(13)가 형성되어 있다. 이 위치결정 마크(13)는 포토 다이오드 어레이(11)를 서브마운트(1)에 대하여 위치 결정하여 고정할 때에 기준으로 되는 것이다. 위치 결정 마크(13)는 2개의 가이드 그루브(10)에 대하여 위치 맞춤되어 있으며, 바람직하게는 가이드 그루브(10)와 동일한 마스크 프로세스로 형성된다.
위치 결정 마크(13)에 대하여 광화이버(3)의 광전송 방향의 상류측으로 되는 위치에 포토 다이오드 어레이(11)가 설치되어 있다. 포토 다이오드 어레이(11)의 서브마운트(1)에 대한 고정은 예를 들면 플립칩 본딩에 의하여 행할 수 있다. 또, 제1 위치 맞춤부인 가이드 그루브(10)는 포토 다이오드 어레이(11)에 대하여 위치 맞춤되어 있다.
도 3은 서브마운트(1)측에서 본 화이버 고정 부재(2)의 사시도이다. 이 도 3을 이용하여 화이버 고정 부재(2)의 구성을 상세히 설명한다.
화이버 고정 부재(2)의 광화이버 고정면(26)상에는 제2 위치 맞춤부로서 서로 평행하게 뻗는 2개의 가이드 레일(20)이 형성되어 있다. 가이드 레일(20)은 가이드 그루브(10)와 감합함으로써, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)를 패시브 얼라이먼트 방식으로 위치 맞춤하기 위한 것이다. 이 가이드 레일(20)은 그 긴 쪽 방향에 수직인 평면에서의 단면 형상이 가이드 그루브(10)와 동일하게, 광화이버 고정면(26)으로부터 서브마운트(1)측으로 향하여 점차 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 하고 있다. 이 가이드 레일(20)의 형성 방향은 V 그루브(21)의 형성 방향과 평행이다.
광화이버 고정면(26)은 광전송 방향에 수직인 방향인 광화이버(3)의 배열 방향으로부터 보아, 그 중앙부분이 광전송 방향을 따라서 요(凹) 형상으로 낮게 형성되어 있다. 이 요(凹) 형상 부분이 광화이버(3)를 고정하기 위한 V 그루브(21)가 형성되는 V 그루브 형성부(26a)로 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 광화이버 고정면(26)상에 설치되는 광화이버(3) 및 요면경(22)과, 서브마운트(1)의 광소자 설치면(16)상에 설치되는 포토 다이오드(12)와의 사이의 거리가 적절히 설정된다.
본 실시형태에 있어서는 이 V 그루브 형성부(26a) 중에서 광전송 방향의 상류측 부분이 어레이 수용부(2b), 하류측 부분이 광화이버 고정부(2a)로 되어 있다. 광화이버 고정부(2a)에는 도 1에 관하여 상술한 바와 같이, 광전송 방향을 따른 4개의 V 그루브(21)가 형성되고, 추가로 그 하류측에 4개의 요면경(22)이 설치되어 있다.
광화이버(3)의 배열 방향으로부터 보아, V 그루브 형성부(26a)의 양 측은 각각 가이드 레일 형성부(26b)로 되어 있다. 상기한 2개의 가이드 레일(20)은 양 측의 가이드 레일 형성부(26b)에 각각 1개씩, V 그루브 형성부(26a)에 형성된 4개의 V 그루브(21)를 사이에 두도록 설치되어 있다. 이러한 제2 위치 맞춤부인 가이드 레일(20)은 V 그루브(21) 및 V 그루브(21)에 고정되는 광화이버(3)에 대하여 위치 맞춤되어 있다. 또, V 그루브 형성부(26a)와 가이드 레일 형성부(26b)를 맞춘 광화이버 고정면(26)의 광화이버(3)의 배열 방향에 대한 폭은 서브마운트(1)의 폭과 거의 일치하고 있다.
