KR100873939B1 - 기판 세정유닛 및 상기 기판 세정유닛의 배기 처리 방법,그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 세정유닛 및 상기 기판 세정유닛의 배기 처리 방법,그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 Download PDF

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김춘식
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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 세정하는 유닛 및 상기 유닛의 배기 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 웨이퍼 세정유닛은 제1 세정부 및 제2 세정부, 그리고 제1 세정부 및 제2 세정부 사이에 배치되어 제1 세정부 및 제2 세정부 각각으로 웨이퍼를 이송하는 이송부, 그리고 이송부와 제1 및 제2 세정부의 배기 처리를 제어하는 제어부를 포함한다. 제1 세정부 및 제2 세정부 각각은 처리액들이 채워지는 처리조들을 포함한다. 제어부는 공정시 이송부, 제1 세정부, 제2 세정부 내 배기압력을 선택적으로 조절하여, 제1 세정부 및 제2 세정부 중 어느 하나로부터 발생되는 흄이 다른 하나의 세정부로 유입되는 것을 방지한다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 웨트 스테이션, 배기, 제어

Description

기판 세정유닛 및 상기 기판 세정유닛의 배기 처리 방법, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE CLEANING UNIT AND METHOD FOR TREATING EXHAUST OF THE SUBSTRATE CLEANING UNIT, AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE CONTROLL UNIT}
본 발명은 기판 세정유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리액을 사용하여 기판을 세정하는 유닛 상기 유닛의 배기 처리 방법, 그리고 상기 유닛을 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 기판을 처리하는 장치 중 웨트 스테이션(wet station)은 다양한 종류의 처리액들을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 장치이다. 일반적인 웨트 스테이션은 카세트 처리유닛 및 웨이퍼 세정유닛을 구비한다. 카세트 처리유닛은 복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트(cassette)를 처리한다. 카세트 처리유닛으로는 소위 스토커 장치(stocker apparatus)라 불리는 설비가 사용된다. 웨이퍼 세정유닛은 복수의 처리조(treating bath)들을 구비한다. 각각의 처리조는 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지며, 공정시 채워진 처리액에 웨이퍼들을 침지시켜 세정한다.
상술한 기판 처리 장치는 처리조로부터 발생되는 흄 및 파티클과 같은 장치 내 이물질에 의해 공정 효율이 저하되는 현상이 발생된다. 즉, 처리조 내 처리액들로부터 발생되는 흄 및 기타 장치 내 파티클은 장치 내 공정을 수행하기 위한 구성들의 오동작을 발생시켜 공정 오류를 발생시킨다. 또한, 처리조 내 처리액들로부터 발생되는 흄 및 장치 내 이물질은 장치의 내부 공정 환경에 영향을 주어 웨이퍼의 세정 효율을 저하시킨다. 따라서, 이러한 흄 및 기타 이물질에 의한 공정 효율의 저하를 방지하기 위한 장치의 배기 처리가 요구된다.
또한, 상술한 기판 처리 장치는 알칼리성의 흄과 산성의 흄을 분리배기하는 효율이 낮다. 즉, 장치 내부에서 알칼리성의 흄과 산성의 흄이 접촉되면, 장치 내 구성들을 부식 및 오염시켜 공정 효율을 저하시킨다. 따라서, 하나의 장치에 알칼리성의 처리액을 사용하는 처리조들과 산성의 처리액을 사용하는 처리조들이 구비되는 경우에는 각각의 처리조들로부터 발생되는 알칼리성의 흄과 산성의 흄을 분리하여 배기하여야 한다. 그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 알칼리성의 흄과 산성의 흄의 분리 배기 효율이 낮다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 장치의 배기 처리를 효과적으로 수행하는 기판 세정유닛 및 상기 기판 세정유닛의 배기 처리 방법, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 세정 공정시 발생되는 흄에 의해 설비가 오염되는 것을 방지하는 기판 세정유닛 및 상기 기판 세정유닛의 배기 처리 방법, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정유닛은 기판을 이송하는 로봇암을 가지는 이송부, 상기 이송부의 일측에 배치되며 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제1 세정부, 상기 이송부의 타측에 배치되며 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제2 세정부, 그리고 상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기 처리를 제어하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 세정 유닛은 상기 이송부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제1 유입팬, 상기 제1 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제2 유입팬, 그리고 상기 제2 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제3 유입팬을 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 유입팬 및 상기 제2 유입 팬, 그리고 상기 제3 유입팬 각각의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어부는 상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 이송부 및 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입을 제어하고, 상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 이송부 및 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입을 