KR100907588B1 - 노즐 및 그것을 구비하는 기판처리장치 - Google Patents

노즐 및 그것을 구비하는 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

노즐장치의 노즐은, 수평방향으로 뻗은 암 관부와, 암 관부의 타단으로부터 아래쪽으로 만곡하도록 형성된 하류관부를 가진다. 노즐에 있어서는, 제2 수지관 내부에 금속관이 설치되어 있다. 또한, 그 금속관의 내부에 제1 수지관이 설치되어 있다. 제1 수지관과 제2 수지관의 사이에 있어서, 금속관의 선단부에는 보스가 장착되어 있다. 노즐의 선단부에 있어서는, 제1의 수지관의 바깥둘레면, 제2 수지관의 단면 및 보스의 단면이 용접용 수지에 의해 용접되어 있다. 이렇게 하여, 금속관은, 제1 수지관, 제2 수지관, 보스 및 용접용 수지에 의해 확실하게 피복되어 있다.
Figure R1020070100880
노즐, 기판처리장치

Description

노즐 및 그것을 구비하는 기판처리장치{NOZZLE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은, 처리액을 토출하는 노즐 및 그것을 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리기판, 액정표시장치용 유리기판, 플라즈마 디스플레이용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 등의 기판에 여러가지 처리를 행하기 위해서, 기판처리장치가 이용되고 있다.
예를 들면, 기판의 세정처리에서는, 수평방향의 노즐 암의 선단에 지지된 처리액공급노즐로부터 회전하는 기판상에 처리액으로서 세정액 및 린스액이 순서대로 공급된다.
세정액으로서는, 버퍼드 불산(BHF), 희(稀) 불산(DHF), 불산, 염산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 옥살산 및 암모니아수 등의 약액이 사용된다.
처리액으로서 약액을 사용하는 기판처리장치에서는, 금속제의 부재를 이용하면, 금속의 부식 및 금속이온의 용출에 의한 금속오염이 생기기 때문에, 처리액공 급노즐, 노즐 암 및 배관 등의 재료로서 금속을 사용할 수 없다. 그래서, 처리액공급노즐, 노즐 암 및 배관 등이 내약품성이 뛰어난 불소수지 등의 수지재료(樹脂材料)에 의해 형성된다.
예를 들면, 일본국 특허공개 2002-170803호 공보의 기판처리장치에 있어서는, 약액이 흐르는 약액혼합부의 하류측과 처리액공급노즐의 상류측을 접속하는 배관이, 내약품성이 뛰어난 불소수지로 이루어진 튜브에 의해 형성되어 있다.
그렇지만, 불소수지 등의 수지재료는 절연성재료이기 때문에, 처리액이 처리액공급노즐 내를 유동(流動)하면, 처리액과 처리액공급노즐의 내표면과의 사이의 마찰에 의해 정전기가 발생하여, 처리액이 대전(帶電)한다.
대전량(대전전위의 절대치)이 큰 처리액이, 처리대상이 되는 기판에 공급되면, 그 순간에 처리액으로부터 기판으로의 방전에 의한 스파크가 발생해서 기판 상에 형성된 회로 및 소자에 손상을 주는 경우가 있다.
또한, 노즐 암은, 기판의 바깥쪽의 위치로부터 기판의 중앙부 윗쪽까지 수평으로 뻗어 있기 때문에, 처리액공급노즐을 안정하게 지지하기 위해서는 강도가 필요하다. 상기한 바와 같이, 노즐 암을 수지에 의해 형성할 경우에는, 강도를 확보하기 위해서 노즐 암의 두께를 크게 할 필요가 있다.
그로써, 노즐 암의 외경이 커지는 동시에 중량이 커진다. 그 때문에, 노즐 암의 구동계의 부하가 커진다. 또한, 노즐 암의 표면적이 커지므로, 비산(飛散)한 처리액의 부착량도 많아진다.
노즐 암에 부착된 처리액이 기판위로 낙하하면, 처리불량의 원인이 된다. 또 한, 노즐 암에 부착된 처리액이 건조하면, 파티클이 되어서 기판에 부착될 경우도 있다.
또한, 수지에 의해 형성된 노즐 암은, 가요성을 가지므로, 처리액이 반응에 의해 진동하면, 노즐 암 및 처리액공급노즐도 진동한다. 또한, 처리액공급노즐로부터의 처리액의 토출시작시의 힘로 처리액공급노즐이 진동하기 쉽다. 그로써, 처리액이 기판상의 불규칙한 위치에 불규칙한 힘로 공급되므로, 기판의 처리불량이 생길 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 대전한 처리액으로부터 기판으로의 방전이 억제되는 동시에, 소형이면서 경량으로 충분한 강도가 확보된 노즐 및 그것을 구비한 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 특징에 따른 노즐은, 소정의 지지부재에 지지되어, 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐로서, 처리액이 내부를 유통(流通)하여, 처리액을 토출하는 토출구를 단부(端部)에 가지고 있으며, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관(樹脂管)과, 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되어, 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관을 구비한 것이다.
이 노즐에 있어서는, 처리액이 유통하는 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 금속관이 설치되고 있고, 제1 수지관의 토출구로부터 기판에 처리액이 토출된다.
금속관은 도전성(導電性)을 가지고, 제1 수지관의 바깥둘레를 덮고 있다. 이로써, 처리액이 대전되어 있는 경우라도, 대전한 처리액이 제1 수지관 중, 금속관에 덮여있는 부분에 도입되는 것에 의해, 처리액의 대전량이 저감된다. 그 결과, 처리액과 기판과의 전위차(電位差)가 감소하고, 처리액으로부터 기판으로의 방전이 억제되어, 기판위에 형성된 회로 또는 소자 등의 여러가지 패턴에 손상을 주는 것이 방지된다.
또, 금속관의 내주면과 처리액은, 제1 수지관에 의해 격리되어 있으므로, 금속관에 처리액이 접촉하지 않는다. 이로써, 처리액에 의한 금속관의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출(溶出)이 방지된다.
이 금속관은 높은 강성(剛性)을 가지므로, 금속관의 두께를 크게 하지 않아도, 노즐이 지지부재에 의해 확실하게 지지된다. 그 결과, 소형이면서 경량으로 충분한 강도가 확보된 노즐을 얻을 수 있다.
또한, 금속관은 높은 강성을 가지므로, 제1 수지관의 내부를 통과하는 처리액이 반응에 의해 진동해도, 제1 수지관의 단부에 있는 토출구가 크게 진동하지 않는다. 또한, 토출시작시의 처리액의 힘에 의해, 토출구가 크게 진동할 일도 없다. 그 결과, 처리액이 토출구로부터 기판에 양호하게 공급되어, 기판의 처리불량이 방지된다.
