KR101931692B1 - 배치식 플라즈마 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판처리장치는 복수의 기판이 처리되는 처리공간을 제공하는 튜브; 상기 처리공간에서 상기 복수의 기판을 제1방향으로 적재하는 기판 지지부; 상기 기판이 처리되는 공정에 필요한 공정가스를 상기 튜브 내로 공급하는 가스 공급관; 상기 튜브와 연통되어 상기 처리공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기부; 및 상기 튜브로부터 연장되어 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽에 의해 상기 처리공간과 구분되고, 상기 가스 공급관으로부터 공급받은 공정가스를 플라즈마 분해시켜 상기 처리공간으로 분해된 공정가스를 제공하는 플라즈마 반응부를 포함하고, 상기 플라즈마 반응부는, 상기 방전공간에 수용되어 상기 제1방향으로 연장되는 복수의 전원공급 전극부; 및 상기 복수의 전원공급 전극부 사이에 제공되고, 상기 제1방향으로 연장되는 접지 전극부를 포함할 수 있다.

Description

배치식 플라즈마 기판처리장치{Batch type plasma substrate processing apparatus}
본 발명은 배치식 플라즈마 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 별도의 공간에서 분해된 공정가스를 처리공간 내부로 제공하는 배치식 플라즈마 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판처리장치는 처리공간 내에 처리하고자 하는 기판을 위치시킨 뒤 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법 등을 사용하여 처리공간 내에 주입된 공정가스에 포함된 반응 입자들을 기판 상에 증착시키는 장치이며, 하나의 기판에 대하여 기판처리공정을 수행할 수 있는 매엽식(Single Wafer Type)과 복수개의 기판에 대하여 기판처리공정을 동시에 수행할 수 있는 배치식(Batch Type)이 있다.
일반적인 기판처리장치의 경우 처리공간 내에 주입된 공정가스의 반응 입자들이 기판에 증착되도록 가열수단을 구비하고 있으나 높은 온도 및 고온에서의 장시간 공정으로 발생되는 문제점이 존재하며, 특히 배치식의 경우 처리공간 내부에 복수의 기판이 수용되어 있기 때문에 기판이 전체적으로 골고루 가열되지 못해 온도 구배가 생기는 문제 및 반응 시간이 오래 소요되는 문제가 발생한다. 이에 온도 구배를 개선함과 동시에 공정가스의 이온화나 화학반응 등을 촉진하여 처리공간 내의 반응 온도 및 시간을 낮추기 위해 플라즈마를 형성하게 된다.
플라즈마를 형성하기 위해서 일반적으로 RF 전원이 인가되는 파워 전극 및 접지 전극이 구비되고 하나의 파워 전극에 싱글 RF 전원을 인가하여 파워 전극과 접지 전극 사이에 플라즈마를 형성하는데, 하나의 RF 전원을 인가하는 경우에는 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위한 전원 또는 원하는 양의 라디칼을 얻기 위한 전원이 높아지게 되면서 파티클이 발생하는 문제가 발생하게 된다. 즉, 플라즈마 방전에 의해 활성화되는 라디칼은 인가되는 파워에 영향을 받으므로 높은 파워를 인가해야 원하는 양의 라디칼을 얻을 수 있는데, 하나의 RF 전원이 인가되는 경우에는 원하는 양의 라디칼을 얻기 위해 높은 파워가 인가되어 이온화된 입자들이 높은 에너지를 가지게 되고, 이러한 입자들에 의해 전극을 보호하는 관, 튜브 등에 손상이 생겨 파티클이 발생하는 문제점이 존재한다.
등록특허공보 제10-0734778호
본 발명은 별도의 공간에서 분해된 공정가스를 처리공간 내부로 제공하는 배치식 플라즈마 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 복수의 기판이 처리되는 처리공간을 제공하는 튜브; 상기 처리공간에서 상기 복수의 기판을 제1방향으로 적재하는 기판 지지부; 상기 기판이 처리되는 공정에 필요한 공정가스를 상기 튜브 내로 공급하는 가스 공급관; 상기 튜브와 연통되어 상기 처리공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기부; 및 상기 튜브로부터 연장되어 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽에 의해 상기 처리공간과 구분되고, 상기 가스 공급관으로부터 공급받은 공정가스를 플라즈마 분해시켜 상기 처리공간으로 분해된 공정가스를 제공하는 플라즈마 반응부를 포함하고, 상기 플라즈마 반응부는, 상기 방전공간에 수용되어 상기 제1방향으로 연장되는 복수의 전원공급 전극부; 및 상기 복수의 전원공급 전극부 사이에 제공되고, 상기 제1방향으로 연장되는 접지 전극부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부는 서로 이격되어 전기적으로 분리되고, 상기 플라즈마는 용량 결합 플라즈마(CCP)일 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부 각각에 RF 전원이 인가되고, 상기 RF 전원의 크기 또는 비율을 제어하여 공급하는 가변 전원 공급부를 더 포함할 수 있다.
상기 가변 전원 공급부는, 상기 복수의 전원공급 전극부에 RF 전원을 공급하는 전원부; 및 상기 전원부와 복수의 전원공급 전극부 사이에 각각 제공되는 복수의 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 가변 전원 공급부는 상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부 사이의 공간에 각각 제공되어 상기 플라즈마의 방전 특성 값을 측정하는 탐침봉을 더 포함하고, 상기 탐침봉으로부터 측정된 방전 특성 값에 의해 상기 RF 전원의 크기 또는 비율이 조절될 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부의 외부 둘레면을 감싸는 세라믹관을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부는 상기 튜브의 둘레 방향을 따라 상호 이격되어 배치되고, 상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 연장되어 복수 개 제공되며, 상기 복수의 전원공급 전극부의 외측에 각각 제공될 수 있다.
상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 배열되는 복수의 공급구를 포함하고, 상기 가스 공급관의 공급구는 상기 전원공급 전극부에 대하여 반대 방향을 향하게 형성될 수 있다.
상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 연장되어 상기 전원공급 전극부 및 접지 전극부를 연결하는 선으로부터 외측에 복수 개 제공되고, 상기 가스 공급관의 공급구는 상기 전원공급 전극부 및 접지 전극부 사이의 공간을 각각 향하도록 제공될 수 있다.