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 세정부에 구비되는 처리조는 산성 용액을 사용하여 기판을 세정하고, 상기 제2 세정부에 구비되는 처리조는 알칼리성 용액을 사용하여 기판을 세정한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리액을 저장하는 공간을 가지며 공정시 저장된 처리액에 웨이퍼를 침지시켜 세정하는 처리조를 가지는 기판 세정유닛, 그리고 상기 스토커 유닛 및 상기 기판 세정유닛 상호간에 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송유닛을 포함하되, 상기 기판 세정유닛은 기판을 이송하는 로봇암을 가지는 이송부, 상기 이송부의 일측에 배치되며 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제1 세정부, 상기 이송부의 타측에 배치되며, 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제2 세정부, 그리고 상기 이송부 및 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기 처리를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 기판 세정 유닛은 상기 이송부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제1 유입팬, 상기 제1 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제2 유입팬, 그리고 상기 제2 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제3 유입팬을 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 유입팬 및 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬 각각의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어부는 상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 이송부 및 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입을 제어하고, 상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 이송부 및 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입을 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 세정부에 구비되는 처리조는 산성 용액을 사용하여 기판을 세정하고, 상기 제2 세정부에 구비되는 처리조는 알칼리성 용액을 사용하여 기판을 세정한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정유닛의 배기 처리 방법은 로봇암을 가지는 이송부, 상기 이송부의 일측에 구비되며 내부에 처리액을 저장하는 처리조를 구비하여 기판을 세정하는 제1 세정부, 그리고 상기 이송부의 타 측에 구비되며 내부에 처리액을 저장하는 처리조를 구비하여 기판을 세정하는 제2 세정부를 가지는 기판 세정 유닛의 배기 처리 방법에 있어서, 상기 기판 세정 유닛의 배기는 상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기를 독립적으로 수행하되, 상기 기판 세정 유닛의 배기는 상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 제1 세정부의 배기압력에 비해 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력이 높도록, 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 배기 압력을 증가시키고, 상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 제2 세정부의 배기압력에 비해 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력이 높도록, 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력을 증가시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력의 증가는 상기 이송부 및 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 하여 이루어지고, 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력의 증가는 상기 이송부 및 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 세정 유닛의 배기는 상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력이 동일하도록 조절되고, 상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력이 동일하도록 조절된다.
본 발명은 공정시 장치 내 배기 처리를 효과적으로 수행하여 기판 처리 공정 의 효율을 향상시킨다.
본 발명은 알칼리성의 흄과 산성의 흄을 효과적으로 분리배기하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
본 발명은 어느 하나의 세정부로부터 발생되는 흄이 다른 세정부로 유입되는 것을 방지하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 반도체 웨이퍼를 세정하는 장치인 웨트 스테이션을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 잘단한 모습을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(1)는 카세트 처리유닛(cassette treating unit), 제1 웨이퍼 이송유닛(first wafer transfering unit)(30), 웨이퍼 세정유닛(wafer cleaning unit)(40), 그리고 제2 웨이퍼 이송유닛(second wafer transfering unit)(50)을 포함한다.
카세트 처리유닛(이하, '스토커 유닛'이라 함)은 복수의 웨이퍼들을 수납하는 부재(이하, '카세트'라 함)(C)를 처리한다. 스토커 유닛은 카세트 수납부(10) 및 카세트 이송부(20)를 포함한다. 카세트 수납부(10)는 복수의 카세트(C)들을 이송받아 이를 수납한다. 카세트 수납부(10)에는 카세트(C)들이 카세트 수납부(10)로 반입되기 위한 반입부(12) 및 카세트 수납부(10)로부터 카세트(C)들이 반출되기 위한 반출부(14)를 가진다. 카세트 수납부(10)는 상하좌우로 카세트(C)들을 배치시켜 수납한다.