(2) 제1 수지관의 소정의 수지재료는, 불소수지를 포함하고 있어도 좋다.
이 경우, 금속관의 내주면과 처리액은, 내약품성이 뛰어난 불소수지로 이루어지는 제1 수지관에 의해 격리되어 있다. 이로써, 금속관과 처리액의 접촉이 더 확실하게 방지된다. 그 결과, 처리액에 의한 금속관의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출이 더 확실하게 방지된다.
(3) 노즐은, 금속관의 바깥둘레면을 덮도록 설치되어, 소정의 수지재료로 이루어지는 제2 수지관을 더 갖추고 있어도 좋다.
이 경우, 금속관의 바깥둘레면이 제2 수지관에 의해 노즐 주위의 분위기로부터 격리되어 있으므로, 노즐의 주위로 비산하고 있는 처리액의 물보라나 분위기가 금속관에 접촉하지 않는다. 이로써, 처리액의 물보라나 분위기에 의한 금속관의 부식이 방지된다.
(4) 제2 수지관의 소정의 수지재료는, 도전성 수지를 포함하고 있어도 좋다.
이 경우, 제2 수지관 및 금속관이 모두 도전성을 가지고, 제1 수지관의 바깥둘레를 덮고 있다. 이로써, 처리액이 대전되어 있는 경우라도, 대전한 처리액이 제1 수지관 중, 금속관에 덮여있는 부분에 도입됨으로써, 처리액의 대전량이 충분히 저감된다. 그 결과, 처리액과 기판과의 전위차가 감소하고, 처리액으로부터 기판으로의 방전이 확실하게 억제되어, 기판위에 형성된 회로 또는 소자 등의 여러가지 패턴에 손상을 주는 것이 확실하게 방지된다.
(5) 금속관은, 접지되어도 좋다. 이 경우, 금속관과 기판의 전위차가 거의 없어진다. 다시 말해, 금속관 및 기판의 대전전위가 모두 거의 O이 된다. 이로써, 대전한 처리액이 제1 수지관 중, 금속관에 덮여있는 부분에 도입되는 것에 의해, 처리액의 대전량이 더 충분히 저감된다. 그 결과, 처리액으로부터 기판으로의 방전이 더 확실하게 억제되어, 처리액이 기판위로 형성된 회로 또는 소자 등의 여러가 지 패턴에 손상을 주는 것이 확실하면서 충분히 방지된다.
(6) 노즐은, 금속관의 표면을 피복하는 수지막을 더 구비해도 좋다.
이 경우, 금속관의 표면이 수지막에 의해 피복되므로, 금속관에 처리액이 접촉하는 것이 확실하게 방지된다. 이로써, 처리액에 의한 금속관의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출이 확실하게 방지된다.
(7) 수지막은, 불소수지이여도 좋다. 이 경우, 금속관의 표면이, 내약품성이 뛰어난 불소수지로 이루어진 수지막에 의해 피복되어 있으므로, 금속관과 처리액과의 접촉이 더 확실하게 방지된다. 이로써, 처리액에 의한 금속관의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출이 더 확실하게 방지된다.
(8) 금속관은, 스텐레스강으로 이루어져도 좋다. 스텐레스강은 내식성이 뛰어나면서, 높은 강도를 가진다. 이로써, 금속관이 부식되는 것이 충분히 방지되는 동시에, 강도를 유지하면서 금속관의 두께를 충분히 얇게 할 수 있다.
(9) 제1 수지관의 단부는, 금속관의 단부로부터 돌출해도 좋다.
이 경우, 금속관의 내주면 전체를 제1 수지관에 의해 확실하게 피복하는 것이 가능하다.
또한, 제1 수지관의 단부에 설치되는 토출구가, 금속관의 단부로부터 돌출한다. 그로써, 토출구로부터 토출된 처리액이, 금속관의 단부에 접촉하지 않으면서 기판에 양호하게 공급된다.
(10) 노즐은, 금속관의 단부를 봉지하는 수지제의 봉지부재(封止部材)를 더 구비해도 좋다. 이 경우, 금속관의 단부가 수지제의 봉지부재에 의해 봉지되어 있 으므로, 금속관의 단부에 처리액이 접촉하지 않는다. 이로써, 처리액에 의한 금속관의 단부의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출이 방지된다.
(11) 본 발명의 다른 특징을 따르는 기판처리장치는, 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, 기판을 파지하는 기판파지부와, 기판파지부에 의해 파지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐을 갖추고, 노즐은, 소정의 지지부재에 의해 지지되어, 처리액이 내부를 유통하여, 처리액을 토출하는 토출구를 단부에 가지고 있으며, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관과, 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되어, 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관을 구비하는 것이다.
이 기판처리장치에 있어서는, 기판파지부에 의해 기판이 파지되어, 기판파지부에 의해 파지된 기판에 노즐로부터 처리액이 공급된다.
이 노즐에 있어서는, 처리액이 유통하는 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 금속관이 설치되어 있으며, 제1 수지관의 토출구로부터 기판에 처리액이 토출된다.
금속관은 도전성을 가지고, 제1 수지관의 바깥둘레를 덮고 있다. 이로써, 처리액이 대전되어 있는 경우라도, 대전한 처리액이 제1 수지관 중, 금속관에 덮여있는 부분에 도입되는 것에 의해, 처리액의 대전량이 저감된다. 그 결과, 처리액과 기판과의 전위차가 감소하고, 처리액으로부터 기판으로의 방전이 억제되어, 기판위로 형성된 회로 또는 소자 등의 여러가지 패턴에 손상을 주는 것이 방지된다.
또, 금속관의 내주면과 처리액은, 제1 수지관에 의해 격리되어 있으므로, 금속관에 처리액이 접촉하지 않는다. 이로써, 처리액에 의한 금속관의 부식 및 처리액으로의 금속이온의 용출이 방지된다.
이 금속관은 높은 강성을 가지므로, 금속관의 두께를 크게 하지 않아도, 노즐이 지지부재에 의해 확실하게 지지된다. 그 결과, 소형이면서 경량으로 충분한 강도가 확보된 노즐을 얻을 수 있다.
또한, 금속관은 높은 강성을 가지므로, 제1 수지관의 내부를 통과하는 처리액이 반응에 의해 진동해도, 제1 수지관의 단부에 있는 토출구가 크게 진동할 일은 없다. 또한, 토출시작시의 처리액의 힘에 의해, 토출구가 크게 진동하는 것도 없다. 그 결과, 처리액이 토출구로부터 기판에 양호하게 공급되어, 기판의 처리불량이 방지된다.
