KR101041661B1 - 다중 검출기들을 갖는 스캐닝 전자 현미경 및 다중 검출기기반 이미징을 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
전자들의 다중 검출기(14,40) 검출을 위한 시스템 및 방법으로서, 상기 방법은 주 전자빔을 칼럼을 통과시켜 검사 대상물(웨이퍼)과 상호작용하도록 지향시키는 단계, 상당한 정전기장을 유도함으로써 검사 대상물(웨이퍼)로부터 반사 산란된 전자를 다중 내부 검출기(14,40)를 향하도록 지향시키는 단계를 포함하며, 상기 검출된 전자들 중 적어도 일부는 검사 대상물(웨이퍼)과 관련하여 작은 각도로 반사 또는 산란되며; 적어도 하나의 내부 검출기로부터 검출 신호들을 수신하는 단계를 포함한다.
Description
본 출원은 2003년 7월 30일자로 출원된 "고해상도 다중 투시 SEM 이미징"이란 제목의 미국가특허출원 제60/491,618호를 우선권으로 청구한다.
본 발명은 스캐닝 전자 마이크로스코프에 관한 것으로 특히 다중-검출기 SEM 및 다중 검출기 기반 검출을 위한 방법에 관한 것이다.
종래의 다중 투시 스캐닝 마이크로스코프(MPSI) 시스템(10)이 도 1에 도시되어 있다. 시스템(10)은 주(primary) 전자빔을 발생시키기 위한 전자총(미도시)뿐만 아니라, 다중 제어 및 전자 공급 유닛(미도시), 대물 렌즈(12), 인-렌즈(in-lens) 검출기(14) 및 외부 검출기(16)를 포함한다. 또한 시스템(10)은 편향 코일 및 프로세서(미도시)를 포함한다.
시스템(10)에서 주 전자빔은 인-렌즈 검출기(14) 내의 개구부(18)를 통해 대물 렌즈(12)에 의해 포커싱되어 검사 웨이퍼(20) 위로 지향된다. 주 전자빔은 웨이퍼(20)와 상호작용하고 그 결과 2차 전자, 후방-산란 전자, Auger 전자와 같은 다양한 타입의 전자와 X-선 양자가 반사되거나 산란된다. 2차 전자는 용이하게 수집되고 대부분의 SEM은 주로 이러한 2차 전자를 검출한다.
시스템(10)은 인-렌즈 검출기(14) 및 외부 검출기(16)에 의해 방출된 2차 전자의 일부를 검출할 수 있다.
대물 렌즈(12)는 렌즈로부터 웨이퍼로 누설되도록 정전기장과 자기장을 유도하는 정전기 렌즈와 자기 렌즈를 포함한다. 2차 전자의 수집은 누설된 정전기장에 높은 반응성을 갖지만 누설된 자기장에는 거의 영향을 받지 않는다.
누설된 정전기장은 낮은 에너지의 2차 전자와 매우 낮은 에너지의 2차 전자를 칼럼 안으로 끌어당긴다. 매우 낮은 에너지의 2차 전자 대부분은 인-렌즈 검출기(14)의 개구부를 통해 지향되고 검출되지 않는다. 낮은 에너지의 2차 전자는 인-렌즈 검출기(14)로 지향된다. 만일 2차 전자의 초기 궤적이 검출기들 중 하나로 향하게 된다면 고-에너지의 2차 전자가 검출된다. 매우 낮은 에너지는 통상적으로 2eV 이하이고, 낮은 에너지는 통상적으로 2eV 내지 5eV 사이의 범위이다.
실제로, (칼럼 하단부와 웨이퍼 간의) 작용 거리가 감소하거나(예컨대, 0.5mm이하), 캡 전압(cap voltage)(정전기 렌즈의 하부에 인가된 전압)이 증가하면(예컨대, 1kV 이상), 대부분의 2차 전자는 전혀 검출되지 않는다. 2차 전자는 인-렌즈 검출기(14)의 개구부로 진입한다. 이러한 (작동 거리의) 감소 및/또는 (전압 캡의) 증가는 2차 전자가 외부 검출기로 거의 지향되지 않게 하며, 그 반대도 가능하다.
