RU2237314C2 - Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере - Google Patents

Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере Download PDF

Info

Publication number
RU2237314C2
RU2237314C2 RU2001111332/09A RU2001111332A RU2237314C2 RU 2237314 C2 RU2237314 C2 RU 2237314C2 RU 2001111332/09 A RU2001111332/09 A RU 2001111332/09A RU 2001111332 A RU2001111332 A RU 2001111332A RU 2237314 C2 RU2237314 C2 RU 2237314C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
holder
liner
insert
chamber
plasma
Prior art date
Application number
RU2001111332/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2001111332A (ru
Inventor
Томас Е. УИКЕР (US)
Томас Е. УИКЕР
Роберт А. МАРАШИН (US)
Роберт А. МАРАШИН
Уиль м С. КЕННЕДИ (US)
Уильям С. КЕННЕДИ
Original Assignee
Лэм Рисерч Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Лэм Рисерч Корпорейшн filed Critical Лэм Рисерч Корпорейшн
Publication of RU2001111332A publication Critical patent/RU2001111332A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2237314C2 publication Critical patent/RU2237314C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12347—Plural layers discontinuously bonded [e.g., spot-weld, mechanical fastener, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электротехники, в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности. Камера содержит электростатический держатель, предназначенный для удержания пластины, и расходуемые части, которые являются в высокой степени устойчивыми к травлению и в меньшей степени восприимчивы к образованию загрязнений и температуру которых можно регулировать, что является техническим результатом изобретения. Расходуемые части содержат вкладыш камеры, имеющий нижнюю секцию крепления, и стенку, которая сконфигурирована таким образом, что она окружает электростатический держатель. Расходуемые части также включают держатель вкладыша, имеющий нижний выступ, гибкую стенку и верхний выступ. Гибкая стенка сконфигурирована таким образом, что она окружает внешнюю поверхность стенки вкладыша камеры, при этом гибкая стенка держателя вкладыша расположена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры. Нижний выступ держателя вкладыша сконфигурирован так, что он находится в прямом тепловом контакте с нижней секцией держателя вкладыша камеры. Кроме того, отражательное кольцо представляет собой расходуемую часть и может устанавливаться с обеспечением теплового контакта со вкладышем камеры и держателем вкладыша. 2 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил.