본 발명에 의하면, 대전한 처리액으로부터 기판으로의 방전이 억제되는 동시에, 처리액의 공급을 양호하게 행할 수 있고, 기판의 처리불량을 확실하게 방지하는 기판처리장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관한 노즐 및 그것을 구비하는 기판처리장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 유리기판, PDP(플라즈마 디스플레이 판넬)용 유리기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판 등을 말한다.
또한, 처리액에는 약액 및 린스액이 포함된다. 약액이란, 예를 들면 버퍼드 불산(BHF), 희 불산(DHF), 불산(불화수소수:HF), 염산, 황산, 질산, 인산, 아세트 산, 옥살산 혹은 암모니아수 등의 수용액, 또는 그것들의 혼합용액을 말한다. 그리고, 혼합용액으로서는, 예를 들면 고온으로 가열된 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H202)의 혼합액(이하, SPM이라 약기한다), 또는 염산(HCl)과 과산화수소수의 혼합액(이하, SC2이라고 약기한다)이 있다.
린스액이란, 예를 들면 순수(純水), 탄산수, 오존수, 자기수, 환원수(수소수）혹은 이온수, 또는 IPA(isopropyl alcohol)등의 유기용제를 말한다.
(1)기판처리장치의 구성
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리장치의 평면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판처리장치(100)는, 처리영역(A, B)을 가지고, 처리영역(A, B)사이에 반송영역(C)을 가진다.
처리영역(A)에는, 제어부(4), 유체박스부(2a, 2b), 세정처리부(5a, 5b)가 배치되어 있다.
도 1의 유체박스부(2a, 2b)는, 각각 세정처리부(5a, 5b)로의 약액 및 린스액의 공급 및 세정처리부(5a, 5b)로부터의 폐기(배액)등에 관한 배관, 이음매, 밸브, 유량계, 레귤레이터, 펌프, 온도조절기, 처리액저장탱크 등의 유체관련기기(流體關聯機器)를 수납한다.
세정처리부(5a, 5b)에는, 본 발명의 일 실시형태에 관한 노즐장치가 설치되어 있다. 세정처리부(5a, 5b)에서는, 약액에 의한 기판(W)의 세정처리(이하, 약액처리라고 부른다) 및 린스액에 의한 기판(W)의 세정처리(이하, 린스처리라고 부른 다)가 행해진다. 본 실시형태에 있어서, 예를 들면 세정처리부(5a, 5b)에서 사용되는 약액은 SPM, SC2 또는 불산이며, 린스액은 순수이다. 노즐장치의 상세한 것은 후술한다.
처리영역(B)에는, 유체박스부(2c, 2d) 및 세정처리부(5c, 5d)가 배치되어 있다. 유체박스부(2c, 2d) 및 세정처리부(5c, 5d)의 각각은, 상기 유체박스부(2a, 2b) 및 세정처리부(5a, 5b)와 같은 구성을 가지고, 세정처리부(5c, 5d)는 세정처리부(5a, 5b)와 같은 처리를 행한다.
이하, 세정처리부(5a, 5b, 5c, 5d)를 처리유닛이라 총칭한다. 반송영역(C)에는, 기판반송로보트(CR)가 설치되어 있다.
처리영역(A, B)의 일단부측에는, 기판(W)의 반입 및 반출을 행하는 인덱서(ID)가 배치되고 있으며, 인덱서로보트(IR)는 인덱서(ID)의 내부에 설치되어 있다. 인덱서(ID)에는, 기판(W)을 수납하는 캐리어(1)가 재치(載置)된다.
인덱서(ID)의 인덱서로보트(IR)는, 화살표U의 방향으로 이동하고, 캐리어(1)로부터 기판(W)을 꺼내서 기판반송로보트(CR)에 건네 주고, 반대로, 일련의 처리가 시행된 기판(W)을 기판반송로보트(CR)로부터 받아서 캐리어(1)로 돌려준다.
기판반송로보트(CR)는, 인덱서로보트(IR)로부터 받은 기판(W)을 지정된 처리유닛에 반송하고, 또는, 처리유닛으로부터 받은 기판(W)을 다른 처리유닛 또는 인덱서로보트(IR)에 반송한다.
본 실시형태에 있어서는, 세정처리부(5a∼5d) 중의 어느 것인가에 있어서 기판(W)에 약액처리 및 린스처리가 행하여진 후에, 기판반송로보트(CR)에 의해 기 판(W)이 세정처리부(5a∼5d)로부터 반출되어, 인덱서로보트(IR)를 통하여 캐리어(1)에 반입된다.
제어부(4)는, CPU(중앙연산처리장치)를 포함하는 컴퓨터 등으로부터 이루어지고, 처리영역(A, B)의 각 처리유닛의 동작, 반송영역(C)의 기판반송로보트(CR)의 동작 및 인덱서(ID)의 인덱서로보트(IR)의 동작을 제어한다.
(2)세정처리부 및 노즐장치의 구성
도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리장치(100)의 세정처리부(5a∼5d) 및 유체박스부(2a∼2d)의 구성을 설명하기 위한 도이다. 도 3은, 도 2의 세정처리부(5a∼5d)에 설치되는 노즐장치의 외관사시도이다.
도 2의 세정처리부(5a∼5d)는, 기판(W)의 표면에 부착된 유기물 등의 불순물을 약액처리에 의해 제거한 후, 린스처리를 행한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 세정처리부(5a∼5d)는, 기판(W)을 수평으로 파지하는 동시에 기판(W)의 중심을 통과하는 연직된 회전축의 주변으로 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀 척(21)을 구비한다. 스핀 척(21)은, 척 회전구동기구(36)에 의해 회전되는 회전축(25)의 상단부에 고정되어 있다.
기판(W)은, 약액처리 및 린스처리를 행할 경우에, 스핀 척(21)에 의해 수평으로 파지된 상태로 회전된다. 그리고, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에서는, 흡착식의 스핀 척(21)을 이용하고 있지만, 기판(W)의 가장자리부의 복수개소만을 협지해서 기판(W)을 파지하는 기계식의 스핀 척을 이용해도 좋다.
스핀 척(21)의 바깥쪽에는, 윗쪽으로부터 뻗는 회동축(63)이 노즐장치이동기 구(64)에 의해 회전과 상하로 움직이는 것이 가능하도록 설치되어 있다. 회동축(63)의 하단부에는, 스핀 척(21)에 의해 파지되는 기판(W)보다 윗쪽에 위치하도록 노즐장치(600)가 장착되어 있다.
