KR100950318B1 - 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 - Google Patents
방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100950318B1 KR100950318B1 KR1020080046823A KR20080046823A KR100950318B1 KR 100950318 B1 KR100950318 B1 KR 100950318B1 KR 1020080046823 A KR1020080046823 A KR 1020080046823A KR 20080046823 A KR20080046823 A KR 20080046823A KR 100950318 B1 KR100950318 B1 KR 100950318B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- formula
- hardmask
- group
- radiation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 삭제
- (a) 하기 화학식 1로 표시되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체; 및(b) 유기 용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.[화학식 1](상기 식에서, n은 1≤n<190의 범위이고, R1 는 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 는중 어느 하나를 포함한다.)[화학식 2](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190, 2≤m+n≤190의 범위이고, R1 및 R3는 독립적으로 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R4 는중 어느 하나를 포함한다.)
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 (c) 가교 성분; 및 (d) 산 촉매를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은(a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%;(b) 가교 성분 0.1~5 중량%;(c) 산 촉매 0.001~0.05 중량%; 및(d) 유기용매 75~98.8 중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 가교 성분은 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 산 촉매는 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트(Pyridinium P-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트 및 유기 술폰산의 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 상기 재료 층 위로 제 3항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용한 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 상기 반사방지 하드마스크 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 반사방지 하드마스크 층의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 재료의 패턴화 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에 실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 재료의 패턴화 방법.
- 제 11 항에 있어서,실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시킨 후, (c) 단계 전에 바닥 반사방지층(BARC)을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 재료의 패턴화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 화학식 1은 2개 이상의 서로 다른 반복 단위를 포함하고,상기 2개 이상의 서로 다른 반복 단위는 서로 상이한 R1을 포함하거나 서로 상이한 R2를 포함하는 것인 방향족 고리 함유 중합체.
- 제3항에 있어서,상기 화학식 1은 2개 이상의 서로 다른 반복 단위를 포함하고,상기 2개 이상의 서로 다른 반복 단위는 서로 상이한 R1을 포함하거나 서로 상이한 R2를 포함하는 것인 반사방지 하드마스크 조성물.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080046823A KR100950318B1 (ko) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080046823A KR100950318B1 (ko) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090120827A KR20090120827A (ko) | 2009-11-25 |
KR100950318B1 true KR100950318B1 (ko) | 2010-03-31 |
Family
ID=41604013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080046823A KR100950318B1 (ko) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100950318B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10353292B2 (en) | 2015-12-16 | 2019-07-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns |
KR20200065481A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 주식회사 에이치앤에스 | 반사방지 하드코팅 조성물 |
KR102226175B1 (ko) | 2020-11-11 | 2021-03-10 | 이경열 | 고순도의 히드록시파이렌 화합물을 제조하는 방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101432605B1 (ko) | 2010-12-16 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
KR101863634B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2018-06-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR101531610B1 (ko) | 2011-12-30 | 2015-06-24 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
WO2013100375A1 (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
JP6084986B2 (ja) * | 2011-12-30 | 2017-02-22 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | ハードマスク組成物用モノマー、前記モノマーを含むハードマスク組成物および前記ハードマスク組成物を用いたパターン形成方法 |
KR101425135B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-07-31 | 금호석유화학 주식회사 | 용해도가 개선된 고내에칭성 카본 하드마스크 중합체 및 이를 포함하는 카본 하드마스크 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
KR101484568B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2015-01-21 | 금호석유화학 주식회사 | 고내에칭성 카본 하드마스크 중합체 및 이를 포함하는 반사방지 하드마스크 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
KR101599961B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2016-03-04 | 제일모직 주식회사 | 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
CN104812729B (zh) * | 2012-12-26 | 2017-05-10 | 第一毛织株式会社 | 单体、包含此单体的硬屏蔽组成物及使用此硬屏蔽组成物形成图案的方法 |
WO2014104496A1 (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 제일모직 주식회사 | 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
KR101770749B1 (ko) | 2016-01-11 | 2017-08-23 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102510788B1 (ko) * | 2018-06-01 | 2023-03-15 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102244470B1 (ko) | 2018-07-18 | 2021-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법 |
KR102109919B1 (ko) | 2019-01-18 | 2020-05-12 | 주식회사 오라스 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102194297B1 (ko) * | 2019-08-06 | 2020-12-22 | 최상준 | 인돌-플루오렌 중합체를 함유하는 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102252677B1 (ko) | 2020-09-21 | 2021-05-14 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102246532B1 (ko) | 2020-10-28 | 2021-04-29 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR102623450B1 (ko) | 2021-09-07 | 2024-01-10 | 주식회사 켐폴 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005010431A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP2005114921A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
KR20060108532A (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 재료 및 패턴 형성 방법 |
-
2008
- 2008-05-20 KR KR1020080046823A patent/KR100950318B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005010431A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP2005114921A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
KR20060108532A (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 재료 및 패턴 형성 방법 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10353292B2 (en) | 2015-12-16 | 2019-07-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns |
KR20200065481A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 주식회사 에이치앤에스 | 반사방지 하드코팅 조성물 |
KR102197249B1 (ko) | 2018-11-30 | 2020-12-31 | 주식회사 에이치앤에스 | 반사방지 하드코팅 조성물 |
KR102226175B1 (ko) | 2020-11-11 | 2021-03-10 | 이경열 | 고순도의 히드록시파이렌 화합물을 제조하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090120827A (ko) | 2009-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100950318B1 (ko) | 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 | |
KR100888611B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상재료의 패턴화 방법 | |
KR100930673B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 | |
JP5118191B2 (ja) | 反射防止性を有するハードマスク組成物及びこれを利用した材料のパターン形成方法 | |
KR100896451B1 (ko) | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR100816735B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스 | |
KR100908601B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 | |
KR100866015B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화방법 | |
KR101414278B1 (ko) | 레지스트 하층막용 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법 | |
KR100662542B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용하여 기판 상에패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법 | |
KR100671115B1 (ko) | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 | |
KR101257697B1 (ko) | 고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의패턴화 방법 | |
KR100826104B1 (ko) | 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR100833212B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 | |
KR100671120B1 (ko) | 신규 플루오렌 중합체 및 이를 이용한 반사방지성을 갖는하드마스크 조성물 | |
KR101174086B1 (ko) | 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 | |
KR101225945B1 (ko) | 고 내에칭성 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 | |
KR100819162B1 (ko) | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 | |
KR20110079200A (ko) | 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 | |
KR100844019B1 (ko) | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR100826103B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 | |
KR101288573B1 (ko) | 칼릭스 알렌이 함유된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR101212676B1 (ko) | 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 | |
WO2007139268A1 (en) | Antireflective hardmask composition | |
KR100865684B1 (ko) | 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 반도체집적회로 디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130104 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141223 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160218 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200214 Year of fee payment: 11 |