KR100807138B1 - 개선된 파티클 성능을 가지는 반도체 공정 설비 - Google Patents
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Abstract
Description
온도(℃) | 파라볼릭 속도 상수(㎚2/min) |
1200 | 4.06×10 |
1300 | 3.31×102 |
1400 | 9.43×102 |
1450 | 2.86×103 |
1500 | 4.97×103 |
Claims (34)
- 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법으로서, 상기 방법은(a) 비산화물 세라믹 물질로 이루어지고, 표면이 내부 공간에 노출되도록 진공 공정 챔버의 상기 내부 공간에서 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 상기 표면을 가지는 하나 이상의 세라믹 부품을 설치하는 단계;(b) (a) 단계 이후, 고강도 플라즈마 컨디셔닝 처리에 의해 상기 노출된 표면에 부착된 상기 비산화물 세라믹 물질의 파티클을 감소시키기 위하여 상기 노출된 표면을 처리하는 단계;(c) (b) 단계 이후, 상기 공정 챔버에 하나 이상의 생산 웨이퍼를 삽입하고, 상기 공정 챔버에 공정 가스를 공급함으로써 상기 하나 이상의 생산 웨이퍼를 처리하는 단계; 및(d) 상기 공정 챔버로부터 상기 하나 이상의 생산 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 평판인 안테나를 포함하여 상기 안테나에 RF 파워를 공급함으로써 상기 공정 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시키고, 상기 공정 가스는 하나 이상의 플루오로카본 가스를 포함하며,상기 방법은 상기 플루오로카본 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 상기 플라즈마에 상기 노출된 표면을 접촉시킴으로써 상기 노출된 표면을 컨디셔닝하는 단계를 더 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마는 고밀도 플라즈마를 포함하고, 상기 생산 웨이퍼는 상기 생산 웨이퍼에 RF 바이어스를 공급하면서 상기 생산 웨이퍼 위의 산화막을 상기 고밀도 플라즈마를 가지고 식각함으로써 처리되는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 상기 공정 가스를 상기 공정 챔버에 공급하는 가스 분산판을 포함하고,상기 공정 챔버는 평판인 코일을 포함하여 상기 안테나에 RF 파워를 공급함으로써 상기 공정 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시키며,상기 방법은, 상기 공정 챔버 안의 압력을 200 내지 500 mTorr로 조정하는 처리, 상기 코일에 2000 내지 2500W의 RF 파워를 공급하는 처리, 상기 가스 분산판을 가로질러 높은 강도의 플라즈마의 영역을 이동시킬 수 있도록 상기 코일의 코일 종단 커패시턴스를 변화시키는 처리 중 하나 이상의 처리를 통해 상기 노출된 표면을 컨디셔닝하는 단계를 더 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 매엽식 웨이퍼 플라즈마 반응기 (a single wafer plasma reactor) 를 포함하고,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 이온 충격에 노출시키는 동안 상기 공정 챔버에서 50장 이하의 웨이퍼를 차례로 처리함으로써 상기 세라믹 부품의 상기 노출된 표면을 컨디셔닝하는 단계를 더 포함하고,상기 컨디셔닝 처리는 파티클 계수기로 측정한 파티클 개수를 20개 이하로 낮추는 데 효과적인, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,카본, 실리콘, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 보론 나이트라이드, 보론 카바이드, 알루미늄 나이트라이드 또는 티타늄 카바이드로 된 부품을 기계가공함으로써 상기 세라믹 부품을 제조하는 단계를 더 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,CVD SiC, 소결된 SiC, CVD SiC로 피복된 소결된 SiC, 변환된 그래파이트, 또는 Si로 백필된 다공성 SiC로 된 부품을 기계가공함으로써 상기 세라믹 부품을 제조하는 단계를 더 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,단계 (b) 는 상기 공정 챔버에서 비생산 웨이퍼를 처리함으로써 상기 세라믹 부품을 컨디셔닝하는 단계를 더 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 상기 세라믹 부품의 이온 충격을 증가시키기 위해 상기 세라믹 부품에 전원을 인가하면서 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 할로겐 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 비활성 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 산소 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 불소 함유 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버는 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 컨디셔닝 처리는 상기 공정 챔버를 길들이는 동안 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 노출된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 반도체 공정 챔버의 세라믹 부품의 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 플라즈마 컨디셔닝하는 방법으로서,상기 표면은 세라믹 물질로 이루어지고,상기 방법은 상기 표면에 부착된 상기 세라믹 물질의 파티클들을 감소시키기 위해 상기 공정 챔버 안에 생산 웨이퍼가 없고, 상기 공정 챔버 안에 존재하는 상기 세라믹 부품을 가지고 상기 공정 챔버 