스핀 척(21)은, 처리컵(23)안에 수용되어 있다. 처리컵(23)의 안쪽에는, 통형상의 경계벽(33)이 설치되어 있다. 또한, 스핀 척(21)의 주위를 둘러싸도록, 기판(W)의 린스처리에 사용된 린스액을 회수해서 폐기하기 위한 폐기공간(31)이 형성되어 있다. 폐기공간(31)은, 스핀 척(21)의 바깥둘레를 따라 둥근모양(環狀)이면서 홈모양으로 형성되어 있다.
또한, 폐기공간(31)을 둘러싸도록, 처리컵(23)과 경계벽(33)과의 사이에 기판(W)의 약액처리에 사용된 약액을 회수해서 기판처리장치(100)안에서 순환시키기 위한 순환액공간(32)이 형성되어 있다. 순환액공간(32)은, 폐기공간(31)의 바깥둘레를 따라 둥근모양이면서 홈모양으로 형성되어 있다.
폐기공간(31)에는, 도시하지 않는 공장의 폐기설비로 린스액을 이끌기 위한 폐기관(34)이 접속되고, 순환액공간(32)에는, 도시하지 않는 약액회수장치로 약액을 이끌기 위한 회수관(35)이 접속되어 있다.
처리컵(23)의 윗쪽에는, 기판(W)로부터의 약액 또는 린스액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 스플래쉬 가드(24)가 설치되어 있다. 이 스플래쉬 가드(24)는, 회전축(25)에 대하여 회전 대칭한 형상으로 되어 있다.스플래쉬 가드(24)의 상단부의 내면에는, 단면이 <자 모양인 폐기안내홈(41)이 둥근 모양으로 형성되어 있다.
또한, 스플래쉬 가드(24)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사하는 경사면에서 이루어지는 회수액안내부(42)가 형성되어 있다. 회수액안내부(42)의 상단부 부근에는, 처리컵(23)의 경계벽(33)을 받아들이기 위한 경계벽수납홈(43)이 형성되어 있다.
스플래쉬 가드(24)는, 볼나사기구 등으로 구성된 가드승강구동기구(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있다. 가드승강구동기구는, 스플래쉬 가드(24)를, 그 상단부가 스핀 척(21)의 상단부와 거의 같은 또는 스핀 척(21)의 상단부보다 낮은 반입반출위치(P1)와, 회수액안내부(42)가 스핀 척(21)에 파지된 기판(W)의 바깥둘레단면에 대향하는 순환위치(P2)와, 폐기안내홈(41)이 스핀 척(21)에 파지된 기판(W)의 바깥둘레단면에 대향하는 폐기위치(P3)의 사이에서 상하로 움직이게 한다.
스핀 척(21)위로 기판(W)이 반입될 때, 및 스핀 척(21)위로부터 기판(W)이 반출되는 때에는, 스플래쉬 가드(24)는 반입반출위치(P1)로 하강한다.
스플래쉬 가드(24)가 순환위치(P2)에 있을 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 약액이 회수액안내부(42)에 의해 순환액공간(32)으로 안내되어, 회수관(35)을 통해서 도시하지 않는 약액회수장치에 보내진다. 한편, 약액회수장치에 의해 회수되는 약액은, 기판처리장치(100)안에서 순환하여, 다시 약액처리에 사용할 수 있다.
한편, 스플래쉬 가드(24)가 폐기위치(P3)에 있을 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 린스액이 폐기안내홈(41)에 의해 폐기공간(31)으로 안내되어, 폐기관(34)을 통해서 도시하지 않는 공장의 폐기설비에 보내진다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 노즐장치(600)는, 3개의 노즐(60a, 60b, 60c), 블록형상 연결부재(61), 홀더(62) 및 회전대(62S)를 갖춘다.
노즐(60a∼60c)은, 동일형상을 가진다. 노즐(60a∼60c)의 각각은, 상류관부(上流管部)(Nl), 암 관부(N2) 및 하류관부(下流管部)(N3)로부터 일체적으로 구성되어 있다.
암 관부(N2)는 수평방향으로 뻗어서, 암 관부(N2)의 일단으로부터 윗쪽으로 만곡하도록 상류관부(N1)가 연직방향으로 뻗고, 암 관부(N2)의 타단으로부터 아래쪽으로 만곡하도록 하류관부(N3)가 연직방향으로 뻗어 있다.
블록형상 연결부재(61)에는 3개의 관통공(貫通孔)(도시하지 않음)이 형성되고 있으며, 이들의 관통공에 노즐(60a∼60c)의 상류관부(N1)가 삽입된다.
이로써, 3개의 노즐(60a∼60c)이, 블록형상 연결부재(61)에 의해 일체적으로 고정된다.
회전대(62S)는, 원형부(S1) 및 구형부(矩形部)(S2)로 이루어진다. 회전대(62S)의 원형부(S1)가, 상술의 회동축(63)(도 2)의 하단부에 접속된다. 한편, 회전대(62S)의 구형부(S2)에는, 홀더(62)가 설치된다.
홀더(62)에는 블록형상 연결부재(61)가 설치된다. 그에 의해, 3개의 노즐(60a∼60c)이 블록형상 연결부재(61), 홀더(62) 및 회전대(62S)를 통하여 회동축(63)에 의해 회전가능하게 지지된다.
도 2의 화살표R로 나타낸 바와 같이, 회전축(63)이 회전함으로써, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)가, 스핀 척(21)에 의해 파지된 기판(W)의 중앙부 상방위치 (이하, 기판 상방위치라고 부른다)와, 기판(W)의 바깥쪽의 영역에 설치된 노즐대기포트(210)의 상방위치(이하, 노즐대기 상방위치라고 부른다)와의 사이를 이동한다. 노즐대기포트(210)는, 상부가 개구한 상자형형상(箱型形狀)을 가진다.
도 3의 노즐장치(600)에 있어서, 블록형상 연결부재(61), 홀더(62) 및 회전대(62S)는, 예를 들면 내열성 폴리염화비닐(HTPVC), 폴리프로필렌(PP) 및 유리섬유강화 폴리프로필렌(FRPP) 등의 수지에 의해 형성된다.
노즐(60a, 60b, 60c)의 상류관부(N1)의 상단부로부터, 각각 유체공급관(70a, 70b, 70c)이 뻗어 있다. 노즐(60a∼60c)의 암 관부(N2)로부터는, 각각 접지용배선(er)이 연장되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 유체공급관(70a, 70b, 70c)은, 유체박스부(2a∼2d)안에 설치된 제1 약액공급원(81), 절환장치(82) 및 제3 약액공급원(85)에 각각 접속되어 있다. 유체박스부(2a∼2d)의 절환장치(82)는, 유체공급관(82a)을 통하여 제2 약액공급원(83)에 더 접속되는 동시에, 유체공급관(82b)을 통하여 순수공급원(84)에 접속되어 있다. 또한 더욱이, 유체공급관(70a, 70b, 70c)의 도중부에는 각각, 약액 또는 순수의 유통을 허가 및 금지하기 위한 개폐가능한 토출밸브(71a, 71b, 71c)가 장착되어 있다.