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к изготовлению подложек полупроводниковых микросхем, и в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности, материал вкладышей которых снижает загрязнение продукта частицами и металлами во время обработки, а также к соответствующим структурам вкладышей камеры.
Известный уровень техники
Поскольку физические размеры и рабочие напряжения интегральных схем постоянно уменьшаются, производственные процессы, связанные с их изготовлением, становятся все более чувствительными к загрязнениям частицами и металлами. В соответствии с этим при современном производстве интегральных микросхем, имеющих малые физические размеры, требуется, чтобы степень загрязнения частицами и металлами была меньше уровня, который раньше рассматривался как приемлемый.
Обычно производство интегральных микросхем (в виде пластин) включает использование плазменных травильных камер, в которых можно вытравливать отдельные слои, определяемые фоторезистивной маской. Камеры для обработки сконфигурированы таким образом, что в них могут подаваться технологические газы (то есть травильные химические реагенты) при одновременном приложении высокочастотной энергии на один или большее количество электродов камеры для обработки. Давление внутри камеры для обработки также контролируется в соответствии с условиями конкретного процесса. После подачи требуемой высокочастотной энергии на электрод (электроды) технологические газы в камере активизируются так, что создается плазма. Плазма при этом имеет параметры, необходимые для выполнения требуемого травления выбранных слоев полупроводниковой пластины.
Обычно камера для обработки, которая используется для травления материалов, таких как оксиды кремния, требует приложения энергии относительно высокого уровня для достижения желательного результата травления по сравнению с другими пленками, вытравливаемыми во время производства. Такие оксиды кремния включают, например, выращенную термически двуокись кремния (SiO2), TEOS, PSG, BPSG, USG (беспримесное стекло с покрытием, полученным методом центрифугирования), LTO и т.д. Необходимость приложения энергии высокого уровня возникает из-за того, что требуется бомбардировать и разрывать прочные связи пленки оксидов кремния и инициировать химические реакции для формирования летучих продуктов травления. Эти камеры поэтому называются "камеры для травления оксидов плазмой высокой плотности", которые позволяют производить плазму высокой плотности для формирования плотного потока ионов на пластину и для достижения высокой скорости травления при низких давлениях газа.
Хотя камеры для травления оксидов плазмой высокой плотности хорошо выполняют свою функцию травления требуемых поверхностей пластины, внутренние поверхности травильной камеры также подвержены воздействию значительной энергии ионов. Поэтому материал, из которого изготовлены внутренние поверхности травильной камеры, эродирует под воздействием ионной бомбардировки в результате физического или химического распыления, в зависимости от состава материала и состава травильного газа.
Учитывая, что внутренние поверхности травильной камеры подвергаются воздействию плазмы высокой плотности, современные камеры конструируют таким образом, что в них можно использовать простые футеровочные части, такие как диски, кольца и цилиндры. Поскольку эти части сконфигурированы таким образом, что они могут ограничивать плазму в зоне обрабатываемой пластины, эти части непрерывно подвергаются воздействию рабочей энергии плазмы. Вследствие такого внешнего воздействия эти части, в конечном счете, эродируют или на них накапливаются полимеры, что приводит к необходимости их замены или тщательной очистки. В конечном счете, все части изнашиваются до такой степени, что они больше не могут использоваться. Такие детали поэтому называются "расходуемыми". Соответственно, если срок службы детали будет коротким, то затраты на расходуемые детали будут высокими (то есть будет высокое значение отношения стоимость детали/срок службы детали).
Поскольку эти детали являются расходуемыми, желательно, чтобы их поверхности были устойчивыми к энергии плазмы, что, таким образом, позволило бы уменьшить затраты на расходуемые детали. Попытки, сделанные в известном уровне техники для снижения затрат на расходуемые детали, включали производство этих частей из оксида алюминия (Аl2O3) и кварцевых материалов. Хотя эти материалы в определенной степени устойчивы к воздействию энергии плазмы, в камерах для травления оксидов плазмой высокой плотности, бомбардировка ионами плазмы определяет нижние уровни загрязнения при производстве (например, загрязнения частицами и загрязнения металлическими примесями), которые должны быть меньше допустимого уровня. Например, если поверхность расходуемой детали выполнена из оксида алюминия (то есть, из глинозема), когда плазма бомбардирует эти поверхности, алюминий будет освобождаться и затем смешиваться с плазмой, которая формируется над пластиной. При этом некоторое количество алюминия будет внедряться в органический полимер, который осаждается на пластину во время травления и на поверхности расходуемых частей (то есть, таких элементов камеры, как вкладыш, крышка и т.п.). Когда это происходит, может оказаться невозможным полностью удалить полимер с поверхности расходуемых частей во время обычной плазменной очистки на месте или при выполнении этапа "озоления". Таким образом, хрупкая отслаивающаяся пленка или порошкообразное покрытие, которое содержит углерод, алюминий, кислород и фтор (С, Аl, О и F), остаются после плазменной очистки на месте, что приводит к образованию высокой концентрации загрязняющих частиц. Алюминий, осаждаемый на подвергаемых вытравливанию структурах и пленках кремниевой подложки, может привести к снижению эффективности работы изготовляемых устройств, например может вызвать повышение тока утечки элементов DRAM (динамических ОЗУ).
Как было указано выше, в качестве материала для изготовления внутренних поверхностей расходуемых частей также используется кварц. Однако кварцевые поверхности оказались нежелательным источником частиц из-за низкой теплопроводности кварца и высокой скорости вытравливания в условиях плазмы высокой плотности, используемой для вытравливания оксидов. Кроме того, из-за низкой теплопроводности кварца контроль за температурой этих частей является очень сложным. Это приводит к значительным колебаниям температуры и отслаиванию вытравливаемого полимера, осаждаемого на поверхность расходуемых частей, и поэтому вызывает нежелательное образование загрязняющих частиц. Еще один недостаток расходуемых частей из кварца состоит в том, что высокая скорость вытравливания в камерах для травления оксидов плазмой высокой плотности приводит к образованию поверхностных раковин на кварце, что затем вызывает растрескивание частиц кварца.
С учетом вышеприведенного, существует потребность в создании камер обработки плазмой высокой плотности, расходуемые части которых были бы более стойкими к эрозии и способствовали бы уменьшению уровня загрязнения поверхностей обрабатываемых пластин. Существует также потребность в расходуемых частях, предназначенных для использования в условиях плазмы высокой плотности, которые были бы способны противостоять изменениям температуры при одновременном предотвращении повреждения расходуемых частей.
Краткое описание изобретения
Настоящее изобретение направлено на решение этих проблем с помощью деталей, ограничивающих плазму (т.е. расходуемых частей), которые являются стойкими к вытравливанию, обеспечивают низкий уровень загрязнения и контроль за температурой для использования в камерах плазменной обработки. Настоящее изобретение может быть воплощено различными путями, включая процесс, устройство, систему, прибор или способ. Ниже описаны несколько вариантов воплощения настоящего изобретения.
В одном из вариантов воплощения описана камера плазменной обработки, включающая электростатический держатель, предназначенный для закрепления на нем пластины, и расходуемые части, которые обладают высокой стойкостью к вытравливанию, в меньшей степени подвержены образованию загрязнений и температуру которых можно регулировать. Расходуемые части включают вкладыш камеры, имеющий нижнюю секцию крепления и стенку, которая сконфигурирована таким образом, что она окружает электростатический держатель. Расходуемые части также включают структуру держателя вкладыша, имеющую нижний выступ, гибкую стенку и верхний выступ. Гибкая стенка имеет такую конфигурацию, что она окружает внешнюю поверхность стенки вкладыша камеры, и гибкая стенка держателя вкладыша установлена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры. Нижний выступ держателя вкладыша, однако, сконфигурирован таким образом, что он находится в непосредственном тепловом контакте с нижней секцией крепления вкладыша камеры. Кроме того, отражательное кольцо, которое представляет собой расходуемую часть, сконфигурировано таким образом, что оно может быть соединено со вкладышем камеры и держателем вкладыша так, что между этими деталями будет обеспечен тепловой контакт. Отражательное кольцо формирует экран для плазмы вокруг электростатического держателя. Кроме того, на верхнем выступе держателя вкладыша может быть установлен нагреватель с возможностью передачи тепла, предназначенный для передачи тепла через держатель вкладыша на вкладыш камеры и отражательное кольцо. Кроме того, конструкция имеет внешнюю опору, которая соединена с возможностью передачи тепла с охлаждающим кольцом, которое соединено с верхней пластиной камеры. Внешняя опора и охлаждающее кольцо поэтому обеспечивают точное регулирование температуры вкладыша камеры вместе с литым нагревателем. Такое точное регулирование температуры предотвращает отклонения температуры, что позволяет выполнять травление первой пластины приблизительно в таких же температурных условиях, в которых производится травление последней пластины.
В наиболее предпочтительном варианте воплощения расходуемые части включают вкладыш камеры и отражательное кольцо, которые целиком изготовлены или имеют покрытие из материала, выбираемого из карбида кремния (SiC), нитрида кремния (Si3N4), карбида бора (В4С) и/или нитрида бора (BN). При использовании этих материалов под воздействием энергии плазменного распыления образуются летучие продукты, которые, по существу, аналогичны летучим продуктам травления, получаемым во время травления поверхностных слоев пластины.
В другом варианте воплощения описана плазменная травильная камера, содержащая расходуемые части. Расходуемые части включают вкладыш камеры, имеющий нижнюю секцию крепления и цилиндрическую стенку, которая окружает центральную часть плазменно-травильной камеры. Держатель вкладыша сконфигурирован так, что он окружает вкладыш камеры. Держатель вкладыша соединен с образованием теплового контакта с нижней секцией крепления вкладыша камеры. Держатель вкладыша дополнительно содержит множество прорезей, которые разделяют держатель вкладыша на множество секторов. В предпочтительном варианте воплощения вкладыш камеры выполнен из материала, который выбирается из одного из следующих материалов: карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN), а держатель вкладыша изготовлен из алюминия.
В еще одном варианте воплощения изобретения описан способ использования расходуемых частей, предназначенный для использования в травильных камерах с высокой плотностью плазмы. Этот способ содержит использование вкладыша камеры, выполненного из материала, выбранного из одного из следующих материалов: карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (ВN). Вкладыш камеры может иметь стенку, которая окружает область плазмы в камере и нижнюю секцию держателя. Способ включает использование алюминиевого держателя вкладыша, который имеет нижний выступ, гибкую стенку и верхний выступ, причем в гибкой стенке и в нижнем выступе держателя вкладыша сформировано множество прорезей для обеспечения возможности расширения держателя вкладыша при повышенных температурах. Способ дополнительно содержит использование отражательного кольца из карбида кремния (SiC), нитрида кремния (Si3N4), карбида бора (В4С) и/или нитрида бора (ВN). В отражательном кольце может быть выполнено множество прорезей для формирования экрана для плазмы. Способ может включать регулирование температуры вкладыша камеры через тепловой путь, проходящий через держатель вкладыша и отражательное кольцо.
В соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения камера плазменной обработки содержит вкладыш камеры и держатель вкладыша, причем держатель вкладыша включает гибкую стенку, сконфигурированную таким образом, что она окружает внешнюю поверхность вкладыша камеры, эта гибкая стенка расположена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры. Для обеспечения, в случае необходимости, регулирования температуры вкладыша нагреватель может быть присоединен с образованием теплового контакта к держателю вкладыша так, что он будет передавать тепло от держателя вкладыша на вкладыш камеры. Хотя для вкладыша и держателя вкладыша могут использоваться любые подходящие материалы, держатель вкладыша предпочтительно изготавливают из гибкого алюминиевого материала, а вкладыш камеры предпочтительно содержит керамический материал.
Держатель вкладыша может иметь различные свойства. Например, гибкая стенка может иметь прорези, которые разделяют держатель вкладыша на множество секторов, которые позволяют гибкой стенке поглощать тепловые напряжения, и/или нижний выступ держателя вкладыша может быть установлен на нижней секции держателя вкладыша камеры. Если требуется, отражательное кольцо, находящееся в тепловом контакте с вкладышем камеры, и держатель вкладыша могут использоваться для формирования экрана для плазмы вокруг электростатического держателя, установленного в центральной части камеры. Вкладыш камеры и/или отражательное кольцо предпочтительно изготавливают из одного или большего количества материалов, таких как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN).
