KR100922664B1 - 기판처리장치 - Google Patents
기판처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100922664B1 KR100922664B1 KR1020070094029A KR20070094029A KR100922664B1 KR 100922664 B1 KR100922664 B1 KR 100922664B1 KR 1020070094029 A KR1020070094029 A KR 1020070094029A KR 20070094029 A KR20070094029 A KR 20070094029A KR 100922664 B1 KR100922664 B1 KR 100922664B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- alcohol
- liquid
- tank
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 242
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 125
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 59
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 72
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 71
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 8
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
[과제]기판의 표면에 형성된 복잡한 구조(트렌치나 홀)에 의한 건조불량을 방지한다.
[해결 수단]처리조(31)에 있어서 기판(9)에 대한 순수에 의한 세정처리를 종료한 후에, 알콜공급부(37)로부터 처리조(31)에 알콜을 공급하는 것에 의해, 처리조(31) 안의 처리액(91)을 알콜로 치환한다. 또한, 챔버(40) 안의 처리조(41)에 있어서 기판(9)에 대한 불소계 용매의 액체에 의한 세정을 행하고, 그 후, 처리조(41)로부터 기판(9)을 끌어올리고, 챔버(40) 안에서 불소계 용매의 가스로 건조처리한다.
처리조, 기판처리장치
Description
본 발명은, 반도체웨이퍼 등의 기판의 표면에 잔류하는 순수를 제거하는 기술에 관한 것이다. 보다 자세하게는, 기판의 표면에 형성된 트렌치나 홀과 같은 구조에 있어서의 건조불량을 방지하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정에 있어서는, 도포처리나 에칭처리 등에 의해 여러가지 처리액이 사용된다. 그 때문에, 반도체 디바이스의 제조공정에서는, 각 공정의 사이에, 적절하게, 기판을 세정하는 것이 필요해진다. 예를 들면, 특허문헌1에, 기판을 세정하는 기판처리장치가 기재되어 있다.
[특허문헌1] 일본국 특허공개 2002-252201호 공보
한편, 반도체 디바이스의 제조공정에 있어서는, 기판의 표면에 트렌치나 홀과 같은 복잡한 구조가 형성되어, 기판의 표면이 평탄하게 되지 않는 경우가 있다.
그런데, 이러한 복잡한 구조는, 기판표면에서 돌출하거나 쑥 들어가거나 하는 구조이기 때문에, 기판표면에 세정에 사용된 순수가 잔류하기 쉬워, 건조불량을 초래하는 문제가 있었다. 다시 말해, 특허문헌1에 기재된 기술에서는, 순수의 제거가 불충분해질 우려가 있었다.
본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것이며, 기판의 표면의 건조불량을 방지하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 청구항1의 발명은, 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 불소계 용매의 액체를 저류하는 처리조와, 상기 처리조를 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 있어서 기판을 지지한 상태로, 기판이 상기 처리조안에 배치되는 제1위치와 상기 처리조의 윗쪽에 배치되는 제2위치와의 사이를 이동하는 지지기구와, 상기 제1위치에 있어서, 불소계 용매의 액체로 처리된 기판을 지지한 상기 지지기구를 상기 제1위치부터 상기 제2위치로 이동시켜서 상기 지지기구에 지지된 기판에 불소계 용매의 가스를 공급하는 가스공급수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 2의 발명은, 청구항1의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 상기 챔버내에 있어서, 상기 처리조를 수용하는 제1공간을, 상기 제2위치로 이동한 상기 지지기구를 수용하는 제2공간에 대하여 개폐하는 개폐기구와, 기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제1위치로 이동했을 경우 및 기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제2위치로 이동했을 경우에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 차단하도록 상기 개폐기구를 제어하고, 기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제1위치와 상기 제2위치와의 사이에서 이동할 경우에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통(連通)하도록 상기 개폐기구를 제어하는 개폐제어수단을 더욱 갖추는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 3의 발명은, 청구항1의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 상기 처리조를 제1처리조로 하고, 상기 지지기구를 제1지지기구로 하며, 처리액을 저류하는 제2처리조와, 처리액으로서의 순수를 상기 제2처리조에 공급하는 제1공급기구와, 처리액으로서의 순수가 저류되어 있는 상태의 상기 제2처리조안에, 처리액으로서의 알콜을 공급하는 제2공급기구와, 기판을 지지한 상태로, 기판이 상기 제2처리조안에 배치되는 위치와 상기 제2처리조의 윗쪽의 위치와의 사이를 이동하는 제2지지기구와, 상기 제2지지기구에서 기판을 받아서, 상기 챔버를 향하여 반송하는 동시에 상기 제1지지기구에 기판을 주고받는 반송기구를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 4의 발명은, 청구항1의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 순수를 상기 처리조에 공급하는 제1공급기구와, 알콜을 상기 처리조에 공급하는 제2공급기구와, 상기 처리조에 저류되는 불소계 용매의 액체를 상기 처리조에 공급하는 제3공급기구를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 5의 발명은, 청구항 4의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 상기 제2공급기구는, 순수가 저류되어 있는 상태의 상기 처리조안에 알콜을 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 6의 발명은, 청구항 4의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 상기 제3공급기구는, 알콜이 저류되어 있는 상태의 상기 처리조안에 불소계 용매의 액체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항7의 발명은, 청구항 3 또는 4의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 상기 알콜은, 이소프로필 알콜, 에탄올 또는 메탄올을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항8의 발명은, 청구항1의 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 전기 불소계 용매는, 하이드로플루오르에테르 또는 하이드로플루오르카본을 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항 1 내지 8에 기재된 발명에서는, 불소계 용매의 액체와 불소계 용매의 가스를 사용하여, 세정에 사용한 순수 등의 처리액을 기판표면에서 제거하므로, 트렌치나 홀과 같은 복잡한 구조가 기판표면에 형성되어 있을 경우라도, 처리액을 양호하게 건조시킬 수 있어, 건조불량(특히 처리액에 의한 건조불량)을 억제할 수 있다.
청구항 3에 기재된 발명에서는, 제2처리조에 있어서 기판에 대하여 순수에 의한 처리를 행한 후, 알콜에 의한 처리를 행한다. 따라서, 기판표면에 많은 순수 가 존재하는 상황에서 기판을 산소존재 하의 분위기에 드러낼 일이 없으므로, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
청구항 4에 기재된 발명에서는, 순수를 처리조에 공급하는 제1공급기구와, 알콜을 처리조에 공급하는 제2공급기구와, 처리조에 저류되는 불소계 용매의 액체를 처리조에 공급하는 제3공급기구를 더 구비하는 것에 의해, 세정처리로부터 건조처리까지의 처리를 하나의 처리조로 실행할 수 있다. 따라서, 최종적인 건조처리가 완료할 때까지, 기판을 반송할 필요가 없고, 기판표면에 아직 순수가 존재하는 상황에서 기판을 반송할 필요가 없으므로, 순수가 산소존재 하에서 건조하는 것을 억제할 수 있고, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
청구항 5에 기재된 발명에서는, 처리조에 있어서 기판에 대하여 순수에 의한 처리를 행한 후, 알콜에 의한 처리를 행한다. 따라서, 기판표면에 아직 많은 순수가 존재하는 상황에서 기판을 산소존재 하의 분위기 중에 드러낼 일이 없으므로, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
청구항 6에 기재된 발명에서는, 제3공급기구는 알콜이 저류되어 있는 상태의 처리조안에 불소계 용매의 액체를 공급함으로써 알콜과 불소계 용매의 액체를 치환한다. 이것에 의해, 알콜에 의한 처리로부터 불소계 용매의 액체에 의한 처리에 이행하는 사이에 기판이 처리조안에 있어서 산소 등을 포함하는 분위기에 바래질 일이 없다. 따라서, 기판표면에 아직 순수가 존재하는 상황에서 기판을 산소존재 하의 분위기 중에 드러낼 일이 없고, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 최적의 실시의 형태에 대하여, 첨부의 도면을 참조하면서, 상세하게 설명한다.
