CN111653502B - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
一直以来，已知有在通过使有机溶剂的蒸气与液处理后的基片接触而将附着于基片的处理液置换成有机溶剂后，通过使附着于基片的有机溶剂挥发而使基片干燥的基片处理装置。
在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：贮存处理液的液处理槽；配置在液处理槽的上方的干燥室，其设置有有机溶剂的蒸气的供给部；和使多个基片在液处理槽与干燥室之间移动的移动机构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-91301号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种技术，其在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。
发明效果
依照本发明，能够在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
附图说明
图1是第一实施方式的基片处理装置的截面图。
图2是表示第一实施方式的释放部的结构的图。
图3是表示第一实施方式的基片处理装置执行的处理的顺序的一个例子的流程图。
图4是表示第一实施方式的送入处理的动作例的图。
图5是表示第一实施方式的液处理的动作例的图。
图6是表示第一实施方式的提升前处理的动作例的图。
图7是表示第一实施方式的提升处理的动作例的图。
图8是表示第一实施方式的提升处理的动作例的图。
图9是表示第一实施方式的提升处理的动作例的图。
图10是表示第一实施方式的提升后处理的动作例的图。
图11是表示第一实施方式的送出处理的动作例的图。
图12是表示第一实施方式的贮存处理的动作例的图。
图13是表示第一实施方式的贮存处理的动作例的图。
图14是表示第二实施方式的基片处理装置的截面图。
图15是表示第二实施方式的液处理的动作例的图。
图16是表示第二实施方式的提升前处理的动作例的图。
图17是表示第二实施方式的提升处理的动作例的图。
图18是表示第二实施方式的提升处理的动作例的图。
图19是表示第二实施方式的提升处理的动作例的图。
图20是表示第二实施方式的提升后处理的动作例的图。
图21是表示第二实施方式的送出处理的动作例的图。
图22是表示第二实施方式的贮存处理的动作例的图。
图23是表示第二实施方式的贮存处理的动作例的图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理装置
2 液处理槽
3 干燥室
4 保持部
5 移动机构
6 气体释放部
7 控制装置
61 下层喷嘴
61A 可动喷嘴
62 中层喷嘴
63 上层喷嘴。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的方式(以下，记作“实施方式”)进行详细说明。另外，本发明的基片处理装置、基片处理方法和存储介质并不由本实施方式限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
此外，以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，以Z轴正方向为铅垂向上的方向的直角坐标系。
(第一实施方式)
＜基片处理装置的结构＞
首先，参照图1和图2，说明第一实施方式的基片处理装置的结构。图1是第一实施方式的基片处理装置的示意性的截面图。此外，图2是表示第一实施方式的释放部的结构的图。
如图1所示，第一实施方式的基片处理装置1包括液处理槽2、干燥室3、保持部4、移动机构5、气体释放部6和控制装置7。
(液处理槽2)
液处理槽2包括贮存槽21、溢出槽22和密封槽23。液处理槽2能够收纳以垂直姿态(纵向的状态)并排的多个半导体基片(以下，记作“晶片W”)。在液处理槽2中，进行通过使多个晶片W浸渍于贮存在内部的处理液来处理多个晶片W的液处理。此处，使用去离子水作为处理液。此外，将用去离子水进行的多个晶片W的清洗处理作为液处理进行。
在贮存槽21，设置有进行处理液的供给的液释放部24和进行处理液的排出的排液机构25。
液释放部24包括多个(此处为2个)喷嘴241、供给通路242、处理液供给源243、冷却部244、阀245和流量调节器246。2个喷嘴241设置在贮存槽21的内侧底部。供给通路242将2个喷嘴241与处理液供给源243连接。处理液供给源243对2个喷嘴241供给处理液。
冷却部244例如是冷机(cooler)等，将从处理液供给源243供给的处理液冷却。例如，从处理液供给源243供给的处理液的温度为室温，冷却部244将从处理液供给源243供给的处理液冷却至室温以下的温度(例如20度以下)。
