JP2005243735A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005243735A JP2005243735A JP2004048453A JP2004048453A JP2005243735A JP 2005243735 A JP2005243735 A JP 2005243735A JP 2004048453 A JP2004048453 A JP 2004048453A JP 2004048453 A JP2004048453 A JP 2004048453A JP 2005243735 A JP2005243735 A JP 2005243735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- gas
- processing
- inert gas
- vacuum pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板処理装置は、複数の処理ガスを交互に供給して基板としてのウェハ200を処理する処理室201と、処理室201内の雰囲気を排気する排気系250とを備える。排気系250は、排気手段246と不活性ガス供給手段30とから構成される。排気手段246は、排気口23と、処理室201側の雰囲気に接続される吸気口22とを含む筐体21と、筐体21内であって、吸気口22と排気口23との間に設けられ吸気口22側の雰囲気を排気口23側へ移送する移送手段24とを有する。不活性ガス供給手段30は、不活性ガスを流すガス供給配管32と、この途中に設けられて不活性ガスを所定温度に加熱する加熱手段31を有して、高温の不活性ガスを真空ポンプ246の下流側に供給するように構成する。
【選択図】 図1
Description
現在、これらの問題の有効な解決策はまだ見つかっていない。
排気手段の背圧が上がらず、排気手段の排気能力の低下を抑制できる。したがって、排気速度の低下によるスループット低下や到達圧力の低下が生じない。
移送手段と排気口との間の筐体内に供給すると、循環流れを利用して筐体を温めることができるので、筐体内の副生成物の付着を抑えることができる。
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを併行して流す。まず第1のガス供給管232aに設けた第1のバルブ243a、及びガス排気管231に設けた第4のバルブ243dを共に開けて、第1のガス供給管232aから第1のマスフローコントローラ243aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233の第2のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ:励起し、活性種として処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第4のバルブ243dを適正に調整して処理炉202内圧力を10〜100Paとする。第1のマスフローコントローラ241aで制御するNH3の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウェハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207温度はウェハが300〜600℃になるよう設定してある。NH3は反応温度が高いため、上記ウェハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウェハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
ステップ2では、第1のガス供給管232aの第1のバルブ243aを閉めて、NH3の供給を止めるが、引続きガス溜め247へ供給を継続する。ガス溜め247に所定圧、所定量のDCSが溜まったら上流側の第2のバルブ243bも閉めて、ガス溜め247にDCSを閉じ込めておく。また、ガス排気管231の第4のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理炉202を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理炉202から排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理炉202に供給すると、更に残留NH3を排除する効果が高まる。ガス溜め247内には、圧力が20000Pa以上になるようにDCSを溜める。また、ガス溜め247と処理炉202との間のコンダクタンスが1.5×10−3m3/s以上になるように装置を構成する。また、反応管203容積とこれに対する必要なガス溜め247の容積との比として考えると、反応管203容積100l(リットル)の場合においては、100〜300ccであることが好ましく、容積比としてはガス溜め247は反応室容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
ステップ3では、処理炉202の排気が終わったらガス排気管231の第4のバルブ243dを閉じて排気を止める。第2のガス供給管232bの下流側の第3のバルブ243cを開く。これによりガス溜め247に溜められたDCSが処理炉202に一気に供給される。このときガス排気管231の第4のバルブ243dが閉じられているので、処理炉202内の圧力は急激に上昇して約931Pa(7Torr)まで昇圧される。DCSを供給するための時間は2〜4秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2〜4秒に設定し、合計6秒とした。このときのウェハ温度はNH3の供給時と同じく、300〜600℃である。DCSの供給により、下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、ウェハ200上にSiN膜が成膜される。成膜後、第3のバルブ243cを閉じ、第4のバルブ243dを開けて処理炉202を真空排気し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理炉202に供給すると、更に残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを処理炉202から排除する効果が高まる。また第2のバルブ243bを開いてガス溜め247へのDCSの供給を開始する。
真空ポンプ246は、ブースタポンプとして機能する上流側真空ポンプ10と、メインポンプとして機能する下流側真空ポンプ20とからなる2段構成になっている。
不活性ガス供給手段30は、不活性ガス供給路としてのガス供給配管32と、加熱手段31とを有し、この加熱手段31で加熱して高温になった不活性ガス、例えばN2を下流側真空ポンプ20に供給するようになっている。なお、不活性ガスを高温に加熱する加熱手段31としては、抵抗加熱器の他に、ランプ加熱器、プラズマ加熱器等がある。
上流側真空ポンプ10及び下流側真空ポンプ20は、処理室内への油(ポンプ内機構の密閉用、潤滑用の油)の逆拡散を防止するため、ドライポンプを使用している。
下流側真空ポンプ20内には、このような循環流が生じているので、下流側真空ポンプ20の排気口23付近の筐体21内部に加熱した不活性ガスを導入すれば、不活性ガスの一部が循環流れ(矢印R)に乗って、下流側真空ポンプ20全体を加熱できる。従って、本来ならば、下流側真空ポンプ20の筐体21内で排気作用が徐々に低下することが原因で、筐体21内にガスが残留する可能性が大きくなり、その結果、複数のガスが共存し、副生成物が発生しやすくなるが、前述した循環流れを利用して筐体21を温めることができるので、筐体21内の副生成物の付着を有効に抑えることができる。
副生成物がNH4Clの場合、120℃で10Pa以下、160℃で100Pa以下、200℃で1000Pa以下の条件下では、副生成物の固着(付着)は発生しない。また、真空ポンプの吸気口での圧力として、10〜100Paの範囲で使用する場合、160℃以上に不活性ガスを加熱することにより、副生成物付着は発生しない。また、120℃でも、圧力が10〜100Paの範囲であれば、副生成物の固着開始温度との差が小さいため、付着量を少量に押えることが可能になる。なお、固着開始温度は、NH4Clの場合、各蒸気圧下で、101Pa:115℃、102Pa:150℃、103Pa:200℃、104Pa:265℃、105Pa:350℃である。
