CN113924387A - 用于高温腐蚀环境的基板支承件盖 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。

Description

用于高温腐蚀环境的基板支承件盖
背景
领域
本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。
相关技术描述
在化学气相沉积(CVD)处理期间，反应气体可产生沉积在腔室的内侧表面上的成分。随着这些沉积物的积累，残留物可能剥落并且污染进一步的处理步骤。这种残留沉积物也能不利地影响其他处理条件，例如沉积均匀性、沉积率、膜应力、粒子效能和类似处理条件。
因此，处理腔室通常被周期性地清洁，以移除残留材料。清洁处理通常涉及等离子体增强干式清洁技术。蚀刻剂通常是含卤素或氧的气体，例如含氟气体或氧气，能与基板支承件的表面反应，以形成氟化物或氧化物。在某些应用中，基板支承件维持在提升的温度下，例如大于500摄氏度。在提升的温度下，氟化物或氧化物升华，并且在比基板支承件更低的温度下的基板部件上凝结，例如喷头。凝结物在CVD处理期间能造成基板的污染，并且能导致CVD处理条件的改变，例如沉积率和均匀性偏移。
传统上，基板支承件用薄涂层涂布，例如基于钇的涂层，薄涂层是耐清洁气体的。然而，随着基板放置在基板支承件上和从基板支承件移除，涂层可能被刮除。此外，由于附接至基板支承件的尺寸和部件，涂布基板支承件是昂贵和困难的。
因此，需要强化的设备。
发明内容
本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，一种处理腔室，包括腔室主体；和基板支承件，基板支承件布置在腔室主体中。基板支承件包括表面和连接至表面的侧表面。处理腔室进一步包括基板支承件盖，基板支承件盖可移除地布置在基板支承件上。基板支承件盖包括氟化物材料，并且暴露至处理腔室中的处理区域。
在另一个实施方式中，一种方法，包括从处理腔室移除基板，和在布置在处理腔室中的基板支承件上放置基板支承件盖。基板支承件盖包括氟化物材料。方法进一步包括当基板支承件盖在基板支承件上时，在处理腔室中实行清洁处理，基板支承件盖的氟化物材料在清洁处理期间暴露至清洁气体或清洁物质(cleaning species)。
在另一个实施方式中，一种基板支承件盖，包括板，板包括氟化物材料。基板支承件盖进一步包括侧盖，侧盖可移除地耦接至板，并且侧盖延伸穿过板。
附图说明
以此方式能详细理解本公开内容以上记载的特征，并且以上简要概述的本公开内容的更具体说明可通过参考多个实施方式而获得，某些实施方式图示于附图中。然而，应理解附图仅图示多个示例性实施方式，且因此不应考虑为本公开内容范围的限制，并且可认可其他多个均等效果的实施方式。
图1是处理腔室的概要截面侧视图。
图2A-图2E是具有基板支承件盖的基板支承件的概要侧视图，该基板支承件盖布置在基板支承件上。
图3A-图3F是基板支承件盖的侧视图。
图4A-图4C是具有基板支承件盖的基板支承件的概要侧视图，该基板支承件盖布置在基板支承件上。
图5A-图5D是基板支承件盖的侧视图。
图6A-图6C是基板支承件盖的各种视图。
图7是流程图，显示用于操作图1的处理腔室的方法。
为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表图式中共通的相同的元件。应考虑一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他多个实施方式中而无须进一步说明。
具体实施方式
本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染，且避免处理条件的改变或偏移。
图1是根据本文描述的一个实施方式的处理腔室100的概要截面图。处理腔室100可以是等离子体增强的CVD(PECVD)腔室或其他等离子体增强的处理腔室。可从本文描述的多个实施方式获益的示例性处理腔室是可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的PECVD可用腔室的
Figure BDA0003364279690000031
系列。考虑到来自其他制造商的其他类似装备的处理腔室也可从本文描述的实施方式获益。处理腔室100包括腔室主体102，布置在腔室主体102内侧的基板支承件104，和耦接至腔室主体102并且在处理区域120中包覆基板支承件104的盖组件106。盖组件106包括气体分配器，例如喷头112。基板154穿过在腔室主体102中形成的开口126而被提供至处理区域120。