阀245用于开闭供给通路242。流量调节器246调节在供给通路242中流动的处理液的流量。冷却部244、阀245和流量调节器246与控制装置7的控制部71电连接，由控制部71控制。
排液机构25包括排液口251、排液通路252和阀253。排液口251设置在贮存槽21的内侧底部中央。排液通路252与排液口251连接。阀253设置在排液通路252的中途部，用于开闭排液通路252。阀253与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
溢出槽22形成在贮存槽21的上端外周部，贮存从贮存槽21溢出的处理液。密封槽23形成在溢出槽22的上端外周部，例如贮存水等液体。通过使后述的密封壁333浸渍于密封槽23所贮存的液体，能够将液处理槽2的内部与外部隔开。
(干燥室3)
干燥室3配置于比液处理槽2靠上方处，具有与贮存槽21连通的内部空间。干燥室3包括主体部31、盖部32和遮挡部33。主体部31的上方和下方开口。在主体部31设置有多个(此处，2个)排气口311。2个排气口311左右对称地设置在位于与多个晶片W的排列方向(Y轴方向)正交的方向(X轴方向)上的主体部31的侧面下部。2个排气口311与排气通路312连接，干燥室3内的气氛经排气口311和排气通路312被排出到外部。
盖部32配置在主体部31的上方，关闭主体部31的上部开口。盖部32构成为能够通过未图示的移动机构升降，能够通过使盖部32上升而将多个晶片W送入干燥室3或从干燥室3送出。
遮挡部33配置在主体部31的下方。遮挡部33包括遮挡门331和壳体332。遮挡门331构成为能够通过未图示的移动机构在壳体332的内部沿水平方向(此处为X轴方向)移动，关闭或打开主体部31的下部开口。
壳体332设置在液处理槽2与主体部31之间，在内部收纳遮挡门331。在壳体332的上部，形成有与主体部31的下部开口连通的开口，在壳体332的下部，形成有与贮存槽21的上方区域连通的开口。
在壳体332的下部设置有向下方突出的密封壁333。密封壁333浸渍于密封槽23所贮存的液体。由此，能够将液处理槽2内部与外部隔开。
(保持部4)
保持部4包括保持体41和支承保持体41的轴42。保持体41以垂直姿态保持多个晶片W。此外，保持体41以使多个晶片W在水平方向(此处为Y轴方向)上以一定的间隔并排的状态保持它们。轴42沿铅垂方向延伸，在下部支承保持体41。轴42可滑动地插通于设置在盖部32的上部的未图示的开口。
(移动机构5)
移动机构5例如包括电动机、滚珠螺杆、气缸等，与保持部4的轴42连接，使轴42升降。通过利用移动机构5使得轴42升降，由轴42支承的保持体41进行升降。由此，移动机构5能够使保持在保持体41的多个晶片W在贮存槽21与干燥室3之间移动。移动机构5与控制装置7的控制部71电连接，由控制部71控制。
(气体释放部6)
气体释放部6包括在干燥室3的内部多层配置的多个喷嘴61～63。多个喷嘴61～63配置于由移动机构5导致的多个晶片W的移动路径的侧方，向通过移动机构5上升的多个晶片W释放有机溶剂的蒸气。此处，作为有机溶剂使用IPA(异丙醇)。即，气体释放部6向多个晶片W释放IPA的蒸气(以下，记作“IPA蒸气”)。另外，有机溶剂并不限定于IPA。
如图2所示，喷嘴61～63具有沿多个晶片W的排列方向(Y轴方向)延伸的长条形状。在喷嘴61～63，沿长度方向设置有多个释放口600。作为释放口600，除了单纯的开口以外，还可以使用使IPA蒸气以雾状喷洒的喷洒用喷洒头(nozzle chip)。此外，喷嘴61～63也可以代替多个释放口600而具有沿长度方向延伸的狭缝状的释放口。
喷嘴61～63中配置在最下层的下层喷嘴61与第1供给***64连接。第1供给***64包括IPA供给源641、N2供给源642、阀643、644和加热部645。IPA供给源641供给液体状态的IPA，N2供给源642供给作为非活性气体的N2气体。
IPA供给源641经阀643与加热部645连接，N2供给源642经阀644与加热部645连接。阀643、644与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
在同时打开阀643、644的情况下，对加热部645供给从IPA供给源641供给的IPA与从N2供给源642供给的N2气体的混合流体。加热部645对该混合流体进行加热，由此生成IPA蒸气。此外，在阀643的后层设置有未图示的双流体喷嘴，对加热部645供给雾状的IPA与N2气体的混合流体。
另一方面，在仅打开阀644的情况下，从N2供给源642对加热部645供给N2气体。在这种情况下，加热部645对N2气体进行加热，由此生成热N2气体。加热部645与下层喷嘴61连接，供给IPA蒸气或热N2气体。
喷嘴61～63中配置在最上层的上层喷嘴63和配置在下层喷嘴61与上层喷嘴63之间的中层喷嘴62，与第2供给***65连接。