なお、上述した温度160℃、200℃、120℃は、真空ポンプの圧縮熱によって上昇するが、圧縮熱が加わるとしても、元の温度が高いので上昇温度幅は小さく、ポンプ内部でそれぞれ200℃、220℃、180℃程度に上昇するものと考えられる。
22 吸気口
23 排気口
24 移送手段
30 不活性ガス供給手段
200 ウェハ(基板)
201 処理室
246 真空ポンプ(排気手段)
250 排気系
Claims (1)
- 複数の処理ガスを交互に供給するガス導入部を備えて内部に配置された基板を処理する処理室と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系とを備えた基板処理装置であって、前記排気系は、
前記処理室側の雰囲気を吸気する吸気口及び吸気した雰囲気を排気する排気口を有する筐体と、前記筐体内であって、前記吸気口と前記排気口との間に設けられ吸気口側の雰囲気を排気口側へ移送する移送手段とを有する排気手段と、
前記排気口付近の前記筐体内に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004048453A JP4364670B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | Ald装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004048453A JP4364670B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | Ald装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005243735A true JP2005243735A (ja) | 2005-09-08 |
JP4364670B2 JP4364670B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=35025176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004048453A Expired - Lifetime JP4364670B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | Ald装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4364670B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI640687B (zh) * | 2012-05-02 | 2018-11-11 | 愛德華有限公司 | 用於對一真空泵配置暖機之方法及裝置 |
WO2020090161A1 (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
2004
- 2004-02-24 JP JP2004048453A patent/JP4364670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI640687B (zh) * | 2012-05-02 | 2018-11-11 | 愛德華有限公司 | 用於對一真空泵配置暖機之方法及裝置 |
WO2020090161A1 (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JPWO2020090161A1 (ja) * | 2018-10-31 | 2021-09-02 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP7055219B2 (ja) | 2018-10-31 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4364670B2 (ja) | 2009-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5027850B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2006087893A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2004281853A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5568212B2 (ja) | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
WO2006038659A1 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5546654B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 | |
JP2006237532A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4364670B2 (ja) | Ald装置 | |
JP4242733B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009272367A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5848788B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 | |
JP2007027425A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4716737B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005223144A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011134748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4509697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010118441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008227163A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009088565A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006295032A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005167027A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4936497B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2006216612A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005285922A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090819 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4364670 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140828 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |