KR102175119B1 - 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102175119B1
KR102175119B1 KR1020180173671A KR20180173671A KR102175119B1 KR 102175119 B1 KR102175119 B1 KR 102175119B1 KR 1020180173671 A KR1020180173671 A KR 1020180173671A KR 20180173671 A KR20180173671 A KR 20180173671A KR 102175119 B1 KR102175119 B1 KR 102175119B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
substrate
tip member
fluid supply
nozzle tip
Prior art date
Application number
KR1020180173671A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200082770A (ko
Inventor
신원기
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180173671A priority Critical patent/KR102175119B1/ko
Publication of KR20200082770A publication Critical patent/KR20200082770A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102175119B1 publication Critical patent/KR102175119B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐은, 노즐 블럭; 노즐 블럭에 연결되는 노즐 팁 부재; 노즐 팁 부재와 접촉된 상태로 노즐 팁 부재를 노즐 블럭에 체결하도록 구성되며 전도성 재료로 이루어지는 체결 부재; 및 체결 부재와 연결되고, 전도성 재료로 이루어지며, 접지되는 접지 연결 부재를 포함할 수 있다.

Description

처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{PROCESSING FLUID SUPPLY NOZZLE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 공정 중 기판으로 처리 유체를 공급하도록 구성되는 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼(이하, '기판'이라 함) 상에 박막을 순차적으로 적층하여 기판 상에 소정의 회로 패턴을 형성하는 과정을 통해 제조된다. 기판 상에 박막을 형성하고 적층하기 위해, 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 세정 공정, 건조 공정 등 다수의 단위 공정이 반복적으로 수행된다.
기판 표면에 잔류하는 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 따라서, 반도체 제조 공정에 있어서, 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막(예를 들면, 포토레지스트)을 제거하는 세정 공정이 중요하다. 따라서, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.
반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 공정은 크게 건식 세정 공정 및 습식 세정 공정으로 구분된다. 습식 세정 공정은 약액 내에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.
매엽 타입의 습식 세정 공정에서는, 기판을 고속으로 회전하면서 처리액, 탈이온수 및 건조 가스(이하, 처리 유체라 함)를 기판으로 공급한다. 기판으로 처리 유체를 공급하기 위해 처리 유체 공급 노즐을 사용한다. 처리 유체 공급 노즐은 기판을 향하여 돌출되며 처리 유체가 토출되는 토출구를 갖는 노즐 팁 부재를 포함한다.
노즐 팁 부재는 처리 유체가 직접 접촉하는 부분이므로, 노즐 팁 부재가 금속으로 이루어지는 경우에는 금속과 처리 유체 간의 화학적 반응에 의해 노즐 팁 부재가 부식될 뿐만 아니라 노즐 팁 부재의 부식으로 인해 처리 유체가 오염되는 문제가 있다. 따라서, 노즐 팁 부재는 처리 유체와의 화학적 반응성이 낮은 플라스틱 수지(예를 들면, PFA)로 이루어진다.
그런데, 노즐 팁 부재를 구성하는 플라스틱 수지는 정전기에 취약하며, 노즐 팁 부재 상에 정전기가 발생할 수 있다. 노즐 팁 부재 상에 존재하는 정전기로 인해 노즐 팁 부재의 토출구 주변에서 비산하는 먼지나 미세한 처리 유체가 노즐 팁 부재의 토출구에 흡착될 수 있으며, 노즐 팁 부재의 토출구에 흡착된 먼지나 처리 유체가 건조된 후 낙하하면서 노즐 팁 부재의 주변을 오염시키고 노즐 팁 부재의 토출구로부터 토출되는 처리 유체를 오염시키는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 노즐 팁 부재 상에 발생할 수 있는 정전기를 제거할 수 있는 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐은, 노즐 블럭; 노즐 블럭에 연결되는 노즐 팁 부재; 노즐 팁 부재와 접촉된 상태로 노즐 팁 부재를 노즐 블럭에 체결하도록 구성되며 전도성 재료로 이루어지는 체결 부재; 및 체결 부재와 연결되고, 전도성 재료로 이루어지며, 접지되는 접지 연결 부재를 포함할 수 있다.