카세트 이송부(20)는 카세트 수납부(10)에 수납된 카세트(C)들을 제1 웨이퍼 이송유닛(30)으로 이송한다. 카세트 이송부(20)는 적어도 하나의 이송암(transfer arm)(22)을 가진다. 이송암(22)은 카세트 수납부(10)의 플레이트(16)에 놓여진 카세트(C)들을 이동시켜, 후술할 제1 웨이퍼 이송유닛(30)의 로봇암들(32, 34)이 카세트(C) 내 웨이퍼(W)들을 처리하기 위한 위치에 위치시킨다. 이송암(22)은 가이드 레일(guide rail)(24)를 따라 이동된다. 따라서, 이송암(22)은 가이드 레일(24)을 따라 직선 왕복 이동되면서, 카세트 수납부(10)에 놓여진 카세트(C)들 중 공정상 요구되는 카세트(C)를 홀딩(holding) 또는 릴리즈(release)하기 위한 위치로 이동 된다.
웨이퍼 이송유닛(30)은 카세트 처리유닛과 웨이퍼 세정유닛(40) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 제1 웨이퍼 이송유닛(30)는 제1 로봇암(first robot arm)(32) 및 제2 로봇암(second robot arm)(34)을 가진다. 제1 로봇암(32)은 카세트 수납부(10)에 수납된 카세트(C)로부터 웨이퍼 세정유닛(40)으로 웨이퍼(W)를 이송하고, 제2 로봇암(34)은 웨이퍼 세정유닛(40)으로부터 세정공정이 완료된 웨이퍼(W)를 카세트 수납부(10)로 이송한다.
웨이퍼 세정유닛(40)는 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행한다. 일 실시예로서, 웨이퍼 세정유닛(40)은 이송부(transfer member)(100), 제1 세정부(first cleaning member)(200), 제2 세정부(second cleaning member)(300), 그리고 제어부(control member)(도 2의 400)를 가진다. 제1 및 제2 세정부(200, 300)는 이송부(100)의 양측에 배치된다. 즉, 제1 세정부(200)는 이송부(100)의 일측에 배치되고, 제2 세정부(200)는 이송부(100)의 타측에 배치된다. 제1 세정부(200)와 제2 세정부(300)는 장치(1)의 길이방향을 따라 대체로 평행하게 배치된다. 이송부(100)는 제1 세정부(200) 및 제2 세정부(300) 사이에서, 제1 세정부(200) 및 제2 세정부(300)로 웨이퍼(W)를 이송한다.
도 2를 참조하면, 이송부(100)는 제1 로봇암(first robot arm)(110), 제2 로봇암(second robot arm)(120), 제1 유입부재(first infow member)(130), 그리고 제1 유출부재(first outflow member)(140)를 포함한다. 제1 로봇암(110)은 제1 세정 부(200)로 웨이퍼(W)를 이송한다. 제1 로봇암(110)은 제1 이송암(112) 및 가이드 레일(114)을 포함한다. 제1 이송암(112)은 가이드 레일(114)을 따라 이동되면서 후술할 제1 세정부(200)의 처리조(210)들에 웨이퍼(W)들을 침지시킨다. 제1 유입부재(130)는 이송부(100)의 상부벽을 통해 이송부(100) 내부로 외부 공기를 유입시킨다. 제1 유입부재(130)는 이송부(100)의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 적어도 하나의 유입팬(inflow fan)(132)을 가진다. 그리고, 제1 유출부재(140)는 이송부(100)의 하부벽을 통해 이송부(100) 내 공기를 이송부(100)로부터 배출시킨다. 제1 유출부재(140)는 이송부(100)의 하부에 회전가능하도록 설치되는 적어도 하나의 유출팬(outflow fan)(142)을 포함한다.
제1 세정부(200)는 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행한다. 일 실시예로서, 제1 세정부(200)는 장치(1)의 길이방향을 따라 일렬로 배치되는 네 개의 처리조들(treating bath)(210) 및 제2 유입부재(second inflow member)(220), 그리고 제2 유출부재(미도시됨)를 포함한다. 각각의 처리조(210)는 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가진다. 처리액은 웨이퍼(W) 표면에 부착된 이물질을 제거하기 위한 약액이다. 제2 유입부재(220)는 제1 세정부(200) 내부로 외부 공기를 유입시킨다. 제2 유입부재(220)는 제1 세정부(200)의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 적어도 하나의 유입팬(222)을 가진다. 그리고, 제2 유출부재는 제1 세정부(200) 내 공기를 제1 세정부(200)로부터 유출시킨다. 제2 유출부재로는 제1 세정부(200)의 하부벽을 통해 제1 세정부(200) 내 공기가 배출되도록 제1 세정부(200)의 하부에 제공되는 배기라인(exhaust line)일 수 있다. 또는, 제2 유출부재는 제1 세정부(200)의 하부벽 에 설치되는 적어도 하나의 팬(fan)을 포함할 수 있다.