유효 결함 검사 도구는 모든 타입의 결함들을 포착하기 위해 두 타입의 검출기들을 필요로 한다. 인-렌즈 검출기(14)는 통상적으로 상이한 재료들 간의 대조 를 결정하는데 사용되고, 또한 전압 콘트랙트 모드(voltage contract mode)뿐만 아니라 HAR 모드에서도 유용한다. 인-렌즈 검출기(14) 역시 패턴 에지에 매우 민감하다. 외부 검출기(16)는 웨이퍼의 형상에 보다 민감하다. 이러한 외부 검출기들은 높은 저항성 층들을 이미징할 때 중요한 웨이퍼 충전에 덜 민감하다.
작동 거리와 캡 전압은 시스템의 해상도에 영향을 미친다. 작용 거리의 감소는 색수차를 감소시키고 이로써 해상도를 향상시키지만, 그 반대도 가능하다.
상기 설명한 것처럼 만약 작용 거리가 감소되면 해상도는 향상되지만 검출된 전자의 양은 감소한다.
고해상도와 다중 투시 능력이 가능한 시스템과 방법을 제공할 필요가 있다.
(본 명세서에서 참조로 포함된) 스즈키(Suzuki) 등의 미국특허 6555819호에는 자기장이 방출된 2차 전자의 궤적에 크게 영향을 주는 자기 누설 타입 대물 렌즈를 갖는 다중-검출기 SEM을 개시한다. 이러한 SEM은 경사 이미지를 제공할 수 없는 것처럼 많은 단점을 갖는다. 스즈키는 주 전자빔이 통과하는 개구부를 포함한 반사기를 가지며, 이로써 반사된 전자가 상기 개구부를 통과하고 검출되지 않게 된다.
본 발명은 기계적 경사를 포함한 비교적 높은 경사각을 포함하는 고품질의 경사 이미지를 제공하는 고-해상도 다중-투시 SEM 이미징을 위한 시스템과 방법을 제공한다.
본 발명은 고종횡비 홀(HAR mode)의 고-해상도 다중-투시 SEM 검출을 위한 시스템 및 방법을 제공한다.
본 발명은 다중 수집 영역을 형성하며 일부가 상이한 각도의 영역과 연관되는 다중 검출기를 포함한 시스템을 제공한다.
본 발명은 인-렌즈 검출을 향상시키고 중앙 렌즈 검출을 향상시킬 수 있도록 시스템 파라미터를 최적화시킨다. (캡 전압, 웨이퍼 전압, 작용 거리와 같은) 파라미터는 각각의 검출기의 SNR(신호대잡음비) 사이의 관계를 검출할 수 있다.
본 발명은 전자의 다중 검출기 검출을 위한 방법을 제공하며, 이러한 방법은 (ⅰ) 주 전자빔을 칼럼을 통과시켜 검사 대상물과 상호작용하도록 지향시키는 단계; (ⅱ) 많은 정전기장을 유입시켜 검사 대상물로부터 반사된 또는 산란된 전자를 다중 내부 검출기로 지향시키는 단계 - 지향된 전자 중 적어도 일부는 검사 대상물과 관련하여 작은 각도로 반사되거나 산란됨 - ; (ⅲ) 적어도 하나의 내부 검출기로부터 검출 신호를 수신하는 단계를 포함한다.
본 발명은 전자의 다중 검출기 검출을 위한 시스템을 제공하며, 이러한 시스템은 검출 신호를 제공하기 위한 다수의 내부 검출기, 전자들이 통과하여 진행하는 칼럼, 및 칼럼을 통과하여 검사 대상물과 상호작용하도록 주 전자빔을 지향시키고 상당한 전전기장을 유입시켜 검사 대상물로부터 반사된 또는 산란된 전자가 다중 내부 검출기로 향하게 하는 수단을 포함하며, 지향된 전자들 중 적어도 일부는 검사 대상물과 관련하여 작은 각도로 반사되거나 산란된다.