可以是诸如陶瓷或金属氧化物(例如氧化铝和/或氮化铝)的介电材料的隔绝器110将喷头112从腔室主体102分隔开。喷头112包括开口118，开口118用于导入(admitting)处理气体或清洁气体至处理区域120中。气体可经由导管114供应至处理腔室100，并且气体可在流动穿过开口118之前进入气体混合区域116。排气152形成在腔室主体102中，在低于基板支承件104的位置处。排气152可连接至真空泵(未显示)，以从处理腔室100移除未反应的物质和副产物。
喷头112可耦接至电功率源141，例如RF产生器或DC功率源。DC功率源可供应连续和/或脉冲的DC功率至喷头112。RF产生器可供应连续和/或脉冲的RF功率至喷头112。电功率源141在操作期间开启，以供应电功率至喷头112，来促进在处理区域120中等离子体的形成。
基板支承件104包括用于支承基板154的表面142和侧表面144。侧表面144与表面142非共面。在一个实施方式中，侧表面144实质上垂直于表面142。基板154具有尺寸D1，例如直径，并且基板支承件104具有比尺寸D1更大的尺寸D2，例如直径。基板支承件104可由陶瓷材料形成，例如金属氧化物或氮化物或氧化/氮化混合物，例如铝、氧化铝、氮化铝或氧化/氮化铝混合物。基板支承件104被杆143支承。基板支承件104可接地。加热元件128安装在基板支承件104中。加热元件128可以是板、穿孔的板、网格、丝网或任何其他分布的结构。加热元件128经由连接器130耦接至功率源132。加热元件128可加热基板支承件至一个提升的温度，例如大于500摄氏度。
图1中所显示的基板支承件104在较低的位置，且基板154被延伸穿过基板支承件104的多个升降杆140支承。基板154可通过穿过开口126的机械手臂(未显示)放置在升降杆140上或从升降杆140移除。在操作期间，基板支承件104抬升至较高的位置，并且基板154布置于表面142上。环160可被基板154或基板支承件104提升，并且环160在操作期间可布置在基板支承件104上环绕基板154。环160可以是在操作期间覆盖基板154的边缘部分的阴影环。如图1中所显示，当基板支承件104在较低的位置时，环160被布置在腔室主体102上的壁架150支承。在某些实施方式中，代替使用环160，侧盖161布置在基板支承件104上并且在沉积和清洁处理两者期间保留在基板支承件104上。
图2A-图2E是具有基板支承件盖202的基板支承件104的概要侧视图，基板支承件盖202布置在基板支承件104上。基板支承件盖202不是在基板支承件104上的涂层。反而，基板支承件盖202可移除地布置在基板支承件104上。换句话说，基板支承件盖202能放置在基板支承件104上并且能从基板支承件104提起。如图2A中所显示，基板支承件盖202具有与基板支承件104的尺寸D2相同的尺寸D3，例如直径。换句话说，基板支承件盖202覆盖基板支承件104的整个表面142。
在清洁处理期间，清洁气体(例如含氟气体或含氧气体)可与基板支承件104反应，以在基板支承件104上形成氟化物或氧化物。在某些应用中，基板支承件104维持在大于500摄氏度的温度下。在此提升的温度下，氟化物或氧化物升华，并且在例如喷头112(显示在图1中)的较冷的腔室部件上凝结。在喷头112上材料的凝结可造成后续处理期间基板的污染。因此，利用基板支承件盖202。使用基板支承件盖202的方法在图7中说明。
基板支承件盖202可以由氟化物材料制成，例如氟化镁(MgF2)或氟化稀土制成(例如氟化钇(YF3)或氟化镧(LaF3))。基板支承件盖202的氟化物材料暴露至处理区域120。在某些实施方式中，氟化物用掺杂物掺杂，例如硼和/或碳。掺杂物等级范围从约0％至约50％，例如从约10％至约30％。在一个实施方式中，氟化物是硼和碳掺杂的LaF3(LaF3(B,C))。氟化物不会与清洁气体反应，并且氟化物不会在例如大于500摄氏度或大于1000摄氏度的提升的温度下升华。在一个实施方式中，基板支承件盖202是单层的MgF2或氟化稀土，例如YF3、LaF3或LaF3(B,C)，具有从约100微米至约3000微米的范围的厚度，例如从约500微米至约1500微米。基板支承件盖202可使用任何适合的方法制成，例如CVD、结晶成长或烧结。
