KR100829327B1 - 기판 처리 장치 및 반응 용기 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (41)
- 적층 배치된 기판을 수납하는 반응실과,상기 기판의 적층 배치 방향을 따라서 설치된 가스 도입부와,버퍼실을 구비하고,적어도 2종류의 기판 처리용 가스를 상기 반응실 내에 1종류씩 교대로 공급하여 상기 기판 상에 원하는 막을 형성하는 기판 처리 장치로서,상기 가스 도입부는, 상기 기판의 적층 배치 방향을 따라서 다수의 가스 도입구를 구비하고, 상기 다수의 가스 도입구는 상기 가스 도입부 내를 흐르는 가스류(流)의 상류에서 하류로 갈수록 개구 면적이 크게 설정되고, 상기 다수의 가스 도입구로부터 상기 기판 처리용 가스 중 적어도 하나를 상기 버퍼실 내에 도입하며,상기 버퍼실은, 상기 기판의 적층 배치 방향을 따라서 설치된 다수의 가스 공급구를 가지며, 상기 가스 도입부로부터 도입되는 상기 처리용 가스를 상기 다수의 가스 공급구로부터 상기 반응실 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 버퍼실에 설치된 상기 다수의 가스 공급구의 개구 면적이 같은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 가스 도입부는, 상기 버퍼실 내에 설치된 가스 공급관을 구비하고, 상기 가스 공급관에는, 상기 기판의 적층 배치 방향을 따라서 다수의 가스 도입구가 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 버퍼실의 상기 다수의 가스 공급구는, 상기 적층 배치된 기판의 피치와 동일 피치로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,버퍼실을 또 1개 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼실의 상기 가스 공급구가, 상기 기판이 배치되어 있는 위치보다도 하측까지 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼실 내에, 상기 기판 처리용 가스를 활성화시키는 가스 활성 부재를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제9항에 있어서,상기 가스 활성 부재가, 플라즈마 발생용의 전극인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 전극에 보호 부재를 설치하여, 상기 버퍼실 분위기와 상기 전극을 비접촉으로 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제11항에 있어서,상기 보호 부재 내에 불활성 가스를 충전하거나, 또는 상기 보호 부재 내를 불활성 가스에 의해 퍼지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 전극 사이에 상기 버퍼실의 상기 다수의 가스 공급구를 설치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 버퍼실이 상기 반응실 내에 설치되고,상기 버퍼실은 제1 벽면과 제2 벽면을 구비하고,상기 다수의 가스 공급구는 상기 버퍼실의 제1 벽면에 설치되고,상기 버퍼실의 상기 제2 벽면은 상기 반응실의 벽면의 일부와 공통되고,상기 버퍼실 내에 플라즈마 발생용의 전극이 설치되고,상기 제2 벽면보다도 상기 제1 벽면에 상기 전극의 적어도 하나를 근접시킨 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 버퍼실이 상기 반응실 내에 설치되고,상기 버퍼실은 제1 벽면과 제2 벽면을 구비하고,상기 다수의 가스 공급구는 상기 버퍼실의 제1 벽면에 설치되고,상기 버퍼실의 상기 제2 벽면은 상기 반응실의 벽면의 일부와 공통되고,상기 버퍼실 내에 플라즈마 발생용의 전극이 설치되고,상기 전극에 보호 부재를 각각 설치하여, 상기 버퍼실 분위기와 상기 전극을 비접촉으로 하고,상기 제2 벽면보다도 상기 제1 벽면에 상기 보호 부재의 적어도 하나를 근접시킨 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 가스 도입부에 접속하는 리모우트 플라즈마 유닛을 더 구비하고,상기 리모우트 플라즈마 유닛에 의해 활성화된 상기 기판 처리용의 가스를 상기 가스 도입부로부터 상기 버퍼실에 도입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 