노즐 블럭 및 체결 부재 사이에 노즐 팁 부재가 개재된 상태로 노즐 블럭 및 체결 부재가 서로 체결될 수 있다.
노즐 팁 부재는 노즐 블럭에 연결되는 연결부로부터 연장되는 연장부를 구비하며, 체결 부재는 노즐 블럭에 체결되는 체결부로부터 연장부를 따라 연장되며 연장부에 접촉하는 커버부를 구비할 수 있다.
일 예로서, 접지 연결 부재는 접지 연결 부재에 연결되는 접지 라인을 통하여 접지될 수 있다.
다른 예로서, 접지 연결 부재는 외측으로 연장되는 접속부를 구비하며, 접속부는 노즐 블럭이 지지되는 노즐 암과 접속되어 노즐 암을 통하여 접지될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐에 따르면, 플라스틱 수지로 이루어진 노즐 팁 부재에 전기 전도성 재료의 체결 부재가 접촉된 상태로 노즐 팁 부재가 체결 부재에 의해 노즐 블록에 결합되며, 체결 부재가 접지 연결 부재를 통해 접지된다. 따라서, 노즐 팁 부재에 정전기가 발생하는 경우에도, 발생된 정전기가 체결 부재 및 접지 연결 부재를 통하여 노즐 팁 부재로부터 제거될 수 있다. 따라서, 노즐 팁 부재에 정전기가 존재하는 것으로 인하여 발생할 수 있는 노즐 팁 부재의 오염, 처리 유체의 오염 등의 문제를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 적용되는 기판 처리 설비가 개략적으로 도시된 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 처리 유체 공급 노즐이 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 처리 유체 공급 노즐이 개략적으로 도시된 분해 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 처리 유체 공급 노즐의 변형예가 개략적으로 도시된 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 적용되는 기판 처리 설비는 인덱스 모듈(10) 및 공정 처리 모듈(20)을 포함한다.
인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 구비한다. 로드 포트(12), 이송 프레임(14) 및 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(12), 이송 프레임(14) 및 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 X축 방향이라 정의한다. 평면도 상에서, X축 방향에 수직인 방향을 Y축 방향으로 정의한다. 그리고, X-Y평면에 수직인 방향을 Z축 방향으로 정의한다.
로드 포트(12)에는 기판(S)이 수납된 캐리어(13)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수로 제공된다. 복수의 로드 포트(12)는 Y축 방향으로 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(13)에는 복수의 기판(S)을 지면에 대해 수평으로 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(13)로는 전면 개방 일체형 포드(front opening unified pod(FOUP))가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(22), 이송 챔버(24) 및 공정 챔버(26)를 구비한다. 이송 챔버(24)는 그 길이 방향이 X축 방향에 평행하게 배치된다. 이송 챔버(24)의 양측에는 각각 복수의 공정 챔버(26)가 배치된다. 이송 챔버(24)의 일측 및 타측에서 복수의 공정 챔버(26)는 이송 챔버(24)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(24)의 일측에는 복수의 공정 챔버(26)가 구비된다. 복수의 공정 챔버(26) 중 일부는 이송 챔버(24)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 복수의 공정 챔버(26) 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다.
상술한 바와 달리, 공정 챔버(26)는 이송 챔버(24)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(26)는 이송 챔버(24)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(22)은 이송 프레임(14)과 이송 챔버(24) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(22)은 이송 챔버(24)와 이송 프레임(14) 간에 기판(S)이 반송되기 전에 기판(S)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(22)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 서로 간에 Z축 방향을 따라 이격되도록 복수로 구비된다. 버퍼 유닛(22)은 이송 프레임(14)과 마주보는 면 및 이송 챔버(24)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(14)은 로드 포트(12)에 안착된 캐리어(13)와 버퍼 유닛(22) 사이에서 기판(S)을 반송한다. 이송 프레임(14)에는 인덱스 레일(16)과 인덱스 로봇(15)이 구비된다. 인덱스 레일(16)은 그 길이 방향이 Y축 방향과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(15)은 인덱스 레일(16) 상에 설치되며, 인덱스 레일(16)을 따라 Y축 방향으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(15)은 베이스(15a), 몸체(15b) 및 인덱스 암(15c)을 구비한다.