상기 플라즈마 반응부는 상기 전원공급 전극부 및 기판 지지부와 대응하여 상기 제1방향으로 배열되는 복수의 분사구를 포함하고, 상기 분사구와 공급구는 상기 튜브의 중심축으로부터 상기 공급구까지의 반경방향에 대해 서로 어긋나도록 제공될 수 있다.
상기 가스 공급관은, 상기 플라즈마 반응부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관; 및 상기 처리공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급관을 포함하고, 상기 플라즈마 반응부는 상기 반응가스를 플라즈마 분해시킬 수 있다.
본 발명에서는 처리공간과 구분되는 별도의 공간인 플라즈마 반응부를 형성함으로써 가스 공급관으로부터 공급된 공정가스가 플라즈마 반응부에서 분해된 뒤 처리공간 내부로 제공될 수 있기 때문에 처리공간의 내벽에서 파티클이 떨어져 나오는 문제를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 기판에 대한 처리공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 접지 전극부의 외측에 각각 전원공급 전극부가 설치된 3전극 구조를 가짐으로써, 플라즈마를 안정적으로 형성하거나 원하는 양의 라디칼을 얻는데 필요한 RF 전원을 복수의 전원공급 전극부 각각에 나누어 공급할 수 있기 때문에 전원공급 전극부에 공급되는 전원을 대폭 감소시킬 수 있고, 이에 높은 RF 전원으로 인한 파티클의 생성을 방지할 수 있다.
그리고, 전기적으로 분리되어 서로 이격 배치된 전원공급 전극부 및 접지 전극부 사이에 용량 결합 플라즈마(CCP)를 형성하기 때문에 유도 결합 플라즈마(ICP)에 비해 낮은 파워로도 안정적인 플라즈마를 형성할 수 있으며, 낮은 전자온도에 따른 반응에 참여하는 다수의 라디칼 생성으로 양질의 막을 얻는데 효과적일 수 있다.
더욱이, 가변 전원 공급부를 사용하여 전원공급 전극부 각각에 인가되는 RF 전원의 크기 또는 비율을 조절함으로써 플라즈마 발생공간 각각에 균일한 플라즈마가 형성되도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도.
도 2a는 도 1의 평면도를 A-A'를 따라 절개한 단면도.
도 2b는 도 1의 평면도를 B-B'를 따라 절개한 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급관을 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가변 전원 공급부를 나타내는 회로도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도이고, 도 2a는 도 1의 평면도를 A-A'를 따라 절개한 단면도이며, 도 2b는 도 1의 평면도를 B-B'를 따라 절개한 단면도이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 복수의 기판(S)이 처리되는 처리공간을 제공하는 튜브(110); 상기 처리공간에서 상기 복수의 기판(S)을 제1방향으로 적재하는 기판 지지부(140); 상기 기판(S)이 처리되는 공정에 필요한 공정가스를 상기 튜브(110) 내로 공급하는 가스 공급관(160); 상기 튜브(110)와 연통되어 상기 처리공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기부; 및 상기 튜브(110)로부터 연장되어 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽(133)에 의해 상기 처리공간과 구분되고, 상기 가스 공급관(160)으로부터 공급받은 공정가스를 플라즈마 분해시켜 상기 처리공간으로 분해된 공정가스를 제공하는 플라즈마 반응부(130)를 포함하고, 상기 플라즈마 반응부(130)는, 상기 방전공간에 수용되어 상기 제1방향으로 연장되는 복수의 전원공급 전극부(132); 및 상기 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에 제공되고, 상기 제1방향으로 연장되는 접지 전극부(131)를 포함할 수 있다.
먼저, 기판처리장치는 공정을 수행하고자 하는 기판(S)의 나열 방식에 따라 하나의 기판(S)에 대하여 기판처리공정을 수행할 수 있는 매엽 방식과 복수 개의 기판(S)에 대하여 기판처리공정을 동시에 수행할 수 있는 배치 방식이 있으나, 본 발명에서는 복수의 기판(S)이 상하방향(제1방향)으로 적재된 배치 방식에 한해 설명하기로 한다.
튜브(110)는 하부가 개방된 원통 형태로 석영 또는 세라믹 등의 내열성 재료로 형성될 수 있고, 내부에 복수의 기판(S)이 수용되어 처리되는 처리공간을 제공할 수 있다. 튜브(110)의 처리공간은 복수 개의 기판(S)들이 적층된 기판 지지부(140) 상에서 실제 공정이 이루어지는 영역이다.
기판 지지부(140)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서 복수의 기판(S)이 제1방향 즉, 상하방향으로 적재되도록 형성되고, 복수의 기판(S)이 각각 개별적으로 처리되는 단위 처리공간을 복수 개 형성할 수 있다. 즉, 기판 지지부(140)는 기판(S)이 제1방향으로 적재되도록 복수의 층을 형성하고, 하나의 층(또는 단위 처리공간)에 하나의 기판(S)이 적재될 수 있다. 따라서, 기판 지지부(140)의 각 층에 기판(S)의 단위 처리공간이 개별적으로 형성되어 단위 처리공간 사이에 간섭이 일어나는 것을 방지할 수 있다.
복수의 기판(S)이 기판 지지부(140)에 모두 적재되면 기판 지지부(140)는 튜브(110)의 하부(또는 출입구)를 통해 튜브(110)의 처리공간으로 이동할 수 있으며, 기판 지지부(140)는 복수의 기판(S)을 안착시켜 지지할 수 있는 형태라면 특별히 그 형태나 구조가 한정되지 않고 다양할 수 있다.
가스 공급관(160)은 기판(S)이 처리되는 공정에 필요한 공정가스를 튜브 내로 공급할 수 있고, 가스 공급관(160)은 제1방향으로 배열되어 서로 다른 높이에 형성되는 복수의 공급구(161)를 포함할 수 있다.
플라즈마 반응부(130)는 튜브(110)의 내측에서 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽(133)에 의해 처리공간과 구분되고, 가스 공급관(160)으로부터 공급받은 공정가스를 플라즈마 분해시켜 처리공간 내부로 분해된 공정가스를 제공하는 구성요소이다. 플라즈마 반응부(130)는 튜브(110)의 내벽으로부터 내측으로 연장되어 처리공간과 분리된 공간에서 공정가스를 플라즈마로 활성화시켜 처리공간으로 공급하는 활성화 기구로서 기능할 수 있고, 튜브(110)의 내측에서 복수의 기판(S)이 상하로 적재된 방향(제1방향)을 따라 배치되어 있다. 이때 플라즈마 반응부(130)는 배기부(150)와 서로 대향하도록 배치될 수도 있지만 특별히 그 위치는 한정되지 않는다.