본 발명을 이해하고 어떻게 실시되는지를 보기 위해, 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조로 설명되며, 이러한 예는 본 발명을 제한하지 않는다.
도 1은 종래 스캐닝 전자 마이크로스코프의 일부를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 SEM의 일부를 도시한다.
도 3은 경사가 검사 대상물과 SEM 간에 유도되는, 본 발명의 일 실시예에 따른 SEM의 일부를 도시한다.
도 4a-4c는 본 발명의 실시예들에 다른 검출기의 타원 검출면과 검출기의 다양한 구성을 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 대상물을 검사하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 검출기 SEM의 일부를 도시한다. 또한 도 2는 주 전자빔 경로의 예시적인 경로뿐만 아니라 웨이퍼 또는 레티클에 제한되지 않는 검사 대상물로부터 산란된 또는 반사된 전자의 경로를 도시한다.
주 전자빔은 광학축을 따라 진행하며, (ⅰ) 제 1 방향으로 기울어지고, (ⅱ) 반대 방향에서 광학축에 평행하지만 광학축으로부터 이격된 2차 광학축을 따라 진행하도록 기울어지고, (ⅲ) 2차 방향에서 광학축을 향해 기울어지고, (ⅳ) 제 2 방향의 반대 방향에서 광학축을 따라 진행하도록 기울어진다. 상기 언급한 경사 동작은 자기 편향 코일(32-36)에 의해 이루어진다. 이중 경사를 위한 시스템과 방법은 2002년 5월 13일자 출원된 특허출원번호 10/146,218호에 개시되어 있으며, 상기 출원은 본 명세서에서 참조로 포함된다.
두 개의 피스트(fist) 경사만을 수행하여 주 전자빔이 2차 축을 따라 진행하면서 검사 대상물과 상호작용하는 것과 같이 다른 경사 수단이 구현될 수 있다.
인-렌즈 검출기는 주 전자빔이 광학축을 따라 진행하는 진행 경로의 최종 부분에 위치한다. 인-렌즈 검출기는 광학축을 둘러싸도록 위치한 개구부를 갖는다.
일단 전자가 주 전자빔과 검사 대상물 간의 상호작용 결과로서 생략/산란되면 전자는 강한 정전기장으로 인해 인-렌즈 검출기와 검출기의 개구부로 끌어당겨진다. 2차 전자가 인-렌즈 검출기로 끌어 당겨지고 인-렌즈 검출기의 개구부로 끌어 당겨지는 정전기장의 세기가 결정된다.
인-렌즈 검출기(14)의 개구부를 통과하여 진행하는 2차 전자는 내부-렌즈 검출기(40)를 향해 제 2 방향에서 균일하게 기울어진다.
이러한 구성은 고종횡비(HAR) 홀로부터 정보를 획득할 수 있게 한다. 강한 정전기장을 인가할 때 이러한 HAR 홀의 하부 또는 홀 측벽의 하부와 상호작용하는 전자는 내부-렌즈 검출기를 향해 개구부를 통과하여 진행하도록 끌어당겨진다.
원심 모양의 대물 렌즈와 높은 정전기장을 이용함으로써 시스템은 경사진 뷰를 가능하게 한다. 또한 검사 대상물 및/또는 SEM 칼럼은 기계적으로 경사진다.
캡 전압 및/또는 작용 거리를 변경함으로써, 인-렌즈 검출기(14)와 내부-렌즈 검출기(40) 사이의 전자를 어떻게 분리할지를 결정하는 것이 가능하다. 이러한 방식으로, 신호대잡음비와 샘플로부터의 방향 정보 간의 최적값을 얻기 위해 두 검출기의 신호대잡음비를 바꾸는 것이 가능하다. 예컨대, 캡 전압의 감소는 내부-렌즈 검출기의 신호를 증가시키고 내부-렌즈 검출기로부터의 기하학 정보를 감소시키며 HAR 정보의 가시도를 감소시킨다.