베이스(15a)는 인덱스 레일(16)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(15b)는 베이스(15a)에 결합된다. 몸체(15b)는 베이스(15a) 상에서 Z축 방향으로 이동 가능하게 구비된다. 또한, 몸체(15b)는 베이스(15a) 상에서 회전 가능하게 구비된다. 인덱스 암(15c)은 몸체(15b)에 결합되고, 몸체(15b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(15c)은 복수로 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(15c)은 Z축 방향으로 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(15c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(13)로 기판(S)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(13)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(S)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(15)이 기판(S)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(S)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(S)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(24)는 버퍼 유닛(22)과 공정 챔버(26) 사이 및 복수의 공정 챔버(26) 사이에서 기판(S)을 반송한다. 이송 챔버(24)에는 가이드 레일(27)과 메인 로봇(25)이 제공된다. 가이드 레일(27)은 그 길이 방향이 X축 방향과 나란하게 배치된다. 메인 로봇(25)은 가이드 레일(27) 상에 설치되고, 가이드 레일(27) 상에서 X축 방향으로 직선 이동된다. 메인 로봇(25)은 베이스(25a), 몸체(25b), 그리고 메인 암(25c)을 갖는다. 베이스(25a)는 가이드 레일(27)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(25b)는 베이스(25a)에 결합된다. 몸체(25b)는 베이스(25a) 상에서 Z축 방향으로 이동 가능하게 구비된다. 또한, 몸체(25b)는 베이스(25a) 상에서 회전 가능하게 구비된다. 메인 암(25c)은 몸체(25b)에 결합되고, 메인 암(25c)은 몸체(25b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하게 구비된다. 메인 암(25c)은 복수로 구비되어 각각 개별적으로 구동될 수 있다. 메인 암(25c)은 Z축 방향으로 서로 이격된 상태로 적층된다.
공정 챔버(26) 내에는 기판(S)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(100)가 제공된다. 기판 처리 장치(100)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(26) 내의 기판 처리 장치(100)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 복수의 공정 챔버(26)는 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(26) 내의 기판 처리 장치(100)는 서로 동일한 구조를 가질 수 있고, 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(26) 내의 기판 처리 장치(100)는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 기판 처리 장치(100)가 기판을 세정하는 세정 장치인 경우를 예로 들어 설명한다. 예를 들면, 기판 처리 장치(100)는 고온의 황산, 알칼리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스 액, 그리고 건조 가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리 유체를 사용하여 기판을 세정하도록 구성된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 식각 공정, 현상 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 기판으로 처리 유체를 공급하여 기판에 소정의 처리를 수행하는 다양한 종류의 기판 처리 장치에 모두에 적용될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 챔버(150)와, 챔버(150) 내에 배치되며 내부에 기판(S)이 처리되는 처리 공간을 제공하는 보울(110), 보울(110)의 내부에 배치되며 기판(S)을 지지하도록 구성되는 척(120), 척(120)에 지지된 기판(S)을 회전시키도록 구성되는 구동기(130), 척(120)에 지지된 기판(S)으로 처리 유체를 공급하도록 구성되는 처리 유체 공급부(140)를 포함할 수 있다.
보울(110)은 내부에 기판(S)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 보울(110)은 대체로 원통 형상을 갖는다. 보울(110)의 상부는 개방되며, 개방된 상부는, 기판 처리 공정 중, 기판(S)이 처리 공간으로 이동되기 위한 통로로서 사용된다. 보울(110)은 상부벽(111a) 및 측벽(111b)을 갖는다. 상부벽(111a) 및 측벽(111b)은 환형으로 형성된다. 상부벽(111a)은 측벽(111b)의 상단으로부터 기판(S)의 중심 방향으로 갈수록 상향 경사지도록 연장된다.