광화이버(3)의 배열 방향으로부터 보아 가이드 레일 형성부(26b)의 외측으로 되는 광화이버 고정면(26)의 양 측에는 각각 가이드부(27)가 설치되어 있다. 이 가이드부(27)는 광화이버 고정면(26)으로부터 보아 서브마운트(1)가 배치되는 측으로 돌출하고 있으며, 화이버 고정 부재(2)를 서브마운트(1)에 대하여 위치 맞춤하여 고정할 때에, 가이드 레일(20)과 가이드 그루브(10)와의 감합을 가이드하는 부분으로 되어 있다. 또, 이 가이드부(27)의 돌출 높이는 서브마운트(1)의 높이보다 작게 설정되어 있다.
도 4는 도 3에 나타낸 화이버 고정 부재(2)에 피복 광화이버 어레이(31) 및 광화이버(3)가 고정된 상태를 나타낸 사시도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 4개의 V 그루브(21) 각각 대하여 광화이버(3)가 고정된다. 이 고정은 광화이버(3)를 V 그루브(21)내에 들어가도록 한 후, 접착제로 접착 고정함으로써 행해진다. 또한, 고정할 때에는 유리판 등을 광화이버로 눌러서 이용해도 된다.
도 5는 도 1에 나타낸 광모듈의 I－I선에 따른 정면 단면도이다. 화이버 고정 부재(2)는 그 가이드부(27)가 서브마운트(1)를 양 측으로부터 사이에 두는 동시에, 화이버 고정 부재(2)의 광화이버 고정면(26) 중 가이드 레일 형성부(26b)와, 서브마운트(1)의 광소자 설치면(16)이 접하도록 설치된다. 이 때, 도 5에 나타낸 바와 같이, 서브마운트(1)에 형성된 가이드 그루브(10)와 화이버 고정 부재(2)에 형성된 가이드 레일(20)이 감합한다. 이로 인해, 가이드 그루브(10)에 대하여 위치 맞춤된 포토 다이오드(12)와, 가이드 레일(20)에 대하여 위치 맞춤된 광화이버(3)가 패시브 얼라이먼트 방식에 의해 위치 맞춤된다.
또, 화이버 고정 부재(2)와, 서브마운트(1)의 아래쪽에 있는 회로 기판(41)은 접착제에 의해 고정된다. 도 5에 있어서는 화이버 고정 부재(2)에 설치된 가이드부(27)의 하면, 및 회로 기판(41)의 상면의 사이에 충전된 접착제(46)가 도시되어 있다.
다음에, 도 1을 이용하여 본 광모듈의 조립하는 공정을 설명한다. 우선, 케이스 본체부(44a)에 대하여 회로 기판(41)을 설치한다. 또한, 이 회로 기판(41)에 대하여 서브마운트(1) 및 프리 앰프(43)를 설치한다. 이러한 설치는 수지에 의한 다이 본딩, 금선 또는 알루미늄선에 의한 와이어 본딩 등에 의해 가능하다.
한편, 서브마운트(1)의 설치 공정과는 별개의 공정으로서, 화이버 고정 부재(2)에 대하여 광화이버(3)를 고정한다. 그리고, 가이드 레일(20)을 가이드 그루브(10)에 감합시킴으로써, 광화이버(3)가 고정된 화이버 고정 부재(2)를 서브마운트(1)에 대하여 위치 맞춤하여 고정한다. 이 상태에서, 접착제(46)를 소정의 공간에 충전하고, 화이버 고정 부재(2)를 회로 기판(41)에 대하여 접착 고정한다.
마지막으로, 개구(47)에 피복 광화이버 어레이(31)를 통과시키고 나서, 케이스개부(44b)를 케이스 본체부(44a)에 대하여 봉하여 고정하는 것으로 광모듈이 완성된다. 이와 같이 봉하여 고정하는 것은 수지를 이용한 접착 고정에 의해 행할 수 있다.
본 실시형태의 광모듈의 효과에 대하여 설명한다. 본 광모듈에 있어서는 서브마운트(1)의 가이드 그루브(10)와 화이버 고정 부재(2)의 가이드 레일(20)이 감합함으로써, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)가 위치 맞춤되어 있다. 이 때문에, 본 광모듈에 있어서는 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 위치 맞춤이 실현되고 있다.
또, 제1 위치 맞춤부로서 가이드 그루브(10)를, 제2 위치 맞춤부로서 가이드 레일(20)을 이용하고 있다. 이 때문에, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)가 고정밀도로 위치 맞춤되어 있다. 또한, 서브마운트(1)에 형성되는 제1 위치 맞춤부를 가이드 레일, 화이버 고정 부재(2)에 형성되는 제2 위치 맞춤부를 가이드 그루브로 해도 된다.