안에 생산 웨이퍼를 처리하는 단계전에 상기 표면을 고강도 플라즈마에 접촉시킴으로써 상기 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 공정 챔버 안에서 컨디셔닝되고,상기 공정 챔버는 평판인 안테나를 포함하여 상기 안테나에 RF 파워를 공급함으로써 상기 공정 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시키고,상기 공정 가스는 하나 이상의 플루오로카본 가스를 포함하며,상기 플라즈마 컨디셔닝은 상기 플루오로카본 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 상기 플라즈마에 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 접촉시킴으로써 수행하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 공정 챔버 안에서 컨디셔닝되고,공정 가스는 플라즈마 상태로 에너지화되고,상기 공정 가스는 하나 이상의 플루오로카본 가스를 포함하며,상기 플라즈마 컨디셔닝은 상기 플루오로카본 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 상기 플라즈마에 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 접촉시킴으로써 수행하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 공정 챔버 안에 장착된 가스 분산판을 포함하고,상기 공정 챔버는 평판인 코일을 포함하여 상기 안테나에 RF 파워를 공급함으로써 공정 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시키며,상기 플라즈마 컨디셔닝은, 상기 공정 챔버 안의 압력을 200 내지 500 mTorr로 조정하는 처리, 상기 코일에 2000 내지 2500W의 RF 파워를 공급하는 처리, 상기 가스 분산판을 가로질러 높은 강도의 플라즈마의 영역을 이동시킬 수 있도록 상기 코일의 코일 종단 커패시턴스를 변화시키는 처리 중 하나 이상의 처리를 통해 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 고밀도 플라즈마를 가지고 접촉시킴으로써 수행하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 공정 챔버는 매엽식 웨이퍼 플라즈마 반응기를 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 반도체 생산 웨이퍼를 상기 공정 챔버 안에서 처리함으로써 수행하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 카본, 실리콘, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 보론 나이트라이드, 보론 카바이드, 알루미늄 나이트라이드 또는 티타늄 카바이드로 된, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 CVD SiC, 소결된 SiC, CVD SiC로 피복된 소결된 SiC, 변환된 그래파이트, 또는 Si로 백필된 다공성 SiC로 된, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 플라즈마 컨디셔닝은 플라즈마 식각 챔버 안에서 수행되는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 공정 챔버 안에 장착된 가스 분산판을 포함하고,상기 공정 챔버는 상기 가스 분산판을 지나 상기 공정 챔버 내부로 RF 에너지를 통과시키도록 배열된 안테나를 포함하고,상기기 플라즈마 컨디셔닝은 상기 가스 분산판을 지나 상기 챔버 안으로 RF 에너지를 결합시키는 상기 안테나에 의해 공정 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시킴으로써 수행하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 상기 세라믹 부품의 이온 충격을 증가시키기 위해 상기 세라믹 부품에 전원을 인가하면서 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 할로겐 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 비활성 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고, 상기 플라즈마 컨디셔닝은 산소 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 세라믹 부품은 실리콘 카바이드 부품이고,상기 방법은 상기 실리콘 카바이드 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 불소 가스를 플라즈마 상태로 에너지화시켜 발생시킨 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방법은 상기 세라믹 부품을 공정 챔버 안에 설치하는 단계를 더 포함하고,상기 플라즈마 컨디셔닝은 상기 공정 챔버를 길들이는 동안 고밀도 플라즈마를 가지고 상기 기계가공된, 소결된, 또는 기계가공되고 소결된 표면을 처리하는 단계를 포함하는, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항 방법에 따라 컨디셔닝된 상기 세라믹 부품.
- 제 1 항에 있어서,상기 부품의 상기 표면은 고밀도 플라즈마 컨디셔닝 처리에 의해 처리되기 전에 기계가공된, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 부품의 상기 표면은 고밀도 플라즈마 컨디셔닝 처리에 의해 처리되기 전에 소결된, 반도체 기판을 처리하고 상기 기판을 처리하는 동안 파티클 오염을 감소시키는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 부품의 상기 표면은 고밀도 플라즈마 컨디셔닝 처리에 의해 처리되기 전에 기계가공된, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 부품의 상기 표면은 고밀도 플라즈마 컨디셔닝 처리에 의해 처리되기 전에 소결된, 플라즈마 컨디셔닝 방법.
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