Камера плазменной обработки может иметь различные свойства. Например, вкладыш камеры может иметь низкое электрическое удельное сопротивление и может быть сконфигурирован таким образом, чтобы обеспечивать путь для заземления высокочастотной энергии. Если требуется, газораспределительная пластина, имеющая высокое электрическое удельное сопротивление, может быть установлена над электростатическим держателем и/или на подставке, поддерживающей фокусирующее кольцо и электростатический держатель. Газораспределительную пластину, фокусирующее кольцо и/или подставку предпочтительно изготавливают из одного или большего количества материалов, таких как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN). Плазма может генерироваться в камере с помощью источника высокочастотной энергии, который обеспечивает индуктивную передачу высокочастотной энергии через газораспределительную пластину и генерирует в камере плазму высокой плотности. Источник высокочастотной энергии предпочтительно содержит плоскую антенну. Камера может использоваться для плазменной обработки полупроводниковых пластин. Например, камера может представлять собой камеру плазменного травления.
Вкладыш может иметь различные конфигурации. Например, держатель вкладыша может включать внешнюю опору, соединенную с образованием теплового контакта с нижним выступом держателя вкладыша, и внешняя опора может находиться в тепловом контакте с верхней водоохлаждаемой пластиной, установленной на камере. Держатель вкладыша может также включать верхний выступ, гибкую стенку и нижний выступ, причем в гибкой стенке и в нижнем выступе выполнено множество прорезей, которые формируют множество секторов в держателе вкладыша. Для регулирования температуры литое нагревательное кольцо может быть установлено в тепловом контакте с держателем вкладыша, причем это нагревательное кольцо содержит резистивный нагревательный элемент, который нагревает держатель вкладыша так, что обеспечивается регулирование температуры вкладыша камеры.
В соответствии с другим вариантом воплощения настоящего изобретения полупроводниковую пластину обрабатывают в камере плазменной обработки, которая содержит вкладыш камеры и держатель вкладыша, причем держатель вкладыша включает гибкую стенку, сконфигурированную так, что она окружает внешнюю поверхность вкладыша камеры, причем эта гибкая стенка расположена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры, на которой размещают полупроводниковую пластину в камере и обрабатывают открытую поверхность подложки плазмой высокой плотности. Вкладыш камеры предпочтительно выполнен из керамического материала, а держатель вкладыша предпочтительно включает внешнюю опору, проходящую между держателем вкладыша и терморегулируемой частью камеры, внешняя опора имеет такие размеры, которые позволяют минимизировать отклонение температуры вкладыша камеры во время последовательной обработки партии полупроводниковых пластин. После обработки заранее определенного количества полупроводниковых пластин, в процессе обработки, керамический вкладыш предпочтительно удаляется из камеры и заменяется другим керамическим вкладышем. Кроме того, вкладыш камеры может иметь входное отверстие для пластин, которое позволяет помещать пластину в камеру.
Другие аспекты и преимущества настоящего изобретения станут очевидными из приведенного ниже подробного описания при рассмотрении его совместно с прилагаемыми чертежами, которые представляют собой иллюстрацию примера осуществления настоящего изобретения.
Краткое описание чертежей
Настоящее изобретение будет легко понять из приведенного ниже подробного описания, рассматриваемого совместно с прилагаемыми чертежами. Для упрощения описания одинаковые номера ссылки обозначают одинаковые структурные элементы.
На фигуре 1 изображена травильная камера с плазмой высокой плотности в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигурах 2А-2С более подробно изображено отражательное кольцо в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 3А подробно изображен поперечный разрез держателя вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 3В изображен вид сбоку держателя вкладыша по стрелке А в поперечном разрезе по фигуре 3А в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 3С показан изгиб держателя вкладыша, когда он подвергается температурным напряжениям в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 4 изображено, как вкладыш камеры собирается с держателем вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 5А показан частичный вид в поперечном разрезе вкладыша камеры, держателя вкладыша и отражательного кольца, которые собраны в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 5В изображен вид сбоку внешней опоры в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 6 изображен трехмерный вид в сборе вкладыша камеры, отражательного кольца и держателя вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения;
на фигуре 7 изображен другой трехмерный вид в сборе вкладыша камеры, держателя вкладыша и отражательного кольца в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения и
на фигуре 8 изображен трехмерный вид с покомпонентным представлением деталей травильной камеры с плазмой высокой плотности по фигуре 1 в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения.
Подробное описание предпочительных вариантов воплощения
Настоящее изобретение направлено на одну или большее количество частей, ограничивающих плазму (т.е. расходуемых частей с регулируемой температурой, низким уровнем выделяемых загрязнений и высокой устойчивостью к травлению), предназначенных для использования в камерах плазменной обработки. Для обеспечения полного понимания настоящего изобретения описаны различные конкретные детали.
В других случаях хорошо известные операции обработки не были описаны подробно в настоящем изобретении, чтобы избежать излишнего усложнения описания.
Части, ограничивающие плазму в соответствии с настоящим изобретением, предпочтительно выполнены в виде, например, элементов вкладыша камеры, отражательных колец, пластин распределения газа, фокусирующих колец, держателей вкладыша и других частей без электрического привода. Эти части предпочтительно сконфигурированы так, что они, по существу, не создают загрязнений и являются устойчивыми для травления, и температура их предпочтительно регулируется без повреждения частей. Части, ограничивающие плазму, предпочтительно изготовлены из материалов, которые состоят из элементов, безвредных для устройств, изготовляемых на пластине, таких как кремний (Si), углерод (С), азот (N) или кислород (О). Таким образом, когда части, ограничивающие плазму, подвергаются бомбардировке ионами (то есть распыляются под воздействием плазмы), получаются летучие продукты, которые смешиваются с технологическими газами. Эти летучие продукты могут быть удалены из камеры с использованием вакуумного насоса и не будут осаждаться на пластину, вызывая загрязнение. В предпочтительном варианте воплощения изобретения, в котором части, ограничивающие плазму, располагаются в камере плазменного травления, такие части могут быть в большей степени стойкими к травильным газам, и ресурс этих частей может быть продлен.
Части, ограничивающие плазму, в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно изготавливают из одного или большего количества материалов, таких как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN). Все эти материалы имеют требуемые характеристики в отношении высокой устойчивости к травлению, не содержат загрязняющих элементов, и их продукты травления являются летучими. В наиболее предпочтительном варианте воплощения изобретения части, ограничивающие плазму (также обозначаемые как расходуемые части) изготавливают из твердого карбида кремния (SiC), что, таким образом, уменьшает загрязнение обрабатываемой пластины металлами и/или частицами. Материал SiC, используемый для изготовления отражательного кольца 132 и вкладыша 130, предпочтительно является электропроводным, так что, когда он будет находиться в контакте с плазмой, он будет формировать хороший путь для заземления высокочастотного тока. Материал SiC с более высоким удельным сопротивлением может использоваться для газораспределительной пластины (то есть элемента, обозначенного номером 120 на фиг.1) для обеспечения возможности передачи радиочастотной энергии через нее. Как указано выше, SiC, кроме того, вытравливается с низкой скоростью под воздействием плазмы, что обеспечивает эффективность затрат при производстве расходуемой части.
Кроме того, поскольку SiC представляет собой материал высокой чистоты, загрязнение пластины в результате химического распыления SiC плазмой может быть минимизировано. Кроме того, заземленные части из SiC могут уменьшить распыление других поверхностей камеры, обеспечивая снижение потенциала плазмы и, таким образом, энергии ионной бомбардировки на все поверхности, выполненные не из карбида кремния. Этот компонент из SiC также обеспечивает очень стабильный потенциал плазмы, так что результаты травления обладают большой степенью повторяемости в пределах отдельной камеры и от камеры к камере. Для большей информации по использованию частей, ограничивающих плазму, способных снижать загрязнение при обработке плазмой высокой плотности, сошлемся на параллельно поданную заявку на американский патент №09/050902, поданную 31 марта 1998 г. под названием "Способ и устройство контроля за уровнем загрязнения для камеры плазменной обработки" ("Contamination Controlling Method and Apparatus For A Plasma Processing Chamber"). Различные варианты воплощения настоящего изобретения будут теперь описаны со ссылками на фигуры 1-8.
На фигуре 1 изображена травильная камера 100 с плазмой высокой плотности в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Корпус 102 камеры показан с установленной в нем полупроводниковой пластиной, такой как кремниевая пластина 104, которая предназначена для обработки плазменным травлением. В данном варианте воплощения изобретения операция травления предпочтительно представляет собой работу с использованием плазмы высокой плотности, которая возбуждается таким образом, чтобы производить травление материалов, таких как оксиды кремния, которые могут быть сформированы на поверхности пластины 104. Плазма высокой плотности (например, плазма, имеющая плотность в пределах приблизительно 1011-1012 ионов/см3) возбуждается в камере за счет того, что в камере поддерживается относительно низкое давление, ниже приблизительно 80 мТорр и наиболее предпочтительно от 1 мТорр до 40 мТорр. Давление в камере, в общем, поддерживается с помощью соответствующего вакуумного насоса, подключенного в нижней части камеры.
Пластина 104 показана установленной на электростатическом держателе 106. Под электростатическим держателем 106 расположен нижний электрод 108, который содержит охлаждающее кольцо 110, предназначенное для регулирования температуры электростатического держателя 106. Электростатический держатель 106 ограничивается подставкой 112 и фокусирующим кольцом 114, которое окружает пластину 104. В одном варианте воплощения настоящего изобретения подставка 112 и фокусирующее кольцо 114 предпочтительно изготовлены из материала, выбранного из группы, включающей: (а) карбид кремния (SiC), (b) нитрид кремния (Si3N4), (с) карбид бора (В4С) или (d) нитрид бора (BN). В наиболее предпочтительном варианте воплощения в качестве материала для подставки 112 и фокусирующего кольца 114 выбирается Si3N4.
В соответствии с одним из вариантов воплощения изолирующее кольцо 116, выполненное из оксида алюминия, устанавливается между алюминиевой подставкой 118 и нижним электродом 108 подставки 112, выполненной из карбида кремния. Вкладыш 130 камеры предпочтительно представляет собой цилиндрический вкладыш, который может быть прикреплен к отражательному кольцу 132. Отражательное кольцо 132, в общем, включает внутреннее кольцо 132а, которое обеспечивает хороший электрический контакт, а также хороший тепловой контакт с вкладышем 130 камеры. Отражательное кольцо 132 также имеет множество зубьев 132b, которые будут более подробно описаны со ссылкой на фигуру 2А-2С.
Над пластиной 104 расположена газораспределительная пластина 120, которая функционирует как распылительная головка для подачи химических реагентов травильного газа в камеру обработки. Над газораспределительной пластиной 120 выполнено керамическое окно 122. Над керамическим окном 122 расположена система высокочастотных катушек 128 (то есть высокочастотная антенна), которая используется для подачи высокочастотной энергии в реакторную камеру 100. Высокочастотные катушки 120 предпочтительно охлаждаются через охлаждающий канал, который расположен в центральной части системы высокочастотных катушек 128. В этом упрощенном представлении отверстие 126 подачи газа используется для подачи технологических газов в каналы, которые сформированы между керамическим окном 122 и газораспределительной пластиной 120. Для более подробной информации в отношении обрабатывающих камер можно сделать ссылку на реактор плазменного травления TCP 9100™, который поставляется компанией LAM Research Corporation, г. Фремонт, штат Калифорния (Fremont, California).
