JPH1040848A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
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- JPH1040848A JPH1040848A JP8196317A JP19631796A JPH1040848A JP H1040848 A JPH1040848 A JP H1040848A JP 8196317 A JP8196317 A JP 8196317A JP 19631796 A JP19631796 A JP 19631796A JP H1040848 A JPH1040848 A JP H1040848A
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子線が軸外れ入射した場合でも収差の
発生を小さく抑えることができる荷電粒子線装置の提
供。 【解決手段】 対物レンズ7に軸外れで入射する荷電粒
子線4を光軸1に沿った軸上入射と同一条件となるよう
に入射させるVAL(Variable Axis Lens)やVAIL
(Variable Axis Immersion Lens)等のレンズ系を備え
る荷電粒子線装置において、非点収差を補正する非点収
差補正磁場および荷電粒子線4に対する非点収差補正磁
場の軸外れ状態を補正する偏向磁場を形成する非点収差
補正偏向器12a,12bを設けた。
発生を小さく抑えることができる荷電粒子線装置の提
供。 【解決手段】 対物レンズ7に軸外れで入射する荷電粒
子線4を光軸1に沿った軸上入射と同一条件となるよう
に入射させるVAL(Variable Axis Lens)やVAIL
(Variable Axis Immersion Lens)等のレンズ系を備え
る荷電粒子線装置において、非点収差を補正する非点収
差補正磁場および荷電粒子線4に対する非点収差補正磁
場の軸外れ状態を補正する偏向磁場を形成する非点収差
補正偏向器12a,12bを設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線が軸外
れ入射したときに、収差を小さくすることができる荷電
粒子線装置に関する。
れ入射したときに、収差を小さくすることができる荷電
粒子線装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の転写型露光装置の対物レン
ズを示す図であり、2はレチクル、10はレチクルのパ
ターンが転写されるウエハ、7は対物レンズである。
3、4は荷電粒子線の軌道であり、3は対物レンズの光
軸1(z軸)に沿って入射する軌道を、4は光軸から離
れた位置に入射する軌道をそれぞれ示している。ところ
で、軌道4のように軸外れで入射した場合にはレンズ7
による収差が生じ、収差は光軸1から離れる程増加す
る。
ズを示す図であり、2はレチクル、10はレチクルのパ
ターンが転写されるウエハ、7は対物レンズである。
3、4は荷電粒子線の軌道であり、3は対物レンズの光
軸1(z軸)に沿って入射する軌道を、4は光軸から離
れた位置に入射する軌道をそれぞれ示している。ところ
で、軌道4のように軸外れで入射した場合にはレンズ7
による収差が生じ、収差は光軸1から離れる程増加す
る。
【0003】そのため、この種の装置では補助レンズお
よび補助偏向器を用いて荷電粒子線を軸上入射と同じ条
件で入射させるレンズ系、すなわちVAL(Variable A
xisLens)やVAIL(Variable Axis Immersion Len
s)が用いられる。図4では6、8がVAL補助レン
ズ、5、9がVAL偏向器であり、荷電粒子線の軸外れ
量に応じて補助レンズ6、8および偏向器5、9を励磁
させて、荷電粒子線が軸上入射した場合と同じ状態を形
成する。すなわち、対物レンズ7の軸上磁場の分布をB
[z]、軸外れ量、すなわちレンズの入射面上において光
軸を原点としたときに入射位置を(x0、y0)とする
と、補助レンズ6、8により次式(1)
よび補助偏向器を用いて荷電粒子線を軸上入射と同じ条
件で入射させるレンズ系、すなわちVAL(Variable A
xisLens)やVAIL(Variable Axis Immersion Len
s)が用いられる。図4では6、8がVAL補助レン
ズ、5、9がVAL偏向器であり、荷電粒子線の軸外れ
量に応じて補助レンズ6、8および偏向器5、9を励磁
させて、荷電粒子線が軸上入射した場合と同じ状態を形
成する。すなわち、対物レンズ7の軸上磁場の分布をB