이로써, 노즐(60a)에는, 제1 약액공급원(81)으로부터 유체공급관(70a)을 통하여, 토출밸브(71a)가 열린 경우에, 제1 약액이 공급된다.
절환장치(82)는, 예를 들면 밸브 등을 구비하고, 제2 약액공급원(83)으로부터 공급되는 제2 약액, 또는 순수공급원(84)으로부터 공급되는 순수 중의 어느 한 쪽을 선택적으로 노즐(60b)에 공급한다. 이렇게 하여, 노즐(60b)에는, 유체공급관(70b)을 통하여, 토출밸브(71b)가 열린 경우에, 제2 약액 또는 순수가 공급된다.
노즐(60c)에는, 제3 약액공급원(85)으로부터 유체공급관(70c)을 통하여, 토출밸브(71c)가 열린 경우에, 제3 약액이 공급된다.
그리고, 제1 약액공급원(81), 제2 약액공급원(83), 제3 약액공급원(85) 및 순수공급원(84)은, 반드시 유체박스부(2a∼2d)안에 설치될 필요는 없다.
제1 약액공급원(81), 제2 약액공급원(83), 제3 약액공급원(85) 및 순수공급원(84)은, 예를 들면 도시하지 않는 공장의 약액공급 설비 또는 순수공급설비여도 좋다.
노즐(60a, 60b, 60c)로부터 뻗는 접지용배선(er)은, 기판처리장치(100)의 접지라인에 접속되어 있다.
본 실시형태에서는, 제1 약액으로서 SPM을 쓰고, 제2 약액으로서 SC2을 쓰고, 제3 약액으로서 HF를 쓴다.
이로써, 기판(W)위의 레지스트 찌꺼기를 제거하는 때에는, 제1 약액인 SPM 또는 제2 약액인 SC2가 기판(W)위로 공급된다. 기판(W)위의 산화막을 제거하는 때에는, 제3 약액인 HF가 기판(W)위로 공급된다. 기판(W)의 제1∼제3 중의 어느 쪽인가의 약액에 의한 약액처리 후에, 기판(W)위로 순수가 공급되는 것에 의해 린스처리가 행해진다.
(3) 노즐장치의 동작
약액처리 및 린스처리시에 있어서의 노즐장치(600)의 동작을 설명한다. 약액 처리개시 이전에는, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)의 하단부가 노즐대기포트(210)안에 수용되어 있다.
약액처리개시시에는, 노즐장치이동기구(64)에 의해 회전축(63)이 상승한다. 그로써, 노즐(60a∼60c)이 상승하여, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)가 노즐대기포트(210)안에서 노즐대기 상방위치로 이동한다.
계속해서, 상술한 바와 같이 노즐장치이동기구(64)에 의해 회전축(63)이 회전하고, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)가 노즐대기 상방위치로부터 기판 상방위치로 이동한다.
그리고, 노즐장치이동기구(64)에 의해 회전축(63)이 하강한다. 그로써, 노즐(60a∼60c)이 하강하고, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)의 하단부가 기판(W)의 표면에 근접한다.
이 상태로, 노즐(60a∼60c)로부터 기판(W)에 제1∼제3 약액 중의 어느 것이 공급되어, 약액처리가 행해진다.
약액처리가 종료하면, 기판(W)으로의 약액의 공급이 정지된다. 그리고, 노즐(60b)로부터 기판(W)에 순수가 공급된다. 이로써, 린스처리가 행해진다.
린스처리가 종료하면, 기판(W)으로의 순수의 공급이 정지된다. 그리고, 노즐장치이동기구(64)에 의해 노즐(60a∼60c)이 상승하고, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)가 기판(W)의 표면에 근접한 위치로부터 기판 상방위치로 이동한다.
그 다음에, 노즐장치이동기구(64)에 의해 다시 회전축(63)이 회전하고, 노즐(60a∼60c)의 하류관부(N3)가 기판 상방위치로부터 노즐대기 상방위치로 이동한 다. 그 후, 노즐장치이동기구(64)에 의해 노즐(60a∼60c)이 하강하고, 하류관부(N3)의 하단부가 노즐대기포트(210)안에 수용된다.
이 상태에서, 노즐대기포트(210)는, 약액처리 및 린스처리후의 노즐(60a∼60c)로부터 적하(滴下)하는 처리액(제1∼제3 약액 또는 순수)를 회수한다.
노즐대기포트(210)의 하단부에는 개구(210h)가 형성되어 있다. 이 개구(210h)에는, 세정용포트(210)에 의해 회수된 처리액을, 도시하지 않는 약액회수장치 또는 공장의 폐기설비로 안내하는 배관(211)이 접속되어 있다. 이로써, 노즐대기포트(210)에 의해 회수된 처리액이 배관(211)을 통해서 회수 또는 폐기된다.
(4) 노즐 구조의 상세
도 2 및 도 3의 노즐(60a∼60d)의 구조에 대해서 상세한 사항을 설명한다. 도 4는, 도 3의 노즐장치(600)에 있어서의 노즐(60a)의 부분확대단면도이다.
도 4(a)에는, 도 3의 굵은 점선으로 나타낸 노즐(60a)의 부분(Q1)(선단부)의 확대단면도가 나타나 있다. 도 4(b)에는, 도 3의 굵은 점선으로 나타낸 노즐(60a)의 부분(Q2)(접지용배선(er)의 접속부)의 확대단면도가 나타나 있다.
도 4(a)에 나타낸 바와 같이, 노즐(60a)은, 금속관(91), 제1 수지관(樹脂管)(92), 제2 수지관(93) 및 원통형상의 보스(94)를 포함한다.
제1 수지관(92)은, 처리액이 유통하는 내부유로(fc)를 가지고, 그 선단부(하단부)의 개구로부터 처리액이 토출되는 구조가 되고 있으며, 금속관(91)의 내경보다 다소 작은 외경을 가진다. 금속관(91)의 내부에 제1 수지관(92)이 장착되어 있다. 제1 수지관(92)의 선단부는 금속관(91)의 선단으로부터 소정의 길이만큼 돌출 하고 있다.
제2 수지관(93)은, 금속관(91)의 외경보다 약간 큰 내경을 가진다. 제2 수지관(93)의 내부에 금속관(91)이 장착되어 있다. 이 상태에서, 제1 수지관(92)의 선단부는, 제2 수지관(93)의 선단으로부터 소정의 길이만큼 돌출하고 있다.