在某些实施方式中，如图2B中所显示，环160在清洁处理期间布置在基板支承盖202上。环160在清洁处理期间被清洁。在某些实施方式中，代替布置在基板支承件盖202上，环160在清洁处理期间布置在壁架150上。
在某些实施方式中，如图2C中所显示，基板支承件盖202具有小于基板支承件104的尺寸D2的尺寸，例如直径，或与基板154(显示于图1中)的尺寸D1相同。在清洁处理期间可暴露基板支承件104的表面142的部分。可利用环160以保护表面142的暴露的部分。如图2D中所显示，环160是布置在基板支承件104的表面204上的阴影环。表面204与基板支承件104的表面142非共面。环160覆盖基板支承件盖202的边缘部分。如图2E中所显示，环160’可以是并未覆盖基板支承件盖202的边缘部分的边缘环。环160’覆盖基板支承件104的表面142的边缘部分。类似于侧盖161(显示在图1中)，环160’布置在基板支承件104上，并且在沉积和清洁处理两者期间保留在基板支承件104上。
图3A-图3F是根据本文描述的其他多个实施方式的基板支承件盖300的侧视图。如图3A中所显示，基板支承件盖300包括块状层302和涂布层304。块状层302包括与涂布层304接触的第一表面306，与第一表面306相对的第二表面308，和连接第一表面306和第二表面308的第三表面310。第二表面308在清洁处理期间与基板支承件104(显示在图2中)的表面142接触。如图3A中所显示，块状层302的第一表面306可以是平顺的。
块状层302可以由硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(AlO)、石英或其他适合的材料制成。块状层302可通过任何适合的方法制成，例如烧结。块状层302具有从约100微米至约3000微米的范围的厚度，例如从约500微米至约1500微米。涂布层304可由与基板支承件盖202相同的材料制成。涂布层304可以用PVD、CVD、PECVD、ALD、离子辅助沉积(IAD)、等离子体喷涂、湿式涂布、注入或基于等离子体或激光的表面氟化、硼化和/或碳化而制成。涂布层304具有从约1000埃至约10微米的范围的厚度，例如从约5000埃至约1微米。涂布层304暴露至处理区域120(显示在图1中)。
如图3B中所显示，基板支承件盖300包括块状层302和覆盖块状层302的第一表面306和第三表面310的涂布层304。如图3C中所显示，基板支承件盖300包括块状层302和覆盖块状层302的第一表面306、第二表面308和第三表面310的涂布层304。
图3A-图3C图示具有平顺的表面的块状层302。在其他多个实施方式中，块状层302的一个或多个表面可纹路化，以避免涂布层304从块状层302的剥离。如图3D中所显示，基板支承件盖300包括具有纹路化的第一表面306的块状层302，和布置在第一表面306上的涂布层304。块状层302进一步包括纹路化的第二表面308和纹路化的第三表面310。涂布层304包括与块状层302的第一表面306接触的第一表面314，和相对于第一表面314的第二表面312。涂布层304的第二表面312可由于块状层302的纹路化的第一表面306而纹路化。
如图3E中所显示，基板支承件盖300包括具有纹路化的第一表面306、第二表面308和纹路化的第三表面310的块状层302。涂布层304布置在第一表面306和第三表面310上。涂布层304的第一表面314与块状层302的纹路化的第一表面306和纹路化的第三表面310接触，并且第二表面312与第一表面314相对。第二表面312可由于块状层302的纹路化的第一表面306和纹路化的第三表面310而纹路化。第一表面314也可由于纹路化的第一表面306和纹路化的第三表面310而纹路化。
如图3F中所显示，基板支承件盖300包括具有纹路化的第一表面306、纹路化的第二表面308和纹路化的第三表面310的块状层302。涂布层304布置在第一表面306、第二表面308和第三表面310上。涂布层304的第一表面314与块状层302的纹路化的第一表面306、纹路化的第二表面308和纹路化的第三表面310接触，并且第二表面312与第一表面314相对。第二表面312可由于块状层302的纹路化的第一表面306、纹路化的第二表面308和纹路化的第三表面310而纹路化。在图3A-图3F中所显示的基板支承件盖300可取代基板支承件盖202(显示于图2A和图2C中)以在清洁处理中保护基板支承件104(显示在图2A或图2D中)。
图4A-图4C是具有基板支承件盖402的基板支承件104的概要侧视图，基板支承件盖402布置在基板支承件104上。基板支承件盖402不是在基板支承件104上的涂层。反而，基板支承件盖402可移除地布置在基板支承件104上。换句话说，基板支承件盖402能放置在基板支承件104上并且能从基板支承件104提起。如图4A中所显示，基板支承件盖402覆盖基板支承件104的表面142和侧表面144。基板支承件盖402包括与基板支承件104的表面142接触的第一表面404，与第一表面404相对的第二表面406，从第一表面404延伸并且面向基板支承件104的侧表面144的第三表面408，从第二表面406延伸并且相对于第三表面408的第四表面410，和连接第三表面408和第四表面410的第五表面412。在某些实施方式中，第三表面408和第四表面410实质上垂直于第一表面404和第二表面406。在一个实施方式中，第一表面404和第二表面406是圆形的，第三表面408和第四表面410是圆柱形的，并且第五表面412是环形的。基板支承件盖402可以由与基板支承件盖202相同的材料制成。基板支承件盖402可通过与基板支承件盖202相同的方法制成。基板支承件盖402暴露至处理区域120(显示在图1中)。
在某些实施方式中，如图4B中所显示，环160在清洁处理期间布置在基板支承件盖402上。环160在清洁处理期间被清洁。在某些实施方式中，代替布置在基板支承件盖202上，环160在清洁处理期间布置在壁架150上。环160可包括与基板支承件盖300的涂布层304相同的涂层。环160可以是阴影环。
在某些实施方式中，如图4C中所显示，基板支承件盖402包括板403和侧盖161。板403可以是基板支承件盖202。板403覆盖表面142的中心部分，并且侧盖161覆盖表面142的边缘部分和侧表面144。侧盖161在基板154(显示在图1中)的处理期间可保持在处理腔室中，例如处理腔室100。侧盖161可以由与基板支承件盖202或基板支承件盖300相同的材料制成。
图5A-图5D是根据本文描述的其他多个实施方式的基板支承件盖500的侧视图。如图5A中所显示，基板支承件盖500包括块状层502和涂布层504。块状层502包括第一表面512，与第一表面512相对的第二表面506，从第一表面512延伸的第三表面514，从第二表面506延伸并且与第三表面514相对的第四表面510，和连接第三表面514和第四表面510的第五表面508。在某些实施方式中，第三表面514和第四表面510实质上垂直于第一表面512和第二表面506。在一个实施方式中，第一表面512和第二表面506是圆形的，第三表面514和第四表面510是圆柱形的，并且第五表面508是环形的。在清洁处理期间当基板支承件盖500放置在基板支承件104上时，第一表面512可与表面142接触，并且第三表面514可面向基板支承件104(图2A)的侧表面144。块状层502可以由与块状层302相同的材料制成。涂布层504布置在块状层502的第二表面506、第四表面510和第五表面508上并且与块状层502的第二表面506、第四表面510和第五表面508接触。涂布层504可以由与涂布层304相同的材料制成。涂布层504可以通过与涂布层304相同的方法制成。涂布层504暴露至处理区域120(显示在图1中)。
如图5B中所显示，基板支承件盖500包括块状层502和涂布层504。块状层502的表面506、508、510、512、514被涂布层504覆盖并且与涂布层504接触。在清洁处理期间，当基板支承件盖500放置在基板支承件104上时，与块状层502的第一表面512接触的涂布层504的部分可以与表面142接触，并且第三表面514可面向基板支承件104(图2A)的侧表面144。
图5A-图5B图示具有平顺表面的块状层502。在其他多个实施方式中，块状层502的一个或多个表面可纹路化以避免涂布层504从块状层502的剥离。如图5C中所显示，基板支承件盖500包括具有纹路化的第二表面506、纹路化的第四表面510和纹路化的第五表面508的块状层502。涂布层504布置在纹路化的第二表面506、纹路化的第四表面510和纹路化的第五表面508上。涂布层504包括与块状层502的第二表面506、第四表面510和第五表面508接触的第一表面520，和与第一表面520相对的第二表面522。涂布层504的第二表面522可由于块状层502的纹路化的第二表面506、纹路化的第四表面510和纹路化的第五表面508而纹路化。