또, 광소자 설치면(16)에 대하여 광화이버 고정면(26)이 대향하여 배치되므로, 광화이버(3)가 고정된 화이버 고정 부재(2)를 서브마운트(1)에 대하여 위치 맞춤하여 고정하는 공정을, 서브마운트(1)를 회로 기판(41)에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 하는 공정보다 이후에 행할 수 있다. 이 때문에, 서브마운트(1)를 회로 기판(41)에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 하는 공정에 있어서 핸들링이나 자동화에 지장이 생기는 일이 없다. 따라서, 본 광모듈은 양산화, 저비용화가 가능하다. 또, 본 광모듈에 있어서는 광화이버(3)가 서브마운트(1)의 광소자 설치면(16)에 대하여 평행하게 배치되어 있으므로, 모듈 높이가 낮게 억제되어 있다.
또한, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)와의 사이의 도광 광학계로서 요면경(22)이 설치되어 있다. 이로 인해, 광화이버(3)로부터 출사한 광은 집광되어서 포 토 다이오드(12)로 이끌리므로, 높은 광결합율이 실현되고 있다.
또, 본 실시형태에 있어서 요면경(22)은 광화이버(3)로부터의 광을 평행 광으로 한다. 따라서, 광화이버(3)로부터의 광은 요면경(22)으로부터 볼 렌즈(14)까지의 광로를 평행 광으로서 진행하는 것으로 되기 때문에, 광모듈의 톨러런스(tolerance)가 완만하게 된다. 예를 들면, 광학 슈미레이터를 이용한 계산에 의하면, 요면경(22)과 포토 다이오드(12)와의 위치 관계가 ±40㎛정도 움직여도 광결합이 가능하다는 결과가 얻어진다. 또한, 요면경(22)은 반드시 반사광을 평행 광속으로 하는 것에 한정되지 않는다.
또, 본 광모듈에 의하면, 광화이버(3) 및 포토 다이오드(12)가 각각 복수 설치되어 있기 때문에, 복수의 광신호를 병렬로 전송할 수 있다. 이 때문에, 고속 대용량으로의 전송이 가능한 광모듈이 실현되고 있다.
또, 포토 다이오드(12)와 요면경(22)과의 사이에, 집광을 위한 볼 렌즈(14)가 설치되어 있다. 이 때문에, 높은 광결합율이 실현되고 있다. 단, 요면경(22)에 의한 집광만으로 충분한 광결합율을 얻는 경우에는 볼 렌즈(14)를 설치하지 않아도 된다. 예를 들면, 광화이버(3)로서 코어(core) 지름 10㎛의 싱글 모드 화이버를 이용하는 경우, 또는 사용하는 포토 다이오드(12)의 광검출 지름이 충분히 큰 경우 등이다.
또, 볼 렌즈(14)의 위치 결정은 포토 다이오드 어레이(11)와 동일한 반도체 프로세스에 있어서 레지스터 등을 이용하여 형성된 렌즈 설치용의 대좌에 고정함으로써 행할 수 있다. 이와 같이 하면, 볼 렌즈(14)를 ±1~2㎛ 이하의 정도로 위치 결정 할 수 있다.
또, 위치 결정 마크(13)와 가이드 그루브(10)를 동일한 마스크 프로세스로 형성한 경우, 위치 결정 마크(13)를 가이드 그루브(10)에 대하여 ±1~2㎛ 이하의 정도로 위치 맞춤할 수 있다. 따라서, 이 경우, 포토 다이오드 어레이(11)와 가이드 그루브(10)를 서로 고정밀도로 위치 맞춤 할 수 있다.
또한, 포토 다이오드 어레이(11)를 서브마운트(1)와 동일한 재료로 동일한 반도체 프로세스에서 제조함으로써, 가이드 그루브(10)와 모노리식으로 형성해도 된다. 이와 같이 형성한 경우도, 포토 다이오드 어레이(11)와 가이드 그루브(10)와는 서로 고정밀도로 위치 맞춤된다. 이 때, 위치 결정 마크(13)는 불필요하기 때문에 형성하지 않아도 된다.