[z]、軸外れ量、すなわちレンズの入射面上において光
軸を原点としたときに入射位置を(x0、y0)とする
と、補助レンズ6、8により次式(1)
【数1】b[z]=(x0 2+y0 2)B''[z]/4…(1) で表される場を形成し、偏向器5、9により次式(2)
【数2】 (dx[z],dy[z])=(−y0B'[z]/2,x0B'[z]/2)…(2) で表される偏向磁場を形成することによって、軸外れ入
射した軌道4の荷電粒子線は軸上入射の場合とほぼ同じ
条件で対物レンズ7を通過することができる。その結
果、収差を大幅に減少させることができる。図5(a)
〜5(c)は上述したB[z]およびB[z]の1階微分B'
[z],2階微分B''[z]の概略分布を示すグラフであり、
横軸に図3のz軸を取り、縦軸にそれぞれの大きさ示
す。
射した軌道4の荷電粒子線は軸上入射の場合とほぼ同じ
条件で対物レンズ7を通過することができる。その結
果、収差を大幅に減少させることができる。図5(a)
〜5(c)は上述したB[z]およびB[z]の1階微分B'
[z],2階微分B''[z]の概略分布を示すグラフであり、
横軸に図3のz軸を取り、縦軸にそれぞれの大きさ示
す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うに荷電粒子線を等価的に軸上入射させても非点収差が
残ってしまうため、通常は偏向器5、9や補助レンズ
6、8とは別に非点収差補正器を設置して非点収差を補
正している。非点収差補正器は一般に8極のコイルから
成り、その内の4極のコイルでx方向非点収差補正コイ
ルを形成し、他の4極のコイルでy方向非点収差補正コ
イルを形成する。図6は非点収差補正器の一方向(例え
ばx方向)の非点収差補正コイルによって形成される磁
場を示す図であり、4極のコイル21〜24によって図
に示すような磁場25が形成される。図からも分かるよ
うに補正器の軸上では磁場は零であり、軸から外れた位
置には偏向磁場が形成される。しかしながら、荷電粒子
線は非点収差補正器に対しても軸外れで入射するため、
それによって新たな収差が発生することになる。
うに荷電粒子線を等価的に軸上入射させても非点収差が
残ってしまうため、通常は偏向器5、9や補助レンズ
6、8とは別に非点収差補正器を設置して非点収差を補
正している。非点収差補正器は一般に8極のコイルから
成り、その内の4極のコイルでx方向非点収差補正コイ
ルを形成し、他の4極のコイルでy方向非点収差補正コ
イルを形成する。図6は非点収差補正器の一方向(例え
ばx方向)の非点収差補正コイルによって形成される磁
場を示す図であり、4極のコイル21〜24によって図
に示すような磁場25が形成される。図からも分かるよ
うに補正器の軸上では磁場は零であり、軸から外れた位
置には偏向磁場が形成される。しかしながら、荷電粒子
線は非点収差補正器に対しても軸外れで入射するため、
それによって新たな収差が発生することになる。
【0005】本発明の目的は、荷電粒子線が軸外れ入射
した場合でも収差の発生を小さく抑えることができる荷
電粒子線装置を提供することにある。
した場合でも収差の発生を小さく抑えることができる荷
電粒子線装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図1に対応付けて説明する。 (1)請求項1の発明は、レンズ7に軸外れで入射する
荷電粒子線4を光軸1に沿った軸上入射と同一条件とな
るように入射させるVAL(Variable Axis Lens)やV
AIL(Variable Axis Immersion Lens)等のレンズ系
を備える荷電粒子線装置に適用され、非点収差を補正す
る非点収差補正場および荷電粒子線4に対する非点収差
補正場の軸外れ状態を補正する偏向磁場を形成する非点
収差補正偏向器12a,12bを設けたことにより上述
の目的を達成する。 (2)請求項2の発明は、請求項1に記載の荷電粒子線
装置において、光軸をZ軸とし、それと直交するX,Y
軸に対して、非点収差補正場の2倍角座標におけるx,
y分布を(Sx,Sy)とし、偏向磁場のX,Y直交座標に
おけるX,Y分布を(dSx,dSy)としたときに、Sx,
Sy,dSx,dSyのそれぞれをレンズ7の軸上磁場分布の
3階微分に比例させた。ここで、X,Y直交座標系に対
する2倍角x,y座標は次式により定義される。
図1に対応付けて説明する。 (1)請求項1の発明は、レンズ7に軸外れで入射する
荷電粒子線4を光軸1に沿った軸上入射と同一条件とな
るように入射させるVAL(Variable Axis Lens)やV