비교적 강한 정전기장을 인가함으로써 내부 렌즈 검출기는 (개구부를 통과하여) 검출되지 않거나 인-렌즈 검출기에 의해 검출된 전자를 검출하며, 인-렌즈 검출기는 일단 외부 검출기에 의해 검출된 전자를 검출한다.
본 발명자는 500V의 캡 전압, 1.4mm의 작용거리, 2mm 직경의 인-렌즈 개구부를 적용하고 인-렌즈 검출기에서 종래 외부 검출기에 의해 검출되는데 사용되는 전자를 검출하였다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 다중-검출기 SEM은 다중 인-렌즈 및 내부-렌즈 검출기를 포함하며, 각각의 검출기는 소정의 수집 영역으로부터 전자를 수집한다. 수집 영역이 서로 상이하기 때문에, 이러한 구성은 추가의 방향 정보를 제공할 수 있다. 수집 영역은 부분적으로 중첩하고 일부 검출기는 서로 위에 위치할 수 있다.
링 형상의 신틸레이터(scintilator)는 상기 각각의 인-렌즈 및/또는 내부 렌즈 검출기를 위해 사용될 수 있다. 링은 방향 정보의 양을 늘리기 위해 박편으로 분할될 수 있다.
도 3에 도시된 것처럼, 시스템은 전자빔과 검사 대상물 간에 경사가 도입될 때에도 다중-투시 검출을 수행할 수 있다. 큰 경사각을 얻기 위해 기계적 경사 또는 전기적 및 기계적 경사의 조합이 필요하다. 기계적뿐만 아니라 전기적 경사를 조합하는 방법이 2002년 5월 22일자 출원된 "하전 입자 빔을 지향시키기 위한 하전 입자 빔 컬러 및 방법"이란 제목의 미국특허출원 10/154,530에 개시되어 있으며, 상기 출원은 본 명세서에서 참조로 포함된다.
도 4a-4b는 다중 검출 표면을 형성하는 인-렌즈 및 내부 렌즈 검출기 검출 표면의 다양한 구성을 개시한다. 도 4a는 8 개의 검출 표면: 우측 내부 상부면(102), 좌측 내부 상부면(104), 좌측 내부 하부면(106) 및 우측 내부 하부면(108) - 이들은 개구부(20)를 원형으로 둘러싸는 내부 원형 영역을 형성함 - , 그리고 우측 외부 상부면(112), 좌측 외부 상부면(114), 좌측 외부 하부면(116) 및 우측 외부 하부면(118) - 이들은 4 개의 내부 수집 표면을 둘러싸는 링 형상의 영역을 형성함 - 을 포함하는 인-렌즈 검출기(14)를 도시한다.
각각의 표면은 칼럼 내의 검출기 위치에 의존하고 대물 렌즈가 인가하는 정전기장에 반응하는 수집 영역을 형성한다.
도 4b는 도 4a의 수집 표면과 관련하여 45도로 회전한 4 개의 수집 표면을 포함하는 인-렌즈 검출기를 도시한다. 수집 표면은 상부면(122), 좌측면(124), 하부면(126) 및 우측면(128)을 포함한다.
도 4c는 8 개의 검출 표면: 우측 내부 상부면(132), 좌측 내부 상부면(134), 좌측 내부 하부면(136) 및 우측 내부 하부면(138) - 이들은 내부 원형 영역을 형성함 - , 그리고 우측 외부 상부면(142), 좌측 외부 상부면(144), 좌측 외부 하부면(146) 및 우측 외부 하부면(148) - 이들은 4 개의 내부 수집 표면을 둘러싸는 링 형상 영역을 형성함 - 을 포함하는 내부-렌즈 검출기를 도시한다. 내부 렌즈의 내부 영역은 개구부를 둘러싸지 않으며, 그로 인해 광학축과 관련하여 매우 작은 각도에서 지향된 균일한 전자들이 검출된다.