또, 포토 다이오드 어레이(11)를 서브마운트(1)에 대하여 플립칩 본딩에 의하여 실장하는 경우, ±5㎛ 이하의 정도로 위치 결정 할 수 있다.
또, 화이버 고정 부재(2)를 수지로부터 일체로 성형한 경우, V 그루브(21) 및 요면경(22) 각각의 피치, V 그루브(21)와 요면경(22)과의 상대적인 위치 관계, 및 가이드 레일(20)과 V 그루브(21)와의 상대적인 위치 관계를 ±10㎛ 이하의 정도로 고정밀도로 제조할 수 있다. 또한, 화이버 고정 부재(2)는 MIM(Metal Injection Mold)에 의하여 일체로 성형할 수도 있다. 이와 같이 성형한 경우, 수지로부터 일체로 성형하는 경우와 동일한 고정밀도로 제조할 수 있다.
또, 화이버 고정 부재(2)에 있어서, 광화이버(3)와 요면경(22)과의 사이에, 굴절률 정합 특성을 갖는 접착제를 충전해도 된다. 이와 같이 하면, 광화이버(3)의 선단(先端)으로부터의 귀환 광을 억제할 수 있다.
또, 가이드 레일(20)은 V 그루브(21)와 거의 평행하게 형성되어 있다. 이 때문에, 가이드 레일(20)과 V 그루브(21)를 용이하게 위치 맞춤하여 형성할 수 있다. 또한, 가이드 레일(20)이 V 그루브(21)의 양 측에 위치하는 가이드 레일 형성부(26b)상에 1개씩 형성되어 있기 때문에, 서브마운트(1)와 화이버 고정 부재(2)가 고정밀도로 위치 맞춤되어 있다.
또, 가이드 그루브(10) 및 가이드 레일(20)은 그 긴 쪽 방향에 수직인 평면에서의 단면 형상이 테이퍼 형상을 하고 있다. 이 때문에, 가이드 그루브(10)와 가이드 레일(20)과의 감합이 용이하다. 또, 화이버 고정 부재(2)에 가이드부(27)를 설치하고 있기 때문에, 가이드 그루브(10)와 가이드 레일(20)과의 감합을 원터치로 용이하게 행할 수 있다.
그러나, 가이드 레일과 가이드 그루브가 감합함으로써, 광화이버와 광반도체 소자가 위치 맞춤된 광모듈에 대해서는 일본 특개평 7－77634호 공보, 일본 특개평 7－151940호 공보에도 기재가 있다.
일본 특개평 7－77634호 공보에는 광화이버가 고정되는 기판상에 형성된 가이드 레일과 광반도체 소자에 직접 형성된 가이드 그루브를 감합시킴으로써, 광화이버와 광반도체 소자가 패시브 얼라이먼트 방식으로 위치 맞춤된 광모듈이 기재되어 있다.
그러나, 이 광모듈에 있어서는 광화이버와 광반도체 소자가 동일한 광축에 따라서 배치되는 구성으로 되어 있다. 그 때문에, 기판에는 광축에 따라서, 광화이 버의 고정 부분에 더하여 광반도체 소자의 설치 부분을 설치할 필요가 있다. 따라서, 이 광모듈은 소형화할 수 없다고 하는 문제가 있다.
이에 대하여, 본 발명에 의한 광모듈에 있어서는 광화이버(3)로부터 출사한 광의 광로를 변환하는 요면경(22)이 설치되고, 광화이버(3)로부터의 광은 광화이버 고정면(26)에 대향하는 위치에 있는 포토 다이오드(12)에 입사하는 구성을 취하고 있다. 이 때문에, 화이버 고정 부재(2)에 포토 다이오드(12)의 설치 부분을 설치할 필요가 없다. 따라서, 본 광모듈은 소형화할 수 있다.
또, 일본 특개평 7－151940호 공보에는 화이버 고정 부재 및 서브마운트 이외에 위치 맞춤용의 기판이 설치된 광모듈이 기재되어 있다.