Высокочастотная система 127 согласования полного сопротивления сконфигурирована таким образом, что она установлена сверху камеры обработки и создает соответствующий контакт с высокочастотными катушками 128 для управления подачей энергии, а также другими параметрами реактора. Как указано выше, керамическое окно 122 имеет такую конструкцию, что оно обеспечивает контакт с газораспределительной пластиной, которая установлена внутри верхней пластины 124. Верхняя пластина 124 формирует поверхность раздела между атмосферным давлением и требуемыми условиями вакуума внутри камеры 100 травления плазмой высокой плотности. Как будет очевидно для специалистов в данной области техники, требуемая поверхность раздела давления устанавливается путем размещения подходящего количества уплотнительных колец на границе состыковки корпуса 102 камеры, верхней пластины 124, газораспределительной пластины 120, керамического окна 122 и высокочастотной системы 127 согласования.
Держатель 134 вкладыша, кроме того, установлен внутри камеры 100 травления плазмой высокой плотности с возможностью осуществления точного управления и передачи требуемой температуры на вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132. В данном варианте воплощения изобретения держатель 134 вкладыша выполнен из алюминия, что позволяет использовать его гибкость и хорошую теплопроводность. Держатель 134 вкладыша включает верхний выступ 134а, гибкую стенку 134b, нижний выступ 134с и выступ 134d держателя вкладыша. Нижний выступ 134с показан в сборе с образованием прямого теплового контакта с вкладышем 130 камеры и отражательным кольцом 132. В данном варианте воплощения изобретения гибкая стенка 134b находится на расстоянии от вкладыша 130 камеры. Нагреватель 140 может быть установлен с непосредственным тепловым контактом с верхним выступом 134а держателя 134 вкладыша. Для подачи питания и управления нагревателем 140 используется силовой контакт 142 для подключения системы 129 питания нагревателя. Держатель вкладыша поэтому позволяет осуществлять требуемое регулирование температуры, которая может передаваться на вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132 без повреждения (более хрупких) вкладыша 130 камеры или отражательного кольца 132.
На чертеже также показана внешняя опора 131, которая соединена с образованием теплового контакта с нижним выступом 134с держателя 134 вкладыша. Внешняя опора также соединена с образованием теплового контакта с верхней пластиной 124, которая выполнена таким образом, что на ней может быть установлено охлаждающее кольцо 121. Как будет описано более подробно ниже со ссылками на фигуры 5А и 5В, внешняя опора 131 используется для обеспечения точного регулирования температуры вкладыша 130 камеры во время операций по обработке пластины (например, травления). Точное регулирование температуры, которое обеспечивается внешней опорой 131 и охлаждающим кольцом 121, будет поэтому предпочтительно способствовать предотвращению постепенного повышения температуры вкладыша камеры (из-за энергии плазмы).
Как указано выше, вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132 предпочтительно изготовлены из чистого карбида кремния. Кроме того, газораспределительная пластина 120, фокусирующее кольцо 114 и подставка 112 также изготовлены из чистого карбида или нитрида кремния или, по меньшей мере, имеют покрытие из карбида кремния. Таким образом, по существу, все поверхности, которые ограничивают плазму высокой плотности, будут представлять собой чистый карбид кремния или будут покрыты карбидом кремния. Также могут использоваться другие материалы, которые состоят только из элементов, которые являются безвредными в отношении устройств, формируемых на обрабатываемой пластине, такие как кремний (Si), углерод (С), азот (N) или кислород, которые образуют летучие продукты травления с газами, предназначенными для травления. Таким образом, летучие продукты, образующиеся при бомбардировке внутренних поверхностей, ограничивающих плазму, будут смешиваться с избыточными газами травления, которые постоянно удаляются из камеры (с использованием вакуумного насоса или подобного устройства). Поскольку эти продукты, получаемые, когда плазма бомбардирует внутренние поверхности камеры (то есть, расходуемые части), являются летучими, они не будут осаждаться на поверхности пластины, вызывая загрязнение, и не будут внедряться в полимер, нанесенный на поверхности расходуемых частей.
На фигурах 2А-2С более подробно изображено отражательное кольцо 132 в соответствии с одним вариантом воплощения настоящего изобретения. Как показано на фигуре 1, отражательное кольцо 132 функционирует в качестве экрана для плазмы, предназначенного для пропускания газов и побочных продуктов к вакуумному насосу, подключенному снизу камеры 102. Как показано на чертежах, отражательное кольцо 132 имеет множество зубьев 132b, которые позволяют удерживать плазму в верхней части камеры 102, где поверхности, выполненные из карбида кремния (расходуемых частей), ограничивают плазму, по существу, в зоне над пластиной 104. Отражательное кольцо 132 также имеет внешнее кольцо 132а, которое используется для создания хорошего теплового контакта с вкладышем 130 камеры.
На фигуре 2В представлено трехмерное изображение пары зубьев 132b. В общем, область открытого пространства, сформированная промежутками 132с, сконфигурирована таким образом, что она составляет в диапазоне от 50 до 70 процентов для формирования достаточного прохода для газов и побочных продуктов, которые откачиваются из камеры 102. Для формирования каждого из промежутков 132с, которые показаны на фигуре 2С, твердый материал из карбида кремния (или материал, покрытый SiC) обрабатывают на станке так, чтобы выдерживалось подходящее соотношение ширины и высоты, составляющее, по меньшей мере, 1,5 или больше. В этом примере конфигурации ширина промежутков 132с предпочтительно устанавливается равной приблизительно 0,13 дюймов (3,3 мм) и высота устанавливается равной приблизительно 0,28 дюймов (7,1 мм). Такие предпочтительные размеры составляют соотношение геометрических размеров приблизительно 2,0.
Внутренний диаметр отражательного кольца 132 в этом варианте воплощения камеры для пластины размером 200 мм выбирают равным приблизительно 10,75 дюймов (273 мм), так что зазор шириной приблизительно 1,16 дюйма (1,59 мм) формируется между кольцом и подставкой 112, показанной на фигуре 1. Однако внутренний диаметр, конечно же, может быть выбран большим, в зависимости от размера обрабатываемой пластины. Например, для пластины размером 300 мм внутренний диаметр может составлять приблизительно 14 дюймов (355,6 мм).
В альтернативных вариантах воплощения отражательное кольцо 132 может быть изготовлено таким образом, что вместо зубьев 132b будет сформировано множество отверстий или прорезей. Когда вместо зубьев 132b сформировано множество отверстий или прорезей, желательно, чтобы выдерживалось требование формирования открытой поверхности (то есть, прохода), которая составляет приблизительно от 50 процентов до 70 процентов. В отражательном кольце 132 также выполнено множество отверстий 150 для винтов, которые сформированы вокруг внешнего кольца 132а. Как показано на фигуре 1, отверстия 150 для винтов сконфигурированы таким образом, что в них входят соответствующие винты, с помощью которых отражательное кольцо 132 прикрепляется к вкладышу 130 камеры и держателю 134 вкладыша. Также могут использоваться другие варианты крепления, такие как зажимы, при условии, что они будут обеспечивать необходимое усилие контакта для передачи тепла в достаточной степени.
На фигуре 3А изображена более подробная схема поперечного сечения держателя 134 вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Как отмечено выше, держатель 134 вкладыша имеет гибкую стенку 134b, которая сконфигурирована таким образом, что она может изгибаться в соответствии с тепловыми деформациями, которые могут возникнуть, когда нагреватель 140 создает требуемую степень нагрева. Предпочтительно гибкая стенка 134b выполнена цилиндрической, и в ней образованы прорези, которые формируют множество секторов. Как указано выше, держатель вкладыша предпочтительно изготовлен из алюминия, который имеет хорошую теплопроводность, а также обеспечивает хорошую гибкость при нагреве до требуемой температуры с помощью нагревателя 140. Поскольку нижний выступ 134с привинчен к вкладышу 130 камеры и отражательному кольцу 132, нижний выступ 134с будет оставаться на месте, в то время как верхний выступ 134а, который соединен с нагревателем 140 на стыке 141, проводящем тепло, может отклоняться наружу, как изображено на фигуре 3С.
Нагреватель 140 предпочтительно прикреплен к верхнему выступу 134а с использованием соответствующего количества винтов 144 для обеспечения теплопроводного стыка 141 вокруг всего верхнего выступа 134а. В предпочтительном варианте воплощения изобретения винты 144 могут удерживать нагреватель 140 в контакте с верхним выступом 134а с образованием давления приблизительно 1000 фунтов на квадратный дюйм (70,3 кг/см2).
Когда камера травления 100 с плазмой высокой плотности сконфигурирована для обработки 8-дюймовых пластин (то есть пластин размером 200 мм), держатель 134 вкладыша может иметь внутренний диаметр приблизительно 14,5 дюймов (36,8 см). Толщина 170 гибкой стенки 134b может выбираться в диапазоне от 1,16 дюйма до 3,32 дюйма (1,59-2,38 мм). Размер 1,16 дюйма (1,59 мм) предпочтительно используется для обработки при температурах до 300°С, в то время как размер 3,32 дюйма (2,38 мм) предназначен для камер, имеющих температуру обработки до 1000°С.
Расстояние 176 между нижним выступом 134с и верхним выступом 134а предпочтительно устанавливается равным 2,5 дюйма (63,5 мм), в зависимости от высоты камеры. Однако чем больше расстояние 176, тем больше тепловое сопротивление в держателе 134 вкладыша. Поэтому расстояние 176 сохраняется достаточно небольшим с тем, чтобы алюминиевый материал держателя вкладыша не был слишком подвержен тепловым напряжениям при температурах, достигающих 300°С и выше. Например, толщина 172 верхнего выступа 134а предпочтительно устанавливается равной 9,16 дюймов (14,29 мм), в то время как толщина нижнего выступа 134с устанавливается равной 5,8 дюйма (15,88 мм).
На фигуре 3В изображен вид сбоку держателя 134 вкладыша в поперечном сечении по линии А-А, изображенной на фигуре 3А, в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Для улучшения гибкости держателя 134 вкладыша на боковой поверхности держателя 134 вкладыша сформированы прорези 152, которые образуют множество секторов. Прорези 152 проходят вертикально через гибкую стенку 134b и через нижний выступ 134с. Поскольку держатель 134 вкладыша предпочтительно представляет собой блок цилиндрической формы, расстояние между прорезями 152 должны быть выбраны так, чтобы в гибких стенках 134b сохранялся соответствующий уровень гибкости. Поэтому расстояние между прорезями 152 предпочтительно устанавливается равным 15 градусов. Однако фактическое расстояние между прорезями 152 может также изменяться в зависимости от диаметра держателя 134 вкладыша и требуемой степени гибкости. На чертеже также показаны отверстия 150 для винтов, которые сформированы в нижних выступах 134с.
Для иллюстрации гибкости держателя 134 вкладыша на фигуре 3С представлен держатель вкладыша, смещенный в сторону от оси Y (по отношению к горизонтальной оси X) для формирования зазора 133. В некоторых случаях этот зазор может составлять 1,16 дюйма (1,59 мм) или больше. Благодаря этому держатель 134 вкладыша предпочтительно будет способен противостоять тепловым напряжениям, прикладываемым к материалу алюминия держателя 134 вкладыша, изолируя менее гибкий вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132 от напряжений тепловой деформации.
На фигуре 4 показан вкладыш 130 камеры в сборе с держателем 134 вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. В этом варианте воплощения, когда вкладыш 130 камеры изготовлен из карбида кремния, он будет формировать непрерывный путь для возврата высокочастотной энергии на землю по отношению к электроду 108 питания (нижнему электроду). Как хорошо известно специалистам в данной области техники, обеспечение в достаточной степени непрерывного пути заземления для высокочастотной энергии в камерах обработки создает преимущество, выражающееся в отличной повторяемости процесса. Кроме того, заземленный SiC может снизить эрозию внешних поверхностей камеры благодаря снижению потенциала плазмы и соответственно энергии бомбардировки ионов на всех поверхностях, выполненных не из карбида кремния.
Кроме того, материалы, используемые для вкладыша 130 камеры, такие как SiC, могут иметь различное электрическое удельное сопротивление, изменяющееся в широком диапазоне. При этом удельное сопротивление SiC может быть выбрано, например, в соответствии с конкретным вариантом применения. При использовании для вкладыша 130 камеры и отражательной пластины 132 SiC модифицируется так, что материал будет иметь низкое удельное сопротивление с обеспечением пути заземления для высокочастотной энергии с достаточной электропроводностью. С другой стороны, высокое удельное сопротивление необходимо тогда, когда через детали должна передаваться высокочастотная энергия индукционным способом для минимизации потерь энергии в этой детали. При этом SiC с высоким удельным сопротивлением предпочтительно используется для изготовления газораспределительной пластины 120.
Как показано на чертежах, отверстия 150 для винтов сформированы таким образом, что они проходят через вкладыш 130 камеры в нижней секции держателя и затем входят в держатель 134 вкладыша. В общем, соответствующее количество винтов используется для соединения вкладыша 130 камеры и держателя 134 вкладыша так, что обеспечивает стык 156 с хорошей теплопроводностью. Таким образом, тепло, передаваемое через держатель 134 вкладыша, может передаваться на вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132.