그리고, 플라즈마 반응부(130)에는 플라즈마 반응부(130)에서 분해된 공정가스를 처리공간으로 분사시키는 복사의 분사구(120)가 형성될 수 있는데, 복수의 분사구(120)는 복수의 기판(S) 각각으로 분해된 공정가스를 공급하도록 기판 지지부(140)의 단위 처리공간에 각각 대응하여 제1방향으로 배열되어 서로 다른 높이에 형성될 수 있다.
플라즈마 반응부(130)를 튜브(110) 내부에 제공하고 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽(133)에 의해 처리공간과 구분시킴으로써, 가스 공급관(160)으로부터 튜브(110) 내부로 공급된 공정가스가 처리공간에서 분해되지 않고 분리된 공간인 플라즈마 반응부의 방전공간에서 분해된 뒤 처리공간으로 공급될 수 있기 때문에 처리공간으로 공정가스를 공급한 뒤 처리공간에서 플라즈마를 형성함에 따라 발생하는 자기장이나 전기장에 의해 처리공간 내벽에 형성된 박막이 파티클로 떨어져 나오는 문제를 방지할 수 있다.
배기부(150)는 처리공간 내에 배치되어 처리공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 역할을 할 수 있다. 배기부(150)는 제1방향으로 연장되는 배기부재(151), 배기부재(151)에 연결되는 배기라인(152) 및 배기펌프(미도시)로 구성될 수 있는데, 배기부재(151)는 플라즈마 반응부(130)의 분사구(120)와 대향되고 단위 처리공간에 각각 대응하여 제1방향으로 서로 다른 높이에 형성되는 복수의 배기구(153)를 구비하고 있기 때문에 전술한 플라즈마 반응부(130)의 분사구(120)들을 통해 복수의 기판(S)으로 공급된 분해가스가 기판(S)을 지나 배기구(153)들로 흡입될 수 있다.
이처럼, 플라즈마 반응부(130)의 분사구(120)와 배기부(150)의 배기구(153)가 서로 대응하여 기판(S)이 적재되는 제1방향과 교차하는 제2방향(예를 들어, 기판(S)의 표면과 평행한 방향)으로 동일선 상에 위치하기 때문에, 분사구(120)에서 분사되는 분해가스가 배기구(153)로 유입되면서 라미나 플로우(Laminar Flow)될 수 있다. 즉, 분해가스가 기판(S)의 표면과 접촉한 후 기판(S)을 따라 이동하면서 배기구(153)로 유입될 수 있기 때문에 분해가스가 기판(S)의 표면과 평행하는 방향으로 흐를 수 있어 기판(S)의 상부면으로 균일하게 공급될 수 있다.
한편, 공정가스를 플라즈마로 활성화시키기 위해 일반적으로는 전극에 하나의 RF 전원(single RF power)을 인가하여 플라즈마를 형성하게 되는데, 하나의 RF 전원을 인가하는 경우에는 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위한 전원 또는 원하는 양의 라디칼을 얻기 위한 전원이 높아지게 되면서 파티클이 발생하는 문제가 발생하게 된다. 즉, 반응에 참여하는 라디칼이 인가되는 파워에 영향을 받으므로 높은 파워를 인가해야 원하는 양의 라디칼을 얻을 수 있는데, 하나의 RF 전원이 인가되는 경우에는 원하는 양의 라디칼을 얻기 위해 높은 파워가 인가되어 이온화된 입자들이 높은 에너지를 가지게 되고, 이러한 입자들에 의해 전극을 보호하는 관(170), 격벽(133), 튜브(110)에 데미지 등의 손상이 생겨 파티클이 발생하는 문제가 있다.
본 발명에서는 플라즈마 반응부(130)에 RF 전원이 각각 인가되는 복수의 전원공급 전극부(132) 및 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에 접지 전극부(131)가 구비된 3전극 구조를 이용하여 복수의 전원공급 전극부(132)에 파워를 각각 나누어 공급할 수 있도록 함으로써 플라즈마를 발생하는데 필요한 전원 또는 원하는 양의 라디컬을 얻기 위한 전원을 감소시켜 높은 RF 전원에 의한 파티클의 발생이 방지될 수 있도록 하였다.
전원공급 전극부(132)는 기판(S)이 적재된 제1방향으로 연장된 전극으로, 가변 전원 공급부(180)로부터 각각 RF 전원을 인가받을 수 있으며, 전원공급 전극부(132) 각각에 RF 전원을 인가하기 위한 가변 전원 공급부(180)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. 접지 전극부(131)는 전원공급 전극부(132)와 마찬가지로 기판(S)의 적재 방향을 따라 연장된 전극일 수 있고, 전원공급 전극부(132)와의 사이에 복수의 플라즈마 발생공간이 형성되도록 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에서 전원공급 전극부(132)로부터 평행하게 이격 거리를 두고 설치되어 있다.
전술한 전원공급 전극부(132) 각각에 가변 전원 공급부(180)로부터 제어된 RF 전원이 인가되면 전원공급 전극부(132)와 접지 전극부(131) 사이에서 플라즈마가 발생되는데, 본 발명에서와 같이 접지 전극부(131)의 외측에 각각 전원공급 전극부(132)가 설치된 3전극 구조를 가지게 될 경우 공정가스가 분해되는 플라즈마 발생이나 원하는 양의 라디칼을 얻는데 필요한 RF 전원을 필요로 하는 전원의 절반 또는 대폭으로 감소시킬 수 있어 높은 전원에 의해 전극을 보호하는 관(170), 격벽(133), 튜브(110) 등에 손상이 생겨 파티클이 발생하는 문제를 방지할 수 있다. 예를 들어, 충분한 에너지로 공정가스를 분해시키는데 필요한 RF 전원이 100W일 경우 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에 접지 전극부(131)가 설치된 3전극 구조를 가지게 되면 100W보다 낮은 50W의 전원을 전원공급 전극부(132) 각각에 나누어 공급할 수 있기 때문에 플라즈마 발생에 필요한 전원보다 낮은 전원을 공급한다 할지라도 최종적으로 100W의 전원을 공급했을 때와 동일한 양의 라디칼을 얻을 수 있으며, 각각의 전원공급 전극부(132)에 50W의 낮은 전원이 나누어 공급되므로 높은 전원으로 인한 파티클의 발생 없이 공정가스를 더욱 효과적으로 분해시킬 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 서로 이격되어 전기적으로 분리되고, 상기 플라즈마는 용량 결합 플라즈마(CCP)일 수 있다.