제2 세정부(300)는 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행한다. 일 실시예로서, 제2 세정부(300)는 장치(1)의 길이방향을 따라 일렬로 배치되는 네 개의 처리조들(treating bath)(310), 제3 유입부재(third inflow member)(320), 그리고 제3 유출부재(미도시됨)를 포함한다. 각각의 처리조(310)는 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가진다. 처리액은 웨이퍼(W) 표면에 부착된 이물질을 제거하기 위한 약액이다. 제3 유입부재(320)는 제2 세정부(300) 내부로 외부 공기를 유입시킨다. 제3 유입부재(320)는 제2 세정부(300)의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 적어도 하나의 유입팬(322)을 가진다. 그리고, 제3 유출부재는 제2 세정부(300) 내 공기를 제2 세정부(300)로부터 유출시킨다. 제3 유출부재로는 제2 세정부(300)의 하부벽을 통해 제2 세정부(300) 내 공기가 배출되도록 제2 세정부(300)의 하부에 제공되는 배기라인일 수 있다. 또는, 제3 유출부재로는 제2 세정부(300)의 하부에 설치되는 적어도 하나의 팬(fan)이 사용될 수 있다.
여기서, 제1 세정부(200) 및 제2 세정부(300)는 서로 상이한 종류의 약액으로 웨이퍼(W) 세정 공정을 수행한다. 예컨대, 제1 세정부(200)의 처리조들(210)에 채워지는 처리액들은 산성(acidic)의 약액들이고, 제2 세정부(300)의 처리조들(310)에 채워지는 처리액들은 알칼리성(alkaline)의 약액들일 수 있다. 이 경우 제1 세정부(200)로부터 발생되는 산성의 흄(fume)의 처리와 제2 세정부(300)로부터 발생되는 알칼리성의 흄(fume)은 서로 독립적으로 배기되도록 처리된다. 즉, 제1 세정부(200)로부터 발생되는 산성의 흄이 제2 세정부(300)로 유입되거나, 제2 세정 부(300)로부터 발생되는 알칼리성의 흄이 제1 세정부(200)으로 유입되면, 산성의 흄과 알칼리성 흄의 반응으로 인해 웨이퍼 세정유닛(40)의 구성들을 부식시키고 웨이퍼 세정유닛(40) 내 공정 환경에 영향을 주어 웨이퍼(W) 세정 효율을 저하시킨다. 따라서, 제1 세정부(200)와 제2 세정부(300) 각각은 서로의 배기 환경이 서로 영향을 받지 않도록 제어된다.
제어부(400)는 웨이퍼 세정유닛(40)의 배기 처리를 제어한다. 즉, 제어부(400)는 이송부(100)의 제1 유입부재(130) 및 제1 유출부재(140), 제1 세정부(200)의 제2 유입부재(220) 및 제2 유출부재(미도시됨), 그리고 제2 세정부(300)의 제3 유입부재(320) 및 제3 유출부재(미도시됨)를 제어하여, 이송부(100), 제1 세정부(200), 그리고 제2 세정부(300)의 배기 처리를 제어한다. 제어부(400)가 웨이퍼 세정유닛(40)의 배기 처리를 제어하는 상세한 과정은 후술하겠다.
제2 웨이퍼 이송유닛(50)은 제1 세정부(200)로부터 제2 세정부(300)로 웨이퍼(W)를 이송한다. 제2 웨이퍼 이송유닛(50)은 제3 로봇암(third robot arm)(52) 및 가이드 레일(guide rail)(54)을 포함한다. 제3 로봇암(52)은 가이드 레일(54)을 따라 이동된다. 제3 로봇암(52)은 공정시 가이드 레일(54)을 따라 직선 왕복 이동되어, 제1 세정부(200)에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)들을 전달받아 제2 세정부(300)로 이송한다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 제 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정유닛의 배기 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 제어유닛의 배기 처리 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)의 공정이 개시되면, 스토커 유닛으로 카세트(C)들이 반입된다(S110). 즉, 세정 공정이 수행되어야 할 웨이퍼(W)들을 수납한 카세트(C)는 카세트 수납부(10)의 반입부(12)를 통해 카세트 수납부(10)로 반입된다. 반입부(12)로 반입된 카세트(C)는 카세트 이송부(20)의 이송암(22)에 의해 카세트 수납부(10)의 기설정된 위치에 상하좌우로 정렬되어 수납된다.