如图5D中所显示，基板支承件盖500包括具有纹路化的第一表面512、纹路化的第二表面506、纹路化的第三表面514、纹路化的第四表面510和纹路化的第五表面508的块状层502。涂布层504布置在表面506、508、510、512、514上。涂布层504的第一表面520与块状层502的纹路化的表面506、508、510、512、514接触，并且第二表面522与第一表面520相对。第二表面522可由于块状层302的纹路化的表面506、508、510、512、514而纹路化。如图5A-图5D中所显示的基板支承件盖500可取代基板支承件盖402(显示在图4A中)来在清洁处理中保护基板支承件104(显示在2A中)。
图6A-图6C是根据另一个实施方式的基板支承件盖600的各种视图。如图6A中所显示，在清洁处理期间在处理腔室中(例如处理腔室100(显示在图1中))，基板支承件盖600布置在基板支承件104上。基板支承件盖600包括覆盖基板支承件104的表面142的板602，和覆盖基板支承件104的侧表面144的侧盖604。侧盖604耦接至板602，并且相对于板602可移动。侧盖604包括顶部部分605，顶部部分605具有比侧盖604的其余部分更大的尺寸。侧盖604延伸穿过板602。在清洁处理期间，基板支承件盖600的板602布置在基板支承件104的表面142上，并且侧盖604由于重力下落，以保护基板支承件104的侧表面144。顶部部分605避免侧盖604延伸穿过板602。板602和侧盖604均可以由与基板支承件盖202或基板支承件盖300相同的材料制成。
在基板支承件盖600的处置期间，机械手臂(未显示)与顶部部分605相对地接合侧盖604的表面607。如图6B中所显示，侧盖604向上移动，使得表面607与板602的底部表面在相同的水平。图6C是基板支承件盖600的俯视图。如图6C中所显示，侧盖604包括两个或多个节段(segment)606。多个节段606使得侧盖604相对于板602可移动。
图7是流程图，显示用于操作图1的处理腔室的方法700。方法700在操作702处开始，操作702是在例如处理腔室100(显示在图1中)的处理腔室中实行沉积处理。沉积处理包括放置例如基板154(显示在图1中)的基板至处理腔室中，在基板上沉积例如介电层的层，并且从处理腔室移除基板。在操作704处，在处理腔室中在基板支承件上放置基板支承件盖。基板支承件盖可以是基板支承件盖202、300、402、500或600，并且基板支承件可以是基板支承件104。基板支承件盖被机械手臂传送至处理腔室中，并且放置在例如升降杆140(显示在图1中)的升降杆上。基板支承件接着被抬升来与基板支承件盖接触，并且抬升基板支承件盖至清洁位置。在某些实施方式中，随着基板支承件被抬升至清洁位置，例如环160的环可被基板支承件或基板支承件盖举升。
基板支承件可被维持在与操作702处所实行的沉积处理期间的处理温度相同的温度下。在一个实施方式中，基板支承件被维持在提升的温度下，例如大于500摄氏度或大于1000摄氏度。在另一个实施方式中，基板支承件被维持在大于或等于20摄氏度的温度下。在一个实施方式中，在操作702处的沉积处理以基板支承件在第一温度下实行，并且在操作704处随着基板支承件盖放置在基板支承件上，基板支承件的温度被维持在第一温度下。
下一步，在操作706处，在处理腔室中实行清洁处理。清洁处理可包括将例如含氟气体或含氧气体的清洁气体流至处理腔室中。在某些实施方式中，清洁气体首先流至布置在处理腔室之上的远程等离子体源，并且例如自由基的清洁物质在远程等离子体源中形成。清洁物质接着流至处理腔室中以实行清洁处理。清洁气体或清洁物质移除在腔室部件上累积的残留材料，例如喷头、边缘或阴影环，例如环160或160’(显示在图1中)、侧盖161(显示在图1中)和/或腔室壁。然而，清洁气体或清洁物质不会与基板支承件盖反应，并且通过基板支承件盖保护基板支承件防止清洁气体或清洁物质。
下一步，在操作708处，实行可选腔室陈化处理来陈化处理腔室的部件，以便强化处理稳定性并且降低周期性腔室维护。在操作710处，从基板支承件移除基板支承件盖。在清洁处理或可选的陈化处理之后，基板支承件降落至较低的位置，并且基板支承件盖被升降杆支承，并且被机械手臂提起和移动离开处理腔室。在某些实施方式中，操作708在操作710之后实行。在操作710之后，实行另一轮的操作702、704、706、708。