전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 전기적으로 연결되지 않고 서로 이격 배치되어 있으며, 전원공급 전극부(132)에 각각 RF 전원을 인가함에 따라 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이에 생성되는 전기장에 의해 용량 결합 플라즈마(CCP)가 발생할 수 있다.
전기적으로 분리된 전극 사이에 형성되는 전기장에 의해 발생되는 전자 가속으로 에너지를 얻어 플라즈마가 형성되는 CCP 방식과 달리 ICP 방식은 서로 연결된 안테나에 흐르는 전류에서 형성된 자기장이 시간에 따라 변할 때 자기장 주변으로 형성되는 전기장으로부터 플라즈마가 형성되는 것으로, 일반적으로 ICP 방식에서는 E-mode에 의해 플라즈마가 발생되고 H-mode로 변환하면서 고밀도 플라즈마를 형성하게 된다. ICP 방식은 플라즈마 밀도 혹은 인가 전력에 따라 E-mode와 H-mode로 구분되는데, 플라즈마 밀도가 낮은 E-mode에서 플라즈마가 유지되는 높은 밀도를 가지는 H-mode로 모드 변환을 이루기 위해선 높은 파워를 유기해야하며 입력 전력이 커지게 되면 파티클과 높은 전자온도에 따른 반응에 참여하지 않는 다수의 라디칼이 생성되어 양질의 막질을 얻기 힘든 문제와 안테나에 의해 형성되는 전기장에 따라 균일한 플라즈마를 발생하기 어려운 문제가 발생된다.
반면에, 본 발명에서는 서로 연결되지 않고 전기적으로 분리되어 이격된 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이에 용량 결합 플라즈마(CCP)를 각각 형성하기 때문에 유도 결합 플라즈마(ICP)와 같이 모드 변환을 이루기 위해 높은 파워를 유기할 필요가 없으며, 이로부터 파티클의 생성 방지 및 낮은 전자온도에 따라 반응에 참여하는 다수의 라디칼 생성으로 양질의 막질을 얻는데 더욱 효과적일 수 있다.
상기 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)의 외부 둘레면을 감싸는 세라믹관(170)을 더 포함할 수 있다.
복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 각각은 상부로부터 하부에 걸쳐 각 전극부를 보호하는 세라믹관(170)에 의해 감싸진 상태로 보호될 수 있으며, 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 연성을 가지는 편조선으로 이루어질 수 있다.
일반적으로 RF 사용에 따른 전기 전도는 전류가 흐르는 깊이인 금속의 침투 깊이(Skin Depth)에 영향을 받을 수 있는데, RF 전원을 인가하여 플라즈마가 발생되는 플라즈마 반응부(130)에서 그물 타입의 그물망 전극을 사용하는 경우에는 빈 공간이 차지하는 면적이 넓기 때문에 적은 표면적으로 인한 큰 저항으로 RF 전원 인가에 비효율적인 문제점이 존재한다. 더욱이, 기판처리공정을 고온과 저온에서 반복적으로 진행하게 되는데 전극이 그물 타입으로 이루어질 경우 변화되는 온도에 따라 그물망 전극의 형상이 불규칙하게 변화되어 형상 유지 측면에서 불리하게 되고, 변화되는 형상에 따라 저항이 달라지기 때문에 RF 전원 인가시 불균일한 플라즈마가 발생되는 문제점이 있다.
반면에, 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 세라믹관(170) 내부로 삽입될 뿐만 아니라 빈 공간을 최소화하여 전술한 문제점들을 방지하기 위해 연성을 가지는 편조 타입(편조선)으로 형성될 수 있다. 한 실시예로, 빈 공간을 더욱 감소시키기 위하여 각각의 전극부 표면에 코팅하는 방법을 추가적으로 사용할 수도 있다.
그리고, 플렉서블한 편조 타입의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)를 플라즈마 반응부(130)의 내부에서 제1방향으로 연장, 고정된 상태로 유지시키기 위해 각 전극부의 양단을 움직이지 않도록 고정, 지지하는 스프링부(미도시)를 더 포함할 수 있으며, 스프링부에 의해 플렉서블한 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 각각 제1방향으로 고정되어 가늘고 길쭉한 봉 형태로 유지될 수 있다.
세라믹관(170)은 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)의 외부 둘레면을 둘러쌈으로써 각 전극부를 전기적으로 절연시키는 동시에 플라즈마 분위기에 노출되는 전극부들을 플라즈마로부터 보호할 수 있고, 이에 따라 전극부는 플라즈마에 의해 발생될 수 있는 오염 또는 파티클로부터 안전하게 보호될 수 있다. 세라믹관(170)은 튜브(110)와 같은 석영 또는 세라믹 등의 내열성 재료로 이루어져 튜브(110)와 일체형으로 제작될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도이다.
상기 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)를 포함하는 플라즈마 반응부(130)는 튜브(110) 내부에 제공하고 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽(133)에 의해 처리공간과 구분시킬 수 있는데, 도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면 플라즈마 반응부(130)는 튜브(110)의 외측에 제공할 수도 있다.