第2供给***65包括IPA供给源651、N2供给源652、阀653、654、656、657和加热部655。IPA供给源651供给液体状态的IPA，N2供给源652供给作为非活性气体的N2气体。
IPA供给源651经阀653与加热部655连接，N2供给源652经阀654与加热部655连接。阀653、654与制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
在同时打开阀653、654的情况下，加热部655对从IPA供给源651供给的IPA和从N2供给源652供给的N2气体的混合流体进行加热而生成IPA蒸气。此外，在仅打开阀654的情况下，加热部645对从N2供给源652供给的N2气体进行加热而生成热N2气体。
加热部655经阀656与中层喷嘴62连接，经阀657与上层喷嘴63连接。阀656、657与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
此处给出了具有对中层喷嘴62和上层喷嘴63供给IPA蒸气或热N2气体的第2供给***65的情况的例子。并不限定于此，也可以为，气体释放部6包括对中层喷嘴62供给IPA蒸气或热N2气体的供给部和对上层喷嘴63供给IPA蒸气或热N2气体的供给部。
如图1所示，气体释放部6将喷嘴61～63各设置例如2个。2个下层喷嘴61左右对称地设置在位于与多个晶片W的排列方向正交的方向(X轴方向)的干燥室3的侧面。2个中层喷嘴62和2个上层喷嘴63也是一样的。
喷嘴61～63中，下层喷嘴61配置在贮存槽21所贮存的处理液的液面的附近。具体而言，配置在比多个晶片W的上半部分从处理液的液面完全露出时的多个晶片W的上端的高度位置低的位置。例如，中层喷嘴62和上层喷嘴63设置在干燥室3的主体部31，与此相对，下层喷嘴61设置在更靠近贮存槽21的干燥室3的遮挡部33。具体而言，下层喷嘴61例如设置于在遮挡部33的壳体332的下部形成的、与贮存槽21的上方区域连通的开口的边缘部。
2个下层喷嘴61朝向斜下方地向多个晶片W释放IPA蒸气或热N2气体。此外，2个中层喷嘴62水平地向多个晶片W释放IPA蒸气或热N2气体，2个上层喷嘴63朝向斜上方地向多个晶片W释放IPA蒸气或热N2气体。
(控制装置7)
控制装置7例如是计算机，包括控制部71和存储部72。存储部72例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现，存储控制基片处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部71包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路，通过读取并执行存储部72中存储的程序来控制基片处理装置1的动作。
另外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装至控制装置7的存储部72。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜基片处理装置的具体的动作＞
接着，参照图3～图13，说明第一实施方式的基片处理装置1的具体的动作。图3是表示实施方式的基片处理装置1执行的处理的顺序的一个例子的流程图。图4是表示送入处理的动作例的图，图5是表示液处理的动作例的图。图6是表示提升前处理的动作例的图，图7～图9是表示提升处理的动作例的图，图10是表示提升后处理的动作例的图。图11是表示送出处理的动作例的图，图12和图13是表示贮存处理的动作例的图。
另外，在图5～图10等中，从喷嘴61～63延伸的箭头中，空心的箭头表示从喷嘴61～63释放热N2气体，实心的箭头表示从喷嘴61～63释放IPA蒸气。
如图3所示，在基片处理装置1中，进行将多个晶片W送入贮存槽21的送入处理(步骤S101)。具体而言，控制部71控制运送多个晶片W的未图示的基片运送装置，将多个晶片W交接到保持部4的保持体41(参照图4)。之后，控制部71控制移动机构5等使盖部32和轴42下降。由此，干燥室3的主体部31的上部开口被盖部32关闭，干燥室3成为密闭状态。
接着，在基片处理装置1中，进行利用处理液处理多个晶片W的液处理(步骤S102)。具体而言，控制部71控制移动机构5使轴42下降，由此使多个晶片W浸渍于贮存槽21所贮存的处理液(参照图5)。由此，多个晶片W被处理液处理。此处，对多个晶片W进行利用去离子水的冲洗处理。
控制部71在液处理中通过控制第1供给***64和第2供给***65，从喷嘴61～63向干燥室3内释放热N2气体。由此，能够将干燥室3内的氧从排气口311排出。此外，能够在后层的干燥处理之前对喷嘴61～63进行预热。
接着，在基片处理装置1中，进行使多个晶片W干燥的干燥处理。具体而言，作为干燥处理进行提升前处理(步骤S103)、提升处理(步骤S104)和提升后处理(步骤S105)。