보스(94)는, 제1 수지관(92)의 외경과 거의 같은 내경을 가지는 동시에, 금속관(91)과 거의 같은 외경을 가진다. 이로써, 보스(94)가 제2 수지관(93)의 내부의 금속관(91)의 선단부에 장착되어 있다.
노즐(60a)의 선단부에 있어서는, 제1 수지관(92)의 바깥둘레면, 제2 수지관(93)의 단면 및 보스(94)의 단면이 용접용수지(95)에 의해 용접되어 있다.
상기 구조에 의해, 금속관(91)은, 제1 수지관(92), 제2 수지관(93), 보스(94) 및 용접용수지(95)에 의해 확실하게 피복되어 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 노즐(60a)의 상류관부(N1)의 상단부로부터는, 유체공급관(70a)이 뻗어 있지만, 이 유체공급관(70a)은, 도 4(a) 및 도 4(b)의 제1 수지관(92)이 연장된 것이다.
도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 노즐(60a) 암 관부(N2)에 있어서는, 제2 수지관(93)의 일부에 관통공이 형성되어, 금속관(91)의 일부에 나사구멍이 형성되어 있다.
금속관(91)의 나사구멍에는, 어스선(96)이 접속된 나사(N)가 장착되어 있다. 이로써, 어스선(96)과 금속관(91)이 접속되어 있다.
여기에서, 어스선(96)에는, 금속관(91)과의 접속부를 제외하고, 수지제튜 브(97)가 피복되어 있다. 어스선(96) 및 그것을 피복하는 수지제튜브(97)가, 도 2 및 도 3의 접지용배선(er)을 구성한다.
제2 수지관(93)의 바깥둘레면 위로 수지제튜브(97)의 일단부가 용접용수지(95)에 의해 용접되어 있다. 이로써, 금속관(91)과 어스선(96)과의 접속부가 수지에 의해 확실하게 피복된다.
노즐(60a)에 접속된 접지용배선(er)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판처리장치(100)의 접지라인에 접속되어 있다. 이로써, 금속관(91)이 확실하게 접지된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 금속관(91)에는, 높은 강도를 가지는 도전성의 금속재료가 사용된다. 이 금속재료로서는, 예를 들면, 스텐레스강, 철, 구리, 청동, 황동, 알루미늄, 은, 또는 금 등을 이용할 수 있지만, 스텐레스강과 같이 높은 내식성을 가지는 금속재료를 이용하는 것이 더 바람직하다.
또한, 제1 수지관(92), 제2 수지관(93), 보스(94), 용접용수지(95), 및 수지제튜브(97)에는, 내약품성이 뛰어난 불소수지 또는 염화비닐수지 등의 재료를 쓸 수 있지만, 불소수지를 쓰는 것이 바람직하다.
불소수지로서는, 예를 들면 4불화 에틸렌(PTFE) 및 4불화 에틸렌ㆍ퍼플루오로알콕시에틸렌 다중합체(PFA)가 있다.
여기에서, 제1 수지관(92), 제2 수지관(93), 용접용수지(95), 및 수지제튜브(97)에는 유연성을 가지는 PFA를 쓰는 것이 더 바람직하고, 보스(94)에는 PFA와 비교해서 경질(硬質)한 4불화 에틸렌을 사용하는 것이 더 바람직하다. 이로써, 노즐(60a)의 제작이 용이해진다.
도 4에서는 노즐(60a)의 내부구조를 제시하고 있지만, 다른 노즐(60b, 60c)도 동일한 내부구조를 가진다.
(5)실시형태의 효과
노즐(60a∼60c)은, 높은 강도를 가지는 금속관(91)에 의해 제작되어 있다.
그로써, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 노즐(60a∼60c)의 암 관부(N2)의 두께를 크게 하지 않으면서, 하류관부(N3)를 지지하기 위해서 필요한 강도를 얻을 수 있다.
또한, 노즐(60a∼60c)의 암 관부(N2)의 두께를 크게 할 필요가 없으므로, 노즐(60a∼60c)의 중량을 작게 할 수 있어서, 노즐장치이동기구(64)의 부하를 저감할 수 있다.
또한, 노즐(60a∼60c)의 암 관부(N2)의 두께를 크게 할 필요가 없으므로, 노즐(60a∼60c)의 외경을 작게 하는 것이 가능해진다. 그로써, 노즐(60a∼60c)이 소형화하고, 노즐(60a∼60c)의 표면적이 작아지기 때문에, 암 관부(N2)로의 처리액의 부착이 충분히 저감된다.
그 결과, 암 관부(N2)에 부착된 처리액이 기판(W)위로 낙하하는 것에 따른 기판(W)의 처리불량의 발생이 방지되는 동시에, 및 암 관부(N2)에 부착된 처리액이 건조하고, 파티클이 발생하는 것에 의한 기판(W)의 오염이 충분히 방지된다.
게다가, 노즐(60a∼60c)을 구성하는 금속관(91)은 강성을 가진다. 이것에 의해, 노즐(60a∼60c)내부의 처리액이 반응에 의해 진동해도, 노즐(60a∼60c)이 크게 진동하지 않는다. 또한, 토출시작시의 처리액의 힘에 의해, 노즐(60a∼60c)이 진동 하지도 않는다. 그로써, 노즐(60a∼60c)의 진동에 의한 기판의 처리불량이 방지된다.
또한, 노즐(60a∼60c)을 구성하는 금속관(91)은, 내약품성이 뛰어난 제1 수지관(92), 제2 수지관(93), 보스(94) 및 용접용수지(95)에 의해 피복되어, 금속관(91)에 접속되는 어스선(96)도 내약품성이 뛰어난 용접용수지(95) 및 수지제튜브(97)에 의해 피복되어 있다. 또한, 노즐(60a∼60c)의 각각에는, 제1 수지관(92)과 연속하여, 노즐(60a∼60c)에 처리액을 도입하는 수지제의 유체공급관(70a∼70c)(도 2)이 설치되어 있다.
이로써, 세정처리부(5a∼5d)안에서 약액처리가 행하여질 경우라도, 금속관(91) 및 어스선(96)이 약액 및 약액분위기와 접촉하지 않는다. 그로써, 약액에 의한 금속관(91) 및 어스선(96)의 부식, 및 금속이온의 용출에 의한 금속오염이 방지된다.
상술한 바와 같이, 기판(W)의 약액처리시에는, 대전한 처리액이 유체공급관(70a∼70c)(도 2)을 통해서 노즐(60a∼60c)에 공급된다.