그러나, 이 광모듈에 있어서는 위치 맞춤부를, 화이버 고정 부재(2)와 서브마운트 뿐만이 아니라, 기판에 대해서도 형성할 필요가 있다. 그 때문에, 위치 맞춤부의 형성 공정, 나아가서는 광모듈 전체의 제조 공정이 복잡하게 된다. 또, 위치 맞춤부끼리의 감합 개소가 독립하여 2개소(화이버 고정 부재-기판 사이, 및 서브마운트-기판 사이의 2개소) 있기 때문에, 위치 맞춤의 오차가 증폭되게 되는 문제가 있다.
이에 대하여, 본 발명에 의한 광모듈에 있어서는 서브마운트(1)와 화이버 고정 부재(2)에만 위치 맞춤부(10, 20)를 설치하고, 이들을 직접 감합하여 위치 맞춤 하고 있다. 이 때문에, 본 광모듈은 제조 공정이 간소화되고 있는 동시에, 고정밀도로 위치 맞춤되고 있다.
또, 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광모듈로서는 예를 들면 도 6에 나타내 는 구성도 생각할 수 있다. 도 6의 광모듈에 있어서는 광화이버(82)와 광반도체 소자(84)와의 위치 맞춤은 기판(81)상에 동일한 마스크 프로세스로 형성된 V 그루브와 위치 맞춤용 마크에 의하여 행하게 되어 있다. 기판(81)상에는 광화이버(82)와 광반도체 소자(84)와의 사이에 광을 이끄는 평면경(平面鏡)(85)이 설치되어 있다.
그러나, 이 광모듈에 있어서는 광화이버(82)가 광반도체 소자(84)의 아래에 들어가기 때문에, 광화이버(82)를 V 그루브에 접착 고정한 이후에, 광반도체 소자(84)가 위치 맞춤용 마크를 가이드로서 플립칩 실장된다. 이 때문에, 광반도체 소자(84)를 플립칩 실장하는 공정에 있어서 핸들링이나 자동화에 지장을 초래한다. 따라서, 이 광모듈은 양산화, 저비용화할 수 없다고 하는 문제가 있다.
이에 대하여, 도 1의 광모듈에 있어서는 서브마운트(1)를 회로 기판(41)에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 한 이후에, 광화이버(3)가 고정된 화이버 고정 부재(2)를 서브마운트(1)에 대하여 위치 맞춤하여 고정할 수 있다. 이 때문에, 본 광모듈은 양산화, 저비용화할 수 있다.
또한, 도 6의 광모듈에 있어서는 광반도체 소자(84)의 이면(광검출면과 반대측의 면)이 플로팅으로 되어 있다. 이 때문에, 광반도체 소자(84)로부터의 방열을 양호한 효율로 행할 수 없다고 하는 문제가 있다. 이는 특히 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) 등의 발열량이 많은 소자를 이용하는 경우, 광모듈의 동작을 불안정하게 하는 요인으로 된다.
이에 대하여, 도 1의 광모듈에 있어서는 포토 다이오드(12)가 서브마운트(1)상에 설치되어 있기 때문에, 그 이면은 플로팅으로 되지 않는다. 이 때문에, 본 광 모듈은 포토 다이오드(12)로부터의 방열을 양호한 효율로 행할 수 있다.
또, 도 6 및 도 7에 나타내는 광모듈에 있어서는 요면경 등의 집광 광학계를 사용하지 않기 때문에 광결합율이 낮다고 하는 문제가 있다. 즉, 2.5 Gbps 정도의 고속 동작을 생각한 경우, 광반도체 소자(84, 94)로서는 통상 광검출 지름이 40~80㎛의 것이 사용된다. 한편, 광화이버(82, 92)로부터 광반도체 소자(84, 94)까지의 광축에 따른 거리가 도 6에서는 화이버의 클래드(clad) 지름(125㎛) 이상, 도 7에서는 본딩에 사용되고 있는 와이어의 루프 높이(약 100㎛) 이상으로 할 필요가 있다. 그 결과, 광반도체 소자(84, 94)상에서의 스폿(spot) 지름은 코어 지름 62.5㎛, 통로 수 0.275의 경우에 117.5㎛, 코어 지름 50㎛의 경우에 92㎛로 되기 때문에, 광반도체 소자(84, 94)에 있어서 전(全) 광량을 검출할 수 없다. 특히, 코어 지름 및 통로 수가 큰 멀티 모드 화이버를 이용하는 경우에는 추가로 광결합율이 저하하게 된다.