제1 웨이퍼 이송유닛(30)은 카세트 이송부(20)의 이송암(22)으로부터 이송받은 카세트(C) 내 웨이퍼(W)를 반출한 후 웨이퍼 세정유닛(40)으로 이송한다(S120). 즉, 제1 로봇암(32)은 이송암(22)으로부터 이송받은 카세트(C) 내 웨이퍼(W)들을 순차적으로 반출한 후 이를 웨이퍼 세정유닛(40)으로 이송한다.
웨이퍼 세정유닛(40)은 이송받은 웨이퍼(W)들을 세정한다(S130). 즉, 이송부(100)의 제1 로봇암(110)은 제1 세정부(200)의 각각의 처리조(210)들에 웨이퍼(W)를 침지시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 이물질을 제거한다. 또한, 이송부(100)의 제2 로봇암(120)은 제2 세정부(300)의 각각의 처리조(310)들에 웨이퍼(W)를 침지시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 이물질을 제거한다. 상술한 세정 공정이 수행되는 과정에서 제어부(400)는 제1 세정부(200)로부터 발생되는 흄(fume)이 제2 세정부(300)로 유입되거나 제2 세정부(300)로부터 발생되는 흄(fume)이 제1 세정부(200)로 유입되는 것을 방지하도록, 웨이퍼 세정유닛(40)의 배기 처리를 제어한 다. 웨이퍼 세정유닛(40) 배기 처리에 관한 상세한 설명은 후술하겠다.
세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 카세트 처리유닛 내 카세트(C)로 이송된다(S140). 즉, 웨이퍼 세정유닛(40)에 의해 세정 공정 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 제1 웨이퍼 이송유닛(30)의 제2 로봇암(34)에 의해 카세트 이송부(20)에 위치된 카세트(C)로 반입된다.(S140). 그리고, 세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)들을 수납한 카세트(C)는 스토커 유닛의 반출부(14)를 통해 장치(1)로부터 반출된 후 후속 공정이 수행되는 설비로 이송된다(S150).
상술한 웨이퍼 세정 공정이 수행되는 과정에서 제어부(400)의 웨이퍼 세정유닛(40)의 배기 처리 과정은 다음과 같이 진행된다. 도 4를 참조하면, 웨이퍼 세정유닛(40)의 웨이퍼 세정이 개시되기 전, 제어부(400)는 웨이퍼 세정유닛(40) 내부 공간의 배기 압력이 모두 동일하도록 제어한다. 즉, 도 5a를 참조하면, 제어부(400)는 제1 내지 제3 유입부재(130, 220, 320)와, 제1 유출부재(140)와, 제2 및 제3 유출부재(미도시됨)를 조절하여, 이송부(100) 내 배기압력(P1), 제1 세정부(200) 내 배기압력(P2), 그리고 제2 세정부(300) 내 배기압력(P3)이 모두 동일하도록 제어한다.
만약, 제1 세정부(200)의 웨이퍼 세정 공정이 개시되면(S131), 제어부(400)는 이송부(100) 및 제2 세정부(300)의 배기압력(P1, P3)이 제1 세정부(200)(P2)의 배기압력에 비해 크도록 제어한다(S132). 즉, 도 5b를 참조하면, 제1 세정부(200)의 웨이퍼 세정 공정이 개시되면, 제1 로봇암(110)은 처리조(210)들에 순차적으로 웨이퍼(W)들을 침지시켜, 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 그리고, 제어부(400)는 제1 유입부재(130) 및 제3 유입부재(320)의 외부 공기 유입량을 증가시켜, 이송부(100) 및 제2 세정부(300) 내 배기압력(P1, P3)을 증가시킨다. 따라서, 이송부(100) 및 제2 세정부(300) 내 배기압력(P1, P3)은 제1 세정부(200) 내 배기압력(P2)보다 높게 조절된다. 그러므로, 제1 세정부(200)의 처리조(210)들로부터 발생되는 흄(fume)은 제2 세정부(300)로 유입되는 것이 방지된다. 이때, 이송부(100)의 배기압력(P1)과 제2 세정부(300)의 배기압력(P3)은 서로 동일하도록 조절되는 것이 바람직하다. 만약, 이송부(100)의 배기압력(P1)과 제2 세정부(300)의 배기압력(P3)이 서로 상이하면, 제1 세정부(200)로부터 발생되는 흄이 이송부(100)에 유입된 후에 제2 세정부(300)로 이동되거나, 제2 세정부(300)로부터 발생되는 흄이 이송부(100)에 유입된 후 제1 세정부(200)로 이동될 수 있다.