<1 .제1의 실시의 형태)
도 1은, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)를 나타내는 도이다. 기판처리장치(1)는, 반송로보트(10), 제1처리부(2), 제2처리부(3), 제3처리부(4) 및 제어부(8)를 갖추고 있다. 한편, 도 1에 있어서 도시를 간략화하고 있지만, 기판처리장치(1)에 있어서, 각 구성은 제어부(8)와 접속되고 있으며, 제어부(8)로부터의 제어신호에 근거하여 동작한다.
반송로보트(10)는, 후술하는 리프터(22, 32, 42)와의 사이에서 복수장의 기판(9)의 주고받기를 행한다. 또한, 반송로보트(10)는, 지지한 복수의 기판(9)을 제1처리부(2), 제2처리부(3) 및 제3처리부(4)의 사이에서 반송하고, 본 발명에 있어서의 반송기구에 상당한다.
제1처리부(2)는, 약액(90)을 저류하는 처리조(21), 기판(9)을 지지한 상태로 상하방향으로 오르내리게 하는 리프터(22), 처리조(21) 안의 약액(90)을 순환시킬 때의 유로(流路)가 되는 순환배관(23) 및 약액(90)을 순환시키기 위한 펌프(24)를 구비하고, 기판(9)을 약액(90)에 의해 처리하는 기능을 가진다. 한편, 본 실시의 형태에 있어서의 제1처리부(2)는, 약액(90)으로서 BHF액을 사용한다.
리프터(22)는, 반송로보트(10)로부터 받은 기판(9)을 하강시켜서, 처리조(21) 안에 반입한다. 이 동작에 의해, 리프터(22)에 지지된 기판(9)은, 처리조(21) 안에 저류되어 있는 약액(90)에 침지된다.
또한, 리프터(22)는, 지지한 기판(9)을 상승시켜, 처리조(21) 안의 기판(9)을 반출한다. 이 동작에 의해, 기판(9)은 약액(90)으로부터 끌어올려지기 때문에, 기판(9)에 대한 약액(90)에 의한 처리가 종료한다. 이렇게 하여, 처리조(21)로부터 반출된 기판(9)은, 리프터(22)로부터 반송로보트(10)로 주고받아져, 제2처리부(3)를 향하여 반송된다.
제2처리부(3)는, 처리액(91)을 저류하는 처리조(31), 기판(9)을 지지한 상태로 상하방향으로 오르내리게 하는 리프터(32), 처리액(91)을 처리조(31)에 공급할 때의 유로가 되는 동시에, 하류측이 처리조(31)의 저부(底部)에 연통접속된 공급배관(33), 처리액(91)을 처리조(31)를 향하여 송액(送液)하기 위한 펌프(34), 공급배관(33)을 선택적으로 개폐하는 삼방향밸브(35), 순수를 공급하는 순수공급부(36) 및 알콜을 공급하는 알콜공급부(37)를 구비하고, 기판(9)을 처리액(91)에 의해 세정처리하는 기능을 가진다.
처리조(31)는, 처리액(91)으로서, 순수 또는 알콜을 저류한다. 다시 말해, 처리조(31)는, 본 발명의 제2처리조에 상당한다.
리프터(32)는, 반송로보트(10)로부터 받은 기판(9)을 하강시켜서, 처리조(31) 안에 반입한다. 또한, 리프터(32)는, 지지한 기판(9)을 상승시켜서, 처리조(31) 안의 기판(9)을 반출한다.
펌프(34)는, 제어부(8)로부터의 제어신호에 따라서 구동된다. 펌프(34)가 구동되면, 삼방향밸브(35)의 상태에 따라서, 순수 또는 알콜이 공급배관(33)을 통하여 처리조(31)를 향하여 송액된다.
삼방향밸브(35)는, 제어부(8)로부터의 제어신호에 따라서, 순수공급부(36) 또는 알콜공급부(37)를 공급배관(33)에 연통접속한다. 다시 말해, 제어부(8)가 삼방향밸브(35)를 제어하는 것에 의해, 공급배관(33)으로부터 처리조(31)에 공급되는 처리액(91)이 선택된다.
순수공급부(36)는, 공급배관(33)을 통하여 처리조(31)에 처리액(91)으로서 「순수」를 공급한다. 다시 말해, 순수공급부(36) 및 공급배관(33)은 본 발명에 있어서의 제1공급기구에 상당한다.
알콜공급부(37)는, 공급배관(33)을 통하여 처리조(31)에 처리액(91)으로서 「알콜」을 공급한다. 다시 말해, 알콜공급부(37) 및 공급배관(33)은 본 발명에 있어서의 제2공급기구에 상당한다.
그 다음에, 제2처리부(3)에 있어서의 기판(9)에 대한 처리동작을 설명한다. 반송로보트(10)에 의해 제2처리부(3)에 기판(9)이 반송되면, 처리조(31)의 윗쪽위치에 있어서, 반송로보트(10)로부터, 상승한 리프터(32)에 기판(9)이 주고받아져, 제2처리부(3)에 있어서의 처리가 개시된다.
기판(9)을 받은 리프터(32)는 기판(9)을 지지한 채 하강한다. 이 동작에 의해, 리프터(32)에 지지된 기판(9)은, 처리조(31) 안에 반입되고, 이때 처리조(31) 안에 저류되어 있는 처리액(91)에 침지된다.
기판처리장치(1)에서는, 리프터(32)에 의해 기판(9)이 처리조(31)에 반입되기 전에, 미리 순수공급부(36)로부터 공급배관(33)을 통하여 처리조(31)를 향하여 순수가 공급된다. 다시 말해, 기판(9)이 처리조(31)에 반입될 때에는, 처리액(91) 으로서의 「순수」가 처리조(31)에 저류되어 있다. 바꿔 말하면, 제2처리부(3)에 있어서의 세정처리는, 순수에 의한 세정에 의해 개시된다.
순수에 의한 처리가 충분히 진행한 시점에서, 제어부(8)로부터의 제어신호에 의해 삼방향밸브(35)가 교체되고, 처리조(31)에 대하여 알콜공급부(37)로부터의 알콜의 공급이 공급배관(33)을 통하여 개시된다.
이렇게, 본 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)에서는, 순수에 의한 처리와 알콜에 의한 처리가, 모두 처리조(31) 안에 있어서 연속적으로 실행되어, 그 동안, 기판(9)을 순수로부터 끌어올려서 반송할 일은 없다.