В этом предпочтительном варианте воплощения изобретения держатель 134 вкладыша предпочтительно расположен на расстоянии 154 от вкладыша 130 камеры. Зазор 154 предпочтительно установлен равным 1,16 дюйма (1,59 мм). Такое разделение, в общем, является желательным, поскольку держатель 134 вкладыша сконфигурирован так, что он может изгибаться, как описано со ссылкой на фигуру 3С. Для камеры, предназначенной для обработки пластины размером 200 мм, диаметр 179 вкладыша 130 камеры составляет приблизительно 14 дюймов (356 мм). Толщина вкладыша 130 камеры предпочтительно устанавливается в данном варианте воплощения изобретения в диапазоне от 0,1 дюйма до 0,3 дюйма (2,54-7,62 мм) и наиболее предпочтительно равной приблизительно 0,2 дюйма (5,08 мм). Высота 177 в данном примере вкладыша камеры может выбираться от 3 дюймов (76,2 мм) до 12 дюймов (30,5 мм) и наиболее предпочтительно 5 дюймов (127 мм).
На чертеже также показана внешняя опора 131, которая соединена с образованием контакта с нижним выступом 134с держателя 134 вкладыша. Предпочтительно внешняя опора расположена на определенном расстоянии от гибкой стенки 134b так, что она может изгибаться без существенных помех. Внешняя сторона внешней опоры держателя 131 имеет верхнюю выступающую стенку, имеющую поверхность 123’, которая сконфигурирована таким образом, что образуется хороший тепловой контакт с верхней пластиной 124. Благодаря этому охлаждающее кольцо 121, которое более подробно показано на фигуре 5А, может использоваться для регулирования температуры вкладыша 130 камеры и внутренних областей камеры. Соответственно, благодаря комбинированному одновременному регулированию как с помощью нагревателя 140, так и с помощью охлаждающего кольца 121, температура вкладыша 130 камеры может удерживаться в пределах меньше, чем ±10°С от состояния отсутствия плазмы до поддерживаемого состояния образованной плазмы. При этом первая вытравливаемая пластина может вытравливаться при такой же температуре вкладыша 130 камеры, что и последняя вытравливаемая пластина, с вариацией в пределах ±10°С.
На фигуре 5А изображен вид с частичным поперечным разрезом вкладыша 130 камеры, держателя 134 вкладыша и отражательного кольца 132, которые собраны в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Как показано на чертеже, вкладыш 130 камеры и держатель 134 вкладыша собраны так, что образуется стык 156 с хорошей теплопроводностью, как описано выше.
Как указано выше, внешняя опора 131 соединена с образованием теплового контакта с нижним выступом 134с с помощью множества винтов 135. Внешняя опора 131, в наиболее предпочтительном варианте воплощения, имеет гибкую стенку 131а, которая, как показано на чертеже, соединена с образованием теплового контакта с верхней пластиной 124. Вид сбоку внешней опоры держателя 131 также представлен на фигуре 5В, на которой показано, как множество секторов 131d, разделенных множеством прорезей 131с, позволяют обеспечить требуемую гибкость гибкой стенки 131а. Верхняя пластина 124, кроме того, имеет такую конфигурацию, что охлаждающее кольцо 121 устанавливается на верхний фланец верхней пластины 124. Конечно, могут использоваться другие конфигурации установки охлаждающего кольца 121 или другие типы охлаждающей системы верхней пластины 124.
В данном варианте воплощения изобретения комбинированное использование нагревателя 140 и охлаждающего кольца 121 позволяет обеспечить точное регулирование температуры в узких пределах. Например, вкладыш 130 камеры обычно работает при высоких температурах, 200°С или выше, причем тепло рассеивается в окружающей среде прежде всего через излучение. При инициировании плазмы плазма добавляет дополнительное тепло вкладышу 130 камеры из-за ионного бомбардирования. Температура вкладыша 130 камеры постепенно повышается, поскольку он, в общем, не может передавать это тепло в окружающую среду с помощью излучения также быстро, как получает тепло из плазмы. При этом внешняя опора 131, которая соединена с образованием теплового контакта с охлаждающим кольцом 121, хорошо приспособлена для устранения температурных отклонений вкладыша камеры. В данном варианте воплощения тепловые потери на внешней опоре 131 от держателя 134 вкладыша могут быть установлены путем регулировки поперечного сечения и длины внешней опоры 131. С помощью такой регулировки может быть выполнено управление путем тепловых потерь держателя 134 вкладыша на терморегулируемую верхнюю пластину 124.
Как показано на чертеже, вкладыш 130 камеры также имеет стык 157 с хорошей теплопроводностью с отражательным кольцом 132. Для обеспечения такого стыка с хорошей теплопроводностью отражательное кольцо 132, вкладыш 130 камеры и держатель 134 вкладыша соединены вместе с использованием множества винтов 150’. Предпочтительно винты 150’ установлены через разделительное кольцо 131b, которое находится в прямом контакте с внутренним кольцом 132а отражательного кольца 132, прокладкой 131а’ и вкладышем 130 камеры.
Разделительное кольцо 131b и прокладка 131а' предпочтительно изготовлены из алюминия и имеют хорошую поверхность приложения давления для винтов 150’ и хрупких поверхностей кольца 132 и вкладыша 130 камеры. То есть, поскольку отражательное кольцо 132 предпочтительно изготовлено из керамического материала, приложение слишком большого усилия с помощью винтов непосредственно на отражательное кольцо может вызвать растрескивание отражательного кольца или вкладыша 130 камеры. После того, как винты 150’ будут полностью закреплены по всей окружности камеры, вкладыш камеры, отражательное кольцо и держатель вкладыша (то есть, расходуемые части) будут готовы для использования в травильной камере 100 с плазмой высокой плотности, изображенной на фигуре 1. В отношении этих частей здесь используется термин расходуемые части, однако, когда для изготовления частей, которые ограничивают плазму высокой плотности, используется карбид кремния (или другие альтернативные материалы, описанные здесь), эти части будут иметь более долгий срок службы и поэтому более низкую стоимость расходуемых частей.
Когда требуется замена, эти части могут быть быстро заменены запасными частями (то есть с использованием набора быстрой очистки). Поскольку держатель 134 вкладыша имеет такую конструкцию, что он не входит в контакт с плазмой высокой плотности, он не изнашивается так же быстро, как вкладыш 130 камеры и отражательное кольцо 132. При этом с держателя 134 вкладыша могут быть сняты изношенные расходуемые части (которые могут быть очищены отдельно и использоваться повторно или выбрасываться), и затем он может использоваться с запасными расходуемыми частями. Когда камера используется в производстве, при котором время простоя камеры приводит к снижению производительности, способность быстрой замены этих расходуемых частей будет предпочтительной для снижения среднего времени, затрачиваемого на очистку камеры.
На фигуре 6 показано трехмерное изображение в собранном виде вкладыша 130 камеры, отражательного кольца 132 и держателя 134 вкладыша в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Как показано на чертеже, верхняя поверхность верхнего выступа 134а держателя 134 вкладыша сконфигурирована так, что в ней сформировано множество отверстий для винтов, которые входят в нагреватель 140. Вдоль стенок держателя 134 вкладыша сформировано множество прорезей 152, которые образуют множество секторов, сконфигурированных так, что они могут отклоняться в зависимости от изменения температуры. Отверстие 160 ввода пластины сформировано в стенке вкладыша 130 камеры так, что оно позволяет вводить пластину внутрь камеры 100 и вынимать ее из нее. Обычно пластина предпочтительно проходит в камеру с использованием манипулятора робота, который должен частично входить в отверстие 160 и устанавливать пластину на электростатическом держателе 106. Поэтому отверстие 160 должно быть достаточно большим для прохода в него пластины и манипулятора робота, но также должно быть достаточно малым с тем, чтобы не нарушать профиль плазмы над пластиной. Как показано на фигуре 7, вставка с прорезью, которая выполнена по форме отверстия 160, прикрепляется снаружи вкладыша. Как и другие расходуемые части, эта вставка может быть выполнена из SiC, Si3N4, В4С и/или BN.
В держателе 134 вкладыша обычно также выполняют сквозные отверстия 162, которые также сформированы во вкладыше 130 камеры. Эти сквозные отверстия 162 могут представлять собой отверстия, предназначенные для измерения давления в камере во время обработки и для оптического обнаружения конечной точки отдельных процессов. Также более подробно представлено множество отверстий 161, которые используются для входа в них винтов 144, предназначенных для закрепления на нужном уровне нагревателя 140 на верхнем выступе 134а вкладыша.
На фигуре 7 изображен другой трехмерный вид собранных вкладыша 130 камеры, держателя 134 вкладыша и отражательного кольца 132. С этой точки проекции более подробно показано отверстие 160, используемое для прохода в него пластины для установки ее на электростатический держатель 106. Также представлены зубцы 132b отражательного кольца 132. Зубцы 132b соответственно проходят в непосредственной близости к подставке 112 так, что они экранируют плазму от нижней части камеры, как показано на фигуре 1.
На фигуре 8 изображен трехмерный вид с покомпонентным представлением деталей частей травильной камеры 100 с плазмой высокой плотности, изображенной на фигуре 1, в соответствии с одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. Этот вид представляет разделительное кольцо 131b, которое используется при сборке отражательного кольца 132, вкладыша 130 камеры и держателя 134 вкладыша. Эта проекция также представляет, как нагреватель 140 прикрепляется поверх верхнего выступа 134а держателя 134 вкладыша. Нагреватель 140, как показано на чертеже, предпочтительно представляет собой литой нагреватель. Конечно, также могут использоваться другие типы систем нагрева. Когда нагреватель 140 закреплен соответствующим образом, образуется хороший тепловой контакт с держателем 134 вкладыша.
На чертеже также показаны выводы 142 питания, которые проходят через отверстие 124а в верхней пластине 124. Показана верхняя пластина 124, в которую может быть установлена газораспределительная пластина 120. Газораспределительная пластина 120 имеет каналы 120а, которые позволяют обрабатывающим газам, подаваемым через отверстия 126 подачи газа, направляться в камеру 100. Хотя в этом примере не показано, на пластину 120 распределения газа может быть опущено керамическое окно 122.
В предпочтительном варианте воплощения настоящего изобретения травильная камера 100 с плазмой высокой плотности особенно хорошо приспособлена для травления материалов из оксидов кремния, таких как, например, выращенную термически двуокись кремния (SiO2), TEOS, PSG, BPSG, USG (беспримесное стекло с покрытием, полученным методом центрифугирования), LTO и т.д., при снижении уровня нежелательных загрязнителей. Только для примера, для достижения условий формирования плазмы высокой плотности в камере 100 давление в камере предпочтительно поддерживается на уровне ниже 80 мТорр, и высокочастотная катушка 128 (то есть верхний электрод) предпочтительно имеет мощность от 2500 ватт до 400 ватт и наиболее предпочтительно 1500 ватт. Нижний электрод 108 предпочтительно имеет мощность от 2500 ватт до 700 ватт и наиболее предпочтительно до 1000 ватт. В типичных процессах травления оксидов плазмой высокой плотности технологические газы, такие как СНF3, C2HF5 и/или С2F6, вводятся в камеру для создания требуемых характеристик травления.
Как отмечено выше, материалы, которые могут использоваться для частей, ограничивающих плазму, (например, расходуемых частей, включая вкладыш 130 камеры, отражательное кольцо 132, газораспределительную пластину 120, фокусирующее кольцо 114 и подставку 112), в общем, являются безвредными для слоев, формируемых на пластине 104. То есть летучие продукты травления, которые получаются при травлении поверхностей пластины 104, будут аналогичны летучим продуктам, получаемым при бомбардировке расходуемых частей (то есть распыления) энергией плазмы. Предпочтительно эти летучие продукты, производимые в результате ионной бомбардировки расходуемых деталей, будут соединяться с нормальными летучими продуктами травления.
При этом соответственно улучшается удаление этих комбинированных летучих продуктов из внутренней области камеры 100 с помощью вакуумного насоса, который подключен к камере. Ввиду того что летучие продукты из расходуемых частей могут быть соответственно удалены из области обработки пластины, существенно более низкие уровни загрязнения частицами и металлами будут влиять на работу устройств, формируемых на поверхности пластины 104.
Хотя настоящее изобретение было описано при рассмотрении нескольких предпочтительных вариантов воплощения, для специалистов в данной области техники при прочтении предыдущего описания и изучения чертежей будут очевидны возможности его различных изменений, дополнений, замен и эквивалентов. Поэтому, хотя были описаны конкретные детали в отношении снижения загрязнения полупроводниковых пластин, такой же полезный эффект может быть достигнут по отношению к подложкам плоских дисплеев и т.п. Кроме того, хотя предпочтительные материалы, предназначенные для изготовления расходуемых частей, представляют собой чистый карбид кремния (SiC), детали также могут быть выполнены из другого материала с покрытием из SiC, такого как графит с покрытием SiC или преимущественно SiC с 10-20% Si, добавленного для заполнения пор в реакционно соединенном SiC. Как было указано выше, эти расходуемые части также могут быть изготовлены из материалов, таких как нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN). Все эти материалы имеют требуемые характеристики высокой устойчивости к травлению, наличию не загрязняющих элементов и образуют летучие продукты травления.
Поэтому предполагается, что настоящее изобретение включает все такие изменения, дополнения, замены и эквиваленты, которые входят в истинный объем и сущность настоящего изобретения.