본 발명에서는 정전기장이 다양한 형상으로 배치된 다중 전극에 의해 유도될 수 있다. 일부 실시예는 "하전 입자 빔 칼럼에서 사용하기 위한 대물 렌자 배치"란 제목의 미국특허출원 10/423,289에 개시되어 있으며, 상기 출원은 본 명세서에서 참조로 포함된다. 요약하자면, 상기 특허출원은 렌즈 장치의 광학축을 따른 이격된 공통축 관계로 배치된 상부 및 하부 전극을 포함하는 정전기 렌즈를 갖는 대물 렌즈를 개시한다.
본 시스템은 렌즈 검출기 및 내부 렌즈 검출기로부터 수신된 검출 신호를 다양한 방식으로 사용할 수 있다. 각각의 검출기로부터의 검출은 독립적으로 처리될 수 있으며, 결함의 존재를 결정 및/또는 하나 이상의 검출기로부터의 검출 신호에 응답하여 SEM 이미지를 생성할 수 있다.
다중 검출기로부터 검출 신호를 처리하기 위한 다양한 방법들이 종래에 존재하며, 그 중 하나는 와그너(Wagner)의 미국특허 5659172에 개시되어 있으며, 상기 특허는 본 명세서에서 참조로 포함된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자의 다중 검출기 검출을 위한 방법의 흐름도(200)이다. 상기 방법(200)은 주 전자빔을 칼럼을 통과시켜 검사 대상물과 상호작용하도록 지향시키는 단계(210)에서 시작한다. 단계(210) 후에는 상당한 정전기장을 유도함으로써 검사 대상물로부터 반사된 또는 산란된 전자를 다중 내부 검출기를 향하도록 지향시키는 단계(220)가 수행되며, 지향된 전자들 중 적어도 일부는 검사 대상물과 관련하여 작은 각도로 반사되거나 산란된다. 단계(220) 후에는 적어도 하나의 내부 검출기로부터 검출 신호를 수신하는 단계(230)가 수행된다.
주 전자빔과 산란된 또는 반사된 전자는 동일한 유닛에 의해 조종될 수 있고, 일반적으로 단계(210 및 220)는 거의 동시에 수행된다점을 유의한다.
단계(220)는 다양한 방식으로 상당한 정전기장을 유도하는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 검사 대상물과 칼럼의 제 1 부분 사이에 제 1 전위차를 유도하면서 칼럼의 제 2 부분과 검사 대상물 사이에 제 2 전위차를 유도하는 것을 포함할 수 있다. 제 1 부분은 통상적으로 제 2 부분 아래에 위치하고 제 1 전위차는 제 2 전위차보다 작다. 종래에는, 제 1 부분은 자기 렌즈 위에 위치한 애노드이지만, 제 2 부분이 자기 렌즈의 상부 아래에 또는 자기 렌즈 아래에 위치한다. 제 2 부분의 하부 에지는 SEM과 검사 대상물 간의 작용 거리를 한정할 수 있다.
단계(210)는 주 전자빔을 적어도 한번 기울이는 것을 포함할 수 있다. 이러한 경사는 검사 대상물로부터 산란된 또는 반사된 전자를 편향시킬 수 있는 편향 유닛에 의해 이루어질 수 있다. 단계(210)는 광학축을 따라 진행하도록 주 전자빔을 지향시키는 단계; 광학축으로부터 멀어지게 주 전자빔을 기울이는 단계; 및 광학축에 평행하지만 광학축으로부터 이격된 제 2 광학축을 따라 진행하도록 주 전자빔을 기울이는 단계를 포함할 수 있다. 단계(210)는 또한 광학축을 향해 진행하도록 전자빔을 기울이는 단계 및 광학축을 따라 진행하도록 주 전자빔을 기울이는 단계를 포함할 수 있다.
단계(220)은 실제 정전기 렌즈 내에 검사 대상물의 검사 영역을 위치시키는 단계를 포함할 수 있다.