일반적인 기판처리장치의 경우 처리공간 내에 주입된 공정가스의 반응 입자들이 기판에 증착되도록 가열수단을 구비하고 있으나 높은 온도 및 고온에서의 장시간 공정으로 발생되는 문제점이 존재하며, 특히 배치식의 경우 처리공간 내부에 복수의 기판이 수용되어 있기 때문에 기판이 전체적으로 골고루 가열되지 못해 온도 구배가 생기는 문제 및 반응 시간이 오래 소요되는 문제가 발생한다. 이에 온도 구배를 개선함과 동시에 공정가스의 이온화나 화학반응 등을 촉진하여 처리공간 내의 반응 온도 및 시간을 낮추기 위해 처리공간 내부의 공간에서 플라즈마를 형성하게 된다. 그러나, 처리공간을 둘러싸는 핫월(Hot wall)타입의 가열수단에 의해 기판 뿐만 아니라 처리공간의 벽면까지 가열되어 공정가스들이 처리공간의 내부 벽면에도 증착되면서 원하지 않은 박막이 형성되게 되는데, 처리공간 내에서 플라즈마와 같은 공정환경을 조성할 경우 이러한 박막은 플라즈마 발생공간에 형성된 자기장이나 전기장 등에 의해 파티클로 떨어져 나오면서 기판처리공정 중에 오염 물질로 작용하는 문제가 있다. 이로 인해 기판 상의 박막의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라 기판에 대한 처리공정의 효율을 저하시키는 문제가 발생하게 된다.
반면에, 본 발명의 또 다른 실시예로 플라즈마 반응부(130)를 튜브(110)의 외측에 제공함으로써 공정가스가 외부에서 분해되어 처리공간 내부로 제공될 수 있기 때문에 처리공간 내로 공급된 공정가스를 분해시켜 기판(S) 상에 증착시키기 위한 온도 즉, 가열수단의 가열 온도를 감소시킬 수 있고, 이에 처리공간의 벽면 등 전체적인 온도가 감소할 수 있어 처리공간 내벽에 원하지 않는 박막이 증착되는 문제를 개선시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 튜브(110)의 외부에서 플라즈마를 형성하기 때문에 처리공간으로 공정가스를 공급한 뒤 처리공간의 내부 공간에서 플라즈마를 형성함에 따라 발생하는 자기장이나 전기장에 의해 처리공간 내벽에 형성된 박막이 파티클로 떨어져 나오는 문제를 방지할 수 있게 된다.
더욱이, 플라즈마 반응부(130)를 튜브(110)의 외측에 배치함으로써 튜브(110)가 각각의 기판(S)이 처리되는 단위 처리공간을 한정할 수 있기 때문에 플라즈마 반응부(130)에서 분해된 모든 분해가스들이 단위 처리공간에 각각 대응되는 분사구(120)들을 통해 분사되어 동일선 상에 위치하는 배기구(153)로 유입되면서 이상적인 라미나 플로우가 이루어질 수 있다. 다시 말해 플라즈마 반응부(130)를 외측에 제공함으로써 튜브(110)가 처리공간 내에서 복수의 기판(S)이 적재되어 형성되는 단위 처리공간을 한정할 수 있고, 각 층에 적재된 기판(S)의 단위 처리공간들은 처리공간의 내부 벽면에 의해 한정되어 서로 분리 제공되기 때문에 단위 처리공간과 각각 대응하는 분사구(120)로부터 분사된 분해가스가 낭비되는 문제 없이 효과적으로 기판(S)의 상부면으로 균일하게 공급되어 라미나 플로우될 수 있다.
한편, 또 다른 실시예로 튜브(110)와의 사이에 이격공간이 형성되도록 튜브(110)로부터 이격되어 튜브(110)의 외측을 감싸는 외부 튜브(미도시)를 더 포함할 수 있고, 상기 플라즈마 반응부(130)는 상기 이격공간에 제공될 수 있다. 즉, 플라즈마 반응부(130)의 분위기 제어가 더욱 용이해지도록 튜브(110)로부터 이격되어 튜브(110)의 외측을 감싸는 외부 튜브를 배치할 수 있고, 내부 튜브인 튜브(110)의 외벽과 외부 튜브의 내벽 사이에 대기압 상태인 외부 분위기로부터 차단된 이격공간을 형성하여 이격공간에 플라즈마 반응부(130)가 배치될 수 있다.
기판(S)이 처리되는 처리공간은 진공 상태이며 이격공간에 제공되는 플라즈마 반응부(130)의 외부는 대기압 상태로 튜브(110)의 처리공간, 튜브(110)의 외측에 제공되는 플라즈마 반응부(130) 및 플라즈마 반응부(130)의 외부공간 각각의 공간마다 모두 다른 분위기로 이루어져 있기 때문에 플라즈마를 형성하기에 적합한 분위기 즉, 플라즈마 반응부(130)의 압력 및 온도 등의 분위기 제어는 매우 중요할 수 있다. 이에 본 발명에서는 또 다른 실시예로 플라즈마 반응부(130)를 진공 상태인 처리공간으로부터 분리시키고, 대기압 상태인 외부공간으로부터 더욱 효과적으로 차단시켜 플라즈마를 발생하는데 적합한 분위기를 용이하게 제어할 수 있도록 튜브(110)의 외측에서 튜브(110)를 감싸는 외부 튜브를 배치하여 튜브(110)와 외부 튜브 사이에 서로 이격된 이격공간(또는 버퍼공간)을 형성하였고, 진공 상태인 처리공간 및 대기압 상태인 외부 분위기와 차단되는 독립된 공간 즉, 이격공간에 플라즈마 반응부를 제공할 수 있다.
또한, 가열수단의 경우 처리공간을 외측에서 둘러싸도록 제공될 수 있는데, 플라즈마 반응부(130)를 튜브(110)와 외부 튜브 사이의 공간인 이격공간에 제공하게 되면 외부 튜브의 외측을 감싸는 가열수단을 설치하는데 있어서 더욱 용이할 수 있다. 즉, 플라즈마 반응부(130)가 튜브(110)의 외측으로부터 돌출되어 형성되지 않고 이격공간 내부에 형성되기 때문에 가열수단을 설치하는데 있어서 플라즈마 반응부(130)에 제한받지 않고 설치할 수 있게 된다.
도 1을 다시 참조하면, 상기 가스 공급관(160)은 상기 제1방향으로 연장되어 상기 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)를 연결하는 선으로부터 외측에 복수 개 제공되고, 상기 가스 공급관(160)의 공급구(161)는 상기 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간을 각각 향하도록 제공될 수 있다.