상부벽(111a)은, 기판 처리 공정 중, 기판(S)으로부터 비산되는 처리 유체가 보울(110) 외부로 튀어나가는 것을 방지하도록 구성된다.
보울(110) 내의 처리 공간에는 통로부(112), 수용부(114), 배기부(116)가 구비된다.
통로부(112)는, 기판 처리 공정 중, 기판(S)으로부터 비산되는 처리 유체가 수용부(114)로 이동되도록 구성된다. 통로부(112)는 상부벽(111a) 및 측벽(111b)을 따라 환형으로 형성된다.
수용부(114)는 통로부(112)로부터 유입되는 처리 유체를 수용한다. 수용부(114)는 배액 라인(118)과 연결된다. 따라서, 수용부(114)에 수용된 처리 유체는 배액 라인(118)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
배기부(116)는 보울(110) 내 기체를 외부로 배기시킨다. 배기부(116)는 수용부(114)와 연통하도록 설치된다. 배기부(116)와 수용부(114)는 격벽(116a)에 의해 구획된다. 따라서, 수용부(114)로 유입된 처리 유체는 수용부(114)에 저장되고, 수용부(114)에 수용된 처리 유체로부터 발생되는 흄(fume)은 배기부(116)로 이동된다. 배기부(116)로 이동된 흄은 배기 라인(119)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
척(120)은, 기판 처리 공정 중, 보울(110) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 척(120)은 척 플레이트(122) 및 회전축(124)을 포함한다. 척 플레이트(122)는 대체로 원판 형상을 갖는다. 척 플레이트(122)는, 기판 처리 공정 중, 기판(S)이 안착되는 상면을 갖는다. 회전축(124)은 일단이 척 플레이트(122)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동기(130)에 결합된다. 회전축(124)은 구동기(130)의 회전력을 척 플레이트(122)로 전달한다.
구동기(130)는, 기판 처리 공정 중, 척(120)을 구동한다. 즉, 구동기(130)는 회전축(124)을 회전시켜 척 플레이트(122)에 의해 지지된 기판(S)을 미리 설정된 공정 속도로 회전시킨다. 또한, 구동기(130)는, 기판 처리 공정 중, 회전축(124)을 상하로 승강시켜, 척 플레이트(122)에 안착된 기판(S)의 높이를 조절하도록 구성될 수 있다.
처리 유체 공급부(140)는, 기판 처리 공정 중, 척(120)에 의해 지지된 기판(S)의 상면으로 처리 유체를 공급하도록 구성된다. 처리 유체 공급부(140)는 챔버(150)의 내부에 배치되는 처리 유체 공급 노즐(50)과, 처리 유체 공급 노즐(50)과 연결되며 수평 및 수직 방향으로 이동되도록 구성되는 노즐 암(144)과, 처리 유체 공급 노즐(50)과 연결되어 세정액, 린스 액 등의 처리액을 공급하는 처리액 공급원(147)과, 처리 유체 공급 노즐(50)과 연결되어 건조 가스와 같은 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(148)을 포함할 수 있다.
처리 유체 공급 노즐(50)은 복수로 구비될 수 있다. 복수의 처리 유체 공급 노즐(50)은 각각 상이한 처리액 및/또는 처리 가스를 분사하도록 구성될 수 있다.
노즐 암(144)은 챔버(150)의 내부에서 수평 및 수직 방향으로 이동되며, 이에 따라, 노즐 암(144)에 연결된 처리 유체 공급 노즐(50)이 수평 및 수직 방향으로 이동될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 유체 공급 노즐(50)은, 노즐 암(144)에 지지되는 노즐 블럭(51)과, 노즐 블럭(51)에 연결되는 노즐 팁 부재(52)와, 노즐 팁 부재(52)를 노즐 블럭(51)에 체결하도록 구성되는 체결 부재(53)와, 체결 부재(53)와 연결되며 체결 부재(53)를 접지시키는 접지 연결 부재(54)를 포함할 수 있다.