방법(200)은 다양한 경사 상태에서 구현될 수 있다. 경사 상태는 주 전자빔과 검사 영역 간의 (매우 작은 각도에서 90도보다 다소 작은 각도까지의 범위를 갖는) 경사각의 특징을 갖는다.
방법(200)은 결함에 대한 표시 또는 처리 변수를 제공하기 위해 수신된 검출 신호를 처리하는 단계(240)와 같은 추가의 단계를 포함할 수 있다.
방법(200)은 정전기 렌즈에 상이한 전압값을 인가함으로써 수집 영역을 한정/변경하는 단계를 포함할 수 있다. 이는 인-렌즈 및/또는 내부-렌즈 검출기의 (해상도, 수차 등의 관점에서) 최적으로 수행될 수 있도록 시스템 파라미터를 최적화시킬 수 있다.
본 발명은 종래 도구, 계측기 및 부품들을 이용하여 구현될 수 있다. 따라서, 이러한 도구, 부품 및 계측기에 대한 상세한 설명은 여기서 다루지 않는다. 상기 설명에서, 통상적인 라인의 단면 모양, 편향 유닛 등의 양과 같은 다양한 세부 설명이 본 발명을 이해시키기 위해 설명되었다. 그러나, 본 발명은 이러한 상세한 설명에 제한되지 않고 실현될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예와 변형들이 본 명세서에서 단지 예로서 개시되었다. 본 발명은 다른 다양한 조합과 환경에서 구현될 수 있으며, 본 발명의 사상의 범위 내에서 수정 또는 변형될 수 있다.
Claims (21)
- 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법으로서,칼럼(column)을 통과하여 광학축을 따라 전파(propagate)하도록 주(primary) 전자빔을 지향시키는 단계;내부 렌즈 검출기(inner lens detector)의 광학축 업스트림(upstream)으로부터 떨어지게 상기 주 전자빔을 편향시키고 상기 내부 렌즈 검출기의 광학축 다운스트림(downstream)을 따라 다시 전파하여, 상기 주 전자빔이 상기 주 전자빔의 전파 방향에 대하여 각각 규정된 상기 업스트림 및 다운스트림 위치들, 상기 내부 렌즈 검출기 주위로 전파하게 하는 단계;대상물 상에 상기 주 전자빔을 충돌시켜서, 상기 대상물로부터 상기 주 전자빔의 반사 및 산란 중 적어도 하나로 인하여 발생하는 저에너지 및 고에너지 전자들을 생성하는 단계 ― 상기 생성된 저에너지 및 고에너지 전자들은 각각 상기 대상물에 대하여 초기 궤적(initial trajectory)을 가짐 ―;상기 생성된 고에너지 전자들의 제 1 부분을 인-렌즈 검출기(in-lens detector)에 의해 검출하는 단계;정전계를 도입함으로써, 상기 생성된 고에너지 전자들의 제 2 부분 및 상기 생성된 저에너지 전자들의 궤적을 상기 내부 렌즈 검출기를 향하여 지향시키는 단계 ― 상기 생성된 고에너지 전자들의 상기 제 2 부분의 초기 궤적은 상기 광학축과 일치함 ―;상기 지향되는 저에너지 전자들 및 상기 고에너지 전자들의 상기 제 2 부분을 상기 내부 렌즈 검출기에 의해 검출하는 단계; 및상기 정전계를 변경함으로써 그리고 상기 칼럼과 상기 대상물 사이의 거리를 변경함으로써 상기 인-렌즈 검출기와 상기 내부 렌즈 검출기 간에 상기 저에너지 및 고에너지 전자들의 분할(division)을 제어하는 단계를 포함하는 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 정전계의 도입은,상기 대상물과 상기 칼럼의 제 1 부분 사이에 제 1 전위차를 도입하는 단계; 및상기 칼럼의 제 2 부분과 상기 대상물 사이에 제 2 전위차를 도입하는 단계를 포함하는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 칼럼의 상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분 아래에 위치되고 상기 제 1 전위차는 상기 제 2 전위차보다 더 작은, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 저에너지 전자들, 상기 고에너지 전자들의 상기 제 1 부분, 및 상기 고에너지 전자들의 상기 제 2 부분 중 적어도 하나에 대응하는 검출 신호들을 수신하는 단계; 및결함 또는 프로세스 변화에 관한 표시를 제공하기 위해 상기 수신된 검출 신호들을 처리하는 단계를 더 포함하는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 인-렌즈 검출기 및 상기 내부 렌즈 검출기의 하나 이상의 수집 영역들을 변경하기 위해 상기 정전계를 가변하는 단계를 더 포함하는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 대상물의 검사 영역은 상기 정전계 내부에 위치되는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 주 전자빔은 상기 검사 영역 상에 경사각(tilt angle)에서 충돌하는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 경사각은 예각들(acute angles) 내지 둔각들(obtuse angles) 범위인, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,검출된 전자들은 고종횡비 홀의 하부로부터의 전자들을 포함하는, 다중 검출기를 갖는 스캐닝 전자 현미경을 위한 방법.
- 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템으로서,칼럼을 통과하여 광학축을 따라 전파하도록 주 전자빔을 지향시키기 위한 수단;내부 렌즈 검출기의 광학축 업스트림으로부터 떨어지게 상기 주 전자빔을 편향시키고 상기 내부 렌즈 검출기의 광학축 다운스트림을 따라 다시 전파하여, 상기 주 전자빔이 상기 주 전자빔의 전파 방향에 대하여 각각 규정된 상기 업스트림 및 다운스트림의 위치들, 상기 내부 렌즈 검출기 주위로 전파하게 하기 위한 수단;대상물 상에 상기 주 전자빔을 충돌시켜서, 상기 대상물로부터 상기 주 전자빔의 반사 및 산란 중 적어도 하나로 인하여 발생하는 저에너지 및 고에너지 전자들을 생성하기 위한 수단 ― 상기 생성된 저에너지 및 고에너지 전자들은 각각 상기 대상물에 대하여 초기 궤적(initial trajectory)을 가짐 ―;상기 생성된 고에너지 전자들의 제 1 부분을 검출하도록 구성된 인-렌즈 검출기;정전계를 도입함으로써, 상기 생성된 고에너지 전자들의 제 2 부분 및 상기 생성된 저에너지 전자들의 궤적을 상기 내부 렌즈 검출기를 향하여 지향시키기 위한 수단 ― 상기 생성된 고에너지 전자들의 상기 제 2 부분의 초기 궤적은 상기 광학축과 일치함 ―;상기 지향되는 저에너지 전자들 및 상기 고에너지 전자들의 상기 제 2 부분을 검출하도록 구성된 상기 내부 렌즈 검출기; 및상기 정전계를 변경함으로써 그리고 상기 칼럼과 상기 대상물 사이의 거리를 변경함으로써 상기 인-렌즈 검출기와 상기 내부 렌즈 검출기 간에 상기 저에너지 및 고에너지 전자들의 분할을 제어하기 위한 수단을 포함하는 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 칼럼은 제 1 전압 레벨과 연관된 제 1 부분, 및 제 2 전압 레벨과 연관된 제 2 부분을 포함하는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 제 14 항에 있어서,상기 칼럼의 상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분 아래에 위치되는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,상기 시스템은 상기 인-렌즈 검출기 및 상기 내부 렌즈 검출기의 하나 이상의 수집 영역들을 변경하기 위해 상기 정전계를 가변하도록 추가적으로 구성되는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,상기 대상물의 검사 영역은 상기 정전계 내부에 위치되는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 제 19 항에 있어서,상기 주 전자빔과 상기 검사 영역 사이에 경사를 추가적으로 도입할 수 있는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 생성된 전자들은 고종횡비 홀의 하부로부터의 전자들을 포함하는, 이미징 기반의 다중 검출기를 이용한 검출 시스템.
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