이때, 금속관(91)은 도전성을 가지고, 제1 수지관(92)의 바깥둘레를 덮고 있다. 이로써, 대전한 처리액이, 금속관(91)에 덮인 부분을 가지는 노즐(60a∼60c)에 도입되는 것에 의해, 그 처리액의 대전량이 저감된다. 그로써, 노즐(60a∼60c)로부터 기판(W)에 처리액이 공급될 때에, 처리액으로부터 기판(W)으로의 방전이 억제된다. 그 결과, 기판(W)위에 형성된 회로 또는 소자 등의 여러가지 패턴에 손상을 주는 것이 확실하게 방지된다.
그리고, 처리액의 대전량이 저감됨으로써, 처리액으로부터 기판(W)으로의 방전이 억제된다는 효과는, 예를 들면 제1 수지관(92)의 지극히 일부에 직접 금속선을 접촉시키는 것만으로는 실현되지 않고, 제1 수지관(92)의 바깥둘레를 소정의 금속재료 또는 도전성재료로 덮을 필요가 있는 것이, 출원인의 실험에 의해 알았다.
(6) 노즐의 다른 구조예
본 실시형태에 있어서, 노즐(60a∼60c)은, 이하의 구조를 가져도 좋다.
도 5(a) 및 도 5(b)은, 도 2 및 도 3의 노즐장치(600)에 설치된 노즐의 다른 구조 예를 나타내는 도이다. 도 5(a)에 나타내는 구조예 및 도 5(b)에 나타내는 구조예에 대해서, 도 4(a)의 노즐(60a)과 다른 점에 대해서 설명한다.
처음에, 도 5(a)에 나타내는 구조예에 대해서 설명한다. 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 본 예의 노즐로 있어서는, 금속관(91)이 장착된 도 4(a)의 제2 수지관(93)에 대신해서 도전성 수지관(93b)을 사용할 수 있다. 이 도전성 수지관(93b)의 수지로서는, 예를 들면 내약품성을 가지는 도전성 불소수지(도전성PTFE 또는 도전성PFA등)을 쓴다.
이로써, 제1 수지관(92)의 내부유로(fc)를 흐르는 처리액의 대전량이 충분히 저감된다. 그로써, 노즐(60a∼60c)로부터 기판(W)에 처리액이 공급될 때에, 처리액으로부터 기판(W)으로의 방전이 확실하게 억제된다. 그 결과, 기판(W)위로 형성된 패턴에 손상을 주는 것이 더 확실하게 방지된다.
이어서, 도 5(b)에 나타내는 구조예에 대해서 설명한다. 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 본 예의 노즐에 있어서는, 금속관(91)의 전표면이 내약품성이 뛰어난 수지막(91c)으로 피복되어 있다. 이 수지막(91c)으로서는, 예를 들면 불소수지(PTFE 또는 PFA등)을 쓴다.
이로써, 내약품성을 가지는 수지막(91c)에 의해 피복된 금속관(91)이, 제1 수지관(92), 제2 수지관(93), 보스(94) 및 용접용수지(95)에 의해 피복된다. 그 결과, 기판(W)의 약액처리시에, 금속관(91)이 약액 및 약액분위기와 접촉하는 것이 확실하게 방지된다. 그로써, 약액에 의한 금속관(91)의 부식 및 금속이온의 용출에 의한 금속오염이 확실하게 방지된다.
그리고, 본 실시형태에 관한 노즐장치(600)에 있어서는, 노즐(60a∼60d)의 금속관(91)이 접지용배선(er)을 통하여 기판처리장치(100)의 접지라인에 접속되어 있지만, 금속관(91)을 반드시 접지라인과 접속할 필요는 없다.
또한, 본 실시형태에 관한 노즐장치(600)에 있어서는, 노즐(60a∼60d)의 제2 수지관(93)이 설치되어 있지만, 제2 수지관(93)은 반드시 필요하지는 않고, 금속관(91)을 부식되지 않는 처리액을 쓸 경우에는 생략가능하다. 예를 들면, 처리액이, 비교적 농도가 낮은 약액, 순수, 또는 기능수(수소수, 질소가스 용존수, 전해 이온수를 포함한다)등일 경우에는, 제2 수지관(93)을 생략해도 좋다. 이 경우, 금속관(91)을 전술한 수지막(91c)에 의해 피복해도 좋다.
본 발명자는, 노즐(60a∼60c)의 금속관(91)을 접지하지 않은 상태로, 노즐(60a∼60c)을 통과하기 전의 처리액의 대전전위와, 노즐(60a∼60c)을 통과한 후의 처리액(토출된 처리액)의 대전전위를 측정하고, 비교했다.
노즐(60a∼60c)을 통과하기 전의 처리액의 대전전위가 -4.00kv이었던 것에 대하여, 노즐(60a∼60c)을 통과한 후의 처리액의 대전전위는 -0.14kv 이었다.
이러한 결과로써, 노즐(60a∼60c)의 금속관(91)을 접지라인에 접속하지 않고 있을 경우라도, 내부유로(fc)를 통과하는 처리액의 대전량이 저감되는 것이 명확하게 되었다. 한편, 기판(W)은 미리 대전하지 않고 있으므로, 대전전위는 보통 Okv이다.
(7)기타의 실시형태
상기 실시형태에 관한 노즐장치(600)에는, 기판(W)에 처리액을 공급하는 3개의 노즐(60a∼60c)이 설치되어 있지만, 노즐장치(600)에 설치되는 노즐의 개수에 제한은 없다. 예를 들면, 노즐장치(600)에는, 1개의 노즐이 설치되어도 좋고, 2개 또는 4개 이상의 노즐이 설치되어도 좋다.
상기 실시형태에서는, 제1∼제3 약액으로서 SPM, SC2 및 HF를 사용하는 취지로 설명했지만, 다른 약액을 제1∼제3 약액으로서 써도 좋다. 또한, 린스액으로서 순수를 사용하는 취지로 설명했지만, 다른 린스액을 써도 좋다.
다른 약액으로서는, 버퍼드 불산(BHF), 희 불산(DHF), 염산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 옥살산, 암모니아수, 구연산, 과산화수소수 혹은 TMAH등의 수용액, 또는 그것들의 혼합용액을 써도 좋다.
다른 린스액으로서는, 예를 들면 탄산수, 오존수, 자기수(磁氣水), 환원수(수소수）, 질소가스 용존수, 혹은 이온수, 또는 IPA(isopropyl alcohol)등의 유기용제를 이용해도 좋다.
상기 실시형태에 관한 기판처리장치(100)에 있어서, 노즐장치(600)의 노 즐(60a∼60c)에 순수 등을 공급함으로써, 노즐(60a∼60c)의 세정을 행해도 좋다.