AIL(Variable Axis Immersion Lens)等のレンズ系
を備える荷電粒子線装置に適用され、非点収差を補正す
る非点収差補正場および荷電粒子線4に対する非点収差
補正場の軸外れ状態を補正する偏向磁場を形成する非点
収差補正偏向器12a,12bを設けたことにより上述
の目的を達成する。 (2)請求項2の発明は、請求項1に記載の荷電粒子線
装置において、光軸をZ軸とし、それと直交するX,Y
軸に対して、非点収差補正場の2倍角座標におけるx,
y分布を(Sx,Sy)とし、偏向磁場のX,Y直交座標に
おけるX,Y分布を(dSx,dSy)としたときに、Sx,
Sy,dSx,dSyのそれぞれをレンズ7の軸上磁場分布の
3階微分に比例させた。ここで、X,Y直交座標系に対
する2倍角x,y座標は次式により定義される。
【数3】x=(X2+Y2)1/2・cos2θ y=(X2+Y2)1/2・sin2θ cosθ=X/(X2+Y2)1/2 sinθ=Y/(X2+Y2)1/2 (3)請求項3の発明では、請求項2に記載の荷電粒子
線装置において、レンズ7に対して軸外れで入射する荷
電粒子線4の入射位置をX,Y直交座標において(x0,
y0)としたときに、(a)非点収差補正場分布(Sx,Sy)
のSxを(x0y0)に比例させ、Syを(−x0 2+y0 2)に
比例させるとともに、(b)偏向磁場分布(dSx,dS
y)のdSxを(−y0・(x0 2+y0 2))に比例させ、d
Syを(x0・(x0 2+y0 2))に比例させた。 (4)請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記
載の荷電粒子線装置において、非点収差補正偏向器12
a,12bは、非点収差補正場および偏向磁場を形成す
る同一のコイルを備える。
線装置において、レンズ7に対して軸外れで入射する荷
電粒子線4の入射位置をX,Y直交座標において(x0,
y0)としたときに、(a)非点収差補正場分布(Sx,Sy)
のSxを(x0y0)に比例させ、Syを(−x0 2+y0 2)に
比例させるとともに、(b)偏向磁場分布(dSx,dS
y)のdSxを(−y0・(x0 2+y0 2))に比例させ、d
Syを(x0・(x0 2+y0 2))に比例させた。 (4)請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記
載の荷電粒子線装置において、非点収差補正偏向器12
a,12bは、非点収差補正場および偏向磁場を形成す
る同一のコイルを備える。
【0007】請求項1〜3の発明では、偏向磁場は荷電
粒子線4に対する非点収差補正場の軸外れ状態を補正す
る。
粒子線4に対する非点収差補正場の軸外れ状態を補正す
る。
【0008】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図1〜3を参照して本発明
の実施の形態を説明する。図1は本発明による荷電粒子
線装置の一実施の形態を示す図であり、転写型露光装置
の対物レンズの概略構成図である。なお、図1において
図4と同一部分には同一の符号を付した。12aおよび
12bはVAS(Variable Axis Stigmator)非点収差
補正偏向器であり、例えば、それぞれ8極3段のコイル
で構成されている。これら8極のコイルの内の4極のコ
イルには、後述する偏向磁場を形成するコイルを追加し
て設ける。
の実施の形態を説明する。図1は本発明による荷電粒子
線装置の一実施の形態を示す図であり、転写型露光装置
の対物レンズの概略構成図である。なお、図1において
図4と同一部分には同一の符号を付した。12aおよび
12bはVAS(Variable Axis Stigmator)非点収差
補正偏向器であり、例えば、それぞれ8極3段のコイル
で構成されている。これら8極のコイルの内の4極のコ
イルには、後述する偏向磁場を形成するコイルを追加し
て設ける。
【0010】従来の非点収差補正器では、非点収差を2
次元のベクトルで表したとき、非点収差を打ち消す非点
収差補正ベクトル(Sx、Sy)を生ずるような磁場が励磁
される。以下では、(Sx、Sy)の場を非点収差補正場と
称する。一方、本実施の形態のVAS非点収差補正偏向
器12a,12bは非点収差補正器およびその軸外れを
補正する偏向器のそれぞれの機能を合わせ持っており、
非点収差補正器の機能は非点収差補正場で、偏向器の機
能は偏向磁場で表される。すなわち、軸外れ量をX,Y
直交座標において(x0,y0)としたとき、上述した8
極6段のコイルを用いて非点収差補正場分布が次式