적층 배치된 기판을 수납하는 반응실과,다수의 버퍼실과,기판 처리용 가스를 상기 다수의 버퍼실에 각각 도입하는 다수의 가스 도입부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서,상기 다수의 버퍼실은, 상기 기판의 적층 배치 방향을 따라서 설치된 다수의 가스 공급구를 각각 가지며, 상기 다수의 가스 도입부로부터 각각 도입되는 상기 기판 처리용 가스를 상기 다수의 가스 공급구로부터 상기 반응실에 각각 공급하며,상기 다수의 버퍼실 중, 하나의 버퍼실 내에는 상기 기판 처리용 가스를 활성화하는 플라즈마 발생용의 전극이 설치되고, 다른 버퍼실 내에는 상기 전극이 설치되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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- 다수의 기판을 수용하는 반응실과,다수의 제1 가스 공급 구멍을 갖는 제1 가스 공급 부재와,다수의 제2 가스 공급 구멍을 갖는 제2 가스 공급 부재와,다수의 제3 가스 공급 구멍을 갖는 제3 가스 공급 부재를 구비한 기판 처리 장치에 있어서,활성화된 상태로 상기 기판의 처리에 사용되는 제1 처리 가스로서, 상기 제2 가스 공급 부재 내에 공급되는 상기 제1 처리 가스가, 상기 제2 가스 공급 부재 내를 흐르는 가스류(流)의 상류에서 하류로 갈수록 개구 면적이 크게 설정되어 있는 상기 다수의 제2 가스 공급 구멍으로부터 상기 제1 가스 공급 부재 내에 공급되고, 또한 상기 제2 가스 공급 부재로부터 공급된 상기 제1 처리 가스가 상기 다수의 제1 가스 공급 구멍으로부터 상기 반응실 내에 공급되며,상기 제3 가스 공급 부재 내에 공급되는 활성화되지 않은 제2 처리 가스가, 상기 다수의 제3 가스 공급 구멍으로부터 상기 반응실 내에 공급되고,적어도 상기 제1 처리 가스와 상기 제2 처리 가스를 상기 반응실 내에서 교대로 공급하여 상기 기판 상에 원하는 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 다수의 기판이 적층되어 수용되는 처리실과, 상기 처리실과 사이를 둔 전극실이며 한쌍의 전극을 수용하는 상기 전극실을 구비하는 반응 용기와,상기 전극실에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 부재이며, 다수의 가스 공급 구멍을 갖는 상기 가스 공급 부재를 구비하고,상기 한쌍의 전극은 상기 다수의 기판의 적층 방향을 따라서 연장하고, 상기 한쌍의 전극은 상기 다수의 기판의 일 측방에 배치되며, 고주파 전력이 상기 한쌍의 전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 다수의 기판이 적층되어 수용되는 반응 용기와,상기 반응 용기 내에 설치되고, 상기 다수의 기판의 적층 방향으로 연장하며, 고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극과,상기 한쌍의 전극을 수용하는 전극실이며, 상기 반응 용기 내에 설치된 상기 전극실과,다수의 가스 공급 구멍을 갖고, 처리 가스를 상기 전극실 내에 공급하는 가스 공급 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제26항에 있어서,상기 한쌍의 전극이, 봉 형상 전극인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제26항에 있어서,상기 기판이 상기 반응 용기 내에 수용될 때에, 상기 기판은 상기 한쌍의 전극 사이의 공간에 설치되지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 적어도 하나의 기판이 수용되는 반응 용기와,고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극이며, 이 중 적어도 하나가 상기 반응 용기 내에 설치되는 상기 한쌍의 전극과,상기 한쌍의 전극 중의 상기 적어도 하나를 수용하는 전극실이며, 상기 반응 용기 내에 설치된 상기 전극실과,다수의 가스 공급 구멍을 갖고, 처리 가스를 상기 전극실 내에 공급하는 가스 공급 부재와,상기 반응 용기 내에 설치된 상기 한쌍의 전극 중의 상기 적어도 하나를 덮는 보호 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제29항에 