Claims (24)

1. Камера плазменной обработки, внутри которой содержатся вкладыш камеры и держатель вкладыша, причем держатель вкладыша включает гибкую стенку, которая окружает внешнюю поверхность вкладыша камеры, и расположена на расстоянии от стенки вкладыша камеры.
2. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит нагреватель, соединенный с держателем вкладыша с образованием теплового контакта с возможностью передачи тепла через держатель вкладыша на вкладыш камеры.
3. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша выполнен из гибкого алюминиевого материала, а вкладыш камеры выполнен из керамического материала.
4. Камера плазменной обработки по п.3, отличающаяся тем, что гибкая стенка содержит прорези, разделяющие держатель вкладыша на множество секторов, которые позволяют гибкой стенке поглощать тепловые напряжения.
5. Камера плазменной обработки по п.4, отличающаяся тем, что нижний выступ держателя вкладыша прикреплен к нижней секции крепления вкладыша камеры.
6. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит отражательное кольцо, находящееся в тепловом контакте с вкладышем камеры и держателем вкладыша и формирующее экран для плазмы вокруг электростатического держателя, установленного в центральной части камеры.
7. Камера плазменной обработки по п.6, отличающаяся тем, что отражательное кольцо изготовлено из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN).
8. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что вкладыш изготовлен из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (B4С) и нитрид бора (BN).
9. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что вкладыш камеры имеет низкое удельное электрическое сопротивление и его конфигурация выбрана с возможностью обеспечения пути заземления для высокочастотной энергии.
10. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит газораспределительную пластину, установленную над электростатическим держателем, причем газораспределительная пластина имеет высокое удельное электрическое сопротивление.
11. Камера плазменной обработки по п.10, отличающаяся тем, что газораспределительная пластина изготовлена из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN).
12. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит фокусирующее кольцо и подставку, на которой установлено фокусирующее кольцо и электростатический держатель.
13. Камера плазменной обработки по п.12, отличающаяся тем, что фокусирующее кольцо и подставка изготовлены из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN).
14. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит фокусирующее кольцо, подставку и/или газораспределительную пластину, изготовленную из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si3N4), карбид бора (В4С) и нитрид бора (BN).
15. Камера плазменной обработки по п.11, отличающаяся тем, что дополнительно содержит источник высокочастотной энергии, выполненный с возможностью индуктивной передачи высокочастотной энергии через газораспределительную пластину и генерирования плазмы высокой плотности внутри камеры.
16. Камера плазменной обработки по п.15, отличающаяся тем, что источник высокочастотной энергии содержит плоскую антенну.
17. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша дополнительно содержит внешнюю опору, соединенную с образованием теплового контакта с нижним выступом держателя вкладыша, при этом внешняя опора находится в тепловом контакте с верхней водоохлаждаемой пластиной, установленной на камере.
18. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что камера представляет собой камеру плазменного травления.
19. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша содержит верхний выступ, гибкую стенку и нижний выступ, при этом гибкая стенка и нижний выступ имеют множество прорезей, которые формируют в держателе вкладыша множество секторов.
20. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что кольцо литого нагревателя находится в тепловом контакте с держателем вкладыша, причем кольцо нагревателя содержит резистивный нагревательный элемент, выполненный с возможностью нагрева держателя вкладыша с обеспечением теплового регулирования температуры вкладыша камеры.
21. Камера плазменной обработки по п.1, отличающаяся тем, что вкладыш камеры содержит отверстие для подачи пластины внутрь камеры.
22. Способ обработки полупроводниковой подложки в камере плазменной обработки, отличающийся тем, что полупроводниковую пластину устанавливают внутри камеры плазменной обработки по п.1, и открытую поверхность этой пластины обрабатывают с помощью плазмы высокой плотности.
23. Способ по п.22, отличающийся тем, что используют камеру, содержащую вкладыш, выполненный из керамического материала с держателем вкладыша включающим внешнюю опору, проходящую между держателем вкладыша и терморегулируемой частью камеры, причем размеры внешней опоры выбирают с обеспечением минимальных отклонений температуры вкладыша камеры в процессе последовательной обработки партии полупроводниковых пластин.
24. Способ обработки полупроводниковой подложки по п.22, отличающийся тем, что используют камеру, вкладыш которой представляет собой керамический вкладыш, который удаляют из камеры и заменяют другим керамическим вкладышем после обработки заранее определенного количества полупроводниковых пластин.
RU2001111332/09A 1998-09-25 1999-09-24 Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере RU2237314C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/161,074 1998-09-25
US09/161,074 US6129808A (en) 1998-03-31 1998-09-25 Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001111332A RU2001111332A (ru) 2003-03-27
RU2237314C2 true RU2237314C2 (ru) 2004-09-27