노즐 블럭(51)은 처리 유체 공급부(140) 및 처리 가스 공급원(148)과 연결되어 처리 유체가 통과하는 제1 유로(511)를 구비한다. 노즐 블럭(51)에는 노즐 팁 부재(52)가 연결되는 제1 연결부(513)를 구비한다. 노즐 블럭(51)에는 체결 부재(53)가 연결되는 제1 체결부(515)를 구비한다.
노즐 팁 부재(52)는 노즐 블럭(51)의 제1 유로(511)와 연통되는 제2 유로(521)와, 제2 유로(521)와 연통되며 외부로 노출되는 토출구(522)를 구비한다.
노즐 팁 부재(52)는 노즐 블럭(51)의 제1 연결부(513)에 연결되는 제2 연결부(523)를 구비한다. 예를 들면, 제2 연결부(523)는 제1 연결부(513)에 끼워지도록 형성될 수 있다. 이를 위해, 제1 연결부(513)는 소정의 깊이를 갖는 홈의 형태로 형성될 수 있고, 제2 연결부(523)는 소정의 길이를 갖는 돌기의 형태로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않으며, 제1 연결부(513)가 소정의 길이를 갖는 돌기 형태로 형성될 수 있고, 제2 연결부(523)가 소정의 깊이를 갖는 홈의 형태로 형성될 수 있다. 제1 연결부(513) 및 제2 연결부(523)가 서로 끼워짐에 따라, 제1 유로(511) 및 제2 유로(521)가 서로 연통될 수 있다.
노즐 팁 부재(52)는 제2 연결부(523)로부터 연장되는 연장부(527)를 구비할 수 있다. 연장부(527)는 제2 연결부(523)로부터 토출구(522)까지 연장될 수 있다. 처리 유체 공급 노즐(50)이 조립된 상태에서, 노즐 팁 부재(52)의 연장부(527)는 체결 부재(53)를 관통하며, 이에 따라, 토출구(522)가 외부로 노출될 수 있다.
체결 부재(53)는 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515)에 연결되는 제2 체결부(535)를 구비한다. 예를 들면, 제1 체결부(515)에는 수나사산이 형성되고, 제2 체결부(535)에는 암나사산이 형성되어, 제1 체결부(515) 및 제2 체결부(535)가 서로 나사 연결될 수 있다. 다만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않으며, 제1 체결부(515)에 암나사산이 형성되고, 제2 체결부(535)에 수나사산이 형성되어, 제1 체결부(515) 및 제2 체결부(535)가 서로 나사 연결될 수 있다. 또한, 다른 예로서, 제1 체결부(515) 및 제2 체결부(535)는 억지 끼워 맞춤, 클램프, 래치 등의 다양한 방식을 통해 서로 연결될 수 있다. 노즐 블럭(51) 및 체결 부재(53) 사이에 노즐 팁 부재(52) 및 접지 연결 부재(54)가 개재된 상태에서, 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515) 및 체결 부재(53)의 제2 체결부(535)가 서로 연결되는 것에 의해, 노즐 팁 부재(52) 및 접지 연결 부재(54)가 노즐 블럭(51)에 긴밀하게 체결될 수 있다.
체결 부재(53)는 노즐 팁 부재(52)가 관통하는 관통홀(531)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 노즐 팁 부재(52)의 연장부(527)는 체결 부재(53)의 관통홀(531)을 통하며, 이에 따라, 노즐 팁 부재(52)의 토출구(522)가 외부로 노출될 수 있다. 노즐 팁 부재(52)의 토출구(522)가 외부로 노출되므로, 노즐 팁 부재(52)의 토출구(522)로부터 토출되는 처리 유체의 토출 형태, 처리 유체의 토출이 중단되었는지 여부 등의 처리 유체의 특성을 용이하게 측정할 수 있다.
체결 부재(53)는 노즐 팁 부재(52)의 연장부(527)의 외면과 접촉하면서 연장부(527)를 커버하도록 구성되는 커버부(537)를 구비한다. 커버부(537)는 제2 체결부(535)로부터 연장된다. 커버부(537)는 노즐 팁 부재(52)의 외주면을 감싸도록 형성될 수 있다. 커버부(537)는 노즐 팁 부재(52)의 토출구(522)가 관통홀(531)의 외부로 노출되도록 하는 길이를 갖는다.
접지 연결 부재(54)는 노즐 팁 부재(52)가 통과하는 통과홀(541)을 구비하는 링 형상으로 이루어진다. 통과홀(541)은 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515)의 외경에 비하여 큰 내경을 갖는다. 또한, 접지 연결 부재(54)는 체결 부재(53)의 제2 체결부(535)의 외경과 대략 유사한 외경을 갖는다. 따라서, 처리 유체 공급 노즐(50)이 조립되면, 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515) 및 노즐 팁 부재(52)가 접지 연결 부재(54)의 통과홀(541)을 통과한다. 그리고, 체결 부재(53)의 제2 체결부(535)가 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515)에 결합되는 것에 의해, 접지 연결 부재(54)가 체결 부재(53)의 제2 체결부(535)가 노즐 블럭(51)의 제1 체결부(515) 사이에 끼워질 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 접지 연결 부재(54)는 접지 라인(55)을 통하여 접지된다. 예를 들면, 접지 라인(55)은 전기 와이어로서 구성될 수 있다. 예를 들면, 접지 라인(55)은 용접, 접착, 볼팅, 리벳팅 등의 다양한 방식으로 접지 연결 부재(54)에 연결될 수 있다.
다른 예로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 접지 연결 부재(54)는 노즐 암(144)을 통하여 접지될 수 있다. 이를 위해, 접지 연결 부재(54)는 외측으로 연장되어 노즐 암(144)에 연결되는 접속부(542)를 구비할 수 있다. 예를 들면, 접속부(542)는 용접, 접착, 볼팅, 리벳팅 등의 다양한 방식으로 노즐 암(144)에 연결될 수 있다.
노즐 팁 부재(52)는 제2 유로(521)를 통과하는 처리 유체와 화학적으로 반응하지 않거나 처리 유체와의 화학적 반응성이 낮은 플라스틱 수지(예를 들면, PFA)로 이루어진다.
그리고, 체결 부재(53) 및 접지 연결 부재(54)는 전기 전도성 재료로 이루어진다. 따라서, 처리 유체 공급 노즐(50)이 조립된 상태에서, 체결 부재(53)는 접지 연결 부재(54)를 통하여 접지될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐(50)에 따르면, 플라스틱 수지로 이루어진 노즐 팁 부재(52)에 전기 전도성 재료의 체결 부재(53)가 접촉된 상태로 노즐 팁 부재(52)가 체결 부재(53)에 의해 노즐 블럭(51)에 결합되며, 체결 부재(53)가 접지 연결 부재(54)를 통해 접지된다. 따라서, 노즐 팁 부재(52)에 정전기가 발생하는 경우에도, 발생된 정전기가 체결 부재(53) 및 접지 연결 부재(54)를 통하여 노즐 팁 부재(52)로부터 제거될 수 있다. 따라서, 노즐 팁 부재(52)에 정전기가 존재하는 것으로 인하여 발생할 수 있는 노즐 팁 부재(52)의 오염, 처리 유체의 오염 등의 문제를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐(50)에 따르면, 노즐 팁 부재(52)에 연장부(527)가 구비되고, 체결 부재(53)에 연장부(527)를 감싸도록 연장부(527)를 따라 연장되며 연장부(527)에 접촉하는 커버부(537)가 구비되므로, 노즐 팁 부재(52) 및 체결 부재(53) 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 노즐 팁 부재(52)에 존재할 수 있는 정전기를 체결 부재(53)를 통하여 더욱 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 처리 유체 공급 노즐(50)에 따르면, 기존의 노즐 팁 부재(52)의 형태 및 재질을 변경하지 않고, 체결 부재를 전지 전도성으로 이루어진 체결 부재(53)로 대체하고, 체결 부재(53)와 노즐 블럭(51) 사이에 접지 연결 부재(54)를 개재하는 것에 의해, 정전기의 발생을 방지하기 위한 구조를 기존의 처리 유체 공급 노즐(50)에 그대로 적용할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예가 예시적으로 설명되었으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.