있어서,상기 보호 부재에는 불활성 가스가 충전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 적어도 하나의 기판이 수용되는 반응 용기와,고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극과,상기 한쌍의 전극을 수용하는 전극실이며, 상기 처리실과 사이를 둔 상기 전극실과,상기 처리실 내의 상기 기판을 가열하는 가열 부재이며, 상기 처리실 및 상기 전극실의 둘레에 설치된 상기 가열 부재와,다수의 제1 가스 공급 구멍을 갖고, 처리 가스를 상기 전극실 내에 공급하는 가스 공급 부재와,상기 전극실에 설치되고, 상기 처리 가스를 상기 처리실에 공급하는 적어도 하나의 제2 가스 공급 구멍이며, 상기 한쌍의 전극 사이에 위치하고 있는 상기 적어도 하나의 제2 가스 공급 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 적어도 하나의 기판을 수용하는 처리실과, 고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극을 수용하는 전극실이며 상기 처리실과 사이를 둔 상기 전극실을 갖는 반응 용기와,상기 처리실 내의 적어도 하나의 기판을 가열하는 가열 부재와,다수의 가스 공급 구멍을 갖고, 처리 가스를 상기 전극실 내에 공급하는 가스 공급 부재를 구비한 기판 처리 장치에 있어서,상기 전극실은 상기 가열 부재와 상기 처리실 내의 상기 적어도 하나의 기판과의 사이에 위치하고, 상기 전극실 내에서 플라즈마가 형성되며, 상기 처리 가스가 상기 전극실 내에서 활성화되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 다수의 처리 가스를 기판 표면에 교대로 다수 회 반복 공급하여 상기 기판 상에 막을 형성하는 장치에 있어서,다수의 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 다수의 기판과 상기 지지 부재를 수용하는 처리실과,상기 기판을 가열하는 가열 부재와,상기 처리실 내에 상기 다수의 처리 가스를 교대로 다수 회 반복 공급하는 가스 공급부이며, 상기 가스 공급 부재는, 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 제2 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급 부재를 갖는 상기 가스 공급부와,상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 배기부와,상기 기판의 처리 중에, 상기 기판을 회전시키기 위해 상기 지지 부재를 회전시키는 회전 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 다수의 기판이 적층되어 수용되는 처리관과,상기 처리관 내에 설치되고, 고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극이며, 상기 한쌍의 전극은 상기 다수의 기판의 적층 방향을 따라서 연장하는 상기 한쌍의 전극과,상기 처리관 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 부재로서, 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급 부재와 제2 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급 부재를 갖는 가스 공급 부재를 구비하며,상기 처리관은 석영으로 구성되고,상기 가스 공급 부재로부터 공급되는 상기 처리 가스는, 상기 처리관의 내벽에 접촉 가능한 상태로 상기 처리관 내에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 적어도 하나의 기판이 수용되는 처리관과,고주파 전력이 인가되는 한쌍의 전극이며, 상기 한쌍의 전극 중의 적어도 하나가 상기 처리관 내에 설치된 상기 한쌍의 전극과,상기 처리관 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 부재와,상기 처리관 내에 설치된 상기 한쌍의 전극 중의 상기 적어도 하나를 덮는 보호 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 적어도 하나의 기판이 수용되는 처리실과,상기 처리실 내의 상기 기판을 가열하는 가열 부재이며, 상기 처리실 둘레에 설치된 