首先，在步骤S103的提升前处理中，控制部71通过控制第1供给***64，将从下层喷嘴61释放的气体从热N2气体切换为IPA蒸气(参照图6)。由此，通过从下层喷嘴61释放IPA蒸气，在贮存槽21所贮存的处理液的液面形成IPA的液膜。如上所述，下层喷嘴61配置在贮存槽21所贮存的处理液的液面的附近，并且向斜下方释放IPA蒸气。因此，能够高效地在处理液的液面形成IPA的液膜。
接着，进行提升处理(步骤S104)。在提升处理中，控制部71控制移动机构5使轴42上升。由此，多个晶片W开始从处理液的液面露出(参照图7)。如上所述，下层喷嘴61配置在贮存槽21所贮存的处理液的液面的附近，而且向斜下方释放IPA蒸气。因此，下层喷嘴61能够在多个晶片W从处理液的液面露出后立即对多个晶片W供给IPA蒸气。此外，由于在提升前处理中立刻开始释放IPA蒸气，因此能够更可靠地对刚从处理液的液面露出的多个晶片W供给IPA蒸气。通过IPA蒸气与多个晶片W的表面的接触，附着于多个晶片W的表面的处理液被置换为IPA。
此处，在现有技术中，通过使干燥室成为由IPA蒸气充满的状态，将液处理后的晶片提升至被IPA蒸气充满的干燥室，而将附着于晶片的处理液置换为IPA。但是，随着近年来的图案的微小化和高高宽比化，在至完成晶片的提升的期间发生图案倒线的可能性变高。
与此相对，在基片处理装置1中，在处理液的液面的附近配置下层喷嘴61，从下层喷嘴61对刚从处理液的液面露出的晶片W立即供给IPA蒸气。因此，能够抑制在液处理结束后，至完成多个晶片W的提升结束的期间发生图案倒线。
此外，IPA蒸气因与晶片W的表面接触而冷却。由此，在晶片W的表面发生IPA蒸气的冷凝，由此在晶片W的表面吸附液体状的IPA，附着于晶片W的表面的处理液被置换为IPA。这样，为了将附着于晶片W的表面的处理液置换为IPA，优选IPA蒸气与晶片W的温度差大。另一方面，由于干燥室3内的温度高于处理液的温度，所以多个晶片W因从处理液被提升而温度上升。即，IPA蒸气与晶片W的温度差逐渐变小。
与此相对，在基片处理装置1中，由于从下层喷嘴61对刚从处理液的液面露出的晶片W立即供给IPA蒸气，因此能够对更接近处理液的温度的状态的晶片W供给高温的IPA蒸气。因此，能够高效地将附着于晶片W的表面的处理液置换为IPA。另外，由于第一实施方式的基片处理装置1具有冷却供给到贮存槽21的处理液的冷却部244，因此，例如与使用室温程度的处理液的情况相比，能够使IPA蒸气与晶片W的温度差更大。
此外，在现有技术中，通过从设置于干燥室内的喷嘴向干燥室的顶部释放IPA蒸气而使整个干燥室充满IPA蒸气。与此相对，在基片处理装置1中，对多个晶片W直接供给IPA蒸气。因此，与现有技术相比，能够提高对晶片W供给IPA蒸气的供给效率。换言之，能够减少IPA蒸气的消耗量。
而且，在基片处理装置1中，通过提升前处理而在处理液的液面形成IPA的液膜，由此能够在提升处理中从处理液提升晶片W的过程中，使存在于处理液的液面的IPA附着到晶片W的表面。由此，能够减少晶片W的表面残留的处理液的量，因此与不进行提升前处理的情况相比，能够提高从处理液到IPA的置换效率。
此外，在提升处理中，控制部71使气体释放部6释放IPA蒸气的释放位置与通过移动机构5上升的多个晶片W的高度位置相应地上升。具体而言，在第一实施方式中，控制部71随着多个晶片W的上升而按下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63的顺序开始释放IPA蒸气。
例如，控制部71在多个晶片W上升至从中层喷嘴62释放的IPA蒸气被供给到多个晶片W的上端部的位置的情况下，控制第2供给***65开始从中层喷嘴62释放IPA蒸气(参照图8)。此外，控制部71在多个晶片W上升至从上层喷嘴63释放的IPA蒸气被供给到多个晶片W的上端部的位置的情况下，控制第2供给***65开始从上层喷嘴63释放IPA蒸气(参照图9)。
如上所述，上层喷嘴63向斜上方释放IPA蒸气。因此，能够对晶片W的上部尽量长时间地持续供给IPA蒸气，例如能够抑制对晶片W的上部IPA蒸气供给不足的情况。另外，例如还考虑通过将上层喷嘴63设置在盖部32，来对晶片W的上部尽量长时间地持续供给IPA蒸气，不过由于是在升降的盖部32设置上层喷嘴63的结构，所以存在配管结构等复杂化的问题。
另外，控制部71例如能够基于来自在保持部4或移动机构5设置的编码器等位置检测部的输出信号检测多个晶片W的高度位置。此外，控制部71还可以基于自提升处理开始起的开始时间和作为已知的值的多个晶片W的提升速度来计算多个晶片W的高度位置。
这样，依照第一实施方式的基片处理装置1，通过随着多个晶片W的上升而按下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63的顺序开始释放IPA蒸气，而能够一直从晶片W的附近持续释放IPA蒸气。因此，能够高效地对提升中的晶片W供给IPA蒸气。此外，与在提升处理中从全部喷嘴61～63一直持续释放IPA蒸气的情况相比，能够抑制IPA和N2气体的消耗量。
另外，在第一实施方式中，中层喷嘴62和上层喷嘴63共用第2供给***65，因此在开始从中层喷嘴62释放IPA蒸气时，停止从上层喷嘴63释放热N2气体(参照图8)。但是，并不限定于此，例如，控制部71也可以开始从中层喷嘴62释放IPA蒸气，并且开始从上层喷嘴63是从IPA蒸气。此外，还能够通过在中层喷嘴62和上层喷嘴63独立地设置IPA蒸气的供给***，而一边持续从上层喷嘴63释放热N2气体，一边开始从中层喷嘴62释放IPA蒸气。
此外，控制部71还可以根据多个晶片W的高度位置依次将喷嘴61～63中释放IPA蒸气的喷嘴61～63切换为配置在更上层的喷嘴61～63。即，也可以控制部71在开始从中层喷嘴62释放IPA蒸气的情况下，控制第1供给***64，以将从下层喷嘴61释放的气体从IPA蒸气切换为热N2气体。此外，控制部71还可以在开始从上层喷嘴63释放IPA蒸气的情况下，控制第2供给***65以停止从中层喷嘴62释放IPA蒸气。这样一来，能够进一步抑制IPA蒸气的消耗量。
接着，进行提升后处理(步骤S105)。在提升后处理中，控制部71通过控制遮挡部33使遮挡门331移动，使遮挡门331配置在关闭干燥室3的主体部31的下部开口的位置。由此，成为干燥室3被盖部32和遮挡门331密闭的状态(参照图10)。此外，控制部71控制第2供给***65，从上层喷嘴63释放热N2气体。由此促使在多个晶片W的表面残存的IPA挥发而使得多个晶片W干燥。
另外，在提升后处理中，控制部71通过控制排液机构25将阀253打开，将处理液从贮存槽21排出。此时，控制部71控制第1供给***64，从下层喷嘴61释放热N2气体。
接着，在基片处理装置1中，进行送出处理(步骤S106)。在送出处理中，控制部71控制第2供给***65，以停止从上层喷嘴63释放热N2气体。此外，控制部71控制移动机构5等，使盖部32和保持部4上升(参照图11)。之后，控制部71控制未图示的基片运送装置，以将多个晶片W从保持体41交接到基片运送装置。
接着，在基片处理装置1中，进行贮存处理(步骤S107)。在贮存处理中，控制部71通过控制移动机构5等使盖部32和保持部4下降，将干燥室3密闭。此外，控制部71控制第1供给***64和第2供给***65，从喷嘴61～63释放热N2气体(参照图12)。然后，控制部71通过控制液释放部24将阀245打开，以对贮存槽21供给处理液。由此，处理液被贮存在贮存槽21中(参照图13)。当贮存处理结束时，控制部71结束一系列的基片处理。
(第二实施方式)
在上述的第一实施方式中，将多个喷嘴61～63多层地设置在干燥室3中，通过从下层喷嘴61起依次开始供给IPA蒸气，而随着多个晶片W的上升使IPA蒸气的释放位置上升。但是，随着多个晶片W的上升使IPA蒸气的释放位置上升的方式并不限定于上述的例子，也可以使喷嘴本身上升。
图14是第二实施方式的基片处理装置的截面图。如图14所示，第二实施方式的基片处理装置1A包括气体释放部6A。气体释放部6A包括可动喷嘴61A和固定喷嘴63A。
可动喷嘴61A是与多个晶片W一起上升的喷嘴。在第二实施方式中，可动喷嘴61A安装在保持部4的轴42上。此外，可动喷嘴61A靠近多个晶片W地配置在保持体41所保持的多个晶片W的上方，朝向下方地对多个晶片W释放IPA蒸气或热N2气体。
可动喷嘴61A例如是在与多个晶片W的排列方向正交的方向(X轴方向)上延伸的长条状的喷嘴。气体释放部6A沿多个晶片W的排列方向设置有多个可动喷嘴61A。在各可动喷嘴61A，沿长度方向设置有多个释放口。或者，在各可动喷嘴61A，设置有沿长度方向延伸的狭缝状的释放口。此外，可动喷嘴61A的结构并不限定于上述的例子，只要是能够从多个晶片W的上方朝向下方地向多个晶片W释放IPA蒸气等的结构即可。
可动喷嘴61A与第3供给***66连接。第3供给***66包括IPA供给源661、N2供给源662、阀663、664和加热部665。该第3供给***66的结构与上述的第1供给***64相同。即，在同时打开阀663、664的情况下，从加热部665对可动喷嘴61A供给IPA蒸气，在仅打开阀664的情况下，从加热部665对可动喷嘴61A供给热N2气体。阀663、664与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
固定喷嘴63A是固定在干燥室3的喷嘴，例如配置在与上述的上层喷嘴63相同的位置。固定喷嘴63A与上述的喷嘴61～63一样，沿多个晶片W的排列方向(Y轴方向)延伸，沿长度方向具有多个释放口。或者，也可以为在固定喷嘴63A设置有沿长度方向延伸的狭缝状的释放口。