가스 공급관(160)은 기판(S)이 처리되는 공정에 필요한 공정가스가 플라즈마 반응부(130)에서 분해될 수 있도록 플라즈마 반응부(130) 내부로 공정가스를 공급할 수 있다. 복수의 가스 공급관(160)으로부터 공급받아 플라즈마 반응부(130) 내부가 공정가스로 채워지면 전원공급 전극부(132) 각각에 소정의 RF 전원을 인가하여 서로 대향하는 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이에 플라즈마를 형성할 수 있으며, 플라즈마 상태로 여기되어 분해된 공정가스는 처리공간 내부로 제공되어 기판처리공정이 수행될 수 있다.
복수의 가스 공급관(160)을 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)를 연결하는 선으로부터 외측에 제공하고, 가스 공급관(160)의 공급구(161)는 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간을 각각 향하도록 제공하면 가스 공급관(160)의 공급구(161)가 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간에 대향될 수 있어 플라즈마 분해율이 증가될 수 있다. 즉, 가스 공급관(160)의 공급구(161)를 통해 공급되는 공정가스는 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 플라즈마 발생공간으로 직접적으로 공급될 수 있기 때문에 분해되기 위한 공정가스가 플라즈마 발생공간으로 확산되는 시간이 단축될 수 있어 공정가스의 분해 속도 향상 및 그에 따른 플라즈마 분해율도 향상될 수 있다.
또한, 복수의 가스 공급관(160)이 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)를 연결하는 선으로부터 외측에 제공되고, 가스 공급관(160)의 공급구(161)가 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간을 각각 향하도록 제공됨으로써 격벽(133)으로 둘러싸인 플라즈마 반응부(130)의 공간 크기가 감소할 수 있기 때문에 플라즈마 반응부(130)로 공급되는 공정가스가 고르게 확산되는 시간이 감소될 수 있고, 이에 따라 공정가스가 플라즈마 분해되어 처리공간으로 제공되는 시간도 단축시킬 수 있다. 이러한 복수의 가스 공급관(160)은 도 1과 같이 튜브(110)의 외측면으로부터 돌출되어 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이에 각각 제공된 것으로 도시되어 있지만, 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이에 제공되면서 동시에 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)의 연장선상으로부터 외측에 제공될 수 있는 위치라면 특별히 그 위치는 한정되지 않는다.
상기 분사구(120)와 공급구(161)는 상기 튜브(110)의 중심축으로부터 상기 공급구(161)까지의 반경방향에 대해 서로 어긋나도록 제공될 수 있다.
전술한 플라즈마 반응부(130)의 분사구(120)는 기판 지지부(140)의 단위 처리공간에 각각 대응하여 제1방향으로 서로 다른 높이에 형성됨과 동시에 제1방향으로 연장된 전원공급 전극부(132)와 대응하는 위치에 배치될 수 있고, 가스 공급관(160)의 공급구(161)는 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간에 대향하도록 제공될 수 있기 때문에 분사구(120)와 공급구(161)는 튜브(110)의 중심축으로부터 공급구(161)까지의 반경방향에 대해 서로 어긋날 수 있다. 분사구(120)와 공급구(161)의 위치가 서로 대응되지 않고 도 1에 도시된 바와 같이 서로 어긋나 있게 되면 공급구(161)를 통해 공급된 공정가스가 바로 튜브(110)의 분사구(120)로 빠져나가지 않고 플라즈마 분해되기 위한 시간적 여유를 가진 뒤 분해되어 분사구(120)로 빠져나가기 때문에 플라즈마 분해 효율이 더욱 향상될 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예로 상기 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)는 상기 튜브(110)의 둘레 방향을 따라 상호 이격되어 배치되고, 상기 가스 공급관(160)은 상기 제1방향으로 연장되어 복수 개 제공되며, 상기 전원공급 전극부(132)의 외측에 각각 제공될 수 있다.
복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)와 같이 제1방향으로 연장되는 가스 공급관(160)은 기판(S)이 처리되는 공정에 필요한 공정가스가 플라즈마 반응부(130)에서 분해될 수 있도록 격벽(133) 내에서 튜브(110)의 둘레 방향으로 이격 배치되는 전원공급 전극부(132) 외측에 각각 제공되어 플라즈마 반응부(130) 내부로 공정가스를 공급할 수 있다.
복수의 가스 공급관(160)으로부터 공급받아 플라즈마 반응부(130) 내부가 공정가스로 채워지면 전원공급 전극부(132) 각각에 소정의 RF 전원을 인가하여 공정가스를 플라즈마 분해시킬 수 있으며, 분해된 공정가스는 처리공간 내부로 제공되어 기판처리공정이 수행될 수 있다.
이때, 상기 가스 공급관(160)의 공급구(161)는 상기 전원공급 전극부(132)에 대하여 반대 방향을 향하게 형성될 수 있다.
전원공급 전극부(132)의 외측에 각각 제공되는 가스 공급관(160)의 공급구(161)가 격벽(133)을 대향하도록 제공되면 공급구(161)로부터 공급되는 공정가스가 공급구(161)와 대향하는 격벽(133)으로부터 플라즈마 반응부(130)의 중심영역으로 점차 확산될 수 있어 플라즈마 반응부(130) 내부의 전체 공간에 공정가스가 고르게 분포될 수 있고, 이에 모든 공정가스가 플라즈마 분해되어 처리공간으로 제공될 수 있게 된다.
본 발명의 실시예와 다르게 전원공급 전극부(132)의 외측에 각각 제공되는 가스 공급관(160)의 공급구(161)가 격벽(133)과 대향하는 위치에 형성되지 않고, 반대로 전원공급 전극부(132)와 대향하는 위치에 형성될 경우에는 공정가스가 플라즈마 반응부(130) 내부에 확산되어 플라즈마 분해될 수 있는 시간적 여유를 가지지 못하고 바로 플라즈마 반응부(130)의 분사구(120)를 통해 처리공간으로 빠져나갈 수 있기 때문에 공정가스가 낭비될 수 있을 뿐만 아니라 그에 따른 공정 효율이 저하될 수 있다.
반면에, 본 발명에서는 가스 공급관(160)의 공급구(161)가 격벽(133)과 대향하는 위치에 형성되기 때문에 공정가스가 분사구(120)를 통해 처리공간으로 바로 빠져나가지 않고 플라즈마 반응부(130)의 가장자리 영역(즉, 공급구(161)와 대향하는 격벽(133))부터 중심 영역으로 고르게 확산되어 채워질 수 있고, 이에 공정가스가 플라즈마 반응부(130) 내부에 머물 수 있는 시간적 여유가 증가하게 되어 공정가스의 플라즈마 분해 효율이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급관을 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 가스 공급관(160)은, 상기 플라즈마 반응부(130)로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관(160); 및 상기 처리공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급관(190)을 포함하고, 상기 플라즈마 반응부(130)는 상기 반응가스를 플라즈마 분해시킬 수 있다.