또한, 제2처리부(3)에서는, 처리조(31)의 순수를 완전히 배출하고나서 알콜을 처리조(31)에 공급(液交換)하는 것이 아니고, 순수가 저류된 채의 상태의 처리조(31)에 대하여 알콜공급부(37)로부터 알콜을 처리조(31)로 공급(액치환)한다. 이때, 순수는 처리조(31)의 상부에서 오버플로에 의해 배출되어, 처리조(31) 안에 있어서 서서히 알콜농도가 상승한다.
이렇게 하여 순수에서 알콜로 액치환을 행하는 사이에, 제어부(8)는, 알콜공급부(37)로부터 처리조(31)로 알콜을 공급시키면서, 처리조(31) 안에 설치된 농도계(5)에 의해 처리액(91)에 있어서의 알콜농도를 감시한다. 그리고, 처리액(91)의 알콜농도가 소정의 값(예를 들면 50％이상)이 된 시점에서, 알콜공급부(37)로부터 처리조(31)에의 알콜의 공급을 정지시킨다.
순수로부터 알콜로의 「액치환(液置換)」이 아닌, 처리조(31)로부터의 순수의 배수를 행하면, 순수의 저류량의 감소에 따라 순수의 액면(液面)이 내려가서, 서서히 기판(9)의 표면이 순수로부터 노출한다. 다시 말해, 알콜을 공급할 일 없이 순수를 배출하면, 기판(9)의 표면에 형성된 트렌치나 홀의 내부 등에 순수가 잔류한 상태로, 기판(9)의 표면이 산소 등이 존재하는 분위기 중에 노출되는 것이 된다. 특히, 분위기 중에 산소가 존재하는 상태로 순수가 증발하면, 기판(9)에 워터마크 등의 건조불량을 보일 우려가 있다.
그러나, 본 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)는, 순수로부터 산소가 있는 분위기 중에 기판(9)을 노출하는 일 없이, 알콜에 의한 탈수처리를 이행한다. 이것에 의해, 산소존재 하의 분위기중으로 순수가 건조하는 것을 방지하기 때문에, 건조불량을 억제할 수 있다. 한편, 상세한 것은 도시되지 않고 있지만, 액치환을 종료한 후, 알콜에 의한 처리가 충분히 진행할 때까지의 사이에, 제어부(8)는 알콜을 포함하는 처리액(91)을 처리조(31)에 대하여 순환시킨다.
알콜에 의한 처리가 충분히 진행하면, 제어부(8)로부터의 제어신호에 따라서, 리프터(32)가 기판(9)을 지지한 채 상승한다. 이 동작에 의해, 기판(9)은 처리액(91)(소정의 농도이상의 알콜)으로부터 끌어올려져서, 기판(9)에 대한 알콜에 의한 처리가 종료한다. 한편, 알콜에 의한 처리가 충분히 진행한 것인가 아닌가는, 미리 충분한 처리시간을 결정해 두어, 그 처리시간이 경과하는 것에 의해 제어부(8)가 판단한다.
본 실시의 형태에서는, 순수와의 액치환을 행하는 처리액으로서 알콜을 이용한다고 설명했지만, 알콜로서는, 이소프로필 알콜 ((CH3)2CHOH), 에탄올(C2HOH), 메 탄올(CH30H)이 적합하다. 그러나, 이들에 한정되는 것이 아니다. 이러한 처리액으로서는, 순수보다 표면장력이 낮을 뿐만 아니라, 순수와의 친화성(탈수효과)이 높고, 건조가 용이하면서 고체가 남지 않는 휘발성이 높은 액체가 바람직하다.
이렇게 하여, 리프터(32)에 의해 처리조(31)로부터 반출된 기판(9)은, 반송로보트(10)에 주고받아져, 제3처리부(4)측을 향하여 반송된다. 이상이 제2처리부(3)에 있어서의 처리동작의 설명이다.
제3처리부(4)는, 챔버(40), 처리조(41), 리프터(42), 처리조(41) 안의 처리액(92)을 순환시키는 순환배관(43), 순환배관(43) 안의 처리액(92)을 송액하는 펌프(44) 및 순환배관(43) 안을 흐르는 처리액(92)을 가열하는 히터(45)를 구비한다. 순환배관(43)의 상류측은 처리조(41)의 저부에 연통접속되어, 하류측에서 처리조(41)에 처리액을 공급한다.
한편, 리프터(42)에 대하여, 도 1에 있어서 2점쇄선으로 나타내는 위치를 「제1위치」, 도 1에 있어서 실선으로 나타내는 위치를 「제2위치」라고 칭한다. 또한, 챔버(40) 안의 공간을 상하방향으로 제1공간(93)과 제2공간(94)으로 나누고, 제1공간(93)은 처리조(41)을 수용하는 공간으로 하고 제2공간(94)은 제2위치로 이동한 리프터(42)를 수용하는 공간으로 한다.
처리조(41)는, 불소계 용매의 액체를 처리액(92)으로서 저류한다. 다시 말해, 처리조(41)는, 본 발명에 있어서의 제1처리조에 상당한다. 처리조(41)에 저류된 처리액(92)은, 순환배관(43) 및 펌프(44)에 의해 순환하고, 순환배관(43)에 설 치된 히터(45)에 의해 소정의 온도로 보온된다.
한편, 본 실시의 형태에 있어서의 제3처리부(4)는, 불소계 용매로서, 하이드로플루오르에테르(HFE) 또는 하이드로플루오르카본(HFC)을 사용한다. 또한, 하이드로플루오르에테르 또는 하이드로플루오르카본을 포함하는 처리액(92)의 사용온도가 20℃ 내지 비점(沸點)까지의 사이가 되도록, 히터(45)는 순환하는 처리액(92)을 보온한다.
리프터(42)는, 리프터(22, 32)와 같이, 복수장의 기판(9)을 지지하는 기능을 가지고 있으며, 챔버(40)의 윗쪽위치에 있어서, 반송로보트(10)과의 사이에서 기판(9)의 주고받기를 행한다. 또한, 챔버(40) 안에 있어서 기판(9)을 지지한 상태로, 기판(9)이 처리조(41) 안에 상하방향으로 배치되는 제1위치와, 처리조(41) 이외에 배치되는 제2위치와의 사이를 이동한다. 다시 말해, 리프터(42)는, 챔버(40) 안에 있어서, 기판(9)을 제1공간(93)과 제2공간(94)과의 사이에서 이동시키는 기능을 가지고 있다.
또한, 제3처리부(4)는, 개폐기구(46), 토출노즐(47), 제1가스공급부(48), 제2가스공급부(49), 및 개폐밸브(50, 51)를 구비한다.
개폐기구(46)는, 제1공간(93)과 제2공간(94)과의 사이에 1대 설치되어 있고, 제어부(8)에서의 제어신호에 따라, 챔버(40) 안에 있어서, 제1공간(93)을, 제2공간(94)에 대하여 개폐한다. 다시 말해, 개폐기구(46)가, 열림상태인 때 제1공간(93)과 제2공간(94)은 연통접속되고, 닫힘상태인 때 제1공간(93)과 제2공간(94)은 차단된다.
토출노즐(47)은, 제2공간(94) 안의 양측에 1쌍 설치되어, 제1가스공급부(48) 및 제2가스공급부(49)로부터 공급된 가스(불소계 용매의 가스 또는 질소가스)를, 챔버(40) 안의 제2공간(94)을 향하여 토출한다.
제1가스공급부(48)는, 토출노즐(47)을 향하여 불소계 용매의 가스를 공급한다. 이것에 의해, 제1가스공급부(48)는, 토출노즐(47)을 통하여, 제2위치로 이동한 리프터(42)에 지지된 기판(9)에 불소계 용매의 가스를 공급한다.
제2가스공급부(49)는, 토출노즐(47)에 질소가스를 공급한다. 이것에 의해, 제2가스공급부(49)는, 토출노즐(47)을 통하여, 제2위치로 이동한 리프터(42)에 지지된 기판(9)에 질소가스를 공급한다.
개폐밸브(50)는, 제어부(8)로부터의 제어신호에 따라서, 토출노즐(47)과 제1가스공급부(48)과의 사이의 가스관을 개폐한다. 개폐밸브(50)가 열림상태인 때, 제1가스공급부(48)로부터 불소계 용매의 가스가 토출노즐(47)에 공급되어, 챔버(40)의 제2공간(94) 안에 공급된다. 한편, 개폐밸브(50)가 닫힘상태인 때, 제1가스공급부(48)에 의한 공급은 정지한다.
개폐밸브(51)는, 제어부(8)로부터의 제어신호에 따라서, 토출노즐(47)과 제2가스공급부(49)의 사이의 가스관을 개폐한다. 개폐밸브(51)가 열림상태인 때, 제2가스공급부(49)로부터 질소가스가 토출노즐(47)로 공급되어, 챔버(40)의 제2공간(94) 안에 공급된다. 한편, 개폐밸브(51)가 닫힘상태인 때, 제2가스공급부(49)에 의한 공급은 정지한다.
한편, 상세한 것은 도시하지 않지만, 제3처리부(4)는, 제1공간(93) 및 제2공 간(94)으로부터 각각 배기하는 배기기구를 더 갖추고 있다.
그 다음에, 제3처리부(4)에 있어서의 기판(9)에 대한 처리동작을 설명한다. 반송로보트(10)에 의해 제3처리부(4)에 기판(9)이 반송되면, 반송로보트(10)로부터 상승한 리프터(42)에 기판(9)이 주고받아져, 제3처리부(4)에 있어서의 처리가 개시된다. 이때, 제3처리부(4)에 있어서, 개폐기구(46)는 열림상태가 되어 있어서, 처리조(41)에는 이미 불소계 용매의 액체인 처리액(92)이 저류되어 있다.
기판(9)을 받은 리프터(42)는 기판(9)을 지지한 채, 처리조(41) 안의 제1위치까지 하강한다. 이 동작에 의해, 리프터(42)에 지지된 기판(9)은, 처리조(41) 안에 반입되어, 처리조(41) 안에 저류되어 있는 처리액(92)에 침지된다. 다시 말해, 불소계 용매의 액체에 의한 기판(9)의 처리가 개시된다.
제2처리부(3)에서 처리된 기판(9)의 표면에는 제2처리부(3)에서 사용한 처리액(91)(알콜)이 잔류하고 있다. 특히, 기판(9)에 트렌치 구조나 홀 구조가 형성되어 있을 경우에는, 이들의 구조의 틈에 알콜이 잔류하기 쉽다. 그러나, 이러한 상태의 기판(9)을 불소계 용매의 액체인 처리액(92)에 침지하는 것에 의해, 기판(9)에 잔류하고 있는 알콜을 효과적으로 제거할 수 있다.
리프터(42)가 제1위치까지 하강하면, 제어부(8)는 개폐기구(46)를 닫힘상태로 한다. 이것에 의해, 불소계 용매의 액체에 의한 기판(9)의 처리중에 있어서 제1공간(93)과 제2공간(94)이 차단되어, 그 동안, 제1공간(93)의 분위기의 제2공간(94)에의 혼입을 억제할 수 있다. 이때의 제1공간(93) 안의 분위기는, 처리액(92)에 의한 처리가 실행되기 전의 기판(9)이 반입된 것에 의해, 비교적 오염된 분위기가 되어 있다. 따라서, 제1공간(93)과 제2공간(94)을 차단하는 것에 의해, 제2공간(94) 안을 청결하게 유지할 수 있다.
처리액(92)에 의한 처리가 충분히 진행하면, 제어부(8)는 개폐기구(46)를 열림상태로 한다. 이것에 의해, 제1공간(93)과 제2공간(94)이 다시 연통접속된다. 한편, 불소계 용매의 액체에 의한 기판(9)의 세정처리중에 있어서, 제1공간(93)의 분위기는, 앞에서 서술한 배기기구에 의해 외부로 배기되고 있다. 따라서, 이 시점에서 제1공간(93)의 분위기는 비교적 청정화되어 있어, 제1공간(93) 안의 분위기가 제2공간(94)에 혼입하는 폐해는 저하하고 있다
개폐기구(46)가 열림상태가 되면, 리프터(42)가 기판(9)을 지지한 상태로 제2위치를 향하여 이동을 시작한다. 이것에 의해, 기판(9)이 처리액(92)으로부터 끌어올려져서, 기판(9)에 대한 처리액(92)에 의한 처리가 종료한다.
리프터(42)가 제2위치로 이동하면, 개폐기구(46)가 닫힘상태가 되어, 제1공간(93)과 제2공간(94)이 다시 차단된다.
그 다음에, 개폐밸브(50)가 열림상태가 되고, 제1가스공급부(48)로부터 불소계 용매의 가스가 토출노즐(47)을 통하여 제2공간(94) 안에 토출된다. 다시 말해, 제2위치로 이동한 리프터(42)에 지지된 기판(9)에 불소계 용매의 가스가 공급된다. 이것에 의해, 기판(9)의 불소계 용매의 가스에 의한 건조처리가 개시된다.
불소계 용매의 가스에 의한 처리가 충분히 진행하면, 개폐밸브(50)가 닫힘상태가 되어 불소계 용매의 가스의 공급이 정지되는 동시에, 개폐밸브(51)가 열림상태가 되어 제2가스공급부(49)로부터 질소가스가 토출노즐(47)을 통하여 제2공 간(94) 안에 토출된다. 이것에 의해, 제2공간(94) 안의 분위기가 불소계 용매의 가스로 질소가스로 치환되어, 질소가스에 의한 건조처리가 개시된다.
이때, 제1공간(93)과 제2공간(94)과는 차단되어 있기 때문에, 처리액(92)이 증발함으로써 제1공간(93) 안에 생성되는 불소계 용매의 가스는, 제2공간(94) 안에 혼입할 일 없이, 제1공간(93) 안에 머무른다.
또한, 제1공간(93)과 제2공간(94)이 개폐기구(46)에 의해 차단되어 있는 것에 의해, 제2위치로 이동한 리프터(42)에 지지된 기판(9)에 대한 처리공간의 용적이 감소한다. 따라서, 건조처리에 있어서 소비되는 질소가스의 양이 억제된다.
질소가스에 의한 처리가 충분히 진행하면, 개폐밸브(51)가 닫힘상태가 되는 동시에, 리프터(42)가 상승하고, 리프터(42)에 지지된 기판(9)을 반송로보트(10)로 주고받는다. 반송로보트(10)는, 받은 기판(9)을 기판처리장치(1)로부터 꺼낸다. 이상이 제3처리부(4)에 있어서의 처리동작의 설명이다.
제어부(8)는, 도시되지 않은 CPU와 기억장치로 구성되어, 기억장치에 기억되어 있는 프로그램을 따라서 CPU가 동작하는 것에 의해, 기판처리장치(1)의 각 구성을 제어한다.
예를 들면, 제어부(8)는, 처리액(91)으로서의 순수가 저류되어 있는 상태의 처리조(31)를 향하여 알콜을 공급하도록 알콜공급부(37)를 제어한다. 다시 말해, 제어부(8)는, 본 발명에 있어서의 상당하는 기능을 가진다.
또한, 제어부(8)는, 기판(9)을 지지한 리프터(42)가 제1위치로 이동했을 경우 및 제2위치로 이동했을 경우에는 제1공간(93)과 제2공간(94)을 차단하도록 개폐 기구(46)를 제어한다. 한편, 기판(9)을 지지한 리프터(42)가 제1위치과 제2위치의 사이에서 이동하는 동안은, 제1공간(93)과 제2공간(94)을 연통하도록 개폐기구(46)를 제어한다. 다시 말해, 제어부(8)는, 본 발명에 있어서의 개폐제어수단에 상당하는 기능을 가진다.
또한, 제어부(8)는, 도시되지 않은 조작부(키보드나 버튼류)와 표시부(액정 모니터)를 갖추고 있다. 그리고, 오퍼레이터는, 조작부를 조작하는 것에 의해 기판처리장치(1)에 적당히 지시를 주는 것이 가능하여, 표시부의 표시를 확인하는 것에 의해 기판처리장치(1)의 상태 등을 확인할 수 있다.
이상과 같이, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)는, 제3처리부(4)에 있어서, 불소계 용매의 액체를 사용한 후이면서, 불소계 용매의 가스를 사용하여 건조시키는 것에 의해, 기판의 표면에 복잡한 구조가 형성되어 있을 경우라도, 양호하게 건조시킬 수 있다.
<2 .제2의 실시의 형태>
제1의 실시의 형태에서는, 순수나 알콜에 의한 처리를 행하는 조(槽)(처리조(31))와, 불소계 용매의 액체에 의한 처리를 행하는 조(처리조(41))가 다른 조로서 설치되어 있었다.
그러나, 이들의 처리는 동일한 조에서 실행되어도 좋다.
도 2는, 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)를 나타내는 도이다. 한편, 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)에 있어서, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)와 같은 구성에 대하여는, 동일한 부호를 붙여 서, 임의로 설명을 생략한다.
본 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)는, 기판처리장치(1)에 있어서의 제2처리부(3)에 상당하는 구성을 구비하고 있지 않고, 제3처리부(4)의 대신에 제3처리부(4a)를 구비하고 있다. 따라서, 제1처리부(2)에 있어서 처리된 기판(9)은, 반송로보트(10)에 의해 제3처리부(4a)측에 반송된다.
제3처리부(4a) 안에는 처리조(41a)와 보조조(41b)를 구비하고 있다. 처리조(41a)는, 제3처리부(4)에 있어서의 처리조(41)에 거의 상당하는 조이며, 리프터(42)에 의해 내부에 기판(9)이 반입된다. 보조조(41b)는, 처리조(41a)의 상부에, 처리조(41a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어, 처리조(41a)의 상부에서 오버플로한 처리액(92a)을 회수하는 기능을 가진다.
제3처리부(4a)는, 액체의 유로를 형성하는 배관으로서, 순환배관(43a), 공급배관(43b) 및 배액배관(43c)을 구비한다. 또한, 각각 소정의 위치에 배치되어 제어부(8)로부터의 제어에 따라서 배관을 개폐하는 개폐밸브(52 내지 56)와, 제어부(8)로부터의 제어에 따라서 2계통의 배관을 선택적으로 공급배관(43b)에 연통시키는 삼방향밸브(58)를 구비한다.
한편, 도 2에 나타내는 예에서는, 순환배관(43a)으로부터의 배관 및 순수공급부(60)로부터의 배관이 삼방향밸브(58)에 있어서의 제1계통(系統)의 배관이며, 알콜공급부(61) 및 불소계 용매공급부(62)로부터의 배관이 삼방향밸브(58)에 있어서의 제2계통의 배관으로 되어 있다. 단, 이것에 한정되는 것이 아니다.
순환배관(43a)은, 처리액(92a)을 순환시키기 위하여 사용되는 배관이며, 주 로 개폐밸브(52)에 의해 개폐된다. 개폐밸브(52)가 열림상태이면서 삼방향밸브(58)가 제1계통의 배관을 선택하고 있을 때에, 처리조(41a)로부터 오버플로 하는 것에 의해 보조조(41b)에 의해 회수된 처리액(92a)은, 상류측이 보조조(41b)의 저부에 연통접속된 순환배관(43a)으로 인도되어서, 공급배관(43b)을 통하여 다시 처리조(41a)에 돌아간다.
공급배관(43b)은, 처리조(41a)에 공급되는 액체의 유로가 되는 배관이다. 다시 말해, 공급배관(43b)을 통과하는 액체는, 처리조(41a)에 공급되어서 처리액(92a)이 된다. 공급배관(43b)을 향하여 공급되는 액체로서는, 상기의 순환배관(43a)으로부터 공급되는 액체(순환하는 처리액(92a))와, 순수공급부(60)로부터 공급되는 순수와, 알콜공급부(61)로부터 공급되는 알콜과, 불소계 용매공급부(62)로부터 공급되는 불소계 용매의 액체가 있다. 한편, 제2의 실시의 형태에 있어서도, 불소계 용매의 액체로서 제1의 실시의 형태와 같이 HFE를 사용하는 예로 설명한다.
처리조(41a)에 순환배관(43a)으로부터의 액체 또는 순수를 공급할 경우, 공급배관(43b)에는 삼방향밸브(58)에 의해 앞에서 서술한 제1계통의 배관이 접속된다. 한편, 처리조(41a)에 알콜 또는 HFE를 공급할 경우, 공급배관(43b)에는 삼방향밸브(58)에 의해 앞에서 서술한 제2계통의 배관이 접속된다.
배액배관(43c)은, 기판처리장치(1a)의 외부로 액체를 배액하기 위한 배관이며, 주로 개폐밸브(53)에 의해 개폐된다. 개폐밸브(53)가 열림상태인 때에, 처리조(41a)로부터 오버플로 하는 것에 의해 보조조(41b)에 의해 회수된 처리액(92a) 은, 배액배관(43c)으로 인도되어서, 외부로 배액된다. 한편, 처리액(92a)의 배액을 효율적으로 행하기 위하여, 배액배관(43c)으로 펌프를 설치해도 좋다.
제3처리부(4a)는, 처리조(41a)에 여러가지 액체를 공급하기 위한 구성으로서, 순수공급부(60), 알콜공급부(61) 및 불소계 용매공급부(62)를 구비하고 있다. 순수공급부(60)는, 개폐밸브(54)가 열림상태가 되는 것에 의해, 순수를 처리조(41a)에 공급한다. 또한, 알콜공급부(61)은, 개폐밸브(55)이 열림상태가 되는 것에 의해, 알콜을 처리조(41a)에 공급한다. 또한, 불소계 용매공급부(62)는, 개폐밸브(56)가 열림상태가 되는 것에 의해, 불소계 용매의 액체인 HFE를 처리조(41a)에 공급한다.
이상이 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)의 구성 및 기능의 설명이다. 그 다음에, 기판처리장치(1a)의 제3처리부(4a)에 의해 기판(9)을 처리하는 방법을 설명한다.
도 3은, 제2의 실시의 형태의 제3처리부(4a)에 있어서의 기판(9)의 처리순서를 나타내는 플로우차트이다. 도 3에 나타내는 처리가 개시될 때까지, 제3처리부(4a)에서는 처리조(41a)에 처리액(92a)(순수)를 충족시키기 위한 소정의 준비공정이 실행된다.
준비공정에 있어서 제어부(8)는, 삼방향밸브(58)에 제1계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 닫힘상태로 하면서 개폐밸브(54)를 열림상태로 제어한다. 이 상태로 펌프(44)를 구동하여, 순수공급부(60)로부터의 순수의 공급을 개시시킨다. 순수공급부(60)로부터 소정량의 순수가 공급되면, 제어부(8)는, 개폐밸 브(54)를 닫힘상태로 제어하여 순수공급부(60)로부터의 순수의 공급을 정지시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 열림상태로 하여 순수의 순환을 개시시킨다. 한편, 이때 순환하는 순수의 온도를 일정하게 유지하기 위하여, 히터(45)에 의한 온조(溫調)를 행해도 좋다.
이러한 준비공정이 완료한 후에, 반송로보트(10)가, 제3처리부(4a)로 기판(9)을 반송한다(스텝S1). 기판(9)이 반송되면, 제어부(8)는 개폐기구(46)를 열림상태로 제어하는 동시에, 리프터(42)가 반송된 기판(9)을 반송로보트(10)로부터 받아서 하강을 시작한다.
리프터(42)가 제1위치까지 하강하는 것에 의해, 처리조(41a) 안에 저류된 처리액(92a)(순수)에 기판(9)을 침지한다(스텝S2). 이것에 의해, 제3처리부(4a)에 있어서, 기판(9)의 순수에 의한 세정처리가 개시된다. 한편, 제어부(8)는, 리프터(42)가 제1공간(93)으로 이동한 시점에서, 개폐기구(46)를 닫힘상태로 제어한다.
소정의 시간이 경과하고, 순수에 의한 세정처리가 충분히 진행하면, 처리조(41a) 안의 처리액(92a)(순수)을 알콜로 치환하여(스텝S3), 기판(9)에 대한 알콜에 의한 탈수처리를 실행한다.
스텝S3에 있어서, 우선, 제어부(8)는, 삼방향밸브(58)에 제2계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 닫힘상태로 제어하여 처리액(92a)의 순환을 정지한다. 또한, 개폐밸브(53)를 열림상태로 제어하여 처리액(92a)의 배액을 시작한다. 이 동작과 병행하여, 제어부(8)는, 개폐밸브(55)를 열림상태로 제어하고, 알콜공급부(61)로부터의 알콜의 공급을 개시시킨다.
알콜공급부(61)로부터 알콜이 공급되는 것에 의해, 비교적 알콜농도가 낮은 처리액(92a)은 처리조(41a)의 상부에서 오버플로되어, 보조조(41b)로 회수된다. 이렇게 하여 회수된 처리액(92a)(비교적 알콜농도가 낮은 처리액(92a))은 배액배관(43c)을 통과하여 외부에 배액된다. 따라서, 처리조(41a)에 있어서도, 제1의 실시의 형태에 있어서의 처리조(31)에 있어서 행하여진 것과 같이, 처리액(92a)이 순수에서 서서히 알콜로 치환된다.
또한, 제1의 실시의 형태와 같이 농도계(5)로부터의 출력에 근거하여 알콜이 소정의 농도(예를 들면 50％이상)가 된 것을 검출하면, 제어부(8)는, 알콜로의 치환이 완료했다고 판정한다. 그리고, 삼방향밸브(58)에 제1계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 열림상태에,및, 개폐밸브(53)를 닫힘상태로 제어한다. 이것에 의해, 처리액(92a)(알콜)의 순환이 개시되어, 제1의 실시의 형태와 같이, 기판(9)에 대한 알콜에 의한 탈수처리가 진행한다.
이렇게, 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)에서는, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)가 제2처리부(3)에 있어서 실행한 처리와 동일한 처리(스텝S1 내지 S3)를, 제3처리부에 있어서 실행한다.
알콜에 의한 처리가 충분히 진행하면, 처리조(41a) 안의 처리액(92a)(알콜)을 HFE로 치환하여(스텝S4), 기판(9)에 대한 HFE에 의한 처리를 실행한다.
스텝S4에 있어서, 우선, 제어부(8)는, 삼방향밸브(58)에 제2계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 닫힘상태로 제어하여 처리액(92a)의 순환을 정지한다. 또한, 개폐밸브(53)를 열림상태로 제어하여 처리액(92a)의 배액을 시작한 다. 이 동작과 병행하여, 제어부(8)는, 개폐밸브(56)을 열림상태로 제어하여, 불소계 용매공급부(62)로부터의 HFE의 공급을 개시시킨다.
불소계 용매공급부(62)로부터 HFE가 공급되는 것에 의해, 비교적 HFE농도가 낮은 처리액(92a)은 처리조(41a)의 상부에서 오버플로되어, 보조조(41b)에 회수된다. 이렇게 하여 회수된 처리액(92a)(비교적 HFE농도가 낮은 처리액(92a))은 배액배관(43c)을 통과하여 외부로 배액된다. 따라서, 처리조(41a)에 있어서, 처리액(92a)이 알콜로 서서히 HFE로 치환된다.
또한, 농도계(5)로부터의 출력에 근거하여 알콜이 소정의 농도이하(예를 들면 수 %이하)가 된 것을 검출하면, 제어부(8)는, HFE로의 치환이 완료했다고 판정한다. 그리고, 삼방향밸브(58)에 제1계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 열림상태로 제어하면서, 개폐밸브(53)를 닫힘상태로 제어한다. 이것에 의해, 처리조(41a)에 있어서의 처리액(92a)(HFE)의 순환이 개시되어, 제1의 실시의 형태와 같이, 기판(9)에 대한 HFE에 의한 처리가 진행한다.
제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)에서는, 알콜에 의한 탈수처리가 종료한 시점에서, 기판(9)을 알콜로 꺼내고, 반송로보트(10)에 의해 반송했다. 그러나, 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)에서는, 기판(9)을 반송할 일 없이, 알콜을 상기 순서(스텝S4)에 의해 HFE로 치환하여 HFE에 의한 처리를 실행한다.
HFE에 의한 기판(9)의 처리가 종료하면, 제어부(8)는, 처리조(41a) 안에 알콜(10％정도)을 첨가한다(스텝S5). 이것에 의해, 기판(9)의 표면의 복잡한 구조내 에 잔류한 순수를 더 제거할 수 있다.
스텝S5에 있어서, 우선, 제어부(8)는, 삼방향밸브(58)에 제2계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 닫힘상태로 제어하여 처리액(92a)의 순환을 정지한다. 또한, 개폐밸브(53)를 열림상태로 제어하여 처리액(92a)(HFE)의 배액을 시작한다. 이 동작과 병행하여, 제어부(8)는, 개폐밸브(55)를 열림상태로 제어하고, 알콜공급부(61)로부터의 알콜의 공급을 개시시킨다.
알콜공급부(61)로부터 알콜이 공급되는 것에 의해, 비교적 HFE농도가 높은 처리액(92a)은 처리조(41a)의 상부에서 오버플로되어, 보조조(41b)에 회수된다. 이렇게 하여 회수된 처리액(92a)(비교적 HFE농도가 높은 처리액(92a))은 배액배관(43c)을 통과하여 외부로 배액된다.
그리고, 농도계(5)로부터의 출력에 근거하여 알콜이 소정의 농도(10％정도)가 된 것을 검출하면, 제어부(8)는, 삼방향밸브(58)에 제1계통의 배관을 선택시키는 동시에, 개폐밸브(52)를 열림상태로 제어하면서, 개폐밸브(53)를 닫힘상태로 제어한다. 이것에 의해, 처리조(41a)에 있어서의 처리액(92a)(HFE+알콜)의 순환이 개시된다.
소정의 시간이 경과하면, 제어부(8)가 개폐기구(46)를 열림상태로 한다. 그리고, 리프터(42)가 기판(9)을 지지한 채 제2위치로 상승을 시작하고, 기판(9)을 처리조(41a)로부터 끌어 올린다(스텝S6).
리프터(42)가 제2위치로 이동해 기판(9)이 제2공간(94)으로 이동하면, 개폐기구(46)가 닫힘상태가 되고, 제1공간(93)과 제2공간(94)이 다시 차단된다.
그 다음에, 개폐밸브(50)가 열림상태가 되고, 제1가스공급부(48)로부터 불소계 용매의 가스가 토출노즐(47)을 통하여 제2공간(94) 안에 토출된다. 다시 말해, 제2위치로 이동한 리프터(42)에 지지된 기판(9)에 불소계 용매의 가스가 공급된다. 이것에 의해, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)와 같이, 불소계 용매의 가스에 의한 기판(9)의 건조처리가 실행된다(스텝S7).
불소계 용매의 가스에 의한 처리가 충분히 진행하면, 개폐밸브(50)가 닫힘상태가 되어 불소계 용매의 가스의 공급이 정지되는 동시에, 개폐밸브(51)가 열림상태가 되어 제2가스공급부(49)로부터 질소가스가 토출노즐(47)을 통하여 제2공간(94) 안에 토출된다. 이것에 의해, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)와 같이, 질소가스에 의한 기판(9)의 건조처리가 실행된다(스텝S8).
질소가스에 의한 처리가 충분히 진행하면, 개폐밸브(51)가 닫힘상태가 되는 동시에, 리프터(42)가 상승하고, 리프터(42)에 지지된 기판(9)을 반송로보트(10)에 주고받는다. 반송로보트(10)는, 받은 기판(9)을 기판처리장치(1a)로부터 꺼낸다(스텝S9).
이상과 같이, 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)이여도, 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1)와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기판처리장치(1a)는, 순수를 처리조(41a)에 공급하는 순수공급기구(60)와, 알콜을 처리조(41a)에 공급하는 알콜공급기구(61)와, 처리조(41a)에 저류되는 HFE를 처리조(41a)에 공급하는 불소계 용매공급기구(62)를 구비하는 것에 의해, 순수에 의한 세정처리로부터 HFE에 의한 처리까지를, 1개의 처리조(41a)로 실행하는 것에 의해, 장치를 소형화할 수 있다.
또한, 세정처리로부터 건조처리까지의 처리를 1개의 처리조로 실행할 수 있는 것에 의해, 최종적인 건조처리가 완료할 때까지, 기판(9)을 반송할 필요가 없다. 따라서, 기판표면에 아직 순수가 존재하는 상황에서 기판(9)을 반송할 필요가 없으므로, 순수가 산소존재 하에서 건조하는 것을 억제할 수 있고, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
또한, 불소계 용매공급기구(62)는 알콜이 저류되어 있는 상태의 처리조(41a) 안에 HFE를 공급한다. 이렇게, 알콜과 HFE와를 교환하지 않고 치환하는 것에 의해, 알콜로 기판(9)이 꺼내질 일이 없다. 일반적으로 제1공간(93)(제2공간(94)) 안의 분위기는 저산소농도로 조정되어 있지만, 완전한 무산소상태라고는 할 수 없다. 그러나, 본 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치(1a)에서는, 모든 건조처리가 완료할 때까지 (가능한 한 순수를 제거할 때까지) 기판(9)을 제1공간(93)(제2공간(94)) 안의 분위기에 노출되지 않도록 구성한다. 따라서, 산소존재 하에서 순수가 건조하는 것을 억제할 수 있고, 워터마크 등의 건조불량을 억제할 수 있다.
<3.변형예>
이상, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시의 형태에 한정되는 것이 아니고 여러가지 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시의 형태에서는, 제1가스공급부(48) 및 제2가스공급부(49)가 토출노즐(47)을 공유하는 구조를 사용하고 있다고 설명했지만, 물론 별개의 토출노즐을 갖추고 있어도 좋다.
또한, 개폐기구(46)의 대신에, 제1공간(93)과 제2공간(94)을 차단하는 커버를 구동하는 기구가 사용되어도 좋다.
또한, 제1의 실시의 형태에서는, 제3처리부(4)에 있어서 불소계 용매의 액체에 의해 소정의 시간처리가 된 후에, 그대로 기판(9)을 끌어올릴 수 있다고 설명했다. 그러나, 제2의 실시의 형태와 같이, 기판(9)을 끌어올리기 전에, 처리액(92)에 알콜(예를 들면 10％정도)을 첨가해도 좋다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 알콜농도를 농도계(5)에 의해 측정하면서, 처리를 바꾸도록 구성했다. 그러나, 예를 들면, 소정의 알콜농도가 될 때까지의 시간을 미리 측정해 두고, 미리 측정된 시간(설정시간)에 근거하여 제어부(8)가 처리를 바꾸어도 좋다.
또한, 제2의 실시의 형태에서는, 약액(90)에 의한 처리를 제1처리부(2)의 처리조(21)로 실행하고 있었다. 그러나, 약액(90)을 처리조(41a)에 공급하는 공급기구를 설치하는 것에 의해, 약액(90)에 의한 처리를 제3처리부(4a)에서 실행하도록 구성해도 좋다. 그 경우에는, 1개의 처리조(41a)에 있어서, 약액처리로부터 건조처리를 행하는 것이 가능해 진다.
도 1은 제1의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치를 나타내는 도이다.
도 2는 제2의 실시의 형태에 있어서의 기판처리장치를 나타내는 도이다.
도 3은 제2의 실시의 형태의 제3처리부에 있어서의 기판의 처리순서를 나타내는 플로우차트이다.
[부호의 설명]
1 기판처리장치
10 반송 로보트(반송기구)
31 처리조(제2처리조)
60 순수공급부(제1공급기구)
61 알콜공급부(제2공급기구)챔버
41a 처리조
42 리프터(지지기구)
46 개폐기구
48 제1가스공급부
62 불소계 용매공급부(제3공급기구)
8 제어부
9 기판
Claims (8)
- 기판을 처리하는 기판처리장치로서,불소계 용매의 액체를 저류하는 처리조(處理槽)와,상기 처리조를 수용하는 챔버와,상기 챔버내에 있어서 기판을 지지한 상태로, 기판이 상기 처리조안에 배치되는 제1위치와 상기 처리조의 윗쪽에 배치되는 제2위치와의 사이를 이동하는 지지기구와,상기 처리조를 수용하는 제1공간을, 상기 제2위치로 이동한 상기 지지기구를 수용하는 제2공간에 대하여 개폐하는 개폐기구(開閉機構)와,기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제1위치로 이동했을 경우 및 기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제2위치로 이동했을 경우에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 차단하도록 상기 개폐기구를 제어하고, 기판을 지지한 상기 지지기구가 상기 제1위치와 상기 제2위치와의 사이에서 이동할 경우에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통(連通)하도록 상기 개폐기구를 제어하는 개폐제어수단과,상기 제1위치에 있어서, 불소계 용매의 액체로 처리된 기판을 지지한 상기 지지기구를 상기 제1위치부터 상기 제2위치로 이동시켜서 상기 지지기구에 지지된 기판에 불소계 용매의 가스를 공급하는 가스공급수단,을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,순수를 상기 처리조에 공급하는 제1공급기구와,알콜을 상기 처리조에 공급하는 제2공급기구와,상기 처리조에 저류되는 불소계 용매의 액체를 상기 처리조에 공급하는 제3공급기구,를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 제2공급기구는, 순수가 저류되어 있는 상태의 상기 처리조안에 알콜을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 제3공급기구는, 알콜이 저류되어 있는 상태의 상기 처리조안에 불소계 용매의 액체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 알콜은, 이소프로필알콜, 에탄올 또는 메탄올을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 불소계 용매는, 하이드로플루오르에테르 또는 하이드로플루오르카본을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2006-00260195 | 2006-09-26 | ||
| JP2006260195 | 2006-09-26 | ||
| JP2007199027A JP5248058B2 (ja) | 2006-09-26 | 2007-07-31 | 基板処理装置 |
| JPJP-P-2007-00199027 | 2007-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080028284A KR20080028284A (ko) | 2008-03-31 |
| KR100922664B1 true KR100922664B1 (ko) | 2009-10-19 |
Family
ID=39223616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070094029A KR100922664B1 (ko) | 2006-09-26 | 2007-09-17 | 기판처리장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080072931A1 (ko) |
| JP (1) | JP5248058B2 (ko) |
| KR (1) | KR100922664B1 (ko) |
| CN (1) | CN101154564B (ko) |
| TW (1) | TWI345808B (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20080236639A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Masahiro Kimura | Substrate treating apparatus |
| JP5234985B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-07-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN101780460B (zh) * | 2010-03-19 | 2015-04-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片清洗水槽和清洗方法 |
| JP5454407B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP5497607B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2014-05-21 | ファインマシーンカタオカ株式会社 | カプセル型の洗浄機 |
| CN103426722A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-04 | 联华电子股份有限公司 | 基板的处理方法 |
| EP2868398A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-06 | Cliris SA | Device and Method for Ultrasonic Cleaning |
| JP6342343B2 (ja) | 2014-03-13 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| CN105161399B (zh) * | 2015-08-06 | 2018-07-17 | 浙江德西瑞新能源科技股份有限公司 | 彩色多晶太阳能电池片的处理方法及其处理装置 |
| CN105161400B (zh) * | 2015-08-06 | 2018-07-17 | 浙江德西瑞新能源科技股份有限公司 | 多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置 |
| KR20220046698A (ko) * | 2019-08-29 | 2022-04-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN112582501A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-03-30 | 张家港博佑光电科技有限公司 | 一种硅太阳能电池rena多晶制绒加工方法 |
| CN114721231B (zh) * | 2022-04-17 | 2023-04-11 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种用于光刻版清洗的工装夹具 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10192797A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-28 | Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd | 洗浄方法 |
| JPH11333390A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Fujitsu Vlsi Ltd | 基板処理装置および方法 |
| JP2002252201A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005175037A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| JP3333830B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2002-10-15 | 株式会社タクマ | 基板のリンス及び乾燥の方法及び装置 |
| US6045624A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| US6413355B1 (en) * | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| US6050275A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2001144065A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄・乾燥処理方法および装置 |
| JP4219799B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2009-02-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2005191472A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
| DE112005000692B4 (de) * | 2004-04-02 | 2012-05-03 | Tokyo Electron Ltd. | Substratverarbeitungssystem, Substratverarbeitungsverfahren, Aufzeichnungsmedium und Software |
-
2007
- 2007-07-31 JP JP2007199027A patent/JP5248058B2/ja active Active
- 2007-09-11 TW TW096133920A patent/TWI345808B/zh active
- 2007-09-17 KR KR1020070094029A patent/KR100922664B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-19 US US11/857,659 patent/US20080072931A1/en not_active Abandoned
- 2007-09-26 CN CN2007101543560A patent/CN101154564B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10192797A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-28 | Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd | 洗浄方法 |
| JPH11333390A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Fujitsu Vlsi Ltd | 基板処理装置および方法 |
| JP2002252201A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005175037A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101154564B (zh) | 2013-01-30 |
| JP5248058B2 (ja) | 2013-07-31 |
| US20080072931A1 (en) | 2008-03-27 |
| KR20080028284A (ko) | 2008-03-31 |
| TWI345808B (en) | 2011-07-21 |
| CN101154564A (zh) | 2008-04-02 |
| TW200834695A (en) | 2008-08-16 |
| JP2008109086A (ja) | 2008-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100922664B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101377194B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR100830485B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101290936B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20080020988A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 | |
| JP6472726B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
| JP6456792B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
| JP2002050600A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3851486B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2017117938A (ja) | 基板液処理装置および基板液処理方法 | |
| JP4541422B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP3359494B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3892787B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4014573B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
| KR100949096B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
| KR100817969B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| CN111653502B (zh) | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 | |
| JP5425719B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
| JP3120782B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2008103435A (ja) | 液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラム | |
| JP3804933B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20020016077A (ko) | 습식 세정 장치의 건조 시스템 및 건조 방법 | |
| KR100918035B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 방법 | |
| KR20000015651A (ko) | 반도체장치 제조용 자동세정설비 | |
| KR101394088B1 (ko) | 반도체 세정장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130924 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140923 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150917 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160921 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 10 |