(3)
次元のベクトルで表したとき、非点収差を打ち消す非点
収差補正ベクトル(Sx、Sy)を生ずるような磁場が励磁
される。以下では、(Sx、Sy)の場を非点収差補正場と
称する。一方、本実施の形態のVAS非点収差補正偏向
器12a,12bは非点収差補正器およびその軸外れを
補正する偏向器のそれぞれの機能を合わせ持っており、
非点収差補正器の機能は非点収差補正場で、偏向器の機
能は偏向磁場で表される。すなわち、軸外れ量をX,Y
直交座標において(x0,y0)としたとき、上述した8
極6段のコイルを用いて非点収差補正場分布が次式
(3)
【数4】 (Sx[z]、Sy[z])=(x0y0B'''[Z]/16,(−x0 2+y0 2)B'''[Z]/32)…(3) で示すような場となるように励磁するとともに、上述し
た4極のコイルを用いて偏向磁場分布が次式(4)
た4極のコイルを用いて偏向磁場分布が次式(4)
【数5】 (dSx[z],dSy[Z]) =(−y0(x0 2+y0 2)B'''[z]/16,x0(x0 2+y0 2)B'''[z]/16)…(4) となるように励磁する。図2(a)〜2(d)はそれぞ
れB[z]およびB[z]の一階微分B'[z],2階微分B''
[z],3階部分B'''[z]の概略を示すグラフであり、図
5と同様に横軸にz軸を取り、縦軸にそれぞれの大きさ
示した。
れB[z]およびB[z]の一階微分B'[z],2階微分B''
[z],3階部分B'''[z]の概略を示すグラフであり、図
5と同様に横軸にz軸を取り、縦軸にそれぞれの大きさ
示した。
【0011】図3は軸外れの非点収差補正磁場を概念的
に示す図である。図3(a)は従来の非点収差補正器の
形成する磁場を示す図であり、図6と同様の図であって
4極のコイルによって形成される磁場を示した。この場
合、非点収差補正磁場25の軸と光軸1とが一致してお
り、X,Y直交座標における(x0,y0)が軸外れで入
射する荷電粒子線4の軌道位置である。一方、図3
(b)はVAS非点収差補正偏向器12a,12bの形
成する磁場を示す図であり、座標(x0,y0)を通る軸
と非点収差補正磁場30の軸とが一致している。これ
は、従来の非点収差補正器を荷電粒子線4の方向に移動
して、荷電粒子線4が非点収差補正器の軸を通るように
したことと等価的に等しい。その結果、軸外れで入射し
た荷電粒子線4に対しても軸上入射した場合とほぼ同じ
条件となり、従来のように非点収差補正をした際に新た
な収差が発生するようなことがなく、収差歪等を小さく
することができる。
に示す図である。図3(a)は従来の非点収差補正器の
形成する磁場を示す図であり、図6と同様の図であって
4極のコイルによって形成される磁場を示した。この場
合、非点収差補正磁場25の軸と光軸1とが一致してお
り、X,Y直交座標における(x0,y0)が軸外れで入
射する荷電粒子線4の軌道位置である。一方、図3
(b)はVAS非点収差補正偏向器12a,12bの形
成する磁場を示す図であり、座標(x0,y0)を通る軸
と非点収差補正磁場30の軸とが一致している。これ
は、従来の非点収差補正器を荷電粒子線4の方向に移動
して、荷電粒子線4が非点収差補正器の軸を通るように
したことと等価的に等しい。その結果、軸外れで入射し
た荷電粒子線4に対しても軸上入射した場合とほぼ同じ
条件となり、従来のように非点収差補正をした際に新た
な収差が発生するようなことがなく、収差歪等を小さく
することができる。
【0012】なお、上述した実施の形態では、VAS非
点収差補正偏向器12a、12bを構成する8極のコイ
ルで非点収差補正磁場を形成し、8極コイルの内の4極
のコイルに偏向磁場用のコイルを追加したが、非点収差
補正磁場の分布と偏向磁場の分布とがほぼ一致している
とみなせるような場合には、偏向磁場用のコイルを追加
することなく同一の8極コイルにより磁場を形成するこ
とができる。この場合には、コイルや配線の占める空間
が小さくて済むため、設計し易くなるという利点がある
とともに、非点収差補正場を形成する磁場と偏向磁場と
が相殺するようなことが無く消費電力が少なくて済むと
いう利点を有する。
点収差補正偏向器12a、12bを構成する8極のコイ
ルで非点収差補正磁場を形成し、8極コイルの内の4極
のコイルに偏向磁場用のコイルを追加したが、非点収差
補正磁場の分布と偏向磁場の分布とがほぼ一致している
とみなせるような場合には、偏向磁場用のコイルを追加
することなく同一の8極コイルにより磁場を形成するこ
とができる。この場合には、コイルや配線の占める空間
が小さくて済むため、設計し易くなるという利点がある