Family

ID=22579708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001111332/09A RU2237314C2 (ru) 1998-09-25 1999-09-24 Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере

Country Status (10)

Country Link
US (3) US6129808A (ru)
EP (1) EP1145273B1 (ru)
JP (1) JP4612190B2 (ru)
KR (1) KR100566908B1 (ru)
CN (1) CN1328755C (ru)
AU (1) AU1440100A (ru)
DE (1) DE69928289T2 (ru)
RU (1) RU2237314C2 (ru)
TW (1) TW460972B (ru)
WO (1) WO2000019481A2 (ru)

Families Citing this family (182)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6482747B1 (en) * 1997-12-26 2002-11-19 Hitachi, Ltd. Plasma treatment method and plasma treatment apparatus
US6464843B1 (en) 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US20040149214A1 (en) * 1999-06-02 2004-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6972071B1 (en) * 1999-07-13 2005-12-06 Nordson Corporation High-speed symmetrical plasma treatment system
US6451157B1 (en) * 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
KR100806097B1 (ko) * 1999-09-30 2008-02-21 램 리써치 코포레이션 예비 처리된 가스 분배판
TW514996B (en) * 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
US6363882B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
US6772827B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
WO2001078115A2 (en) * 2000-04-06 2001-10-18 Asm America, Inc. Barrier coating for vitreous materials
JP2002134472A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Mitsubishi Electric Corp エッチング方法、エッチング装置および半導体装置の製造方法
US20040081746A1 (en) * 2000-12-12 2004-04-29 Kosuke Imafuku Method for regenerating container for plasma treatment, member inside container for plasma treatment, method for preparing member inside container for plasma treatment, and apparatus for plasma treatment
US6613442B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US20020160620A1 (en) * 2001-02-26 2002-10-31 Rudolf Wagner Method for producing coated workpieces, uses and installation for the method
KR20030090650A (ko) * 2001-02-26 2003-11-28 어낵시스 발처스 악티엔게젤샤프트 부품 제조 방법 및 진공 처리 시스템
US6602381B1 (en) 2001-04-30 2003-08-05 Lam Research Corporation Plasma confinement by use of preferred RF return path
US6821378B1 (en) * 2001-05-25 2004-11-23 Lam Research Corporation Pump baffle and screen to improve etch uniformity
KR20020095324A (ko) * 2001-06-14 2002-12-26 삼성전자 주식회사 고주파 파워를 이용하는 반도체장치 제조설비
US6626188B2 (en) 2001-06-28 2003-09-30 International Business Machines Corporation Method for cleaning and preconditioning a chemical vapor deposition chamber dome
EP1274113A1 (en) * 2001-07-03 2003-01-08 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and method for detecting sidewall flaking in a plasma chamber
JP3990881B2 (ja) * 2001-07-23 2007-10-17 株式会社日立製作所 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
DE10156407A1 (de) * 2001-11-16 2003-06-05 Bosch Gmbh Robert Haltevorrichtung, insbesondere zum Fixieren eines Halbleiterwafers in einer Plasmaätzvorrichtung, und Verfahren zur Wärmezufuhr oder Wärmeabfuhr von einem Substrat
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US6780787B2 (en) * 2002-03-21 2004-08-24 Lam Research Corporation Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components
US6613587B1 (en) * 2002-04-11 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Method of replacing at least a portion of a semiconductor substrate deposition chamber liner
US7093560B2 (en) * 2002-04-17 2006-08-22 Lam Research Corporation Techniques for reducing arcing-related damage in a clamping ring of a plasma processing system
US8703249B2 (en) * 2002-04-17 2014-04-22 Lam Research Corporation Techniques for reducing arcing-related damage in a clamping ring of a plasma processing system
US7086347B2 (en) 2002-05-06 2006-08-08 Lam Research Corporation Apparatus and methods for minimizing arcing in a plasma processing chamber
US6825051B2 (en) * 2002-05-17 2004-11-30 Asm America, Inc. Plasma etch resistant coating and process
KR20030090305A (ko) * 2002-05-22 2003-11-28 동경엘렉트론코리아(주) 플라즈마 발생장치의 가스 배기용 배플 플레이트
US20050121143A1 (en) * 2002-05-23 2005-06-09 Lam Research Corporation Pump baffle and screen to improve etch uniformity
FR2842387B1 (fr) * 2002-07-11 2005-07-08 Cit Alcatel Chemisage chauffant pour reacteur de gravure plasma, procede de gravure pour sa mise en oeuvre
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
US7166200B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US7166166B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7137353B2 (en) 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US7147749B2 (en) 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
KR100470999B1 (ko) * 2002-11-18 2005-03-11 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 식각장치의 챔버구조
TW200423195A (en) 2002-11-28 2004-11-01 Tokyo Electron Ltd Internal member of a plasma processing vessel
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
US6844260B2 (en) * 2003-01-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Insitu post atomic layer deposition destruction of active species
WO2004095532A2 (en) 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
KR100918528B1 (ko) 2003-03-31 2009-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리부재 상에 인접한 코팅을 결합시키는 방법
US20040256215A1 (en) * 2003-04-14 2004-12-23 David Stebbins Sputtering chamber liner
US7972467B2 (en) * 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
US20040206213A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Chih-Ching Hsien Wrench having a holding structure
US6953608B2 (en) * 2003-04-23 2005-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Solution for FSG induced metal corrosion & metal peeling defects with extra bias liner and smooth RF bias ramp up
JP3940095B2 (ja) * 2003-05-08 2007-07-04 忠弘 大見 基板処理装置
EP1629522A4 (en) * 2003-05-30 2008-07-23 Aviza Tech Inc GAS DISTRIBUTION SYSTEM
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
US7182816B2 (en) * 2003-08-18 2007-02-27 Tokyo Electron Limited Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield
US8460945B2 (en) * 2003-09-30 2013-06-11 Tokyo Electron Limited Method for monitoring status of system components
US6974781B2 (en) * 2003-10-20 2005-12-13 Asm International N.V. Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD
US7107125B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the position of a semiconductor processing robot
US7267741B2 (en) * 2003-11-14 2007-09-11 Lam Research Corporation Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
JP3962722B2 (ja) * 2003-12-24 2007-08-22 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
JP4426342B2 (ja) 2004-03-08 2010-03-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US8349128B2 (en) 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
US8540843B2 (en) * 2004-06-30 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma chamber top piece assembly
US20060000802A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
WO2006017119A2 (en) * 2004-07-09 2006-02-16 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US20060037702A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US7534301B2 (en) * 2004-09-21 2009-05-19 Applied Materials, Inc. RF grounding of cathode in process chamber
US7375027B2 (en) 2004-10-12 2008-05-20 Promos Technologies Inc. Method of providing contact via to a surface
US7959984B2 (en) * 2004-12-22 2011-06-14 Lam Research Corporation Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system
US8038796B2 (en) * 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
KR100737311B1 (ko) 2005-01-19 2007-07-09 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
WO2007010404A2 (en) * 2005-03-02 2007-01-25 Roamware, Inc. Dynamic generation of csi for outbound roamers
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US20060213437A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
KR100672828B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-22 삼성전자주식회사 챔버 인서트 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
EP1913172A2 (en) * 2005-07-29 2008-04-23 Aviza Technology, Inc. Gas manifold valve cluster
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
US20070079936A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Bonded multi-layer RF window
CN100369192C (zh) * 2005-12-26 2008-02-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工***反应腔室
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
EP2022872A4 (en) * 2006-05-09 2010-07-28 Ulvac Inc THIN FILM PRODUCTION EQUIPMENT AND INTERIOR BLOCK CORRESPONDING
US7879184B2 (en) * 2006-06-20 2011-02-01 Lam Research Corporation Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts
US20080118663A1 (en) * 2006-10-12 2008-05-22 Applied Materials, Inc. Contamination reducing liner for inductively coupled chamber
US7776178B2 (en) * 2006-10-25 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7943005B2 (en) * 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US8004293B2 (en) * 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
US7942112B2 (en) * 2006-12-04 2011-05-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for preventing the formation of a plasma-inhibiting substance
KR100847890B1 (ko) * 2006-12-13 2008-07-23 세메스 주식회사 챔버 라이너를 포함하는 밀폐형 반도체 공정 시스템 및그것을 이용한 웨이퍼 가공 방법
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
US8647438B2 (en) * 2007-04-27 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Annular baffle
US20100151150A1 (en) * 2007-05-18 2010-06-17 Ulvac, Inc. Plasma processing apparatus and manufacturing method of deposition-inhibitory member
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US8034410B2 (en) 2007-07-17 2011-10-11 Asm International N.V. Protective inserts to line holes in parts for semiconductor process equipment
US9184072B2 (en) * 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7807222B2 (en) * 2007-09-17 2010-10-05 Asm International N.V. Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same
US7993057B2 (en) * 2007-12-20 2011-08-09 Asm America, Inc. Redundant temperature sensor for semiconductor processing chambers
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
JP2009200184A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のバッフル板
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
KR100995700B1 (ko) 2008-07-14 2010-11-22 한국전기연구원 3차원 표면형상을 갖는 원통형 가공물을 위한 유도 결합형플라즈마 공정 챔버 및 방법
CN101656194B (zh) * 2008-08-21 2011-09-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子腔室及其温度控制方法
KR101632031B1 (ko) * 2008-10-07 2016-06-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에칭된 기판으로부터 할로겐 잔류물들의 효율적인 제거 장치
CN102177769B (zh) * 2008-10-09 2016-02-03 应用材料公司 大等离子体处理室所用的射频回流路径
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9337004B2 (en) * 2009-04-06 2016-05-10 Lam Research Corporation Grounded confinement ring having large surface area
US9297705B2 (en) 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
JP5595795B2 (ja) * 2009-06-12 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法
US8360003B2 (en) * 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
JP5443096B2 (ja) * 2009-08-12 2014-03-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5397215B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 ソニー株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム
WO2011114940A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20110226739A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Process chamber liner with apertures for particle containment
TWI503907B (zh) * 2010-04-14 2015-10-11 Wonik Ips Co Ltd 基板處理設備
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
US8562785B2 (en) * 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
KR101297264B1 (ko) * 2011-08-31 2013-08-16 (주)젠 이중 유도 결합 플라즈마 소스를 갖는 플라즈마 반응기
US20130105085A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with chamber wall temperature control
US9508530B2 (en) * 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
SG11201402058TA (en) 2011-11-24 2014-09-26 Lam Res Corp Symmetric rf return path liner
CN103177954B (zh) * 2011-12-26 2015-12-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 使用温度可控的限制环的刻蚀装置
US9896769B2 (en) 2012-07-20 2018-02-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure
US10249470B2 (en) 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US9928987B2 (en) 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield
CN103151235B (zh) * 2013-02-20 2016-01-27 上海华力微电子有限公司 一种提高刻蚀均匀性的装置
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9761416B2 (en) * 2013-03-15 2017-09-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers
TWI627305B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋
US10163606B2 (en) 2013-03-15 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection
SG10201709699RA (en) * 2013-05-23 2017-12-28 Applied Materials Inc A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
US20140356985A1 (en) 2013-06-03 2014-12-04 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
US20150041062A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with removable body
CN103646872A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种去胶设备
CN110797291A (zh) * 2013-12-06 2020-02-14 应用材料公司 用于使预热构件自定中心的装置
JP6230900B2 (ja) * 2013-12-19 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI564929B (zh) * 2014-07-24 2017-01-01 科閎電子股份有限公司 用於電漿反應裝置之襯套單元
GB201518756D0 (en) 2015-10-22 2015-12-09 Spts Technologies Ltd Apparatus for plasma dicing
CN106711006B (zh) * 2015-11-13 2019-07-05 北京北方华创微电子装备有限公司 上电极组件及半导体加工设备
KR102151631B1 (ko) * 2016-01-22 2020-09-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US10763082B2 (en) * 2016-03-04 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber of plasma system, liner for plasma system and method for installing liner to plasma system
CN109072427B (zh) 2016-03-25 2020-10-13 应用材料公司 用于高温处理的腔室衬垫
JP7156954B2 (ja) * 2016-06-03 2022-10-19 エヴァテック・アーゲー プラズマエッチングチャンバ及びプラズマエッチング方法
US10886113B2 (en) * 2016-11-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Process kit and method for processing a substrate
US11004662B2 (en) * 2017-02-14 2021-05-11 Lam Research Corporation Temperature controlled spacer for use in a substrate processing chamber
WO2018175647A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Component Re-Engineering Company, Inc. Ceramic material assembly for use in highly corrosive or erosive semiconductor processing applications
US20190048467A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Applied Materials, Inc. Showerhead and process chamber incorporating same
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
US20190119815A1 (en) * 2017-10-24 2019-04-25 Applied Materials, Inc. Systems and processes for plasma filtering
US11810766B2 (en) * 2018-07-05 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Protection of aluminum process chamber components
US20200051793A1 (en) * 2018-08-13 2020-02-13 Skc Solmics Co., Ltd. Ring-shaped element for etcher and method for etching substrate using the same
KR20210055786A (ko) * 2018-10-05 2021-05-17 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버
CN208835019U (zh) * 2018-11-12 2019-05-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔内衬
CN110012928A (zh) * 2019-04-24 2019-07-16 四川长虹电器股份有限公司 一种可移动平行板电容器解冻腔体及射频解冻装置
CN112071733B (zh) * 2019-06-10 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备
USD913979S1 (en) 2019-08-28 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Inner shield for a substrate processing chamber
US20210066050A1 (en) * 2019-08-28 2021-03-04 Applied Materials, Inc. High conductance inner shield for process chamber
CN112802729B (zh) * 2019-11-13 2024-05-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 带温度维持装置的隔离环
USD943539S1 (en) 2020-03-19 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Confinement plate for a substrate processing chamber
USD979524S1 (en) 2020-03-19 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Confinement liner for a substrate processing chamber
US11380524B2 (en) 2020-03-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
CN111471980B (zh) * 2020-04-15 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 适于远程等离子体清洗的反应腔室、沉积设备及清洗方法
KR102549935B1 (ko) * 2021-04-28 2023-06-30 주식회사 월덱스 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링
FI129948B (en) * 2021-05-10 2022-11-15 Picosun Oy SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD
CN114360999B (zh) * 2021-12-30 2023-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 等离子处理设备