도 3의 제2 수지관(93)이 불소수지로 형성되어 있을 경우에는, 노즐(60a∼60c)의 겉표면이 높은 발수성(撥水性)을 가지므로, 노즐(60a∼60c)을 단시간으로 세정하는 것이 가능해지고, 세정처리부(5a∼5d)안의 청정도가 향상한다.
(8)청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 부분과의 대응관계
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 부분과의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 제2 수지관(93) 및 도전성 수지관(93b)이 제2 수지관의 예이며, 제1 수지관(92)의 선단부 개구가 토출구의 예이며, 제1 수지관(92)이 제1 수지관의 예이다. 또한, 보스(94) 및 용접용수지(95)가 봉지부재의 예이며, 스핀 척(21)이 기판파지부의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항로 기재되어 있는 구성 또는 기능을 가지는 기타의 여러가지 요소를 사용할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리장치의 평면도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리장치의 세정처리부 및 유체 박스부의 구성을 설명하기 위한 도이다.
도 3은, 도 2의 세정처리부에 설치되는 노즐장치의 외관사시도이다.
도 4는, 도 3의 노즐장치에 있어서의 노즐의 부분확대단면도이다.
도 5은, 도 2 및 도 3의 노즐장치에 설치되는 노즐의 다른 구조 예를 나타내는 도이다.

Claims (15)

  1. 소정의 지지부재에 지지되어, 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐로서,
    상기 처리액이 내부를 유통하여, 상기 처리액을 토출하는 토출구를 단부(端部)에 가지고 있고, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관과,
    상기 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되고, 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관과,
    상기 금속관의 바깥둘레면을 덮도록 설치되고, 소정의 수지재료로 이루어지는 제2 수지관을 구비한 노즐.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 수지관의 소정의 수지재료는 불소수지를 포함한 노즐.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 수지관의 소정의 수지재료는 도전성 수지를 포함한 노즐.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 금속관은 접지되어 있는 노즐.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속관의 표면을 피복하는 수지막을 더 구비한 노즐.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 수지막은 불소수지인 노즐.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 금속관은 스텐레스강으로 이루어진 노즐.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 수지관의 단부는 상기 금속관의 단부로부터 돌출하고 있는 노즐.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 금속관의 단부를 봉지하는 수지제(樹脂製)의 봉지부재(封止部材)를 더 구비한 노즐.
  11. 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    기판을 파지하는 기판파지부와,
    상기 기판파지부에 의해 파지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐을 구비하고,
    상기 노즐은,
    소정의 지지부재에 의해 지지되고,
    상기 처리액이 내부를 유통하여 상기 처리액을 토출하는 토출구를 단부에 가지고 있고, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관과,
    상기 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되고 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관과,
    상기 금속관의 바깥둘레면을 덮도록 설치되고 소정의 수지재료로 이루어지는 제2 수지관을 구비한 기판처리장치.
  12. 소정의 지지부재에 지지되어, 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐로서,
    상기 처리액이 내부를 유통하여, 상기 처리액을 토출하는 토출구를 단부(端部)에 가지고 있고, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관과,
    상기 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되고, 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관과,
    상기 금속관의 표면을 피복하는 수지막을 구비한 노즐.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 소정의 지지부재에 지지되어, 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐로서,
    상기 처리액이 내부를 유통하여, 상기 처리액을 토출하는 토출구를 단부(端部)에 가지고 있고, 소정의 수지재료로 이루어지는 제1 수지관과,
    상기 제1 수지관의 바깥둘레를 덮도록 설치되고, 소정의 금속재료로 이루어지는 금속관과,
    상기 금속관의 단부를 봉지하는 수지제의 봉지부재를 구비한 노즐.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101099612B1 (ko) * 2009-09-21 2011-12-29 세메스 주식회사 스윙노즐유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
JP5954096B2 (ja) * 2012-10-11 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6180811B2 (ja) * 2013-06-19 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置
KR101640669B1 (ko) * 2013-09-30 2016-07-18 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6045041B2 (ja) * 2013-09-30 2016-12-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US10074547B2 (en) 2013-12-19 2018-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist nozzle device and photoresist supply system
JP6600470B2 (ja) 2014-04-01 2019-10-30 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び洗浄方法
JP2016167568A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6496171B2 (ja) * 2015-03-30 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6377030B2 (ja) * 2015-09-01 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6794730B2 (ja) * 2015-09-28 2020-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体
JP6933448B2 (ja) * 2016-04-22 2021-09-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
WO2017154673A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理装置および基板乾燥装置
CN105870040B (zh) 2016-04-05 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种喷嘴和刻蚀装置
US10388537B2 (en) * 2016-04-15 2019-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same
TWI772294B (zh) * 2016-05-09 2022-08-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板清洗裝置
KR20170128801A (ko) 2016-05-16 2017-11-24 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP6685197B2 (ja) * 2016-07-26 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびノズル
JP6702082B2 (ja) * 2016-08-18 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び配管の監視方法
JP6815873B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10864533B2 (en) * 2017-06-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit
US11056358B2 (en) * 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
JP6971949B2 (ja) * 2018-10-05 2021-11-24 三菱電機株式会社 液体吐出ノズルおよび半導体製造装置
KR102175119B1 (ko) * 2018-12-31 2020-11-05 세메스 주식회사 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP7297591B2 (ja) * 2019-08-09 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096003A (ko) * 2002-06-13 2003-12-24 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 노즐장치 및 기판 처리장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3592700A (en) * 1968-08-05 1971-07-13 Mc Donnell Douglas Corp Polymer coating of metals
JPS57174168A (en) 1981-04-06 1982-10-26 Hokko Chem Ind Co Ltd Spraying pipe for agricultural medicine sprayer which is prevented of electrostatic charge
JPS5883066A (ja) * 1981-11-12 1983-05-18 Daikin Ind Ltd 非粘着導電性フツ素ゴム塗料
JPH0679213A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Tosoh Corp ディスペンス用ノズル
JPH11165115A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 光ディスク製造用スピンコート装置
US6520222B2 (en) * 2000-07-31 2003-02-18 Catlow, Inc. Fuel dispensing nozzle having a dripless spout
JP2002170803A (ja) 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4180306B2 (ja) * 2001-06-26 2008-11-12 アルプス電気株式会社 ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
JP2003086557A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および装置
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
CN1230041C (zh) 2002-12-30 2005-11-30 友达光电股份有限公司 静电消除器
JP4247890B2 (ja) 2003-08-12 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 塗布ノズル及び塗布装置
KR100708037B1 (ko) * 2003-12-24 2007-04-16 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유체공급노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096003A (ko) * 2002-06-13 2003-12-24 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 노즐장치 및 기판 처리장치

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Publication number Publication date
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