由氟化物材料制成的基板支承件盖用来在清洁处理期间保护基板支承件。基于氟化物的基板支承件盖不会与清洁气体或清洁物质反应，并且当基板支承件维持在提升的温度下时不会形成可升华的产物。
尽管以上内容针对本公开内容的实施方式，在不脱离本公开内容的基本范围的情况下可设计本公开内容的多个其他和进一步实施方式。

Claims (15)

1.一种处理腔室，包含：
腔室主体；
基板支承件，所述基板支承件布置在所述腔室主体中，所述基板支承件包含表面和连接至所述表面的侧表面；和
基板支承件盖，所述基板支承件盖可移除地布置在所述基板支承件上，所述基板支承件盖包含氟化物材料，并且所述基板支承件盖暴露至所述处理腔室中的处理区域。
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述氟化物材料包含氟化镁或氟化稀土。
3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含板，所述板具有与所述基板支承件相同的直径或比所述基板支承件更小的直径。
4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含侧盖，其中所述侧盖布置在所述基板支承件的所述表面的部分上，并且其中所述侧盖面向所述侧表面。
5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含与所述基板支承件的所述表面接触的第一表面，与所述第一表面相对的第二表面，从所述第一表面延伸并且面向所述基板支承件的所述侧表面的第三表面，从所述第二表面延伸并且与所述第三表面相对的第四表面，和连接所述第三表面和所述第四表面的第五表面。
6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含块状层，所述块状层包括所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面、所述第四表面和所述第五表面，其中所述基板支承件盖进一步包含涂布层，所述涂布层布置在所述块状层的所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面、所述第四表面和所述第五表面的至少一个上，并且所述涂布层包含所述氟化物材料。
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述块状层包含硅、二氧化硅、氮化铝、氧化铝或石英，并且所述氟化物材料包含氟化镁或氟化稀土。
8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含块状层，所述块状层具有第一表面、第二表面、第三表面和第四表面，其中所述基板支承件盖进一步包含涂布层，所述涂布层布置在所述块状层的所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面的至少一个上，其中所述涂布层包含所述氟化物材料。
9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述块状层包含硅、二氧化硅、氮化铝、氧化铝或石英，并且所述氟化物材料包含氟化镁或氟化稀土。
10.如权利要求2、权利要求7或权利要求9的任一所述的处理腔室，其中所述氟化稀土包含氟化钇或氟化镧。
11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述氟化镧用硼和/或碳掺杂。
12.一种方法，包含以下步骤：
从处理腔室移除基板；
在布置在所述处理腔室中的基板支承件上放置基板支承件盖，所述基板支承件盖包含氟化物材料；和
当所述基板支承件盖在所述基板支承件上时，在所述处理腔室中实行清洁处理，所述基板支承件盖的所述氟化物材料在所述清洁处理期间暴露至清洁气体或清洁物质。
13.如权利要求12所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述清洁处理之后在所述处理腔室中实行陈化处理，其中所述陈化处理以所述基板支承件盖布置在所述基板支承件上而实行。
14.一种基板支承件盖，包含：
板，所述板包含氟化物材料；和
侧盖，所述侧盖可移除地耦接至所述板，所述侧盖延伸穿过所述板。
15.如权利要求14所述的基板支承件盖，其中所述侧盖包含两个或多个节段。
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