공정가스는 1종 이상의 가스 즉, 반응가스 및 소스가스를 포함할 수 있으며, 소스가스 공급관(190)은 처리공간으로 바로 소스가스를 공급할 수 있다. 소스가스는 기판(S) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 예를 들어, 실리콘 등과 같은 박막 물질을 함유하여 이루어진 가스(디클로로실란(SiH2Cl2, 약칭: DCS 등))로 이루어질 수 있다.
반응가스 공급관(160)은 처리공간으로 바로 공급하는 소스가스 공급관(190)과 다르게 플라즈마 반응부(130) 내로 먼저 반응가스를 공급할 수 있으며, 반응가스는 플라즈마에 의해 활성화되어 처리공간 내부로 제공될 수 있다. 이와 같은 반응가스는 소스가스와 반응하여 박막층을 형성하는 질소를 포함하는 가스(질소 함유 가스), 예를 들어, NH3, N2O, NO 등으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면 낮은 온도에서도 분해되는 소스가스보다 상대적으로 가스 분해 온도가 더욱 높은 NH3, N2O, NO 등의 반응가스를 플라즈마 반응부(130)로 공급함으로써 플라즈마 반응부(130)에 의해 반응가스가 효과적으로 분해되어 처리공간으로 제공될 수 있고, 반응가스가 플라즈마 분해되는 내용에 대해서는 도 1 내지 도 4에서 설명한 바와 동일하므로 여기서는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가변 전원 공급부를 나타내는 회로도이다.
도 6을 참조하면, 상기 복수의 전원공급 전극부(132) 각각에 RF 전원이 인가되고, 상기 RF 전원의 크기 또는 비율을 제어하여 공급하는 가변 전원 공급부(180)를 더 포함할 수 있다.
플라즈마 발생공간은 복수의 전원공급 전극부(132)와 접지 전극부(131)의 사이에 각각 형성되는 공간으로서 플라즈마 발생공간의 형상과 폭 등이 플라즈마 형성과 밀도 결정에 중요한 역할을 할 수 있는데, 복수의 전원공급 전극부(132)와 접지 전극부(131) 사이에 각각 형성되는 플라즈마 발생공간의 폭이 동일하게 형성되었다 할지라도 여러 외부 요인에 의해서 플라즈마의 형성이 불균일해지는 문제점이 있다. 즉, 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131)가 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어 동일한 폭을 가지는 복수의 플라즈마 발생공간이 형성되어도 플라즈마 형성시 플라즈마 밀도 분포가 정확하게 1:1로 만들어지지 않아 밀도 분포가 불균일하게 된다는 문제가 발생된다.
본 발명에서는 플라즈마 발생공간 각각에 균일한 플라즈마가 형성되도록 가변 전원 공급부(180)를 이용하여 전원공급 전극부(132) 각각에 인가되는 RF 전원의 크기 또는 비율을 조절할 수 있도록 하였다.
상기 가변 전원 공급부(180)는, 상기 복수의 전원공급 전극부(132)에 RF 전원을 공급하는 전원부(182); 및 상기 전원부(182)와 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에 각각 제공되는 복수의 가변 커패시터(181)를 포함할 수 있다.
전원부(182)는 전원공급 전극부(132) 각각에 RF 전원을 공급하는 것으로, 한 실시예로 도 6b에 도시된 바와 같이 전원공급 전극부(132) 각각에 전기적으로 연결되어 전원공급 전극부(132)에 인가되는 RF 전원을 독립적으로 각각 공급할 수도 있고, 다른 실시예로 도 6a에 도시된 바와 같이 하나의 전원부(182)로부터 출력된 RF 전원을 분배하여 복수의 가변 커패시터(181) 및 전원공급 전극부(132)로 공급할 수도 있다.
가변 커패시터(181)는 복수로 구성될 수 있는데, 복수의 전원공급 전극부(132)에 대응되어 각각 배치될 수 있고, 복수의 가변 커패시터(181)는 전원부(182)의 출력부로부터 공급된 RF 전원이 분배되는 분배점과 복수의 전원공급 전극부(132) 사이에 각각 연결될 수 있다. 그리고, 가변 커패시터(181)는 전기적으로 연결된 전원부(182)로부터 공급받은 RF 전원의 크기 또는 비율을 조절할 수 있다.
상기 가변 전원 공급부(180)는 상기 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간에 각각 제공되어 상기 플라즈마의 방전 특성 값을 측정하는 탐침봉을 더 포함하고, 상기 탐침봉으로부터 측정된 방전 특성 값에 의해 상기 RF 전원의 크기 또는 비율이 조절될 수 있다.
가변 커패시터(181)가 RF 전원의 크기 또는 비율을 조절할 수 있도록 복수의 전원공급 전극부(132) 및 접지 전극부(131) 사이의 공간에 각각 탐침봉이 제공될 수 있으며, 탐침봉으로부터 플라즈마 발생공간에 형성되는 플라즈마의 방전 특성 값 즉, 방전전류, 방전전압, 위상 등이 측정되어 RF 전원의 크기 또는 비율이 조절될 수 있게 된다.