固定喷嘴63A与第4供给***67连接。第4供给***67包括N2供给源671、阀672和加热部673，通过用加热部673对从N2供给源671供给的N2气体进行加热而生成热N2气体并将其供给至固定喷嘴63A。阀672与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。固定喷嘴63A将从第4供给***67供给的热N2气体例如朝向斜上方地向盖部32的顶面释放。
接着，参照图15～图23，说明第二实施方式的基片处理装置1A的具体的动作。图15是表示液处理的动作例的图，图16是表示提升前处理的动作例的图，图17～图19是表示提升处理的动作例的图，图18是表示提升处理的动作例的图，图20是表示提升后处理的动作例的图。此外，图21是表示送出处理的动作例的图，图22是表示贮存处理的动作例的图，图23是表示贮存处理的动作例的图。
如图15所示那样，在液处理中，控制部71控制第3供给***66和第4供给***67，从可动喷嘴61A和固定喷嘴63A释放热N2气体。
接着，如图16所示那样，在提升前处理中，控制部71控制第3供给***66，将从可动喷嘴61A释放的气体从热N2气体切换为IPA蒸气。由此，在贮存槽21所贮存的处理液的液面形成IPA的液膜。由于可动喷嘴61A朝向下方释放IPA蒸气，所以能够高效地向处理液的液面供给IPA蒸气。
接着，如图17所示那样，在提升处理中，控制部71控制移动机构5使轴42上升。由此，多个晶片W开始从处理液的液面露出。可动喷嘴61A靠近多个晶片W地配置在多个晶片W的上方。因此，可动喷嘴61A能够在多个晶片W从处理液的液面露出后立即对多个晶片W供给IPA蒸气。通过使IPA蒸气与多个晶片W的表面接触，附着于多个晶片W的表面的处理液被置换为IPA。
此外，图18和图19所示那样，在提升处理中，控制部71一边从可动喷嘴61A释放IPA蒸气一边使多个晶片W上升。由于可动喷嘴61A与多个晶片W一起上升，因此能够一直从接近多个晶片W的位置向多个晶片W持续释放IPA蒸气。由此，由于高效地对多个晶片W供给IPA蒸气，所以能够高效地将附着于多个晶片W的处理液置换为IPA。
另外，在提升处理中，控制部71也可以随着多个晶片W的上升而增加IPA蒸气的释放流量。可动喷嘴61A由于与多个晶片W一起上升，所以会逐渐远离处理液的液面。与此相对，通过使IPA蒸气的释放流量增加，能够使IPA蒸气到达远离可动喷嘴61A的位置。因此，通过随着多个晶片W的上升(即，可动喷嘴61A的上升)增加IPA蒸气的释放流量，无关乎可动喷嘴61A的高度位置而能够使IPA蒸气到达处理液的液面。因此，能够不依赖于可动喷嘴61A的高度位置，对多个晶片W中刚从处理液的液面露出的部分供给IPA蒸气。
接着，如图20所示那样，在提升后处理中，控制部71控制第3供给***66，将从可动喷嘴61A释放的气体从IPA蒸气切换为热N2气体。由此，通过对多个晶片W供给热N2气体，促进在多个晶片W的表面残存的IPA的挥发而使得多个晶片W干燥。
接着，如图21所示那样，在送出处理中，控制部71控制第4供给***67，停止从固定喷嘴63A释放热N2气体的释放停止。此外，控制部71控制移动机构5等，使盖部32和保持部4上升。之后，控制部71控制未图示的基片运送装置，将多个晶片W从保持体41交接到基片运送装置。
此处，在送出处理中，控制部71继续从可动喷嘴61A释放热N2气体。这样，利用第二实施方式的基片处理装置1A，在送出处理中也能够对多个晶片W持续供给热N2气体，因此，例如能够缩短前层的提升后处理的时间。
接着，如图22和图23所示那样，在贮存处理中，控制部71控制移动机构5等，使盖部32和保持部4下降，由此将干燥室3密闭。此外，控制部71控制第3供给***66和第4供给***67，从可动喷嘴61A和固定喷嘴63A释放热N2气体。
(其它实施方式)
在第一实施方式中，对下层喷嘴61朝向斜下方地释放IPA蒸气的情况的例子进行了说明，不过下层喷嘴61也可以水平地释放IPA蒸气。通过从下层喷嘴61水平或朝向斜下方地释放IPA蒸气，能够迅速地对从处理液的液面露出的多个晶片W供给IPA蒸气。此外，通过从下层喷嘴61水平地释放IPA蒸气，能够使得IPA蒸气不直接向处理液的液面释放，因此能够抑制液面的波动。
在第二实施方式中，对可动喷嘴61A安装在保持部4利用移动机构5与多个晶片W一起上升的情况的例子进行了说明。不过并不限定于此，气体释放部6A也可以具有与使可动喷嘴61A升降的移动机构5不同的其它移动机构。
如上所述，实施方式的基片处理装置(作为一个例子为基片处理装置1、1A)包括液处理槽(作为一个例子为液处理槽2)、移动机构(作为一个例子为移动机构5)、释放部(作为一个例子为气体释放部6、6A)和控制部(作为一个例子为控制部71)。液处理槽贮存处理液(作为一个例子为去离子水)。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片(作为一个例子为晶片W)移动至处理液的液面的上方。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂(作为一个例子为IPA)的蒸气。控制部使释放部释放蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。