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4399546A (en) * 1979-09-28 1983-08-16 Dresser Industries, Inc. Silicon carbide furnace
DE3269040D1 (en) * 1981-04-02 1986-03-27 Perkin Elmer Corp Discharge system for plasma processing
JPS59151084A (ja) * 1983-02-18 1984-08-29 株式会社日立製作所 核融合装置
US4981551A (en) * 1987-11-03 1991-01-01 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
JPH0662344B2 (ja) * 1988-06-03 1994-08-17 株式会社日立製作所 セラミツクスと金属の接合体
JPH0814633B2 (ja) * 1989-05-24 1996-02-14 株式会社日立製作所 核融合炉
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5367139A (en) * 1989-10-23 1994-11-22 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for contamination control in plasma processing
US5089441A (en) * 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US5460684A (en) * 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5366585A (en) * 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
EP0624896B1 (en) * 1993-05-13 1999-09-22 Applied Materials, Inc. Contamination control in plasma contouring the plasma sheath using materials of differing rf impedances
JP3181473B2 (ja) * 1993-08-19 2001-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5865896A (en) * 1993-08-27 1999-02-02 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
JP3308091B2 (ja) * 1994-02-03 2002-07-29 東京エレクトロン株式会社 表面処理方法およびプラズマ処理装置
JPH07273086A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置及び該装置を用いたプラズマ処理方法
EP0680072B1 (en) * 1994-04-28 2003-10-08 Applied Materials, Inc. A method of operating a high density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
US5538230A (en) * 1994-08-08 1996-07-23 Sibley; Thomas Silicon carbide carrier for wafer processing
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
US5891350A (en) * 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5569356A (en) * 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
JPH09153481A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
US6095084A (en) * 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
JPH09246238A (ja) * 1996-03-01 1997-09-19 Nippon Eng Kk プラズマエッチング用平板状基台およびその製造方法
US5725675A (en) * 1996-04-16 1998-03-10 Applied Materials, Inc. Silicon carbide constant voltage gradient gas feedthrough
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
JPH10130872A (ja) * 1996-10-29 1998-05-19 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理方法
US5904800A (en) * 1997-02-03 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor wafer processing chamber for reducing particles deposited onto the semiconductor wafer
US6035868A (en) * 1997-03-31 2000-03-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber
US6189484B1 (en) * 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
KR100602072B1 (ko) * 1998-03-31 2006-07-14 램 리서치 코포레이션 오염 제어 방법 및 플라즈마 공정 챔버
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6464843B1 (en) * 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6074953A (en) * 1998-08-28 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing

Also Published As

Publication number Publication date
US6129808A (en) 2000-10-10
US6394026B1 (en) 2002-05-28
DE69928289T2 (de) 2006-08-10
DE69928289D1 (de) 2005-12-15
US6583064B2 (en) 2003-06-24
WO2000019481A3 (en) 2001-12-20
AU1440100A (en) 2000-04-17
TW460972B (en) 2001-10-21
EP1145273A3 (en) 2002-03-27
CN1319247A (zh) 2001-10-24
KR20010075264A (ko) 2001-08-09
CN1328755C (zh) 2007-07-25
WO2000019481A9 (en) 2002-01-31
JP4612190B2 (ja) 2011-01-12
JP2002533911A (ja) 2002-10-08
EP1145273A2 (en) 2001-10-17
US20020102858A1 (en) 2002-08-01
WO2000019481A2 (en) 2000-04-06
EP1145273B1 (en) 2005-11-09
KR100566908B1 (ko) 2006-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2237314C2 (ru) Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере
KR100345420B1 (ko) 플라즈마처리장치
JP3408245B2 (ja) プラズマ処理のためのエラストマ結合材と、その製造並びに利用方法
JP5165039B2 (ja) プラズマ処理システムにおける改良された堆積シールド
JP4627660B2 (ja) プラズマ処理システムにおける改良されたバッフル板のための装置
US8118936B2 (en) Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
JP4589115B2 (ja) プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための装置
US6798519B2 (en) Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7566368B2 (en) Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
KR101057610B1 (ko) 유전체 재료 식각 방법
US20080099448A1 (en) Quartz guard ring
KR20030010760A (ko) 개선된 파티클 성능을 가지는 반도체 공정 설비
WO2001022479A1 (en) Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP5043439B2 (ja) 遊離炭素を取り除くために扱われた半導体基板処理装置の炭化シリコン部品

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130925