이에 대하여, 도 1의 광모듈에 있어서는 광화이버(3)로부터의 광은 요면경(22)에 의하여 포토 다이오드(12)로 이끌리는 동시에 집광 되기 때문에, 높은 광결합율이 실현되고 있다.
본 발명에 의한 광모듈의 광학 설계의 일례를 설명한다. 여기서는 광화이버(3)로서 코어 지름 62.5㎛, 통로 수 0.275의 멀티 모드 화이버를, 포토 다이오드(12)로서 2.5 Gbps까지의 고속 동작이 가능한 광검출 지름 80㎛의 것을 이용한 경우를 상정하고 있다. 또, 포토 다이오드 어레이(11)에 있어서 포토 다이오드(12)의 배열 피치는 250㎛ 이다.
이 경우, 1개의 광화이버(3)로부터의 광이 2개 이상의 포토 다이오드(12)의 광검출부에 입사하는 크로스 토크를 막기 위해서는 마진을 생각하고, 광속의 확대를 200㎛ 이하로 억제하는 것이 필요하다. 이 때문에, 광화이버(3)와 요면경(22)과의 간격은 250㎛가 상한이다.
한편, 요면경(22)과 포토 다이오드(12)와의 간격은 볼 렌즈(14)를 설치하지 않는 경우이어도, 본딩 와이어의 스페이스를 고려하여 250㎛ 이상으로 할 필요가 있다. 이에 더하여, 요면경(22)의 반사 중심으로부터 광화이버(3)까지의 거리도 고려해야 하기 때문에, 요면경(22)과 포토 다이오드(12)와의 간격은 312.5㎛ 이상으로 할 필요가 있다. 또한, 광화이버 누름으로서 유리판 등을 설치한 경우에는 그 두께도 고려해야 하기 때문에, 그 간격의 하한값은 312.5㎛보다 커진다.
이상으로부터, 본 발명에 의한 광모듈에 있어서는 광화이버(3)와 요면경(22)과의 간격보다 요면경(22)과 포토 다이오드(12)와의 간격이 커지게 되고, 확대계의 광학계로 되게 된다. 전자의 간격을 상한값의 250㎛, 후자의 간격을 하한값의 312.5㎛로서 구성한 경우이어도, 확대 배율은 1.25로 되고, 지름 62.5㎛의 코어의 상(像)이 포토 다이오드(12)상에서 지름 78㎛의 상(像)으로 된다. 이 때, 포토 다이오드(12)의 광검출 지름은 80㎛이지만, 각 부재 1, 2의 제조 및 이들의 조립에 있어서 공차를 고려하면 100%의 광결합율을 실현하는 것은 곤란하다.
여기서, 본 광모듈에 있어서는 요면경(22) 등의 집광 광학계를 설치함으로써, 광화이버(3)로부터의 광을 집광한 다음 포토 다이오드(12)로 이끄는 구성으로 하고 있다. 이 때문에, 본 광모듈에 있어서는 100％의 광결합율을 실현하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 도 1 내지 도 5에 나타낸 광모듈에 있어서는 광화이버(3)의 수 및 포토 다이오드(12)의 개수 등을 나타내는 N을 4로 하였으나, 이 개수 N에 대해서는 적당히 설정해도 된다. N을 2 이상으로 설정한 경우, 상술한 바와 같이 복수의 광신호를 병렬로 전송할 수 있기 때문에, 보다 고속으로 대용량의 전송이 가능하게 된다. 또, N을 1로 설정한 경우도, 광화이버(3)와 포토 다이오드(12)와의 위치 맞춤 등에 대하여, 도 1 내지 도 5에 나타낸 광모듈과 동일한 효과가 나온다.
또, 광반도체 소자로서는 포토 다이오드(12) 이외의 광검출 소자를 이용해도 되고, 또는 VCSEL 등의 발광 소자를 이용해도 된다. 발광 소자를 이용하는 경우, 요면경(22)은 발광 소자로부터 출사한 광을 광화이버(3)로 이끌고, 또 볼 렌즈(14)는 발광 소자로부터 출사한 광을 집광한다.