본 발명에 따르면 전원공급 전극부(132) 각각에 인가되는 RF 전원의 크기 또는 비율을 제어하여 기판(S) 처리 공정에 필요한 라디칼의 증착을 균일하게 가변 조정할 수 있음으로써 플라즈마 밀도 분포가 불균일하게 되는 문제점을 해결할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
S : 기판 110 : 튜브
120 : 분사구 130 : 플라즈마 반응부
131 : 접지 전극부 132 : 전원공급 전극부
133 : 격벽 140 : 기판 지지부
150 : 배기부 151 : 배기부재
152 : 배기라인 153 : 배기구
160 : 가스 공급관, 반응가스 공급관 161 : 공급구
170 : 세라믹관 180 : 가변 전원 공급부
181 : 가변 커패시터 182 : 전원부
190 : 소스가스 공급관

Claims (11)

  1. 복수의 기판이 처리되는 처리공간을 제공하는 튜브;
    상기 처리공간에서 상기 복수의 기판을 제1방향으로 적재하는 기판 지지부;
    상기 기판이 처리되는 공정에 필요한 공정가스를 상기 튜브 내로 공급하는 가스 공급관;
    상기 튜브와 연통되어 상기 처리공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기부; 및
    상기 튜브로부터 연장되어 플라즈마가 형성되는 방전공간을 정의하는 격벽에 의해 상기 처리공간과 구분되고, 상기 가스 공급관으로부터 공급받은 공정가스를 플라즈마 분해시켜 상기 처리공간으로 분해된 공정가스를 제공하는 플라즈마 반응부를 포함하고,
    상기 플라즈마 반응부는,
    상기 방전공간에 수용되어 상기 제1방향으로 연장되는 복수의 전원공급 전극부; 및
    상기 복수의 전원공급 전극부 사이에 제공되고, 상기 제1방향으로 연장되는 접지 전극부를 포함하고,
    상기 복수의 전원공급 전극부에는 각각 RF 전원이 인가되고,
    상기 접지 전극부는 각 전원공급 전극부로부터 이격되어 전기적으로 분리되도록 상기 복수의 전원공급 전극부 사이에 접지되어 설치되고,
    상기 복수의 전원공급 전극부와 상기 접지 전극부 사이의 이격된 각각의 공간은 용량 결합 플라즈마(CCP)를 발생시키기 위한 복수 개의 플라즈마 발생공간을 형성하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 RF 전원의 크기 또는 비율을 제어하여 공급하는 가변 전원 공급부를 더 포함하는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 가변 전원 공급부는,
    상기 복수의 전원공급 전극부에 RF 전원을 공급하는 전원부; 및
    상기 전원부와 복수의 전원공급 전극부 사이에 각각 제공되는 복수의 가변 커패시터를 포함하는 기판처리장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 가변 전원 공급부는 상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부 사이의 공간에 각각 제공되어 상기 플라즈마의 방전 특성 값을 측정하는 탐침봉을 더 포함하고,
    상기 탐침봉으로부터 측정된 방전 특성 값에 의해 상기 RF 전원의 크기 또는 비율이 조절되는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부의 외부 둘레면을 감싸는 세라믹관을 더 포함하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 전원공급 전극부 및 접지 전극부는 상기 튜브의 둘레 방향을 따라 상호 이격되어 배치되고,
    상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 연장되어 복수 개 제공되며, 상기 복수의 전원공급 전극부의 외측에 각각 제공되는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 배열되는 복수의 공급구를 포함하고,
    상기 가스 공급관의 공급구는 상기 전원공급 전극부에 대하여 반대 방향을 향하게 형성되는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 가스 공급관은 상기 제1방향으로 연장되어 상기 전원공급 전극부 및 접지 전극부를 연결하는 선으로부터 외측에 복수 개 제공되고,
    상기 가스 공급관의 공급구는 상기 전원공급 전극부 및 접지 전극부 사이의 공간을 각각 향하도록 제공되는 기판처리장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 플라즈마 반응부는 상기 전원공급 전극부 및 기판 지지부와 대응하여 상기 제1방향으로 배열되는 복수의 분사구를 포함하고,
    상기 분사구와 공급구는 상기 튜브의 중심축으로부터 상기 공급구까지의 반경방향에 대해 서로 어긋나도록 제공되는 기판처리장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 공급관은,
    상기 플라즈마 반응부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관; 및
    상기 처리공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급관을 포함하고,
    상기 플라즈마 반응부는 상기 반응가스를 플라즈마 분해시키는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200127507A (ko) * 2019-05-02 2020-11-11 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
KR20220055137A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102009348B1 (ko) * 2017-09-20 2019-08-09 주식회사 유진테크 배치식 플라즈마 기판처리장치
KR102139296B1 (ko) * 2019-05-02 2020-07-30 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007056369A2 (en) * 2005-11-08 2007-05-18 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JP2011135010A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2013065872A (ja) * 2001-01-11 2013-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5680013A (en) * 1994-03-15 1997-10-21 Applied Materials, Inc. Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
US6042686A (en) * 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
JP3501668B2 (ja) * 1997-12-10 2004-03-02 キヤノン株式会社 プラズマｃｖｄ方法及びプラズマｃｖｄ装置
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP4020306B2 (ja) * 2002-10-07 2007-12-12 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
AU2004323359A1 (en) 2004-09-14 2006-03-23 Optisolar, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method
US20070048456A1 (en) * 2004-09-14 2007-03-01 Keshner Marvin S Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method
JP2006190770A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100734778B1 (ko) 2005-08-25 2007-07-03 세메스 주식회사 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP4983063B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8222156B2 (en) * 2006-12-29 2012-07-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a substrate using plasma
KR100965402B1 (ko) * 2007-11-28 2010-06-24 국제엘렉트릭코리아 주식회사 플라스마를 이용한 박막 증착 장치
JP2009209447A (ja) 2008-02-04 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4938805B2 (ja) * 2009-01-13 2012-05-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2010177245A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5718031B2 (ja) * 2010-11-26 2015-05-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
GB2489761B (en) 2011-09-07 2015-03-04 Europlasma Nv Surface coatings
JP6016542B2 (ja) * 2012-09-13 2016-10-26 株式会社日立国際電気 反応管、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP6125946B2 (ja) 2013-08-08 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6307984B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6484478B2 (ja) * 2015-03-25 2019-03-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6394466B2 (ja) * 2015-03-30 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6567489B2 (ja) * 2016-12-27 2019-08-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR102009348B1 (ko) * 2017-09-20 2019-08-09 주식회사 유진테크 배치식 플라즈마 기판처리장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013065872A (ja) * 2001-01-11 2013-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
WO2007056369A2 (en) * 2005-11-08 2007-05-18 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JP2011135010A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200127507A (ko) * 2019-05-02 2020-11-11 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
KR102194604B1 (ko) * 2019-05-02 2020-12-24 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
US11031214B2 (en) 2019-05-02 2021-06-08 Eugene Technology Co., Ltd. Batch type substrate processing apparatus
KR20220055137A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
KR102418947B1 (ko) 2020-10-26 2022-07-11 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치

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