由此，能够一直从多个基片的附近持续释放有机溶剂的蒸气，因此能够高效地对提升中的多个基片供给有机溶剂的蒸气。因此，利用实施方式的基片处理装置，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
释放部(作为一个例子为气体释放部6)也可以包括多层配置的多个喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63)。在这种情况下，控制部(作为一个例子为控制部71)也可以使从释放部释放蒸气的动作从多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61)起依次开始。
随着多个基片的上升，从配置在下层的喷嘴起依次(作为一个例子为按下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63的顺序)开始释放有机溶剂的蒸气，由此能够一直从多个基片的附近持续释放有机溶剂的蒸气。此外，与在多个基片的上升中从全部多个喷嘴一直持续释放有机溶剂的蒸气的情况相比，能够抑制有机溶剂的蒸气的消耗量。
控制部(作为一个例子为控制部71)也可以随着多个基片的上升，将多个喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63)中释放有机溶剂的蒸气的喷嘴依次切换为配置在更上层的喷嘴。即，例如也可以为，首先仅从下层喷嘴61释放有机溶剂的蒸气，然后仅从中层喷嘴62释放有机溶剂的蒸气，最后仅从上层喷嘴63释放有机溶剂的蒸气。由此，能够抑制有机溶剂的蒸气的消耗量。
多个喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63)也可以配置在由移动机构导致的多个基片的移动路径的侧方。在这种情况下，多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61)也可以水平或朝向斜下方地释放蒸气。由此，能够迅速地对从处理液的液面露出的多个基片供给有机溶剂的蒸气。
多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴(作为一个例子为下层喷嘴61)也可以配置在与多个基片的上半部分完全从液面露出时的多个基片的上端的高度位置相比低的位置。通过这样将多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴配置在处理液的液面的附近，能够在多个基片刚从处理液的液面露出后就对多个基片供给有机溶剂的蒸气。
释放部(作为一个例子为气体释放部6A)还可以具有与多个基片一起上升的喷嘴(作为一个例子为可动喷嘴61A)。通过使喷嘴与多个基片一起上升，无关乎多个基片的高度位置而能够对多个基片一直从相同的位置供给有机溶剂的蒸气，因此能够高效地对提升中的多个基片供给有机溶剂的蒸气。因此，利用实施方式的基片处理装置(作为一个例子为基片处理装置1A)，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
喷嘴(作为一个例子为可动喷嘴61A)也可以设置在移动机构(作为一个例子为移动机构5)。由此，在与使多个基片上升的移动机构之外另外设置使喷嘴上升的移动机构的情况相比，能够简化基片处理装置(作为一个例子为基片处理装置1A)的结构。
喷嘴(作为一个例子为可动喷嘴61A)也可以配置在多个基片的上方。在这种情况下，喷嘴也可以朝向下方地向多个基片的上端释放蒸气。由此，无关乎多个基片的高度位置而能够一直从多个基片的上方对多个基片持续供给有机溶剂的蒸气。此外，通过从多个基片的上方向下释放有机溶剂的蒸气，首先，附着于多个基片的上部的处理液被置换为有机溶剂。然后，由于液化的有机溶剂因重力而从基片的板面滑落，所以能够高效地将附着于多个基片的上部以外的部分的处理液置换为有机溶剂。
释放部(作为一个例子为气体释放部6、6A)也可以在多个基片从处理液的液面露出之前开始进行有机溶剂的蒸气的释放。由此，在多个基片从处理液的液面露出之前，能够在处理液的液面形成有机溶剂的液膜。因此，之后在从处理液提升多个基片的过程中，能够使处理液的液面上存在的有机溶剂附着到基片的表面。由此，能够减少在基片的表面残存的处理液的量，因此能够提高从处理液到有机溶剂的置换效率。
实施方式的基片处理装置(作为一个例子为基片处理装置1、1A)也可以具有冷却处理液的冷却部(作为一个例子为冷却部244)。由此，与不对处理液进行冷却的情况相比，能够使有机溶剂的蒸气与基片的温度差更大。因此，能够提高从处理液到有机溶剂的置换效率。