상기 가열 부재와,상기 가열 부재 내에 설치되고, 고주파 전력이 인가되는 봉 형상의 한쌍의 전극과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제33항에 있어서,상기 처리실 내에는 버퍼실이 설치되고,상기 버퍼실 내에는, 상기 제1 가스 공급부로부터 공급되는 상기 제1 처리 가스를 활성화하는 플라즈마 발생용의 전극이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 적층 배치된 기판을 수납하는 반응실을 형성하는 반응관과,제1 가스 도입부 및 제2 가스 도입부와,상기 반응관의 내부에 설치되고, 가스 공급구를 갖는 버퍼실과,상기 버퍼실의 내부에 설치되고, 처리 가스를 활성화시키는 플라즈마 발생용의 전극을 구비한 기판 처리 장치로서,상기 제1 가스 도입부는, 상기 처리 가스를 상기 버퍼실 내에 도입하고,상기 버퍼실은, 그 버퍼실의 내부에 상기 전극에 의해 발생되는 플라즈마에 의해 상기 처리 가스를 활성화시키는 공간을 형성하고, 상기 제1 가스 도입부로부터 도입되는 상기 처리 가스를 상기 가스 공급구로부터 상기 반응실 내에 공급하며,상기 제2 가스 도입부는, 활성화시키는 상기 처리 가스와는 다른 처리 가스를 활성화시키지 않고 상기 반응실 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 적층 배치된 기판을 수납하는 반응실을 형성하는 반응관과,가스 도입부와,상기 반응관의 내부에 설치된 버퍼실을 구비한 기판 처리 장치로서,상기 가스 도입부는, 처리 가스를 상기 버퍼실 내에 도입하는 적어도 하나의 가스 도입구를 가지며,상기 버퍼실은, 적어도 하나의 가스 공급구를 가지고, 상기 가스 도입부로부터 도입되는 상기 처리 가스를 상기 가스 공급구로부터 상기 반응실 내에 공급하며,상기 버퍼실 내에 형성되는 상기 가스 도입구로부터 상기 가스 공급구로 흐르는 상기 처리 가스의 흐름의 도중에, 상기 처리 가스를 활성화시키는 플라즈마 발생용의 전극이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 다수의 기판을 수용하는 처리실을 형성하는 처리관과,적어도 하나의 제1 가스 공급구를 포함하고, 상기 처리관의 내부에 설치되는 제1 가스 공급부와,적어도 하나의 제2 가스 공급구를 포함하는 제2 가스 공급부와,적어도 하나의 제3 가스 공급구를 포함하는 제3 가스 공급부와,상기 제1 가스 공급부의 내부에 설치되는 플라즈마 발생용의 전극을 구비한 기판 처리 장치로서,활성화된 상태로 상기 처리실 내에 공급되는 제1 처리 가스로서, 상기 제2 가스 공급부 내에 공급되는 상기 제1 처리 가스가, 상기 제2 가스 공급구로부터 상기 제1 가스 공급부 내에 공급되고, 또한 상기 제2 가스 공급부로부터 공급된 상기 제1 처리 가스가 상기 제1 가스 공급부 내에서 활성화되어 상기 제1 가스 공급구로부터 상기 처리실 내에 공급되며,상기 제3 가스 공급부 내에 공급되는 활성화되지 않은 제2 처리 가스가, 상기 제3 가스 공급구로부터 상기 처리실 내에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 다수의 기판을 수납하는 반응실을 형성하는 처리관과,적어도 하나의 제1 가스 공급구를 포함하고, 상기 처리관의 내부에 설치되는 제1 가스 공급부와,적어도 하나의 제2 가스 공급구를 포함하는 제2 가스 공급부와,적어도 하나의 제3 가스 공급구를 포함하는 제3 가스 공급부를 구비한 기판 처리 장치로서,활성화된 상태로 상기 반응실 내에 공급되는 제1 처리 가스로서, 상기 제2 가스 공급부 내에 공급되는 상기 제1 처리 가스가, 상기 제2 가스 공급구로부터 상기 제1 가스 공급부 내에 공급되고, 또한 상기 제2 가스 공급부로부터 공급된 상기 제1 처리 가스가 상기 제1 가스 공급구로부터 상기 반응실 내에 공급되며,상기 제3 가스 공급부 내에 공급되는 활성화되지 않은 제2 처리 가스가, 상기 제3 가스 공급구로부터 상기 반응실 내에 공급되고,상기 제1 가스 공급부 내에서, 상기 제2 가스 공급구로부터 상기 제1 가스 공급구로 흐르는 상기 제1 처리 가스의 흐름의 도중에, 상기 제1 처리 가스를 활성화하는 플라즈마 발생용의 전극이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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