본 발명에 의한 광모듈은 양산화 및 저비용화에 적절한 광모듈로서 이용 가능하다. 즉, 본 발명에 의한 광모듈에 있어서는 제1 위치 맞춤부와 제2 위치 맞춤부가 감합함으로써, 광화이버와 광반도체 소자가 위치 맞춤된다. 이 때문에, 패시브 얼라이먼트 방식에 의한 광화이버와 광반도체 소자와의 위치 맞춤이 실현되고 있다.
또, 위치 맞춤부로서 가이드 레일과 가이드 그루브를 이용하고 있으므로, 광화이버와 광반도체 소자가 고정밀도로 위치 맞춤되어 있다.
또, 광화이버가 고정된 화이버 고정 부재를 서브마운트에 대하여 위치 맞춤 하여 고정하는 공정을, 서브마운트를 회로 기판에 다이 본딩, 와이어 본딩 등 하는 공정보다 이후에 행할 수 있다. 이 때문에, 양산화, 저비용화가 가능한 광모듈이 실현되고 있다. 또, 광화이버가 서브마운트의 제1면에 대하여 평행하게 배치되므로, 모듈 높이가 낮게 억제되어 있다.
추가로, 광화이버와 광반도체 소자와의 사이의 도광 광학계로서 요면경이 설치되어 있다. 이로 인해, 광화이버 및 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광은 집광되어서 다른 쪽으로 이끌리므로, 높은 광결합율이 실현되고 있다.

Claims (10)

  1. 소정의 제1면상에 설치된 광반도체 소자와, 상기 제1면상에 형성된 제1 위치 맞춤부를 갖는 서브마운트(submount)와,
    소정의 제2면상에 형성되며 광화이버(optical fiber)를 위치 결정하여 고정하기 위한 고정 그루브(groove, 溝)와, 상기 고정 그루브에 대하여 설치되며 상기 고정 그루브에 고정되는 광화이버 및 대응하는 상기 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광을 다른 쪽으로 이끄는 요면경(凹面鏡, concave mirror)과, 상기 제2면상에 형성된 제2 위치 맞춤부를 갖는 화이버 고정 부재와,
    상기 고정 그루브에 고정된 광화이버와,
    상기 광반도체 소자와 상기 요면경과의 사이에 설치되며, 상기 광화이버 및 대응하는 상기 광반도체 소자 중 어느 한 쪽으로부터 출사한 광을 다른 쪽으로 집광하는 렌즈를 구비하고,
    상기 제1 위치 맞춤부 및 상기 제2 위치 맞춤부는 그 한 쪽이 가이드 레일(guide rail)로 이루어지고, 다른 쪽이 상기 가이드 레일과 감합(嵌合; 끼워 맞춤)하는 가이드 그루브로 이루어지고,
    상기 서브마운트와 상기 화이버 고정 부재는 상기 제1 위치 맞춤부와 상기 제2 위치 맞춤부가 감합함으로써, 위치 맞춤되어서 고정되는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    N(N은 2 이상의 정수)개의 상기 광반도체 소자를 갖는 상기 서브마운트와,
    서로 평행한 N개의 상기 고정 그루브와, N개의 상기 고정 그루브 각각에 대 하여 설치되는 N개의 상기 요면경을 갖는 상기 화이버 고정 부재와,
    N개의 상기 고정 그루브 각각에 고정된 N개의 상기 광화이버를 구비하는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광반도체 소자는 상기 서브마운트와 동일한 재료로 동일한 반도체 프로세스로 제조됨으로써, 상기 제1 위치 맞춤부와 모노리식(monolithic)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 서브마운트는 상기 제1 위치 맞춤부와 동일한 마스크 프로세스로 형성된 위치 결정 마크를 갖고, 상기 광반도체 소자는 상기 위치 결정 마크를 기준으로 하여, 상기 서브마운트에 대하여 위치 결정되어서 설치되는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화이버 고정 부재는 수지로부터 일체로 성형되는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 위치 맞춤부는 상기 고정 그루브와 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 광모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 레일은 그 긴 쪽 방향에 수직인 평면에서의 단면 형상이 테이퍼(taper) 형상인 것을 특징으로 하는 광모듈.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광반도체 소자는 광검출 소자인 것을 특징으로 하는 광모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광반도체 소자는 발광 소자인 것을 특징으로 하는 광모듈.
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