만약, 제2 세정부(300)의 웨이퍼 세정 공정이 개시되면(S133), 제어부(400)는 이송부(100) 및 제1 세정부(200)의 배기압력(P1, P2)이 제2 세정부(300)의 배기압력(P3)에 비해 크도록 제어한다(S134). 즉, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제어부(400)는 제1 유입부재(130) 및 제2 유입부재(220)의 외부 공기 유입량을 증가시켜, 이송부(100) 및 제1 세정부(200) 내 배기압력(P1, P2)을 증가시킨다. 따라서, 이송부(100) 및 제1 세정부(200) 내 배기압력(P1, P2)은 제2 세정부(300) 내 배기압력(P3)보다 높게 조절된다. 따라서, 제2 세정부(300)의 처리조(310)들로부터 발생되는 흄(fume)은 제1 세정부(200)로 유입되는 것이 방지된다. 이때, 이송부(100) 및 제1 세정부(200) 내 배기압력(P1, P2)은 서로 동일하도록 조절되는 것이 바람직하다.
만약, 제1 세정부(200) 및 제2 세정부(300)의 웨이퍼 세정 공정이 동시에 개시되면(S135), 제어부(400)는 이송부(100)의 배기압력(P1)이 제1 및 제2 세정부(200, 300)의 배기압력(P2, P3)에 비해 크도록 제어한다(S136). 즉, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제어부(400)는 제1 유입부재(130)의 외부 공기 유입량을 증가시켜, 이송부(100)의 배기압력(P1)을 증가시킨다. 따라서, 이송부(100) 내 배기압력(P1)은 제1 및 제2 세정부(200, 300) 내 배기압력(P2, P3)보다 높게 조절된다. 그러므로, 제1 세정부(200)의 처리조(210)들로부터 발생되는 흄(fume)은 제2 세정부(300)로 이동되는 것이 방지되고, 제2 세정부(300)의 처리조(310)들로부터 발생되는 흄은 제2 세정부(200)로 이동되는 것이 방지된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공정시 웨이퍼 세정유닛(40) 내 배기 처리를 영역별로 독립적으로 제어하여, 어느 하나의 세정부로부터 발생되는 흄이 다른 세정부로 유입되는 것을 방지한다. 즉, 본 발명은 이송부(100), 제1 세정부(200), 제2 세정부(300) 각각의 배기 처리를 독립적으로 제어하여, 제1 세정부(200) 또는 제2 세정부(300) 각각으로부터 발생되는 흄이 다른 세정부로 유입되는 것을 방지하여, 웨이퍼 처리 공정의 효율을 향상시킨다. 특히, 어느 하나의 세정부가 알칼리성의 처리액을 사용하고, 다른 하나의 세정부가 산성의 처리액을 사용하는 경우에 각각의 세정부로부터 발생되는 흄이 다른 세정부로 유입되는 것을 방지함으로써, 알칼리성 흄과 산성의 흄이 혼합되어 설비 내 구성들이 오염되는 것을 방지한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 잘단한 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
제 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정유닛의 배기 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 제어유닛의 배기 처리 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 카세트 수납부
20 : 카세트 이송부
30 : 제1 웨이퍼 이송유닛
40 : 웨이퍼 세정유닛
50 : 제2 웨이퍼 이송유닛
100 : 이송부
200 : 제1 세정부
300 : 제2 세정부
400 : 제어부

Claims (10)

  1. 기판을 세정하는 유닛에 있어서,
    기판을 이송하는 로봇암을 가지는 이송부와,
    상기 이송부의 일측에 배치되며, 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제1 세정부와,
    상기 이송부의 타측에 배치되며, 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제2 세정부, 그리고
    상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기 처리를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 제어부는,
    상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 세정 유닛은,
    상기 이송부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제1 유입팬, 상기 제1 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제2 유입팬, 그리고 상기 제2 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제3 유입팬을 더 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 유입팬 및 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬 각각의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제1 세정부의 배기 압력이 상기 이송부 및 상기 제2 세정부의 배기 압력보다 낮도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬을 제어하고,
    상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제2 세정부의 내부 압력이 상기 이송부 및 상기 제1 세정부의 배기 압력보다 낮도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 유닛.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 세정부에 구비되는 처리조는,
    산성 용액을 사용하여 기판을 세정하고,
    상기 제2 세정부에 구비되는 처리조는,
    알칼리성 용액을 사용하여 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 유닛.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트를 반입, 반출하도록 배치하는 카세트 처리유닛과,