100: 기판 처리 장치
110: 보울
140: 처리 유체 공급부
50: 처리 유체 공급 노즐

Claims (6)

  1. 기판 처리 공정 중 기판으로 처리 유체를 공급하도록 구성되는 처리 유체 공급 노즐에 있어서,
    노즐 블럭;
    상기 노즐 블럭에 연결되며 플라스틱 수지로 형성되는 노즐 팁 부재;
    상기 노즐 팁 부재와 접촉된 상태로 상기 노즐 팁 부재를 상기 노즐 블럭에 체결하도록 구성되며 전도성 재료로 이루어지는 체결 부재; 및
    상기 체결 부재와 연결되고, 전도성 재료로 이루어지며, 접지되는 접지 연결 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 유체 공급 노즐.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 노즐 블럭 및 상기 체결 부재 사이에 상기 노즐 팁 부재가 개재된 상태로 상기 노즐 블럭 및 상기 체결 부재가 서로 체결되는 것을 특징으로 하는 처리 유체 공급 노즐.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 노즐 팁 부재는 상기 노즐 블럭에 연결되는 연결부로부터 연장되는 연장부를 구비하며,
    상기 체결 부재는 상기 노즐 블럭에 체결되는 체결부로부터 상기 연장부를 따라 연장되며 상기 연장부에 접촉하는 커버부를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 유체 공급 노즐.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 접지 연결 부재는 상기 접지 연결 부재에 연결되는 접지 라인을 통하여 접지되는 것을 특징으로 하는 처리 유체 공급 노즐.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 접지 연결 부재는 외측으로 연장되는 접속부를 구비하며,
    상기 접속부는 상기 노즐 블럭이 지지되는 노즐 암과 접속되어 상기 노즐 암을 통하여 접지되는 것을 특징으로 하는 처리 유체 공급 노즐.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 처리 유체 공급 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020180173671A 2018-12-31 2018-12-31 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR102175119B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173671A KR102175119B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173671A KR102175119B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200082770A KR20200082770A (ko) 2020-07-08
KR102175119B1 true KR102175119B1 (ko) 2020-11-05

Family

ID=71601243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180173671A KR102175119B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102175119B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001311814A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Shin Sti Technology Kk ブラックマトリックスの製造方法とこれに使用する乾燥用エアーノズル

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3832923B2 (ja) * 1997-03-28 2006-10-11 株式会社ディスコ 洗浄装置
JP4989370B2 (ja) * 2006-10-13 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001311814A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Shin Sti Technology Kk ブラックマトリックスの製造方法とこれに使用する乾燥用エアーノズル

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200082770A (ko) 2020-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US9748118B2 (en) Substrate treating apparatus
US20220379356A1 (en) Cleaning device for cleaning electroplating substrate holder
US20080223412A1 (en) Substrate support member and apparatus and method for treating substrate with the same
KR20030097868A (ko) 표면장력 감소공정을 실시한 기판 준비장치 및 방법
US20140060575A1 (en) Substrate treating method
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
US11456191B2 (en) Substrate treating apparatus and rotating assembly
KR20170014327A (ko) 스핀 헤드 및 기판 처리 장치
KR20120008854A (ko) 기판처리장치
JP2021034731A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20140029095A (ko) 기판 처리 방법
KR102175119B1 (ko) 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
JP2020184590A (ja) 基板処理装置、チャック部材
JP2022101498A (ja) 基板把持装置とこれを含む液処理装置、及び基板処理設備
KR102139603B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210096002A (ko) 기판 처리 장치
JP6100486B2 (ja) 浸漬式の洗浄装置
KR102030038B1 (ko) 기판 처리 장치
CN111630634A (zh) 处理液吐出配管以及基板处理装置
KR20200029070A (ko) 척핀 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101940744B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right