应当认为，本发明的实施方式在所有方面均为例示而不具有限定性。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。此外，上述的实施方式也可以在不脱离所附的申请的范围及其主旨的情况下以各种各样的方式省略、置换、变更。

Claims (12)

1.基片处理装置，其特征在于，包括：
贮存处理液的液处理槽；
使浸渍于所述液处理槽的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动机构；
释放部，其向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气，以使得附着于所述多个基片的从所述液面露出的部分的所述处理液被置换为所述有机溶剂；和
控制部，其在将所述多个基片提升之前利用所述释放部释放所述蒸气以在所述处理液的液面形成所述有机溶剂的液膜，由此，在提升所述多个基片时，使存在于所述处理液的液面的所述有机溶剂附着到所述多个基片的表面，之后，通过使所述释放部释放所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升，以用所述有机溶剂置换附着于所述多个基片的所述处理液。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部包括多层配置的多个喷嘴，
所述控制部使从所述释放部释放所述蒸气的动作从所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴起依次开始。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部随着所述多个基片的上升而将所述多个喷嘴中释放所述蒸气的喷嘴依次切换为配置在更上层的所述喷嘴。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个喷嘴配置在由所述移动机构导致的所述多个基片的移动路径的侧方，
所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴水平或朝向斜下方地释放所述蒸气。
5.如权利要求2～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴，配置在比所述多个基片的上半部分完全从所述液面露出时的所述多个基片的上端的高度位置低的位置。
6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部包括与所述多个基片一起上升的喷嘴。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴设置在所述移动机构。
8.如权利要求6或7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴配置在所述多个基片的上方，朝向下方地向所述多个基片的上端释放所述蒸气。
9.如权利要求1～8中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部在所述多个基片从所述处理液的液面露出之前开始释放所述蒸气。
10.如权利要求1～9中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括冷却所述处理液的冷却部。
11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
使多个基片浸渍于液处理槽所贮存的处理液的液处理工序；
在所述液处理工序后，使所述多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动工序；和
在所述移动工序中，向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气，以使得附着于所述多个基片的从所述液面露出的部分的所述处理液被置换为所述有机溶剂的释放工序，
所述释放工序中，在将所述多个基片提升之前利用所述释放部释放所述蒸气以在所述处理液的液面形成所述有机溶剂的液膜，由此，在提升所述多个基片时，使存在于所述处理液的液面的所述有机溶剂附着到所述多个基片的表面，之后，通过使所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升，以用所述有机溶剂置换附着于所述多个基片的所述处理液。
12.一种存储介质，其是存储有在计算机上动作的控制基片处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，该存储介质的特征在于：
所述程序在执行时使计算机控制所述基片处理装置，以使得进行权利要求11所述的基片处理方法。
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