    내부에 처리액을 저장하는 공간을 가지며, 공정시 저장된 처리액에 웨이퍼를 침지시켜 세정하는 처리조를 가지는 기판 세정유닛 및,
    상기 카세트 처리유닛 및 상기 기판 세정유닛 상호간에 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송유닛을 포함하되,
    상기 기판 세정유닛은,
    기판을 이송하는 로봇암을 가지는 이송부와,
    상기 이송부의 일측에 배치되며 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제1 세정부와,
    상기 이송부의 타측에 배치되며, 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는 복수의 처리조들을 가지는 제2 세정부, 그리고
    상기 이송부 및 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기 처리를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 기판 세정 유닛은,
    상기 이송부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제1 유입팬, 상기 제1 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제2 유입팬, 그리고 상기 제2 세정부의 상부벽에 회전가능하도록 설치되는 제3 유입팬을 더 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 유입팬 및 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬 각각의 외부 공기 유입량을 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제1 세정부의 배기 압력이 상기 이송부 및 상기 제2 세정부의 배기 압력보다 낮도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬을 제어하고,
    상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우에는 상기 제2 세정부의 배기 압력이 상기 이송부 및 상기 제1 세정부의 배기 압력보다 낮도록 상기 제1 유입팬, 상기 제2 유입팬, 그리고 상기 제3 유입팬을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 세정부에 구비되는 처리조는,
    산성 용액을 사용하여 기판을 세정하고,
    상기 제2 세정부에 구비되는 처리조는,
    알칼리성 용액을 사용하여 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 로봇암을 가지는 이송부, 상기 이송부의 일측에 구비되며 내부에 처리액을 저장하는 처리조를 구비하여 기판을 세정하는 제1 세정부, 그리고 상기 이송부의 타측에 구비되며 내부에 처리액을 저장하는 처리조를 구비하여 기판을 세정하는 제2 세정부를 가지는 기판 세정 유닛의 배기 처리 방법에 있어서,
    상기 기판 세정 유닛의 배기는,
    상기 이송부, 상기 제1 세정부, 그리고 상기 제2 세정부의 배기를 독립적으로 수행하되,
    상기 기판 세정 유닛의 배기는,
    상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 제1 세정부의 배기압력에 비해 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력이 높도록, 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 배기 압력을 증가시키고,
    상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 제2 세정부의 배기압력에 비해 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력이 높도록, 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력을 증가시키는 것을 특징으로 하는 배기 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력의 증가는,
    상기 이송부 및 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 하여 이루어지고,
    상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력의 증가는,
    상기 이송부 및 상기 제2 세정부로의 외부 공기 유입량이 상기 제1 세정부로의 외부 공기 유입량보다 크도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배기 처리 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 세정 유닛의 배기는,
    상기 제1 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 이송부 및 상기 제2 세정부 내 배기압력이 동일하도록 조절되고,
    상기 제2 세정부의 기판 세정이 진행되는 경우, 상기 이송부 및 상기 제1 세정부 내 배기압력이 동일하도록 조절되는 것을 특징으로 하는 배기 처리 방법.
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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
(월간)반도체, no.140, 1999, 전자자료사, 심홍, Vacuum pump 및 배기 Gas 처리 system in vacuum pump applications, pp.104-115

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106711072A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 株式会社大福 搬送设备
CN106711072B (zh) * 2015-11-18 2021-09-14 株式会社大福 搬送设备

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