とともに、非点収差補正場を形成する磁場と偏向磁場と
が相殺するようなことが無く消費電力が少なくて済むと
いう利点を有する。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非点収差補正場の軸外れ状態が偏向磁場によって補正さ
れるため、軸外れで入射した荷電粒子線に対しても軸上
入射した場合とほぼ同じ条件となり、従来のように非点
収差補正の際に新たな収差が発生することがなく、収差
歪等を小さくすることができる。特に、請求項4の発明
によれば、同一のコイルで非点収差補正場および偏向磁
場を形成するため、コイルや配線の占める空間が小さく
て済み設計し易くなるとともに、非点収差補正場を形成
する磁場と偏向磁場とが相殺するようなことが無く消費
電力が少なくて済むという利点を有する。
非点収差補正場の軸外れ状態が偏向磁場によって補正さ
れるため、軸外れで入射した荷電粒子線に対しても軸上
入射した場合とほぼ同じ条件となり、従来のように非点
収差補正の際に新たな収差が発生することがなく、収差
歪等を小さくすることができる。特に、請求項4の発明
によれば、同一のコイルで非点収差補正場および偏向磁
場を形成するため、コイルや配線の占める空間が小さく
て済み設計し易くなるとともに、非点収差補正場を形成
する磁場と偏向磁場とが相殺するようなことが無く消費
電力が少なくて済むという利点を有する。
【図1】本発明による荷電粒子線装置を示す図であり、
転写型露光装置の対物レンズの概略構成図。
転写型露光装置の対物レンズの概略構成図。
【図2】軸上の磁場分布の概略を示す図であり、(a)
はB[z],(b)はB'[z],(c)はB''[z],(d)は
B'''[z]を示す。
はB[z],(b)はB'[z],(c)はB''[z],(d)は
B'''[z]を示す。
【図3】非点収差補正磁場と偏向磁場とを説明する図。
【図4】従来の転写型露光装置の対物レンズの概略構成
図。
図。
【図5】軸上の磁場分布の概略を示す図であり、(a)
はB[z],(b)はB'[z],(c)はB''[z]を示す。
はB[z],(b)はB'[z],(c)はB''[z]を示す。
【図6】非点収差補正器を説明する図。
1 光軸 2 レチクル 5,9 VAL偏向器 6,8 VAL補助レンズ 7 対物レンズ 11,12 VAS非点収差補正偏向器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年10月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
Claims (4)
- 【請求項1】 レンズに軸外れで入射する荷電粒子線を
光軸に沿った軸上入射と同一条件となるように入射させ
るVAL(Variable Axis Lens)やVAIL(Variable
Axis Immersion Lens)等のレンズ系を備える荷電粒子
線装置において、 非点収差を補正する非点収差補正場および前記荷電粒子
線に対する前記非点収差補正場の軸外れ状態を補正する
偏向磁場を形成する非点収差補正偏向器を設けたことを
特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の荷電粒子線装置におい
て、 光軸をZ軸とし、それと直交するX,Y軸に対して、前
記非点収差補正場の2倍角座標におけるx,y分布を
(Sx,Sy)とし、前記偏向磁場のX,Y直交座標におけ
るX,Y分布を(dSx,dSy)としたときに、Sx,Sy,
dSx,dSyのそれぞれを前記レンズの軸上磁場分布の3
階微分に比例させたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の荷電粒子線装置におい
て、 前記レンズに対して軸外れで入射する荷電粒子線の入射
位置をX,Y直交座標において(x0,y0)としたとき
に、 (a)前記非点収差補正場分布のSxを(x0y0)に比例
させ、Syを(−x0 2+y0 2)に比例させるとともに、 (b)前記偏向磁場分布のdSxを(−y0・(x0 2+y0
2))に比例させ、dSyを(x0・(x0 2+y0 2))に比
例させたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の荷電粒
子線装置において、 前記非点収差補正偏向器は、前記非点収差補正場および
前記偏向磁場を形成する同一のコイルを備えることを特
徴とする荷電粒子線装置。
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